有機發光顯示系統及其製造方法
2023-06-16 02:58:31 3
有機發光顯示系統及其製造方法
【專利摘要】公開了一種有機發光顯示系統及其製造方法。在一個方面，所述有機發光顯示系統包括：基板；顯示單元，在基板上限定有源區並且包括多個薄膜電晶體（TFT）；包封層，密封顯示單元並且具有至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構。TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極以及設置在柵電極與源電極之間和柵電極與漏電極之間的層間絕緣膜，其中，第二無機膜在基本在有源區外部的點處直接接觸層間絕緣膜。因此，在各種實施例中，因為防止了薄膜包封層的無機層破裂，所以可以減少或者防止了外部溼氣或氧滲入到顯示單元的有源區中。
【專利說明】有機發光顯示系統及其製造方法
[0001]本申請要求於2012年11月19日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0131115號韓國專利申請的權益，上述申請的公開通過引用全部包含於此。
【技術領域】
[0002]所公開的技術涉及一種有機發光顯示系統及其製造方法，更具體地講，涉及一種增強圍繞顯示系統的發光部分的薄膜包封層的密封力的有機發光顯示系統及其製造方法。
【背景技術】
[0003]有機發光顯示系統包括有機發光裝置或二極體(0LED)，該OLED包括空穴注入電極、電子注入電極以及形成在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發光層。這樣的顯示系統是當激子從激發態下降到基態時發射光的自發射系統，其中，當從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機發光層中彼此結合時產生所述激子。
[0004]因為OLED顯示系統不需要單獨的光源，所以OLED顯示系統可以在低電壓下工作並且具有輕薄的設計。這種新一代顯示系統具有諸如寬視角、高對比度和快速響應的附加優點。然而，因為有機系統材料易受外部溼氣或氧的影響而劣化，所以發光區域必須被有效地密封。
[0005]為了使OLED顯示系統重量輕和/或柔軟，近來已經試圖開發一種包括通過鋪設無機膜或者鋪設有機膜和無機膜而形成的多個層的堆疊件的薄膜包封構件。
[0006]因為無機膜通常將具有較大的厚度，所以與有機膜相比，無機膜可以更加有效地防止外部溼氣或氧的滲入。然而，由於無機膜的厚度增加，所以應力也增加，從而使得無機膜剝落。一旦包封構件被損壞或者移除，顯示系統的壽命就被縮短。
【發明內容】
[0007]本發明提供了一種可以改善薄膜包封層的密封力的有機發光顯示系統和一種製造該有機發光顯示系統的方法。
[0008]根據本發明的一方面，提供了一種有機發光顯示系統，所述有機發光顯示系統包括:基板；顯示單元，在基板上限定有源區並且包括多個薄膜電晶體(TFT);包封層，密封顯示單元並且具有其內至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構，其中，TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極以及設置在柵電極與源電極之間與柵電極與漏電極之間的層間絕緣膜，其中，第二無機膜在基本在有源區外部的點處直接接觸層間絕緣膜。
[0009]第二無機膜和層間絕緣膜可以由相同的材料形成。
[0010]所述材料是氮化矽(SiNx)。
[0011]顯示單元還可以包括有機發光裝置(0LED)，其中，OLED包括:像素電極，連接到源電極和漏電極中的任何一個；中間層，形成在像素電極上並且包括有機發光層；對電極，形成在中間層上，其中，第一無機膜形成在對電極上。[0012]有機發光顯示系統還可以包括形成在對電極和第一無機膜之間的保護層。
[0013]保護層可以包括覆蓋對電極的覆蓋層和形成在覆蓋層上的屏蔽層，其中，屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰(LiF)形成。
[0014]第一無機膜可以由氧化鋁(AlOx)形成。
[0015]包封層還可以包括形成在第二無機膜上的第二有機膜和形成在第二有機膜上的第三無機膜，其中，第三無機膜在基本在有源區外部的點處接觸第二無機膜的頂表面。
