變阻器和使用該變阻器的電子部件模塊的製作方法

2023-09-13 09:45:50

專利名稱：變阻器和使用該變阻器的電子部件模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於各種電子裝置以防止因靜電或浪湧電壓而產生故障的變阻器(varistor)、以及具有該變阻器和電子部件的電子部件模塊。
技術背景近年來，可攜式電話等電子裝置的小型化、低耗電化正迅速發展，伴隨 於此，構成電子裝置電路的各種電子部件的耐壓降低。因此，在人體與電子 裝置的導通部接觸時所產生的靜電脈衝等引起各種電子部件、特別是半導體 裝置出現故障，從而導致電子裝置的故障增多。作為一種電子部件和半導體裝置，發光二極體用於顯示裝置的背光或小 型照相機的閃光燈等中，在廣泛領域中得到普及。該發光二極體對靜電脈衝 的耐壓較低。作為保護這種發光二極體不受靜電脈衝影響的對策，將變阻器連接在具 有靜電脈衝的線路與地線之間，使靜電脈衝分流到地線中，從而抑制施加到 發光二極體中的高電壓。圖24是日本專利特開平8 — 31616號公報所公開的現有的疊層片式變阻 器105的截面圖。疊層片式變阻器適於小型化，多用於小型電子裝置中。疊 層片式變阻器105包括具有內部電極100的變阻器層102、和在變阻器層 102的端面與內部電極100連接的端子103。在變阻器層102的上下表面設 置有保護層104。在現有的變阻器105中，為了確保能夠防止破損和碎裂的物理強度，需 要變阻器層102具有一定程度的厚度，因此難以實現薄型化。例如，長度為 1.25 mm、寬度為2.0 mm左右的疊層片式變阻器需要具有0.5 mm以上的厚 度，由此，難以實現薄型化。即使保持了機械強度，但越薄則越會導致變阻 器層102中所含的成分之一氧化鉍在燒制中蒸發，從而可能會導致變阻器特 性和可靠性的劣化
發明內容
本發明提供一種變阻器，其特徵在於，包括具有絕緣性的陶瓷基板、 設置在陶瓷基板上的以氧化鋅為主要成分的變阻器層、設置在變阻器層上的 玻璃陶瓷層、和設置在變阻器層內且彼此相對的第一與第二內部電極。該變阻器小型且較薄，對於浪湧電壓具有優異的變阻器特性。而且，利 用該變阻器，能夠獲得對靜電和浪湧電壓具有耐性的小型電子部件模塊。


圖1是本發明的實施方式1的變阻器的立體圖。圖2是圖1所示的變阻器的沿線2 — 2的截面圖。圖3A是實施方式1的變阻器的截面圖。圖3B表示實施方式1的變阻器的構成元素的分布。圖3C表示實施方式1的變阻器的構成元素的分布。圖3D表示實施方式1的變阻器的構成元素的分布。圖3E表示實施方式1的變阻器的構成元素的分布。圖4A表示測定實施方式的樣品的變阻器特性的結果。圖4B表示測定實施方式的樣品的變阻器特性的結果。圖5是本發明的實施方式2的變阻器的立體圖。圖6是圖5所示的變阻器的沿線6 — 6的截面圖。圖7A是實施方式2的其他變阻器的立體圖。圖7B是實施方式2的另一其他變阻器的立體圖。圖7C是實施方式2的另一其他變阻器的立體圖。圖8是本發明的實施方式3的變阻器的放大截面圖。圖9是實施方式3的其他變阻器的立體圖。圖10是本發明的實施方式4的電子部件模塊的立體圖。圖11A是實施方式4的其他電子部件模塊的立體圖。圖11B是實施方式4的另一其他電子部件模塊的立體圖。圖11C是實施方式4的另一其他電子部件模塊的立體圖。圖11D是實施方式4的另一其他電子部件模塊的立體圖。圖12A是本發明的實施方式5的變阻器的立體圖。 圖12B是圖12A所示的變阻器的沿線12B — 12B的截面圖。圖12C是實施方式5的變阻器的頂視立體圖。圖13是實施方式5的變阻器的頂視圖。圖14是實施方式5的電子部件模塊的截面圖。圖15是實施方式5的其他變阻器的截面圖。圖16是實施方式5的變阻器的截面圖。圖17是實施方式5的變阻器的截面圖。圖18是實施方式5的變阻器的截面圖。圖19是本發明的實施方式6的變阻器的截面圖。圖20是本發明的實施方式7的變阻器的截面圖。圖21A是實施方式7的其他變阻器的頂視圖。圖21B是圖21A所示的變阻器的沿線21B — 21B的截面圖。圖22A是實施方式7的其他變阻器的頂視圖。圖22B是圖22A所示的變阻器的沿線22B — 22B的截面圖。圖23是本發明的實施方式7的其他變阻器的截面圖。圖24是現有變阻器的截面圖。符號說明11A 內部電極(第一內部電極)11B 內部電極(第二內部電極)12 變阻器層12A 變阻器層的面(變阻器層的第二面)13 陶瓷基板13A 陶瓷基板的面(陶瓷基板的第二面)13B 陶瓷基板的面(陶瓷基板的第一面)14 玻璃陶瓷層(第一玻璃陶瓷層)14A 玻璃陶瓷層的面(第一玻璃陶瓷層的第二面)14B 玻璃陶瓷層的面(第一玻璃陶瓷層的第一面)15A 外部電極(第一外部電極)15B 外部電極(第二外部電極)16A 端子電極(第一外部電極) 16B端子電極(第二外部電極)17A通孔電極(第一通孔電極)17B通孔電極(第二通孔電極)18發光二極體(電子部件)18A端子(第一端子)18B端子(第二端子)20A端子電極(第一外部電極)20B端子電極(第二外部電極)21孔21A壁面22A通孔電極(第一通孔電極)24孔24A壁面24B開口部25光反射層27玻璃陶瓷層(第二玻璃陶瓷層)30絕緣層32傳熱層38發光二極體(電子部件)38A端子(第一端子)38B端子(第二端子)56A端子電極(第一外部電極)56B端子電極(第二外部電極)66A端子電極(第一外部電極)66B端子電極(第二外部電極)117A通孔電極(第一通孔電極)117B通孔電極(第二通孔電極)217A通孔電極(第一通孔電極)217B通孔電極(第二通孔電極)124孔124 A壁面 124B開口部317A通孔電極(第-一通孔電極)317B通孔電極(第-二通孔電極)511A內部電極(第-一內部電極)511B內部電極(第.二內部電極)611A內部電極(第-一內部電極)611B內部電極(第-二內部電極)711A內部電極(第-一內部電極)711B內部電極(第.二內部電極)811A內部電極(第-一內部電極)811B內部電極(第-二內部電極)911A內部電極(第-一內部電極)911B內部電極(第-二內部電極)5012B變阻器層l的面(變阻器層的第一面)5021B開口部5022B通孔電極(第-二通孔電極)具體實施方式
