光學數據記錄介質的讀取設備和讀取方法

2023-09-19 11:45:35 2

專利名稱：：光學數據記錄介質的讀取設備和讀取方法
技術領域：
：本發明涉及用於從光學數據記錄介質再現信息的讀取設備和讀取方法，該光學數據記錄介質用於對諸如數字視頻信息等信息的高密度記錄。
背景技術：
：高密度、大容量記錄介質的示例包括藍光碟(BD)、數字通用盤(DVD)、視頻盤、以及用於文檔存儲的多種盤。此類光學數據記錄介質(以下稱"光碟")是採用光學存儲技術以凹坑和平面圖案(pitandlandpattern)來記錄信息的。此外，光學存儲技術也經過了適配，以適於存儲數據文件。另外，目前正在研究進一步提高光碟記錄密度的方法。一種這樣的方法涉及，增加用於讀取和/或寫入的物鏡的數值孔徑(NA)。物鏡將雷射束聚焦於光碟上，以衍射極限形成光斑。一般而言，聚焦光的能量密度隨光碟束點直徑的減小而增大。然而，通過聚焦雷射束來讀取記錄在一次性寫入光碟和可重寫光碟上的數據所需的功率小於擦除記錄在光碟上的標記和凹坑所需的功率。因此，用於讀取此類盤的雷射器發射功率是有限的。為了提高記錄和讀取過程中的數據傳輸率，還提高了盤的旋轉速率以及通道比特流。一般而言，符合DVD或BD標準的可重寫光碟具有在結晶態和非晶態間變化的相變記錄層。此類介質是通過利用物鏡將強雷射束聚焦到光碟的記錄膜上，使記錄膜的溫度升高至熔點以上，然後迅速冷卻熔斑以形成非結晶態(非晶態)記錄標記的方式，來記錄信息的。當把能量強度足以將記錄膜的溫度升高到熔點附近的雷射束聚焦到記錄膜上時，束斑聚焦位置的記錄膜的溫度就會升高到結晶溫度以上，然後在結晶態下逐漸冷卻。通過利用記錄膜的這種相變特性，並利用二進位記錄信號(NRZI)調節雷射束的功率，就可以記錄和擦除數據(記錄標記)，並實現可重寫記錄介質。記錄膜的結晶和非晶相的光學特性(如反射率)的差異被用於從光碟讀取信息。更具體地說，以低功率電平(雷射束的平均讀取功率Pave)將雷射束聚焦於記錄膜上，並檢測反射光的變化，以根據所記錄的數據產生模擬讀取信號。接著，諸如PRML(部分響應最大似然)電路等數位訊號處理電路將模擬讀取信號數位化，糾錯電路應用糾錯和解調處理，從而獲取期望信息。一次性寫入光碟可通過採用Te-O-M材料(其中M表示金屬元素、電介質元素、或半導體元素)形成記錄膜的方式製造而成。舉例而言，日本未審專利申請公開JP-A-2004-362748中就講授了這種一次性寫入光碟。用作記錄材料的Te-O-M材料是一種包含Te、O和M的材料，並且膜一經形成，Te-O-M材料就成為了一種Te、Te-M、和M粒子均勻分布在Te02基體中的合金。當雷射束照射到由這樣的材料製成的膜上時，膜熔化，結晶直徑較大的Te或Te-M晶體發生沉積。另外，暴露於雷射束的記錄膜部分與未暴露的膜部分的光學狀態間的差異還可以被檢測，作為來自這種光碟的信號，並且可以利用這種特性來製造只允許寫入一次的一次性寫入光^*。為了讀取如上所述的可重寫和一次性寫入光碟，高頻調製電路將幾百兆赫的高頻信號調製到半導體雷射器的驅動電流上。這是為了防止因從光碟反射回來的光提高了雷射束中噪聲而導致的讀取信號信噪比的下降。以下將進一步說明通過採用高頻調製抑制由雷射束反射導致的噪聲增加的方式來防止信噪比下降的方法。日本未審專利申請公開JP-A-2004-355723講授了一種在根據光碟類型進行讀取時改變被調製在雷射束上的高頻信號的幅度的方法。JP-A-2004-355723中講授的光碟驅動器根據識別出的光學信息記錄介質的類型，改變被調製在用於驅動半導體雷射器的驅動信號上的高頻信號的幅度。日本未審專利申請公開JP-A-2000-149302講授了一種根據光碟驅動器的工作模式(即，光碟驅動器是在讀光碟還是寫光碟)，改變半導體雷射器的輸出功率的調製頻率和幅度的方法。如果用讀或寫高密度盤所需的光斑尺寸較小的雷射束讀或寫低密度9光碟，那麼由於同記錄標記以及導軌間距的尺寸相比聚焦雷射束的光斑尺寸較小，伺服信號將產生失真。為了解決以不同的記錄密度讀取並記錄至少兩種不同光碟這一問題，日本未審專利申請公開JP-A-H10-228645講授了一種通過控制高頻調製電流，使讀寫低記錄密度光碟時驅動電流的調製程度大於讀寫高記錄密度光碟時驅動電流的調製程度的方式，來解決此問題的方法。曰本未審專利申請公開JP-A-2003-308624講授了一種用於根據驅動半導體雷射器的電流來計算半導體雷射驅動器的差分效率，並根據計算的差分效率設置高頻電流幅度的方法。當半導體雷射器的差分效率發生改變，或半導體雷射器的差分效率隨時間改變時，JP-A-2003-308624中講授的方法使得始終能夠疊加最優最低的所需高頻電流，並減小功耗和向外的輻射。JP-A-2003-308624還講授了一種控制高頻調製裝置，以通過從多個預置高頻電流幅度電平中選擇的方式，確定與計算得到的驅動器差分效率相適應的高頻電流幅度，並調製具有選定幅度的高頻電流。當為了提高光碟的數據傳輸率而增加光碟線速度時，讀取信號的帶寬增加，信噪比降低。如果電路發出的高頻噪聲是一個值得關注的問題，那麼可以通過在根據線速度進行讀取時增加雷射器發射功率的方式，來補償由帶寬增加引起的信噪比下降。然而，如果在讀取時增加雷射器的輸出功率，則可能擦除記錄在一次性寫入光碟或可重寫光碟上的標記或凹坑，因而可能無法保持已記錄數據的可靠性。為了解決這個問題，本發明的方法能夠在盤線速度增加時提高讀取信號的信噪比，以從諸如光碟等光學數據記錄介質再現信息，而不會導致記錄標記被雷射束擦除。
發明內容本發明的第一方面是一種從記錄介質再現信息的讀取方法，對於所述記錄介質，能夠通過將高頻電流疊加在驅動電流上，以驅動將雷射束髮射到記錄介質上的半導體雷射器的方式，以多種線速度進行讀取，所述讀取方法具有以下步驟從多種線速度中選擇一種線速度；以及根據選定的線速度改變光調製率，所述光調製率(Pp/Pave)是發射雷射束光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值。優選地，選擇步驟選擇第一線速度(Lvl)或至少為第一線速度的兩倍的第二線速度(Lv2);用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的光調製率為第一光調製率(Modl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的光調製率為第二光調製率(Mod2);第二光調製率(Mod"低於第一光調製率(Modi)(Mod2〈Modl)。優選地，第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modi)和第二光調製率(Mod2)被設置為使以下等式(l)成立。(Lv2/Lvl)1/22(Modl/Mod2)>1(1)優選地，用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2)，並且第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、和第二平均讀取功率(Pr2)被設置為使以下等式(2)成立。