半導體製造設備的製作方法
2023-09-19 01:41:45
專利名稱：半導體製造設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造設備，且更明確地說，涉及具有經有效配置以佔據較小區域而不會降低製造效率的處理腔室和轉移腔室的半導體製造設備。
背景技術：
一般來說，半導體製造設備用於製造半導體晶片。具體而言，半導體製造設備用於氣相沉積或濺射處理以在半導體襯底上沉積半導體層，或用於蝕刻或暴露處理以在半導體襯底上形成預定圖案。
圖1為說明常規半導體製造設備的示意圖。
如圖1中所示，常規半導體製造設備包含一轉移模塊10，具有在其中心處裝配的轉移機械臂45；複數個處理模塊30a和30b(也可由參考數字30表示)，其在轉移模塊10周圍以圓周形式彼此分離一預定距離，且具有用於製造半導體晶片的預定條件；和一負載鎖定腔室20，其裝配在轉移模塊10周圍以接收用於處理或在所述處理之後處於等待狀態的半導體襯底。所述半導體製造設備進一步包含一裝配於轉移模塊的一表面以冷卻半導體晶片的冷卻腔室40。
每個處理模塊30包含一用於執行製造半導體晶片過程的反應腔室32、一用於控制每個處理模塊30的操作的控制器34和一用於供應額外資源的資源供應單元36。
所述半導體製造設備詳細揭示於韓國專利特許公開公告第2000-20876號和韓國實用新型公告第1996-8156號中。
然而，在如上文所述而建構的常規半導體製造設備中，複數個處理模塊30a和30b以圓周形式位於轉移模塊10的周圍，同時相對於轉移模塊10的中心呈V形彼此分離。結果，半導體製造設備佔據較大區域，藉此限制了在有限空間內可裝配的半導體製造設備的數目。因而，常規半導體製造設備存在一個問題，即，必須提供足夠空間以獲得所要的製造效率。此外，當擴大對應於各種處理條件的資源供應單元時，半導體製造設備所佔據的區域也增加了。同樣，常規半導體製造設備在擴大資源供應單元方面受限制。
發明內容
本發明用於解決上述問題，且本發明的一個目的在於提供一種半導體製造設備，其具有在轉移模塊周圍彼此較鄰近配置的處理模塊，藉此能夠容易地擴大資源供應單元並減小設備所佔據的空間(即，半導體製造設備的區域)，而不會降低製造效率。
根據本發明的一個方面，上述和其它目的可通過提供下列半導體製造設備而實現，所述半導體製造設備包含一轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別裝配於轉移模塊的第一表面和第二表面，同時與轉移模塊的第一表面和第二表面定義一銳角，第一表面與第二表面彼此鄰近；和一連接到轉移模塊的第三表面的負載鎖定腔室。
在每個第一表面和第二表面與每個處理模塊的縱向軸之間優選定義一10到90度的角度。在此，第一處理模塊與第二處理模塊優選分離30cm或更少的距離。
根據本發明的另一個方面，提供一種半導體製造設備，其包含複數個轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別裝配於每個轉移模塊的第一表面和第二表面，同時與每個轉移模塊的第一表面和第二表面定義一銳角，第一表面與第二表面彼此鄰近；和一連接到每個轉移模塊的第三表面的負載鎖定腔室。
根據本發明的另一個方面，提供一種半導體製造設備，其包含一轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別連接到轉移模塊的第一表面和第二表面，同時彼此平行；和一連接到轉移模塊的第三表面的負載鎖定腔室。
第一處理模塊優選與第二處理模塊相分離，使得以縱向軸的方向平行於第二處理模塊。
轉移模塊優選具有一選自圓形或多邊形的形狀。另外，第一處理模塊和第二處理模塊的寬度總和優選等於或大於轉移模塊的寬度。半導體製造設備優選在轉移模塊與第一處理模塊和第二處理模塊之間和在轉移模塊與負載鎖定腔室之間進一步包含數個縫閥。
每個第一處理模塊和第二處理模塊優選包含一反應腔室、一用於向反應腔室供應氣體的氣體供應控制器、一用於驅動相關處理模塊的驅動控制器和一用於向反應腔室供應源材料的資源供應單元。
