包括天線基板的半導體封裝件及其製造方法
2023-09-18 11:21:50 1
包括天線基板的半導體封裝件及其製造方法
【專利摘要】半導體封裝件包括封裝基板、半導體裝置、天線基板及封裝體。半導體裝置設置於封裝基板的上表面。天線基板設置於半導體裝置上且包括核心層、接地層及天線層。接地層形成於核心層的下表面。天線層形成於核心層的上表面，且通過核心層的導電孔電性連接於核心層的接地層。封裝體包覆半導體裝置與天線基板。
【專利說明】包括天線基板的半導體封裝件及其製造方法
【技術領域】
[0001]本發明是有關於一種半導體封裝件及其製造方法，且特別是有關於一種具有天線基板的半導體封裝件及其製造方法。
【背景技術】
[0002]無線通信裝置例如是手機(cell phone)，傳統上包括用以傳送或接收無線射頻(RF)信號的天線。傳統上，無線通信裝置包括天線層及通信模塊，其中天線層及通信模塊整合成一晶片。然而，當晶片的一部分，例如是天線部或通信模塊判斷出有缺陷，即使晶片的其它部分可工作，整個晶片也必須報廢。
【發明內容】
[0003]根據本發明的一實施例，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一封裝基板、一半導體裝置、一天線基板及一封裝體。半導體裝置鄰設於封裝基板的上表面。天線基板設置於半導體裝置上，天線基板包括一核心層、一接地層及一天線層。核心層包括一上表面、一下表面及一導電孔(conductive via)。接地層形成於核心層的下表面。天線層形成於核心層的上表面，且通過導電孔電性連接於接地層。封裝體包覆半導體裝置與天線基板。
[0004]根據本發明的另一實施例，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一封裝基板、一晶片、一隔離基板及一封裝體。晶片設置於封裝基板的上表面，且通過一線路電性連接於封裝基板。隔離基板設置於晶片上。天線基板設置於隔離基板上且包括一核心層、一接地層及一天線層。核心層包括一上表面、一下表面及一導電孔。接地層形成於核心層的下表面。天線層形成於核心層的上表面，且通過導電孔電性連接於接地層。封裝體包覆晶片、隔離基板與天線基板。
[0005]根據本發明的另一實施例，提出一種半導體封裝件的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一封裝基板，其中封裝基板包括一上表面，設置一晶片於封裝基板的上表面；提供一天線基板，其中天線基板是一通過測試(verifid)的一工作天線基板,包括一上表面、一下表面及一導電孔，接地層形成於核心層的下表面，而天線層形成於核心層的上表面且通過導電孔電性連接於接地層；設置天線基板於晶片上；以及，形成一封裝體包覆晶片、基板的上表面的一部分與天線基板。
[0006]為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下:
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1A繪示依照本發明一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0008]圖1B繪示圖1A的天線基板的底視圖
[0009]圖2A繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0010]圖2B繪示圖2A的天線基板的底視圖。[0011]圖3繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0012]圖4繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0013]圖5A至5E繪示圖1A的半導體封裝件的製造過程圖。
[0014]圖6A至6E繪示圖3的半導體封裝件的製造過程圖。
[0015]符號說明:
[0016]100、200、300、400:半導體封裝件
[0017]110:封裝基板
[0018]110u、120u、141u、371u、470u:上表面
[0019]110b、141b、371b:下表面
[0020]110s、130s、140s:側表面
[0021]111:走線
[0022]112:導電孔
[0023]113:接墊
[0024]115:被動元件
[0025]120:晶片
[0026]120b:主動面
[0027]121f、3711f:饋入導電孔
[0028]120f:饋入層
[0029]120g:接地層
[0030]121g、3711g:接地導電孔
[0031]130:封裝體
[0032]140:天線基板
[0033]141:核心層
[0034]142:天線層