(實施方式1)圖1是本發明的實施方式1的變阻器201的立體圖。圖2是圖1所示的 變阻器201的沿線2—2的截面圖。變阻器201包括陶瓷基板13、設置在 陶瓷基板B的面13A上的變阻器層12、和設置在變阻器層12的面12A上 的玻璃陶瓷層14。變阻器層12的面12A的相反面5012B與陶瓷基板13的 面13A接觸。陶瓷基板13由氧化鋁基板等具有耐熱性和絕緣性的材料構成。 變阻器層12內設置有彼此相對的內部電極IIA、 IIB。即，變阻器層12由 玻璃陶瓷層14和陶瓷基板13所夾持。內部電極IIA、 11B各自的端部111A、 111B露出在變阻器層12的端面12C、 12D上。露出在變阻器201外部的外 部電極15A、 15B分別與內部電極IIA、 11B所露出的端部111A、 111B連 接，構成表面安裝式變阻器201。變阻器層12的變阻器材料含有作為主要成分的80重量％以上的氧化 鋅，和總計0 20重量％的氧化鉍、氧化銻、氧化錳、氧化鈷等添加物，利
用該組成使變阻器層具有優異的變阻器特性。此外，通過添加玻璃等，可以獲得能夠在90(TC左右進行燒制的變阻器材料。另外，只要具有優異的變阻器特性，添加物可以是上述材料以外的材料。將變阻器層12疊層在機械強度較大的陶瓷基板13上，因此，即使變阻 器層12的機械強度小，也能夠實現變阻器201的薄型化。通過將玻璃陶瓷層14疊層在變阻器層12的面12A上，能夠抑制在對變 阻器材料進行燒制時鉍等添加物的蒸發。因此，即使變阻器層12較薄，也 能夠具有優異的變阻器特性，且具有高可靠性。結果，能夠獲得對微小浪湧 電壓具有優異的變阻器特性、可靠性優異、且能夠實現小型薄型化的變阻器 201。而且，利用陶瓷基板13，能夠獲得具有多個變阻器的變阻器陣列。 下面，說明變阻器201的製造方法。首先，配製上述變阻器材料的粉末、粘合劑樹脂、增塑劑和溶劑後，使 它們混合併分散，製作陶瓷漿料。此後，採用刮刀法製作厚度約為50pm的 陶瓷生片。利用網板印刷法將以銀為主要成分的導電膏印刷到陶瓷生片上， 形成內部電極IIA、 IIB。如圖2所示，以內部電極IIA、 11B隔著變阻器 層12的一部分12E相對的方式配置併疊層陶瓷生片。為了獲得例如長度L1為1.0 mm、寬度Wl為0.5 mm的小型表面安裝 型的變阻器201，優選將內部電極11A、 11B的面積設為0.3 0.5 mm2，將 內部電極11A、 11B間的距離T1設為5 50|im。在變阻器層12的面12A上，疊層製成與變阻器材料在大致相同的燒制 溫度下燒結的玻璃陶瓷材料的玻璃陶瓷層14的陶瓷生片，形成疊層體。作 為該玻璃陶瓷材料，可以是例如以50 : 50的重量比混合氧化鋁陶瓷粉末和 硼矽酸鈣/鋁/玻璃粉末而成，只要是在變阻器材料的燒制溫度下燒結的材料 即可，並不特別規定於上述材料。在變阻器層12的未疊層玻璃陶瓷層14的面5012B上，塗布溶解於甲苯 的丙烯酸樹脂等粘接劑，重疊厚度為0.33mm、純度為96%的氧化鋁基板構 成的陶瓷基板13的面13A，在溫度IO(TC下，施加100kg/cn^的壓力1分鐘， 使疊層體與陶瓷基板13完全粘合。將該疊層體放入燒制爐中，在約55(TC的 溫度下燃燒樹脂成分，然後在約90(TC下燒制2小時。利用該燒制，使玻璃 陶瓷層14、變阻器層12和由氧化鋁基板構成的陶瓷基板13形成為一體。尤其是當變阻器材料中含有氧化鉍等鉍化合物時，因氧化鉍擴散，而使玻璃陶 瓷層14、變阻器層12和陶瓷基板13進一步一體化。使用純度為96%的氧化鋁基板作為陶瓷基板13，也可使用不與變阻器 材料過反應、具有可以耐受變阻器層12與玻璃陶瓷層14的燒制溫度的耐熱 性、含有氧化鋁、氧化鋯、氧化矽和氧化鎂中任一種為主要成分的機械強度 優異的陶瓷基板13。為了提高生產率，經過燒制的疊層體通常包括排列為格子狀的多個變阻 器。利用切割機等切斷機切斷經過燒制的疊層體，將其分割為單片的變阻器。 經過分割的單片的變阻器201中，內部電極IIA、 11B的端部111A、 111B 分別露出在變阻器層12的端面12C、 12D上。在端部111A、 111B所露出的 端面12C、 12D上塗布銀膏等導電膏，在規定的溫度下進行燒制，由此形成 外部電極15A、 15B，從而獲得變阻器201。採用上述方法製作變阻器201的樣品。實施方式1中實施例樣品的內部 電極IIA、 11B間的距離Tl約為25 pm。切割該樣品，並對其切斷面進行研 磨後，利用掃描式電子顯微鏡觀察變阻器層12和玻璃陶瓷層14。圖3A是 表示變阻器201的變阻器層12與玻璃陶瓷層14的界面12H附近的微細結構 的截面圖。圖3B 圖3E分別表示使用能量色散式螢光X射線裝置測定的變 阻器層12與玻璃陶瓷層14的界面12H附近的鋅(Zn)、鉍(Bi)、鈷(Co) 和銻(Sb)的分布。如圖3B 圖3E所示，作為變阻器材料主要成分的鋅(Zn)僅存在於變 阻器層12中，在玻璃陶瓷層14中幾乎不存在。作為添加物的鉍(Bi)、鈷 (Co)、銻(Sb)向玻璃陶瓷層14擴散，也存在於玻璃陶瓷層14的內部。採用相同的製造方法製作比較例的樣品，該樣品中，未將玻璃陶瓷層14 疊層在變阻器層12上，即，變阻器層12露出。比較例樣品的距離T1約為 38拜。圖4A表示測定變阻器201的實施例樣品和比較例樣品的變阻器特性的 結果。圖4A表示向樣品通入lmA、 0.1 mA、 0.01 mA、 0.001 mA的電流時 外部電極15A、 15B間的電壓。如圖4A所示，比較例樣品的電壓高於實施例樣品的電壓。流過l mA 電流時的電壓V (lmA)與流過0.1mA電流時的電壓V (0.1 mA)的比值越小，非線性越優異，變阻器特性越優異。實施例樣品的非線性優於比較例
