半導體存儲裝置及其製造方法

2023-09-21 21:31:40 2

專利名稱：半導體存儲裝置及其製造方法
技術領域：
本實施方式一般涉及半導體存儲裝置及其製造方法。
背景技術：
近年來，作為便攜電話機和/或個人計算機等外部設備的存儲裝置，大多使用半導體存儲裝置，該半導體存儲裝置使用了 NAND型閃速存儲器等存儲元件。作為由電子設備所使用的半導體存儲裝置，能夠例示半導體存儲卡。在半導體存儲裝置中，在形成有外部端子的布線基板(有機基板)上搭載半導體存儲器晶片和/或控制器晶片等半導體晶片。半導體晶片的電極應用弓I線接合法與布線基板的連接焊盤電連接，進而以覆蓋半導體晶片整體的方式被進行樹脂封裝。在這樣的現有技術中，期望抑制有機基板的使用量，實現製造成本的抑制。

發明內容
本發明的實施方式提供能夠抑制有機基板的使用量、實現製造成本的抑制的半導體存儲裝置。根據實施方式，半導體存儲裝置具備有機基板，其在一個面設置有外部連接端子；以及半導體存儲器晶片，該半導體存儲裝置能夠插入於外部設備。半導體存儲裝置進一步具備引線框架，其具有載置半導體存儲器晶片的載置部及以朝向從載置部向外部設備的插入方向側延伸的方式形成並且粘接於有機基板的另一個面的粘接部；以及樹脂模製部，其使外部連接端子露出而封裝有機基板、引線框架及半導體存儲器晶片，並且其俯視基本呈方形形狀。有機基板被單片化為在粘接於粘接部的狀態下、俯視與載置部幾乎不重疊的形狀。粘接部在插入方向的端部形成於樹脂模製部內。引線框架在粘接部中，進一步具有第1延伸部，該第1延伸部延伸至樹脂模製部的與插入方向側的面不同的面。根據本發明的實施方式，能夠抑制有機基板的使用量，實現半導體存儲裝置的製造成本的抑制。


圖1是表示實施方式所涉及的半導體存儲裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導體存儲裝置的外觀的仰視圖。圖3是示意性地表示圖1所示的半導體存儲裝置的內部結構的圖。圖4是表示圖1所示的半導體存儲裝置的沿A-A線的剖面結構的橫剖面圖。圖5是有機基板的仰視圖。
圖6是引線框架的俯視圖。圖7是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的流程圖。圖8是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。圖9是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。圖10是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。圖11是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。圖12是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。圖13是用於說明半導體存儲裝置的製造工序的圖。
具體實施例方式以下參照附圖，對實施方式所涉及的半導體存儲裝置及其製造方法詳細地進行說明。另外，本發明並不由該實施方式所限定。圖1是表示第1實施方式所涉及的半導體存儲裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導體存儲裝置的外觀的仰視圖。圖3是示意性地表示圖1所示的半導體存儲裝置的內部結構的圖。圖4是表示圖1所示的半導體存儲裝置的沿A-A線的剖面結構的橫剖面圖。半導體存儲裝置10插入設置於個人計算機和/或數位照相機等外部設備的插槽而使用。半導體存儲裝置10作為外部存儲裝置而起作用。另外，半導體存儲裝置10的插入方向設定為由箭頭X所圖示的方向。半導體存儲裝置10具備有機基板11、引線框架13、半導體存儲器晶片15、控制器晶片16、電子部件17、樹脂模製部18。半導體存儲裝置10如圖1、2所示，以使外部連接端子19露出於底面側的狀態，其外周被樹脂模製部18所覆蓋。半導體存儲裝置10通過被樹脂模製部18所覆蓋，俯視基本呈方形形狀。有機基板11在例如絕緣性樹脂基板的內部和/或表面設置有布線網，且其兼作元件搭載基板和端子形成基板。作為這樣的有機基板11，可使用印刷布線板，該印刷布線板使用了玻璃環氧樹脂和/或BT樹脂(雙馬來醯亞胺三嗪樹脂)等。