[0035]142a:天線部
[0036]142g:接地部
[0037]143:接地層
[0038]143f:饋入部
[0039]143g:接地部
[0040]1411:導電孔
[0041]141 If:饋入導電孔
[0042]141 Ig:接地導電孔
[0043]250g:接地線
[0044]250f:饋入線
[0045]360:導電焊線
[0046]370、470:隔離基板
[0047]371:基材
[0048]370f:饋入層
[0049]370g:接地層[0050]Tl:切割道【具體實施方式】
[0051]本發明實施例的一整合式半導體封裝件包括一天線部及一無線通信裝置的通信模塊部，不會因為其整合而減少良率。以下是揭露這樣的一整合式半導體封裝件。
[0052]請參照圖1A，其繪示依照本發明一實施例的半導體封裝件的剖視圖。半導體封裝件100包括封裝基板110、被動元件115、晶片120、封裝體130及天線基板140。
[0053]封裝基板具有相對的上表面IlOu與下表面110b、走線111、導電孔112與數個接墊113。走線111形成於上表面110u，導電孔112從上表面IlOu延伸到下表面110b，接墊113形成於下表面110b。被動元件115及晶片120可通過導電孔112電性連接於接墊113。此外，封裝基板110例如是多層有機基板或陶瓷基板。
[0054]被動元件115設置於封裝基板110的上表面llOu，且通過走線111電性連接於晶片120。被動元件115例如是電阻、電感或電容。
[0055]晶片120設置於封裝基板110的上表面llOu。晶片120以朝下方位耦接於封裝基板110的上表面110u，且通過數個焊球電性連接於封裝基板110。這樣的結構稱為覆晶(flip chip) ο晶片120可以是主動晶片或S0C(System on Chip)。例如，晶片120可以是一收發器(transceiver),其傳送無線射頻(rad1 frequency, RF)信號給天線基板140且從天線基板140接收RF信號。
[0056]晶片120包括上表面120u及饋入導電孔121f。晶片120是半導體裝置的一部分，其中半導體裝置包括形成於晶片120的上表面120u的饋入層120f。饋入層120f通過饋入導電孔121f電性連接於封裝基板110。半導體裝置更包括形成於晶片120的上表面120u的接地層120g。晶片120包括電性連接接地層120g與封裝基板110的接地導電孔121g。也就是說，形成於晶片120的上表面120u的接地層120g可通過接地導電孔121g電性連接於一接地電位。接地導電孔121g及饋入導電孔121f例如是矽穿孔(through-siliconvia, TSV)實現。
[0057]封裝體130包覆封裝基板110的上表面IlOu的一部分、晶片120與天線基板140。封裝體130可包括酌.醒基樹脂(Novolac-based resin)、環氧基樹脂(epoxy-basedresin)、娃基樹脂(silicone-based resin)或其他適當的包覆劑。封裝體130亦可包括適當的填充劑，例如是粉狀的二氧化矽。可利用數種封裝技術形成封裝體130，例如是壓縮成型(compress1n molding)、注射成型(inject1n molding)或轉注成型(transfermolding)。
[0058]天線基板140設置於半導體裝置上。在實施例中，天線基板140直接設置於半導體裝置上而無中間層，以縮短一信號傳輸路徑以及控制電磁幹擾(electromagneticinterference, EMI)。經由控制天線基板140與半導體裝置之間的空間亦可獲得類似的效果，例如是約500微米內、約400微米內、約300微米內、約200微米內、約100微米內或約50微米的空間。
[0059]天線基板140包括核心層141、天線層142及接地層143。核心層141包括相對的上表面141u與下表面141b及至少一導電孔1411。於圖1A的實施例中，至少一導電孔1411包括至少一饋入導電孔141 If及一接地導電孔141 lg。核心層141例如是矽基板、有機基板及陶瓷基板。天線層142及接地層143是分別形成於核心層141的上表面141u與下表面141b。
[0060]接地層143包括饋入部143f及接地部143g，其中接地部143g與饋入部143f電性隔離。饋入部143f直接接觸饋入層120f，且饋入部143f電性連接於饋入導電孔121f。接地部143g直接接觸接地層120g，且接地部143g通過接地導電孔121g電性連接於接地電位。