第一處理模塊優選與第二處理模塊分離30cm或更少的距離。
根據本發明的另一方面，提供一種半導體製造設備，其包含彼此平行的複數個轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別連接到每個轉移模塊的第一表面和第二表面，且彼此平行定位；和連接到每個轉移模塊的第三表面的負載鎖定腔室。
優選，連接到複數個轉移模塊的複數個第一處理模塊和第二處理模塊為平行配置。
從結合附圖的下列詳細描述中，可更清楚地理解本發明的前述和其它目的及特徵，其中圖1為說明常規半導體製造設備的示意圖；圖2為說明根據本發明的一實施例的半導體製造設備的示意圖；圖3為說明根據本發明的一實施例處理模塊沉積於轉移模塊的圖表；圖4a和圖4b分別為說明根據本發明的一實施例的處理模塊的結構的圖表；圖5到圖7為說明根據本發明的另一個實施例的半導體製造設備的示意圖；和圖8和圖9分別為說明根據本發明的其它實施例的半導體製造設備的橫截面圖。
具體實施例方式
下文將參看附圖詳細描述本發明的優選實施例，其中相同元件由相同參考數字表示。應了解本發明不限於本文所揭示的實施例，且可以各種修改或替代來實現。所屬領域的技術人員應明了本文所揭示的實施例用於本發明的完整理解。
圖2為說明根據本發明的一實施例的半導體製造設備的示意圖。
參看圖2，本發明的半導體製造設備包含一轉移模塊110和裝配於所述轉移模塊110周圍的至少兩個鄰近的處理模塊130a和130b(也可由參考數字130表示)。本發明的半導體製造設備可進一步包含一用於冷卻半導體襯底的冷卻腔室140和一用於接收用於處理或在所述處理後處於等待狀態的半導體襯底的負載鎖定腔室120。可選地，本發明的半導體製造設備可進一步包含一用於對準襯底的平坦區域以執行所述處理的平坦區域對準器(未圖示)；一襯底存儲升降機(未圖示)；和安置於轉移模塊110與每個處理模塊130之間的縫閥(未圖示)。
轉移模塊110位於半導體製造設備的中心以在負載鎖定腔室120內將處於等待狀態的襯底裝載到處理模塊130a和130b或從處理模塊130a和130b卸載。為此目的，轉移模塊110包含可將處於等待狀態的襯底裝載到處理模塊130中或可從處理模塊130中將處理後的襯底卸載到負載鎖定腔室120的轉移機械臂145。另外，根據本發明，轉移模塊110的外圍具有圓形形狀、橢圓形狀或其它多邊形形狀，例如，矩形形狀、五邊形形狀、六邊形形狀、八邊形形狀等。在本實施例中，如圖2中所示，轉移模塊110具有六邊形外圍。負載鎖定腔室120沿六邊形轉移模塊110的兩個下表面裝配，且兩個處理模塊130a和130b分別裝配到面向六邊形轉移模塊110的兩個下表面的六邊形轉移模塊110的兩個上表面。下文將描述處理模塊130沉積於轉移模塊110。冷卻腔室140裝配到轉移模塊110的另一個表面(在處理模塊與負載鎖定腔室之間的區域)。另外，轉移模塊110可包含上文所述的複數個轉移機械臂145，使得可將襯底裝載/卸載到不同處理腔室130中。
每個處理模塊130a和130b包含一用於執行製造半導體裝置過程的反應腔室132、一用於控制處理模塊130a和130b的操作的控制器134和一根據反應腔室132中執行的反應過程供應額外資源的資源供應單元36。每個處理模塊130a和130b可進一步包含一排出口。每個處理模塊130a和130b可進一步包含用於在反應腔室內產生等離子體的RF能量產生器。
在此，用於在至少一個襯底上沉積預定半導體層的沉積腔室或用於在至少一個襯底上形成預定圖案的圖案化腔室可用作反應腔室132。圖案化腔室包括蝕刻腔室和灰化腔室，且沉積腔室根據半導體層的類型可包括各種腔室。應注意，本發明不限於這些腔室，且用於製造半導體晶片的各種腔室可適用於本發明。例如，暴露腔室可適用於本發明。
在本實施例中，如圖2中所示，反應腔室132適用於執行半導體層的沉積或同時執行四個襯底上的圖案化處理。控制器134包含一用於驅動處理模塊130a和130b的驅動控制器和一用於向反應腔室132供應氣體的氣體供應控制器。下文將描述這些裝置。
每個縫閥連接在處理模塊130的一側，以將處理模塊130連接到轉移模塊110，且連接在轉移模塊110的外圍的另一側。