樣品的非線性。接著，圖4B表示將這些樣品放置在85°C、 85%的高溫高溼槽中24小時 後測定出的電氣特性。如圖4B所示，放置前後實施例樣品的變阻器電壓幾乎沒有變化，而比 較例樣品的變阻器電壓卻大幅下降，非線性也明顯惡化。比較例樣品中，由於變阻器材料並未得到充分燒結，所以電壓增大，如 果放置在高溫高溼槽中，就會吸收水分而導致變阻器電壓下降，引起非線性 的劣化。其理由可以認為，比較例樣品中，氧化鉍、氧化鈷、氧化銻等添加 物在燒制中向大氣中飛散。特別是氧化鉍是使以氧化鋅為主要成分的變阻器 層表現出變阻器特性的重要的氧化物。因氧化鉍沸點較低，所以容易飛散。 比較例樣品中，大部分該氧化鉍在燒制中向大氣中飛散，在燒制後的變阻器 層12內部不含有規定的必要含量的氧化鉍，或者其含量不均勻。因此，比 較例樣品的燒結不充分，從而無法獲得預期的特性。實施例樣品中，氧化鉍等添加物通過燒制向玻璃陶瓷層14的內部部分 擴散。然而，如果玻璃陶瓷層14的氧化鉍濃度超過某值，玻璃陶瓷層14內 的氧化鉍的量就會達到飽和，達到飽和以後，氧化鉍則無法從變阻器層12 向玻璃陶瓷層14擴散。因此，使規定的必要含量的氧化鉍可靠地殘留在變 阻器層12中，變阻器層12充分燒結，能夠獲得預期的電氣特性。另外，如果玻璃陶瓷層14燒制後的厚度超過50 pm，則氧化鉍向玻璃 陶瓷層14的擴散量會變得過多。在這種情況下，變阻器層12無法充分燒結， 從而引起變阻器特性惡化或因放置在高溫高溼的環境下而帶來的特性惡化。 而且，若玻璃陶瓷層14燒制後的厚度小於5iam，則由於氧化鉍等添加物向 玻璃陶瓷層14擴散，引起玻璃陶瓷層14的電阻值大幅降低。為了提高外部 電極15A、 15B的可靠性，有時在外部電極15A、 15B的表面形成鎳、錫、 金等鍍膜。如果玻璃陶瓷層14的電阻值降低，則在玻璃陶瓷層14上也會形 成鍍膜，因而不優選。因此，優選玻璃陶瓷層14的厚度在5 50pm範圍內。 通過在變阻器層12上疊層具有該範圍厚度的玻璃陶瓷層14，能夠獲得變阻 器特性與可靠性優異的小型薄型的變阻器201。如圖3B 圖3E所示，玻璃陶瓷層14與變阻器層12的界面12H附近的 組成中，添加物的濃度有些不均勻，從而導致變阻器層12處於略為不穩定 的狀態。並且，該狀態比變阻器層12與陶瓷基板13的界面的狀態更不穩定。 因此，不優選在這些界面附近表現出變阻器特性，而優選內部電極IIA、11B不形成在變阻器層12與玻璃陶瓷層14的界面12H以及變阻器層12與 陶瓷基板13的界面附近。根據圖3B 圖3F的結果可知，優選與變阻器層 12的面5012B、 12A距離10pm以上，在變阻器層12內設置內部電極11A、 IIB。即，優選從變阻器層12的面12A分別到內部電極IIA、 11B的距離 Dl、 D2為10 )am以上。而且，優選從變阻器層12的面5012B分別到內部 電極11A、 11B的距離D3、 D4為10pm以上。另外，通過在該變阻器層12與玻璃陶瓷層14的界面12H或者變阻器層 12與陶瓷基板13的界面上設置擴散防止層，能夠防止氧化鉍的擴散，提高 各界面上的接合強度。優選該擴散防止層中含有氧化鉍。 (實施方式2)圖5是本發明的實施方式2的變阻器301的立體圖。圖6是圖5所示的 變阻器301的沿線6 — 6的截面圖。對於與圖1和圖2所示的實施方式1的 變阻器201相同的部分標註相同的附圖標記，並省略其詳細說明。與實施方 式1的變阻器201不同，實施方式2的變阻器301中，包括內部電極311A、 311B，取代內部電極IIA、 IIB。內部電極311A、 311B並未露出在變阻器 層12的端面12C、 12D上。玻璃陶瓷層14具有位於變阻器層12的面12A 上的面14B和面14相反側的面14A。變阻器301包括作為外部電極的端子 電極16A、 16B，所述端子電極16A、 16B設置在玻璃陶瓷層14的面14A上， 且露出在變阻器301的外部。端子電極16A、 16B通過通孔電極17A、 17B 分別與內部電極311A、 311B連接。可以利用設置在玻璃陶瓷層14的面14A上的端子電極16A、 16B，將 其他部件安裝在面14A上。而且，使面14A與電路基板相對，將變阻器301 安裝在該電路基板上，從而使端子電極16A、 16B直接連接於該電路基板上 的電路圖案。由此，可以將部件高密度地安裝在電路基板上，並且能夠提高 電路基板與變阻器301之間的連接對於彎曲、扭曲、下落的可靠性。將導電膏塗布在玻璃陶瓷層14的面14A上形成端子電極16A、 16B, 將導電膏填充在陶瓷層12的通孔12F、 12G中形成通孔電極17A、 17B。此 時，如果使用通常的導電膏，則可能會產生在通孔電極17A、 17B的周邊出 現較大的孔，或者在端子電極16A、 16B的周邊產生龜裂等缺陷。上述缺陷可能因下述原因而產生。在變阻器301中，將變阻器層12與 玻璃陶瓷層14貼附在陶瓷基板13上並進行燒制。在進行該燒制時，陶瓷基板13幾乎不發生收縮，因此由於陶瓷基板13，變阻器層12與玻璃陶瓷層 14在與面13A平行的方向301A上的收縮受到限制，僅在與面12A呈直角 的厚度方向301B上收縮。製成端子電極16A、 16B及通孔電極17A、 17B 的導電膏，由於燒制在方向301A、 301B上均產生收縮，從而產生上述缺陷。 而且，在燒制時，該導電膏與玻璃陶瓷層14和變阻器層12相比，在較低溫 度下開始收縮。已開始收縮的導電膏施加使未開始收縮的變阻器層12和玻 璃陶瓷層14向方向301A收縮的力。該力會使尚未燒結從而不具有機械強度 的變阻器層12和玻璃陶瓷層14產生缺陷。為了提高製成端子電極16A、 16B及通孔電極17A、 17B的導電膏在燒 制時開始收縮的溫度，並且提高端子電極16A、 16B及通孔電極17A、 17B 與變阻器層12和玻璃陶瓷層14接合的強度，嚮導電膏中添加三氧化鉬。導 電膏含有銀等金屬粉，並添加相對於該金屬粉為0.5重量％以上的三氧化鉬。 三氧化鉬的熔點約為80(TC左右。因此，在變阻器層12和玻璃陶瓷層14還 未開始燒結的60(TC以下的溫度時，三氧化鉬以固體分散存在於金屬粉的顆 粒間，抑制導電膏的收縮。並且，如果溫度超過65(TC，則三氧化鉬的一部 分開始熔融並擴散，並從導電膏的內部向變阻器層12或玻璃陶瓷層14的界 面附近移動，露出在外部的一部分三氧化鉬升華。