利用投影圖案化的具有嵌入式管芯的基板的製造及相關聯的封裝配置的製作方法

2023-09-21 14:18:40

利用投影圖案化的具有嵌入式管芯的基板的製造及相關聯的封裝配置的製作方法
【專利摘要】本申請公開了利用投影圖案化的具有嵌入式管芯的基板的製造及相關聯的封裝配置。本公開的實施例針對用於在製造具有嵌入式管芯的電子基板中使用投影圖案化的技術和配置。在一個實施例中，方法可包括提供嵌入在基板的介電材料中的管芯，以及將雷射束投影通過具有預配置的圖案的掩模以根據預配置的圖案在介電材料的表面上產生經投影的掩模圖案。經投影的掩模圖案可包括設置在管芯上的通孔。可描述和/或要求保護其它的實施例。
【專利說明】利用投影圖案化的具有嵌入式管芯的基板的製造及相關聯的封裝配置

【技術領域】
[0001]本公開的實施例一般涉及集成電路的領域，並且更具體地涉及用於利用投影圖案化製造集成電路組件中的具有嵌入式管芯的基板的技術和配置。

【背景技術】
[0002]為了克服多晶片封裝(MCP)中的邏輯到邏輯和/或邏輯到存儲器通信之間的帶寬限制，嵌入式橋管芯(bridge die)(諸如,娃橋(silicon bridges))已經作為工具來實現這種高密度管芯到管芯互連。從邏輯或存儲器管芯到封裝的封裝連接可利用到嵌入式橋接管芯的基於微通孔的互連。高帶寬存儲器(HBM)管芯和/或管芯堆疊(例如，55 μ m間距的電子設備工程聯合委員會(JEDEC)的標準)的更精細的間距推動了對用於CPU到存儲器管芯連接的最小受控塌陷晶片連接(C4)互連間距的嚴格的高密度互連(HDI)封裝基板設計規則要求。
[0003]目前，雷射鑽孔可用於製造基於微通孔的互連。例如，雷射鑽孔可利用電流鏡(Galvano mirrors)來將CO2雷射束定位到所需位置以執行微通孔鑽孔。然而,使用目前的技術來提供用於未來的計算設備的更細間距可能是有挑戰的。例如，目前的雷射鑽孔技術可能仍不能實現55 μ m或以下的通孔間距。
[0004]附圖簡述
[0005]通過結合附圖的以下詳細描述將容易理解多個實施例。為了便於該描述，相同的附圖標記指示相同結構的元件。在附圖的多個圖中通過示例而非作為限制地說明多個實施例。
[0006]圖1示意性地示出了根據一些實施例的具有電子基板的示例集成電路(IC)組件的截面側視圖，其中，該電子基板具有嵌入式管芯。
[0007]圖2示意性地示出了根據一些實施例的用於製造具有嵌入式管芯的電子基板的雷射投影圖案化系統的示例機器配置。
[0008]圖3示意性地示出了根據一些實施例的具有平行於圖2中的圖案掩模的平面的虛構切割平面的多個截面圖。
[0009]圖4示意性地示出了根據一些實施例的在製造具有嵌入式管芯的電子基板中使用投影圖案的封裝基板製造過程的流程圖。
[0010]圖5示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的一些所選擇的操作的截面圖。
[0011]圖6延續圖5，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的一些所選擇的操作的截面圖。
[0012]圖7示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的又一些所選擇的操作的截面圖。
[0013]圖8延續圖7，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的一些所選擇的操作的截面圖。
[0014]圖9示意性地示出了根據一些實施例的利用投影圖案化製造的一些所選擇微通孔的截面圖。
[0015]圖10示意性地示出了根據一些實施例的包括如本文所描述的嵌入式管芯的電子基板的計算設備。
[0016]詳細描述
[0017]本公開的實施例描述了用於在製造集成電路組件中的具有嵌入式管芯的電子基板中使用投影圖案化的技術和配置。例如，本文所描述的技術可用於製造包括高密度互連(HDI)路由的電子基板以利用嵌入式管芯(例如，橋)提供用於安裝在基板上的管芯之間的通信的更高的帶寬。在以下描述中，將使用本領域技術人員所通常使用的術語來描述示例性實現的各個方面，以向其他本領域技術人員傳達它們的工作的實質。然而，對本領域技術人員將顯而易見的是，僅採用所描述方面中的一些也可實施本公開的實施例。為了說明的目的，陳述具體的數字、材料和配置以提供對示例性實現的全面理解。然而，本領域技術人員將可理解，沒有這些特定細節也可實施本公開的實施例。在其他實例中，省略或簡化已知特徵以不模糊示例性實現。
[0018]在以下詳細描述中，參照形成本說明書的一部分的附圖，其中在全部附圖中相同的標記指示相同的部件，並且在附圖中以可實施本發明的主題的示例實施例的方式顯示。將理解，可利用其它實施例，且可做出結構上或邏輯上的改變，而不偏離本公開的範圍。因此，以下詳細描述不應按照限制性意義來理解，且多個實施例的範圍由所附權利要求及其等價方案來限定。
[0019]為了本公開的目的，短語「A和/或B」表示⑷、⑶或(A和B)。為了本公開的目的，短語 「A、B 和 / 或 C，，表示(A)、(B)、(C)、(A 和 B)、(A 和 C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。
[0020]說明書可使用基於視角的描述，諸如頂部/底部、內/外、上/下等等。這種描述僅用於便於討論並且不旨在將本文所描述的實施例的應用限制在任何特定方向。
[0021 ] 說明書可使用短語「在實施例中」或「在多個實施例中」或「在一些實施例中」，它們均可表示相同或不同實施例中的一個或多個。此外，有關本公開的多個實施例使用的術語「包括」、「包含」、「具有」等等是同義的。
[0022]本文可使用術語「與……耦合」及其派生詞。「耦合」可表示以下一個或多個。「耦合」可表示兩個或多個元件直接物理或電氣接觸。然而，「耦合」還可表示兩個或多個元件彼此間接接觸，但仍彼此協作或交互，以及可表示一個或多個其他元件被耦合或連接在所述將彼此耦合的元件之間。術語「直接耦合」可表示兩個或多個元件直接接觸。
[0023]在各個實施例中，短語「在第二特徵上形成、沉積或以其他方式設置第一特徵」可表示第一特徵被形成、沉積、或設置在第二特徵之上，並且第一特徵的至少一部分可與第二特徵的至少一部分直接接觸(例如，直接物理和/或電接觸)或間接接觸(在第一特徵和第二特徵之間具有一個或多個其他特徵)。