(Lv2/Lvl)1/22(Pr2xMod2)/(PrlxModi)21(2)優選地，對於記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，第一平均讀取功率(Prl)和第二平均讀取功率(Pr2)是預記錄到記錄介質的，並且所述讀取方法還包括從所述記錄介質讀取平均讀取功率信息的步驟。優選地，對於記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，第一光調製率(Modl)和第二光調製率(Mod2)是預記錄到記錄介質的，並且所述讀取方法還包括從所述記錄介質讀取光調製率信息的步驟。優選地，用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被設置為使以下等式(3)成立。(Pe2/Pel)2(Modl/Mod2)21(3)優選地，用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2);用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、第二平均讀取功率(Pr2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被設置為使以下等式(4)成立。(Pe2/Pel)2(Pr2XMod2)/(PrlXModl)21(4)優選地，對於記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，並且第一擦除功率(Pel)和第二擦除功率(Pe2)是預記錄在到記錄介質的，並且所述讀取方法還包括從所述記錄介質讀取擦除功率信息的步驟。優選地，第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)間的比值(Lv2/Lvl)至少是4，並且光調製率隨線速度發生改變。優選地，所述記錄介質是可重寫或一次性寫入介質。此外優選地，讀取方法，還包括當選定線速度在記錄介質的所有區域上基本恆定時，從表中讀取光調製率的步驟。優選地，所述讀取方法還包括以下步驟在選定線速度為越接近記錄介質的外周邊越大的線速度的情況下，計算針對一種設定線速度的光調製率和針對另一設定線速度的光調製率之間的中值，以針對偏離了設定線速度的線速度確定光調製率，所述設定線速度是基準線速度的特定倍數。本發明的另一方面是一種用於從記錄介質再現信息的讀取設備，對於記錄介質，能夠通過將高頻電流疊加在驅動電流上，以驅動將雷射束髮射到記錄介質上的半導體雷射器的方式，以多種線速度進行讀取，所述讀取設備包括從多種線速度中選擇一種線速度的裝置；以及根據選定的線速度改變光調製率的裝置，所述光調製率(Pp/Pave)是發射雷射束光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值。優選地，所述用於改變光調製率的裝置包括高頻疊加單元，用於將高頻疊加到半導體雷射器的驅動電流上；雷射器驅動單元，用於驅動半導體雷射器；以及高頻調製控制單元，用於在讀取記錄介質時根據線速度改變光調製率，其中，高頻調製雷射束的光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值為光調製率(Pp/Pave)。本發明的另一方面是一種記錄介質，所述記錄介質可以多種線速度被讀取，並包含著可以由設備讀取的光碟信息，其中光碟信息記錄與所述多種線速度有關的信息，以每種線速度讀取記錄介質時的雷射束的平均讀取功率，以及以每種線速度讀取記錄介質時的調製電流的幅度。發明效果如上所述，當從光學數據記錄介質再現信息時，本發明根據讀取時的線速度改變作用於高頻調製電流的調製程度，使得在讀取時能夠以更加期望的方式提高平均雷射功率。因此，本發明的方法和設備可以防止當以較高線速度讀取信息時，由讀取信號帶寬增加所導致的信噪比下降的問題，提供讀取信號的信號質量，並達到良好的讀取誤差率，而不會出現具有平均雷射功率的讀取雷射意外將記錄標記擦除的情況。圖1是根據本發明優選實施例的光學數據記錄介質的讀取設備的方框圖。圖2示出了雷射器的讀取功率、擦除功率和記錄功率。圖3A是一幅曲線圖，示出了當讀取時雷射器的驅動電流I(x軸)和光輸出功率P(y軸)間的關係。圖3B是另一幅曲線圖，示出了當讀取時雷射器的驅動電流I(x軸)和光輸出功率P(y軸)間的關係。圖4是調製高頻信號時雷射束的曲線圖。圖5A是描述根據本發明優選實施例的讀取設備的操作的流程圖。圖5B繼續示出了根據本發明優選實施例的讀取設備的操作的流程圖。圖5C繼續示出了描述根據本發明優選實施例的讀取設備的操作的流程圖。圖6是示出了光學數據記錄介質的空間分配的平面圖。具體實施方式以下將參考附圖對本發明的優選實施例進行說明。光學數據記錄介質通常是盤狀介質(此處指"光碟")。廣義而言，光碟類型包括只讀介質、只允許寫入一次的一次性寫入介質、允許將數據多次蓋寫的可重寫介質。本發明主要應用於只允許寫入一次的一次性寫入型光碟、允許將數據多次蓋寫的可重寫型光碟、或只讀型光碟。使數據能夠被多次蓋寫的可重寫光碟的一個示例是如下所述的BD-RE(可重寫藍光碟)盤。在此處所述的優選實施例中，採用了以下參數。雷射波長，405納米；物鏡數值孔徑，NA=0.85;光碟軌道間距，0.32微米；相變型光碟具有單層或雙層記錄層，入射雷射束是從光碟的同一側注入的，並且記錄層的深度為75至100微米；調製為17PP(極性保持/禁止RMTR(最小轉變行程重複)，PartyPreserve/ProhibitRMTR(RepeatedMinimumTransitionRunlength))調製；記錄標記的最小標記長度(2T)為0.149微米；一個記錄層的記錄容量為25GB，雙層的容量為50GB;BD標準速度(1X)的通道時鐘頻率為66MHz(BD4X為264MHz，BD8X為528MHz);標準線速度為4.917米/秒。BD-RE介質通過雷射束照射，使用相變記錄膜記錄信息。為了進行讀寫，發射波長約為405nm的藍紫雷射。通過讀取因雷射束形成的記錄標記存在與否所引起的反射率變化，將信息再現為數位訊號。更具體地說，為了在BD-RE介質上進行記錄，用物鏡將大功率雷射束(雷射功率Pw)聚焦在光碟的記錄膜上，使記錄膜的溫度至少升至熔點，然後將熔化部分迅速冷卻，從而形成非結晶(非晶)記錄標記。為了擦除先前記錄的標記並最終形成空白，以擦除功率電平(雷射功率Pe)將雷射聚焦在記錄膜上，所述擦除功率電平足以將記錄膜加熱至熔點附近。當進行擦除時，雷射束Pe將記錄膜的非晶部分加熱至結晶溫度，從而引起從非晶到結晶的相變，擦除了標記。這樣一來，通過基於二進位記錄信號將雷射束的功率在Pw和Pe間調製，就可以將信息(記錄標記)記錄至BD-RE盤，以及將信息(記錄標記)從BD-RE盤上擦除。只允許寫入一次的一次性寫入介質的一個示例是如下所述的BD-R(可記錄藍光碟)盤。可以使用多種材料製造BD-R介質的記錄層。假定下述一次性寫入盤採用含Te-O-M的無機材料來製造記錄層，其中M是金屬元素、電介質元素和半導體元素中的至少一種，優選Pd。構成記錄層的Te-O-M材料包含Te、O和M，並且膜一經形成，Te-O-M材料就成為了一種Te、Te-M和M粒子均勻地隨機分布在Te02基體中的合金。