[0016]第二無機膜和第三無機膜可以由相同的材料形成。
[0017]第二無機膜和第三無機膜中的每個的覆蓋面積比第一無機膜的覆蓋面積大。
[0018]根據本發明的另一方面，提供了一種有機發光顯示系統，所述有機發光顯示系統包括:基板；顯示單元，在基板上限定有源區，並且包括多個薄膜電晶體(TFT)和多個有機發光裝置(OLED)使得相應的TFT電連接到相應的OLED ;包封層，密封顯示單元，並且具有其內至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構；保護層，形成在包封層和顯示單元之間，其中，TFT包括延伸到基本在有源區外部的點的層間絕緣膜，其中，第二無機膜的覆蓋面積比第一無機膜和第一有機膜中的每個的覆蓋面積大，第二無機膜在基本在有源區外部的點處接觸層間絕緣膜的頂表面。
[0019]層間絕緣膜和第二無機膜由相同的材料形成。
[0020]保護層包括覆蓋對電極的覆蓋層和形成在覆蓋層上的屏蔽層，其中，第一無機膜圍繞保護層。
[0021]第一無機膜的覆蓋面積比第一有機膜的覆蓋面積大。
[0022]屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰(LiF)形成，第一無機膜由氧化鋁(AlOx)形成。
[0023]包封層還包括形成在第二無機膜上的第二有機膜和形成在第二有機膜上的第三無機膜，其中，第三無機膜在有源區外部接觸第二無機膜的頂表面。
[0024]第二無機膜和第三無機膜由相同的材料形成。
[0025]所述材料是氮化矽(SiNx)。
[0026]TFT還包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，層間絕緣膜設置在柵電極與源電極之間和柵電極與漏電極之間。
[0027]有機發光裝置包括:像素電極，連接到TFT ;中間層，設置在像素電極上並且包括有機發光層；對電極，形成在中間層上，其中，屏蔽層覆蓋對電極。
[0028]根據本發明的另一方面，提供了一種製造有機發光顯示系統的方法，所述方法包括:在基板上形成限定有源區的顯示單元；在顯示單元上形成保護層；在保護層上形成第一無機膜；在第一無機膜上形成第一有機膜；形成第二無機膜以覆蓋第一無機膜和第一有機膜，其中，顯示單元包括延伸到基本在有源區外部的點的層間絕緣膜，第二無機膜在有源區外部接觸層間絕緣膜的頂表面。
[0029]形成保護層的步驟包括在顯示單元上形成覆蓋層以及在覆蓋層上形成屏蔽層，其中，屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰(LiF)形成。
[0030]第一無機膜通過使用濺射形成，並且由氧化鋁(AlOx)形成。
[0031]所述方法還包括:在第二無機膜上形成第二有機膜；在第二有機膜上形成第三無機膜，其中，通過使用化學氣相沉積(CVD)形成第二無機膜和第三無機膜。
[0032]第三無機膜在有源區的外部接觸第二無機膜的頂表面，第三無機膜和第二無機膜可以由相同的材料形成。
[0033]層間絕緣膜和第二無機膜由相同的材料形成。
[0034]一種有機發光顯示系統包括:基板；顯示單元，形成在基板上，包括具有多個像素的中央像素部分，每個像素包括薄膜電晶體(TFT)和有機發光二極體(OLED);包封層，密封顯示單元並且具有其內至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構，其中，TFT包括非導電層，其中，第二無機膜延伸到像素部分外並且在顯示單元的外圍部分中接觸非導電層。
[0035]非導電層是無機層間絕緣膜。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036]通過參照附圖對所公開的技術的示例性實施例的詳細描述，所公開的技術的上述和其它特徵和優點將變得更加明顯，其中:
[0037]圖1是示出根據所公開的技術的實施例的有機發光顯示系統的平面圖；
[0038]圖2是沿圖1的1-1』線截取的剖視圖；
[0039]圖3是沿圖1的11-11』線截取的剖視圖；
[0040]圖4是示出圖3的P部分的放大圖；以及
[0041]圖5至圖7是用於解釋根據所公開的技術的實施例的圖1的有機發光顯示系統的製造方法的剖視圖。 【具體實施方式】