此外，三氧化鉬的另外一 部分與玻璃陶瓷層14和變阻器層12發生反應，作為結合材料起到使端子電 極16A、 16B與玻璃陶瓷層14結合、並使通孔電極17A、 17B與變阻器層 12和玻璃陶瓷層14結合的作用。在發生該反應的溫度下，變阻器層12與玻 璃陶瓷層14在燒制中開始收縮，因此能夠增強這些層的強度。並且，如果 三氧化鉬從導電膏的內部開始移動，則對端子電極16A、 16B和通孔電極 17A、 17B進行燒制，並使它們開始收縮。根據所添加的三氧化鉬的量，控制導電膏開始收縮的溫度，使其與所述 層12、 14在大致相同的溫度下燒制並開始收縮。由此，能夠使端子電極16A、 16B、通孔電極17A、 17B、變阻器層12和玻璃陶瓷層14以大致相同的溫 度在厚度方向301B上得到燒制並使其收縮。結果，在通孔電極17A、 17B、 端子電極16A、 16B的周邊不會產生孔或龜裂等缺陷，能夠對導電膏進行燒 制並收縮。如果溫度達到80(TC以上，則三氧化鉬熔融並升華，根據其添加 量，部分三氧化鉬會殘留在導電膏中。殘留的三氧化鉬的一部分能提高端子
電極16A、 16B與玻璃陶瓷層14的界面以及通孔電極17A、 17B與玻璃陶瓷 層14和變阻器層12的界面上的接合強度。另外，通過向內部電極311A、 311B中添加少量的三氧化鉬，能夠防止因燒制收縮而產生的上述缺陷。而且，通過向製成端子電極16A、 16B的導電膏中添加三氧化鉬，可以 使作為變阻器層12的添加物的氧化物或者玻璃陶瓷層14的玻璃成分難以在 端子電極16A、 16B中移動擴散。因此，端子電極16A、 16B的表面116A、 116B上幾乎不存在氧化物或玻璃成分。為了提高端子電極16A、 16B的可靠 性，在端子電極16A、 16B的表面116A、 116B上，利用鎳、錫、金等金屬 的電鍍形成鍍膜1116A、 1116B。因為端子電極16A、 16B的表面116A、 116B 上幾乎不存在氧化物或玻璃成分，所以可以很容易且均勻地形成鍍膜1116A、 1116B。如果在製成端子電極16A、 16B和通孔電極17A、 17B的導電膏中，三 氧化鉬的添加量相對於金屬粉為0.5重量％以上，則能夠提高防止缺陷的效 果。如果其添加量超過5重量％，則會在端子電極16A、 16B和通孔電極17A、 17B中殘存過剩的三氧化鉬。由此，增大端子電極16A、16B和通孔電極17A、 17B的電阻，並且在端子電極16A、 16B的表面116A、 116B析出三氧化鉬， 會阻止鍍膜1116A、 1116B的形成，因此不優選。圖7A是實施方式2的其他變阻器302的立體圖。變阻器302中，在圖 6和圖5所示的變阻器301中設置有圖1和圖2所示的變阻器201的外部電 極15A、 15B。變阻器302包括圖2所示的變阻器201的內部電極11A、 IIB， 取代變阻器301的內部電極311A、311B。艮口，變阻器302中，端子電極16A、 16B分別與內部電極IIA、 IIB連接，外部電極15A、 15B分別與內部電極 IIA、 IIB連接。因此，變阻器302中，端子電極16A、 16B分別通過內部 電極11A、 11B與外部電極15A、 15B導通。圖7B是實施方式2的另一其他變阻器303的立體圖。變阻器303包括 作為外部電極的端子電極56A、 56B，取代圖5與圖6所示的變阻器301的 端子電極16A、 16B，所述端子電極56A、 56B設置在陶瓷基板13的面13A 相反側的面13B上，且露出在變阻器303的外部。變阻器303包括埋設在變 阻器層12和陶瓷基板13中的通孔電極117A、 117B，取代通孔電極17A、 17B。通孔電極117A、 117B分別與變阻器層12內的內部電極311A、 311B
連接，從陶瓷基板13的面13B露出的端子電極56A、 56B分別與通孔電極 117A、 117B的從面13B露出的部分連接。圖7C是實施方式2的其他變阻器304的立體圖。變阻器304中，在圖 7B所示的變阻器303上設置有圖1和圖2所示的變阻器201的外部電極15A、 15B。變阻器304包括圖2所示的變阻器201的內部電極IIA、 IIB，取代變 阻器303的內部電極311A、 311B。艮卩，變阻器304中，端子電極56A、 56B 分別與內部電極11A、 IIB連接，外部電極15A、 15B分別與內部電極IIA、 11B連接。因此，變阻器304中，端子電極56A、 56B分別通過內部電極IIA、 11B與外部電極15A、 15B導通。 (實施方式3)圖8是本發明的實施方式3的變阻器401的放大截面圖。對於與圖6和 圖5所示的實施方式2的變阻器301相同的部分標註相同的附圖標記，並省 略其詳細說明。可攜式電子裝置必須能夠應對下落等需要較大強度的使用環境。因此， 這種電子裝置中所使用的變阻器等部件需要對於搭載有所述部件的電路基 板的彎曲、扭曲、下落等衝擊具有較大的機械強度。變阻器401中，包括露出在變阻器401外部的作為外部電極的端子電極 66B，取代圖6和圖5所示的實施方式2的變阻器301的端子電極16B。另 外，端子電極66B埋設在玻璃陶瓷層14內，具有從玻璃陶瓷層14露出的表 面166B。而且，變阻器401中，包括相同形狀的端子電極，取代實施方式2 的變阻器301的端子電極16A。端子電極66B的表面166B的端部1116B的 周圍被玻璃陶瓷層14C所覆蓋，利用這種結構，使端子電極66B具有較大 的強度。如果玻璃陶瓷層14C覆蓋端子電極66B的端部1166B周圍的寬度T2為 20 pm以上，則端子電極66B對於實際應用中的衝擊具有足夠大的強度。如 果考慮到電子裝置中所使用的部件的尺寸與端子電極66B的尺寸和形狀，則 寬度T2優選為100 pm以下。而且，如果玻璃陶瓷層14C的厚度T3為3 jiim 以上，則在實際應用中可充分確保端子電極66B的強度。如果厚度T3超過 10pm，則玻璃陶瓷層14C與端子電極66B的表面的凹凸增大，難以安裝變 阻器401，因此不優選。可以採用幾種方法形成變阻器401的端子電極66B、玻璃陶瓷層14C。