[0061]由於接地層143的接地部143g電性連接於一接地電位，故接地層143可作為一屏蔽層，以保護接地層143下方的被動元件，避免其天線層142所導致的電磁幹擾(EMI)。例如，圖1A的實施例中，天線基板140的接地層143延伸覆蓋晶片120且覆蓋被動元件115以保護晶片120及被動元件115，避免其受到電磁幹擾。另一實施例中，天線基板140可以延伸至封裝體130的一側表面，例如是側表面130s，以與封裝基板110的整個上表面IlOu重迭。
[0062]天線層142是一圖案化金屬層，其形成於核心層141的上表面141u。天線層142包括接地部142g及天線部142a，其中天線部142a電性隔離於接地部142g。天線部142a通過饋入導電孔141 If電性連接於接地層143的饋入部143f，且接地部142g通過接地導電孔141 Ig電性連接於接地層143的接地部143g。
[0063]天線基板140轉換電力成為無線電波(rad1 wave),反之亦然。在傳輸方面，晶片120作為一無線傳送器(rad1 transmitter),其通過饋入導電孔121f、饋入層120f、饋入部143f與饋入導電孔1411f提供振蕩無線射頻(rad1 frequency)電流給天線層142,且天線層142從電流福射能量作為電磁波(electromagnetic wave)。此外,在接收方面，天線層142通過饋入導電孔1411f、饋入部143f、饋入層120f與饋入導電孔121f截取(intercept)電磁波的能量，以產生電壓提供給作為無線接收器(rad1 receiver)的晶片120。RF信號路徑經由直接地耦接天線基板140的饋入導電孔1411f至晶片120的饋入導電孔12If而縮短，進而減少RF信號的衰退。
[0064]如圖1A所示，天線層142被封裝體130包覆。然而，另一實施例中，天線層142可從封裝體130露出。此外,天線基板140通過品質測試而為一已知合格(good)基板(例如，一工作天線基板)，其設置於晶片120上而形成半導體封裝件100。如此，具有缺陷的天線基板在設置於晶片120之前就可以被發現，如此可提升良率且降低成本。
[0065]請參照圖1B，其繪示圖1A的天線基板140的底視圖。接地部143g與饋入部143f電性隔離，且環繞饋入部143f。此外，接地部143g延伸至天線基板140的一側表面140s，以獲得最廣的屏蔽面積。
[0066]請繪示圖2A，其繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件200的剖視圖。半導體封裝件200包括封裝基板110、被動元件115、晶片120、封裝體130、天線基板140、接地線250g及饋入線250f。
[0067]晶片120設置於封裝基板110的上表面llOu。晶片120包括相對的上表面120u與主動面120b。面向天線基板140的上表面120u是一非主動面。主動面120b面向封裝基板110且通過數個焊球電性連接於封裝基板110。
[0068]封裝體130包覆晶片120、天線基板140及接地線250g與饋入線250f。
[0069]天線基板140直接設置於晶片120上且包括核心層141、天線層142及接地層143。核心層141包括相對的上表面141u與下表面141b及至少一接地導電孔141 lg。天線層142形成於核心層141的上表面141u，且接地層143形成於核心層141的下表面141b且直接接觸晶片120的上表面120u。
[0070]天線基板140的天線層142包括接地部142g及天線部142a,其中接地部142g通過接地線250g電性連接於封裝基板110，且天線部142a通過饋入線250f電性連接於封裝基板110。接地層143通過接地導電孔141 Ig電性連接於天線層142的天線接地部142g。因此，接地層143通過接地導電孔1411g、接地部142g與接地線250g電性連接於接地電位。通過封裝基板110的走線111及饋入線250f，RF信號從天線基板140傳輸至晶片120。
[0071]請參照圖2B，其繪示圖2A的天線基板的底視圖。接地層143覆蓋核心層141的整個下表面141b(圖2A)，亦即，接地層143是一不具有中空圖案的連續金屬層。底視圖僅繪示本發明的一實施例，其非用以限制本發明。另一實施例中，接地層143可以是一圖案化接地層或可以覆蓋至少70%、至少80%、至少90%或至少95%的下表面141b。此外，接地層143可延伸至天線基板140的數個側表面140s的至少一者，以獲得最廣的屏蔽面積。
[0072]請參照圖3，其繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件300的剖視圖。半導體封裝件300包括封裝基板110、被動元件115、晶片120、封裝體130、天線基板140、至少一導電焊線360及隔離基板370。