[0042]如在這裡使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關所列項的任意組合和所有組合。當諸如「……中的至少一個(種)」的表達位於一系列元件後面時，修飾整個系列的元件而不是修飾所述系列中的單個元件。
[0043]因此，雖然示例性實施例能夠具有各種修改和可選擇的形式，但是在附圖中通過示例的方式示出了示例性實施例的實施例，並且在這裡將詳細描述示例性實施例的實施例。然而，應該理解的是，並不意圖將示例性實施例局限於所公開的具體形式，而是相反，示例性實施例將覆蓋落入本發明範圍內的所有修改、等同物和替換物。在描述本發明時，省略了關於可能會使本發明的要點模糊不清的相關公知功能或構造的詳細描述。
[0044]將理解的是，雖然術語「第一」、「第二」等在這裡可以用來描述各種元件，但是這些元件不應該受這些術語的限制。這些術語僅用來將一個元件與另一元件區別開來。
[0045]將理解的是，當元件或層被稱作「形成在」另一元件或層「上」時，該元件可以直接或間接形成在所述另一元件或層上。即，例如，可以存在中間元件或中間層。
[0046]現在將參照附圖更充分地描述本發明，附圖中示出了本發明的示例性實施例。附圖中同樣的標號表示同樣的元件，因此將不給出對其重複的解釋。在附圖中，為了清晰起見，放大了層和區域的厚度。在附圖中，為了便於解釋，誇大了某些層和區域的厚度。
[0047]圖1是示出根據實施例的有機發光顯示系統10的平面圖。圖2是沿圖1的1-1』線截取的剖視圖。圖3是沿圖1的11-11』線截取的剖視圖。圖4是示出圖3的P部分的放大圖。
[0048]參照圖1至圖4，有機發光顯示系統10包括基板101、在基板101上限定有源區AA的顯示單元200以及密封顯示單元200的包封層300。
[0049]基板101可以是剛性的或者柔性的，並且可以由諸如聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯(PAR)和聚醚醯亞胺的具有高熱阻和高耐用性的塑料形成。然而，本實施例不限於此，基板101可以由諸如金屬和玻璃的任何其它各種材料形成。
[0050]顯示單元200在基板101上限定有源區AA並且包括多個像素，在多個像素中，每個像素具有彼此電連接的薄膜電晶體(TFT)和有機發光裝置(0LED)。焊盤單元I通常設置在有源區AA周圍，並且將電信號從供電裝置(未示出)或信號產生裝置(未示出)傳輸到有源區AA。儘管後面的附圖將解釋關於單獨像素的單個TFT和OLED的各種實施例，但是相關領域技術人員將理解的是，利用下面將解釋的層和膜同時在有源區中形成像素的矩陣。還將理解的是，商業產品將代表性地採用諸如紅色、綠色和藍色的不同顏色的若干子像素來形成完整的像素，但是這樣的用法細節是公知的，這裡將不進一步考慮。此外，例如，還未示出的是用於補充TFT和OLED以形成像素的任何支撐電路或者需要驅動數據到像素的電路。
[0051]將參照圖3更詳細地解釋關於像素的顯示單元200。
[0052]在這個實施例中，緩衝層201形成在基板101上。緩衝層201形成在基板101的整個表面上，即，緩衝層201形成在有源區AA上以及形成在有源區AA周圍。緩衝層201用來防止雜質滲入基板101中並且使基板101平坦化。根據設計需要，緩衝層201可以由任何各種材料形成。
[0053]例如，緩衝層201可以包括諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦的無機材料或者諸如聚醯亞胺、聚酯或壓克力(acryl)的有機材料，並且可以具有堆疊有兩種或更多種材料的堆疊結構。
[0054]參照圖3，TFT形成在緩衝層201上並且包括有源層202、柵電極204、源電極206和漏電極207。
[0055]有源層202可以由諸如非晶矽或多晶矽的無機半導體、有機半導體或者氧化物半導體形成，並且包括源區、漏區和溝道區。
[0056]柵極絕緣膜203形成在有源層202上。柵極絕緣膜203形成為對應於基板101的整個表面。即，柵極絕緣膜203形成在基板101的有源區AA上以及形成在基板101的有源區AA的周圍。用於使有源層202與柵電極204絕緣的柵極絕緣膜203可以由有機材料或者諸如SiNx或SiO2的無機材料形成。
