自發光顯示裝置及其製造方法、透明導電性薄膜、電致發光元件、太陽能電池用透明電極...的製作方法

2023-09-21 19:40:25 2

專利名稱：：自發光顯示裝置及其製造方法、透明導電性薄膜、電致發光元件、太陽能電池用透明電極...的製作方法
技術領域：
：本發明涉及具有透光性高且表面電阻率低而且可撓性優良的電極部的自發光顯示裝置及其製造方法、透光性高且表面電阻率低而且可撓性優良的透明導電性薄膜、和採用了該透明導電性薄膜的電致發光元件、太陽能電池用透明電極及電子紙用透明電極。再有，自發光顯示裝置也包括照明用途的發光裝置。
背景技術：
：近來，在液晶顯示器或有機、無機的電致發光元件、電子紙等中，作為取出光的一側的電極，採用具有透明導電性層的薄膜或玻璃基板(例如參照專利文獻14)。這些透明導電性層一般是採用銦及錫的氧化物或鋅的氧化物、錫的氧化物等而形成的，但為了得到低電阻，必須形成厚而均勻的膜，其結果是，存在光透射率下降、高成本化、形成工序中需要進行高溫處理等問題，特別是在薄膜上的低電阻化中存在界限。作為其改進對策，提出了在透明電極層中附加金屬線等導電性成分的提案(專利文獻2)、或在透明電極層(透明陽極基板)中設置導電性金屬的總線的方法(專利文獻1及3)、或者在透明電極層(上部電極)上設置網格模樣的金屬線結構的方法(專利文獻5)。通過蒸鍍或濺射ITO(IndiumTinOxide)膜等導電性金屬、透明電極層來賦予導電性(例如參照專利文獻1及2)的方法，在生產性低這點上還要求改進。此外，設置總線的方法因其本身的工序增加而使成本上升。除此以外，在專利文獻5中通過蒸鍍ITO膜提高了導電性，但其缺陷是作為材料的ITO膜因擔心資源枯竭而要求替代品，並且在蒸鍍工序中損耗大。另外，在專利文獻6中公開了一種方法，該方法是在支撐體上製造實質上透明的傳導層，該傳導層含有本徵傳導性聚合體及不均勻地分布在其中的傳導性金屬，且本身形成傳導體；通過照相處理來製造該不均勻地分布的傳導性金屬。但是，對於以低成本、大批量製造能兼顧高的光透射率和低的表面電阻的透明導電性薄膜的目的來說，還不充分。再者，在利用近年來積極開發的有機EL或電子紙技術等的柔性顯示器中，必須採用具有可撓性的透明導電性薄膜，在上述透明導電膜中因彎曲而形成的微細裂紋所導致的導電性下降是不可避免的。近年來，作為具有可撓性的導電性材料的PEDOT/PSS等透明導電性樹脂、或應用了納米技術的碳納米管或金屬納米絲及納米棒等的開發十分活躍，但如果就其單體而言，還不能產生與ITO膜同等以上的低電阻。專利文獻l:日本特開平8-180974號公報專利文獻2:日本特開平9-147639號公報專利文獻3:日本特開平10-162961號公報專利文獻4:日本特開平11-224782號公報專利文獻5:日本特開2005-302508號公報專利文獻6:日本特表2006-501604號公報
發明內容本發明是鑑於上述情況而做出的，其課題在於解決上述以往的問題，實現以下的目的。也就是說，提供一種具有透光性高且表面電阻率低而且可撓性優良的電極部的自發光顯示裝置及其製造方法。此外，提供一種透光性高且表面電阻率低而且可撓性優良的透明導電性薄膜、和採用了該透明導電性薄膜的電致發光元件、太陽能電池用透明電極及電子紙用透明電極。本發明的課題是通過限定本發明的下述事項及其優選的方式來實現的。第l發明是自發光顯示裝置，其特徵在於，具備支撐體；電極部，其被設置在該支撐體上，且具有由導電性金屬形成的細線結構部和透光性的導電膜；和顯示部，其被層疊在所述電極部上且具有發光層。而且所述電極部的所述細線結構部的體積電阻為10—4歐姆*Cm以下及/或表面電阻在100歐姆/sq以下，所述導電膜的體積電阻為0.05歐姆'cm以上及/或表面電阻在100歐姆/sq以上，在將進行下述彎曲試驗前的所述電極部的表面電阻設定為Rl、將進行了下述彎曲試驗後的所述電極部的表面電阻設定為R2吋，滿足R2/RK18。此處，彎曲試驗是通過重複進行以下工序使所述電極部彎曲100次，所述工序是將所述電極部掛在相對於基座旋轉自如地安裝的直徑為4mm的輥上，對所述電極部的一個端部按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥旋轉，從而使所述電極部彎曲的工序；和對所述電極部的另一個端部按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥旋轉，從而使所述電極部彎曲的工序。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述導電膜含有導電性材料。根據[2]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電性材料含有透明導電性有機聚合物、或導電性微粒。根據[3]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電性微粒是導電性金屬氧化物、導電性金屬微粒或碳納米管。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部的厚度(高度)在10um以下。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部的厚度(高度)在5um以下。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述細線結構部的厚度(高度)與所述導電膜實質上相同。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電膜被設置在所述細線結構部的上表面或下表面。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的光的透射率相對於550nm的光在70%以上。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部由導電性金屬銀形成，該導電性金屬銀是通過對在所述支撐體上至少具有含感光性銀鹽的層的感光層進行曝光、顯影處理而形成的。[11]根據[IO]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部是通過對在所述支撐體上具有含感光性銀鹽的層的感光材料進行曝光、顯影從而形成導電性金屬銀部和透光部而成的。根據[ll]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部具有所述導電膜、所述細線結構部和透光部，所述細線結構部和所述透光部是通過對設置在所述支撐體上的感光材料進行曝光及顯影而形成的，該感光材料是至少包含含感光性滷化銀的層的照相構成層且其中的至少1層為含有導電性材料的層。根據[10]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部含有銀，且Ag/粘合劑的體積比為1/4以上。根據[10]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部可通過在對所述支撐體上具有含感光性銀鹽的層的感光材料進行了曝光、顯影及定影后，至少進行1次壓實處理來得到。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述壓實處理是在對曝光過的感光層進行了顯影、水洗、乾燥、定影、水洗、乾燥後進行的。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述壓實處理是通過砑光輥裝置來進行的。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於在1980N/cm(200kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於在2960N/cm(300kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於在6860N/cm(700kgf/cm)以下的線壓力下進行所述壓實處理。根據[14]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部可通過在所述顯影和乾燥之間進行物理顯影、電解鍍覆及非電解鍍覆中的至少一種來得到。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於在形成了所述細線結構部後，通過貼合所述細線結構部和所述導電膜而形成所述電極部。根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述支撐體的膜厚為8200Um。[23]根據[l]的自發光顯示裝置，其特徵在於所述支撐體是下述樹脂薄膜，所述樹脂是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯類；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、EVA等聚烯烴類；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系樹脂；此外，是聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、三醋酸纖維素(TAC)等樹脂。第2發明的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於通過對支撐體上具有至少包含含感光性滷化銀的層的照相構成層的感光材料進行曝光、顯影，在所述支撐體上形成由導電性金屬形成的細線結構部，並將該細線結構部與透明性的導電膜組合。根據[24]的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於具有對所述細線結構部進行壓實處理的壓實處理工序。根據[25]的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於在所述壓實處理工序的前段還具有在還原劑水溶液中進行浸漬的工序。根據[25]的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於在所述壓實處理工序的後段還具有用黑化處理液對所述金屬銀部的表面進行黑化處理的黑化處理工序。根據[27]的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於所述黑化處理液包含鎳、鋅、錫中的任一種。第3發明的自發光顯示裝置的製造方法，其特徵在於，具有以下工序在支撐體上設置至少包含含感光性滷化銀的層的照相構成層的工序；和通過對所述照相構成層中的至少1層為含有導電性材料的層的感光材料進行曝光、顯影來製作電極部的工序，該電極部被設置在所述支撐體上、且具有由導電性金屬形成的細線結構部和透光性的導電膜。第4發明的透明導電性薄膜，其具有支撐體、設置在該支撐體上且由導電性金屬形成的細線結構部、和透光性的導電膜，其特徵在於所述細線結構部的體積電阻為10—4歐姆，cm以下及/或表面電阻為100歐姆/sq以下，所述導電膜的體積電阻為0.05歐姆，cm以上及/或表面電阻為100歐姆/sq以上;在將進行下述彎曲試驗前的所述透明導電性薄膜的表面電阻設定為Rl、將進行了下述彎曲試驗後的所述透明導電性薄膜的表面電阻設定為R2時，滿足R2/RK18。這裡，彎曲試驗是通過重複進行以下工序使所述透明導電性薄膜彎曲100次，所述工序是將所述透明導電性薄膜掛在相對於基座旋轉自如地安裝的直徑為4mm的輥上，對所述透明導電性薄膜的一個端部按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥旋轉，從而使所述透明導電性薄膜彎曲的工序；和對所述透明導電性薄膜的另一個端部按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥旋轉，從而使所述透明導電性薄膜彎曲的工序。根據[30]的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部含有密度為8.0g/cm310.5g/cm3的銀。根據[30]的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部的厚度為0.5ym10lim。根據[30]的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部為細線圖案，其線寬為0.1um25um。第5發明的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於通過對支撐體上具有至少包含含感光性滷化銀的層的照相構成層的感光材料進行曝光、顯影，從而在所述支撐體上形成由導電性金屬形成的細線結構部，並將該細線結構部與透明性的導電膜組合。根據[34]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於所述電極部的所述細線結構部含有銀，且Ag/粘合劑的體積比為1/4以上。