處理模塊130彼此鄰近安置，同時朝向彼此傾斜。鄰近的第一與第二處理模塊130a和130b可經安置使得其間分離約100cm或更少。換句話說，如圖2中所示，第一和第二處理模塊130a和130b可經安置以彼此接觸或經安置使得其間分離一預定距離。優選，鄰近的第一和第二處理模塊130a和130b經安置使得其間最大分離50cm或更少，同時彼此平行。較優選，分離30cm或更小的距離。更優選，分離20cm或更小的距離。所述分離允許設備較容易維護。此時，當處理模塊之間的分離變得過大時，則會出現在本發明的半導體製造設備的區域中降低效率的問題。
將參看圖式描述處理模塊130的沉積和結構。
圖3為說明根據本發明實施例的處理模塊的沉積的圖表，且圖4a和4b分別為說明根據實施例的處理模塊的結構的圖表。
參看圖3，常規處理模塊被裝配到六邊形轉移模塊110的外圍表面，使得每個處理模塊的縱向軸和轉移模塊110的相關外圍表面之間的角度θ3為直角，藉此允許處理模塊的遠端相對於轉移模塊110的中心廣泛伸展。
相反，根據本發明，第一和第二處理模塊130a和130b經裝配以鄰近轉移模塊110的第一和第二表面，使得分別與轉移模塊110的第一和第二表面定義一銳角。
優選，每個處理模塊130的縱向線(即，縱向軸)與轉移模塊110的相關表面之間的角度θ4為一銳角。以此方式，鄰近的處理模塊130被安置於轉移模塊110的外圍表面上，使得彼此接近。優選，每個處理模塊130的縱向線與轉移模塊110的相關表面之間的角度θ4在10到90度的範圍內。較優選，角度θ4在35到60度的範圍內。當每一處理模塊130的縱向線與轉移模塊110的相關表面之間的角度θ4小於如上所述的範圍時，第一與第二處理模塊130重疊，且接著不能安置於轉移模塊110的表面上。相反，當角度θ4大於上文所述的範圍時，本發明的空間減小作用降低。所述角度可根據提供於處理模塊之下的轉移模塊110的形狀在如上所述的範圍內變化。此時，負載鎖定腔室120連接到轉移模塊110的第三表面。
根據本發明，處理模塊130彼此鄰近，且對稱地裝配到轉移模塊110的兩個鄰近外圍表面。也就是說，鄰近的處理模塊130a和130b鏡面對稱地安置。例如，用於裝載襯底的第一處理模塊130a的入口位於右側，同時用於裝載其它襯底的第二處理模塊130b的入口位於左側。或者，兩個鄰近處理模塊130可經安置使得可以由轉移模塊110的兩個鄰近外圍表面所定義的頂點方向彼此接觸。另外，需要第一和第二處理模塊130a和130b彼此平行安置，同時以縱向軸的方向彼此分離。
同時，第一和第二處理模塊130a和130b的總寬度(即，圖2的平面中的橫向寬度)等於或大於位於第一和第二處理模塊130a和130b之下的轉移模塊110的寬度。以此方式，可能在處理模塊130a和130b中安裝具有增加的尺寸的襯底，且可能在單個腔室中安裝大量襯底。然而，轉移模塊110的增加的尺寸不允許如通過本發明所獲得的效果那樣的設備尺寸的減小。
另外，在連接到鄰近的第一與第二處理模塊130a和130b的鄰近縫閥之間定義一預定角度。也就是說，所述縫閥經安置以在連接到鄰近的第一與第二處理模塊130a和130b的鄰近縫閥之間分別定義60到170度的內角。優選，縫閥之間的內角在110到150度範圍內。結果，襯底的輸送可比平行安置縫閥的情況簡單。為獲得此構造，第一和第二處理模塊130a和130b可如上所述彼此鄰近地安置。
同時，在常規設備中，如上文所述，處理模塊的一個表面與轉移模塊的外圍表面之間的角度θ1約為90度。然而，根據本發明，第一和第二處理模塊130a和130b的鄰近表面與轉移模塊110的一個外圍表面之間的內角θ2為90度或更大。因為第一和第二處理模塊130a和130b彼此鄰近，所以不可能無限增加鄰近表面與外圍表面之間定義的所述內角。因此，具有定義在90到165度範圍內的內角為有效的，且優選在100到150度的範圍內。
根據本發明，處理模塊130可具有五邊形的橫截面，且控制器134和資源供應單元136的位置與常規模塊的區域A和B有所變化。另外，每個處理模塊中的導管和配線的位置與常規模塊的導管和配線的位置有所變化。用於安裝襯底的襯底支撐元件的位置也可改變以允許調整定義於處理模塊與轉移模塊的機械臂之間的角度。