[0024]本文所使用的術語「模塊」可表示以下部件、作為以下部件的部分、或包括以下部件:專用集成電路(ASIC)、電子電路、片上系統(SoC)、執行一個或多個軟體或固件程序的處理器(共享的、專用的、或組)和/或存儲器(共享的、專用的、或組)、組合邏輯電路、和/或提供所描述功能的其他合適的部件。
[0025]圖1示意性地示出了根據一些實施例的具有電子基板(例如，封裝基板150)的示例IC組件100的截面側視圖，其中，該電子基板具有利用投影圖案化部分地製造的嵌入式管芯。如本文中所使用的第一級互連(FLI)可指的是管芯(例如，管芯110或120)和封裝襯底(例如，封裝襯底150)之間的互連，而第二級互連(SLI)可指的是封裝基板(例如，封裝基板150)和電路板(例如，電路板190)之間的互連。在實施例中，IC組件100可包括一個或多個管芯(諸如，管芯110和管芯120)，一個或多個管芯經由一個或多個FLI結構與封裝基板150電和/或物理地耦合。封裝基板150可進一步經由一個或多個SLI結構與電路板190電耦合。
[0026]管芯110或120可以表示使用半導體製造技術(諸如，薄膜沉積、光刻、蝕刻等等)由半導體材料製成的分立單元。在一些實施例中，管芯110或120可包括以下以下部件，或作為以下部件的一部分:處理器、存儲器、ASIC、或SoC。管芯110和120可根據多種合適的配置附連至封裝基板150，例如，多種適合的配置包括所描述的倒裝晶片配置、或諸如被嵌入在封裝基板150中的配置。在倒裝晶片配置中，管芯110或120可利用FLI結構(諸如，互連結構130、134)附連至封裝襯底150的表面(側面S1)，FLI結構被配置成使管芯110、120與封裝基板150電和/或機械地耦合併且路由管芯110、120的一個或多個和其他電部件之間的電信號。在一些實施例中，例如，電信號可包括與管芯110和/或120的操作相關聯的輸入/輸出(I/O)信號和/或功率/接地。
[0027]互連結構130可與橋140電耦合以利用橋140路由管芯110、120之間的信號。互連結構134可配置成路由管芯(例如，管芯120)和屬於電通路的路由特徵138之間的電信號，該電通路可從第一側面SI到與第一側面SI相對的第二側面S2穿過封裝基板150。作為示例，例如，電通路可包括配置成路由封裝基板150的第一側面SI和第二側面S2之間的管芯110或120的電信號的其他互聯結構，諸如，溝槽、通孔、跡線、或導電層(例如，在介電層154的兩側上的導電層152和156)等等。
[0028]為了便於討論，互連結構130或134、路由特徵138、和導電層152或156僅為示例結構。電通路可包括用於將管芯110和120或其他管芯(未示出)與封裝基板150耦合的多種合適的互連結構和/或層中的任一種。封裝基板150可包括比所描述的更多或更少的互連結構或層。例如，在一些實施例中，諸如模製化合物或底部填充材料(未示出)之類的電絕緣材料可部分地密封管芯110或120的一部分、和/或互連結構130和134。
[0029]在一些實施例中，橋140可被配置成將管芯110和120彼此電連接。在一些實施例中，橋140可包括用於充當管芯110和120之間的電路由特徵的互連結構(例如，管芯接觸142)。在一些實施例中，橋140可與為電信號提供路由的路由結構(例如，互連結構130)連接。作為示例，在橋140上的互連結構130 (例如，用於通過橋140路由管芯110和120的電信號)可具有55微米(μπι)或以下的通孔間距。在一些實施例中，橋殼設置在封裝基板150上的一些管芯之間，並且不在其他管芯之間。在一些實施例中，橋可能從俯視圖不可見。作為示例，在一些實施例中，橋140可嵌入到封裝基板150的腔中。
[0030]橋140可包括由玻璃或半導體材料(諸如，具有形成於其上的電路由互連特徵的矽(Si))組成的橋基板，以提供管芯110和120之間的晶片到晶片連接。在其他實施例中，橋140可由其他合適的材料組成。在一些實施例中，封裝基板150可包括用於路由多個管芯之間的電信號的多個嵌入式橋。
[0031]在一些實施例中，例如，封裝基板150為具有芯和/或構建層的環氧基層疊基板，諸如，Ajinomoto構建膜(ABF)基板。在其他實施例中，封裝基板150可包括其他合適類型的基板，例如，包括由玻璃、陶瓷、或半導體材料形成的基板。
[0032]電路板190可以是印刷電路板(PCB)，該印刷電路板(PCB)由諸如環氧疊層之類的電絕緣材料組成。例如，電路板190可包括由諸如聚四氟乙烯、酚醛樹脂棉紙材料(諸如，阻燃劑4(FR-4)、FR-1、棉紙和環氧材料(諸如，CEM-1或CEM-3)、或利用環氧樹脂預浸材料層疊在一起的編織的玻璃材料組成的電絕緣層。可通過電絕緣層形成諸如跡線、溝槽、通孔之類的結構以通過電路板190路由管芯110或120的電信號。在其他實施例中，電路板190可由其他合適的材料組成。在一些實施例中，電路板190是母板(例如，圖10的母板 1002)。
[0033]例如，可在球柵陣列(BGA)配置、或平面網格陣列(LGA)結構中配置的封裝級互連(諸如，焊球170)可耦合至封裝基板150上的一個或多個觸點(lands)(在下文中，「觸點160」)和電路板190上的一個或多個焊盤180，以形成對應的電連接，該對應的電連接被配置成進一步路由封裝基板150和電路板190之間的電信號。觸點160和/或焊盤180可由任何合適的導電材料(諸如包括例如，鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、和它們的組合的金屬)組成。在其他實施例中，可使用用於將封裝基板150與電路板190物理和/或電地耦合的其他合適的技術。
[0034]圖2示意性地示出了根據一些實施例的用於雷射投影圖案化的示例系統或機器200，該雷射投影圖案化用於製造具有嵌入式管芯的電子基板。機器200可包括選擇地彼此耦合的雷射雷射諧振器210、光束均勻器220、光圈230、反射鏡240、圖案掩模250、投影透鏡260和工作檯270。
[0035]在示例中，雷射源可以是受激準分子、固態UV、C02雷射、或其它類型的雷射。受激準分子雷射可具有比固態UV雷射或CO2雷射更好的解析度、更均勻的分布、和更高的功率。在實施例中，雷射諧振器210可包括反射鏡和其他光學部件，並且使雷射輻射能夠循環並且通過增益介質以增加功率增益。換句話說，雷射諧振器210可放大雷射，然後雷射能量的某一小部分可被用於輸出至光束均勻器220的雷射。在實施例中，光束均勻器220可與光圈240和反射鏡240耦合，並且可用於產生來自雷射器輸出的高度均勻的平頂光束。