[0073]晶片120以朝上方位(face-up)耦接於封裝基板110，且通過數條導電焊線360電性連接於封裝基板110。晶片120包括面向封裝基板110的下表面120u與面向隔離基板370的主動面120b。
[0074]天線基板140包括核心層141、天線層142及接地層143。本實施例中，接地層143的結構相似於圖1A，容此不再贅述。
[0075]隔離基板370是一中介層基板，其設置於晶片120與天線基板140之間，以提供一空間去容納導電焊線360，因而避免導電焊線360電性連接於天線基板140的接地層143。在實施例中，天線基板140直接設置於隔離基板370上，且隔離基板370直接設置於晶片120上，藉以縮短一信號傳輸路徑以及控制電磁幹擾。經由控制天線基板140與隔離基板370之間的空間或隔離基板370與晶片120之間的空間亦可獲得類似的效果，例如是約500微米內、400微米內、300微米內、200微米內、100微米內或約50微米的空間。
[0076]隔離基板370以朝下方位(face-down)直接耦接於晶片120，且通過數個焊球電性連接於晶片120。隔離基板370包括基材371、饋入層370f及接地層370g。基材371包括上表面371u與下表面371b，其中饋入層370f及接地層370g形成於上表面371u。基材371更包括饋入導電孔371 If及接地導電孔371 lg，其中饋入導電孔371 If電性連接於饋入層370f與晶片120，且接地導電孔3711g電性連接於接地層370g與晶片120。
[0077]請參照圖4，其繪示依照本發明另一實施例的半導體封裝件400的剖視圖。半導體封裝件400包括封裝基板110、被動元件115、晶片120、封裝體130、天線基板140、饋入線250f、接地線250g、至少一導電焊線360及隔離基板470。
[0078]天線基板140包括核心層141、天線層142及接地層143。本實施例中，天線基板140的結構相似於圖2A的結構，容此不再贅述。
[0079]饋入線250f電性連接於晶片及封裝基板110的走線111，使RF信號通過封裝基板110的走線111與饋入線250f從封裝基板110傳輸至晶片120。接地部142g可通過接地線250g與封裝基板110的走線111電性連接於接地電位。因為天線基板140可通過接地線250g與饋入線250f電性連接於封裝基板110，隔離基板470可省略數個導電元件，例如是導電孔(conductive via)或走線。
[0080]隔離基板470是一絕緣基板，其例如是由矽或玻璃形成。隔離基板470直接設置於晶片120上且具有上表面470u。天線基板140直接設置於隔離基板470的上表面470u。
[0081]請參照圖5A至5E，其繪示圖1A的半導體封裝件的製造過程圖。
[0082]如圖5A所不，提供封裝基板110,其中封裝基板110包括上表面llOu、下表面110b、數條走線111、數個導電孔112及數個接墊113。走線111形成於上表面110u，導電孔112從上表面IlOu延伸至下表面110b，且接墊113形成於下表面110b。接墊113通過導電孔112電性連接於走線111。
[0083]如圖5B所示，被動元件115及晶片120設置於封裝基板110的上表面llOu。晶片120以朝下方位耦接於封裝基板110的上表面110u，且通過數個焊球電性連接於封裝基板110。晶片120包括上表面120u，且是半導體裝置的一部分，其中半導體裝置包括饋入層120f及饋入導電孔121f，饋入導電孔121f形成於晶片120的上表面120u，而饋入導電孔121f電性連接饋入層120f與封裝基板110。
[0084]如圖5C所示,可採用例如是表面黏貼技術(Surface mount technology, SMT),設置天線基板140於晶片120上。天線基板140是通過品質測試且為一已知合格天線基板(例如是一工作基板)，其設置於晶片120上。如此，可提升良率以及降低成本。在實施例中，天線基板140水平地延伸至與被動元件115重迭。
[0085]天線基板140包括核心層141、天線層142及接地層143。核心層141包括上表面141u、下表面141b、接地導電孔1411g及饋入導電孔1411f。天線層142形成於核心層141的上表面141u,且接地層143形成於核心層141的下表面141b。天線層142包括天線部142a及接地部142g，其中接地部142g與天線部142a電性隔離。接地層143包括接地部143g及饋入部143f,其中饋入部143f與接地部143g電性隔離。天線部142a通過饋入導電孔141 If電性連接於饋入部143f，而接地部142g通過接地導電孔141 Ig電性連接於接地部 143g。
[0086]如圖所示，形成封裝體130於封裝基板110的上表面IlOu上，其中封裝體130包覆被動元件115、晶片120與天線基板140。