[0057]柵電極204形成在柵極絕緣膜203上。柵電極204可以由金(Au )、銀(Ag )、銅(Cu )、鎳(Ni)、鉬(Pt)、|fi(Pd)、招(Al)或鑰(Mo)形成或者由諸如Al:Nd或Mo:W的合金形成,但是實施例不限於此並且考慮到設計限制，柵電極204可以由任何其它各種材料形成。
[0058]層間絕緣膜205形成在柵電極204上。層間絕緣膜205通常形成為對應於基板101的整個表面。即，層間絕緣膜205形成在有源區AA上以及形成在有源區AA的周圍。
[0059]設置在柵電極204和源電極206之間以及柵電極204和漏電極207之間並且使柵電極204與源電極206和漏電極207中的每個絕緣的層間絕緣膜205可以由諸如SiNx或SiO2的無機材料形成。層間絕緣膜205可以由SiNx形成，或者可以具有包括SiNx層和SiO2層的雙層結構。當層間絕緣膜205具有雙層結構時，為了改善層間絕緣膜205和包封層之間的粘合力，最好使上層形成為SiNx層。[0060]源電極206和漏電極207形成在層間絕緣膜205上。此外，層間絕緣膜205和柵極絕緣膜203形成為暴露有源層202的源區和漏區，源電極206和漏電極207形成為接觸有源層202的被暴露的源區和被暴露的漏區。
[0061]雖然參考的TFT被示出為其內順序地堆疊有源層202、柵電極204以及源電極206和漏電極207的頂柵TFT，但是實施例不限於此並且柵電極204可以設置在有源層202下方。
[0062]TFT通過電連接到OLED來驅動OLED並且通過被鈍化層208覆蓋而被保護。
[0063]所公開的鈍化層208包括無機絕緣膜和/或有機絕緣膜。無機絕緣膜可以由Si02、SiNx, SiON, A1203、TiO2, Ta2O5, HfO2, Zr02、BST或PZT形成，有機絕緣膜可以由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的普通聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯醯類聚合物、醯亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或者它們的混合物形成。另外，所公開的鈍化層208具有包括無機絕緣膜和有機絕緣膜的堆疊結構。
[0064]諸如OLED的發光裝置通常形成在鈍化層208上並且包括像素電極211、中間層214和對電極215。
[0065]像素電極211形成在鈍化層208上。此外，鈍化層208可以形成為暴露漏電極的預定部分而不覆蓋漏電極207的整個表面，像素電極211可以形成為連接到漏電極207的
暴露部分。
[0066]像素電極211可以是反射電極，並且可以包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可以包括從由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)組成的組選擇的至少一種。
[0067]面對像素電極211的對電極215可以是透明或半透明電極，並且可以包括由鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物形成的具有低功函數的金屬薄膜。另外，由諸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明電極形成材料形成的輔助電極層或匯流電極還可以形成在金屬薄膜上。
[0068]因此，對電極215使從包括在中間層214中的有機發光層發射的光透射穿過。即，從有機發光層發射的光將直接透射到對電極215，或者將被包括反射電極的像素電極211反射然後透射到對電極215。
[0069]然而，有機發光顯示系統10不限於頂部發射有機發光顯示系統，並且可以是底部發射有機發光顯不系統，在底部發射有機發光顯不系統中，從有機發光層發射的光透射到基板101。在這種情況下，像素電極211可以是透明或半透明電極，對電極215可以是反射電極。另外，有機發光顯示系統10可以是光被透射到頂表面和底表面二者的雙面發射有機發光顯示系統。
[0070]由絕緣材料形成的像素限定膜213形成在像素電極211上。像素限定膜213被加工為暴露像素電極211的預定部分，包括有機發光層的中間層214形成在像素電極211的暴露部分上。