根據[34]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於具有對所述細線結構部進行壓實處理的壓實處理工序。根據[36]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於所述壓實處理通過砑光輥裝置來進行。根據[36]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於在1980N/cm(200kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。根據[36]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於在2960N/cm(300kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。根據[36]的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於在6860N/cm(700kgf/cm)以下的線壓力下進行所述壓實處理。[41]第6發明的電致發光元件，其特徵在於具有上述的透明導電性薄膜。第7發明的太陽能電池用透明電極，其特徵在於具有上述的透明導電性薄膜。第8發明的電子紙用透明電極，其特徵在於具有上述的透明導電性薄膜。如上所述，根據本發明的自發光顯示裝置，由於具有透光性高、且表面電阻率低、可撓性優良的電極部，因此很容易在利用無機EL、有機EL、電子紙等的柔性顯示器中應用，可促進這些無機EL、有機EL、電子紙等的批量生產。此外，根據本發明的透明導電性薄膜，由於透光性高、且表面電阻率低、可撓性優良，因此可優選用於大面積的電致發光元件的低電壓化、高耐用化、面內亮度均勻化、或太陽能電池等的電力取出效率的改進、以及電子紙等柔性顯示器的低電壓化及低耗電化。'此外，以具有經壓實處理過的具有導電性金屬部的細線結構部、和透明性的導電膜為特徵的本發明，可提供能兼顧高的透射率和低的表面電阻率的透明導電性薄膜。而且，能夠低成本、大批量地製造具有如此的效果的透明導電性薄膜。在本發明中，通過採用透明導電性材料等作為導電膜，能夠實現透明導電性薄膜的批量生產化。ITO膜的表面電阻值雖然不是十分低，但本發明的透明導電性薄膜通過導電膜和細線結構部的聯合作用使表面電阻降低，而且塗膜也廉價，因而能夠在無機EL、太陽能電池等中應用。此外，在用於EL元件時，細線結構部與ITO膜的情況相比，由於表面電阻降低，因此具有在形成大尺寸元件時亮度不降低等特徵。另一特徵是:採用ITO膜時必需的電極的母線(總線)也不需要。此外，也能夠作為低電阻的電極用於電子紙等柔性顯示器，在此種情況下，能夠有助於低電壓化、低耗電化。在用於所有製品的情況下，由於本發明的透明導電性薄膜的可撓性優良，可以用輥對輥(rolltoroll)的方式生產，因而能夠大幅度降低這些製品的生產工藝成本。圖l是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的構成的剖視圖。圖2是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第1變形例的剖視圖。圖3是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第2變形例的剖視圖。圖4是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第3變形例的剖視圖。圖5是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第4變形例的剖視圖。圖6是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第5變形例的剖視圖。圖7是部分省略地表示本實施方式的透明導電性薄膜的第6變形例的剖視圖。圖8是部分省略地表示本實施方式的自發光顯示裝置的構成的剖視圖。圖9A圖9E是表示在支撐體上形成細線結構部的製造方法的工序圖。圖IO是表示顯影后的砑光處理及定影后的砑光處理中的線壓力與表面電阻率的關係的特性圖。圖11是用於說明彎曲試驗的圖示。圖12A是表示只有細線結構部的細線附近發光的狀態的圖示，圖12B是表示整面發光的圖示。圖13是表示用於測定根據與取出電極的距離而發生的亮度變化的實驗例的說明圖。圖14是表示在實施例23、比較例21、24及25中測定根據與取出電極的距離而發生的亮度變化的測定結果的特性圖。圖15是表示試樣16的表面電阻的上升率的圖示。具體實施例方式以下記述本發明的優選實施方式進行說明。首先，如圖1所示，本實施方式的透明導電性薄膜10具有透明性的支撐體12、和設在該支撐體12上且由導電性金屬形成的細線結構部14及透光性的導電膜16。在圖1的例子中，表示細線結構部14的厚度(高度)大於導電膜的厚度(高度)，但此外，如圖2及圖3所示，細線結構部14的厚度(高度)與導電膜16的厚度(高度)也可以大致相同。在此種情況下，如圖2所示，也可以使細線結構部14的上表面露出，或如圖3所示也可以用導電膜16覆蓋細線結構部14的上表面。或者，如圖4所示，也可以在支撐體12上的整面上形成導電膜16，在該導電膜16上形成細線圖案狀的細線結構部14。在此種情況下，如圖5所示，也可以形成厚度(高度)比細線結構部14的厚度(高度)大的保護層18或其它的導電膜。此外，如圖6所示，在支撐體12上形成高電阻的第l導電膜16a和細線圖案狀的細線結構部14，也可以在包含這些第1導電膜16a和細線結構部14的整面上形成低電阻的第2導電膜16b或保護層。另外，如圖7所示，也可以在支撐體12上形成以條紋狀形成的多個導電膜16，在各導電膜16的上表面中，在寬度方向端部的附近沿著長度方向分別形成細線結構部14。如圖7所示，可以在各導電膜16的例如左側端部(或右側端部)形成細線結構部14，也可以在寬度方向兩端形成細線結構部14。作為細線結構部14的細線圖案，可以形成例如如圖12A及圖12B所示的網格狀，或者也可以列舉出多個六角形狀排列而成的形狀、多個三角形狀排列而成的形狀、多個多角形狀排列而成的形狀、條紋狀(格子狀)等。當然，也可以將各細線形成直線狀以外的波線狀(正弦曲線等)。而且，在利用該透明導電性薄膜10構成自發光顯示裝置20的情況下，例如如圖8所示，能夠通過採用上述本實施方式的透明導電性薄膜10作為例如第1電極部22(例如陽極)、在該第1電極部22上配置顯示部24來構成。作為顯示部24，具有層疊在第l電極部22的上表面(包含細線結構部14的上表面)上的例如發光層26(硫化鋅等無機物或二胺類等有機物)、和配置在該發光層26上的第2電極部28(例如陰極)。本實施方式中的自發光顯示裝置除了顯示圖像的用途以外，當然也能用於照明用途。15對於本發明中所用的細線結構部的導電材料和賦予開口部的透明導電材料來說，為了能進行有效的發光，存在電阻的最佳的範圍。關於細線結構部，為了充分發揮高導電性，優選利用體積電阻為10^歐姆，cm以下的材料。此外，關於開口部中所用的透明導電材料，為了抑制由該材料造成的光損失，作為單獨的表面電阻，優選為1000歐姆/sq以上。通過上述範圍中的方式，可以實現低電阻、電力損耗小且透明性高的透明導電性薄膜。特別是，在本實施方式中，構成第1電極部22的細線結構部14的體積電阻為10_4歐姆，cm以下，同樣地構成第1電極部22的導電膜16的體積電阻為0.05歐姆cm以上。此外，構成第1電極部22的細線結構部14的表面電阻為100歐姆/sq以下，同樣地構成第1電極部22的導電膜16的表面電阻為1000歐姆/sq以上。細線結構部14及導電膜16的表面電阻是按照JISK6911中記載的測定方法而測定的值。另外，在將進行後述彎曲試驗前的第1電極部22的表面電阻設定為Rl、將進行了彎曲試驗後的第l電極部22的表面電阻設定為R2時，滿足R2/Rl》亍、乂夕只株式會社制)等。對於細線結構部14的製造方法不特別限定，但優選用銀鹽照相法使滷化銀粒子化學顯影成所希望的細線圖案的方法。利用銀鹽照相法得到的金屬被稱為顯影銀，是通過化學顯影得到的燈絲狀的金屬銀的集合體、或是燈絲狀的金屬銀相互結合及熔合而成的金屬銀的集合體。作為得到顯影銀的方法，能夠利用一般熟知的銀鹽照相的原理及方法。例如，能夠利用在特開2004-221564號公報中記載的方法等。此外，由於顯影銀可形成為足夠用作電解鍍覆的陰極的導電性，因此可對顯影銀進行電解鍍覆。此外，也可利用顯影銀作為非電解鍍覆催化劑，也可以對顯影銀實施非電解鍍覆。因此，通過利用其它金屬例如導電性高的銅等實施鍍覆處理，也可以形成由顯影銀和鍍覆金屬(包括不可避免的雜質)形成的構成。此外，由於可按上述對顯影銀進行鍍覆處理，因而能夠容易實施黑化處理。對於細線結構部14的細線圖案的形狀不特別限定，能夠根據目的而選擇各種圖案，可如上所述地形成網格狀，或者列舉出多個六角形狀排列而成的形狀、多個三角形狀排列而成的形狀、多個多角形狀排列而成的形狀、條紋狀(格子狀)等。當然，也可以將各細線形成直線狀以外的波線狀(正弦曲線等)。金屬細線的厚度可根據用途適宜變更，但為了得到高的導電性，優選具有0.241!1以上的厚度。關於上限，如上所述，優選為10um以下、更優選為2ym以下、進一步優選為lum以下。細線圖案的線寬也能根據用途適宜變更，但為了得到高的導電性，優選具有lum以上的線寬，如果線寬過大，在與上述同樣地目視的情況下能夠發現，對於透射光的材料來說會成為問題，因此優選是線寬為lym以上30ym以下的細線圖案，更優選為2um以上20um以下，進一步優選為4tim以上18tim以下。另一方面，作為導電膜16，可通過在聚對苯二甲酸乙二酯、及聚萘二甲酸乙二酯基底等透明薄膜上，將PEDOT/PSS聚苯胺聚吡咯聚噻23吩聚異硫茚等透明導電性有機聚合物、金屬氧化物、金屬微粒、金屬納米棒及納米絲等導電性金屬、碳納米管等的導電性無機微粒、或有機水溶性鹽中的任何一種用塗布、印刷等方法同樣地附著、成膜來得到。關於這些塗布液，為了提高塗布適宜性及調整膜物性，也可以混合其它非導電性聚合物或膠乳等來使用。另外，也可以使用將銀薄膜用高折射率層夾持而成的多層結構。關於這些透明導電性材料，在東l/研究中心發行的"電磁波屏蔽材料的現狀和將來"、和特開平9-147639號公報等中有記載。作為塗布及印刷的方法，可採用滑板塗布機、縫口模頭塗布機、幕式塗布機、輥式塗布機、棒塗機、照相凹版塗布機等塗布機或絲網印刷等。在本實施方式中，除了如此的導電膜16以外，配置一樣的網格狀、條紋狀、梳齒型或格子型等的金屬及/或合金的細線結構部14，製成導電性面，改善通電性。通過分別地形成網格狀的金屬及/或合金的細線結構部14、和形成有導電膜16的透明薄膜並重合，能夠製作本實施方式的透明導電性薄膜10。除了貼合細線結構部14和導電膜16以外，通過在形成於透明薄膜上的網格狀的金屬及/或合金的細線結構部14上，通過用蒸鍍、塗布、印刷等方法相同地對透明導電性材料的分散物進行附著、成膜，也可以製作透明導電性薄膜10。通過用透明導電性材料的分散物來緩和網格狀的金屬及/或合金的細線結構部14的凸凹，可得到整體凹凸少的光滑的結構。此外，也可以在透明薄膜上形成透明導電性材料，然後在其上設置細線結構部14。在任何情況下，為了使金屬及/或合金的細線結構部14與透明薄膜的密合性、或導電膜16與透明薄膜的密合性等提高，可以優選採用由有機高分子材料形成的中間層、或者進行表面處理。由於不使金屬及/或合金的細線結構部14直接與其它層接觸，並且將透明導電性薄膜10的表面的凹凸抑制在低水平，因此，例如容易得到形成於其上的電場發光層或電流注入層的均勻的接合，並且容易確保自發光顯示裝置20的穩定性。此外，在支撐體12上具有至少包含含感光性氯化銀的層的照相構成層，通過對該照相構成層中的至少1層為含有導電性材料的層的感光材料進行曝光、顯影，也可以形成具有金屬銀部和透光部的細線結構部14、和含有導電性材料的導電膜16。導電膜16也可形成為將含有導電性聚合物的第1膜和以絕緣性聚合物為主成分的第2膜層疊而成的構成。也可以將導電膜16形成為含有導電性聚合物和絕緣性聚合物的混合物的構成。通過上述構成，能夠削減高價的導電性聚合物的使用量，能夠實現低價格化。這裡，在含有導電性聚合物和絕緣性聚合物的混合物的情況下，例如，可考慮按導電性聚合物為10%、其它粘合劑為90%混合使用的方式等。導電性聚合物的含量優選為50質量%以上，更優選為70質量％以上，進一步優選為80質量％以上。在導電膜16含有導電性聚合物和絕緣性聚合物的混合物的情況下，導電性聚合物可以均勻地分布，也可以在空間上不均勻地分布，但在分布不均勻的情況下，優選越接近導電膜16的表面，導電性聚合物的含有率越高。再有，在上述的第1膜(以導電性聚合物為主成分)和第2膜(以絕緣性聚合物為主成分)的層疊結構的情況下，為了形成價格更低的構成，優選為第2膜的層厚大於第1膜的層厚的構成。作為導電性聚合物，優選透光性及導電性高的，優選聚噻吩類、聚吡咯類、聚苯胺類等電子傳導性導電性聚合物。作為電子傳導性導電性聚合物，是該
技術領域：