當雷射束照射到由這樣的材料製成的膜上時，膜熔化，結晶直徑較大的Te或Te-M晶體發生沉積。暴露於雷射束的記錄膜部分與未暴露的膜部分的光學狀態不同。這些差異還可以被檢測為信號。這種特性可用來製造只允許寫入一次的一次性寫入光碟。通過發射雷射束，讀取因記錄標記的存在與否所引起的反射率變化，將信息再現為數位訊號。圖6是示出了分配在光碟表面上的各個區域的平面圖。將光碟的數據表面從內周邊至外周邊劃分為突發切斷區BCA602、盤信息區603、OPC(最優功率控制)區和缺陷管理區DMA604、數據區601以及導出區605。區域602、603和604合稱為導入區。基本上，以4.917m/s的標稱線速度向光碟記錄信息並從中讀取信息。該標稱線速度被稱為線速度IX。可以通過用反應速度更快(結晶速度更快)的材料形成光碟記錄層，製造能夠以兩倍(2X)於標稱線速度的線速度進行記錄和讀取的光碟。因此，可以通過選擇合適的用於記錄層的材料，實現以一倍(1X)、兩倍(2X)、四倍(4X)、八倍(8X)、十二倍(12X)於標稱線速度的最大線速度進行記錄和讀取的光碟。此外，舉例而言，還可以較慢的速度IX和2X對最大線速度為4X的光碟進行記錄和讀取。描述了可用於記錄和讀取的線速度、以及每種線速度下雷射束的記錄功率Pw、擦除功率Pe和再現功率(讀取功率)Pr的信息被記錄在各光碟的導入區中。由於用於讀取的再現功率(讀取功率)等於通過在預定單位時間內對再現功率Pr進行時間積分所獲得的平均讀取功率，因此也可以將其稱為平均讀取功率Pave。以下信息被記錄在最大可用線速度為IX的光碟的導入區中。lX，Plw，Ple,Plave以下信息被預記錄在最大可用線速度為2X的光碟的導入區中。lX,Plw,Ple,Plave2X，P2w,P2e,P2ave15以下信息被記錄在最大可用線速度為4X的光碟的導入區中。lX,Plw，Ple，Plave2X，P2w,P2e,P2ave4X，P4w,P4e,P4ave以下信息被記錄在最大可用線速度為8X的光碟的導入區中。lX,Plw,Ple,Plave2X,P2w,P2e，P2ave4X,P4w,P4e,P4ave8X,P8w,P8e,P8ave以下信息被記錄在最大可用線速度為12X的光碟的導入區中。lX,Plw,Ple,Plave2X,P2w,P2e，P2ave4X,P4w，P4e,P4ave8X,P8w，P8e,P8ave12X,P12w,P12e，P12ave上述值中每一個的最優值可以通過，事先針對每種介質，分別讀取來自該介質的信息而獲得並記錄在下述讀取設備的存儲器116內。可選地，這樣的最優值還可以通過由記錄裝置使用盤導入區中的可重寫區進行測試寫入和學習過程來獲得。圖1是示出了根據本發明優選實施例的光學數據記錄介質(以下稱光碟)的讀寫設備的配置框圖。如圖1所示，讀取設備具有主軸電動機109，用於旋轉驅動光碟101。讀取設備還具有系統控制器102、記錄信號處理器103、雷射控制器104、伺服控制器105、高頻調製控制器106、存儲器116、高頻調製器107、以及再現信號處理器108。位於光學檢波器內的、圖1中以虛線標識的光學模塊120包括半導體雷射器110、雷射功率檢測器111、光學光電檢測器(photodetector)112、偏振光束分離器113、物鏡致動器114、以及物鏡115。圖1中位於虛線121內的部件102、103、104、105、106、107、108和116被實現在IC晶片上。下面將更加詳細地描述該光碟讀寫設備。再現信號處理器108從光碟讀取再現信號，特別地在本發明的該實施例中，從導入區讀取最大線速度信息。伺服控制器105獲得從導入區讀出的最大線速度信息，並基於該最大線速度信息，控制主軸電動機109的旋轉速度。伺服控制器105控制主軸電動機109的速度，使得當雷射光斑從恆定線速度(CLV)光碟上的內周邊向外周邊移動時，旋轉速度隨雷射光斑在光碟上的徑向位置而逐漸減小。伺服控制器105優先選擇從導入區讀出的最大線速度，然而還可以基於通過操作單元(未示出)接收到的用戶輸入，選擇低於最大線速度的線速度。伺服控制器105控制主軸電動機109的旋轉速度(ipm)，使其達到所選定的線速度。系統控制器102從再現信號處理器108接收選定的線速度數據，還從再現信號處理器108接收與選定的線速度相對應的功率電平，即記錄功率Pw、擦除功率Pe、或平均讀取功率Pave。選定的線速度可以是優選的最大線速度或用戶選定的線速度。系統控制器102對伺服控制器105加以控制，伺服控制器105控制聚焦和跟蹤，使雷射束斑跟蹤在光碟101上形成為預刻凹槽(pregroove)的導軌。伺服控制器105還對主軸電動機109加以控制，從而控制光碟IOI的旋轉速度。在記錄模式下，記錄信號處理器103、存儲器116和雷射控制器104根據來自系統控制器102的信號工作，發射雷射，並向光碟寫入數據。在讀取模式下，高頻調製控制器106、存儲器116、雷射控制器104和高頻調製器107根據來自系統控制器102的信號工作，發射雷射，並讀取事先寫在光碟上的數據。由半導體雷射器110發出的雷射束穿過包括準直透鏡和偏振光束分離器113在內的光路，並由物鏡115聚焦在光碟IOI的記錄膜上。由半導體雷射器110發出的部分雷射束被偏振光束分離器113反射到雷射功率檢測器111上。雷射功率檢測器111檢測雷射束的功率，將入射光功率轉換為電信號，並將該電信號輸出至雷射控制器104。雷射控制器104將來自雷射功率檢測器111的電信號同預定目標值進行比較，並對施加於半導體雷射器IIO的驅動電流加以控制，使檢測到的雷射功率同目標值間的偏離向零靠近。更具體地說，這包括使半導體雷射器110的功率保持不變的反饋環。從光碟101反射回來的雷射束穿過物鏡115，入射至偏振光束分離器113。偏振光束分離器113根據雷射束的偏振方向將入射光加以反射並分離，分離束入射至光電檢測器112。入射到光電檢測器112的雷射束經光電轉換，並且光電檢測器112輸出與入射至光電檢測器112各個感光區的光量成正比的電信號。接著，再現信號處理器108對該電信號執行特定操作，以輸出聚焦誤差信號FE、跟蹤誤差信號TE以及再現信號RF信號。伺服控制器105使用聚焦誤差信號和跟蹤誤差信號驅動物鏡致動器114，以補償光碟翹曲和偏心距。下面將描述讀取盤信息的過程。為了讀取盤信息，光學檢波器首先讀取位於光碟內周邊部分的BCA602和盤信息區603。光電檢測器112將反射光轉換為電信號，再現信號處理器108利用包含PRML(部分響應最大似然)電路的信號處理電路，將再現信號(RF信號)轉換為二進位信號，並將結果數位訊號輸出至系統控制器102。接著，系統控制器102執行糾錯和解調處理，並將包括盤類型(BD-R或BD-RE)、最大線速度(1X、2X、4X等等)、記錄脈衝狀況以及雷射功率狀況在內的盤信息存儲至系統控制器102中的存儲器。盤信息由光電檢測器112、再現信號處理器108以及系統控制器102讀出，這些部件共同起鑑別單元的作用。下面，對記錄模式加以描述。在記錄模式下，系統控制器102首先從光碟獲取指示選定線速度的信號、以及指示與選定線速度相對應的擦除功率和記錄功率的信號，並將上述信號傳送至記錄信號處理器103。