同樣，處理模塊130a和130b以轉移模塊頂點的方向(即，以鄰近表面的方向)彼此接近地安置，藉此允許消除圖3的空間(例如，區域A和B)。另外，假定常規半導體製造設備具有1區域(圖1中的T1×H1)，那麼本發明的半導體製造設備具有0.4到0.8的區域，藉此允許在常規設備的40％到80％的區域中實現與常規半導體製造設備相同的製造效率。更具體地說，常規半導體製造設備具有3,600mm的T1和2,700mm的H1，而本發明的半導體製造設備具有2,000mm的T2和2,800mm的H2。如上文所述，假定常規半導體製造設備具有100％的區域，那麼本發明的半導體製造設備具有約58％的區域，藉此允許以較小的區域實現與常規半導體製造設備相同的製造效率。另外，如圖3中所示，因為每一處理模塊中的處理腔室132的位置與常規處理模塊的並無變化，所以可能最小化轉移機械臂145的移動的變化。處理模塊130可具有其它多邊形橫截面。
如圖4a和圖4b中所示，驅動控制器135和組成控制器134的氣體供應控制器133可以各種形狀和結構位於反應腔室132周圍。也就是說，因為驅動控制器135包括各種電路和傳感器，且氣體供應控制器133包括各種閥和導管，所以驅動控制器135和氣體供應控制器133的配置不限於一特定配置，且可根據設備的特徵和目的而改變。如上文所述，驅動控制器135和氣體供應控制器133以鏡面對稱配置於每個鄰近的處理模塊130a和130b中，且因而，每個處理模塊中的各種組件(例如，閥、導管和配線)優選以鏡面對稱配置。
根據本發明，資源供應單元136可以鄰近表面的方向擴大，藉此用於半導體晶片的各種源材料能夠從其有效地供應到半導體製造設備。資源供應單元136的位置可從第一和第二處理模塊130a和130b的邊緣改變到鄰近所述鄰近表面或遠離所述鄰近表面的區域。各種處理可在單個處理模塊130中通過最大化待擴大的資源供應單元136的能力而執行。
圖5到圖7為說明根據本發明的其它實施例的半導體製造設備的示意圖。
如圖5到圖7中所示，根據本實施例的半導體製造設備包含一五邊形或八邊形的轉移模塊110；第一和第二處理模塊130a和130b，其連接到轉移模塊110的第一和第二表面，同時彼此平行；和一連接到轉移模塊110的第三表面的負載鎖定腔室120。
如圖5中所示，第一和第二處理模塊130a和130b彼此鄰近地配置於八邊形轉移模塊的鄰近的第一和第二表面上，使得二者面向彼此。此時，第一和第二處理模塊130a和130b的鄰近的表面彼此接觸。或者，如圖6中所示，第一和第二處理模塊130a和130b可配置於五邊形轉移模塊110的兩個鄰近外圍表面上，且彼此平行定位。或者，如圖7中所示，第一和第二處理模塊130a和130b可配置於八邊形轉移模塊110的兩個鄰近外圍表面上，且平行面向彼此。此時，平行面向彼此的第一和第二處理模塊130a和130b之間的縫隙優選為1m或更小。較優選，縫隙為30cm或更小。
本實施例的半導體製造設備的其它結構與如圖3中說明的實施例的那些結構相同。
同樣，本發明的半導體製造設備在轉移模塊的形狀以及處理腔室的種類和功能方面不受限制。另外，本發明的半導體製造設備允許在常規半導體制設備區域的僅60％的區域中的與常規半導體製造設備相同的生產率，且還允許在單個處理腔室中執行各種處理。
根據本發明，複數個處理模塊和轉移模塊可配置在一條線上，使得可在有限空間內配置大量處理模塊。關於這方面將參看圖式進行描述，其中重複描述將在下文中省略。
圖8和圖9分別為說明根據本發明其它實施例的半導體製造設備的橫截面圖。
參看圖8和圖9，複數個轉移模塊110-1到110-n安置在一條線上，其中每個轉移模塊具有連接到其的至少兩個處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n。也就是說，本發明的半導體製造設備包含彼此分離的複數個轉移模塊110-1到110-n；第一和第二處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n，其分別安置在轉移模塊110-1到110-n的各自鄰近的第一和第二表面上，同時與轉移模塊的第一和第二表面分別定義一銳角；和連接到轉移模塊110-1到110-n的各自第三表面的負載鎖定腔室120-1到120-n。