[0036]在實施例中，圖案掩模250可置於平頂光束的光路中。圖案掩模250可具有預配置的圖案。圖案掩模250在一些實施例中可以是固定的，而在其他實施例中可以是可移動的。在實施例中，投影透鏡260可進一步置於圖案掩模250之下，並且將雷射束通過圖案掩模250投影到置於工作檯270上的襯底的介電錶面上。
[0037]在實施例中，基板可具有一個或多個嵌入式管芯。雷射束可被修改使得在投影雷射束的期間，雷射束可僅覆蓋圖案掩模250的一部分，圖案掩模250的一部分對應於在嵌入式管芯上的介電錶面上的區域。在實施例中，工作檯270可以是結合圖案掩模250的移動採用以恆定速度或可變速度的協同相對運動的移動基板的X-Y工作檯。在實施例中可通過圖案掩模250投射雷射束以根據圖案掩模250的預配置的圖案穿過介電材料來鑽出經投射的掩模圖案。因此，雷射束可導致在嵌入在基板中的一個或多個管芯上產生一個或多個通孔。機器200可包括比一些實施例中所描述的更多或更少的部件，並且可與其他實施例中的雷射投影圖案化的已知的原理一致。
[0038]圖3示意性地示出了根據一些實施例的具有平行於圖2中的圖案掩模250的平面的虛構切割平面的多個截面圖。在實施例中，可以看出，光束310可以是高度均勻的平頂光束，並且掩模320可具有預配置的圖案322。
[0039]固定的掩模可用於實現在襯底上的圖案投影。在實施例中，固定的掩模可用於將圖案(例如，圖案322)投影到一個單個管芯或表徵多個管芯(例如，8-10個管芯)的單個單元上。在單個管芯投影的一些實施例中，工作檯270可在每個管芯投影之間移動以將固定的掩模與每個管芯上的目標投影區域對準。在單個單元投影的一些實施例中，工作檯270可在每個單元投影之間移動以將固定的掩模與每個單元上的目標投影區域對準。
[0040]在單個單元投影的一些實施例中(例如，在300a處)，可使用大雷射束332來覆蓋在掩模330下方的單元的幾乎整個區域，該單元可表徵多個管芯(例如，8個管芯)。在這種情況下，可在單個管芯投影方法上改善圖案投影的工藝吞吐量，部分是由於可在多個管芯上同時地實現圖案投影，並且由此減少覆蓋基板上的所有單元所必需的工作檯移動。然而，例如，可以看出，由於雷射束332的大部分被掩模330 (例如，掩模330的中心處)阻斷，因此在這種情況下雷射能量可能沒有被充分地利用。在單個單元投影的一些實施例中(例如，在300b處)，通過將雷射束332成形或切割成光束342和344以僅覆蓋掩模340的一部分來更有效地利用雷射能量，掩模340的一部分對應於將在橋管芯上形成超精細微通孔的部分。在實施例中，雷射束的切割可通過空間分束器或時間波束切換器來實現。
[0041]移動的掩模也可用於實現在襯底上的圖案投影。在實施例中(例如，在300c處)，掩模350可具有用於在一個或多個嵌入式橋(例如，圖1中的橋140)之上鑽微通孔的預配置的圖案或設計。雷射束352可成形成僅覆蓋掩模350的部分區域。掩模350可被移動以將預配置的圖案或設計轉移到基板上。作為示例，可使用協同相對運動成像(COMI)技術，其中為了成像的目的可相對地移動掩模和基板。作為示例，掩模350可向左移動，而基板可向右移動。在一些實施例中，對於不活動的區域(例如，掩模350的中間區域)，掩模350和/或基板的移動速度可能增加，以提高吞吐量。
[0042]圖4示意性地示出了根據一些實施例在製造具有嵌入式管芯(例如，圖1的橋140)的電子基板(例如，圖1的封裝基板150)中使用投影圖案化的封裝基板製造過程400的流程圖。根據多個實施例，過程400可與結合圖5-8所描述的實施例的一致。
[0043]在框410處，過程400可包括提供在基板的介電材料中的管芯(例如，圖1的橋140)。在實施例中，管芯可由玻璃或半導體材料(例如，Si)組成，並且包括用於路由其它管芯之間的電信號的電路由特徵。在一些實施例中，管芯可設置在由基板的一個或多個構建層形成的平面之中或之內。例如，如從結合圖1所描述的實施例中可以看出，橋140被嵌入在封裝基板150的構建層中。在一些實施例中，可通過將管芯嵌入到構建層中作為構建層的形成的部分來實現形成設置在構建層的平面中的管芯(例如，圖1的橋140)。在其他實施例中，可通過在形成構建層之後根據任何合適的技術在構件層中形成腔並且將管芯置於腔中來實現形成設置在構建層的平面中的管芯。
[0044]在框420處，過程400可包括通過具有預配置的圖案的掩模投影雷射束以根據預配置的圖案穿過介電材料鑽出經投影的掩模圖案，經投影的掩模圖案至少包括設置之管芯上的通孔。在實施例中，受激準分子可用於在嵌入式管芯(例如，Si橋(SiB)管芯)上鑽通孔。其後，二氧化碳(CO2)雷射可用於在介電材料的區域中鑽通孔，該介電材料的區域不在管芯上。在實施例中，受激準分子可用於並發地鑽通孔、焊盤、跡線、和/或其他路由特徵。作為示例，灰度掩模可用於實現通孔、焊盤、跡線、和/或其他路由特徵的不同蝕刻深度。根據多個實施例，可在結合圖5和7所描述的製造過程中執行框420。
[0045]在框430處，過程400可包括將導電材料沉積到經投影的掩模圖案中。在實施例中，可採用導電材料部分地形成互連結構(例如，圖1的互連結構130)，並且互連結構可與嵌入式管芯連接以路由在基板的表面之上的電信號。在實施例中，互連結構可將嵌入式管芯電耦合至其他管芯。
[0046]在一個實施例中，導電材料可包括銅(Cu)。在一些實施例中，導電材料可包括,例如，鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉭(Ta)、鉿(Hf)、銀(Nb)、錯(Zr)、?凡(V)、鶴(W)、或它們的組合。在一些實施例中，導電材料可包括導電陶瓷，例如氮化鉭、氧化銦、矽化銅、氮化鎢、和氮化鈦。在其他實施例中，導電材料可包括其他化學成分，或它們的組合。