記錄信號處理器103還從記錄數據發生單元(未示出)獲取由0和1構成的二進位記錄數據序列(NRZI信號)。接著，記錄信號處理器103根據該記錄數據產生記錄脈衝序列，並將記錄信號輸出至雷射控制器104。舉例而言，如果選定線速度是4X，記錄信號處理器103就產生表示由圖2中的虛線標出的擦除功率4和寫脈衝4的記錄脈衝序列，並將記錄信號18輸出至雷射控制器104。值得注意的是，擦除功率4是指示標記0的信號，寫脈衝4是指示標記1的信號。在圖2中，由實線指示的擦除功率1與線速度IX和雷射功率Ple相對應，而由虛線指示的擦除功率4與線速度4X和雷射功率P4e相對應。雷射功率數據是從光碟中讀取的。可選地，可以使用實現事先寫入存儲器116的最優值。此外可選地，可以使用記錄功率的最優值，該最優值是通過用從光碟讀出的數值作為初始值，對盤導入區內的可重寫區進行測試寫入而獲得的。類似地，由圖2中的實線指示的寫脈衝l對應於線速度IX，並且是使用雷射功率Plw的多脈衝記錄脈衝。由虛線指示的寫脈衝4對應於線速度4X，並且是雷射功率P4w時所用的所謂的堡狀(castle-shaped)記錄脈衝。同下述讀取模式期間不同，用於記錄模式的擦除功率和寫脈衝信號不含有調製的高頻信號。雷射控制器104輸出雷射器驅動信號，以基於包含擦除功率4脈衝和寫脈衝4的記錄信號，驅動半導體雷射器110。這將導致發射雷射。當雷射器以擦除功率電平進行發射時，先前記錄的標記被擦除，並且記錄0。當輸出寫脈衝時，在光碟上寫入標記，並記錄1。這樣一來，通過交替地以擦除功率和寫脈衝電平驅動雷射器，就寫入了0和1的序列。下面，對讀取模式加以描述。在讀取模式下，系統控制器102向存儲器116發送指示選定線速度的信號。存儲器116存儲以下表格。表ltableseeoriginaldocumentpage19表1存儲針對各種線速度的平均讀取功率(再現功率)目標以及調製電流幅度。可以存儲相應的雷射器驅動電流Iop，而不存儲平均讀取功率。表1中還可以包含針對各線速度的峰值雷射功率(pp)，在這種情況下，可以寫入峰值雷射功率(Pp)，而不寫入調製電流幅度。正如從表1中可以得知的那樣，當平均讀取功率Pave升高時，調製電流幅度或者減小，或者保持不變。存儲器116從表l中讀取針對選定線速度的平均讀取功率Pave和調製電流幅度。舉例而言，如果選定線速度是4X，存儲器116就輸出0.60mW，作為平均讀取功率Pave，並輸出A4mA，作為調製電流幅度。讀取時的平均讀取功率Pave可以是從表1中讀取的值，從光碟中讀取的值，或記錄裝置的測試和學習值。本發明的該實施例使用從表1中讀取的值Pav6。因此，將從表中讀取的平均讀取功率0.60mW傳送至雷射控制器104，並將調製電流幅度A4發送至高頻調製控制器106。高頻調製控制器106產生由頻率和電流幅度限定的高頻信號。在本發明的該實施例中，所要調製的高頻信號的頻率為預定值(如400MHz)，電流幅度為從存儲器中讀取的調製電流幅度A4。高頻調製控制器106將結果高頻信號輸出至高頻調製器107。雷射控制器104向高頻調製器107輸出與平均讀取功率Pave相對應的驅動電流DC。接著，高頻調製器107將高頻信號調製在驅動電流DC上，並將高頻信號偏移的驅動電流DC輸出至半導體雷射器110。圖3A示出了半導體雷射器IIO的I-L工作特性，其中曲線H是半導體雷射器的特性曲線。如果驅動電流小於門限值Ith，那么半導體雷射器基本不產生輸出，但是如果驅動電流大於門限值Ith，將輸出波長為405nm、雷射功率基本同電流成正比的雷射。在圖3A所示的雷射器驅動電流I同雷射器輸出功率P的關係中，如果在讀取光碟時達到平均讀取功率Pave所需的驅動電流的dc電平為Iop，那麼一旦設置了平均讀取功率Pave，就可以得到均勻的驅動電流dc電平Iop。當對雷射束的一部分(這部分是雷射器輸出的固定比率)進行檢測的雷射功率檢測器111的輸出達到預定電平時，就可以容易地確定以讀取電平輸出雷射所需的驅動電流Iop，(或者可以容易地設置以讀取電平輸出雷射所需的驅動電流Iop，從而使雷射功率檢測器的輸出達到預定電平)。門限值Ith是雷射功率檢測器111的輸出急劇上升的點，並且是可以容易20確定(或容易設置)的。要調製的高頻電流的幅度A可以根據以讀取電平輸出時驅動電流DC電平(Iop)和門限值(Ith)來確定。根據文獻可知，為了在向雷射束疊加高頻電流時獲得良好的噪聲特性，高頻電流幅度需要等於或大於特定電平。因此，通常在製造讀取設備時，確定可以在最壞情況下(考慮到老化和半導體雷射器特性的偏差等因素)提供高頻信號調製效果的高頻電流的頻率和幅度，並將其存儲在存儲器116中。將DC偏移高頻信號Bl(實線)的中值電流電平設置為Iopl。當將該DC偏移高頻信號Bl(實線)應用於半導體雷射器110時，在高頻信號Bl(實線)的電流大於門限值Ith的範圍中會輸出雷射。曲線C1(實線)表示此時的雷射輸出。此時，輸出雷射Cl的平均讀取功率(在預定時間單位內進行平均)為Plave。該平均讀取功率Plave等於圖2所示的平均讀取功率Plave。也就是說，為了產生平均讀取功率Plave的輸出雷射Cl，可以將高頻信號的dc電平設置為大約Iopl。當雷射控制器104從存儲器116得到平均讀取功率Plave時，雷射控制器104就利用預定等式或査找表產生相應的驅動電流DC電平Iopl。值得注意的是，為了將實際平均讀取功率驅動至目標平均讀取功率，雷射功率檢測器111監控實際雷射輸出功率，並且雷射控制器104應用自動功率控制(APC)。雷射輸出Cl是線速度為IX時的最優雷射輸出。在本發明的該方案中，用光調製率Mod作為用於確定最優雷射輸出Cl的參數。圖4是調製高頻信號時雷射束的圖，其中，附圖標記401表示高頻信號的峰值雷射功率Pp輸出，附圖標記402表示在每時間單位上平均的雷射束的平均讀取功率Pave，附圖標記403表示光調製率Mod，所述光調製率Mod是峰值雷射功率Pp同平均讀取功率Pave的比值(Mod=Pp/Pave)，附圖標記404表示光調製周期(1/f:f是頻率)，附圖標記405表示高頻調製的半高寬(FWHM，widthathalfmaximum)。在本發明的該方案中，FWHM405為300ps。在線速度為IX的藍光碟的情況下，光調製率被設置為7(MODl-7)。這是通過設置調製電流幅度Al和中值電流電平Iopl來實現的。中值電流電平Iopl是利用半導體雷射器的特性曲線H，根據平均讀取功率Plave來確定的。因此，可以通過如期望地設置平均讀取功率Plave和調製電流幅度Al，實現被用作目標值的光調製率MODI=7。值得注意的是，此處所用的MODl、MOD2等表示針對特定值的調製率，而Mod表示一般情況的調製率。此外，以下所用的Modl和Mod2表示針對任意兩個選定線速度的光調製率。本發明的該方案被配置為，使光調製率隨線速度而發生改變。優選地，對平均讀取功率Pave和調製電流幅度進行設置，使光調製率隨線速度的增加而下降。更為優選地，光調製率在線速度增至預定線速度以上時下降。更具體地說，當線速度增加時，優選地，平均讀取功率增加，而調製電流幅度保持不變或者降低。表2示出了與表1相同的平均讀取功率(Pave)和調製電流幅度、以及光調製率。