可以在玻璃陶瓷層14的面14A上形成端子電極66B，然後印刷由玻璃陶瓷 材料形成的玻璃陶瓷膏，從而形成玻璃陶瓷層14C。或者也可以在玻璃陶瓷 層14的面14A上形成端子電極66B，在陶瓷玻璃層14的面14A上疊層具 有比端子電極66B的面166B稍小的孔的玻璃陶瓷生片，從而形成玻璃陶瓷 層14C。優選玻璃陶瓷層14C的材料與玻璃陶瓷層14相同，但只要是不與 玻璃陶瓷層14發生劇烈反應，其材料無特別限定。變阻器401中，用厚度T3為5pm的玻璃陶瓷層14C覆蓋端子電極66B 的端部1166B周圍的寬度T2為25 pm。端子電極66B的面166B是面積為2 mrr^的正方形，將導線連接在端子電極66B上，在與面166B垂直的方向上 進行拉伸導線的試驗，結果可知，平均拉伸強度為14 kg。相對於此，不具 有玻璃陶瓷層14C的比較例中的變阻器的平均拉伸強度為6 kg，實施方式3 中的變阻器401的強度是比較例中變阻器強度的2倍。通常，如果採用印刷 法等形成端子電極，端子電極的端部周邊變薄，與玻璃陶瓷層的粘結強度變小。相對於此，變阻器401中，端子電極66B的端部1166B周圍的粘結強度 較大。特別是在端子電極66B的面166B上形成有鎳、錫、金等金屬的鍍膜 2166B時，平均拉伸強度為13kg，但在具有相同鍍膜的比較例的變阻器中， 平均拉伸強度為3kg。比較例的變阻器中，電鍍液和酸液或者鹼液等清洗液 從端子電極的端部周邊較薄的部分浸入，使接合玻璃陶瓷層與端子電極的接 合界面溶解析出，從而降低了粘結強度。相對於此，變阻器401中，由於玻 璃陶瓷層14C覆蓋端子電極66B的端部1166B的周圍，能夠防止接合界面 的溶解析出。另外，優選玻璃陶瓷層14C覆蓋整個端子電極66B的端部1166B周圍。 然而，根據端子電極66B的配置，即使僅覆蓋端子電極66B的端部1166B 周圍的一部分，也能夠提高端子電極66B的拉伸強度。圖9是實施方式3的其他變阻器402的立體圖。變阻器402中，在圖8 所示的變阻器401上設置有圖1和圖2所示的變阻器201的外部電極15A、 15B。艮卩，變阻器402中，端子電極66A、 66B分別與內部電極IIA、 11B 連接，夕卜部電極15A、 15B分別與內部電極11A、 IIB連接。因此，變阻器 402中，端子電極66A、 66B分別通過內部電極11A、 11B與外部電極15A、 15B導通。(實施方式4)圖10是作為本發明的實施方式4的電子部件模塊的發光二極體模塊501 的立體圖。發光二極體模塊501包括實施方式1的變阻器201、和安裝在 變阻器201的玻璃陶瓷層14的面14A上作為電子部件的白色或藍色的發光 二極體18。特別是由於白色或藍色的發光二極體的發熱量較大，需要放出發 光二極體所發出的熱量，因此，從強度、傳熱率和生產率的觀點考慮，陶瓷 基板13優選使用純度為卯％以上的氧化鋁基板。發光二極體18具有端子 18A、 18B，採用引線接合法等接線方法，通過導線19A、 19B使端子18A、 18B分別與變阻器201的外部電極15A、 15B連接。發光二極體18與由埋 設在變阻器層12中的內部電極IIA、 IIB所形成的變阻器元件並聯地連接。圖11A是作為實施方式4的其他電子部件模塊的發光二極體模塊502 的立體圖。發光二極體模塊502包括實施方式2的變阻器301，取代圖10 所示的發光二極體模塊501的變阻器201。發光二極體18安裝在玻璃陶瓷層 14上，分別採用焊料安裝或者凸塊(bump)安裝等安裝方法，將端子18A、 18B安裝在端子電極16A、 16B上。圖11B是表示作為實施方式4的另一其他電子部件模塊的發光二極體模 塊503的立體圖。發光二極體模塊503包括圖7A所示的變阻器302，取代 圖11A所示的發光二極體模塊502的變阻器301。發光二極體18安裝在玻 璃陶瓷層14上，分別採用焊料安裝或者凸塊安裝等安裝方法，將端子18A、 18B安裝在端子電極16A、 16B上。利用外部電極15A、 15B，能夠將發光 二極體模塊503安裝在電路基板上。圖11C是作為實施方式4的另一其他電子部件模塊的發光二極體模塊 504的立體圖。發光二極體模塊504包括圖7B所示的變阻器303，取代圖 11A所示的發光二極體模塊502的變阻器301 。發光二極體18安裝在陶瓷基 板13的面13B上，分別採用焊料安裝或者凸塊安裝等安裝方法，將端子18A、 18B安裝在端子電極56A、 56B上。圖11D是作為實施方式4的另一其他電子部件模塊的發光二極體模塊 505的立體圖。發光二極體模塊505包括圖7C所示的變阻器304，取代圖 11C所示的發光二極體模塊504的變阻器303。發光二極體18安裝在玻璃陶 瓷層14上，分別採用焊料安裝或者凸塊安裝等安裝方法，將端子18A、 18B 安裝在端子電極56A、 56B上。利用外部電極15A、 15B，能夠將發光二極體模塊503安裝在電路基板上。實施方式4的發光二極體模塊501 505中，通常通過向端子18A、 18B 間施加電壓而使發光二極體18發光。如果向發光二極體18的端子18A、 18B 施加高於通常電壓的靜電浪湧電壓等電壓，則該電壓產生的大電流會向在變 阻器層12內部的相對的內部電極11A、 11B或者內部電極311A、 311B繞行。 由此，能夠獲得變阻器層12保護髮光二極體18的小型發光二極體模塊501 505。而且，利用機械強度大的陶瓷基板13，能夠實現發光二極體模塊501 505的薄型化。此外，由於能夠以較短的距離連接發光二極體18與變阻器， 所以在實施方式4的發光二極體模塊中，能夠進一步保護髮光二極體18不 受電壓較高的靜電脈衝的影響。另外，發光二極體模塊501 505中，除了變阻器之外，還可以形成由 電阻、線圈或電容器等構成的電路。例如，可以獲得在陶瓷基板13的面13B 上安裝有各種電子部件的發光二極體模塊。利用該結構，能夠獲得更高密度 的發光二極體模塊。另外，實施方式4的電子部件模塊具備發光二極體18作為電子部件， 該電子部件不僅限於發光二極體，還可以是半導體元件等其他電子部件。利 用變阻器保護該電子部件不受靜電或浪湧電壓的影響，從而獲得對靜電和浪 湧電壓耐受的小型電子部件模塊。 (實施方式5)圖12A是本發明的實施方式5的變阻器601的立體圖。圖12B是圖12A 所示的變阻器601的沿線12B—12B的截面圖。