[0071 ] 有機發光層可以由低分子量有機材料或者高分子量有機材料形成。除有機發光層夕卜，中間層214還可以選擇性地包括諸如空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)的功能層。
[0072]包封層300形成在對電極215上。在描述的實施例中，包封層300至少包括第一無機膜301、第一有機膜302和第二無機膜303。另外，如圖4中所示，保護層220還可以形成在包封層300和顯示單元200之間。
[0073]保護層220可以包括覆蓋對電極215的覆蓋層222和設置在覆蓋層222上的屏蔽層(shield layer)224。
[0074]覆蓋層222可以由諸如a-NPD、NPB、TPD、m_MTDATA、Alq3或CuPc的有機材料形成。覆蓋層222用於增強光傳輸以及保護0LED。
[0075]屏蔽層224可以由諸如LiF、MgF2或CaF2的無機材料形成。屏蔽層224用於防止在形成第一無機膜301時使用的等離子體穿透到OLED中以及防止所述等離子體損壞中間層214和對電極215。屏蔽層224可以由具有針孔結構的LiF形成。
[0076]第一無機膜301形成在保護層220上。第一無機膜301可以由例如氧化鋁(AlOx)形成。第一無機膜301可以通過使用濺射形成為大約500Λ的厚度。沉積在屏蔽層224上的第一無機膜301根據屏蔽層224的晶體結構生長。即，精細裂紋存在於形成在屏蔽層224上的第一無機膜301的整個表面上。
[0077]形成在第一無機膜301上的第一有機膜302可以包括高分子量有機化合物。在高分子量有機化合物中可以發生釋放氣體的釋氣現象(outgassing)。氣體可以滲入到OLED中。在這種情況下，當顆粒等使第一無機膜301破裂時，有機化合物中產生的氣體可以集中在裂紋上，從而使OLED的對電極215氧化並導致意想不到的暗斑。
[0078]然而，根據各種實施例，因為精細裂紋存在於第一無機膜301的整個表面上，所以即使氣體從第一有機膜302釋放時，氣體也不會集中在單個點上。即，因為第一有機膜302中產生的氣體通過(平均地)存在於整個表面上的精細裂紋而被廣泛地分布，所以對電極215總體上將不被氧化,從而暗斑可以被最小化或者避免。
[0079]第一有機膜302可以形成在第一無機膜301上以具有預定的厚度，例如，大約30000Λ的厚度以使由於包括形成像素限定膜213的OLED處理而形成的臺階式部分(見圖3中的OLED標記)平坦化。第一有機膜302可以由環氧樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯丙烯酸酯中的任何一種形成。通常，第一有機膜302的覆蓋區域將比第一無機膜301的覆蓋區域小。
[0080]第二無機膜303形成為圍繞第一無機膜301和第一有機膜302。即，因為第一有機膜302的整個表面被第一無機膜301和第二無機膜303圍繞，所以可以有效地防止外部溼氣或氧滲入到顯示單元的有源區中。
[0081]第二無機膜303可以由例如SiNx形成，並且可以通過使用化學氣相沉積(CVD)形成為大約10000A的厚度。因此，即使當顆粒存在於第一有機膜302上時，也將覆蓋由於在製造工藝過程中引入的顆粒而形成的上升的部分。另外，因為第二無機膜303通過利用不使用等離子體的CVD形成，所以第一有機膜302在形成第二無機膜303時將不被損壞，從而將防止釋氣現象。
[0082]第二無機膜303形成為覆蓋比第一無機膜301大的區域，並且在基本在有源區AA外部的點處直接接觸層間絕緣膜205。另外，第二無機膜303可以由與層間絕緣膜205的材料相同的材料形成。即，因為第二無機膜303由SiNx形成，並且層間絕緣膜205由SiNx形成或者當層間絕緣膜205具有雙層結構時，上層為3丨隊層，所以將增強第二無機膜303和層間絕緣膜205之間的粘合力。因此，在各種實施例中，由於第二無機膜303形成為足以覆蓋不期望的微粒物質的厚度，所以即使膜上的應力增大時，也在很大程度上防止第二無機膜303剝落，從而減少或者避免有害的外部溼氣或者氧的滲入。
[0083]第二有機膜304和第三無機膜305可以形成在第二無機膜303上。雖然沒有在圖1至圖4中示出，但是在其它實施例中，由AlOx形成的第四無機膜(未示出)還可以形成在包封層300的外表面上。