表2中可以省略調製電流幅度。此外，表中所示的數值僅作為示例，本發明不局限於這些數值。表2tableseeoriginaldocumentpage22可以用表2代替表1，將表2存儲在存儲器116中。還可以將表l或表2的內容寫入記錄介質的盤信息。如果表1或表2被記錄在盤信息中，則可以將讀取自盤信息的表內容寫入存儲器116。如果選定線速度在所有徑向位置基本恆定(CLV介質)，就可以從表2讀取光調製率。從表2可知，當平均讀取功率Pave上升時，光調製率減小或保持不變。圖3A還示出了線速度為4X時的高頻信號B4和結果雷射輸出C4。同高頻信號Bl的幅度Al相比，高頻信號B4的幅度A4相同，但中值電平升高至Iop4。這是由於平均讀取功率從Plave升高到了P4ave。因此，顯而易見，當線速度升高4倍，從1X升高至4X時，光調製率Mod從7降低至4。圖3B還示出了線速度為IX時的高頻信號Bl和結果雷射輸出Cl，以及線速度為8X時的高頻信號B8和結果雷射輸出C8。同高頻信號Bl的幅度A1相比，高頻信號B8的幅度A8降低，但中值電平升高至Iop8。這是由於平均讀取功率從Plave升高到了P8ave。因此，顯而易見，當線速度升高8倍，從IX升高至8X，光調製率Mod從7降低至3.5。因此，顯而易見，在讀取模式下，雷射控制器104輸出恆定的驅動電流DC電平(如Iopl和Iop4)，其等於用作讀取電平的平均讀取功率Pave。當線速度改變為IX、2X、4X、8X、12X時，驅動電流DC電平改變為Iopl、Iop2、Iop4、Iop8、Iopl2，其中Iopl<Iop2<Iop4<Iop8<lop12。此外，當線速度改變為IX、2X、4X、8X、12X時，高頻信號幅度改變為A1、A2、A4、A8、A12，其中Al^A22A42A82A12。即使線速度發生改變，所要調製的高頻信號的頻率f也保持不變，即400MHz。在本發明的優選實施例中以示例的方式示出了頻率和幅度間的這種關係，本發明不僅僅局限於此。基於發送自系統控制器102的選定線速度IX、2X、4X、8X、12X，高頻調製控制器106控制高頻信號的幅度，以及雷射控制器104控制dc電平。接著，高頻調製器107調整來自高頻調製控制器106的高頻信號以及來自雷射控制器104的dc電平信號，以驅動半導體雷射器110。接著，半導體雷射器110受雷射控制器104的驅動，輸出405nm波長的雷射束。'下面，參考圖5A、圖5B和圖5C所示的流程圖，描述根據本發明的該實施例光碟讀取設備的操作過程。值得注意的是，這些附圖中的索引A至E表示流程圖彼此連接的位置。當將光碟加載到光碟驅動器中時，主軸開始以基準線速度IX轉動(步驟Sl)。主軸電動機的速度是根據線速度和由檢波器發出的雷射光斑在光碟上的徑向位置確定的，對主軸電動機進行控制，使線速度恆定。在步驟S2中，高頻調製控制器106基於與線速度IX和特定頻率f(400MHz)相對應的調製電流幅度Al，產生高頻信號Bl。在步驟S3中，雷射控制器104基於線速度IX下的平均讀取功率Plave，設置dc電平Iopl。步驟S3是為了將光調製率設置為MODl(-7)做準備。在步驟S4中，高頻調製器107調製高頻信號Bl和dc電平Iopl，以驅動半導體雷射器110，半導體雷射器110由此發射雷射束。在步驟S5中，進行聚焦和尋軌(trackseeking)。在步驟S6中，讀取記錄在光碟上的盤信息。將讀取到的盤信息存儲至存儲器116。接著，在步驟S7中，判斷是否手動選擇線速度。如果步驟S7返回是，控制就轉移至步驟S13。否則，控制就轉移至步驟S13。步驟S13判斷光碟的最大線速度是否為IX。如果步驟S13返回是，控制就轉移至步驟S30，雷射輸出繼續進行。如果步驟S13返回否，控制就轉移至步驟S14，判斷光碟的最大線速度是否為2X。如果答案是肯定的，控制就轉移至步驟S18。如果答案是否定的，控制就轉移至步驟S15。在步驟S18中，以線速度2X驅動主軸。在步驟S19中，高頻調製控制器106以與線速度2X相對應的幅度A2和頻率f輸出高頻信號B2。在步驟S20中，雷射控制器104基於線速度2X下的平均讀取功率P2ave，設置dc電平Iop2。步驟S20為將光調製率設置為MOD2(=7)做準備。步驟S15、S21、S22、和S23與步驟S14、S18、S19、和S20基本相同，只不過其操作對應於線速度4X。因此，步驟S23為將光調製率設置為MOD4(=4.0)做準備。步驟S16、S24、S25、和S26與步驟S14、S18、S19、和S20基本相同，只不過其操作對應於線速度8X。因此，步驟S26為將光調製率設置為MOD8^3.5)做準備。步驟S17、S27、S28、和S29與歩驟S14、S18、S19、和S20基本相同，只不過其操作對應於線速度12X。因此，步驟S29為將光調製率設置為MOD12(=3.0)做準備。在步驟S30中，以在步驟S20、S23、S26、或S29中設置的條件輸出雷射。如果步驟S7返回是，步驟S8、S9、SIO、Sll、和S12就判斷手動設置的線速度是IX、2X、4X、8X還是12X，並且操作過程以返回是的步驟的最大線速度繼續執行。舉例而言，如果手動設置的線速度是4X，步驟S10就將控制傳遞至步驟S21，即操作過程接在步驟S15的肯定判斷之後繼續執行。在上述實施例中，與線速度8X和12X有關的操作是在恆定角速度(CAV)下受到控制的。在這樣的情況下，可以在當讀取/記錄頭尋至預定徑向位置時設置(選擇)最大線速度，以獲取預定線速度。例如，當讀取時，如果光碟的旋轉線速度從1X增至4X，讀取功率就會增加，而峰值雷射功率Pp和平均讀取功率Pave下的光調製率Mod(=Pp/Pave)降低。例如，如果當線速度為1X，平均讀取功率Plave為0.30mW時，光調製率為7，並且當線速度為4X，平均讀取功率P4ave為0.60mW時，光調製率為4，則lX下的峰值功率Pp為0.30mWX7=2.1mW，4X下的峰值功率Pp為0.60mWX4=2.4mW，並且4X下的峰值雷射功率小於仍將光調製率設置為7的情況。由於每單位時間發射到單位面積上的光能大約是高光碟速度(如4X)下的1/4，因此，即使瞬時峰值雷射功率升高，並且將達到使記錄層熔化的溫度，記錄層的溫度也不至於直接地成比例地升高。例如，如果以第一線速度Lvl和第二線速度Lv2讀取光碟(其中Lvl和Lv2是期望線速度，且Lv2^Lvl)，優選使以下的等式(l)成立。(Lv2/Lvl)1/2^(Mod固od2)21(1)其中，第一光調製率Modl是以第一線速度Lvl讀取時的光調製率，第二光調製率Mod2是以第二線速度Lv2讀取時的光調製率。此外，如果當以第一線速度Lvl讀取時平均讀取功率為第一平均讀取功率Pavel，並且當以第二線速度Lv2讀取時平均讀取功率為第二平均讀取功率pave2，那麼優選對Lvl、Lv2、Modl、Mod2、Pavel、和Pave2進行設置，使以下的等式(2)成立。(Lv2/Lvl)1/2S(Pr2XMod2)/(PrlXModi)21(2)Pave和Mod的乘積為峰值雷射功率，因此可以將等式(2)寫為等式(2')。(Lv2/Lvl)1/22Pp2/Ppl21(2')其中Pp2是以Lv2讀取時的峰值雷射功率，Ppl是以Lvl讀取時的峰值雷射功率。