已知的聚合物，例如聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩等。其詳細情況可參見"AdvancesinSyntheticMetals，，，ed.P.Bernier，S丄efrant，andG.Bidan，Elsevier,1999;"IntrinsicallyConductingPolymers:AnEmergingTechnology",Kluwer(1993);"ConductingPolymerFundamentalsandApplications，APracticalApproach"，RChandrasekhar，Kluwer，1999;及"HandbookofOrganicConductingMoleculesandPolymers",Ed.Walwa，Vol.1-4，MarcelDekkerInc.(1997)這些教科書。今後開發的新型的電子傳導性聚合物，只要是電子傳導性聚合物，同樣能夠採用，這對於該行業人士是容易想到的。此外，這些電子傳導性聚合物可以單獨使用，也可以如聚合物混合物一樣混合使用多種聚合物。作為絕緣性聚合物，可列舉出丙烯酸樹脂、脂膠樹脂、聚氨酯樹脂、乙烯基樹脂、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯垸酮、明膠等，其中優選為丙烯酸樹脂及聚氨酯樹脂，特別優選為丙烯酸樹脂。此外，導電膜16也可以含有導電性金屬氧化物粒子或粘合劑等。作為導電性金屬氧化物，可採用氧化錫、摻雜銻的Sn02、銦和錫的氧化物(IT0)、氧化鋅、摻雜氟的氧化錫、摻雜鎵的氧化鋅等。作為粘合劑可列舉出丙烯酸樹脂、脂膠樹脂、聚氨酯樹脂、乙烯基樹脂、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、明膠等，其中優選為丙烯酸樹脂及聚氨酯樹脂，特別優選為丙烯酸樹脂。為了提高耐水性或耐溶劑性等，優選對導電膜16進行交聯，在導電性聚合物本身不具有交聯反應性的情況下，優選粘合劑具有交聯反應性，優選具有相對於交聯劑可以進行交聯反應的官能團。關於交聯劑，如後所述。作為丙烯酸樹脂，可列舉出丙烯酸、丙烯酸垸基酯等丙烯酸酯類；丙烯醯胺、丙烯腈、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸烷基酯等甲基丙烯酸酯類；甲基丙烯醯胺及甲基丙烯腈中的任何一種的單體的均聚物或通過這些單體的2種以上的聚合得到的共聚物。在這些樹脂中，優選為丙烯酸烷基酯等丙烯酸酯類、及甲基丙烯酸垸基酯等甲基丙烯酸酯類中的任何一種的單體的均聚物或通過這些單體的2種以上的聚合得到的共聚物。例如，可列舉出具有碳原子數為16的烷基的丙烯酸酯類及甲基丙烯酸酯類中的任何一種單體的均聚物或通過這些單體的2種以上的聚合得到的共聚物。上述丙烯酸樹脂優選以上述組成為主成分，具有能與後述的交聯劑反應的官能團。在使用碳化二亞胺化合物作為交聯劑的情況下，例如，優選是通過部分使用具有羥甲基、羥基、羧基及氨基中的任何一種基團的單體而得到的聚合物。在以下的粘合劑的例子中，能與交聯劑反應的形態的例示表示的是採用碳化二亞胺化合物作為交聯劑的情況，但在採用其它的交聯劑時，優選具有與交聯劑的種類相適應的官能團。作為乙烯基樹脂，可列舉出聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯基甲醚、聚烯烴、乙烯/丁二烯共聚物、聚醋酸乙烯酯、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯/醋酸乙烯酯系共聚物(優選為乙烯/醋酸乙烯酯/(甲基)丙烯酸酯共聚物)。在這些樹脂中，優選為聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇縮甲醛、聚烯烴、乙烯/丁二烯共聚物及乙烯/醋酸乙烯酯系共聚物(優選為乙烯/醋酸乙烯酯/丙烯酸酯共聚物)。上述乙烯基樹脂，為了26能與碳化二亞胺化合物進行交聯反應，優選在聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯基甲醚及聚醋酸乙烯酯中，通過例如在聚合物中殘留乙烯醇單元來形成具有羥基的聚合物，關於其它聚合物，例如優選通過部分使用具有羥甲基、羥基、羧基及氨基中的任何一基團的單體來形成可交聯的聚合物。作為聚氨酯樹脂，能夠列舉出多羥基化合物(例如，乙二醇、丙二醇、丙三醇、三羥甲基丙烷)、通過多羥基化合物和多元酸的反應而得到的脂肪族聚酯系多元醇、聚醚多元醇(例如，聚氧丙烯醚多元醇、聚氧乙烯-丙烯醚多元醇)、聚碳酸酯系多元醇、及聚對苯二甲酸乙二酯多元醇中的任何一種、或它們的混合物與聚異氰酸酯衍生而得到的聚氨酯。在上述聚氨酯樹脂中，例如，能夠採用在多元醇和聚異氰酸酯的反應後作為未反應物而殘存的羥基作為可以與碳化二亞胺化合物發生交聯反應的官能團。作為脂膠樹脂(esterresin)，一般可使用通過多羥基化合物(例如，乙二醇、丙二醇、丙三醇、三羥甲基丙垸)與多元酸的反應而得到的聚合物。在上述脂膠樹脂中，例如，能夠利用在多元醇和多元酸的反應結束後作為未反應物而殘存的羥基及羧基作為可以與碳化二亞胺化合物發生交聯反應的官能團。當然，也可以添加具有羥基等官能團的第三成分。如上所述，優選導電膜16進行了交聯。在此種情況下，導電膜16可以利用交聯劑進行交聯，也可以通過不影響感光性的手段，不添加交聯劑，而只利用通過光照射而誘發的光化學反應進行交聯。作為交聯劑，可列舉出乙烯基碸類(例如1，3-雙乙烯基碸丙烷)、醛類(例如乙二醛)、氯化嘧啶類(例如2,4,6-三氯嘧啶)、氯化三嗪類(例如氰尿醯氯)、環氧化合物、碳化二亞胺化合物等。作為環氧化合物，優選為1,4-雙(2，,3，-環氧丙氧基)丁烷、1,3，5-三縮水甘油異氰脲酸酯、1，3-二縮水甘油-5-(，乙酸基-P-氧丙基)異氰脲酸酯、山梨糖醇聚縮水甘油醚類、聚甘油聚縮水甘油醚類、季戊四醇聚縮水甘油醚類、二甘油聚縮水甘油醚、1，3,5-三縮水甘油(2-羥乙基)異氰脲酸酯、甘油聚甘油醚類及三羥甲基丙垸聚縮水甘油醚類等環氧化合物，作為其具體的市售品，可列舉例如DenacolEX-521或EX-614B(Nagase化成工業株式會社制)等，但也不限定於這些。此外，也能夠在不影響感光特性的添加量範圍內與其它交聯性化合物並用，例如可列舉出在C.E.K.Meers及T.H.James著"TheTheoryofthePhotographicProcess"第3版Cl966年)中、及在美國專利第3316095號、第3232764號、第3288775號、第2732303號、第3635718號、第3232763號、第2732316號、第2586168號、第3103437號、第3017280號、第2983611號、第2725294號、第2725295號、第3100704號、第3091537號、第3321313號、第3543292號及第3125449號、以及英國專利第994869號及第1167207號的各說明書等中記載的固化劑等。作為這些固化劑的代表例，可列舉出含有2個以上(優選3個以上)羥甲基及烷氧基甲基中的至少一個的三聚氰胺化合物或它們的縮聚物即三聚氰胺樹脂或三聚氰胺/尿素樹脂、以及粘氯酸、粘溴酸、粘苯氧基氯酸、粘苯氧基溴酸、甲醛、乙二醛、單甲基乙二醛、2，3-二羥基-1,4-二氧雜環己烷、2,3-二羥基-5-甲基-1,4-二氧雜環己烷丁二醛、2，5-二甲氧基四氫呋喃及戊二醛等醛系化合物及其衍生物；二乙烯基碸-N,N，-亞乙基雙(乙烯基碸乙醯胺)、1,3-雙(乙烯基碸)-2-丙醇、亞甲基雙馬來醯亞胺、5-乙醯-l,3-二丙烯醯基-六氫-s-三嗪、1，3，5-三丙烯醯基-六氫-s-三嗪及1,3，5-三乙烯基碸-六氫-s-三嗪等活性乙烯基系化合物；2，4-二氯-6-羥基-s-三嗪鈉鹽、2,4-二氯-6-(4-磺基苯胺基)-s-三嗪鈉鹽、2，4-二氯-6-(2-磺基乙胺基)-s-三嗪及N，N，-雙(2-氯乙基氨基甲醯基)哌嗪等活性滷系化合物；雙(2,3-環氧丙基)甲基丙基銨.p-甲苯磺酸鹽、2，4，6-三亞乙基-s-三嗪、1，6-六亞甲基-N，N，-雙亞乙基尿素及雙-P-亞乙基氨基乙硫醚等亞乙基亞胺系化合物；1，2-二(甲磺醯氧)乙垸、1，4-二(甲磺醯氧)丁烷及l,5-二(甲磺醯氧)戊垸等甲磺酸酯系化合物；雙環己基碳化二亞胺及1-雙環己基-3-(3-三甲基氨丙基)碳化二亞胺鹽酸鹽等碳化二亞胺化合物；2，5-二甲基異噁唑基等異噁唑系化合物；鉻礬及醋酸鉻等無機系化合物；N-羰乙氧基-2-異丙氧基-l，2-二氫喹啉及N-(l-嗎啡啉羧基)-4-甲基吡啶鑰氯化物等脫水縮合型縮氨酸試劑；N,N'-己二醯基二氧琥珀醯亞胺及N,N，-對苯二醯基二氧琥珀醯亞胺等活性酯系化合物；甲苯-2，4-二異氰酸酯及l，6-六亞甲基二異氰酸酯等異氰酸酯類；及聚醯胺-多元胺-環氧氯丙垸反應物等環氧氯丙烷系化合物，但也不限定於這些。作為碳化二亞胺化合物，優選使用在分子內具有多個碳化二亞胺結構的化合物。聚碳化二亞胺通常通過有機二異氰酸酯的縮合反應而合成。這裡，對於分子內具有多個碳化二亞胺結構的化合物的合成中所用的有機二異氰酸酯的有機基不特別限定，可以使用芳香族系、脂肪族系中的任何一種、或它們的混合系，但從反應性的觀點考慮，更優選脂肪族系。作為合成原料，可使用有機異氰酸酯、有機二異氰酸酯及有機三異氰酸酯等。作為有機異氰酸酯的例子，可使用芳香族異氰酸酯、脂肪族異氰酸酯、及它們的混合物。具休地講，可採用4,4'-二苯基甲垸二異氰酸酯、4,4'-二苯基二甲基甲垸二異氰酸酯、1，4-苯撐二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、2，2，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4，-二環己基甲垸二異氰酸酯、1，3-苯撐二異氰酸酯等。此外，作為有機單異氰酸酯，可使用異佛爾酮異氰酸酯、苯基異氰酸酯、環己基異氰酸酯、丁基異氰酸酯、萘基異氰酸酯等。此外，作為碳化二亞胺系化合物的具體的市售品，例如，可得到力》求^，吖卜V-02-L2(商品名日清紡公司制)等。在採用碳化二亞胺系化合物作為交聯劑的情況下，優選相對於粘合劑按1200質量％的範圍添加，更優選按5100質量％的範圍添加。作為導電膜16的形成方法，能夠利用濺射等各種物理方法、一般熟知的塗布方法，例如浸漬塗覆法、氣刀塗覆法、幕塗法、繞線棒塗覆法、照相凹版塗覆法、擠出塗覆法等各種塗布法等。在利用這些方法來形成導電膜16的情況下，優選採用以下的方法(A)調節導電膜16的設置量，以使得細線圖案的凹部被埋沒，細線結構部14的表面和導電膜16的表面形成例如平滑的表面的方法；(B)通過研磨進行調節，以使細線結構部14的表面和導電膜16的表面形成平滑的表面的方法；(C)在細線結構部14的表面上實施了用於防止附著導電膜16的材料的表面處理後來形成導電膜16的方法。在(C)的方法中，由於導電膜16的材料的塗布液一般是高極性的，或是親水性的，因此優選細線結構部14的表面是低極性的或是疏水性的，具體優選採用以烷基硫醇類為代表的疏水性金屬表面處理劑對細線結構部14的表面實施表面處理，進一步優選通過後處理將該處理劑除去。導電膜16也可以根據需要另外設置具有功能性的功能層。該功能層能夠根據每種用途形成多種樣式。例如能夠設置調整了折射率或膜厚的賦予了防及射功能的防反射層、或無眩光層或防眩光層(都具有防止晃眼的功能)、由吸收近紅外線的化合物或金屬構成的近紅外線吸收層、具有吸收特定的波長區的可見光的色調調節功能的層、具有容易除去指紋等汙垢的功能的防汙層、不易損傷的硬質塗層、具有吸收衝擊功能的層、具有防止玻璃破損時的玻璃飛濺的功能的層等。這些功能層可以設在導電膜16的表面，也可以設在支撐體12的背面。接著，對通過對在支撐體12上具有含感光性銀鹽的層的感光材料進行曝光及顯影來形成導電性金屬銀部和透光部、從而構成細線結構部14的情況進行說明。本實施方式的製造方法中所用的感光材料具有在支撐體12上含有作為光傳感器的銀鹽的乳劑層(含銀鹽感光層)。含銀鹽感光層除了銀鹽和粘合劑以外，還能夠含有溶劑或染料等添加劑。此外，優選將乳劑層實質上配置在最上層。這裡，所謂"乳劑層實質上是最上層"，不僅表示將乳劑層實際上配置在最上層的情況，而且也表示設在乳劑層上的層即保護層的總膜厚在0.5um以下。設在乳劑層上的層的總膜厚優選為0.2um以下。以下，對乳劑層中含有的各成分進行說明。<染料〉在感光材料中，也可以至少在乳劑層含有染料。該染料作為濾光染料或以防止輻照等其它各種目的而含在乳劑層中。作為上述染料，也可以含有固體分散染料。作為本發明中優選採用的染料，可列舉出日本特開平9-179243號公報中記載的用通式(FA)、通式(FA1)、通式(FA2)、通式(FA3)表示的染料，具體優選該公報中所記載的化合物F1F34。此外，還優選採用日本特開平7-152112號公報中記載的(II-2)(11-24)、特開平7-152112號公報中記載的(III-5)(111-18)、及特開平7-152112號公30報中記載的(IV-2)(IV-7)等。除此以外，作為在本實施方式中能夠使用的染料，作為在顯影或定影的處理時被脫色的固體微粒分散狀的染料，可列舉出日本特開平3-138640號公報中記載的花青染料、吡喃鑰染料及胺鐺染料。