雖然詳細的圖示省略，但是有機基板11為多層結構，存在由各層所使用的材料不相同的情況。圖5是有機基板11的仰視圖。在有機基板11的底面(一個面)11a，設置包括金屬層的外部連接端子19。外部連接端子19為半導體存儲裝置10插入外部設備時的半導體存儲裝置10的輸入輸出端子。有機基板11被單片化為，在俯視半導體存儲裝置10的內部結構的情況下，與後述的引線框架13的載置部21幾乎不重疊的形狀(也參照圖9)。換言之，可以認為，在俯視的情況下，相比於有機基板11與載置部21相重疊的部分，有機基板 11與存儲器晶片載置部(載置部)21不相重疊的部分這一方要大。有機基板11的上面lib (另一個面)，為搭載控制器晶片16和/或電子部件17的搭載面。因此，有機基板11的上面lib的面積比從上面觀察控制器晶片16和/或電子部件 17所見的面積大。在有機基板11的上面11b，形成有多個連接焊盤(沒有圖示)。連接焊盤與外部連接端子19之間和/或連接焊盤彼此之間，經由有機基板11的內部布線(通孔等)電連接。通過將半導體存儲器晶片15和/或控制器晶片16的電極焊盤(沒有圖示) 與連接焊盤電連接，來將半導體存儲器晶片15、控制器晶片16、外部連接端子19等各要素電連接。
這裡，多個連接焊盤之中連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤，與外部端子的排列方向大致平行地配置。另外，多個連接焊盤之中連接於控制器晶片16的連接焊盤，配置於控制器晶片16的電極焊盤附近。其結果，能夠用金屬線27直接連接半導體存儲器晶片15的電極焊盤與配置在有機基板11的上面lib的連接焊盤。另外，能夠用金屬線觀直接連接控制器晶片16的電極焊盤與配置在有機基板11的上面lib的連接焊盤。另外，通過將連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤及連接於控制器晶片16的連接焊盤配置在半導體存儲器晶片15的電極焊盤與控制器晶片16的電極焊盤之間，能夠縮短連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤與控制器晶片16的距離。其結果，能夠以低電阻連接半導體存儲器晶片15與控制器晶片16。另外，有機基板11的連接焊盤的配置並不限於上述的情況。 例如，在使控制器晶片16從圖3所示的配置旋轉了 180度的情況下，連接於控制器晶片16 的連接焊盤配置為，相對於連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤將控制器晶片16夾於中間。另外，多個連接焊盤之中電連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤的間距，為大致80 150 μ m左右，電連接於控制器晶片16的連接焊盤的間距為大致50 120 μ m左右。 即，電連接於控制器晶片16的連接焊盤的間隔這一方比電連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤的間隔小。圖6是引線框架13的俯視圖。在圖6中，以二點劃線表示半導體存儲裝置10的外形、即樹脂模製部18的外形。引線框架13使用比有機基板11所使用的材料相對廉價的通用材料、例如42 Alloy(鐵鎳合金)和/或銅。引線框架13具有載置部21、基板粘接部 22和連結部23。載置部21是用於載置半導體存儲器晶片15的區域。在載置部21的周圍，以從載置部21起延伸的方式形成有基板粘接部22和/或連結部23。基板粘接部22形成為，朝向構成樹脂模製部18的外形的面之中由箭頭X表示的插入方向側的面18a而延伸。此外，基板粘接部22在與有機基板11相粘接的狀態下以不到達插入方向側的面18a的長度形成。 換言之，可以認為，基板粘接部22在插入方向側的端部存在於有機基板11 (樹脂模製部12 內)。另外，在以下的說明中，存在將與插入方向側的面18a相交叉的面稱為18b、將與面 18a相對向的面稱為面18c的情況。基板粘接部22是使用粘接劑粘接於有機基板11的上面lib的區域。通過將基板粘接部22粘接於有機基板11的上面11b，載置部21被定位於俯視與有機基板11幾乎不重
