用於檢查太陽能模塊中的刻劃的方法及設備的製作方法

2023-09-13 06:21:10 2

專利名稱：用於檢查太陽能模塊中的刻劃的方法及設備的製作方法
用於檢查太陽能模塊中的刻劃的方法及設備發明背景發明領域本發明實施例大致涉及光伏模塊的製造。明確地說，本發明實施例涉及在製造處理過程中檢查太陽能模塊中的刻劃的設備與方法。相關技術的描述光伏(PV)電池或太陽能電池是將太陽光轉換成直流(DC)電功率的裝置。典型的薄膜太陽能電池具有PV層，所述PV層包括一或多個p-i-n結。各個p-i-n結包括ρ-型層、 本徵型層與η-型層。當太陽能電池的p-i-n結暴露於太陽光(太陽光由光子的能量所構成)下時，通過PV效應將太陽光轉換成電能。一般而言，在大面積基板上串聯地形成薄膜太陽能電池以形成太陽能模塊。通過在製造處理過程中在沉積於大面積基板上的不同薄膜層中刻劃溝槽，以同時將太陽能電池隔離且以串聯電連接太陽能電池來形成太陽能模塊。為了使太陽能模塊的效率達到最大， 應使不同刻劃溝槽的間距達到最小。然而，在太陽能模塊製造處理過程中會出現某些刻劃問題，所述問題諸如波浪狀、非線性或非平行的刻劃溝槽。上述問題導致失去功能或「無效」 電池，而造成太陽能模塊的效率的顯著減少。再者，直到利用先前技術處理序列與製造技術進行完成的太陽能模塊的最終測試，通常才會發現這些「無效」電池。因此，需要可在太陽能模塊製造過程中檢查劃線的方法與設備。此外，需要包括劃線檢查的製造太陽能模塊的處理與系統，所述處理與系統利用檢查結果來診斷並改變上遊處理以改善不同刻劃處理且降低或避免太陽能模塊中出現「無效「太陽能電池。發明概述本發明的一個實施例中，檢查部分形成的太陽能模塊中的刻劃溝槽的設備包括第一照明源，所述第一照明源被定位以照射部分形成的太陽能模塊的背面；檢查裝置，所述檢查裝置被定位以拍攝部分形成的太陽能模塊的背面的圖像；以及系統控制器，所述系統控制器與第一照明源與檢查模塊連通，其中系統控制器設置成接收並分析自檢查裝置取得的圖像。另一實施例中，檢查部分形成的太陽能模塊中的刻劃溝槽的方法包括接收部分形成的太陽能模塊，所述部分形成的太陽能模塊上面設置有至少正面接觸層且光伏層設置於正面接觸層上，正面接觸層中刻劃有一或多個第一溝槽而光伏層中刻劃有一或多個第二溝槽；照射部分形成的太陽能模塊的背面；並在照射部分形成的太陽能模塊的背面時，光學檢查部分形成的太陽能模塊的區域，該區域中設置有一或多個第一溝槽的至少一部分與一或多個第二溝槽的至少一部分。一個實施例中，光學檢查包括拍攝區域的圖像並分析一或多個第一溝槽的部分相對於一或多個第二溝槽的部分的位置或方向。另一實施例中，製造太陽能模塊的系統包括第一刻劃模塊，所述第一刻劃模塊設置成在太陽能電池基板的正面接觸層中刻劃一或多個第一溝槽；一或多個組合工具，所述組合工具具有至少一個腔室，所述腔室設置成在正面接觸層上沉積至少一個光伏層；第二刻劃模塊，所述第二刻劃模塊設置成在至少一個光伏層中刻劃一或多個第二溝槽；第一光學檢查模塊，所述第一光學檢查模塊具有第一照明源與檢查裝置，所述檢查裝置設置成拍攝第一與第二溝槽的圖像；以及系統控制器，所述系統控制器至少與第一刻劃模塊、第二刻劃模塊和光學檢查模塊連通。一個實施例中，系統控制器設置成接收並分析第一與第二溝槽的部分的圖像。一個實施例中，系統控制器進一步設置成響應所分析的圖像而改變第一與第二刻劃模塊至少一者的參數。又一個實施例中，製造太陽能模塊的處理包括接收太陽能電池基板，所述太陽能電池基板上設置有至少一正面接觸層；通過第一刻劃模塊在正面接觸層中刻劃一或多個第一溝槽；在正面接觸層上沉積光伏層；通過第二刻劃模塊在光伏層中刻劃一或多個第二溝槽；在照射太陽能電池基板的背面時，拍攝第一與第二溝槽至少一部分的圖像；通過分析一或多個第一溝槽的至少一部分相對於一或多個第二溝槽的至少一部分的位置或方向，來分析第一與第二溝槽至少一部分的拍攝圖像；以及根據第一與第二溝槽至少一部分的分析圖像來改變第一與第二刻劃模塊中至少一個的一或多個參數。附圖簡要說明一些實施方式在附圖中示出為了更詳細地了解本發明的上述特徵，通過參照實施例可獲得如上簡要概述的本發明的更具體描述，一些實施例在附圖中示出。然而，需注意附圖僅描繪本發明的典型實施例，因此不被視為本發明的範圍的限制因素，因為本發明可允許其他等效實施例。

圖1描繪形成太陽能模塊的處理序列的一個實施例的簡化示意流程圖。圖2為太陽能模塊生產線的一個實施例的簡化示意平面圖。圖3為太陽能模塊的示意平面圖，所述太陽能模塊包括多個形成於基板上的太陽能電池。圖4為沿著圖3所示的切線4-4的太陽能模塊一部分的示意橫剖面圖。圖5A至圖5E呈現圖3所示的太陽能模塊的區域的放大圖，描繪刻劃溝槽可能的方向。圖6為雷射刻劃模塊的示意等角圖，所述雷射刻劃模塊可用於在沉積於太陽能電池基板上的一或多個材料層中雷射刻劃一系列溝槽。圖7A為根據本發明一個實施例的檢查模塊的示意橫剖面圖。圖7B為根據本發明另一實施例的檢查模塊的示意橫剖面圖。具體描述本發明實施例大致涉及檢查與分析在製造處理過程中刻劃於太陽能模塊中的隔離溝槽的間距的方法與設備。一個實施例中，在製造處理中不同處拍攝並分析刻劃溝槽的圖像。隨後可手動或自動方式利用結果來診斷、改變與調整上遊處理以改善隨後處理的太陽能模塊上的劃線間距。圖1描述處理序列100的一個實施例的簡化示意流程圖，所述處理序列100包括利用太陽能模塊生產線200的多個用來形成太陽能模塊300的處理。圖2為生產線200的一個實施例的簡化示意平面圖，描述處理模塊與系統設計的其他方面。一般而言，系統控制器四0可用來控制一或多個生產線200中有的部件。系統控制器290通常有助於整個生產線200的控制與自動化，且系統控制器290通常包括中央處理