[0084]第二有機膜304可以由環氧樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯丙烯酸酯中的任何一種形成，並且可以形成為大約10000Λ的厚度。第二有機膜304用於減小對第一無機膜301的應力並且如果有顆粒的話則使顆粒平坦化。
[0085]第三無機膜305覆蓋第二有機膜304。第三無機膜305具有大約IOOOOA的厚度，
並且在基本在有源區AA外部的點處接觸第二無機膜303的頂表面。
[0086]第三無機膜305可以由與第二無機膜303的材料相同的材料形成。例如，第三無機膜305可以由SiNx形成。因此，第三無機膜305和第二無機膜303之間的粘合力將要增大，從而進一步有效地防止外部溼氣或氧的滲入。
[0087]包封層300還可以包括交替堆疊的多個附加的無機膜和有機膜，堆疊的無機膜和有機膜的數量不受限制。
[0088]另外，保護膜(未示出)被附於包封層300的頂表面。當保護膜具有強粘合力時，在去除保護膜時，包封層300同樣可以剝落。為了解決這個問題，可以進一步形成與保護膜具有弱粘合力的由AlOx形成的第四無機膜(未示出)。
[0089]圖5至圖7是用於解釋圖1的有機發光顯示系統10的製造方法的剖視圖。顯示單元200與參照圖3描述的顯示單元相同，因此顯示單元200的部分結果在圖5至圖7中未示出。
[0090]將參照圖5至圖7與圖4 一起來解釋有機發光顯示系統10的製造方法。
[0091]參照圖5,在基板101上形成限定有源區AA的顯示單元200。因為顯示單元200可以包含如圖3所示的像素結構並且可以由任何各種公知的有機發光顯示設計製成，所以將不解釋製造顯示單元200的方法。顯示單元200包括延伸到基本在有源區AA外部的位置的緩衝層201、柵極絕緣膜203和層間絕緣膜205。設置在柵電極204 (見圖3)和源電極206 (見圖3)之間以及柵電極204 (見圖3)和漏電極207 (見圖3)之間並且使柵電極204與源電極206和漏電極207中的每個絕緣的層間絕緣膜205可以由諸如SiNx或SiO2的無機材料形成。層間絕緣膜205可以由SiNx形成，或者可以形成為具有包括SiNx層和SiO2層的雙層結構。當層間絕緣膜205具有雙層結構時，上層可以是SiNx層，以改善層間絕緣膜205和第二無機膜303之間的粘合力。
[0092]參照圖6，在顯示單元200上形成保護層220和第一無機膜301。
[0093]保護層220包括由諸如a-NPD、NPB, TPD、m_MTDATA、Alq3或CuPc的有機材料形成的覆蓋層222和由LiF形成的屏蔽層224。第一無機膜301可以由AlOx形成。另外，可以利用濺射將第一無機膜301形成為大約500A的厚度。
[0094]因為氟化鋰(LiF)具有針孔結構並且沉積在屏蔽層224上的第一無機膜301根據屏蔽層224的晶體結構生長，所以精細裂紋存在於第一無機膜301的整個表面上。因此，SP使當在第一無機膜301上形成的第一有機膜302 (見圖7)中產生氣體時，氣體也將總體上通過(平均地)存在於第一無機膜301上的整個表面上的精細裂紋被廣泛分布。因此，可以防止對電極215被氧化並且可以避免暗斑。
[0095]參照圖7，順序地形成第一有機膜302、第二無機膜303、第二有機膜304和第三無機膜305。
[0096]可以將第一有機膜302形成為足夠大以使由於像素限定膜213 (見圖3)而形成的臺階式部分平坦化的預定的厚度，例如，大約30000Λ的厚度。第一有機膜302可以由環氧樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯丙烯酸酯中的任何一種形成。為了使第一有機膜302的覆蓋區域比第一無機膜301的覆蓋區域小，可以使用具有較小開口的掩膜來形成第一有機膜302。
[0097]形成第二無機膜303以圍繞第一無機膜301和第一有機膜302。即，因為第一有機膜302的整個表面被第一無機膜301和第二無機膜303圍繞，所以將減少或者防止外部溼氣或氧的滲入。
[0098]第二無機膜303可以由例如SiNx形成，並且可以通過使用CVD形成為大約IOOOOA的厚度。因此，即使當顆粒存在於第一有機膜302上時，由於顆粒而形成的上升部分也將被覆蓋。另外，因為通過使用不採用等離子體的CVD來形成第二無機膜303，所以當形成第二無機膜303時可以防止第一有機膜302被損壞，從而防止在第一有機膜302中產生氣體的釋氣現象。