此外，作為處理時不脫色的染料，可列舉日本特開平9-96891號公報中記載的具有羧基的花青染料、特開平8-245902號公報中記載的不含酸性基的花青染料、及特開平8-333519號公報中記載的色澱型花青染料、特開平1-266536號公報中記載的花青染料、特開平3-136038號公報中記載的全極型(holopolar)花青染料、特開昭62-299959號公報中記載的吡喃鐵染料、特開平7-253639號公報中記載的聚合物型花青染料、特開平2-282244號公報中記載的氧雜菁(oxonol)染料的固體微粒分散物、特開昭63-131135號公報中記載的光散射粒子、特開平9-5913號公報中記載的￥133+化合物及特開平7-113072號公報中記載的ITO粉末等。此外，也可以採用特開平9-179243號公報中記載的用通式(Fl)、通式(F2)表示的染料，具體可採用該公報中記載的化合物F35F112。此外，作為上述染料，能夠含有水溶性染料。作為如此的水溶性染料，可列舉出氧雜菁染料、苄叉染料、部花青染料、花青染料及偶氮染料。其中，在本發明中，氧雜菁染料、半氧雜菁(八S才年乂/一》)染料及苄叉染料是有用的。作為本發明中可用的水溶性染料的具體例子，可列舉出以下文獻中記載的水溶性染料，所述文獻是英國專利第584609號說明書、英國專利第1177429號說明書、日本特開昭48-85130號公報、特開昭49-99620號公報、特開昭49-114420號公報、特開昭52-20822號公報、特開昭59-154439號公報、特開昭59-208548號公報、美國專利第2274782號說明書、第2533472號說明書、第2956879號說明書、第3148187號說明書、第3177078號說明書、第3247127號說明書、第3540887號說明書、第3575704號說明書、第3653卯5號說明書、第3718427號說明書。關於上述乳劑層中的染料的含量，從防止輻照等的效果、及由添加量增加帶來的感度下降的觀點出發，相對於總固體成分優選為0.0110質量%、更優選為0.15質量％。31作為在本實施方式中所用的銀鹽，可列舉出滷化銀等無機銀鹽及醋酸銀等有機銀鹽。在本實施方式中，優選採用作為光傳感器的特性優良的滷化銀。對在本實施方式中優選採用的滷化銀進行說明。在本實施方式中，優選採用作為光傳感器的特性優良的滷化銀，也能夠將有關滷化銀的銀鹽照相薄膜或照相紙、印刷製版用薄膜、光掩模用乳膠掩模等中採用的技術用於本發明中。含在上述滷化銀中的滷素元素可以是氯、溴、碘及氟中的任何一種，也可以是它們的組合。例如，優選採用以氯化銀、溴化銀、碘化銀為主體的滷化銀，更優選採用以溴化銀或氯化銀為主體的滷化銀。此外還優選採用氯溴化銀、碘氯溴化銀、碘溴化銀，更優選採用氯溴化銀、溴化銀、碘氯溴化銀、碘溴化銀，最優選採用含有50摩爾％以上的氯化銀的氯溴化銀、碘氯溴化銀、及含有50摩爾％以上的溴化銀的滷化銀。再有，這裡，所謂"以溴化銀為主體的滷化銀"，指的是在滷化銀組成中所佔的溴化物離子的摩爾分率在50%以上的滷化銀。以該溴化銀為主體的滷化銀粒子中，除溴化物離子以外，也可以含有碘化物離子、氯化物離子。再有，滷化銀乳劑中的碘化銀含有率優選為每摩爾滷化銀乳劑中不超過1.5摩爾％的範圍。通過將碘化銀含有率規定為不超過1.5摩爾％的範圍，能夠防止灰霧，改善壓力性。更優選的碘化銀含有率是在每摩爾滷化銀乳劑中為1摩爾％以下。滷化銀為固體粒子狀，從曝光、顯影處理後形成的圖案狀金屬銀層的圖像質量的觀點出發，滷化銀的平均粒子尺寸以當量球直徑計優選為0.11000nm(lum)。上述下限值更優選為lnm，進一步優選為10nm。上述上限值更優選為800nm，進一步優選為500nm，更進一步優選為100nm，特別優選為50nm。上述數值範圍更優選為0.11000nm，進一步優選為105000nm。再有，所謂滷化銀粒子的當量球直徑，是粒子形狀為球形的具有相同體積的粒子的直徑。對於滷化銀粒子的形狀不特別限定，例如能夠是球狀、立方體狀、平板狀(六角平板狀、三角形平板狀、四角形平板狀等)、八面體狀、14面體狀等多種形狀，優選為立方體、14面體。滷化銀粒子的內部和表層可以由均勻的相形成，也可以由不同的相形成。此外，也可以在粒子內部或表面具有滷素組成不同的局部存在層。關於本實施方式中使用的乳劑層用塗布液即滷化銀乳劑,可採用以下文獻等中記載的方法進行調製，所述文獻是P.Glafkides著ChimieetPhysiquePhotographique(PaulMontel公司幹lj，1967年)、G.F.Dufm著PhotographicEmulsionChemistry(TheForcalPress幹U，1966年)、禾口V.L.Zelikman等著MakingandCoatingPhotographicEmulsion(TheForcalPress幹U，1964年)。也就是說，作為上述滷化銀乳劑的調製方法，可以是酸性法、中性法等中的任何一種，此外，作為使可溶性銀鹽和可溶性滷鹽反應的方法，可以採用單側混合法、同時混合法、它們的組合等中的任何一種方法。此外，作為銀粒子的形成方法，也能夠採用在銀離子過剩的情況下形成粒子的方法(所謂逆混合法)。另外，也能夠採用作為同時混合法的一種形式的將生成滷化銀的液相中的pAg保持恆定的方法，即所謂的控制雙注(ControlledDouble-Jet)法。此外，還優選使用氨、硫醚、四取代硫脲等所謂滷化銀溶劑來形成粒子。在這些方法中，更優選四取代硫脲化合物，其在特開昭53-82408號公報、特開昭55-77737號公報中有記載。作為優選的硫脲化合物，可列舉出四甲基硫脲、1，3-二甲基-2-亞乙基硫脲。滷化銀溶劑的添加量因所使用的化合物的種類及作為目標的粒子尺寸、滷素組成而異，但優選為相對於每摩爾滷化銀為10_510—2摩爾。在上述的可控雙注法及使用了滷化銀溶劑的粒子形成方法中，容易製作結晶型為規則的、且粒子尺寸分布窄的滷化銀乳劑，因而在本發明中能夠優選採用。此外，為了使粒子尺寸均勻，優選採用如英國專利第1535016號公報、日本特公昭48-368卯號公報、特公昭52-16364號公報中記載那樣的，根據粒子生長速度使硝酸銀或滷化鹼金屬的添加速度變化的方法，或優選採用如英國專利第4242445號公報、日本特開昭55-158124號公報中記載那樣的，使水溶液的濃度變化的方法，在不超過臨界飽和度的範圍內使銀快速地生長。作為本實施方式中的乳劑層的形成中所用的滷化銀乳劑，優選為單分散乳劑，以{(粒子尺寸的標準偏差)/(平均粒子尺寸))xioo表示的變動係數在20%以下，更優選為15%以下，最優選為10%以下。本實施方式中所用的滷化銀乳劑中，也可以混合粒子尺寸不同的多種滷化銀乳劑。本實施方式中所用的滷化銀乳劑也可以含有屬於VIII族、VIIB族的金屬。特別是為了實現高對比及低灰霧，優選含有銠化合物、銥化合物、釕化合物、鐵化合物及鋨化合物等。這些化合物可以是具有各種配位基的化合物，作為配位基，例如可列舉出氰化物離子或滷離子、硫氰基離子、亞硝醯離子、水、氫氧化物粒子等，或除了這樣的擬滷素、氨以外，胺類(甲胺、乙二胺等)、雜環化合物(咪唑、噻唑、5-甲基噻唑、巰基咪唑等)、尿素、硫脲等有機分子。此外，為了高感度化，進行IQ[Fe(CN)6]或K4[Ru(CN)6]、K4[Cr(CN)6]這樣的六氰化金屬絡合物的摻雜是有利的。作為上述銠化合物，能夠採用水溶性銠化合物。作為水溶性銠化合物，例如可列舉出滷化銠(III)化合物、六氯銠(m)絡鹽、五氯水合銠絡鹽、四氯二水合銠絡鹽、六溴銠(in)絡鹽、六胺合銠(m)絡鹽、三草酸根合(trioxalato)銠(III)絡鹽、K3Rh2Br9等。這些銠化合物可溶解在水或適當的溶劑中來使用，可採用為了使銠化合物的溶液穩定化而一般常用的方法，也就是說能夠採用添加滷化氫水溶液(例如鹽酸、溴酸、氟酸等)、或滷化鹼金屬(例如KC1、NaCl、KBr、NaBr等)的方法。也可以替代採用水溶性銠而在滷化銀調製時預先添加摻雜了銠的其它滷化銀粒子並使其溶解。作為上述銥化合物，可列舉出K2IrCl6、K3IrCl6等六氯銥絡鹽、六溴銥絡鹽、六氨絡銥絡鹽、五氯亞硝基銥絡鹽等。作為上述釕化合物，可列舉出六氯釘、五氯亞硝基釕、K4[RuCN]6等。作為上述鐵化合物，可列舉出六氰基鐵(II)酸鉀、硫代氰酸亞鐵。上述釕、鋨能以在特開昭63-2042號公報、特開平1-285941號公報、特開平2-20852號公報、特開平2-20855號公報等中記載的水溶性絡鹽的形態添加，作為特別優選的，可列舉出用下式表示的六配位絡合物。-n這裡，M表示Ru或Os，n表示0、1、2、3或4。在此種情況下，抗衡粒子不具有重要性，例如，可採用銨或鹼金屬離子。此外，作為優選的配位基，可列舉出滷化物配位基、氰化物配^I基、氰酸化物配位基、亞硝基配位基、硫代亞硝基配位基等。以下示出本發明中所用的絡合物的具體例子，但本發明並不限定於此。一3、[RuCU(H20)2r1、[RuCl5(NO)〗—2、[RuBr5(NS)]—2、[Ru(CO)3Cl3]一2、[Ru(CO)Cl5]_2、[Ru(CO)Br5]_2、[OsCl6]—3、[OsCl5(NO)]—2、[Os(NO)(CN)5]-2、[Os(NS)Br5]-2、[Os(CN)6廣、[Os(0)2(CN)5]-4°關於這些化合物的添加量，相對於每摩爾滷化銀優選為10_1Q10—2摩爾/摩爾Ag，更優選為10_910—3摩爾/摩爾Ag。另外，在本實施方式中，也能夠優選採用含有Pd(II)離子及/或Pd金屬的滷化銀。Pd也能在滷化銀粒子內均勻分布，但優選使其含在滷化銀粒子的表層附近。這裡，所謂Pd"含在滷化銀粒子的表層附近"，意思是從滷化銀粒子的表面在深度方向到50nm以內具有鈀含有率比其它層高的層。這樣的卣化銀粒子能夠通過在形成滷化銀粒子的途中添加Pd來製作，優選在按總添加量的50。/。以上分別添加了銀離子和滷離子後添加Pd。此外還優選採用在後期熟化時添加Pd(II)離子的等方法使其存在於滷化銀表層。該含有Pd的卣化銀粒子有助於提高物理顯影或非電解鍍覆的速度，提高所希望的電磁波屏蔽材料的生產效率，並降低生產成本。已知廣泛採用Pd作為非電解鍍覆催化劑，但在本發明中，由於可使Pd集中存在於滷化銀粒子的表層，因此能夠節約價格非常高的Pd。在本實施方式中，含在滷化銀中的Pd離子及/或Pd金屬的含有率，相對於滷化銀中的銀的摩爾數優選為10—40.5摩爾/摩爾Ag，更優選為0.010.3摩爾/摩爾Ag。作為所使用的Pd化合物的例子，可列舉出PdCU或Na2PdCU等。在本實施方式中，能與普通的滷化銀照相感光材料同樣地實施化學增敏，也可以不實施。作為化學增敏的方法，例如可通過將化學增敏劑添加到滷化銀乳劑中來進行，該化學增敏劑已在特開2000-275770號公報的段落以後的內容中引用，且包含具有照相感光材料的感度增敏作用的硫屬元素化合物或貴金屬化合物。作為本實施方式的感光材料中所用的銀鹽乳劑，能夠優選採用不進行上述化學增敏的乳劑、即未化學增敏的乳劑。在本實施方式中作為優選的未化學增敏的乳劑的調製方法，優選將包含硫屬元素化合物或貴金屬化合物的化學增敏劑的添加量限制於通過添加這些化學增敏劑而形成的感度上升在0.1以內的量以下。對於硫屬元素化合物或貴金屬化合物的添加量的具體的量無限制，但作為本實施方式中的未化學增敏的乳劑的優選調製方法，優選將這些化學增敏化合物的總添加量規定在相對於每摩爾滷化銀為5X10—7摩爾以下。在本實施方式中，為了進一步提高作為光傳感器的感度，還能實施用照相乳劑進行的化學增敏。作為化學增敏的方法，能夠採用硫增敏、硒增敏、碲增敏等硫屬元素增敏、金增敏等貴金屬增敏、還原增敏等。這些方法可以單獨或組合使用。在組合使用上述化學增敏的方法的情況下，例如，優選硫增敏法和金增敏法、硫增敏法和硒增敏法和金增敏法、硫增敏法和碲增敏法和金增敏法等的組合。上述硫增敏通常通過添加硫增敏劑、在4(TC以上的高溫下對乳劑攪拌一定時間來進行。作為上述硫增敏劑，能夠使用公知的化合物，例如，除了含在明膠中的硫化合物以外，還能夠採用多種硫化合物，例如硫代硫酸鹽、硫脲類、噻唑類、勞丹鹼類等。優選的硫化合物是硫代硫酸鹽、硫脲化合物。硫增敏劑的添加量根據化學熟成時的pH、溫度、滷化銀粒子的大小等多種條件而變化，優選相對於每摩爾滷化銀為10—710—2摩爾，更優選為10_510_3摩爾。作為在上述硒增敏中所用的硒增敏劑，能夠採用公知的硒化合物。也就是說，上述硒增敏通常通過添加不穩定型及/或非不穩定型硒化合物、在4(TC以上的高溫下對乳劑攪拌一定時間來進行。作為上述不穩定型硒化合物，能夠採用在特公昭44-15748號公報、特公昭43-13489號公報、特開平4-109240號公報、特開平4-324855號公報等中記載的化合物。尤其優選36特開平4-324855號公報中的用通式(VIII)及(IX)表示的化合物。上述碲增敏劑中所用的碲增敏劑是在卣化銀粒子表面或內部使碲化銀生成的化合物，推斷該碲化銀成為增敏核。關於滷化銀乳劑中的碲化銀生成速度，可採用在特開平5-313284號公報中記載的方法進行試驗。