6單元(CPU)(未圖示)、內存(未圖示)與支持電路(或I/O)(未圖示)。CPU可為用於工業設定的任何形式計算機處理器中的一種，用以控制不同系統功能、基板移動、腔室處理、支持硬體(諸如，傳感器、機器人、馬達、燈泡等)、以及監控處理(諸如，基板支撐件溫度、電源變量、腔室處理時間、I/O信號等)。存儲器連接至CPU並可為一或多個輕易取得的存儲器， 諸如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬碟、或任何其他形式的數字儲存器 (本機或遠程)。可編碼並儲存軟體指令與數據於存儲器中以指示CPU。支持電路也連接至CPU以用傳統方式支持處理器。支持電路可包括緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路系統、子系統等等。系統控制器290可讀取的程序(或計算機指令)確定可在基板上執行的任務。程序較佳為系統控制器290可讀取的軟體，所述軟體包括編碼來執行監控基板、實施並控制基板的移動、支撐與/或定位基板相關的任務，以及執行生產線200中執行的不同處理製作方法任務與不同腔室處理製作方法步驟。在一個實施例中，系統控制器290還包含多個可程序邏輯控制器(PLC』 s)和材料處理系統控制器(例如，PLC或標準計算機)，所述可程序邏輯控制器用來本機控制太陽能電池生產線中的一或多個模塊；而所述材料處理系統控制器處理全部生產線200的較高階的策略變動、調度與運轉。圖3為太陽能模塊300的示意平面圖，所述太陽能模塊300具有多個形成於基板 302上的太陽能電池312。以串聯電連接多個太陽能電池312，並且所述多個太陽能電池 312電連接至位於太陽能模塊300相對端的側總線314。橫跨-總線316電連接至各個側總線314以收集太陽能電池312產生的電流與電壓。接線盒(junction box) 308作為來自橫跨-總線316的導線(未圖示)與外部電子部件(諸如，其他太陽能模塊或功率柵)之間的接口(interface)，所述外部電子器件將連接至太陽能模塊300。為了在基板302上形成所需數目與圖案的太陽能電池312，可在形成於基板302上的材料層上執行多個刻劃處理，以實現電池-至-電池以及電池-至邊緣的隔離。圖4為沿著圖3中所示的剖面線4-4截取的太陽能模塊300部分的示意橫剖面圖。如圖所示，太陽能模塊300包括具有正面305的基板302 (諸如，玻璃基板、聚合物基板、金屬基板或其他適當基板)，在基板302的背面306(與基板302的正面305相反)上形成有薄膜。一個實施例中，基板302為尺寸約2200mmX ^OOmmX 3mm的玻璃基板。太陽能模塊300進一步包括正面接觸層310，所述面接觸層310形成於基板302的背面306上。正面接觸層310可為任何光學透明且導電的膜(例如，透明導電氧化物(TCO))，形成用來作為太陽能電池312 的正面接觸電極。TCO實例包括氧化鋅(SiO)與氧化錫(SnO)。太陽能模塊300進一步包括光伏(PV)層320和背接觸層350，所述光伏(PV)層320形成於正面接觸層310上，所述背接觸層350形成於PV層320上。PV層320可包括多個矽膜層，所述多個矽膜層包括一或多個p-i-n結，以通過PV 效應將來自入射光子360的能量轉換成電能。一個構造中，PV層320包括第一 p-i-n結、 本徵型非晶矽層和η-型非晶矽層，所述第一 p-i-n結具有ρ-型非晶矽層，所述本徵型非晶矽層形成於P-型非晶矽層上，以及所述η-型非晶矽層形成於本徵型非晶矽層上。一個實例中，P-型非晶矽層形成的厚度在約60 A與約300 A之間，本徵型非晶矽層形成的厚度在約1500 A與約3500 A之間，而η-型非晶半導體層形成的厚度在約100 A與約500 A 之間。一個實施例中，取代η-型非晶矽層，η-型微晶半導體層形成的厚度在約100人與約 400人之間。
另一構造中，PV層320進一步包括在第一 p-i-n結上的第二 p-i-n結。一個實例中，第二 P-i-n結包括ρ-型微晶矽層，所述ρ-型微晶矽層形成的厚度在約100人與約 400人之間；P-型微晶矽層上的本徵型微晶矽層，所述本徵型微晶矽層形成的厚度在約 10,000 A與約30,000 A之間；以及本徵型微晶矽層上的η-型非晶矽層，所述η-型非晶矽層形成的厚度在約100 A與約500 A之間。形成於PV層320上的背接觸層350可包括一或多個導電層，適以作為太陽能電池312的背電極。可構成背接觸層350的材料實例包括(但不限於)鋁(Al)、銀(Ag)、鈦 (Ti)、鉻(Cr)、金(Au)、銅(Cu)、鉬(Pt)、上述材料的合金或上述材料的組合。可執行三個刻劃步驟以產生溝槽PI、Ρ2與Ρ3，所述溝槽PI、Ρ2與Ρ3為形成高效率太陽能電池裝置(例如，太陽能模塊300)所必需。雖然各個太陽能電池312—起形成於基板302上，但可通過形成於背接觸層350與PV層320中的隔離溝槽Ρ3而將各個太陽能電池312彼此隔離。此外，將溝槽Ρ2形成於PV層320中以致背接觸層350電接觸正面接觸層310。一個實施例中，在沉積PV層320與背接觸層350之前通過雷射移除一部分的正面接觸層310而形成隔離溝槽Pl。相似地，一個實施例中，在沉積背接觸層350之前通過雷射刻劃移除一部分的PV層320而在PV層320中形成溝槽Ρ2。最後，一個實施例中，通過雷射移除部分的背接觸層350與PV層320來形成溝槽Ρ3。雖然本說明書整篇參照雷射刻劃來普遍地描述刻劃步驟，但本發明實施例並不意圖受到如此限制，因為刻劃步驟同樣地適用於在太陽能模塊300的材料層中刻劃溝槽的其他形式，諸如水力噴射或鑽石刻劃等等。圖5Α至圖5Ε呈現圖3所繪的太陽能模塊300的區域501的放大圖，描繪溝槽Ρ1、 Ρ2與Ρ3的可能方向。應當注意雖然圖5Α至圖5Ε描繪成示出所有三個溝槽，這並非代表利用現有技術方法對形成於太陽能模塊300的層中的溝槽的實際光學檢查，因為背接觸層 350通常為非透明的。