除了根據記錄在盤信息中的各線速度下的平均讀取功率(讀取功率電平)來改變光調製率，可以讀取用於在記錄過程中寫空白的擦除功率Pe，並且可以基於與各線速度下的空白功率電平的比率，切換光調製率。舉例而言，可以從預記錄在盤上的盤信息中讀取用於在以第一線速度Lvl記錄時寫空白的擦除功率Pel，以及用於在以第二線速度Lv2記錄時寫空白的擦除功率Pe2，並且可以切換讀取時的光調製率和雷射輸出功率，使以下的等式(4)成立。(Pe2/Pel)三(Pave2XMod2)/(PavelXModl)21(4)可選地，如果不改變平均讀取功率，可以選擇光調製率，以滿足以下等式(3)。(Pe2/Pel)^(Modl/Mod2)21(3)在確定了介質的最大讀取速度後，可以使用適當的處理設備根據線速度設置光調製率，以滿足前述等式。可選地，可以根據介質類型，針對各線速度設置光調製率，並且可以將該信息存儲在讀取設備中，以和用於讀取的線速度一同加以選擇。此外可選地，讀取設備的鑑別單元可以讀取預記錄在光碟中的信息，並基於該信息，根據線速度來設置光調製率。例如，可以將各線速度下用於寫空白的擦除功率存儲在光碟上，或者可以將各線速度下的平均讀取功率(再現功率)預記錄在光碟上。此外可選地，可以將用於各線速度下的光調製率預記錄在光碟上。在這種情況下，讀取設備的高頻調製控制器106向高頻調製器107發送控制信號，以實現等於或接近於從光碟讀取的值的光調製率。這樣一來，就可以通過根據線速度改變高頻調製雷射的光調製率，來防止用於讀取的雷射束將記錄標記擦除。還可以通過補償再現信號的信噪26比下降，改善再現信號的誤差率。因此，本發明防止了記錄標記可靠性的下降。以上，本發明是作為用於讀取BD-RE盤的方法和讀取設備加以說明的。然而，本發明不僅僅局限於讀取BD-RE介質，還可以同其他類型的光碟介質(包括DVD-RAM、DVD-RW、和CD-RW)—起使用。此外，本發明可應用於一次性寫入型記錄光碟(如BD-R、DVD-R、或CD-R)，或應用於只讀型光碟(如BD-ROM、DVD-ROM)。此外，當本發明被應用於同波長約為405納米並且數值孔徑NA二0.65至0.85的藍或藍紫雷射器一起使用的光碟時，雷射束光斑的尺寸極小，光碟記錄表面上單位面積的光能密度極高，其中，同波長約為650納米並且數值孔徑NA=0.60至0.65的紅色雷射器一起使用的光碟相比，所述光碟具有更高的記錄密度。因此，可以防止再現雷射束劣化。可以根據介質類型適當選擇上述數值Lvl和Lv2。舉例而言，對於藍光碟介質，Lvl和Lv2可以是IX和4X。對於諸如DVD-RAM等DVD介質，Lvl和Lv2可以是2X和5X，或IX和16X。無論何種介質，Lvl禾口Lv2被設置為能夠讀取介質的最小線速度和能夠讀取介質的最大線速度。可選地，如果可以以三種以上的速度(如IX、2X和4X)從介質中讀取信息，那麼可以將Lvl和Lv2設置為例如IX和4X、或IX和2X、或2X和4X。還可以將圖1所述的讀寫設備製成只具有盤讀取器功能的設備。當以加載光碟的最小線速度(1X)的四倍或四倍以上的線速度驅動主軸電動機時，可以使本發明的該實施例在首次加載光碟時改變雷射功率(平均讀取功率)，並改變高頻調製雷射束的光調製率。當線速度從IX改變為4X時，本發明的該實施例改變雷射器的平均讀取功率，並改變雷射器的光調製率。然而，可選地，如果線速度改變的倍數相對較小，如從IX改變為2X，那麼通過提高平均讀取功率(再現功率)來重新調整再現信號處理器和伺服控制器的電路偏移的學習操作可能要花費很長的時間。在這種情況下，為了節省時間，可以不改變平均讀取功率。更具體地說，本發明的該方案只改變平均讀取功率或光調製率，而不27是將兩者同時改變。舉例而言，當讀取時可以改變光調製率，而使平均讀取功率保持不變。因此，在這種情況下，由於可以避免學習伴隨由平均讀取功率改變引起的電信號增益的巨大改變而產生的電路偏移，因而可以縮短啟動時間或線速度切換時間。參考表2，例如，在上述實施例中，當線速度從4X變為2X時，平均讀取功率從0.60mW變為0.35mW，光調製率從4.0變為7。然而，在本發明的該方案中，平均讀取功率穩定地保持在0.60mW，而光調製率從4.0變為更小值，如3.5。在上述實施例中，例如，當線速度從4X變為8X，或當線速度在CAV控制下逐漸增加時，平均讀取功率從0.60mW變為0.80mW，光調製率從4.0變為3.5。然而，在本發明的該方案中，平均讀取功率穩定地保持在0.60mW，而光調製率從4.0變為更大值，如6.0，或隨線速度的改變而逐漸改變。在上述實施例的變型中，光調製率隨線速度發生改變。更為優選地。當線速度從某一線速度增至某一水平以上(具體地4X以上)時，平均讀取功率保持恆定，而對調製電流幅度進行設置，使光調製率增加。下面，將描述本發明的另一實施例。當選定線速度隨雷射光斑向記錄介質外周邊移動而增加，且線速度偏離了為基準線速度的特定倍數的設定線速度時，計算針對一設定線速度的光調製率和針對下一設定線速度的光調製率之間的中值。如果選定線速度是恆定角速度(CAV)，那麼離記錄介質的外周邊越近，線速度越大。如果CAV介質內周邊的線速度為4X，外周邊的線速度將為8X或者更高。在這種情況下，線速度從內周邊到外周邊呈線性變化。此外，雖然可以從表2中讀取針對諸如IX、2X、4X、8X、和12X等預置線速度(稱為"設定線速度")的光調製率，但是並未提供針對從這些設定線速度偏離了的線速度的光調製率。在這種情況下，計算針對一設定線速度(在本示例中為4X)的光調製率(在本示例中為4.0)和針對下一設定線速度(在本示例中為8X)的光調製率(在本示例中為3.5)之間的中值。所述中值可以是基於內分比(internallydividedratio)的。正如可以從上述說明中得知的那樣，雖然可以多種線速度讀取並記錄相同的光碟，但是必須對平均讀取功率(讀取功率)進行調節，使得能夠在選定線速度下適當地再現信號。以可以用從IX到4X範圍內的速度讀取和寫入的BD-RE介質為例，可以通過以更高的速度驅動主軸電動機，提高記錄或寫入過程中的傳輸速率。然而，當旋轉速度升高時，來自光碟的再現信號的帶寬增加，再現信號的信噪比降低。為了提高再現信號的信噪比，當光碟以較高的線速度旋轉時，增加平均讀取功率。可以在製造過程中將與適用於各種可用線速度(如IX、2X和4X)的平均讀取功率以及調製電流的頻率和幅度相關的數據存儲在讀寫設備中，並且可以用該數據來調整平均讀取功率。可選地，可以讀取預記錄在各光碟上的盤信息，並且可以通過從多個預記錄的條件中選擇和設置最接近於讀取值的條件，來調整平均讀取功率。平均讀取功率的設置還取決於記錄介質的耐讀性(readingdurability)。當平均讀取功率升高，聚焦雷射束加熱記錄膜時，溫度可能升高到結晶點以上，且記錄膜可能相變為結晶態。更具體地說，讀取時以較高的平均讀取功率電平發出的雷射束可能將記錄標記擦除。然而，當盤速度增加時，單位時間發射在單位面積上的雷射功率就會減小，並且由雷射束提供的熱能將會下降。因此，比較有效的是，當讀取時提高平均讀取功率，使其同線速度倍數的1/2-1次冪成正比。當峰值雷射功率較高時，記錄標記也可能劣化。