疊的位置。此外，存在將基板粘接部22中的連結部稱為連結部23c的情況。該連結部23c與基板粘接部22在插入方向側的端部相比，存在於靠面18c側。另外，連結部23c在插入方向側的端部與基板粘接部22在插入方向側的端部的位置也可以相等。此外，該連結部23c 形成為朝向面18b延伸。此外，載置部21與有機基板11雖然俯視幾乎不重疊，但是有在一部分區域相互重疊的部分。在該重疊的部分，載置部21與有機基板11也接合。通過將載置部21接合於有機基板11，有機基板11與引線框架13的接觸面積變大。從而，相比於僅由基板粘接部22 與有機基板11相粘接的情況，能夠強化有機基板11與引線框架13的粘接力。另外，在載置部21與有機基板11相重疊的部分也可以使用粘接劑進行粘接。其結果，能夠進一步強化有機基板11與引線框架13的粘接力。連結部23形成為，從載置部21和/或基板粘接部22朝向半導體存儲裝置10的外部、即後述的樹脂模製部18的外部延伸。如圖6所示，在引線框架13，形成有多個連結部 23。連結部23在半導體存儲裝置10的製造階段使多個引線框架13彼此相連結。這樣，通過使多個連結部23相連結，能夠一併地製造多個半導體存儲裝置10。在第1實施方式中， 以朝向俯視基本呈方形形狀的半導體存儲裝置10的4個面之中除了插入方向側的面18a 之外的3個面延伸的方式，形成多個連結部23。此外，在俯視構成樹脂模製部18的外形的4個面之中至少1個面，以朝向該1個面延伸的方式設置有2個以上的連結部23。連結部23包括餘留部13a和延伸部1 而構成。餘留部13a為從半導體存儲裝置10的外形伸出的部分，最終會被切斷而除去。延伸部1 不從半導體存儲裝置10的最終的外形伸出，其構成半導體存儲裝置10的一部分。通過除去餘留部13a，延伸部1 形成為，相對於載置部21及基板粘接部22，延伸至樹脂模製部18的與插入方向側的面18a不相同的面(面18b、18c)。另外，形成於基板粘接部22且延伸至面18b的延伸部1 為第1 延伸部，從載置部21延伸至面18c的延伸部1 為第2延伸部。連結部23形成為，與其靠載置部21和/或基板粘接部22側的根基部相比，其與半導體存儲裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細。尤其是，在第1實施方式中形成為， 在與半導體存儲裝置10的外部的邊界部分的附近變細。半導體存儲器晶片15是NAND型閃速存儲器等存儲元件。半導體存儲器晶片15在其1邊具有多個電極焊盤。半導體存儲器晶片15的電極焊盤的間距為大於等於大致80μπι 左右，有機基板11的多個連接焊盤之中電連接於半導體存儲器晶片15的連接焊盤與半導體存儲器晶片相一致，形成為大致80 150 μ m的間距。在載置部21上，層疊多個半導體存儲器晶片15。多個半導體存儲器晶片15之中最下層的半導體存儲器晶片15，相對於載置部21通過粘接材料25而粘接。作為粘接材料25，例如使用一般的以聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。通過在粘接於載置部21的最下層的半導體存儲器晶片15上，以階梯狀粘接其他的半導體存儲器晶片15，可層疊多個半導體存儲器晶片15。通過將半導體存儲器晶片15 層疊為階梯狀，能夠使設置在半導體存儲器晶片15的一邊側的電極焊盤露出。另外，以各個半導體存儲器晶片15的配置有電極焊盤的邊與有機基板11相對向的方式進行層疊。該露出了的電極焊盤用Au線等金屬線27與有機基板11的連接焊盤電連接(引線接合)。控制器晶片16搭載於有機基板11的上面lib。控制器晶片16從多個半導體存儲器晶片15選擇進行數據的寫入和/或讀出的半導體存儲器晶片15。控制器晶片16進行向所選擇的半導體存儲器晶片15的數據的寫入和/或存儲在所選擇的半導體存儲器晶片 15中的數據的讀出等。在控制器晶片16的上面，形成有電極焊盤(沒有圖示)。另外，控制器晶片16的多個電極焊盤配置在控制器晶片16的周邊。控制器晶片16所具有的電極焊盤的數量比半導體存儲器晶片15所具有的電極焊盤的數量多。另外，控制器晶片16所具有的電極焊盤的間距為大致30 100 μ m左右，比有機基板11的多個連接焊盤之中電連接於控制器晶片16的連接焊盤的間隔窄。控制器晶片16的電極焊盤與有機基板11的連接焊盤由金屬線觀引線接合。電子部件17搭載於有機基板11的上面lib。電子部件17例如是晶片電容器和/ 或電阻和/或電感器。