因此，利用現有技術方法並無法實現上述基板302側或背接觸層350 側任一者的透明光學檢查。參照圖5Α，理想地將溝槽Pl、Ρ2與Ρ3刻劃成彼此線性平行且彼此緊密地間隔(例如，240 μ m)。然而，刻划過程中基板302的定位或方向中與/或雷射刻劃工具處理參數的些微變動會導致刻劃溝槽的理想定位的差異，造成完全形成的太陽能模塊300具有一或多個失去功能或「無效」太陽能電池312。例如圖5B所示，特定基板302上，一或多個刻劃溝槽 (P1、P2或P； )可呈波浪狀而造成一或多個重疊區域。圖5C所示的另一實例中，兩個或更多個刻劃溝槽(P1、P2或P； )可為非平行的，這也造成重疊區域。圖5D與圖5E分別示出的另一實例中，一或多個刻劃溝槽(P1、P2或P； )可缺少間隔或遺漏，造成重疊區域或「無效」 區域。因此，希望在太陽能模塊形成處理過程中檢查與監控刻劃溝槽(P1、P2與P3)以改善太陽能模塊形成處理序列100中的處理，好減少或消除太陽能模塊形成處理中出現「無效」 電池。一般太陽能模塊形成為了避免下述中特定執行於基板302上的相關操作的混淆，將具有一或多個沉積層(諸如，正面接觸層310、PV層320或背接觸層350)與/或一或多個內部電連接(諸如， 側總線314、橫跨-總線316)設置於基板上的基板302稱為裝置基板303。相似地，已經利用接合材料接合至背玻璃基板的裝置基板303則稱為複合太陽能電池結構304。參照圖1與圖2，處理序列100通常開始於步驟102，其中將基板302裝載進入太陽能模塊生產線200中存在的負載模塊202。一個實施例中，以「未加工」狀態接收基板302， 其中並未充分地控制基板302的邊緣、整體尺寸與/或清潔度。接收「未加工」基板302可減少在形成太陽能裝置前製備與儲存基板302的成本，因此可減少太陽能電池裝置成本、 設施成本與最終形成的太陽能電池裝置的生產成本。然而一般而言，接收「未加工」基板302 是有利的，基板302具有在步驟102中由系統接收之前已經沉積於基板302表面上的透明導電氧化物(TCO)層(例如，正面接觸層310)。如果未在「未加工」基板的表面上沉積導電層，那麼便需要在基板302的表面上執行正面接觸沉積步驟(步驟107，論述於下)。參照圖1與圖2，一個實施例中，在執行步驟108之前，將基板302傳送至正面端處理模塊(圖2中未示出)，其中在基板302上執行正面接觸形成步驟107。一個實施例中，正面端處理模塊相似於下述的處理模塊218。步驟107中，一或多個基板正面接觸形成步驟可包括一或多個製備、蝕刻與/或材料沉積步驟，用來在裸太陽能電池基板302上形成正面接觸區域。一個實施例中，步驟107通常包括一或多個物理氣相沉積(PVD)步驟，用來在基板302的表面上形成正面接觸區域。一個實施例中，正面接觸區域包含透明導電氧化物(TCO)層，所述透明導電氧化物(TCO)層可包含選自下列所構成的群組的金屬元素鋅 (Si)、鋁(Al)、銦(In)與錫(Sn)。一個實例中，氧化鋅(SiO)用來形成至少一部分的正面接觸層。一個實施例中，正面端處理模塊購自加州聖克拉拉(Santa Clara, California)的 Applied Materials (應用材料公司)的ATON PVD 5. 7工具，在所述工具中執行一或多個處理步驟以沉積正面接觸形成步驟。另一個實施例中，一或多個CVD步驟用來在基板302 的表面上形成正面接觸區域。接下來，將裝置基板303傳送至刻劃模塊208，在所述刻劃模塊208中在裝置基板 303上執行正面接觸隔離步驟108以使裝置基板303表面的不同區域彼此電絕緣。步驟108 中，通過利用材料移除步驟(例如，雷射消融處理)來自裝置基板303表面移除材料。步驟108的成功標準是要實現良好的電池與電池以及電池與邊緣隔離同時使刻劃區域達到最小。一個實施例中，Nd:釩酸鹽(NchYVO4)雷射源用來自裝置基板303表面消融材料以形成線，所述線使裝置基板303的一個區域與相鄰區域電絕緣。一個實施例中，步驟108過程中執行的雷射刻劃處理利用1064nm波長脈衝雷射來圖案化設置於基板302上的材料，以隔離組成太陽能模塊300的各個太陽能電池312。一個實施例中，可購自加州聖克拉拉的 Applied Materials公司的5. 7m2基板雷射刻劃模塊用來提供單純可靠的光學與基板移動， 以準確地電絕緣裝置基板303表面的數個區域。如圖4所示，通過正面接觸隔離步驟108 可在正面接觸層310中形成溝槽P1。刻劃模塊的一個實施例(例如，刻劃模塊208)隨後描述於下方章節「刻劃模塊」中。另一個實施例中，水力噴射切割工具或鑽石刻劃用來隔離裝置基板303的表面上的不同區域。接下來，將裝置基板303傳送至處理模塊212，於處理模塊212中在裝置基板303 上執行步驟112，所述步驟112包括一或多個光吸收件沉積步驟。步驟112中，一或多個光吸收件沉積步驟可包括一或多個製備、蝕刻與/或材料沉積步驟，用來形成太陽能電池裝置的不同區域。步驟112通常包括一系列子-處理步驟，用來形成太陽能模塊300的PV 層320。一個實施例中，PV層320包括一或多個p-i-n結，所述個p-i-n結包括非晶矽與 /或微晶矽材料。一般而言，在處理模塊212中存在的一或多個組合工具(例如，組合工具 212A-212D)中執行一或多個處理步驟，以在裝置基板303上形成的太陽能電池裝置中形成一或多個層。接下來，將裝置基板303傳送至刻劃模塊216，於刻劃模塊216中在裝置基板303 上執行互連形成步驟116，以使裝置基板303表面的不同區域彼此電絕緣。步驟116中，通過利用材料移除步驟(例如，雷射消融處理)而自裝置基板303表面移除材料。一個實施例中，使用Nd:釩酸鹽(NchYVO4)雷射源來自基板表面消融材料以形成使一太陽能電池與相鄰太陽能電池電絕緣的線。