由讀取引起的記錄標記的劣化部分地取決於記錄膜的材料，然而破壞主要受兩個參數的影響，以高平均讀取功率和高峰值雷射功率進行擦除。為了防止讀取所用的雷射束將記錄標記擦除(破壞)，讀取所用的雷射束的功率必須小於使記錄膜熔化的雷射功率。因此，本發明的讀取方法降低了光調製率Mod,光調製率Mod是雷射器輸出的峰值功率Pp和平均讀取功率Pave的比值。這減少了由讀取所用的雷射束造成的記錄標記劣化。上述本發明的實施例改變調製電流的調製率，使光調製率隨讀取所用的線速度而變化，從而通過提高再現信號的帶寬來改善信噪比。本發明不局限於相變光碟介質，還可以同諸如利用磁極性記錄數據的磁光碟、使用染色記錄膜的一次性寫入介質、以及諸如利用在光碟基片上形成的凹坑和平面來記錄數據的只讀介質等光碟之類的介質一起使用。本發明還可以同採用不同記錄方法的組合的介質一起使用。在任何情況下，都可以通過改變調製電流的調製，使光調製率隨線速度而發生變化的方式，實現同樣的效果。此外，在具有單個數據記錄層的光碟介質和具有兩個數據記錄層的介質上，相同線速度下高頻調製雷射束的光調製率可能並不相同。在雙層盤上，從離雷射束入射側較遠的層讀取數據，光線需要穿過第一層(離表面較近的層)。如果表面層的透射率為50%，那麼當平均讀取功率加倍時，入射至第二層的層功率才同用於讀取單層光碟的雷射功率相同。然而，如果表面層的透射率大於50%，發射雷射束的能量大於發射至單層光碟的能量。因此，通過改變用於讀取雙層光碟和單層光碟的發射雷射束的讀取功率和光調製率，可以獲得最優的信號質量，並從兩種光碟中可靠地再現信息。更具體地說，本發明還提供了一種方法，該方法通過發射雷射束，使光調製率隨記錄層位置發生改變，來讀取記錄在光學數據記錄介質的各記錄層內的信息，所述光學數據記錄介質具有多個獨立的可記錄記錄層。本發明還提供了一種讀取設備，該讀取設備可以讀取記錄在具有多個獨立可記錄記錄層的光學數據記錄介質(Mm)的各記錄層內的信息，可以讀取記錄在只具有一個記錄層的光學數據記錄介質(Ms)內的信息，並且具有高頻調製控制器，高頻調製控制器在讀取記錄在多個記錄介質(Mm)中任意一個記錄層中的信息時，控制光調製率，使光調製率根據記錄層的位置發生變化，從而不同於用於讀取單層記錄介質(Ms)的光調製率。對於調製程度相對很小的高頻調製電流，在讀寫盤時可以停止對高頻電流的調製(調製=0)。在這種情況下，高頻調製控制器通過簡單的開/關控制來控制高頻調製器，因此高頻調製控制器的配置可以得到簡化。工業實用性本發明的光學數據讀取方法和實現該讀取方法的讀取設備可以用於數字設備和數據處理設備。雖然參照附圖和優選實施例描述了本發明，但要注意，對於本領域技術人員而言，多種改變和修改是顯而易見的。要理解，在不背離本發明範圍的前提下，這些改變和修改也包括在所附權利要求限定的本發明範圍之內。30權利要求1.一種用於從記錄介質讀取和再現信息的讀取方法，對於所述記錄介質，能夠通過將高頻電流調製在驅動電流上，來驅動將雷射束髮射到所述記錄介質上的半導體雷射器的方式，以多種線速度進行讀取，所述讀取方法包括從多種線速度中選擇一種線速度；以及根據選定的線速度，改變光調製率，所述光調製率(Pp/Pave)是發射雷射束光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值。2.如權利要求1所述的讀取方法，其中選擇步驟選擇第一線速度(Lvl)或至少為第一線速度的兩倍的第二線速度(Lv2);用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的光調製率為第一光調製率(Modi);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的光調製率為第二光調製率(Mod2);以及第二光調製率(Mod2)低於第一光調製率(Modl)。3.如權利要求2所述的讀取方法，其中第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modl)、和第二光調製率(Mod2)被設置為使以下等式(l)成立(Lv2/Lvl)1/22(Mod固od2)21(1)4.如權利要求2所述的讀取方法，其中用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的高頻調製雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的高頻調製雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2);並且第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、和第二平均讀取功率(Pr2)被設置為使以下等式(2)成立(Lv2/Lvl)1/22(Pr2XMod2)/(PrlXModi)21(2)5.如權利要求4所述的讀取方法，其中，對於所述記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，第一平均讀取功率(Prl)和第二平均讀取功率(Pr2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取方法還包括以下步驟從所述記錄介質讀取平均讀取功率信息。6.如權利要求3所述的讀取方法，其中，對於所述記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，第一光調製率(Modl)和第二光調製率(Mod2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取方法還包括以下步驟:從所述記錄介質讀取光調製率信息。7.如權利要求2所述的讀取方法，其中用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被設置為使以下等式(3)成立(Pe2/Pel)2(Mod固od2)21(3)8.如權利要求2所述的讀取方法，其中用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2);用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、第二平均讀取功率(Pr2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被設置為使以下等式(4)成立(Pe2/Pel)2(Pr2XMod2)/(PrlXModl)三l(4)9.如權利要求7或8所述的讀取方法，其中，對於所述記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，並且第一擦除功率(Pel)和第二擦除功率(Pe2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取方法還包括以下步驟從所述記錄介質讀取擦除功率信息。10.如權利要求2所述的讀取方法，其中，第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)間的比值(Lv2/Lvl)至少是4，並且光調製率隨線速度發生改變。