[0047]在實施例中，例如，採用導電材料填充的經投影的掩模圖案可包括諸如跡線、溝槽、通孔、觸點、焊盤或為電信號提供穿過封裝基板的對應的電路徑的其他結構的結構。在實施例中，在將導電材料沉積到經投影的掩模圖案中之前可使用去汙和非電解鍍銅操作。在一些實施例中，在將導電材料沉積到經投影的掩模圖案中之前還可使用幹膜抗蝕劑(DFR)層壓、暴露和顯影操作。在一些實施例中，半加成法(SAP)電鍍操作可用於將導電材料沉積到經投影的掩模圖案中，並且在沉積導電材料之後可使用DFR剝離和非電解去除操作。在其他實施例中，電解電鍍操作可用於將導電材料沉積至整個面板。並且在沉積導電材料之後可使用化學機械拋光(CMP)或Cu蝕刻操作。根據多個實施例，在結合圖5-8描述的製造過程中進一步說明了以上多個操作或其他可兼容的工藝。
[0048]多個操作又以最有助於理解所要求保護的主題的方式被描述為多個不連續的操作。然而，描述的順序不應當被解釋為暗示這些操作一定是依賴於順序。可以與所描述不同的另一合適順序執行過程400的操作。在一些實施例中，過程400可包括結合圖5-8描述的動作，並且反之亦然。
[0049]圖5結合圖4中所示的封裝基板製造過程400示意性地示出了根據一些實施例的在嵌入橋之前的一些所選擇的操作的截面圖。參照操作592，可以看出，描繪了在橋540上形成介電層510之後的基板，因此基本上將橋540嵌入到基板中。
[0050]在實施例中，介電層510可由廣泛多種合適的介電材料中的任一種組成，例如，該介電材料包括環氧基層壓材料、氧化矽(例如，S12)、碳化矽(SiC)、矽碳氮化物(SiCN)、或氮化矽(例如，SiN、Si3N4等)。還可使用其他合適的介電材料，例如，該介電材料包括具有小於二氧化矽的介電常數k的介電常數k的低k介電材料。在實施例中，介電層510可包括聚合物(例如，環氧基樹脂)並且可進一步包括填充物(例如，二氧化矽)來提供滿足封裝可靠性要求的合適的機械性能。在實施例中，介電層510可諸如通過ABF層壓形成為聚合物的膜。在實施例中，介電層510可具有合適的消融率以實現本文所描述的雷射圖案化。
[0051]在實施例中，介電層510可通過利用任何合適的技術沉積介電材料形成,例如,該技術包括原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)技術。
[0052]在實施例中，可提供橋腔以供放置橋540。在實施例中，可通過暴露至光和/或化學物質來去除介電層510的至少一部分以形成橋腔。在實施例中，橋腔可被雷射鑽入到介電層510中。在實施例中，在基板的構建層的製造過程中，橋腔可向左開口。在實施例中，可通過使用圖案化工藝通過構建層形成橋腔。例如，介電層510可由感光材料組成，該感光材料可服從掩模、圖案化和蝕刻、或顯影工藝。
[0053]在實施例中，橋540可包括由玻璃或半導體材料(諸如，具有形成於其上的電路由互連特徵的矽(Si))組成的橋基板，以提供管芯之間的晶片到晶片連接。在實施例中，可利用粘合材料或層在基板的腔上安裝橋540。粘合層的材料可包括配置成承受與基板的製造相關聯的工藝的任何合適的粘合劑。在實施例中，可應用化學處理(諸如，銅粗糙化技術)以提高橋540及其周圍表面之間的粘附。在實施例中，橋540可具有路由特徵(諸如，焊盤544)，路由特徵基本上插入到橋540中或突出在橋基板的表面上，並且被配置成將電信號路由至橋540並且從橋540路由電信號。
[0054]在實施例中，基板可包括多個圖案化的金屬層(諸如，層518和526)，多個圖案化的金屬層被配置成在基板內或穿過基板路由電信號。這些圖案化的金屬層518和526可通過介電層522隔開。在實施例中，圖案化的金屬層(例如，層518和526)、和這些層之間或之下的任何數量的層可以是基板的一部分，並且可以本領域已知的任何方式形成。例如，圖案化的金屬層可以是採用半加成工藝(SAP)形成的構建層的內導電層或最外層的導電層。在實施例中，基板還可包括多個附加的路由特徵(諸如，焊盤514或530)，多個附加的路由特徵被配置成增加基板內或穿過基板的電路徑。
[0055]參照操作594，可以看出，描繪了在介電層510上形成孔550之後的基板。在實施例中，孔可以是微通孔，該微通孔可被雷射鑽入到介電層510中，直到下面的路由特徵(諸如，焊盤544)的一部分被暴露為止。結合過程400，可通過應用雷射投影圖案化(LPP)鑽孔橋540上的通孔，雷射投影圖案化可利用具有平頂光束形狀的均質化雷射束(諸如，受激準分子雷射)在嵌入式橋540上層壓的介電層510的表面上產生經投影的掩模圖案。
[0056]在實施例中，投影掩模可由特定的玻璃製造，該特定的玻璃具有與橋540相似的熱膨脹係數，橋540可以是嵌入在有機基板中的矽橋(SiB)。相似的CTE可改善通孔到SiB焊盤對準。因此，由於在該LPP方法中的改善的通孔到SiB焊盤對準且沒有振鏡(Galvo)掃描誤差，因此，與傳統的CO2或固態UV雷射鑽孔方法相比，可實現更精密的通孔間距。在實施例中，由於在SiB管芯的每一個處的高微通孔密度(例如，大於每管芯3000個微通孔的密度)，因此，可提高採用該LPP方法形成的通孔的吞吐量。
[0057]參照操作596，描述了在利用技術在介電層510上形成孔560 (諸如，使用CO2雷射以形成孔)之後的基板。在實施例中，CO2或UV雷射鑽孔(例如，利用振鏡掃描技術)、受激準分子雷射投影圖案化、或任何其他合適的技術可用於在介電材料的區域中鑽通孔，該介電材料的區域不在橋540上。在實施例中，可隨後應用去汙工藝以從腔(例如，腔550和560)的底部表面去除被弄髒的介電材料(例如，環氧樹脂)以防止汙點殘留形成介電阻擋。
[0058]圖6延續圖5，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的一些其他所選擇的操作的截面圖。參照操作692，在多個實施例中，可採用任何合適的技術在基板的頂部上沉積金屬籽晶層610。在一些實施例中，非電解電鍍可用於形成金屬籽晶層610。例如，可沉積諸如鈀(Pd)之類的催化劑，隨後進行非電解鍍銅(Cu)工藝。在一些實施例中，物理氣相沉積(即，濺射)技術可用於沉積金屬籽晶層610。
[0059]參照操作694，可以看出，描繪了形成感光層(例如，幹膜抗蝕劑(DFR)層620)之後的基板。在實施例中，可使用本領域已知的任何技術來層壓和圖案化DFR層620。在實施例中，可以看出，DFR層620中的開口具有比它們的下面的孔更大的橫向尺寸。