[0087]如圖5E所示，形成數個切割道Tl經過封裝體130及封裝基板110，以形成半導體封裝件100。切割道Tl使用雷射或刀具形成。封裝體130的側表面130s與封裝基板110的側表面IlOs經由切割而形成。側表面130s與側表面IlOs齊平。本實施例中，此種切割方法稱為」全穿切法(full-cut method) 」，即，切割道Tl切穿整個封裝基板110與封裝體130。另一實施例中，封裝體130與封裝基板110可使用半穿切法(half-cut method)切割，SP，切割道Tl可切穿封裝基板110的一部分或封裝體130的一部分。
[0088]半導體封裝件200的製造方法相似於半導體封裝件100，容此不再說明。
[0089]請參照圖6A至6E，其繪示圖3的半導體封裝件的製造過程圖。
[0090]如圖6A所示，被動元件115及晶片120設置於封裝基板110的上表面llOu。晶片120以朝上方位耦接於封裝基板110的上表面110u，且通過數個導電焊線360電性連接於封裝基板110。[0091]如圖6B所示，隔離基板370設置於晶片120上。隔離基板370以朝下方位直接耦接於晶片120且通過數個焊球電性連接於晶片120。隔離基板370包括基材371、饋入層370f及接地層370g。基材371包括上表面371u與下表面371b，其中饋入層370f及接地層370g形成於上表面371u。基材371更包括饋入導電孔3711f及接地導電孔3711g，其中饋入導電孔371 If電性連接饋入層370f與晶片120，且接地導電孔371 Ig電性連接接地層370g與晶片120。
[0092]如圖6C所示,可採用例如是表面黏貼技術(Surface mount technology, SMT),設置天線基板140於隔離基板370上。天線基板140是通過品質測試且為一已知合格天線基板(例如是一工作天線基板)，其設置於隔離基板370上。在實施例中，天線基板140水平地延伸至與被動元件115重迭。
[0093]天線基板140包括核心層141、天線層142及接地層143，其中核心層141包括上表面141u、下表面141b、接地導電孔1411g及饋入導電孔1411f。天線層142形成於核心層141的上表面141u,且接地層143形成於核心層141的下表面141b。天線層142包括天線部142a及接地部142g，其中接地部142g與天線部142a在空間上及電性上隔離。接地層143包括接地部143g及饋入部143f，其中饋入部143f與接地層143在空間上及電性上隔離。接地部143g通過接地導電孔141 Ig電性連接於接地部142g,而饋入部143f通過饋入導電孔141 If電性連接於天線部142a。
[0094]如圖6D所示，形成封裝體130於封裝基板110的上表面110u，其中封裝體130包覆被動元件115、晶片120、天線基板140與焊線360。
[0095]如圖6E所示，形成數個切割道Tl經過封裝體130及封裝基板110，以形成半導體封裝件300。切割道Tl使用雷射或刀具形成。封裝體130的側表面130s與封裝基板110的側表面IlOs經由切割形成，使側表面130s與側表面IlOs齊平。本實施例中，此種切割方法稱為」全穿切法」，即，切割道Tl切穿整個封裝基板110與封裝體130。
[0096]半導體封裝件400的製造方法相似於圖3的半導體封裝件300，容此不再說明。
[0097]綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬【技術領域】中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護範圍當視權利要求書所界定者為準。
【權利要求】
1.一種半導體封裝件，其特徵在於，包括: 一封裝基板，包括一上表面； 一半導體裝置，設置於該封裝基板的該上表面； 一天線基板，設置於該半導體裝置上，該天線基板包括: 一核心層，包括一上表面、一下表面及一導電孔； 一接地層，形成於該核心層的該下表面；以及 一天線層，形成於該核心層的該上表面，且通過該導電孔電性連接於該接地層；以及 一封裝體，包覆該半導體裝置與該天線基板。
2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該接地層包括一饋入部及一接地部，該接地部環繞該饋入部且與該饋入部隔離。
3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該接地層覆蓋該核心層的整個該下表面。
4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該半導體裝置包括: 一晶片，包括一上 表面及一饋入導電孔；以及 一饋入層，形成於該晶片的該上表面； 其中，該天線基板通過該饋入層與該饋入導電孔電性連接於該封裝基板。