11.一種通過權利要求1所述的讀取方法讀取的記錄介質，其中所述記錄介質是可重寫介質或一次性寫入介質。12.如權利要求1所述的讀取方法，還包括以下步驟當選定的線速度在所述記錄介質的所有區域中基本恆定時，從表中讀取光調製率。13.如權利要求1所述的讀取方法，還包括以下步驟在選定的線速度是越接近記錄介質的外周邊越大的線速度的情況下，計算針對一種設定線速度的光調製率和針對另一設定線速度的光調製率之間的中值，以針對偏離了設定線速度的線速度來確定光調製率，所述設定線速度是基準線速度的特定倍數。14.一種用於從記錄介質讀取和再現信息的讀取設備，對於所述記錄介質，能夠通過將高頻電流調製在驅動電流上，以驅動將雷射束髮射到所述記錄介質上的半導體雷射器的方式，以多種線速度進行讀取，所述讀取設備包括從多種線速度中選擇一種線速度的裝置；以及根據選定的線速度改變光調製率的裝置，所述光調製率(Pp/Pave)是發射雷射束光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值。15.如權利要求14所述的讀取設備，其中，所述用於改變光調製率的裝置包括高頻調製單元，用於將高頻調製到半導體雷射器的驅動電流上；雷射器驅動單元，用於驅動半導體雷射器；以及高頻調製控制單元，用於在讀取所述記錄介質時根據線速度改變光調製率，其中，高頻調製雷射束的光強度的峰值功率(Pp)和平均讀取功率(Pave)的比值為光調製率(Pp/Pave)。16.如權利要求14所述的讀取設備，其中，選擇裝置選擇第一線速度(Lvl)或至少為第一線速度的兩倍的第二線速度(Lv2);用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的光調製率為第一光調製率(Modi);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的光調製率為第二光調製率(Mod2);並且第二光調製率(Mod2)低於第一光調製率(Modi)(Mod2<Modi)。17.如權利要求16所述的讀取設備，其中第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modl)、和第二光調製率(Mod2)被設置為使以下等式(l)成立(Lv2/Lvl)1/22(Modl/Mod2)21(1)18.如權利要求16所述的讀取設備，其中用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的高頻調製雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的高頻調製雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2);並且用於改變光調製率的裝置對第一線速度(Lvl)、第二線速度(Lv2)、第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、和第二平均讀取功率(Pr2)進行設置，使以下等式(2)成立(Lv2/Lvl)1/2^(Pr2XMod2)/(PrlXModi)21(2)19.如權利要求18所述的讀取設備，其中，對於所述記錄介質，能夠以第一線速度(Lvl)或第二線速度(Lv2)讀取信息，並且第一平均讀取功率(Prl)和第二平均讀取功率(Pr2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取設備還包括系統控制器，從所述記錄介質讀取平均讀取功率信息。20.如權利要求16所述的讀取設備，其中，對於所述記錄介質，能夠以第一線速度(Lvl)或第二線速度(Lv2)讀取信息，並且第一光調製率(Modl)和第二光調製率(Mod2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取設備還包括系統控制器，從所述記錄介質讀取光調製率信息。21.如權利要求16所述的讀取設備，其中用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且用於改變光調製率的裝置對第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)進行設置，使以下等式(3)成立(Pe2/Pel)^(Mod固od2)21(3)22.如權利要求16所述的讀取設備，其中用於以第一線速度(Lvl)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第一平均讀取功率(Prl);用於以第二線速度(Lv2)進行讀取的雷射束的平均讀取功率為第二平均讀取功率(Pr2);用於以第一線速度(Lvl)記錄空白的擦除功率為第一擦除功率(Pel);用於以第二線速度(Lv2)記錄空白的擦除功率為第二擦除功率(Pe2);並且用於改變光調製率的裝置對第一光調製率(Modl)、第二光調製率(Mod2)、第一平均讀取功率(Prl)、第二平均讀取功率(Pr2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)進行設置，使以下等式(4)成立(Pe2/Pel)^(Pr2XMod2)/(PrlXModl)^1(4)23.如權利要求21或22所述的讀取設備，其中，對於所述記錄介質，能夠以從包括至少第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)的線速度組中選出的任意線速度讀取信息，並且第一擦除功率(Pel)和第二擦除功率(Pe2)是預記錄到所述記錄介質的，並且所述讀取設備還包括系統控制器，從所述記錄介質讀取擦除功率信息。24.如權利要求16所述的讀取設備，其中，在第一線速度(Lvl)和第二線速度(Lv2)間的比值(Lv2/Lvl)至少為4的情況下，用於改變光調製率的裝置根據線速度改變光調製率。25.—種記錄介質，能夠以多種線速度被讀取，並包含能夠由設備讀取的盤信息，其中盤信息記錄與所述多種線速度有關的信息，以每種線速度讀取記錄介質時的雷射束的平均讀取功率，以及以每種線速度讀取記錄介質時的調製電流的幅度。26.如權利要求25所述的記錄介質，其中，盤信息記錄與每種線速度對應的光調製率。全文摘要讀取設備抑制了由提高輸出雷射功率所導致的記錄標記的劣化，提高輸出雷射功率是為了補償當以較高速度讀取記錄在高密度記錄介質上的信息時的信噪比下降。為了讀取記錄在光學數據記錄介質上的信息，讀取方法將高頻電流調製在半導體雷射器的驅動電流上，以輸出雷射束；並根據讀取所用的選定線速度，改變光調製率，其中，光學數據記錄介質是利用從半導體雷射器輸出的雷射束進行寫入和讀取的。光調製率是發射雷射束光強度的峰值功率Pp和平均讀取功率Pave的比值Pp/Pave。文檔編號G11B7/005GK101467207SQ20078002169公開日2009年6月24日申請日期2007年5月31日優先權日2006年6月12日發明者中村敦史,宮川直康申請人:松下電器產業株式會社