[0099]第二無機膜303被形成為面積比第一無機膜301的面積大，並且在基本在有源區AA外部的點處直接接觸層間絕緣膜205。另外，第二無機膜303可以由與層間絕緣膜205的材料相同的材料形成。例如，因為第二無機膜303由SiNx形成，層間絕緣膜205由SiNx形成或者當層間絕緣膜205具有雙層結構時，上層是SiNx層，所以可以改善第二無機膜303和層間絕緣膜205之間的粘合力。因此，因為第二無機膜303被形成為足以覆蓋不期望的微粒物質的厚度，所以即使對膜的應力增大時，也可以防止第二無機膜303剝落，從而將減少或者防止外部溼氣或者氧的滲入。
[0100]第二有機膜304可以包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂和聚氨酯丙烯酸酯中的任何一種，並且可以形成為大約10000Λ的厚度。第二有機膜304減小第一無機膜301上的應力並且如果有顆粒的話則使顆粒平坦化。
[0101]第三無機膜305覆蓋第二有機膜304。第三無機膜305可以具有大約j 0000Λ的厚度，並且可以通過使用CVD形成，從而防止對第二有機膜304的損壞。
[0102]另外，第三無機膜305可以在有源區AA的外部接觸第二無機膜303的頂表面，第三無機膜305可以由與第二無機膜303的材料相同的材料形成。例如，第三無機膜305可以由SiNx形成。因此，第三無機膜305和第二無機膜303之間的粘合力將得以增加，從而有效地防止外部溼氣或氧的滲入。
[0103]包封層300還可以包括交替堆疊的多個附加的無機膜和有機膜。堆疊的無機膜和有機膜的數量不受限制。[0104]柔性顯示系統不限於實施例的所公開的結構和方法，可以通過選擇性地組合其它實施例中的全部或者一些元件來修改實施例。
[0105]儘管已經參照發明構思的示例性實施例具體地示出和描述了發明構思，但是出於說明性的目的來提供示例性實施例，並且本領域的普通技術人員將理解的是，根據本發明構思可以做出各種修改和等同的其它實施例。因此，發明構思的真正技術範圍由權利要求的技術精神所限定。
【權利要求】
1.一種有機發光顯不系統，所述有機發光顯不系統包括: 基板； 顯示單元，在基板上限定有源區並且包括多個薄膜電晶體；以及包封層，密封顯示單元，並且具有至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構， 其中，薄膜電晶體包括有源層、柵電極、源電極、漏電極以及設置在柵電極與源電極之間和柵電極與漏電極之間的層間絕緣膜， 其中，第二無機膜在基本在有源區外部的點處直接接觸層間絕緣膜。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示系統，其中，第二無機膜和層間絕緣膜由相同的材料形成。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示系統，其中，所述材料是氮化矽。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示系統，其中，顯示單元還包括有機發光裝置， 其中，有機發光裝置包括: 像素電極，連接到源電極和漏電極中的任何一個； 中間層，形成在像素電極上並且包括有機發光層；以及 對電極，形成在中間層上， 其中，第一無機膜形成在對電極上。
5.根據權利要求4 所述的有機發光顯示系統，所述有機發光顯示系統還包括形成在對電極和第一無機膜之間的保護層。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示系統， 其中，保護層包括覆蓋對電極的覆蓋層和形成在覆蓋層上的屏蔽層， 其中，屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰形成。
7.根據權利要求6所述的有機發光顯示系統，其中，第一無機膜由氧化鋁形成。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示系統， 其中，包封層還包括形成在第二無機膜上的第二有機膜和形成在第二有機膜上的第三無機膜， 其中，第三無機膜在基本在有源區外部的點處接觸第二無機膜的頂表面。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示系統，其中，第二無機膜和第三無機膜由相同的材料形成。