一個實施例中，可購自Applied Materials公司的5. 7m2基板雷射刻劃模塊用來執行準確刻劃處理。一個實施例中，步驟108過程中執行的雷射刻劃處理利用532nm波長脈衝雷射來圖案化配置於裝置基板303上的材料，以隔離組成太陽能模塊300的各個電池。如圖4所示，一個實施例中，在互連形成步驟116中於PV層320中形成溝槽P2。刻劃模塊的一個實施例(例如，刻劃模塊216)隨後描述於下方章節「刻劃模塊」中。另一個實施例中，使用水力噴射切割工具或鑽石刻劃來隔離裝置基板303的表面上的不同區域。接下來，將裝置基板303傳送至檢查模塊217，在檢查模塊217中可執行檢查步驟 117並可收集測量數據並將所述測量數據送至系統控制器四0。檢查步驟117的一個實施例中，當裝置基板303通過檢查模塊217時，裝置基板303經光學檢查，並拍攝裝置基板303 的圖像且將所述圖像送至系統控制器四0，在系統控制器中分析圖像並收集測量數據且將所述測量數據儲存於內存中。一個實施例中，測量數據用來修改一或多個上遊處理，諸如正面接觸隔離步驟108與/或互連形成步驟116。檢查模塊217與在檢查步驟117過程中執行的處理的一個實施例隨後描述於「檢查模塊與處理」章節。接下來，將裝置基板303傳送至處理模塊218，於處理模塊218中在裝置基板303 上執行背接觸形成步驟118。步驟118中，執行一或多個基板背接觸形成步驟，所述基板背接觸形成可步驟包括一或多個製備、蝕刻與/或材料沉積步驟，用來形成太陽能電池裝置的背接觸區域。一個實施例中，步驟118通常包括一或多個PVD步驟，用來在裝置基板 303的表面上形成背接觸層350。一個實施例中，一或多個PVD步驟用來形成背接觸區域， 所述背接觸區域包含選自下列所構成的群組的金屬層鋅( )、錫(Sn)、鋁(Al)、銅(Cu)、 銀(Ag)、鎳(Ni)與釩(V)。一個實例中，氧化鋅(SiO)或鎳釩合金(NiV)用來形成至少一部分的背接觸層350。一個實施例中，利用可夠自Applied Materials (Santa Clara, California)的ATON PVD 5. 7工具執行一或多個處理步驟。另一個實施例中，一或多個 CVD步驟用來在裝置基板303的表面上形成背接觸層350。接下來，將裝置基板303傳送至刻劃模塊220，在刻劃模塊220中在裝置基板303 上執行背接觸隔離步驟120，以使裝置基板303表面上所含的多個太陽能電池312彼此電絕緣。步驟120中，通過利用材料移除步驟(例如，雷射消融處理)而自裝置基板表面移除材料。一個實施例中，利用Nd:釩酸鹽(NchYVO4)雷射源來自裝置基板303表面消融材料以形成線，所述線使一個太陽能電池與相鄰太陽能電池電絕緣。一個實施例中，可購自Applied Materials公司的5. 7m2基板雷射刻劃模塊用來準確地刻劃裝置基板303的所需區域。一個實施例中，步驟120過程中執行的雷射刻劃處理利用532nm波長脈衝雷射來圖案化設置於裝置基板303上的材料，以隔離組成太陽能模塊300的各個太陽能電池312。如圖4所示， 一個實施例中，通過利用雷射刻劃處理而在背接觸層350與PV層320中形成溝槽P3。刻劃模塊的一個實施例(例如，刻劃模塊220)隨後描述於下方章節「刻劃模塊」中。另一個實
10施例中，利用水力噴射切割工具或鑽石刻劃來隔離裝置基板303的表面上的不同區域。接下來，將裝置基板303傳送至檢查模塊221，在檢查模塊221中可執行檢查步驟 121並可收集測量數據且將所述測量數據送至系統控制器四0。檢查步驟121的一個實施例中，當裝置基板303通過檢查模塊221時，基板經光學檢查，並拍攝裝置基板303的圖像且將所述圖像送至系統控制器四0，在系統控制器四0中分析圖像並收集測量數據且將所述測量數據儲存於內存中。一個實施例中，測量數據用來修改一或多個上遊處理，諸如正面接觸隔離步驟108、互連形成步驟116與/或背接觸隔離步驟120。檢查模塊221與檢查步驟121過程中執行的處理的一個實施例隨後描述於「檢查模塊與處理」章節中。再度參照圖1與圖2，接著將裝置基板303傳送至接合/邊緣去除模塊226，在接合/邊緣去除模塊226中基板表面與邊緣製備步驟1 用來製備裝置基板303的不同表面以避免處理中稍後的產量問題。步驟126的一個實施例中，將裝置基板303插入接合/邊緣去除模塊226中，以製備裝置基板303的邊緣好塑型並製備裝置基板303的邊緣。裝置基板303邊緣的受損會影響裝置產率與生產能用的太陽能電池裝置的成本。另一個實施例中，接合/邊緣去除模塊2 用來自裝置基板303邊緣(例如，IOmm)移除沉積的材料，以提供區域，所述區域可用來在裝置基板303與背側玻璃之間形成可靠密封(即，下述的步驟 134-136)。自裝置基板303的邊緣移除材料也可用來避免最終形成的太陽能電池中的電短路。—個實施例中，充滿鑽石的帶用來自裝置基板303的邊緣區域研磨沉積的材料。 另一個實施例中，研磨輪用來自裝置基板303的邊緣區域研磨沉積的材料。另一個實施例中，雙重研磨輪用來自裝置基板303的邊緣區域移除沉積的材料。又另一個實施例中，噴砂處理或雷射消融技術用來自裝置基板303的邊緣移除沉積的材料。一個方面中，接合/邊緣去除模塊2 通過利用塑型研磨輪、有角度且對準的帶狀磨砂機與/或研磨輪而用來使裝置基板303的邊緣變圓或呈現斜角。接下來，將裝置基板303傳送至預篩模塊227，在預篩模塊227中在裝置基板303 上執行光學預篩步驟127以確保基板表面上形成的裝置符合所需的質量標準。步驟127中， 發光源與探針裝置通過利用一或多個基板接觸探針而用來測量形成的太陽能電池裝置的輸出。如果模塊227檢測到形成的裝置中的缺陷，那麼模塊227可採取修正動作，或者可捨棄太陽能電池。