圖12C是變阻器601的頂視 立體圖。圖13是變阻器601的頂視圖。對於與圖l和圖2所示的實施方式1 的變阻器201相同的部分標註相同的附圖標記，並省略其說明。實施方式5的變阻器601與實施方式1的變阻器201不同，形成有貫通 變阻器層12和玻璃陶瓷層14的孔21 ，以使陶瓷基板13的面13A的一部分 13C露出在底部。孔21具有在玻璃陶瓷層14的面14A上開口的開口部 5021B。在面13A的部分13C上設置有用於安裝電子部件的端子電極20A、 20B。端子電極20A、 20B是露出在變阻器601外部的外部電極。變阻器層 12內設置有內部電極611A、 611B,在變阻器層12與陶瓷基板13的界面， 即陶瓷基板13的面13A上，設置有分別具有位於部分13C上的端部1511A、 1511B的內部電極511A、 511B。內部電極611A、 611B分別通過設置在變阻 器層12內的通孔電極22A、 5022B與內部電極511A、 511B連接。端子電極 20A、 20B分別設置在從孔21露出的內部電極511A、 511B的端部1511A、 1511B上，且分別與端部1511A、 1511B連接。如圖12C所示，內部電極611A、 611B將變阻器層12的部分35夾在中 間並彼此相對，變阻器601在部分35具有作為變阻器的特性。圖14是作為實施方式5的電子部件模塊的發光二極體模塊701的截面 圖。發光二極體模塊701包括圖12A 圖12C及圖13所示的變阻器601、 和作為電子部件的白色或藍色的發光二極體38。特別是由於白色或藍色的發 光二極體的發熱量較大，需要放出發光二極體所發出的熱量，因此，從強度、 傳熱率和生產率的觀點考慮，陶瓷基板13優選使用純度為90%以上的氧化 鋁基板。發光二極體38設置在孔21內，具有分別與端子電極20A、 20B連 接的端子38A、 38B。通過將發光二極體38收容在孔21內，能夠實現發光 二極體模塊701的薄型化。如圖13和圖14所示，優選從上方觀察時孔21的形狀大致為圓形，艮卩， 孔21在玻璃陶瓷層14上開口的開口部21的形狀大致為圓形。利用大致為 圓形的形狀，能夠抑制容易在孔21與陶瓷基板13的面13A的界面上產生的 缺陷。從安裝在孔21內的發光二極體38所發射的光能夠有效地在大致為圓 形的孔21的壁面21A反射，從而能夠獲得更明亮的光。發光二極體模塊701中，通常通過向端子38A、 38B間施加電壓而使發 光二極體38發光。如果向發光二極體38的端子38A、 38B施加高於通常電 壓的靜電浪湧電壓等電壓，則因該電壓產生的大電流會向在變阻器層12內 部相對的內部電極511A、 511B、 611A、 611B繞行。由此，能夠獲得利用變 阻器層12保護髮光二極體38的小型發光二極體模塊701。而且，利用機械強度大的陶瓷基板13，能夠實現發光二極體模塊701 的薄型化。此外，由於能夠以較短的距離連接發光二極體38與變阻器，所 以發光二極體模塊701中，能夠進一步保護髮光二極體38不受電壓較高的 靜電脈衝的影響。另外，發光二極體模塊701中，除了變阻器之外，還可以形成由電阻、 線圈和電容器等構成的電路。例如，可以獲得在陶瓷基板13的面13B上安 裝有各種電子部件的發光二極體模塊。利用該結構，能夠獲得更高密度的發 光二極體模塊。另外，電子部件模塊701具備發光二極體38作為電子部件，但該電子部件不僅限於發光二極體，還可以是半導體元件等其他電子部件。利用變阻 器保護該電子部件不受靜電和浪湧電壓的影響，從而獲得對靜電和浪湧電壓 耐受的小型電子部件模塊。圖15是實施方式5的其他變阻器602的截面圖。除了不具有通孔電極 22A、 5022B以外，變阻器602的結構與圖12A 圖12C所示的變阻器601 相同。端子電極20A、 20B與內部電極611A、 611B電性並聯連接。由此， 即使向發光二極體18施加靜電浪湧電壓等高電壓時，該高電壓產生的大電 流會向與端子電極20A、 20B並聯連接的內部電極611A、 611B繞行，從而 能夠保護髮光二極體18。圖16是實施方式5的另一其他變阻器603的截面圖。圖12A 圖12C 及圖13所示的變阻器601的孔21具有圓柱形狀，取代孔21，變阻器603 形成有孔24，所述孔24具有從變阻器層12向玻璃陶瓷層14擴展的錐形。孔24的底部即陶瓷基板13的面13A的露出部分13C的直徑D5、與在 玻璃陶瓷層14幵口的孔24的開口部24B的直徑D6滿足D5<D6的關係。 將發光二極體安裝在孔24內時，孔24的傾斜壁面24A使來自發光二極體的 光向一個方向聚集，結果，能夠獲得更加明亮的光。圖17是實施方式5的另一其他變阻器604的截面圖。變阻器604還包 括設置在圖16所示的變阻器603的孔24的壁面24A上的光反射層25。光 反射層25由金屬等能夠反射光的材料構成。將發光二極體安裝在孔24內時， 孔24的傾斜壁面24A上的光反射層25使來自發光二極體的光向一個方向聚 集，結果，能夠獲得更明亮的光。圖18是實施方式5的另一其他變阻器605的截面圖。變阻器605還包 括設置在圖16所示的變阻器603的玻璃陶瓷層14的面14A上的玻璃陶瓷層 27。形成有具有在玻璃陶瓷層27開口的開口部124B的孔124，取代圖16 所示的變阻器603的孔24。玻璃陶瓷層14的面14A的相反面14B位於變阻 器層12的面12A上。玻璃陶瓷層27由軟化溫度比構成玻璃陶瓷層14的玻 璃的軟化溫度低IO(TC以上的玻璃形成，具有50 pm 500 pm的厚度。玻璃 陶瓷層27能夠抑制作為變阻器層12的添加物的鉍在燒制時的蒸發，維持變 阻器層12作為變阻器的特性，也能夠確保可靠性。孔124可以比圖17所示
的孔24更深，且具有面積大於壁面24A的壁面124A。因此，將發光二極體 安裝在孔124內時，發光二極體的光在壁面124A發生反射，能夠進一步向 一個方向聚集，獲得更明亮的光。
上述構造可以分別單獨使用，也可以加以組合後使用。 (實施方式6)