在此，通過將電子部件17配置在有機基板11上，無需用金屬線連接， 而可經由有機基板的內部布線與半導體存儲器晶片15和/或控制器晶片16電連接。其結果，能夠降低半導體存儲裝置10的寄生電容、寄生電阻。樹脂模製部18通過用樹脂類材料封裝有機基板11的上面lib和引線框架13的兩面而形成。通過用樹脂材料封裝有機基板11的上面11b，使外部連接端子19露出於外部。樹脂模製部18構成半導體存儲裝置10的外殼。樹脂模製部18以覆蓋半導體存儲器晶片15和/或控制器晶片16的高度形成。樹脂模製部18通過用模具覆蓋安裝有半導體存儲器晶片15等安裝部件的有機基板11以及引線框架13並在該模具內注入軟化了的樹脂類材料而形成。接著，關於半導體存儲裝置10的製造工序進行說明。圖7是用於說明半導體存儲裝置10的製造工序的流程圖。圖8 圖13是用於說明半導體存儲裝置10的製造工序的圖。首先，將有機基板11單片化(步驟Si)。有機基板11的單片化，由於通過使用了切割刀片(dicing blate)(沒有圖示)的一般的工序進行即可，所以省略詳細的說明。接著，在引線框架13的基板粘接部22塗敷粘接劑30 (步驟S2，也參照圖8)。作為粘接劑30， 例如使用一般的以聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。另外，在載置部21與有機基板11重疊的部分也塗敷粘接劑30。在此，能夠省略在載置部21與有機基板11重疊的部分所塗敷的粘接劑30接著，使有機基板11的上面lib粘接於塗敷有粘接劑30的基板粘接部22 (步驟 S3，也參照圖9)。接著，在有機基板11的上面lib安裝控制器晶片16和電子部件17(步驟 S4，也參照圖10)。接著，在載置部21經由粘接材料25粘接半導體存儲器晶片15，進而再在其上粘接半導體存儲器晶片15而使半導體存儲器晶片15層疊(步驟S5，也參照圖11)。接著，用金屬線27J8將半導體存儲器晶片15的電極焊盤與有機基板11的連接焊盤以及控制器晶片16的電極焊盤與有機基板11的連接焊盤引線接合(步驟S6，也參照圖12)。接著，用樹脂類材料封裝有機基板11的上面lib和引線框架13的兩面，形成樹脂模製部18，並切除餘留部13a(步驟S7，也參照圖13)。另外，在圖13中，為了方便說明也示出了由於被樹脂模製部18所覆蓋而實際上無法觀察到的內部的結構(半導體存儲器晶片 15等)。通過上述一系列的工序，製造出半導體存儲裝置10。在這樣的實施方式1中，由於有機基板11被單片化為在俯視半導體存儲裝置10 的內部結構的情況下、與載置部21幾乎不重疊的形狀，所以有機基板11變得小型，能夠大幅抑制有機基板11的使用量。由此，能夠實現半導體存儲裝置10的製造成本的抑制。另外，也可以通過將有機基板11單片化為與設置外部連接端子19的區域S(參照圖幻大致相同的俯視形狀，來實現有機基板11的進一步小型化。此外，半導體存儲裝置10的作為輸入輸出端子的外部連接端子19，如圖2等所示， 位於半導體存儲裝置10的插入方向側。設置於外部設備的插槽內而與外部連接端子19接觸的端子，也相對於插入於插槽的半導體存儲裝置10位於插入方向側。在第1實施方式中，基板粘接部22以不到達樹脂模製部18的插入方向側的面18a的長度形成，並且延伸部 13b也不朝向插入方向側的面18a形成。S卩，引線框架13的一部分不露出於插入方向側的面18a。從而，能夠抑制引線框架13的一部分與設置於插槽內的端子相接觸的情況，抑制短路的發生。此夕卜，因為樹脂模製部18的插入方向側的面18a為將半導體存儲裝置10插入於外部設備的插槽時的前進方向前面，所以插入方向側的面18a也容易與外部設備自身等相接觸。如上所述，因為引線框架13的一部分並不露出於插入方向側的面18a，所以在將半導體存儲裝置10插入於外部設備的插槽時，能夠抑制引線框架13的一部分接觸於外部設備的一部分，抑制短路的發生。此外，在形成樹脂模製部18的工序中，通過使形成於載置部21等的連結部23被模具所夾持，來保持引線框架13。通過用模具夾持連結部^3，容易使載置部21在模具內保持於適合的位置。在對模具注入了樹脂類材料時，如果引線框架13由於該注入壓力而移動，則半導體存儲器晶片15會從樹脂模製部18露出，但本實施方式能夠抑制這樣的問題的發生，實現成品率的提高。