[0060]參照操作696，可以看出，描繪了在將導電材料沉積到形成於介電層510中的腔和由DFR層620形成的開口中之後的基板。在實施例中，導電材料可包括以上結合過程400所討論的導電材料，諸如包括，例如，鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、和它們的組合的金屬。在實施例中，可例如，採用電解電鍍工藝(諸如，電解鍍銅工藝)填充孔550和560以分別形成互連結構630和640。
[0061]在操作696處，在實施例中，可使用任何傳統的剝離工藝來去除DFR層。DFR剝離可進一步描繪互連結構630和640並且暴露下面的介電層510。在實施例中，可通過一種或多種技術(諸如，蝕刻、磨光研磨、化學-機械拋光等)來去除上鍍敷(over-plated)填充金屬。例如，化學、機械拋光(CMP)或磨光研磨可首先用於平坦化互連結構630和640，並且然後可使用蝕刻來去除任何剩餘的非電解電鍍金屬。
[0062]在實施例中，互連結構630可突出在基板的表面上，並且可配置成將橋540與基板上的管芯連接。在實施例中，還可通過692、694和696的操作來部分地形成其他分層的FLI互連結構。
[0063]圖7示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的又一些其他所選擇的操作的截面圖。參照操作792，可以看出，描繪了在橋740上形成介電層710之後的基板，因此基本上將橋740嵌入到基板中。
[0064]在實施例中，類似於圖5中的介電層510，介電層710可由利用任何合適的技術形成的廣泛多種合適的介電材料中的任一種組成，並且可具有合適的消融率以實現本文中所描述的雷射圖案化。
[0065]在實施例中，橋740可包括由玻璃或半導體材料(諸如，具有形成於其上的電路由互連特徵的矽(Si))構成的橋基板，以提供管芯之間的晶片到晶片連接。在實施例中，橋740可具有路由特徵(諸如，焊盤744)，路由特徵基本上插入到橋740中或突出在橋基板的表面上，並且被配置成將電信號路由至橋740並且從橋540路由電信號。
[0066]在實施例中，基板可包括多個圖案化的金屬層(諸如，層718和726)，多個圖案化的金屬層被配置成在基板內或穿過基板路由電信號。這些圖案化的金屬層718和726可通過介電層722隔開。在實施例中，圖案化的金屬層(例如，層718和726)、和這些層之間或之下的任何數量的層可以是基板的一部分，並且可以本領域已知的任何方式形成。例如，圖案化的金屬層可以是採用半加成工藝(SAP)形成的構建層的內導電層或最外層的導電層。在實施例中，基板還可包括多個附加的路由特徵(諸如，焊盤714或730)，多個附加的路由特徵被配置成增加基板內或穿過基板的電路徑。
[0067]參照操作794，可以看出，描繪了在介電層710上形成多個腔之後的基板。結合過程400，可通過應用LPP鑽通孔、跡線、或其他路由特徵，LPP可利用具有平頂光束形狀的均質化雷射束(諸如，受激準分子雷射)在介電層710的表面上產生經投影的掩模圖案。在實施例中，腔770可以是橋740上的焊盤和通孔的結構，該結構可被鑽入到介電層710中直到下面的路由特徵(諸如，焊盤744)的一部分被暴露為止。在一些實施例中，可在單個暴露操作過程中同時形成具有焊盤和通孔的剖面的腔770。在實施例中，腔760可具有在焊盤714上的焊盤和通孔的結構，該結構可被鑽入到介電材料的區域中，該介電材料的區域不在橋740上。在一些實施例中，可在相同的暴露操作過程中同時形成腔760和腔770。在實施例中，腔750可以是跡線結構，該跡線結構可被雷射鑽入介電層710的頂部上。在一些實施例中，可在相同的暴露操作過程中同時形成腔750、760和740中的兩個或以上。在實施例中，灰度掩模可用於實現通孔、焊盤、跡線、和/或其他路由特徵的不同蝕刻深度，因此還可利用LPP技術在介電層710上與上述多個腔同時地形成其他路由特徵。在實施例中，可隨後應用去汙工藝以從腔(例如，腔750、760和770)的底部表面去除被弄髒的介電材料(諸如，環氧樹脂)。
[0068]圖8延續圖7，示意性地示出了根據一些實施例的結合圖4中所示的封裝基板製造過程的一些其他所選擇的操作的截面圖。參照操作892，在多個實施例中，可採用任何合適的技術在基板的頂部上沉積金屬籽晶層810。在一些實施例中，非電解電鍍可用於形成金屬籽晶層810。例如，可沉積諸如鈀(Pd)之類的催化劑，隨後進行非電解鍍銅(Cu)工藝。在一些實施例中，物理氣相沉積(即，濺射)技術可用於沉積金屬籽晶層810。
[0069]參照操作894，可以看出，描繪了將導電材料沉積到形成於介電層710中的腔中之後的基板。在實施例中，導電材料可包括以上結合過程400所討論的導電材料，諸如包括，例如，鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、和它們的組合的金屬。在實施例中，可例如採用電解電鍍工藝(諸如，電解鍍銅工藝)填充腔750、760和770，並且產生上鍍敷層820。。
[0070]參照操作896，可以看出，描繪了去除介電層710上的上鍍敷層820之後的基板。在實施例中，可通過一種或多種技術(諸如，蝕刻、磨光研磨、化學-機械拋光等)來去除上鍍覆層820。在實施例中，分立互連結構830、840和850可在操作896之後形成，並且被配置成將基本的多個內部路由特徵(諸如，橋540)與基板上的電部件(諸如，其他管芯)連接。
[0071]圖9示意性地示出了根據一些實施例的利用投影圖案化製造的一些所選擇微通孔的截面圖。圖像920示出了可通過參照以上圖4-8描述的示例性工藝產生的通孔。在實施例中，與通過非LPP技術形成的通孔相比，根據本公開的通過LPP形成的通孔或其他路由特徵可具有一些不同的特徵。
[0072]如圖像910中所示，由於採用非LPP設置的光束成形技術一般不能在基板表面上成形平頂光束分布，因此可在通過非LPP固態UV雷射形成的典型通孔形狀中觀察到通孔基腳(footing)912(即，在通孔的底部處的諸如樹脂的介電材料的突出部)。然而，通過以上公開的LPP方法，可消除通孔基腳。在實施例中，均質化受激準分子雷射可通過掩膜投影到基板上。如在圖像920中可以看到的，可在下文中形成從通孔的頂部到通孔的底部的錐形的剖面和通孔的基本上平坦的底部剖面。從頂部到底部的錐形的剖面的角度可以是基本上恆定的，並且可消除通孔基腳。在實施例中，諸如在圖5-8處所示的，通孔的整個底部可被配置成直接與管芯的導電特徵電接觸。在實施例中，這些獨特的特徵質量可體現在諸如鑲嵌結構(未示出)的特徵中，例如，鑲嵌結構包括如示意性地顯示為圖7和8中的嵌入式焊盤和/或跡線的焊盤和/跡線。