接下來，將基板303傳送至接合電線附加模塊231，在接合電線附加模塊231中在基板303上執行步驟131或接合電線附加步驟。步驟131用來附加不同電線/導線，所述電線/導線是用以連接不同外部電子部件至形成的太陽能電池裝置所需的。一般而言，接合電線附加模塊231是自動化電線接合工具，所述自動化電線接合工具可有利地用來可靠與迅速地形成許多互連，所述互連通常為生產線200中形成大太陽能電池所需要。一個實施例中，接合電線附加模塊231用來在形成的背接觸層350(步驟118)上形成側總線314(圖 3)與橫跨-總線316。此構造中，側總線314可為導電材料，所述導電材料可固定、接合與/ 或融接至背接觸區域中的背接觸層350以形成良好的電接觸。一個實施例中，側總線314與橫跨-總線316各包括金屬帶，諸如銅帶、鎳塗覆銀帶狀物、銀塗覆鎳帶狀物、錫塗覆銅帶狀物、鎳塗覆銅帶狀物、或其他導電材料，所述導電材料可傳導太陽能電池輸送的電流，並且所述導電材料可靠地接合至背接觸區域中的金屬層。一個實施例中，金屬帶寬度約2mm與CN 102422442 A
說明書
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約IOmm之間而厚度約Imm與約3mm之間。橫跨-總線316在接合區電連接至側總線314， 所述橫跨-總線316可利用絕緣材料(例如，絕緣帶)與太陽能電池的背接觸層電絕緣。各個橫跨-總線316的端部通常具有一或多個導線，所述導線用來連接側總線314與橫跨-總線316至接線盒308中的電連接，電連接用來連接形成的太陽能電池至其他外部電子部件。下一步驟(步驟132)中，製備接合材料與「背玻璃」基板以輸送進入太陽能電池形成處理(即，處理序列100)。通常在玻璃疊層模塊232中執行制各處理，玻璃疊層模塊 232通常包括材料製備模塊232A、玻璃負載模塊232B、玻璃清潔模塊232C與玻璃檢查模塊 232D。通過利用層壓處理(下述的步驟134)而將背玻璃基板接合至上方步驟102-131中形成的裝置基板303上。一般而言，步驟132需要製備聚合物材料，所述聚合物材料即將配置於背玻璃基板與在裝置基板303上的沉積層之間來形成密封的密封件，以避免太陽能電池在使用壽命期間遭受外界破壞。參照圖2，步驟132通常包括一系列子步驟，在所述子步驟中在材料製備模塊232A中製備接合材料，接著將接合材料置於裝置基板303上，並將背玻璃基板裝載於負載模塊232B中。通過清潔模塊232C清洗背玻璃基板。接著通過檢查模塊232D檢查背玻璃基板，並將背玻璃基板置於接合材料與裝置基板303上。在步驟132的下一子-步驟中，將背玻璃基板傳送至清潔模塊232C，在清潔模塊 232C中在基板上執行基板清潔步驟以移除任何基板表面上發現的汙染物。常見的汙染物可包括在基板形成處理(例如，玻璃製造處理)與/或基板運送過程中沉積於基板上的材料。 一般而言，清潔模塊232C利用溼化學擦洗與清洗步驟以移除任何上述不想要的汙染物。接著通過利用自動化機器裝置將製備的背玻璃基板置於接合材料與部分裝置基板303上。接下來，將裝置基板303、背玻璃基板與接合材料傳送至接合模塊234，在所述接合模塊234中執行步驟134或層壓步驟以將背側玻璃基板接合至上述步驟102-132中形成的裝置基板。步驟134中，將接合材料(諸如，聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或乙烯醋酸乙烯酯 (EVA))夾於背側玻璃基板與裝置基板303之間。利用不同加熱元件與接合模塊234中存在的其他裝置來施加熱與壓力至結構以形成接合且密封的裝置。裝置基板303、背玻璃基板與接合材料因此形成複合太陽能電池結構304，所述複合太陽能電池結構304至少部分地封裝太陽能電池裝置的有源區。一個實施例中，背玻璃基板中形成的至少一個孔保留至少部分未被接合材料覆蓋，好讓橫跨-總線316或側總線314的部分依然暴露，以便可在接下來的步驟(即，步驟138)中對太陽能電池結構304的這些區域進行電連接。接下來，將複合太陽能電池結構304傳送至熱壓(autoclave)模塊236，在熱壓模塊236中在複合太陽能電池結構304上執行步驟136或熱壓步驟以去除陷入接合結構中的氣體並確保在步驟136過程中形成良好的接合。步驟136中，將接合的太陽能電池結構304 插入熱壓模塊的處理區域中，其中輸送熱且高壓氣體以減少陷入氣體的數量並改善裝置基板303、背玻璃基板與接合材料之間的結合的性質。熱壓中執行的處理還有用於確保玻璃與接合層(例如，PVB層)中的應力進一步受到控制，以避免接合/層壓處理過程中引發的應力導緻密封的密封件破壞或玻璃破壞。一個實施例中，可視需要將裝置基板303、背玻璃基板與接合材料加熱至這樣的溫度，所述溫度可導致形成的太陽能電池結構304中的一或多個部件中應力鬆弛。接下來，將太陽能電池結構304傳送至接線盒附加模塊238，在所述接線盒附加模塊238中在形成的太陽能電池結構304上執行接線盒附加步驟138。步驟138過程中所應用的接線盒附加模塊238用來將接線盒308(圖3)安裝於部分形成的太陽能模塊上。安裝的接線盒308作為外部電子部件(諸如，其他太陽能模塊或功率柵)與步驟131過程中形成的內部電子連接點(例如，導線)之間的接口，所述外部電子部件將連接至形成的太陽能模塊。一個實施例中，接線盒308包含一或多個連接點，以致形成的太陽能模塊可輕易且系統地連接至其他外部裝置以輸送產生的電功率。接下來，將太陽能電池結構304傳送至裝置測試模塊M0，在裝置測試模塊240中在太陽能電池結構304上執行裝置篩選與分析步驟140，以確保太陽能電池結構304上形成的裝置符合所需的質量標準。一個實施例中，裝置測試模塊240為太陽能仿真模塊，所述太陽能仿真模塊用來定性與測試一或多個形成的太陽能電池的輸出。