尤其是，通過除了連接部23c之外還具有延伸於面18c的連接部23，能夠穩定地固定引線框架13。此外，通過除了連接部23c之外，還具有相對於連接部 23c相鄰於面18c側的連結部23-1 (參照圖10)，能夠穩定地固定引線框架13。另外，連結部23-1所包含的延伸部1 成為第3延伸部。此外，由於在俯視下的半導體存儲裝置10的4面之中的至少1面，以朝向該1面延伸的方式設置有2個以上的連結部23，所以能夠進一步提高由上述的模具形成的對引線框架13的保持力。另外，連結部23 (23c)也以從基板粘接部22延伸的方式形成。因此，由於與上述同樣的理由，形成樹脂模製部18的工序中的、由模具形成的對基板粘接部22的保持力增加。 在此，在半導體存儲裝置10中，使有機基板11的底面Ila露出。因此，在形成樹脂模製部 18的工序中，需要通過使有機基板11的底面Ila與模具緊密附著，來防止樹脂浸入到底面 Ila與模具的間隙。例如，如果引線框架13、尤其是基板粘接部22在有機基板11從模具分離的方向變形，則會在有機基板11的底面Ila與模具之間出現間隙，樹脂容易侵入。如果由侵入到底面Ila與模具的間隙的樹脂覆蓋外部連接端子19，則存在會引起與外部設備的接觸不良、 產生切除飛邊這樣的多餘的時間和勞力的問題。另一方面，在第1實施方式中，由於通過從基板粘接部22延伸的連結部23c (延伸部13b)，能夠提高由模具形成的對基板粘接部22的保持力，所以能夠抑制引線框架13的變形、尤其是基板粘接部22的變形，容易使有機基板 11可靠地緊密附著於模具。由此，能夠抑制樹脂侵入到基板11的底面Ila與模具的間隙的情況，實現成品率的提高和/或製造成本的抑制。另外，如上所述，因為形成於基板粘接部 22的連結部23c(延伸部13b)並不露出於插入方向側的面18a，所以也能夠抑制短路的發生。此外，以使基板粘接部22從兩端的面18b延伸的方式形成連結部23c。其結果，能夠進一步增加由模具形成的對基板粘接部22的保持力。另外，由於連結部23形成為，與其靠載置部21和/或基板粘接部22側的根基部相比，其與半導體存儲裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細，所以在切除餘留部23a時，能夠減小連結部23的切斷面積。因此，能夠抑制切斷連結部23的工具的磨損，實現工具的長壽命化。另外，由於連結部23的根基部，比連結部與半導體存儲裝置10的外部的邊界部分粗，所以能夠抑制連結部23的強度降低。由此，能夠抑制由上述的模具形成的對引線框架13的保持力降低的情況。另外，通過使引線框架13與有機基板11接觸，來確定有機基板11與載置部21的相對的位置關係。通過使引線框架13與有機基板11接觸，能夠使半導體存儲器晶片15與有機基板11的位置偏離變小，能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。 另外，由於有機基板11與引線框架13最終由樹脂模製部18封裝，所以對於有機基板11與引線框架13的粘接，不要求高的可靠性，只要直至樹脂模製部18的形成工序為止維持兩者的粘接即可。即，能夠僅在載置部21和基板粘接部22塗敷粘接劑30，而省略在載置部21 與有機基板11相重疊的部分塗敷的粘接劑30。例如，在載置部21與有機基板11相重疊的部分小等情況下，能夠防止粘接部30從載置部21與有機基板11相重疊的部分溢出的情況。另外，位於引線框架13的大致中央部、從載置部21與有機基板11相重疊的部分朝向樹脂模製部18的外部延伸的連結部23-1 (也參照圖10)，也與有機基板11重疊。其結果，能夠增加引線框架13與有機基板11接觸的面積。因此，半導體存儲器晶片15與有機基板11的位置偏離減小，能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。控制器晶片16，與半導體存儲器晶片15相比，所形成的電極焊盤的數量容易變多。另外，控制器晶片16與半導體存儲器晶片15相比，從上面所見的俯視形狀容易形成得小。因此，用於引線接合控制晶片16的電極焊盤和/或連接焊盤，與用於引線接合半導體存儲器晶片15的電極焊盤和/或連接焊盤相比，密集地形成。在第1實施方式中，由於將控制器晶片16安裝在有機基板11上而非引線框架13上，所以即使在電極焊盤和/或連接焊盤密集地形成的條件下，也能夠可靠地進行引線接合。