同時，第一和第二處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n優選裝配到複數個轉移模塊110-1到110-n的各自第一和第二表面，且彼此平行定位。
在此，優選，隨著轉移模塊110-1到110-n順序安置在設備中，連接到一轉移模塊110-1的第一和第二處理模塊130a-1和130b-1鄰近或接觸連接到下一個處理模塊110-2的其它處理模塊130a-2和130b-2。較優選，處理模塊經安置以使得彼此平行。也就是說，如圖8中所示，具有連接到其的第一和第二處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n的第1到第n個轉移模塊110-1到110-n經連續配置，使得第一轉移模塊110-1的第二處理模塊130b-1平行於第二轉移模塊110-2的第一處理模塊130a-2。
另外，為便於維護，資源供應單元136-1到136-n可以下列方式配置，例如，資源供應單元136-1和136-2配置到連接到一轉移模塊110-1的第一和第二處理模塊130a-1和130b-1的相對端。或者，第二處理模塊130b-1的資源供應單元136-1和第一轉移模塊130a-2的資源供應單元136-2可一般用在經配置以接觸第二轉移模塊110-2的第一處理模塊130a-2的第一轉移模塊110-1的第二處理模塊130b-1的狀態中。
以此方式，即使配置了複數個模塊，用於配置模塊的空間仍可顯著減小，且與現有技術相比較，在有限空間內可提供更多的模塊配置。也就是說，假定常規設備的寬度為1，那麼本發明的設備的寬度在0.6到0.95的範圍內。因此，例如，為連續安置具有連接到其的常規處理模塊的五個轉移模塊，分別需要一10m的長度。然而，根據本發明，與常規設備相比較，如果本發明的設備在寬度上減小約20％，那麼8m的長度分別足以連續配置具有連接到其的處理模塊的五個轉移模塊。也就是說，可能在10m的長度內配置六個轉移模塊，藉此顯著減小用於配置複數個模塊的空間，且與現有技術相比較，允許有限空間內更多的模塊配置。
同時，儘管在圖式中將複數個負載鎖定腔室120-1到120-n說明為彼此分離的，但本發明並不限於這個構造。或者，鄰近負載鎖定腔室120-1到120-n可彼此接近和/或接觸。
根據本發明，處理模塊和轉移模塊可以其它方式配置。例如，在圖8中，連接到轉移模塊110-1到110-n的鄰近的處理模塊對130a-1到130a-n和130b-1到130b-n可以垂直對稱配置。也就是說，複數個處理模塊被連續配置於轉移模塊101-1上。相反，在圖9中，連接到轉移模塊110-1到110-n的鄰近的處理模塊對130a-1到130a-n和130b-1到130b-n可以水平對稱配置。
具有連接到其的鄰近的第一和第二處理模塊對130a-1到130a-n和130b-1到130b-n的轉移模塊110-1到110-n可以下列方式連續配置，即，鄰近的第一和第二處理模塊對130a-1到130a-n和130b-1到130b-n可上下交替配置。更具體地說，複數個處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n和轉移模塊110-1到110-n以下列方式配置，即，例如，第一轉移模塊110-1的第一和第二處理模塊130a-1和130b-1向上配置，第二轉移模塊110-2的第一和第二處理模塊130a-2和130b-2向下配置，且接著第三轉移模塊110-3的第一和第二處理模塊130a-3和130b-3又向上配置。
結果，在連接到轉移模塊110-1到110-n的處理模塊130a-1到130a-n和130b-1到130b-n的兩側可提供用於維護設備的足夠空間。
如從上文描述可顯而易見，根據本發明，處理模塊在轉移模塊上彼此接近或接觸，藉此減小半導體製造設備所佔據的區域而不會降低製造效率。