[0073]在實施例中，可採用本文所示的LPP方法改善從掩模投影到SiB管芯上的焊盤的微通孔的對準。作為示例，玻璃掩模的CTE可根據所選擇的玻璃材料在大約3-8.5ppm/°C之間的範圍內。玻璃材料可被選擇成匹配管芯的有效CTE。對於具有Cu特徵的管芯，有效CTE可根據Cu設計而變化。通過相似或匹配的CTE，在相似問題環境下的掩模和矽管芯的變型是相似的。因此，可改善微通孔投影的對準。
[0074]可在使用任何合適硬體和/或軟體按需配置的系統中實現本公開的實施例。圖10示意性地示出了根據一些實施例的計算設備，該計算設備包括利用本文所描述的LPP製造的基板上經投影的掩模圖案。計算設備1000可容納諸如母板1002之類的板。母板1002可包括多個部件，該多個部件包括，但不限於，處理器1004和至少一個通信晶片1006。處理器1004可物理且電耦合至母板1002。在一些實現中，至少一個通信晶片1006還可物理且電耦合至母板1002。在進一步實現中，通信晶片1006可以是處理器1004的一部分。
[0075]根據其應用，計算設備1000可包括可能或可能不物理且電耦合至母板1002的其他部件。這些其它組件可包括但不限於易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如ROM)、快閃記憶體、圖形處理器、數位訊號處理器、加密處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(GPS)裝置、指南針、蓋革計數器(Geiger counter)、加速度計、陀螺儀、揚聲器、照相機以及大容量存儲裝置(諸如硬碟驅動器、緊湊盤(CD)、數字多功能盤(DVD)等等)。
[0076]通信晶片1006可實現無線通信以供將數據轉移至計算設備1000或轉移來自計算設備800的數據。術語「無線」及其派生詞可用於描述可通過使用通過非固態的介質的經調製的電磁輻射傳播數據的電路、設備、系統、方法、技術、通信信道等等。該術語並不暗示相關聯的設備不包含任何線路，雖然在一些實施例中它們可能不包括線路。通信晶片1006可實現任何數量的無線標準或協議，無線標準或協議包括，但不限於，電子與電氣工程師協會(IEEE)標準(包括 W1-Fi (IEEE802.11 家族)、IEEE 802.16 標準(例如，IEEE 802.16-2005修改))、長期演進(LTE)項目連同任何修改、更新和/或修訂版本(例如，先進的LTE項目、超移動寬帶(UMB)項目(也被稱為「3GPP2」)等等)。可兼容BWA網絡的IEEE 802.16 一般被稱為WiMAX網絡，代表全球微波互聯接入的首字母的縮寫是用於通過針對IEEE 802.16標準的整合和互操作性測試的產品的認證標誌。通信晶片1006可根據全球移動通信(GSM)系統、通用分組無線業務(GPRS)、通用移動電信系統(UMTS)、高速鏈路分組接入(HSPA)、演進的HSPA(E-HSPA)、或LTE網絡操作。通信晶片1006可根據增強型數據GSM演進(EDGE)、GSMEDGE無線接入網絡(GERAN)、通用陸地無線接入網絡(UTRAN)、或演進的UTRAN(E-UTRAN)操作。通信晶片1006可根據碼分多址(CDMA)、時分多址(TDMA)、數字增強型無繩通信(DECT)、演進數據優化(EV-DO)、它們的衍生物、以及指定用於3G、4G、5G及以上的任何其他無線協議操作。在其他實施例中，通信晶片1006可根據其他無線協議操作。
[0077]計算設備1000可包括多個通信晶片1006。例如，第一通信晶片1006可專用於更短距離無線通信(諸如，W1-Fi和藍牙)，以及第二通信晶片1006可專用於更長距離無線通信(諸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE, Ev-DO 等等)。
[0078]計算設備1000的處理器1004可被封裝在包括具有嵌入式橋的基板(例如，圖1的封裝基板150)的IC組件(例如，圖1的IC組件100)中，該嵌入式橋具有根據本文所描述的技術的形成的互連結構。例如，圖1的電路板190可以是母板1002，並且處理器1004可以是利用圖1的互連結構耦合至封裝基板150的管芯110。封裝基板150和母板1002可利用封裝級互連耦合在一起。術語「處理器」可表示任何設備或設備的一部分，其處理來自寄存器和/或存儲器的電子數據，以將該電子數據轉換成可存儲於寄存器和/或存儲器中的其它電子數據。
[0079]通信晶片1006還可包括管芯(例如，圖1的管芯120)，該管芯可封裝在包括具有嵌入式橋的基板(例如，圖1的封裝基板150)的IC組件(例如，圖1的IC組件100)中，該嵌入式橋具有根據本文所描述的技術的形成的互連結構。在進一步實現中，容納在計算設備1000中的另一部件(例如，存儲器設備或其他集成電路設備)可包括管芯(例如，圖1的管芯110)，該管芯可封裝在包括具有嵌入式橋的基板(例如，圖1的封裝基板150)的IC組件(例如，圖1的IC組件100)中，該嵌入式橋具有根據本文所描述的技術的形成的互連結構。根據一些實施例，多個處理器晶片和/或存儲器晶片可設置在相同的封裝基板上並且具有分層的互連結構的嵌入式橋可電路由處理器或存儲器晶片的任何兩個之間的信號。在一些實施例中，單個處理器晶片可利用第一嵌入式橋與另一處理器晶片耦合併且利用第二嵌入式橋與存儲器晶片耦合。
[0080]在多個實現中，計算設備1000可以是膝上型計算機、上網本、筆記本計算機、超極本?、智慧型電話、平板計算機、個人數字助理(PDA)、超移動PC、行動電話、臺式計算機、伺服器、印表機、掃描儀、監視器、機頂盒、娛樂控制單元、數位照相機、可攜式音樂播放器、或者數字錄像機。在進一步實現中，計算設備1000可以是處理數據的任何其他電子設備。
[0081]示例
[0082]示例I為用於形成一個或多個通孔的方法，該方法可包括將雷射束投影通過具有預配置的圖案的掩模，以根據預配置的圖案通過基板的介電材料鑽出經投影的掩模圖案，其中經投影的掩模圖案包括設置在管芯上的通孔，該管芯嵌入在介電材料中。