10.根據權利要求8所述的有機發光顯示系統，其中，第二無機膜和第三無機膜中的每個的覆蓋區域比第一無機膜的覆蓋區域大。
11.一種有機發光顯不系統，所述有機發光顯不系統包括: 基板； 顯示單元，在基板上限定有源區，並且包括多個薄膜電晶體和多個有機發光裝置使得相應的薄膜電晶體電連接到相應的有機發光裝置； 包封層，密封顯示單元，並且具有至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構；以及 保護層，形成在包封層和顯示單元之間， 其中，薄膜電晶體包括延伸到基本在有源區外部的點的層間絕緣膜，其中，第二無機膜的覆蓋區域比第一無機膜和第一有機膜中的每個的覆蓋區域大，第二無機膜在基本在有源區外部的點處接觸層間絕緣膜的頂表面。
12.根據權利要求11所述的有機發光顯示系統，其中，層間絕緣膜和第二無機膜由相同的材料形成。
13.根據權利要求11所述的有機發光顯示系統， 其中，保護層包括覆蓋對電極的覆蓋層和形成在覆蓋層上的屏蔽層， 其中，第一無機膜圍繞保護層。
14.根據權利要求11所述的有機發光顯示系統，其中，第一無機膜的覆蓋區域比第一有機膜的覆蓋區域大。
15.根據權利要求13所述的有機發光顯示系統，其中，屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰形成，第一無機膜由氧化鋁形成。
16.根據權利要求11所述的有機發光顯示系統， 其中，包封層還包括形成在第二無機膜上的第二有機膜和形成在第二有機膜上的第三無機膜， 其中，第三無機膜在有源區外部接觸第二無機膜的頂表面。
17.根據權利要求16所述的有機發光顯示系統，其中，第二無機膜和第三無機膜由相同的材料形成。
18.根據權利要求17所述的有機發光顯示系統，其中，所述材料是氮化矽。
19.根據權利要求11所述的`有`機發光顯示系統， 其中，薄膜電晶體還包括有源層、柵電極、源電極和漏電極， 其中，層間絕緣膜設置在柵電極與源電極之間和柵電極與漏電極之間。
20.根據權利要求11所述的有機發光顯示系統， 其中，有機發光裝置包括:像素電極，連接到薄膜電晶體；中間層，設置在像素電極上並且包括有機發光層；對電極，形成在中間層上， 其中，屏蔽層覆蓋對電極。
21.一種製造有機發光顯示系統的方法，所述方法包括: 在基板上形成限定有源區的顯示單元； 在顯示單元上形成保護層； 在保護層上形成第一無機膜； 在第一無機膜上形成第一有機膜；以及 形成第二無機膜以覆蓋第一無機膜和第一有機膜， 其中，顯示單元包括延伸到基本在有源區外部的點的層間絕緣膜，第二無機膜在有源區外部接觸層間絕緣膜的頂表面。
22.根據權利要求21所述的方法， 其中，形成保護層的步驟包括在顯示單元上形成覆蓋層以及在覆蓋層上形成屏蔽層， 其中，屏蔽層由具有針孔結構的氟化鋰形成。
23.根據權利要求22所述的方法，其中，第一無機膜通過使用濺射形成，並且由氧化鋁形成。
24.根據權利要求21所述的方法，所述方法還包括:在第二無機膜上形成第二有機膜；以及 在第二有機膜上形成第三無機膜， 其中，通過使用化學氣相沉積形成第二無機膜和第三無機膜。
25.根據權利要求24所述的方法，其中，第三無機膜在有源區的外部接觸第二無機膜的頂表面，第三無機膜和第二無機膜由相同的材料形成。
26.根據權利要求24所述的方法，其中，層間絕緣膜和第二無機膜由相同的材料形成。
27.—種有機發光顯不系統,所述有機發光顯不系統包括: 基板； 顯示單元，形成在基板上並且包括具有多個像素的中央像素部分，每個像素包括薄膜電晶體和有機發光二極體；以及 包封層，密封顯示單元並且具有至少順序地堆疊有第一無機膜、第一有機膜和第二無機膜的堆疊結構， 其中，薄膜電晶體包括非導電層， 其中，第二無機膜延伸到像素部分外並且在顯示單元的外圍部分接觸非導電層。
28.根據權利要求27所述的有機發光顯示系統，其中，非導電層是無機層間絕緣膜。
【文檔編號】H01L51/52GK103824871SQ201310181331
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年5月16日 優先權日:2012年11月19日
【發明者】李政烈, 趙尹衡, 韓旭 申請人:三星顯示有限公司