具體是，可採用美國專利US第1623499號公報、美國專利US第3320069號公報、美國專利US第3772031號公報、英國專利第235211號公報、英國專利第1121496號公報、英國專利第1295462號公報、英國專利第1396696號公報、加拿大專利第800958號公報、日本特開平4-204640號公報、特開平4-271341號公報、特開平4-333043號公報、特開平5-303157號公報、化學學會化學通訊雜誌(J.Chem.Soc.Chem.Commun.)635頁(1980)、該刊1102頁(1979)、該刊645頁(1979)，化學學會佩金學報(J.Chem.Soc.Perkin.Trans.l巻，2191頁(1980)，S.Patai編著，有機硒和有機碲化合物的化學(TheChemistryofOrganicSeleniumandTelluniumCompounds),1巻(1986)、該幹U2巻(1987)等中記載的化合物。尤其優選特開平5-313284號公報中的用通式(n)、(ni)、(IV)表示的化合物。在本實施方式中能夠使用的硒增敏劑及碲增敏劑的使用量，根據所使用的滷化銀粒子、化學熟成條件等而變化，但通常相對於每摩爾滷化銀使用10—810—2摩爾，優選為10—710—3摩爾左右。作為本發明中的化學增敏的條件，不特別限定，但作為pH適宜為58，作為pAg適宜為611、優選為710，作為溫度適宜為4095。C、優選為4585。C。此外，作為上述貴金屬增敏劑，可列舉出金、鉑、鈀、銥等，尤其優選金增敏。作為金增敏中所用的金增敏劑，具體地講，可列舉出氯金酸、氯金酸鉀、金硫氰酸鉀(potassiumaurithiocyanate)、硫化金、硫葡糖金(1)、硫甘露糖金(I)等，相對於每摩爾滷化銀能夠採用10—710—2摩爾左右。在本發明中所用的滷化銀乳劑中，在滷化銀粒子的形成或物理熟成的過程中，也可以使鎘鹽、亞硫酸鹽、鉛鹽、鉈鹽等共存。此外，在本實施方式中還能夠採用還原增敏。作為還原增敏劑，能夠採用亞錫鹽、胺類、甲眯亞磺酸、矽垸化合物等。上述滷化銀乳劑也可以利用歐洲公開專利(EP)293917號公法中所示的方法來添加硫代磺酸化合物。本發明中所用的感光材料的製作中採用的滷化銀乳劑可以是1種、也可以2種以上(例如平均粒子尺寸不同的、滷素成分不同的、晶體慣態不同的、化學增敏條件不同的、感度不同的)並用。其中，為了得到高對比度，如特開平6-324426號公報中記載那樣，優選的是越接近支撐體塗布感度越高的乳劑。在乳劑層，為了均勻地分散銀鹽粒子，且輔助乳劑層和支撐體的密合，可以採用粘合劑。在本實施方式中，作為上述粘合劑，可以採用水溶性粘合劑，該水溶性粘合劑可通過在後述的溫水中浸漬或與蒸汽接觸的處理加以除去。作為這樣的水溶性粘合劑，優選採用水溶性聚合物。作為上述粘合劑，例如，可列舉出明膠、角叉菜膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚氧化乙烯、多糖類、聚乙烯胺、脫乙醯殼多糖、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚藻酸、多透明質酸、羧基纖維素、阿拉伯樹膠、藻酸鈉等。它們根據官能團的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。此外，作為明膠，除了石灰處理明膠以外，也可以採用酸處理明膠，能夠使用明膠的水解物、明膠酵母分解物、修飾了其它氨基、羧基的明膠(鄰苯二甲醯化明膠、乙醯化明膠)。對於含在乳劑層中的粘合劑的含量不特別限定，可在能發揮分散性和密合性的範圍內適宜確定。關於乳劑層中的粘合劑的含量，優選Ag/粘合劑的體積比率在1/4以上，更優選在1/1以上。<溶劑〉對於上述乳劑層的形成中所用的溶劑不特別限定，例如可列舉出水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲亞碸等亞碸類、醋酸乙酯等酯類、醚類等)離子性液體、及它們的混合溶劑。本實施方式的乳劑層中所用的溶劑的含量相對於上述乳劑層中含有的銀鹽、粘合劑等的合計質量適宜為3090質量％的範圍，優選為5080質量％的範圍。優選本實施方式中的感光材料含有防靜電劑，最好將其塗覆在與乳劑層相反一側的支撐體表面上。38作為防靜電層，優選採用表面電阻率在25'C、25MRH的氣氛下為1012歐姆/sq以下的含導電性物質的層。作為在本實施方式中優選的防靜電劑，能夠優選採用下述的導電性物質。能夠採用例如從日本特開平2-18542號公報的第2頁左下欄第13行到該公報第3頁右上欄第7行中記載的導電性物質。具體地講，能夠釆用該公報第2頁右下欄第2行到該頁右下欄第10行中記載的金屬氧化物、及該公報中記載的化合物P-lP-7的導電性高分子化合物、以及在美國專利第5575957號說明書、特開平10-142738號公報的段落、日本特開平11-223901號公報的段落中記載的針狀的金屬氧化物等。作為本實施方式中所用的導電性金屬氧化物粒子，可列舉出ZnO、Ti02、Sn〇2、AI203、ln203、MgO、BaO及Mo03以及它們的複合氧化物、以及在這些金屬氧化物中另外含有異種原子的金屬氧化物的粒子。作為金屬氧化物，優選Sn02、ZnO、A1203、Ti02、Iri203及MgO，更優選Sn02、ZnO、Iri203及Ti02，特別優選Sn02。作為少量含有異種原子的例子，可列舉出按0.0130摩爾％(優選0.110摩爾％)的摻雜比例相對於ZnO摻雜了Al或In、相對於Ti02摻雜了Nb或Ta、相對於111203摻雜了Sn、及相對於Sn02摻雜了Sb、Nb或滷素元素等異種元素的金屬氧化物粒子。在異種元素的添加量低於0.01摩爾％時，難以向氧化物或複合氧化物賦予充分的導電性，如果超過30摩爾％，則粒子的黑化度增加，防靜電層發黑，因此不適合。所以，在本實施方式中，作為導電性金屬氧化物粒子的材料，優選相對於金屬氧化物或複合金屬氧化物含有少量異種元素的材料。此外還優選在結晶結構中含有氧缺陷的材料。作為少量含有上述異種原子的導電性金屬氧化物微粒，優選為摻雜了銻的Sn02粒子，特別優選為摻雜了0.22.0摩爾％的銻的Sn02粒子。對於本實施方式中所用的導電性金屬氧化物的形狀不特別限制，可列舉出粒狀、針狀等。此外，關於其尺寸，按球換算直徑表示的平均粒徑為0.525um。此外，為了得到導電性，例如，還能夠使用可溶性鹽(例如氯化物、硝酸鹽等)、蒸鍍金屬層、美國專利第2861056號說明書及美國專利第393206312號說明書中記載的離子性聚合物或美國專利第3428451號說明書中記載的不溶性無機鹽。含有這樣的導電性金屬氧化物粒子的防靜電層優選作為背面的下塗層、乳劑層的下塗層等而設置。優選其添加量按兩面合計為(X011.0g/m2。此外，優選感光材料的體積電阻率在25。C、25%RH的氣氛下為1.0X1071.0乂1012歐姆cm。在本實施方式中，除了上述導電性物質之外，通過並用從特開平2-18542號公報第4頁右上欄第2行到第4頁右下欄第3行、及從特開平3-39948號公報第12頁左下欄第6行到該公報中第13頁右下欄第5行中記載的含氟表面活性劑，能夠得到更好的防靜電性。<其它添加劑〉關於本發明中的感光材料中所用的各種添加劑不特別限制，例如能夠優選採用下記公報等中記載的添加劑。但是，在本實施方式中最好不使用硬膜劑。因為在使用硬膜劑的情況下，如果進行後述的使其浸漬在溫水中或與蒸汽接觸的處理，則電阻升高，導電率下降。(1)造核促進劑作為上述造核促進劑，可列舉出在特開平6-82943號公報中記載的通式(1)、(11)、(m)、(IV)、(V)、(VI)的化合物、或從特開平2-103536號公報第9頁右上欄第13行到該公報第16頁左上欄第10行的通式(II-m)(n-p)及化合物例n-lII-22、以及特開平1-179939號公報中記載的化合物。(2)分光增敏色素作為上述分光增敏色素，可列舉出從特開平2-12236號公報第8頁左上欄第13行到該頁右下欄第4行、特開平2-103536號公報第16頁右下欄第3行到該公報第17頁左下欄第20行、以及特開平1-112235號公報、特開平2-124560號公報、特開平3-7928號公報、及特開平5-11389號公報中記載的分光增敏色素。(3)表面活性劑作為上述表面活性劑，可列舉出在從特開平2-12236號公報第9頁右上欄第7行到該頁右下欄第7行、及從特開平2-18524號公報第2頁左下欄第13行到該公報第4頁右下欄第18行中記載的表面活性劑。(4)灰霧防止劑作為上述灰霧防止劑，可列舉出在從特開平2-103536號公報第17頁右下欄第19行到該公報第18頁右上欄第4行及從該頁右下欄第1行到第5行、另外在特開平1-237538號公報中記載的硫代亞磺酸化合物。(5)聚合物膠乳作為上述聚合物膠乳，可列舉出在從特開平2-103536號公報第18頁左下欄第12行到該頁第20行中記載的聚合物膠乳。(6)具有酸基的化合物作為上述具有酸基的化合物，可列舉出在從特開平2-103536號公報第18頁右下欄第6行到該公報第19頁左上欄第1行中記載的化合物。(7)硬膜劑作為上述硬膜劑，可列舉出在從特開平2-103536號公報第18頁右上欄第5行到該頁第17行中記載的化合物。(8)黑斑防止劑所謂上述黑斑防止劑是一種化合物，其可抑制在未曝光部產生點狀顯影銀，例如，可列舉出美國專利第4956257號說明書及日本特開平1-118832號公報中記載的化合物。(9)氧化還原化合物作為氧化還原化合物，可列舉出特開平2-301743號公報中的用通式(i)表示的化合物(尤其是化合物例1至50);特開平3-174143號公報第3頁至第20頁中記載的通式(R-l)、(R-2)、(R-3)、化合物例1至75;及特開平5-257239號公報、特開平4-278939號公報中記載的化合物。(10)—甲鹼類化合物作為上述一甲鹼類化合物，可列舉出特開平2-287532號公報的通式(ii)的化合物(尤其是化合物例n-i至n-26)。(11)二羥基苯類可列舉出從特開平3-39948號公報第11頁左上欄到第12頁左下欄記載的化合物、及歐洲專利申請公開第452772a號說明書中記載的化合物。[其它的層構成〗也可以在乳劑層上設置保護層。在本實施方式中所謂"保護層"，指的是由明膠或高分子聚合物等粘合劑形成的層，為了實現防擦傷或改進力學特性的效果，被形成在具有感光性的乳劑層上。其厚度優選為0.2um以下。對於上述保護層的塗布方法及形成方法不特別限定，能夠適宜採用公知的塗布方法，(細線結構部的形成方法)下面對採用上述感光材料形成細線結構部的方法進行說明。再有，通過本實施方式得到的透明導電性薄膜10不僅是通過圖案曝光在支撐體12上形成了細線結構部14的透明導電性薄膜，而且也可以是通過面曝光形成了金屬的透明導電性薄膜。此外，在採用透明導電性薄膜10例如作為印刷基板的情況下，也可以形成金屬銀部和絕緣性部。關於本實施方式中的細線結構部14的形成方法，根據感光材料和顯影處理的方式，包括以下3種方式。(1)通過對不含物理顯影核的感光性滷化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，使金屬銀部形成在該感光材料上的方式。(2)通過對在滷化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性滷化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，使金屬銀部形成在該感光材料上的方式。(3)通過將不含物理顯影核的感光性滷化銀黑白感光材料與具有含物理顯影核的非感光性層的顯像膠片重合，並擴散轉印顯影，使金屬銀部形成在非感光性顯像膠片上的方式。上述(1)的方式是一體型黑白顯影類型，在感光材料上形成透光性導電性膜。所得到的顯影銀是化學顯影銀或熱顯影銀，是高比表面的絲狀，基於此點，在後續的鍍覆或物理顯影過程中，活性高。上述(2)的方式是在曝光部中，通過將物理顯影核邊緣的滷化銀粒子溶解，使其沉積在顯影核上，由此在感光材料上形成透光性電磁波屏蔽膜或光透射性導電膜等透光性導電性膜。其也是一體型黑白顯影類型。顯影作用由於是向物理顯影核上析出，因而活性高，但顯影銀是比表面積小的球形。上述(3)的方式通過在未曝光部中溶解滷化銀粒子並使其擴散，沉積42在顯像膠片上的顯影核上，由此在顯像膠片上形成透光性電磁波屏蔽膜或光透射性導電膜等透光性導電性膜。其是所謂的分離類型，是將顯像膠片從感光材料上剝離而使用的方式。所有方式都能選擇負型顯影處理及反轉顯影處理中的任何一種顯影(在是擴散轉印方式時，通過採用自動正型感光材料作為感光材料可進行負型顯影處理)。關於顯影，更優選為負型。這裡所說的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影及擴散轉印顯影是如該行業中常用的用語的意思，在照片化學的一般教科書、例如菊地真一著"照片化學"(共立出版社出版發行)、C.E.K.Mees編"TheTheoryofPhotographicProcess,4thed."(Mcmillan公司，1977年出版發行)中進行了解說。此外，例如，也可參照特開2004-184693號公報、特開2004-334077號公報、特開2005-010752號公報、特願2004-244080號說明書、特願2004-085655號說明書等中記載的技術。[曝光]在本實施方式的製造方法中，對設在支撐體12上的含銀鹽感光層進行曝光。能夠釆用電磁波進行曝光。作為電磁波，例如可列舉出可見光線、紫外線等光、X射線等放射線等。另外，也可以利用在曝光中具有波長分布的光源，也可以採用特定的波長的光源。