[0083]示例2可包括示例I的主題，並且可進一步包括修改雷射束使得在投影雷射束的過程中，雷射束僅覆蓋掩模的一部分，其中該掩模的一部分可對應於在管芯上的介電材料的區域。
[0084]示例3可包括示例I或2的主體，並且可進一步包括在投影雷射束的過程中採用在恆定或可變速度下的協同相對運動來移動掩模和基板。
[0085]示例4可包括示例1-3中的任一個的主題，並且進一步指定投影光束去除通孔中的大部分介電材料。示例4可進一步包括執行去汙工藝以去除通孔中的任何殘留的介電材料。
[0086]示例5可包括示例1-4中的任一個的主題，並且進一步指定雷射束可包括受激準分子雷射束，並且通孔為第一通孔。示例5可進一步包括通過二氧化碳雷射或固態UV雷射在介電材料的表面上形成第二通孔，其中第二通孔設置在介電材料的區域中，該介電材料的區域不在管芯上。
[0087]示例6可包括示例1-5中的任一個的主題，並且可進一步包括利用半加成工藝將導電材料設置在通孔中；並且採用非電解去除工藝去除導電材料的至少一部分。
[0088]示例7可包括示例1-6中的任一個的主題，並且可進一步包括利用電解電鍍工藝將導電材料設置在通孔中；並且採用化學一機械拋光工藝或蝕刻工藝去除導電材料的至少一部分。
[0089]示例8可包括示例1-7中的任一個的主題，並且進一步指定經投影的掩模圖案可包括設置在介電材料的區域中的通孔、焊盤、或跡線中的至少一個路由特徵，該介電材料的區域不在管芯上，並且至少一個路由特徵可與設置在管芯上的通孔同時地形成。
[0090]示例9可包括示例1-8中的任一個的主題，並且進一步指定介電材料可包括環氧樹脂；管芯可包括矽；以及掩模可包括具有與管芯類似的熱膨脹的係數的玻璃材料。
[0091]示例10可包括示例1-9中的任一個的主題，並且進一步指定掩模可以是配置成在介電材料中產生不同深度的腔的灰度掩模。
[0092]示例11可包括示例1-10中的任一個的主題，並且進一步指定雷射束可以是均質化平頂雷射束。
[0093]示例12可包括示例1-11中的任一個的主題，並且進一步指定管芯可以是包括橋互連的第一管芯，該橋互連被配置成通過基板路由第二管芯和第三管芯之間的電信號，並且其中通孔可被配置成路由電信號。
[0094]示例13可包括示例1-12中的任一個的主題,並且進一步指定通孔可以是具有在多個通孔的單個通孔之間的55微米或以下的間距的多個通孔中的一個。
[0095]示例14可包括示例1-13中的任一個的主題，並且可進一步包括提供嵌入在基板的介電材料中的管芯。
[0096]示例15為具有存儲在其中的指令的存儲介質，指令被配置成響應於通過設備對指令的執行，使設備實施示例1-14中的任一個的主題。存儲介質可以是非瞬態的。
[0097]示例16為用於上下文(contextual)顯示的裝置，該裝置可包括用於實施示例1-14中的任一個的主題。
[0098]示例17為產品，該產品可通過由示例1-14中的任一個公開的任何方法製造。
[0099]示例18為裝置，該裝置可包括基板；嵌入在基板中並且被配置成路由第一管芯和第二管芯之間的電信號的橋；以及連接至橋並且被配置成通過基板的至少一部分路由電信號的多個通孔，其中多個通孔中的單個通孔具有從單個通孔的頂部到單個通孔的底部的錐形剖面，從頂部到底部的錐形剖面的角度基本上是恆定的，並且單個通孔的整個底部與管芯的導電特徵直接電接觸。
[0100]不例19可包括不例18的王題，並且進一步指定多個通孔中的每Iv的底部基本上平坦。
[0101]示例20可包括示例18或19的主題，並且進一步指定多個通孔的單個通孔不具有通孔基腳。
[0102]示例21可包括示例18-20中的任一個的主題，並且進一步指定通孔可具有在多個通孔的單個通孔之間的55微米或以下的間距。
[0103]示例22可包括示例18-21中的任一個的主題，並且進一步指定第一管芯可包括處理器以及第二管芯可包括存儲器管芯或另一處理器。
[0104]示例23可包括示例18-22中的任一個的主題，並且進一步指定橋可包括包含矽的半導體材料，並且其中襯底可包括環氧基介電材料。
[0105]示例24為系統，該系統可包括第一管芯和第二管芯；以及基板，具有嵌入式橋和設置在嵌入式橋與第一管芯和第二管芯中的至少一個之間的多個通孔；其中多個通孔可連接至嵌入式橋並且被配置成通過基板的至少一部分路由電信號，並且多個通孔的單個通孔具有從單個通孔的頂部到單個通孔的底部的錐形剖面，從頂部到底部的錐形剖面的角度基本上是恆定的，並且單個通孔的整個底部與管芯的導電特徵直接電接觸。
[0106]示例25可包括示例24的主題，並且進一步包括電路板，其中基板可與電路板電耦合，並且電路板可被配置成路由第一管芯或第二管芯的電信號；以及與電路板耦合的天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統設備、指南針、蓋革計數器、加速度計、陀螺儀、揚聲器、或照相機中的一個或多個。
[0107]示例26可包括示例24或25的主題，並且進一步指定系統可以是可穿戴計算機、智慧型電話、平板計算機、個人數字助理、行動電話、超移動PC、超級本、上網本、筆記本計算機、膝上型計算機、臺式計算機、伺服器、印表機、掃描儀、監視器、機頂盒、娛樂控制單元、數位照相機、可攜式音樂播放器、或者數字錄像機中的一個。
[0108]各個實施例可包括上述實施例的任何合適的組合，其包括以上以聯合形式(和)描述的實施例的替代(或)實施例的(例如「和」可以是「和/或」)。此外，一些實施例可包括具有存儲在其上的指令的產品的一個或多個製品(非瞬態計算機可讀介質)，這些指令在被執行時產生以上描述的實施例中的任何一個動作。此外，一些實施例可包括具有用於執行以上實施例的各種操作的任何合適裝置的裝置或系統。
[0109]所示的實現的上述描述、包括摘要中的描述的不旨在窮舉或將本公開的實施例限制為所公開的精確形式。雖然為了說明目的在本文中描述了特定實現和示例，但如相關領域技術人員將認識到的，在本發明的範圍內有許多等效修改是可能的。
[0110]鑑於以上詳細描述，可對本公開的實施例進行這些修改。下面權利要求中使用的術語不應當解釋成將本公開的各個實施例限定於說明書和權利要求書所公開的特定實現。相反，本發明的範圍完全由所附權利要求確定，所附權利要求將根據已確立的權利要求解釋原則來解讀。
【權利要求】