步驟140中，發光源與探針裝置用來通過利用一或多個自動化部件來測量形成的太陽能電池裝置的輸出，所述自動化部件適以與接線盒308中的端子形成電接觸。如果模塊檢測到形成的裝置中的缺陷， 那麼所述模塊可採取修正操作，或者可捨棄太陽能電池。接下來，將太陽能電池結構304傳送至支撐結構模塊M1，在支撐結構模塊241中在太陽能電池結構304上執行支撐結構安裝步驟141以提供完整的太陽能電池裝置，所述太陽能電池裝置具有一或多個安裝元件，所述安裝元件附加到利用步驟102-140形成的太陽能電池結構304，以得到完整的太陽能電池裝置，所述太陽能電池裝置可輕易安裝且迅速地安裝在顧客處。接下來，將太陽能電池結構304傳送至卸載模塊對2，其中在基板上執行步驟142 或裝置卸載步驟以自太陽能模塊生產線200移除形成的太陽能電池。刻劃模塊圖6為雷射刻劃模塊600的示意等角圖，所述雷射刻劃模塊600可用於在沉積於太陽能電池基板302上的一或多個材料層(即，正面接觸層310、PV層320或背接觸層350) 中雷射刻劃一系列溝槽(即，P1、P2或P3)。一個實施例中，雷射刻劃模塊600包括一或多個雷射刻劃裝置605和基板定位桌615，所述雷射刻劃裝置605和所述基板定位桌615與系統控制器290連通。一個實施例中，雷射刻劃裝置605通常包括雷射源(例如，NdiYVO4雷射)、各種光學元件與其他支持部件，所述支持部件為用來控制能量輸送的功率、能量與時間，以將所需的溝槽(例如，PI、P2或P3)刻劃入裝置基板303的表面上的各個層(例如， 正面接觸層310、PV層320或背接觸層350)中。一個實施例中，基板定位桌615包括一或多個配置成沿X方向定位裝置基板303 的部件、以及一或多個沿Y方向移動裝置基板303通過刻劃模塊600的部件。一個實施例中，根據預定的編程，系統控制器290指示基板定位桌615將裝置基板303定位於所需位置中並推進裝置基板303通過雷射刻劃模塊600。系統控制器290可進一步指示雷射刻劃裝置605在裝置基板303上執行雷射刻劃以產生所需的溝槽(PI、P2或P3)。另一個實施例中，雷射刻劃裝置605進一步包括一或多個沿X方向移動雷射的部件、及一或多個沿Y方向移動雷射刻劃裝置的部件。此實施例中，根據預定的編程，系統控制器290指示雷射刻劃裝置605將自己定位於所需的X位置，並接著當雷射刻劃裝置605 在裝置基板303上執行雷射刻劃時沿Y方向推進以產生所需的溝槽(PI、P2或P3)。檢杳模塊與處理
圖7A為根據本發明一個實施例的檢查模塊700 (諸如，檢查模塊217 (圖幻或檢查模塊221(圖幻)的示意橫剖面圖。一個實施例中，檢查模塊700直接併入刻劃模塊216與 /或220中(圖幻。一個實施例中，檢查模塊700包括背側照明源730、檢查裝置740與選擇性的正面側照明源720。包括選擇性的正面側照明源720的實施例中，正面側照明源720 置於裝置基板303下方，且正面側照明源720設置成以相對裝置基板303表面的角度725 朝向裝置基板303的正面305發射光線。一個實施例中，角度725為在約15°與約90°之間。一個實施例中，角度725為在約60°與約90°之間。一個實施例中，角度725為在約 75°與約90°之間。一個實施例中，選擇性的正面側照明源720經定位成以與裝置基板303 的表面成直角來發射光線。一個實施例中，正面側照明源720是寬帶帶光源。一個實施例中，寬帶帶式正面側照明源720包括一或多個濾光器，以控制自所述正面側照明源720發射的光線波長。一個實施例中，正面側照明源720設置成僅在特定光譜(例如，藍光光譜)波長中發射光線。一個實例中，正面側照明源720適以發射波長在約400nm與約900nm之間的電磁輻射。一個實施例中，正面側照明源720適以發射波長在約450nm與約500nm之間的電磁輻射。一個實施例中，正面側照明源720與系統控制器290連通。一個實施例中，背側照明源730定位於裝置基板303上方且設置成朝向裝置基板 303的背面306發射光線，裝置基板303具有PV層320 (檢查模塊217的實例中)或沉積於所述裝置基板303上的背接觸層350(檢查模塊221的實例中)。一個實施例中，背側照明源730設置成以相對裝置基板303表面的角度735朝向裝置基板303發射光線。一個實施例中，角度735為在約10°與約90°之間。一個實施例中，角度735為在約60°與約90° 之間。一個實施例中，角度735為在約75°與約89°之間。一個實施例中，角度735實質上與角度725互餘。一個實施例中，背側照明源730是寬帶帶光源。一個實施例中，寬帶帶式背側照明源730包括一或多個濾光器，以控制自所述寬帶帶式背側照明源730發射的光線波長。一個實施例中，背側照明源730設以僅在特定光譜(例如，紅光光譜)波長中發射光線。一實例中，背側照明源730適以發射波長在約400nm與約900nm之間的電磁輻射。一個實施例中，背側照明源730適以發射波長在約600nm與約750nm之間的電磁輻射。一個實施例中，背側照明源730與系統控制器290連通。一個實施例中，檢查裝置740包括一或多個相機(例如，CXD相機)與其他支持部件，所述支持部件用來實施刻劃溝槽PI、P2與/或P3的光學檢查。一個實施例中，檢查裝置740包括一或多個CXD相機，所述CXD相機定位於裝置基板303上方，並且所述CXD相機設置為以相對裝置基板303表面的角度745拍攝圖像。檢查裝置740的解析度應經選擇以致各個刻劃溝槽P1、P2與/或P3為可見的，以用於分析各個刻劃溝槽的位置、形狀與方向。 一個實施例中，角度745為在約10°與約90°之間。一個實施例中，角度745為在約60° 與約90°之間。一個實施例中，角度745為在約75°與約89°之間。一個實施例中，角度 745實質等於角度735。一個實施例中，角度745實質與角度735互餘。一個實施例中，檢查裝置740與系統控制器290連通。圖7B為檢查模塊700的替代實施例的示意橫剖面圖。圖7B所示的實施例中，檢查模塊700進一步包括分光器750。包括選擇性的正面側照明源720的實施例中，正面側照明源720定位於裝置基板303下方，且正面側照明源720設置成以實質垂直於裝置基板 303的正面305的方向發射光線。一個實施例中，背側照明源730定位於裝置基板303上