作為上述光源，例如可列舉出採用了陰極射線(CRT)的掃描曝光。陰極射線管曝光裝置與採用雷射的裝置相比，簡便且緊湊，可降低成本。此外，也容易調節光軸或顏色。作為圖像曝光中所用的陰極射線管，可根據需要採用在頻譜區域顯示發光的各種發光體。作為發光體，例如，可採用紅色發光體、綠色發光體、藍色發光體中的任何一種或混合使用2種以上。頻譜區域不局限於上述的紅色、綠色及藍色，也能採用在黃色、橙色、紫色或紅外區域發光的螢光體。尤其可經常採用通過混合這些發光體而發白色光的陰極射線管。此外，優選採用紫外線燈，但也能利用水銀燈的g射線、水銀燈的i射線等。此外，在本實施方式的製造方法中，能夠採用多種雷射束進行曝光。例如，作為本發明中的曝光，能夠優選採用掃描曝光方式，該掃描曝光方式採用了氣體雷射器、發光二極體、半導體雷射器、將半導體雷射器或以半導體雷射器用作激發光源的固體雷射器與非線形光學晶體組合而成的二次諧波發光光源(SHG)等的單色高密度光，而且本發明中的曝光也能夠採用KrF準分子雷射器、ArF準分子雷射器、F2雷射器等。為了使裝置緊湊並且廉價，優選採用半導體雷射器、半導體雷射器或固體雷射器與非線形光學晶體組合而成的二次諧波發光光源(SHG)進行曝光。尤其是為了設計緊湊、廉價、且壽命長、穩定性高的裝置，優選採用半導體雷射器進行曝光。作為雷射光源，具體地講，優選採用以下半導體雷射器波長為430460nm的藍色半導體雷射器(2001年3月，第48屆應用物理學相關聯合講演會，日亞化學發表)、通過利用具有波導路狀的反轉疇結構的LiNb03的SHG晶體對半導體雷射器(振蕩波長大約1060nm)進行波長變換而取出的大約530nm的綠色雷射器、波長大約為685nm的紅色半導體雷射器(日立型號No，HL6738MG)、波長大約為650nm的紅色半導體雷射器(日立型號No.HL6501MG)等。關於將含銀鹽的層曝光成圖案狀的方法，可以通過利用光掩模的面曝光來進行，也可以通過利用雷射束的掃描曝光來進行。此時，可以是採用透鏡的折射式曝光，也可以是採用反光鏡的反射式曝光，能採用接觸曝光、接近曝光、縮小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式。在本實施方式的製造方法中，在將含銀鹽的層曝光後再實施顯影處理。作為上述顯影處理，能夠採用銀鹽照相薄膜或照相紙、印刷製版用薄膜、光掩模用乳化掩模等中所用的通常的顯影處理技術。關於顯影液不特別限定，但可釆用PQ顯影液、MQ顯影液、MAA顯影液等。作為市售品，例如，能夠採用富士膠片公司制的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、ND-1、FT-803R、HS陽1、HS匿5、/《匕。卜一/k、〕匕°於—/K77<yK-^、$夕口77O或K0DAK公司制的C-41、E-6、RA-4、Dsd-19、D-72等顯影液、或含在其套件(kit)中的顯影液(所有都是商品名)。此外，也能夠採用裡斯(yX)顯影液。作為裡斯顯影液，能夠採用KODAK公司制的D85(商品名)等。在本實施方式的透明導電性薄膜的製造方法中，通過進行上述曝光及顯影處理，在曝光部形成圖案狀的金屬銀部，而且在未曝光部形成後述的透光部。再有，在本實施方式中，優選在顯影溫度、定影溫度及水洗溫度為35"C以下的條件下進行。本實施方式的製造方法中的顯影處理能夠包括為除去未曝光部分的銀鹽使之穩定化而進行的定影處理。在本實施方式的製造方法中，定影處理能夠採用銀鹽照相薄膜或照相紙、印刷製版用薄膜、光掩模用乳化掩模等中所用的顯影處理技術。為了提高圖像質量，可在顯影處理中所用的顯影液中含有畫質改善劑。作為上述畫質改善劑，例如，可列舉出苯並三唑等含氮雜環化合物。此外，在利用裡斯顯影液的情況下，特別優選使用聚乙二醇。關於顯影處理後的曝光部中含有的金屬銀的質量，相對於曝光前的曝光部中含有的銀的質量優選為50質量％以上的含有率，更優選為80質量％以上。只要曝光部中含有的銀的質量相對於曝光前的曝光部中含有的銀的質量在50質量％以上，就容易得到高的導電性，因此是優選的。對於本實施方式中的顯影處理後的灰度不特別限定，但優選超過4.0。如果顯影處理後的灰度超過4.0，則能夠較高地確保透光部的透明性，同時能夠提高導電性金屬部的導電性。作為使灰度在4.0以上的方法，例如，可列舉出前述的銠離子、銥離子的摻雜。在本實施方式的製造方法中，優選對顯影處理後的金屬銀部進行氧化處理。通過進行氧化處理，例如，在金屬稍微沉積在透光部的情況下，能夠除去該金屬，使透光部的透過性達到大致100%。作為上述氧化處理，例如，可列舉出Fe(III)離子處理等採用各種氧化劑的公知的方法。可在含銀鹽的層的曝光及顯影處理後進行氧化處理。在本實施方式中，還能夠用含Pd的溶液進一步對曝光及顯影處理後的金屬銀部進行處理。Pd可以是2價的鈀離子也可以是金屬鈀。通過該處理能夠抑制金屬銀部的黑色的時效變化。通過在顯影處理後浸漬在還原水溶液中，能夠得到優選的導電性高的薄膜。作為還原水溶液，可適宜採用亞硫酸鈉水溶液、對苯二酚水溶液、對45苯二胺水溶液、草酸水溶液等，更優選將水溶液的pH設定在10以上。[壓實處理]在本實施方式的製造方法中，優選對顯影處理過的細線結構部14進行壓實(平滑化)處理。由此可顯著增加細線結構部14的導電性。而且，通過適宜地設計細線結構部14的金屬銀部和透光部的面積，可得到同時具有高的導電性和高的透光性的透明導電性薄膜10。此外，優選的是使形成有細線結構部14的支撐體12在浸漬在溫水中之前或使其與水蒸汽接觸之前進行壓實處理。關於壓實處理，例如可通過砑光輥來進行。砑光輥通常由一對輥構成。以下將釆用砑光輥的壓實處理表述為砑光處理。作為砑光處理中所用的輥，可採用環氧、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺等塑料輥或金屬輥。特別是在兩面具有乳劑層的情況下，優選在金屬輥相互間進行處理。在一面具有乳劑層的情況下，從防止皺褶的觀點出發，也能夠規定為金屬輥和塑料輥的組合。關於線壓力的下限值，優選為1960N/cm(200kg/cm)、更優選為2940N/cm(300kg/cm)。關於線壓力的上限值，優選為6860N/cm(700kgf/cm)。這裡，所謂線壓力，指的是對要壓實處理的薄膜試樣的每lcm所施加的力。以砑光輥為代表的平滑化處理的適用溫度優選為IO'C(無調溫)100°C，更優選的溫度因金屬網狀圖案或金屬布線圖案的布線密度或形狀、粘合劑種類而異，但大致在10'C(無調溫)5(TC的範圍。如上所述，根據本實施方式的製造方法，能夠簡便且低成本地製造具有高的導電性的透明導電性薄膜10。在本實施方式中，在採用銀鹽(特別是滷化銀)感光材料的透明導電性薄膜IO的製造方法中，優選在線壓力為1960N/cm(200kgf/cm)以上的高線壓下進行平滑化處理，由此能夠充分降低透明導電性薄膜10的表面電阻。在以如此高的線壓進行平滑化處理的情況下，如果金屬銀部形成細線狀(特別是線寬為25um以下)，可以認為該金屬銀部的線寬被擴寬，難以形成所希望的圖案。可是，在平滑化處理的對象是銀鹽(特別是滷化銀)感光材料的情況下，線寬的擴展小，能夠形成所希望圖案的金屬銀部。也就是說，由於能夠按所希望的圖案形成形狀均勻的金屬銀部，因此能夠抑制次品的發生，能夠更加提高透明導電性薄膜10的生產性。在按上述線壓力進行平滑化處理的情況下，優選用砑光輥進行所述平滑化處理，用一對金屬輥、或金屬輥和樹脂輥的組合進行所述平滑化處理。此時，優選將輥間的表面壓力設定在600kgf/cr^以上，更優選設定在800kgf/cri^以上，進一步優選設定在900kgf/cn^以上。而且優選將此時的上限值設定在2000kgf/cm2以下。[鍍覆處理]在本實施方式中，只要進行上述平滑化處理就可以，但也可以對金屬銀部進行鍍覆處理。通過鍍覆處理能夠更加降低表面電阻，提高導電性。既可以在鍍覆處理的前段也可以在後段進行平滑化處理，但如果在鍍覆處理的前段進行，則能夠使鍍覆處理效率化，並可形成均勻的鍍層。作為鍍覆處理，可以使電解鍍覆也可以是非電解鍍覆。此外，作為鍍層的構成材料，優選為具有充分導電性的金屬，優選為銅。再有，能夠在不脫離本發明的宗旨的範圍內，將本發明與下述公報中公開的技術組合在一起使用。特開2004-221564號公報、特開2004-221565號公報、特開2006-012935號公報、特開2006-010795號公報、特開2006-228469號公報、特開2006-228473號公報、特開2006-228478號公報、特開2006-228480號公報、特開2006-228836號公報、特開2006-267627號公報、特開2006-269795號公報、特開2006-267635號公報、特開2006-286410號公報、特開2006-283133號公報、特開2006-283137號公報。(浸漬在溫水中或與蒸汽接觸的處理)在本實施方式的製造方法中，在將細線結構部14形成在支撐體12上後，使形成有該細線結構部14的支撐體12浸漬在40°C以上的溫水中或使其與水蒸汽接觸。由此能夠在短時間內簡便地提高導電性及透明性。如上所述，關於透明導電性薄膜10的導電性被提高的理由還不確定，但在本實施方式中，認為是通過至少除去一部分水溶性粘合劑使金屬(導電性物質)彼此的結合部位增加的緣故。浸漬支撐體12的溫水的溫度優選為40°C以上IO(TC以下，更優選為60'C10(TC，特別優選為大約8(TC10(rC，這樣可顯著提高導電性。此外，與支撐體12接觸的水蒸汽的溫度優選在1個大氣壓下為IOO'C以上140°C47以下。優選溫水的pH為213，更優選為29，進一步優選為25。在4(TC以上的溫水中或該溫度以上的熱水中的浸漬時間或與蒸氣接觸的時間因使用的水溶性粘合劑的種類而異，但在支撐體12的尺寸為60cmXlm時，優選大約為10秒大約5分鐘的範圍，更優選為大約1分鐘大約5分鐘。在本實施方式的製造方法中，通過曝光及顯影處理直接在支撐體12上形成特定了線寬、開口率、Ag含量的網狀的金屬銀部，因而具有充分的表面電阻，所以不需要再通過對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍覆處理來預先賦予導電性。因此，能夠用簡易的工序製造透明導電性薄膜IO。根據本實施方式的方法製造的透明導電性薄膜10由於電阻低、透光性高，因而能夠廣泛地應用於液晶顯示器、等離子顯示面板、有機EL、無機EL、太陽能電池、接觸面板、印刷電路基板等。通常，分散型電致發光元件用交流電來驅動。典型地，採用IOOV、50Hz至400Hz的交流電源來驅動。在面積小的情況下，亮度與外加電壓以及頻率大致成正比地增加。但是，在是0.251112以上的大面積元件的情況下，元件的電容成分增大，元件和電源的阻抗匹配不吻合，或向元件中蓄積電荷所需的時間常數增加，因此即使高電壓化或尤其是高頻化也容易形成不能充分供給電力的狀態。特別是在0.251112以上的元件中，相對於500Hz以上的交流驅動，經常發生相對於驅動頻率的增大而使外加電壓下降，經常引起低亮度化。對此，採用了本實施方式的第1電極部22的電致發光元件即使在0.25m2以上的大尺寸的情況下，也能進行高頻率的驅動，能夠進行高亮度化。在此種情況下，優選為500Hz以上5KHz以下的驅動，更優選800KHz以上3KHz以下的驅動。以下，通過列舉實施例對本發明進行更具體的說明。再有，以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等可以在不脫離本發明的宗旨的範圍內適宜變更。因此，不應理解為本發明的範圍受以下所示的具體例的限定。首先，對形成於支撐體12上的細線結構部14的特性(表面電阻、膜強度等)進行了評價的第1實施例如以下所示。(乳劑A的調製)1液水750ml明膠(鄰苯二甲醯化處理明膠)20g氯化鈉3g1,3-二甲基-2-亞乙基硫脲20mg苯硫代磺酸鈉10mg檸檬酸0.7g2液水300ml硝酸銀150g3液水300ml氯化鈉38g溴化鉀32g六氯銥(III)酸鉀(0.005%KC120%水溶液)5ml六氯銠酸銨(0.001%NaCl20%水溶液)7ml3液中所用的六氯銥(III)酸鉀(0.005%KC120%水溶液)及六氯銠酸銨(0.001%NaCl20%水溶液)是通過將各自的絡合物粉末分別溶解於KC1的20%水溶液、NaCl的20%水溶液中，在4(TC下加熱120分鐘而調製成的。在保持在38°C、pH4.5的1液中一邊攪拌一邊用20分鐘同時加入相當於2液和3液的各90%的量，形成0.16lim的核粒子。接著用8分鐘加入下記4液、5液，再用2分鐘加入2液和3液的剩餘的10%的量，使其生長到0.21um。然後，加入碘化鉀0.15g，熟化5分鐘，結束粒子形成。4液49水100ml硝酸銀50g5液水100ml氯化鈉13g溴化鉀llg亞鐵氰化鉀5mg然後，按照常規方法，用絮狀沉澱法進行水洗。具體是，將溫度降到35°C，採用硫酸使pH降低到滷化銀沉降的程度(為pH3.6士0.2的範圍)。接著，將上清液除去大約3升(第l水洗)。再加入3升蒸餾水，然後加入硫酸直到滷化銀沉降。再次，將上清液除去大約3升(第2水洗)。再重複一次與第2水洗相同的操作(第3水洗)，然後結束水洗及脫鹽過程。