5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該半導體裝置包括一具有一上表面與一接地導電孔的晶片，且更包括一形成於該晶片的該上表面上的接地層； 其中，該天線基板通過該接地層與該接地導電孔電性連接於該封裝基板。
6.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該天線基板的該天線層從該封裝體露出。
7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，該天線基板的該天線層包括一接地部及一天線部，且該半導體封裝件包括: 一饋入線，連接該天線部與該封裝基板；以及 一接地線，連接該接地部與該封裝基板。
8.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特徵在於，更包括: 一被動元件，設置於該封裝基板； 其中，該天線基板延伸至覆蓋該被動元件的至少一部分。
9.一種半導體封裝件，其特徵在於，包括: 一封裝基板，包括一上表面； 一晶片，設置於該封裝基板的該上表面； 一線路，電性連接該晶片與該封裝基板； 一隔離基板，設置於該晶片上； 一天線基板，設置於該隔離基板上且包括: 一核心層，包括一上表面、一下表面及一導電孔； 一接地層，形成於該核心層的該下表面 '及 一天線層，形成於該核心層的該上表面，且通過該導電孔電性連接於該接地層；以及 一封裝體，包覆該晶片、該隔離基板與該天線基板。
10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該接地層包括一饋入部及一接地部，該接地部環繞該饋入部且與該饋入部隔離。
11.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該接地層覆蓋該核心層的整個該下表面。
12.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該隔離基板是一中介層基板，該中介層基板設置於該晶片與該天線基板之間，且包括一電性連接該天線基板與該晶片的導電孔。
13.如權利要求12所述的半導體封裝件，其特徵在於，該中介層基板包括一上表面、一饋入層及一饋入導電孔，該饋入層形成於該中介層基板的該上表面，而該天線基板通過該饋入層與該饋入導電孔電性連接於該晶片。
14.如權利要求12所述的半導體封裝件，其特徵在於，該中介層基板包括一上表面、一接地層及一接地導電孔，該接地層形成於該中介層基板的該上表面，而該天線基板通過該中介層基板的該接地層與該接地導電孔電性連接於該晶片。
15.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該晶片包括一面向該隔離基板的主動面。
16.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該天線層從該封裝體露出。
17.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，該天線基板的該天線層包括一饋入部及一接地部，且該半導體封裝件包括: 一饋入線，連接該天線層的該饋入部與該封裝基板；以及 一接地線，連接於該天線層的該接地部與該封裝基板。
18.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特徵在於，更包括: 一被動元件，設置於該封裝基板上； 其中，該天線基板延伸至覆蓋該被動元件的至少一部分。
19.一種半導體封裝件的製造方法，其特徵在於，包括: 提供一封裝基板，其中該封裝基板包括一上表面； 設置一晶片於該封裝基板的該上表面； 提供一天線基板，其中該天線基板是通過測試的一工作天線基板，該天線基板包括: 一核心層，包括一上表面、一下表面及一導電孔； 一接地層，形成於該核心層的該下表面 '及 一天線層，形成於該核心層的該上表面，且通過該導電孔電性連接於該接地層； 設置該天線基板於該晶片上；以及 形成一封裝體包覆該晶片、該基板的該上表面的一部分與該天線基板。
20.如權利要求19所述的製造方法，其特徵在於，於設置該天線基板於該晶片的步驟前，該製造方法更包括: 設置一隔離基板於該晶片上。
【文檔編號】H01L23/31GK104037137SQ201410059783
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年2月21日 優先權日:2013年3月4日
【發明者】顏瀚琦 申請人:日月光半導體製造股份有限公司