圖19是本發明的實施方式6的變阻器801的截面圖。變阻器801在圖 12A 圖12C及圖13所示的變阻器601中，還包括形成在孔21的壁面21A 上的由絕緣材料構成的絕緣層30，其中所述孔21設置在變阻器層12與玻璃 陶瓷層14上。絕緣層30使得內部電極611A、 611B不從孔21的壁面21A露出。
由於內部電極611A、 611B不露出，例如，當利用電鍍在變阻器801上 形成端子時，能夠防止電鍍液侵入內部電極611A、 611B,能夠從更多種類 的藥品中選擇電鍍液，提高端子製造方法的自由度。 (實施方式7)
圖20是本發明的實施方式7的變阻器802的截面圖。變阻器802在圖 12A 圖12C及圖13所示的變阻器601中，還包括傳熱層32，該傳熱層32 設置在陶瓷基板13的面13A相反側的面13B上。傳熱層32由金屬等具有 高傳熱性的材料形成，促進陶瓷基板13的散熱。從散熱性的觀點考慮，優 選傳熱層32中所含的含有卯重量％以上的銀。傳熱層32可以僅形成在端 子電極20A、 20B的相反側，還可以形成在更廣的範圍內，能夠獲得更好的 散熱性。
而且，在傳熱層32使用金屬等導電性材料時，且在變阻器802上形成 圖l所示的外部電極時，規定形成傳熱層32的範圍，防止外部電極與傳熱 層32發生短路。
圖21A是實施方式7的其他變阻器803的頂視立體圖。圖21B是圖21A 所示的變阻器803的沿線21B—21B線的截面圖。變阻器803包括內部電極 711A、 711B，取代圖15所示的變阻器602的內部電極511A、 511B，還包 括外部電極15A、 15B。
變阻器803中，在變阻器層12和玻璃陶瓷層14上形成有孔21，使陶瓷 基板13的面13A的一部分13C露出。在面13A的部分13C上設置有用於安 裝電子部件的端子電極20A、 20B。內部電極711A、 711B設置在變阻器層
12與陶瓷基板13的界面，即陶瓷基板13的面13A上，且分別具有位於部 分13C上的端部1711A、 1711B。端子電極20A、 20B分別設置在從孔21露 出的內部電極711A、 711B的端部1711A、 1711B上，分別與端部1711A、 1711B連接。內部電極611A、 711A各自的端部2611A、 2711A從變阻器層 12的端面12C露出，內部電極611B、 711B各自的端部2611B、 2711B從變 阻器層12的端面12D露出。外部電極15A設置在變阻器層12的端面12C 上，與內部電極611A、 711A的端部2611A、 2711A連接。外部電極15B設 置在變阻器層12的端面12D上，與內部電極611B、 711B的端部2611B、 2711B連接。
如圖21A所示，內部電極611A、 611B將變阻器層12的部分35夾在中 間並彼此相對，變阻器803在部分35具有作為變阻器的特性。
圖22A是實施方式7的另一其他變阻器804的頂視立體圖。圖22B是 圖22A所示的變阻器804的沿線22B—22B的截面圖。變阻器804包括內部 電極811A、811B，取代圖21A和圖21B所示的變阻器803的內部電極611A、 611B，還包括通孔電極217A、 217B和端子電極16A、 16B。
變阻器804中，與圖21B所示的內部電極611A、 611B不同，內部電極 811A、811B並未從變阻器層12露出。通孔電極217A與內部電極711A、811A 連接，具有露出在玻璃陶瓷層14的面14A上的部分1217A。端子電極16A 設置在玻璃陶瓷層14的面14A上，與通孔電極217A的部分1217A連接。 同樣，通孔電極217B與內部電極711B、 811B連接，具有露出在玻璃陶瓷 層14的面14A上的部分1217B。端子電極16B設置在玻璃陶瓷層14的面 14A上，與通孔電極217B的部分1217B連接。
可以在變阻器804中設置圖21A和圖21B所示的外部電極15A、 15B。
如圖22A所示，內部電極811A、 811B將變阻器層12的部分135夾在 中間並彼此相對，變阻器804在部分135具有作為變阻器的特性。
圖23是實施方式7的另一其他變阻器805的截面圖。在該結構中，由 內部電極711A和內部電極711B形成變阻器部。變阻器805包括內部電極 911A、911B,取代圖21A和圖21B所示的變阻器803的內部電極611A、611B， 還包括通孔電極317A、 317B和端子電極16A、 16B。
內部電極711A、 711B設置在陶瓷基板13的面13A上，且分別具有分 別露出在變阻器層12的端面12C、 12D上的部分2711A、 2711B。外部電極
15A、 15B分別設置在端面12C、 12D上，分別與內部電極711A、 711B的 端部2711A、 2711B連接。變阻器內部電極711A、 711B將變阻器層12的部 分12E夾在中間並相對，利用部分12E能夠獲得作為變阻器的特性。
內部電極911A、 911B分別具有從變阻器層12的端面12C、 12D露出並 與外部電極15A、 15B連接的端部2911A、 2911B。通孔電極317A、 317B 分別與內部電極911A、 911B連接，分別具有從玻璃陶瓷層14的面14A露 出的部分1317A、 B17B。端子電極16A、 16B設置在面14A上，分別與通 孔電極317A、 317B的部分1317A、 1317B連接。艮卩，內部電極711A通過 外部電極15A、內部電極911A和通孔電極317A與端子電極16A導通，內 部電極711B通過外部電極15B、內部電極911B和通孔電極317B而與端子 電極16B導通。
產業上的可利用性
本發明的變阻器為小型且較薄，對浪湧電壓具有優異的變阻器特性。因 此，適用於小型且對靜電和浪湧電壓具有耐性的電子部件模塊。
權利要求
1.一種變阻器，其特徵在於，包括具有絕緣性的陶瓷基板；具有位於所述陶瓷基板上的第一面和所述第一面相反側的第二面、以氧化鋅為主要成分的變阻器層；設置在所述變阻器層的所述第二面上且含有玻璃的第一玻璃陶瓷層；設置在所述變阻器層內的第一內部電極；和設置在所述變阻器層內、且在所述變阻器層內與所述第一內部電極相對的第二內部電極。
2. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，所述第一玻璃陶瓷層的厚 度為5 jnm 50 fim。
3. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，所述第一內部電極與所述 第二內部電極距離所述變阻器層的所述第一面10 pm以上。
4. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，所述第一內部電極與所述 第二內部電極距離所述變阻器層的所述第二面10 jam以上。
5. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，所述陶瓷基板含有氧化鋁、 氧化鋯、氧化矽、氧化鎂中的任一種為主要成分。
6. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，還包括 露出在所述變阻器的外部且與所述第一內部電極導通的第一外部電極；禾口露出在所述變阻器的外部且與所述第二內部電極導通的第二外部電極。
7. 如權利要求6所述的變阻器，其特徵在於，所述變阻器層還具有端面， 所述第一內部電極和所述第二內部電極分別具有從所述變阻器層的所 述端面露出的第一端部和第二端部，所述第一外部電極和所述第二外部電極設置在所述變阻器層的所述端 面上，分別與所述第一端部和所述第二端部連接。
8. 如權利要求6所述的變阻器，其特徵在於，所述變阻器層的所述端面包括第一端面和第二端面，所述第一內部電極具有從所述變阻器層的所述第一端面露出的第一端部，所述第二內部電極具有從所述變阻器層的所述第二端面露出的第二端部，所述第一外部電極和所述第二外部電極分別設置在所述變阻器層的所 述第一端面和所述第二端面上。
9. 如權利要求6所述的變阻器，其特徵在於，所述第一玻璃陶瓷層具有 位於所述變阻器層的所述第二面上的第一面、和所述第一玻璃陶瓷層的所述 第一面相反側的第二面，所述第一外部電極和所述第二外部電極從所述第一玻璃陶瓷層的所述 第二面露出。
10. 如權利要求9所述的變阻器，其特徵在於，所述第一外部電極和所述 第二外部電極含有金屬粉和相對於所述金屬粉為0.5重量％ 5.0重量％的三 氧化鉬。
11. 如權利要求9所述的變阻器，其特徵在於，還包括 第一通孔電極，埋設在所述第一玻璃陶瓷層與所述變阻器層內，與所述第一內部電極和所述第一外部電極連接；和第二通孔電極，埋設在所述第一玻璃陶瓷層與所述變阻器層內，與所述 第二內部電極和所述第二外部電極連接。
12. 如權利要求11所述的變阻器，其特徵在於，所述第一通孔電極和所 述第二通孔電極含有金屬粉和相對於所述金屬粉為0.5重量％ 5.0重量％的 三氧化鉬。
13. 如權利要求9所述的變阻器，其特徵在於，所述第一外部電極設置在所述第一玻璃陶瓷層的所述第二面上。
14. 如權利要求9所述的變阻器，其特徵在於，所述第一外部電極具有被 所述第一玻璃陶瓷層部分覆蓋、且從所述第一玻璃陶瓷層的所述第二面露出 的面。
15. 如權利要求14所述的變阻器，其特徵在於，所述第一外部電極的所 述面具有被所述第一玻璃陶瓷層的部分覆蓋的端部，所述第一玻璃陶瓷層的所述部分的厚度為3 jam 10 pm，寬度為20 (im 100 pm。
16. 如權利要求6所述的變阻器，其特徵在於，所述陶瓷基板具有位於所 述變阻器層的所述第一面上的面，在所述變阻器層和所述第一玻璃陶瓷層上形成有孔，所述孔貫通所述變 阻器層和所述第一玻璃陶瓷層，具有在所述第一玻璃陶瓷層上開口的開口 部，且使所述陶瓷基板的所述面的部分露出在底部，所述第一外部電極和所述第二外部電極設置在所述孔內。
17. 如權利要求16所述的變阻器，其特徵在於，所述第一外部電極和所 述第二外部電極與所述第一 內部電極和所述第二內部電極電性並聯連接。
18. 如權利要求16所述的變阻器， 致為圓形。
19. 如權利要求16所述的變阻器， 向所述第一玻璃陶瓷層擴展。
20. 如權利要求19所述的變阻器，其特徵在於，所述孔的所述開口部大 其特徵在於，所述孔從所述變阻器層 其特徵在於，所述孔還具有壁面，還包括設置在所述孔的所述壁面上的光反射層。
21. 如權利要求16所述的變阻器，其特徵在於，所述第一玻璃陶瓷層具 有位於所述變阻器層的所述第二面上的第一面和所述第一玻璃陶瓷層的所 述第一面相反側的第二面，還包括第二玻璃陶瓷層，所述第二玻璃陶瓷層設置在所述第一玻璃陶瓷 層的所述第二面上，由軟化溫度比所述第一玻璃陶瓷層的所述玻璃的軟化溫 度低IO(TC以上的玻璃構成，所述孔的所述開口部在所述第二玻璃陶瓷層上開口 。
22. 如權利要求21所述的變阻器，其特徵在於，所述第二玻璃陶瓷層的 厚度為50 pm 500 pm。
23. 如權利要求16所述的變阻器，其特徵在於，所述孔還具有壁面， 還包括設置在所述孔的所述壁面上的絕緣層。
24. 如權利要求1所述的變阻器，其特徵在於，所述陶瓷基板具有第一面 和所述第一面相反側的第二面，所述陶瓷基板的所述第二面位於所述變阻器層的所述第一面上， 還包括設置在所述陶瓷基板的所述第一面上的傳熱層。
25. 如權利要求24所述的變阻器，其特徵在於，所述傳熱層含有90重量 %以上的銀。
26. —種電子部件模塊，其特徵在於，包括 權利要求1 25中任一項所述的變阻器；和具有分別與所述變阻器的所述第一外部電極和所述第二外部電極連接 的第一端子和第二端子的電子部件。
27. 如權利要求26所述的電子部件模塊，其特徵在於，所述電子部件為 發光二極體。
全文摘要
本發明提供一種變阻器，包括具有絕緣性的陶瓷基板、設置在陶瓷基板上以氧化鋅為主要成分的變阻器層、設置在變阻器層上的玻璃陶瓷層和設置在變阻器層內且彼此相對的第一內部電極與第二內部電極。該變阻器小型且較薄，且對浪湧電壓具有優異的變阻器特性。而且，利用該變阻器，能夠獲得對靜電和浪湧電壓具有耐性的小型電子部件模塊。
文檔編號H01C7/10GK101156221SQ20068001099
公開日2008年4月2日 申請日期2006年3月29日 優先權日2005年4月1日
發明者井上龍也, 小林惠治, 勝村英則 申請人:松下電器產業株式會社