14方，且背側照明源730設置成以實質平行於裝置基板303的表面的方向朝向分光器750發射光線。一個實施例中，檢查裝置740定位於裝置基板303上方，且檢查裝置740設以實質垂直於裝置基板303的表面來拍攝圖像。參照圖2、圖7A與圖7B，一個實施例中，檢查模塊700定位於生產線200中(例如， 檢查模塊217與221)以從自動化裝置觀1接收裝置基板303。自動化裝置可在檢查裝置740與背側照明源730下方供給裝置基板303。供給裝置基板303通過檢查模塊700的一個實施例中，在由背側照明源730照射裝置基板303時，檢查裝置740拍攝基板表面的一或多個區域的圖像。包括選擇性的正面側照明源720的實施例中，正面側照明源720與背側照明源730在裝置基板303供給通過檢查模塊700時照射裝置基板303。圖7A所示的實施例中，由背側照明源730相對裝置基板303的表面以角度735發射光線，以致可由檢查裝置740拍攝基板表面的一或多個區域的圖像(S卩，反射波段)。包括正面側照明源720的實施例中，同時由正面側照明源720相對裝置基板303以角度725發射光線，以致可由檢查裝置740拍攝基板表面的一或多個區域的圖像(S卩，傳輸波段)。相應地，圖7B所示的實施例中，由背側照明源730實質平行於裝置基板303朝向分光器750發射光線，以致可由檢查裝置740拍攝基板表面的一或多個區域的圖像(S卩，反射波段)。包括選擇性的正面側照明源 720的實施例中，同時由正面側照明源720實質垂直於裝置基板303發射光線，以致可由檢查裝置740拍攝基板表面的一或多個區域的圖像(S卩，傳輸波段)。一個實施例中通過反射波段拍攝得到的圖像或另一個實施例中傳輸與反射波段的組合，提供所有刻劃溝槽P1、P2 與/或P3的清晰圖像，以便通過系統控制器290與/或額外手動分析的分析與儲存。檢查裝置740傳送裝置基板303的拍攝圖像至系統控制器四0，於系統控制器290 中分析圖像並收集且儲存測量數據。一個實施例中，圖像由系統控制器290配置於檢查模塊700中的部分保留以進行分析。一個實施例中，系統控制器290利用檢查裝置740提供的信息來確定裝置基板303是否達到特定標準。舉例而言，圖像可用來辨別可能存在於刻劃溝槽PI、P2與/或P3間的任何重疊或任何遺漏的刻劃溝槽PI、P2與P3，這會造成完全形成的太陽能模塊300中的短路或「無效」太陽能電池312。此外，普遍可分析刻劃溝槽P1、 P2與P3的波浪狀、平行與間距。一個實施例中，檢查模塊700提供的信息由系統控制器四0 用來排除特定裝置基板303，所述特定裝置基板303具有一或多個重疊刻劃溝槽PI、P2與 /或P3，可將所述特定裝置基板303捨棄。一個實施例中，根據自檢查模塊700 (即，檢查模塊217、221)接收的信息，系統控制器290可指示將裝置基板303送回通過適當的刻劃模塊 600(即，216或220)以進行修正操作。一個實施例中，檢查模塊700( S卩，檢查模塊217、221)收集的信息由系統控制器 290用來(手動或自動方式任一者)針對隨後於生產線200中處理的裝置基板303而改變與調整對應刻劃模塊600(即，刻劃模塊208、216、220)的處理參數。舉例而言，系統控制器 290可根據檢查模塊217接收的信息來辨別一或多個刻劃溝槽Pl與P2具有的問題(諸如， 波浪狀、平行、間隔、遺漏劃線)。系統控制器290可利用此信息來改變刻劃模塊208與/或 216中的處理參數，以針對隨後處理的裝置基板303改善刻劃溝槽Pl與/或P2的品質。另一實例中，系統控制器290可自檢查模塊221接收的信息辨別一或多個刻劃線P1、P2與P3 具有的問題(諸如，波浪狀、平行、間隔、遺漏劃線)。系統控制器290可利用此信息來改變刻劃模塊208、216與/或220中的處理參數，以針對隨後處理的裝置基板303改善刻劃溝槽P1、P2與/或P3的品質。一個實施例中，對刻劃模塊600(即，208、216、220)的調整包括調整裝置基板303 相對雷射刻劃裝置605的排列與移動。另一個實施例中，對刻劃模塊600(即，208、216、220) 的調整包括調整雷射刻劃裝置605相對裝置基板303的排列與移動。一個實施例中，對刻劃模塊600(即，208、216、220)的調整包括對雷射刻劃裝置605的調整，諸如雷射刻劃裝置 605的頻率或輸出電流等其他雷射裝置參數。雖然上文針對本發明的實施例，可能設計其他或更進一步的實施例，而不偏離本發明基本範圍，本發明的範圍是由下列權利要求書所確定。
權利要求
1.一種檢查部分形成的太陽能模塊中的數個刻劃溝槽的設備，所述設備包括第一照明源，所述第一照明源經定位以照射所述部分形成的太陽能模塊的背面；檢查裝置，所述檢查裝置經定位以拍攝所述部分形成的太陽能模塊的背面的區域的圖像；以及系統控制器，所述系統控制器與所述第一照明源和所述檢查裝置連通，其中所述系統控制器設置成以接收並分析自所述檢查裝置接收的圖像。
2.如權利要求1所述的設備，其中所述第一照明源經定位而相對於所述背面以約75° 與約89°之間的角度發射光線，且其中所述檢查裝置定位成相對於所述背面成約75°與約89°之間的角度。
3.如權利要求1所述的設備，所述設備進一步包括分光器，其中所述第一照明源經定位而實質平行於所述背面發射光線，且其中所述檢查裝置定位成實質垂直於該背面。