另外，資源供應單元可朝向鄰近的處理模塊的鄰近的表面擴大，使得用於形成半導體晶片的各種源材料可通過擴大的資源供應單元而供應到半導體製造設備。
另外，可在單個處理模塊中執行各種處理。
應理解，為說明的目的已描述了如上所述的實施例和附圖，且本發明受下列權利要求書的限制。另外，所屬領域的技術人員將了解，可在不脫離如附加的權利要求書所闡述的本發明的範圍和精神的情況下，允許各種修改、添加和替代。
權利要求
1.一種半導體製造設備，其包含一轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別裝配到所述轉移模塊的一第一表面和一第二表面，同時分別與所述轉移模塊的所述第一表面和所述第二表面定義一銳角，所述第一表面和所述第二表面彼此鄰近；和一連接到所述轉移模塊的一第三表面的負載鎖定腔室。
2.根據權利要求1所述的設備，其中在每個所述第一表面和第二表面與每個處理模塊的一縱向周軸之間定義一10到90度的角度。
3.根據權利要求2所述的設備，其中所述第一處理模塊與所述第二處理模塊分離一30cm或更少的距離。
4.一種半導體製造設備，其包含複數個轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別裝配到每個轉移模塊的一第一表面和一第二表面，同時分別與每個轉移模塊的所述第一表面和所述第二表面定義一銳角，所述第一表面和所述第二表面彼此鄰近；和一連接到每個轉移模塊的一第三表面的負載鎖定腔室。
5.一種半導體製造設備，其包含一轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別連接到所述轉移模塊的一第一表面和一第二表面，同時彼此平行；和一連接到所述轉移模塊的一第三表面的負載鎖定腔室。
6.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一處理模塊與所述第二處理模塊相分離，使得以一縱向軸的一方向平行於所述第二處理模塊。
7.根據權利要求5所述的設備，其中所述轉移模塊具有一選自一圓形和一多邊形的形狀。
8.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一處理模塊和第二處理模塊的寬度總和等於或大於所述轉移模塊的一寬度。
9.根據權利要求5所述的設備，其進一步包含在所述轉移模塊與所述第一處理模塊和第二處理模塊之間和在所述轉移模塊與所述負載鎖定腔室之間的縫閥。
10.根據權利要求5所述的設備，其中每個所述第一處理模塊和所述第二處理模塊包含一反應腔室；一用於向所述反應腔室供應氣體的氣體供應控制器；一用於驅動一相關處理模塊的驅動控制器；和一用於向所述反應腔室供應一源材料的資源供應單元。
11.根據權利要求5至9中任一權利要求所述的設備，其中所述第一處理模塊與所述第二處理模塊分離一30cm或更少的距離。
12.一種半導體製造設備，其包含複數個彼此平行的轉移模塊；一第一處理模塊和一第二處理模塊，其分別連接到每個轉移模塊的一第一表面和一第二表面，且彼此平行定位；和一連接到每個轉移模塊的一第三表面的負載鎖定腔室。
13.根據權利要求12所述的設備，其中連接到所述複數個轉移模塊的所述複數個所述第一處理模塊和所述第二處理模塊平行配置。
全文摘要
本發明揭示一種半導體製造設備。所述設備包含一轉移模塊；第一和第二處理模塊，其分別裝配到所述轉移模塊的鄰近的第一和第二表面，同時分別與所述轉移模塊的所述第一和第二表面定義一銳角；和一連接到所述轉移模塊的一第三表面的負載鎖定腔室。所述鄰近的處理模塊彼此平行配置。如此，所述處理模塊在所述轉移模塊上彼此接近或接觸，藉此減小所述設備所佔據的一區域而不會降低製造效率。一資源供應單元可朝向所述鄰近的處理模塊的一鄰近表面擴大，使得用於形成半導體晶片的各種源材料可通過所述擴大的資源供應單元有效地供應到所述半導體製造設備。
文檔編號H01L21/02GK1722362SQ20051008416
公開日2006年1月18日 申請日期2005年7月14日 優先權日2004年7月15日
發明者金容真 申請人:周星工程股份有限公司