另一方面，用於進行半導體存儲器晶片15的引線接合的電極焊盤和/或連接焊盤其間隔比較寬闊。因此，半導體存儲器晶片 15的引線接合比較容易，通過將半導體存儲器晶片15安裝於引線框架13上，即使相互之間的距離稍微分離也能夠進行引線接合。另外，由於將控制器晶片16和/或電子部件17安裝於有機基板11的上面11b，所以能夠使有機基板11的底面Ila側、即形成有外部連接端子19的一側變得大致平坦。由此，能夠有助於半導體存儲裝置10的小型化。另外，通過減少半導體存儲裝置10的外周面的凹凸，能夠有助於實現半導體存儲裝置10向電子設備的順暢的插入、從電子設備的拔
出ο另外，通過使有機基板11的俯視形狀小型化，能夠抑制由在電子部件17的安裝工序等中對有機基板11施加的熱而引起的有機基板11的變形。如上所述，有機基板11為多層結構，存在按各層所使用的材料不同的情況。由於按各層所使用的材料不同，所以線膨脹係數也按各層而不同，所以容易產生由受熱歷程引起的變形。在此，通過使有機基板11的俯視形狀小型化，能夠使有機基板11佔半導體存儲裝置10整體的比例變小，使半導體存儲裝置10整體的變形難以產生。另外，載置部21與有機基板10的相對的位置關係的確定，不限於通過引線框架13 的粘接來進行的情況。例如，也可以由用於形成樹脂模製部18的模具分別固定有機基板11和引線框架13。通過使有機基板11和引線框架13固定於模具，來確定相互的相對位置關係。另外，在第1實施方式中，舉出在載置部21上層疊多個半導體存儲器晶片15的例子而進行了說明，但是並不限於此，也可以僅使1塊半導體存儲器晶片15粘接於載置部21 上而構成半導體存儲裝置10。另外，半導體存儲器晶片10的製造工序不限於由圖7的流程圖所示的情況。例如， 也可以在將有機基板11粘接於引線框架13之前，使控制器晶片16和電子部件17安裝於有機基板11。另外，也可以在將有機基板11單片化之前，使控制器晶片16和電子部件安裝於有機基板11。另外，第1實施方式所涉及的半導體存儲裝置10也可以應用於微SD卡(註冊商標)。此外，並不限定於微SD卡，而能夠應用於具備半導體存儲器晶片而構成的各種存儲裝置。此外，在第1實施方式中，連結部23的個數分別在面18b配置有3個，在面18c配置有2個，但是並不限於該個數。只要至少根據本實施方式，至少具有形成於基板粘接部22 且延伸於面18b的連結部23c即可。進一步的效果和/或變形例，能夠由本領域技術人員容易推導出。因此，本發明的更為廣泛的方式，不限定於以上所表示且記述的特定的詳細的以及代表性的實施方式。因此，可以不脫離由所附權利要求及其均等物所定義的概括性的發明的概念的精神或範圍， 而實現各種變形。
權利要求
1.一種半導體存儲裝置，其能夠插入於外部設備，其特徵在於，具備 有機基板，其在一個面設置有外部連接端子；引線框架，其具有載置部及粘接部，所述載置部載置半導體存儲器晶片，所述粘接部以從前述載置部朝向對前述外部設備的插入方向側延伸的方式形成並且粘接於前述有機基板的另一個面；半導體存儲器晶片，其載置於前述載置部；以及樹脂模製部，其使前述外部連接端子露出而封裝前述有機基板、前述引線框架及前述半導體存儲器晶片，並且其俯視基本呈方形形狀；其中，前述有機基板被單片化為在粘接於前述粘接部的狀態下、俯視前述有機基板與前述載置部不重疊的部分這一方比前述有機基板與前述載置部重疊的部分大的形狀；前述粘接部在前述插入方向的端部形成於前述樹脂模製部內，前述引線框架在前述粘接部中，進一步具有第1延伸部，該第1延伸部延伸至前述樹脂模製部的與前述插入方向側的面不同的面。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於前述延伸部，與其靠前述載置部或前述粘接部側的根基部分相比，其與前述樹脂模製部的外部的邊界部分這一方俯視形成得細。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於在前述引線框架，以朝向前述樹脂模製部的與前述插入方向相對向的面而延伸的方式形成有第2延伸部。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於 前述有機基板的一部分與前述載置部的一部分俯視重疊。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於 前述第1延伸部形成有多個；各個前述第1延伸部延伸於與前述插入方向側的面不同的面兩面； 該半導體存儲裝置具有第3延伸部，該第3延伸部相對於前述第1延伸部相鄰於與前述插入方向相對向的面側；前述第3延伸部與前述有機基板接觸。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於，還具備 搭載於前述有機基板的另一個面的控制器晶片。