4.如權利要求1所述的設備，所述設備進一步包括第二照明源，所述第二照明源經配置以照射所述部分形成的太陽能模塊的正面，其中所述系統控制器進一步與所述第二照明源連通。
5.如權利要求4所述的設備，其中所述第二照明源定位成相對於所述正面以約75° 與約90°之間的角度發射光線，其中所述第一照明源定位成相對於該背面以約75°與約89°之間的角度發射光線，且其中所述檢查裝置定位成相對於所述背面成約75°與約 89°之間的角度。
6.如權利要求4所述的設備，所述設備進一步包括分光器，其中所述第二照明源經定位而實質垂直於所述正面發射光線，其中所述第一照明源經配置而實質平行於所述背面發射光線，且其中所述檢查裝置定位成實質垂直於所述背面。
7.—種檢查部分形成的太陽能模塊中數個刻劃溝槽的方法，所述方法包括接收部分形成的太陽能模塊，所述部分形成的太陽能模塊至少具有正面接觸層和光伏層，所述正面接觸層設置於所述部分形成的太陽能模塊上，並且所述光伏層設置於所述正面接觸層上，所述正面接觸層中刻劃有一或多個第一溝槽而所述光伏層中刻劃有一或多個第二溝槽；照射所述部分形成的太陽能模塊的背面；以及在照射所述部分形成的太陽能模塊的背面時，光學檢查所述部分形成的太陽能模塊的區域，所述區域具有設置於所述區域中的所述一或多個第一溝槽的至少一部分與所述一或多個第二溝槽的至少一部分，其中光學檢查步驟包括拍攝所述區域的圖像，並分析所述一或多個第一溝槽的部分相對所述一或多個第二溝槽的部分的位置或方向。
8.如權利要求7所述的方法，所述方法進一步包括照射所述部分形成的太陽能模塊的正面，其中照射正面步驟包括相對於所述正面以約75°與約90°之間的角度發射光線，其中照射背面步驟包括相對於所述正面以約75°與約89°之間的角度發射光線，且其中光學檢查步驟包括以檢查裝置拍攝所述區域的圖像，所述檢查裝置定位成相對於所述背面成約75°與約89°之間。
9.如權利要求7所述的方法，所述方法進一步包括照射所述部分形成的太陽能模塊的正面，其中照射正面步驟包括實質垂直於所述正面發射光線，其中照射背面步驟包括實質平行於所述背面發射光線，並且其中光學檢查步驟包括以檢查裝置拍攝所述區域的圖像，所述檢查裝置定位成實質垂直於所述背面。
10.一種製造太陽能模塊的系統，所述系統包括第一刻劃模塊，所述第一刻劃模塊設置成以在太陽能電池基板的正面接觸層中刻劃一或多個第一溝槽；一或多個組合工具，所述工具具有至少一個腔室，所述腔室設置成以在所述正面接觸層上沉積至少一個光伏層；第二刻劃模塊，所述第二刻劃模塊設置成以在所述至少一個光伏層中刻劃一或多個第二溝槽；第一光學檢查模塊，所述第一光學檢查模塊具有第一照明源與檢查裝置，所述檢查裝置設置成以拍攝所述第一溝槽與所述第二溝槽的至少一部分的圖像，其中所述第一光學檢查模塊的所述第一照明源定位成照射所述太陽能電池基板的背面，且其中所述檢查裝置定位成自所述太陽能電池基板的背面拍攝圖像；以及系統控制器，所述系統控制器至少與所述第一刻劃模塊、所述第二刻劃模塊和所述光學檢查模塊連通，其中所述系統控制器設置成以接收並分析所述第一溝槽與所述第二溝槽的部分的圖像，且其中所述系統控制器設置成以響應所分析的圖像而改變所述第一刻劃模塊與所述第二刻劃模塊至少一個的參數。
11.如權利要求10所述的系統，其中所述第一照明源經定位而相對於所述背面以約75°與約89°之間的角度發射光線，且其中所述檢查裝置定位成相對於所述背面成約 75°與約89°之間的角度。
12.如權利要求10所述的系統，其中所述第一檢查模塊進一步包括分光器，其中所述第一照明源經定位而實質平行於所述背面發射光線，且其中所述檢查裝置定位成實質垂直於所述背面。
13.如權利要求10所述的系統，所述系統進一步包括沉積模塊，所述沉積模塊設置成以在所述至少一個光伏層上沉積背接觸層；第三刻劃模塊，所述第三刻劃模塊設置成以在所述背接觸層中刻劃一或多個第三溝槽；以及第二光學檢查模塊，所述第二光學檢查模塊具有第一照明源與檢查裝置，所述檢查裝置設置成以拍攝所述第一溝槽、第二溝槽與第三溝槽的一部分的圖像，其中所述系統控制器進一步與所述沉積模塊、所述第三刻劃模塊與所述第二光學檢查模塊連通，且其中所述系統控制器進一步設置成以接收並分析所述第一溝槽、第二溝槽與第三溝槽的部分的圖像，且其中所述系統控制器進一步設置成以響應分析的圖像而改變所述第一刻劃模塊、所述第二刻劃模塊與所述第三刻劃模塊中至少一個的參數。
14.如權利要求13所述的系統，其中所述第一光學檢查模塊進一步包括經定位以照射所述基板的正面的第二照明源，且其中所述第二光學檢查模塊進一步包括經定位以照射所述基板的正面的第二照明源，其中各個所述第一照明源經定位而相對於所述正面以約 75°與約90°間的角度發射光線，其中各個所述第二照明源經定位而相對於所述背面以約 75°與約89°之間的角度發射光線，且其中各個所述檢查裝置定位成相對於所述背面成約 75°與約89°之間的角度。
15.如權利要求13所述的系統，其中各個所述第一檢查模塊與所述第二檢查模塊進一步包括分光器，其中各個所述第一照明源經定位而實質垂直於所述正面發射光線，其中各個所述第二照明源經定位而實質平行於所述背面發射光線，且其中各個所述檢查裝置定位成實質垂直於所述背面。
全文摘要
本發明實施例大致涉及在製造處理過程中檢查與分析刻劃於太陽能模塊中的隔離溝槽的間距的方法與設備。一個實施例中，在製造處理不同處拍攝並分析刻劃溝槽的圖像。接著可以手動或自動方式應用結果來診斷、改變與調整上遊處理，以改善隨後處理的太陽能模塊的刻劃間距。
文檔編號H01L31/042GK102422442SQ201080019027
公開日2012年4月18日 申請日期2010年4月20日 優先權日2009年6月26日
發明者阿薩夫·施勒岑傑 申請人:應用材料公司