1.一種用於形成一個或多個通孔的方法，包括: 將雷射束投影通過具有預配置的圖案的掩模，以根據所述預配置的圖案通過基板的介電材料鑽出經投影的掩模圖案，其中所述經投影的掩模圖案包括設置在管芯上的通孔，所述管芯嵌入在所述介電材料中。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括: 提供嵌入在所述基板的介電材料中的管芯。
3.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括: 修改所述雷射束使得在投影雷射束的過程中，所述雷射束僅覆蓋所述掩模的一部分，其中所述掩模的一部分對應於在所述管芯上的介電材料的區域。
4.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括: 在投影雷射束的過程中採用在恆定或可變速度下的協同相對運動來移動所述掩模和所述基板。
5.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，投影雷射束去除所述通孔中的介電材料的主要部分，所述方法進一步包括執行去汙工藝以去除所述通孔中的任何殘留的介電材料。
6.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述雷射束包括受激準分子雷射束並且所述通孔為第一通孔，所述方法進一步包括: 通過二氧化碳雷射或固態UV雷射在所述介電材料的表面上形成第二通孔，其中所述第二通孔設置在介電材料的區域中，所述介電材料的區域不在管芯上。
7.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括: 利用半加成工藝將導電材料沉積到所述通孔中；以及 採用非電解去除工藝去除所述導電材料的至少一部分。
8.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括: 利用電解電鍍工藝將導電材料沉積到所述通孔中；以及 採用化學一機械拋光工藝或蝕刻工藝去除所述導電材料的至少一部分。
9.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述經投影的掩模圖案包括設置在介電材料的區域中的通孔、焊盤、或跡線中的至少一個路由特徵，所述介電材料的區域不在所述管芯上，並且所述至少一個路由特徵與設置在所述管芯上的通孔同時地形成。
10.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述介電材料包括環氧樹脂，所述管芯包括矽，以及所述掩模包括具有與所述管芯相似的熱膨脹係數的玻璃材料。
11.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述掩模為配置成在所述介電材料中產生具有不同深度的腔的灰度掩模。
12.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述雷射束為均質化平頂雷射束。
13.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述管芯為第一管芯，所述第一管芯包括橋互連，所述橋互連配置成通過所述基板路由第二管芯和第三管芯之間的電信號，並且其中所述通孔被配置成路由所述電信號。
14.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述通孔為具有在多個通孔的各個通孔之間的55微米或小於55微米的間距的所述多個通孔中的一個。
15.一個或多個通孔的裝置，包括: 用於實施如權利要求1-14中任一項所述的方法的裝置。
16.通過如權利要求1-14中任一項所述的方法製造的產品。
17.具有一個或多個通孔的裝置，包括: 襯底； 橋，所述橋嵌入在所述襯底中並且被配置成路由第一管芯和第二管芯之間的電信號；以及 多個通孔，所述多個通孔連接至所述橋並且被配置成通過所述基板的至少一部分路由電信號，其中所述多個通孔的各個通孔具有從各個通孔的頂部到所述各個通孔的底部的錐形剖面，從所述頂部到所述底部的錐形剖面的角度基本上是恆定的，並且所述各個通孔的整個底部與所述管芯的導電特徵直接電接觸。
18.如權利要求17所述的裝置，其特徵在於，所述多個通孔的每一個的底部基本上平坦。
19.如權利要求17所述的裝置，其特徵在於，所述多個通孔的各個通孔不具有通孔基腳。
20.如權利要求17所述的裝置，其特徵在於，所述第一管芯包括處理器以及第二管芯包括存儲器管芯或另一處理器。
21.如權利要求17所述的裝置，其特徵在於，所述橋包括半導體材料，所述半導體材料包括矽，並且其中所述基板包括環氧基介電材料。
22.如權利要求17- 21中的任一項所述的裝置，其特徵在於，所述多個通孔具有在多個通孔的各個通孔之間的55微米或以下的間距。
23.具有一個或多個通孔的系統，包括: 第一管芯和第二管芯；以及 基板，具有嵌入式橋和設置在所述嵌入式橋與所述第一管芯和第二管芯中的至少一個之間的多個通孔； 其中所述多個通孔連接至嵌入式橋並且被配置成通過所述基板的至少一部分路由電信號，以及 其中所述多個通孔的各個通孔具有從各個通孔的頂部到所述各個通孔的底部的錐形剖面，從所述頂部到所述底部的錐形剖面的角度基本上是恆定的，並且所述各個通孔的整個底部與所述管芯的導電特徵直接電接觸。
24.如權利要求23所述的系統，其特徵在於，還包括: 電路板，其中所述基板與所述電路板電耦合，並且所述電路板被配置成路由第一管芯或第二管芯的電信號；以及 與所述電路板耦合的天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統設備、指南針、蓋革計數器、加速度計、陀螺儀、揚聲器或照相機中的一個或多個。
25.如權利要求23或24所述的系統，其特徵在於，所述系統為可穿戴計算機、智慧型電話、平板計算機、個人數字助理、行動電話、超移動PC、超極本、上網本、筆記本計算機、膝上型計算機、臺式計算機、伺服器、印表機、掃描儀、監視器、機頂盒、娛樂控制單元、數位照相機、可攜式音樂播放器、或者數字錄像機中的一個。
【文檔編號】H01L21/02GK104377120SQ201410403861
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月15日 優先權日:2013年8月15日
【發明者】C·張, S·M·洛茨, I·A·薩拉瑪 申請人:英特爾公司