將水洗及脫鹽後的乳劑調整到pH6.4、pAg7.5，加入苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸鈉15mg和氯金酸10mg，在55°。下實施化學增敏以得到最佳的感度，作為穩定劑，加入1,3，3a,7-四氮茚100mg，作為防腐劑，加入7。口年ir》(商品名，ICICo.,Ltd.制)100mg。最終得到含有氯化銀70摩爾％、碘化銀0.08摩爾％的平均粒徑為0.22lim、變動係數為9。/。的碘氯溴化銀立方體粒子乳齊U。最終的乳劑為pH-6.4、pAg-7.5、導電率-40uS/m、密度-1.2Xl3kg/m3、粘度-60mPas。(乳劑B的調製)除了在乳劑A的調製中將1液的明膠量規定為8g之外，按相同的條件調製乳劑，將其作為乳劑B。(塗布試樣的製作)在上述乳劑A、B中加入增敏色素(sd-l)5.7X10—4摩爾/摩爾Ag，實施分光增敏。再加入KBr3.4X10—4摩爾/摩爾Ag、化合物(Cpd-3)8.0X10—A摩爾/摩爾Ag，充分混合。接著，添加1,3，3a,7-四氮茚1.2X10—4摩爾/摩爾Ag、對苯二酚1.2X10^摩爾/摩爾Ag、檸檬酸3.0X10"^摩爾/摩爾Ag、按90mg/n^添加2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉鹽，相對於明膠添加15wt。/。的粒徑為10Um的膠體二氧化矽、按50mg/m2添加水性膠乳(aqL畫6)，按100mg/m2添加聚丙烯酸乙酯膠乳，按100mg/i^添加甲基丙烯酸酯與2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸鈉鹽與甲基丙烯酸2-乙醯氧基乙酯的膠乳共聚物(重量比為88:5:7)，按100mg/i^添加芯殼型膠乳，芯苯乙烯/丁二烯共聚物(重量比為37/63),殼苯乙烯/丙烯酸2-乙醯氧基乙酯(重量比為84/16、芯/殼比=50/50)，相對於明膠添加4wt。/。的化合物(Cpd-7)，採用檸檬酸將塗布液的pH調整到5.6。採用乳劑A，將按如上所述調製的乳劑層塗布液塗布在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)上，使得Ag為10.5g/m2，明膠為0.94g/m2，然後進行千燥，將其作為塗布試樣A。此外，釆用乳劑B，將按如上所述調製的乳劑層塗布液塗布在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)上，使得Ag為10.5g/m2，明膠為0.33g/m2，然後進行乾燥，將其作為塗布試樣B。作為PET，採用預先進行了表面親水化處理的PET。,萍o丫Y51formulaseeoriginaldocumentpage52關於得到的塗布試樣A，其乳劑層的Ag/粘合劑體積比率(銀/GEL比(vol))為1/0.7，符合本發明的導電膜形成用感光材料中優選採用的Ag/粘合劑比率為1/1以上(參照實施例1、2、比較例1及2)。關於塗布試樣B，其乳劑層的Ag/粘合劑體積比率(銀/GEL比(vol))為4/1，符合本發明的導電膜形成用感光材料中更優選採用的Ag/粘合劑比率為2/1以上(參照實施例3、4、比較V」3)。而且，製成了明膠量變化的試樣，製成了實施例511。(曝光及顯影處理)接著，採用以高壓水銀燈為光源的平行光，經由光掩模對乾燥了的塗布膜進行曝光，該光掩模的格子狀的光掩模線/間隙-195um/5um(間距200Pm)，且間隙為格子狀，可提供線/間隙-5Pm/195um的顯影銀像。用下述顯影液顯影，進而在釆用定影液(商品名CN16X用N3X-R，富士照相膠片公司制)進行了顯影處理後，用純水衝洗，得到線寬及開口率不同的試樣a及b。關於塗布試樣A，將製成的試樣作為A-a(參照比較例1及實施例1)、A-b(參照比較例2及實施例2),關於塗布試樣B，將製成的試樣作為B-a(參照比較例3、實施例3及4)、B-b(實施例5)。此外，還製作了整面曝光的試樣(參照比較例7、實施例13及14)。在l升的顯影液中，含有以下的化合物。對苯二酚0.037mol/LN-甲基氨基苯酚0.016mol/L0.140mol/L0.360mol/L0.031mol/L0.187mol/L偏硼酸鈉氫氧化鈉溴化鈉偏亞硫酸氫鈉(砑光處理)對按如上所述顯影處理過的試樣進行了砑光處理。砑光輥由金屬輥(鐵心+鍍硬鉻，輥直徑為250mm)形成，施加從1960N/cm(200kgf/cm，如果換算成表面壓力，則為700kgf/cm2)到7840N/cm(800kgf/cm，如果換算成表面壓力，則為1850kgf/cm2)的線壓力，使試樣通過輥間，測定了處理前後的表面電阻率(歐姆/sq)。在本實施例的情況下，如果將線壓力lOOkgf/cm換算成表面壓力，則為417kgf/cm2，如果將線壓力200kgf/cm換算成表面壓力，則為700kgf/cm2，如果將線壓力300kgf/cm換算成表面壓力，則為936kgf/cm2，如果將線壓力600kgf/cm換算成表面壓力，則為1519kgf/cm2。將試樣A-a的砑光處理前作為A-a-1(比較例1)，將處理後作為A-a-2(實施例l)，將試樣A-b的砑光處理前作為A-b-1(比較例2)，將處理後作為A-b-2(實施例2)。將試樣B的砑光處理前作為B-a-l(比較例3)，將處理後作為B-a-2(實施例3)。關於得到的試樣B-a-2(實施例3)，其金屬銀部的Ag/非導電性高分子的體積比為3.1/1，此外，密度為8.5g/cm3，厚度為1.2^1111，符合本發明的導電膜中優選採用的金屬銀部的Ag/非導電性高分子的體積比為3/1以上、厚度為0.5um5ixm。(黑化處理)接著，對形成有網狀的銀圖像的透明薄膜，在具有以下組成的黑化鍍液中，以碳為陽極電極進行電鍍。黑化鍍覆處理中的鍍覆處理液如下。[黑化液組成]硫酸鎳六水合鹽120g53硫代氰酸銨17g硫酸鋅七水合鹽28g硫酸鈉16g加入純水1LpH為5.0，用硫酸和氫氧化鈉(調整pH)[鍍覆條件]液溫大約30'C時間20秒陰極電流密度0.10.2A/dm2相對於陰極(35mmX12cm)整體，電流為0.03A將試樣B-a-2(實施例3)的上述黑化處理試樣作為B-a-3(實施例4)。(比較例46)為了與以往所知中的導電性最高、且透光性高的技術相比較，作為上述以往技術部分的"利用照相術的刻蝕加工銅網"的代表，製作了特開平10-41682號公報中記載的金屬網，作為比較例4的試樣。通過進行與特開平10-41682號公報中的實施例相同的實驗，製成了該試樣(比較例4)。再有，為了使其網形狀線寬、間距與本發明的試樣一致，採用了與上述相同的間距為200ym的光掩模。此外，作為上述以往技術部分的"印刷了銀漿料的網"的代表，製作了特開2000-13088號公報記載的金屬網，製作了開口率不同的比較例5及6的試樣。對如此得到的具有導電性金屬部和透光部的本發明的試樣及比較例的試樣的導電性金屬部的線寬進行了測定，求出了開口率，而且測定了表面電阻率(歐姆/sq)。再有，在各測定中，採用了光學顯微鏡、掃描式電子顯微鏡及低電阻率計。此外，目視評價了網的金屬部的顏色，將黑色的表示為"〇"，將褐色至灰色的表示為"X"。另外，關於製造方法中的工序數，將具有工序數在5以下的評價為"〇"，將需要工序數超過5的評價為"X"。此外，按以下方法進行了膜強度的評價。採用直徑為0.1mmct)的藍寶石針，以lcm/秒的速度在形成有網金屬部的一面側進行劃痕。使藍寶石針的負荷在0100g的範圍內變化，而且將劃傷達到基板時的負荷作為膜強度的尺度。開始產生劃傷的負荷在80g以上〇開始產生劃傷的負荷在50g以上且低於80gX:開始產生劃傷的負荷在20g以上且低於50g評價結果與各試樣的數據一同示於表1。tableseeoriginaldocumentpage56由表1得知，比較例4的刻蝕銅網的網顏色為褐色，工序數也為多工序。另外，比較例5的印刷了銀漿料的網因其線寬粗而使開口率低。在此種情況下，如比較例6所示，雖然能夠擴大間距而提高開口率，但出現了表面電阻率增大的新問題。相對於此，實施例1及2沒有出現上述比較例中見到的問題，線寬細，幾乎沒有從原來的線寬擴展，開口率高，而且表面電阻率低，電磁波屏蔽能力高。更優選的方式的實施例4由於網的金屬部是黑色，因而可避免對顯示器的圖像的不良影響、對比度下降。此外，製造時的工序數少，是短工序。而且，可知實施例14的膜強度高，在處理時也不易產生網部的缺陷、剝離，在質量上可靠性高。關於變化了明膠量的實施例58，線寬比實施例14稍大。可是，由於即使擴大間距而提高開口率，表面電阻率也低，因此能夠使開口率比實施例14大。此外，膜強度大，可靠性高。整面曝光的比較例7的表面電阻率低而比較優良，但膜強度低，在可靠性上存在問題。另一方面，整面曝光的實施例13及14與比較例7相比，表面電阻率低，而且膜強度高，在可靠性上也充分。再有，關於實施例911，表面電阻率高於2.5(歐姆/sq)，在導電性上不太充分，但膜強度高，在可靠性上比較充分。上述表1所示的實施例114中，在顯影后進行砑光處理、進而在定影后進行砑光處理的實施例14的表面電阻率為0.08(歐姆/sq)，表示出最低的值。因而，對顯影后的砑光處理及定影后的砑光處理中的線壓力與表面電阻率的關係進行了研究。其結果見圖IO所示。關於試樣，與上述的試樣B-a-2(參照實施例3)相同，在與上述同樣地進行了曝光、顯影后，用純水衝洗l分鐘，然後進行40'C的乾燥處理。接著，進行顯影后的砑光處理，其後採用定影液(商品名CN16X用N3X-R,富士照相膠片公司制)進行定影處理，接著用純水衝洗2分鐘，然後進行乾燥處理，進行定影后的砑光處理。作為砑光處理中所用的砑光輥，準備兩種，l種是由表面進行了壓花加工的金屬輥和進行了鏡面加工的金屬輥組合而成的第1砑光輥，另一種是由表面進行了鏡面加工的金屬輥與樹脂制的輥組合而成的第2砑光輥。通過第1砑光輥改變線壓力地進行砑光處理(顯影后及定影后)時的表面電阻率的變化用菱形的標繪點表示，通過第2砑光輥改變線壓力地進行砑光處理(顯影后及定影后)時的表面電阻率的變化用四角形的標繪點表示。從圖10得知，當在顯影后及定影后分別進行砑光處理時，幾乎不依賴砑光輥的種類，作為線壓力只要在200(kgf/cm)以上，就能得到1.8(歐姆/sq)以下的表面電阻率。此外，由於線壓力在700(kgf/cm)以下時，表面電阻率出現微小的上升，因此優選將700(kgf/cm)以下作為上限。接著，在第3實施例中對透明導電性薄膜10的特性(透射率、體積電阻、表面電阻、可撓性等)進行了評價。該第3實施例如以下所示。l.擔載有細線結構部14的支撐體12的製作(乳劑的調製)由於與第l實施例的乳劑A相同，因此這裡省略其重複說明。(塗布試樣的製作)由於與在第i實施例中說明的事項相同，與採用了乳劑A的塗布試樣A相同，因此這裡省略其重複說明。所得到的塗布試樣的乳劑層的Ag/粘合劑體積比率為1/0.7，符合本發明中優選採用的Ag/粘合劑體積比率為1/4以上。(曝光及顯影處理)接著，採用以高壓水銀燈為光源的平行光，經由光掩模對乾燥了的塗布膜進行曝光，該光掩模可提供線/間隙=10um/300um的顯影銀像，且間隙為格子狀，用下述顯影液顯影。進而在採用定影液(商品名CN16X用N3X-R,富士照相膠片公司制)進行了顯影處理後，用純水衝洗。採用上述處理劑對曝光、顯影完的感光材料進行25t下20秒的顯影、25-C下20秒的定影、流水(5L/min)20秒的水洗處理，且按照顯影、水洗、乾燥、壓實處理、定影、水洗、乾燥、壓實處理的順序進行。採用裝58備有金屬輥的砑光輥裝置，施加3920N/cm(400kgf/cm)的線壓，使試樣通過輥之間，如此進行壓實處理。2.導電膜16的塗覆在按如上所述形成的細線結構部14上，通過棒塗機，改變塗布量地如表1所示塗布由下述導電性聚合物形成的透明性導電膜16，製作了透明導電性薄膜(實施例2123)。迸而，在沒有細線結構部14的PET基板上進行相同厚度的塗布，達到與實施例2123相同的膜厚，製成比較例2123。作為導電性聚合物，採用TAChemical株式會社的導電性聚合物BaytronPEDOT(聚乙烯二氧噻吩)。乾燥在室溫下通過自然乾燥來進行。同樣，將只形成有細線結構部14的試樣作為比較例24，將採用了ITO薄膜的試樣作為比較例25。3.電致發光元件的製作將按以上製作的透明導電性薄膜(實施例2123、比較例2125)按以下方式組裝在無機分散型EL(電發光)元件中，進行了發光試驗。在成為背面電極的鋁薄板上塗布含有平均粒子尺寸為0.03um的顏料的反射絕緣層和螢光體粒子為5060um的發光層，採用溫風乾燥機在110'C下乾燥1小時。然後，將透明導電性薄膜10重合、熱壓接在螢光體層及內面電極的電介質層表面上，製成EL元件。用2塊由尼龍6形成的吸水性薄片和2片防潮薄膜夾著EL元件進行熱壓接。EL元件的尺寸為3cmX5cm或A4尺寸。4.評價(試樣的表面電阻/透射率)對實施例2123、比較例2125的表面電阻、及相對于波長為550nm的光的透射率進行了測定。(試樣的亮度)採用3cmX5cm的試樣，對進行峰值電壓為100V、頻率為lkHz的驅動時的初期亮度進行了評價。(可撓性的評價)求出了上述彎曲試驗中的試樣(實施例2123、比較例2125)的表面電阻的上升率K。