7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特徵在於 在前述有機基板形成有內部布線；前述內部布線與前述半導體存儲器晶片之間以及前述內部布線與前述控制器晶片之間用接合引線連接，前述控制器晶片與前述半導體存儲器晶片經由前述內部布線電連接。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置，其特徵在於 在前述有機基板形成有內部布線；前述控制器晶片與前述外部連接端子經由前述內部布線電連接。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於，還具備 搭載於前述有機基板的另一個面的電子部件。
10.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特徵在於前述半導體存儲器晶片為NAND型閃速存儲器。
11.一種半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於，包括將在一個面形成有外部連接端子的有機基板單片化為前述有機基板與載置部不重疊的部分這一方比前述有機基板與前述載置部重疊的部分大的俯視形狀，所述載置部形成於引線框架而載置半導體存儲器晶片；前述引線框架具有從前述載置部延伸的粘接部，將前述粘接部粘接於前述有機基板的另一個面；形成使前述外部連接端子露出而封裝前述有機基板、前述引線框架以及前述半導體存儲器晶片的樹脂模製部；前述粘接部在前述插入方向的端部形成於前述樹脂模製部內，在前述引線框架，在前述粘接部中，形成有第1延伸部，該第1延伸部延伸至前述樹脂模製部的與前述插入方向側的面不同的面。
12.根據權利要求11所述的半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於，包括 在前述有機基板的另一個面安裝控制器晶片。
13.根據權利要求12所述的半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於，包括 在前述有機基板形成內部布線；用接合引線連接前述內部布線與控制器晶片，用接合引線連接前述內部布線與前述半導體存儲器晶片，經由前述內部布線將前述控制器晶片與前述半導體存儲器晶片電連接。
14.根據權利要求12所述的半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於，包括 在前述有機基板形成與前述外部連接端子電連接的內部布線；用接合引線連接前述控制器晶片與前述內部布線，經由前述內部布線與前述外部連接端子電連接。
15.根據權利要求11所述的半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於，包括 在前述有機基板的另一個面安裝電子部件。
16.根據權利要求11所述的半導體存儲裝置的製造方法，其特徵在於 前述半導體存儲器晶片為NAND型閃速存儲器。
全文摘要
本發明涉及半導體存儲裝置及其製造方法。根據實施方式，半導體存儲裝置(10)具備有機基板(11)、半導體存儲器晶片(15)、引線框架(13)和樹脂模製部(18)。引線框架(13)具有粘接部(22)。有機基板單片化為，俯視有機基板與載置部不重疊的部分這一方比重疊的部分大的形狀。引線框架在粘接部中，進一步具有第1延伸部(13b)，該第1延伸部延伸至樹脂模製部的與插入方向側的面不同的面。
文檔編號H01L21/60GK102315225SQ201110178148
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月29日 優先權日2010年6月29日
發明者奧村尚久, 石井齊, 西山拓 申請人:株式會社東芝