表面電阻的上升率K在將進行彎曲試驗前的試樣的表面電阻設為R1、將進行了彎曲試驗後的試樣的表面電阻設為R2時，按K-R2/Rl求出。彎曲試驗是如圖11所示，通過重複進行以下工序使試樣34彎曲100次，所述工序是將試樣34(實施例2123、比較例2125)掛在相對於基座30旋轉自如地安裝的直徑為4mm的輥32上，對試樣34的一個端部34a按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使輥32旋轉，從而使試樣34彎曲的工序;和對試樣34的另一個端部34b按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使輥32旋轉，從而使試樣34彎曲的工序。關於評價，在表面電阻的上升率〖為1.2以下時表示為〇，為1.210時表示為A，為10以上時表示為X。(結果l)實施例2123、比較例2125的透射率、細線結構部14的表面電阻、導電膜16的表面電阻、強度及可撓性的評價結果如表2所示。表2tableseeoriginaldocumentpage60該評價結果表明，比較例24(只有細線結構部)的表面電阻比比較例25(只有ITO膜)低。但如圖12A所示，只在細線的附近發光，開口部不發光，因此亮度顯著降低。相對於此，如實施例2123那樣，當在細線結構部14上附加導電膜16的情況下，如圖12B所示，確認了整面發光。此外，在採用了表面電阻為105歐姆/叫的導電膜16時，確認了在比較例23中不發光，但在實施例23中整面發光。在按上述所示製作的試樣中，對A4尺寸的試樣(實施例23、比較例21、24、25)按峰值電壓50V、頻率1.4kHz進行驅動，如圖13所示，在由Ag漿料形成的母線上設置取出電極，通過變化與取出電極的距離進行了亮度的測定，求出了以取出電極附近(基準點)的亮度為基準(=1)時的亮度比。基準點離母線的最短距離為10mm，測定點離母線的最短距離為50mm、100mm、150mm、200mm、250mm。圖14示出了測定結果。該結果表明，只有導電膜的比較例21隨著離取出電極的距離加大，亮度減小。比較例24(只有細線結構部)幾乎沒有離取出電極的距離所造成的亮度的下降，亮度大致穩定，但如上所述，在比較例24中，如圖12A所示，存在不能面發光的問題。在採用ITO膜的比較例25中，直到200mm的測定點都幾乎沒有亮度的減少，但在250mm的測定點，亮度急劇下降。與此相對照，在實施例23中，幾乎沒有離取出電極的距離所造成的亮度的下降，亮度大致穩定。而且如圖12B所示，實現了整面發光。接著，對以下所示的試樣16進行了上述的彎曲試驗，按與上述相同的評價標準(表面電阻的上升率K)評價了可撓性。試樣1是通過濺射形成ITO膜，表面電阻為300歐姆/sq的ITO薄膜。試樣2是採用由PEDOT形成的導電膜16製作透明導電性薄膜，試樣3是只有細線結構部14的透明導電性薄膜，該細線結構部14是通過對支撐體12上具有含感光性銀鹽的層的感光材料進行曝光及顯影而形成的。試樣4是具有細線結構部14和導電膜16的透明導電性薄膜，其在製造過程中進行了砑光處理，而且在溫水中進行了浸漬處理。試樣5是在支撐體12的上表面整面上具有導電膜16的透明導電性薄膜，其在製造過程中進^1了砑光處理，而且在溫水中進行了浸漬處理。試樣6是在支撐體12的上表面整面上具有導電膜16的透明導電性薄膜，其在製造過程中進行了砑光處理，但沒有在溫水中進行浸漬處理。表3及圖15示出了評價結果。61表3tableseeoriginaldocumentpage62採用了ITO膜的試樣1顯示出上升率為18480.33的非常高的上升率。與此相對照，在試樣26中，上升率在2以下。再有，試樣2中沒有電阻值的上升，相反，儘管程度微小，卻有電阻的下降。如此得知，如試樣l所明示的，使用了ITO膜的透明導電性薄膜的可撓性不充分。再有，本發明中的自發光顯示裝置、自發光顯示裝置的製造方法、透明導電性薄膜、電致發光元件、太陽能電池用透明電極及電子紙用透明電極並不局限於上述的實施方式，當然能夠在不脫離本發明的宗旨的條件下採取多種構成。權利要求1、一種自發光顯示裝置，其特徵在於，具備支持體(12)，電極部(22)，其設置在該支持體(12)上，且具有由導電性金屬形成的細線結構部(14)和透光性的導電膜(16)，和顯示部(24)，其層疊在所述電極部(22)上且具有發光層(26)；所述電極部(22)的所述細線結構部(14)的體積電阻為10-4歐姆·cm以下及/或表面電阻為100歐姆/sq以下，所述導電膜(16)的體積電阻為0.05歐姆·cm以上及/或表面電阻為100歐姆/sq以上；在將進行下述彎曲試驗前的所述電極部(22)的表面電阻設定為R1、將進行了下述彎曲試驗後的所述電極部(22)的表面電阻設定為R2時，滿足R2/R1<18；彎曲試驗是通過重複進行以下工序使所述電極部(22)彎曲100次，所述工序是將所述電極部(22)掛在相對於基座(30)旋轉自如地安裝的直徑為4mm的輥(32)上，對所述電極部(22)的一個端部(34a)按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥(32)旋轉，從而使所述電極部(22)彎曲的工序；和對所述電極部(22)的另一個端部(34b)按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥(32)旋轉，從而使所述電極部(22)彎曲的工序。2、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述細線結構部(14)的體積電阻為5X10—s歐姆'cm以下及/或表面電阻為50歐姆/sq以下，所述導電膜(16)的體積電阻為0.5歐姆，cm以上及/或表面電阻為1000歐姆/sq以上。3、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述細線結構部(14)的體積電阻為2X10—5歐姆cm以下及/或表面電阻為10歐姆/sq以下，所述導電膜U6)的體積電阻為1歐姆，cm以上及/或表面電阻為10000歐姆/sq以上。4、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述導電膜(16)含有導電性材料。5、根據權利要求4所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電性材料含有透明導電性有機聚合物、或導電性微粒。6、根據權利要求5所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電性微粒是導電性金屬氧化物、導電性金屬微粒或碳納米管。7、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述細線結構部(14)的厚度即高度為lO"m以下。8、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述細線結構部(14)的厚度即高度與所述導電膜(16)實質上相同。9、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述導電膜(16)被設置在所述細線結構部(14)的上表面或下表面。10、根據權利要求1所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的光的透射率相對於550nm的光為70%以上。11、根據權利要求l所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述細線結構部(14)由導電性金屬銀形成，該導電性金屬銀是通過對在所述支持體(12)上至少具有含感光性銀鹽的層(44)的感光層進行曝光、顯影處理而形成的。12、根據權利要求ll所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述電極部(22)的所述細線結構部(14)含有銀，且Ag/粘合劑的體積比為1/4以上。13、根據權利要求ll所述的自發光顯示裝置，其特徵在於-所述電極部(22)的所述細線結構部(14)可通過對導電性金屬銀進行壓實處理來得到，該導電性金屬銀是通過對在所述支持體(12)上具有含感光性銀鹽的層(44)的感光材料進行曝光、顯影處理而形成的。14、根據權利要求13所述的自發光顯示裝置，其特徵在於所述壓實處理通過砑光輥裝置來進行。15、一種透明導電性薄膜，其具有支持體(12)、設置在該支持體(12)上且由導電性金屬形成的細線結構部(14)、和透光性的導電膜(16)，其特徵在於所述細線結構部(14)的體積電阻為10^歐姆'cm以下及/或表面電阻為100歐姆/sq以下，所述導電膜(16)的體積電阻為0.05歐姆"m以上及/或表面電阻為100歐姆/sq以上；在將進行下述彎曲試驗前的所述透明導電性薄膜的表面電阻設定為Rl、將進行了下述彎曲試驗後的所述透明導電性薄膜的表面電阻設定為R2時，滿足R2/RK18;彎曲試驗是通過重複進行以下工序使所述透明導電性薄膜彎曲100次，所述工序是將所述透明導電性薄膜掛在相對於基座(30)旋轉自如地安裝的直徑為4mm的輥(32)上，對所述透明導電性薄膜的一個端部(34a)按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥(32)旋轉，從而使所述透明導電性薄膜彎曲的工序；和對所述透明導電性薄膜的另一個端部(34b)按每米寬施加28.6(kg)的張力進行拉伸，同時使所述輥(32)旋轉，從而使所述透明導電性薄膜彎曲的工序。16、根據權利要求15所述的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部(14)含有密度為8.0g/cm310.5g/cm3的銀。17、根據權利要求15所述的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部(14)的厚度為0.5um10um。18、根據權利要求15所述的透明導電性薄膜，其特徵在於所述細線結構部(14)為細線圖案，其線寬為0.1um25um。19、一種透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於通過對支持體上具有至少包含含感光性滷化銀的層的照相構成層的感光材料進行曝光、顯影處理，在所述支持體上形成由導電性金屬形成的細線結構部，並將該細線結構部和透明性的導電膜組合。20、根據權利要求19所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:所述電極部的所述細線結構部含有銀，且Ag/粘合劑的體積比為1/4以上。21、根據權利要求19所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:具有對所述細線結構部進行壓實處理的壓實處理工序。22、根據權利要求21所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:所述壓實處理通過砑光輥裝置來進行。23、根據權利要求21所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:在1980N/cm(200kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。24、根據權利要求21所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:在2960N/cm(300kgf/cm)以上的線壓力下進行所述壓實處理。25、根據權利要求21所述的透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於:在6860N/cm(700kgf/cm)以下的線壓力下進行所述壓實處理。26、一種電致發光元件，其特徵在於具有權利要求15所述的透明導電性薄膜。27、一種太陽能電池用透明電極，其特徵在於具有權利要求15所述的透明導電性薄膜。28、一種電子紙用透明電極，其特徵在於具有權利要求15所述的透明導電性薄膜。全文摘要一種自發光顯示裝置(20)，其具備支撐體(12)、第1電極部(22)和顯示部(24)，所述第1電極部(22)設置在該支撐體(12)上且具有由導電性金屬形成的細線結構部(14)和透光性的導電膜(16)；所述顯示部(24)層疊在該第1電極部(22)上且具有發光層(26)。第1電極部(22)的細線結構部(14)的體積電阻為10-4歐姆·cm以下及/或表面電阻為100歐姆/sq以下，導電膜(16)的體積電阻為0.05歐姆·cm以上及/或表面電阻為100歐姆/sq以上，在將進行彎曲試驗前的第1電極部(22)的表面電阻設定為R1、將進行了彎曲試驗後的第1電極部(22)的表面電阻設定為R2時，滿足R2/R1＜18。文檔編號G09F9/30GK101512682SQ20078003319公開日2009年8月19日申請日期2007年9月28日優先權日2006年9月28日發明者一木晃,德永司,慄城匡志,楠岡亮申請人:富士膠片株式會社