用於製造四邊形單元的方法
2023-09-19 14:17:50 1
專利名稱：用於製造四邊形單元的方法
技術領域：
本發明涉及一種用於製造四邊形單元件的方法，更具體地，涉及一種使用刀具框從具有較大尺寸的四邊形基材中切割出一種或多種具有較小尺寸的四邊形單元件來製造四邊形單元件的方法，該刀具框中安裝有多個刀具。
背景技術：
在各種領域中，已經採用了用於切割具有較大尺寸的四邊形基材來製造具有較小尺寸的多個四邊形單元件的技術。例如，可以使用其內安裝有多個刀具的刀具框來反覆切割具有預定寬度和較長長度的基材片材，以通過一次切割過程同時製造出多個四邊形單元件。可以對切割出的四邊形單元件執行檢查過程，以確認是否有任何四邊形單元件存在缺陷。在該檢查過程中被發現存在缺陷的四邊形單元件被歸類為殘次品。如果發現有大量的四邊形單元件存在缺陷，則材料損失會很嚴重。所切割出的四邊形單元件的缺陷主要源自於四邊形基材(也稱為基礎結構片材)。通常，可以通過對預定材料進行擠出和拉伸加工來製造出基礎結構片材。該基礎結構片材非常長，因此基礎結構片材被纏繞在輥子上，以便在擠出過程中、在拉伸過程中以及隨後的切割過程中容易受到操控。在所述拉伸過程中，在基礎結構片材的兩個相反端固定到預定的拉伸裝置的同時，該基礎結構片材被拉伸，結果，該基礎結構片材的端部區域可能存在缺陷。在所述纏繞過程中，該基礎結構片材的與輥子固定的端部區域可能存在缺陷。而且，如果輥子本身具有劃痕，則在輥子旋轉期間，與該輥子接觸的基礎結構片材上可能產生周期性缺陷(periodic defects)。在從具有這種缺陷的基礎結構片材切割出四邊形單元件的情形中，存在缺陷的四邊形單元件可能被丟棄，因此，製造成本可能增加。為了解決上述問題，已知存在有與能夠減少四邊形單元件的缺陷的、用於製造四邊形單元件的設備有關的技術。作為這種技術的一個實例，已知存在如下一種技術該技術用於使用檢查單元來確認沿縱向方向剖切的四邊形單元件是否存在缺陷，當檢查到四邊形單元件存在缺陷時， 把存在缺陷的四邊形單元件轉送到切割單元，以切割並去除該四邊形單元件的存在缺陷的部分。然而，在該技術中，產生了大量的廢料(scrap)。當多個四邊形單元件被連續布置時， 過程的連續性嚴重下降。而且，當從基材同時切割出具有各種尺寸的四邊形單元件和/或如下文所述的那樣以預定傾角從基材上切割出四邊形單元件時，實際的適用性可能相當困難。具體地，基材的尺寸(寬度)是規定好的，然而由於各種因素，例如基材供應商的局限性、製造過程的效率以及四邊形單元件的需求變化，四邊形單元件的尺寸可能根據需要而不同。在此情形中，當基於該基材的尺寸來切割出多個所期望的四邊形單元件時，取決於以何種結構來構造所述刀具框，即，以何種結構來布置用於從基材上切割出四邊形單元件的刀具，切割效率大大不同。低的切割效率增加了從基材產生的廢料的量，在切割過程之後這種廢料將被丟棄，結果，最終提高了四邊形單元件的製造成本。當基材的尺寸(寬度和長度)與特定的四邊形單元件的尺寸(橫向長度和縱向長度)具有整數比例關係時，在具有這種整數比例關係的位置處，能夠通過順序布置四邊形單元件使得這些四邊形單元件彼此接觸來使切割損失率最小。然而，當沒有形成這種整數比例關係時，切割損失率可能根據這些四邊形單元件的排列結構而變化。此外，當要相對於基材的縱向方向成預定角度地切割出四邊形單元件時，不可避免地產生了大量廢料。圖1示意了將四邊形單元件以預定傾角布置在假想框架上的過程的一個實例。具體地，圖1示意了在與從基材上切割出四邊形單元件的切割框架相對應的假想四邊形坐標系中定位具有較小尺寸的四邊形單元件以設定刀具在切割框架中的布置結構的過程。參考圖1，四邊形單元件20在切割框架的假想四邊形坐標系10中以45度的角度傾斜。四邊形單元件20在假想四邊形坐標系10中無交迭地布置的情形的數目可以很大。 例如，可以規定第一四邊形單元件20的位置，然後可以設定第二四邊形單元件21的位置。 可以對包括第三四邊形單元件22在內的多個四邊形單元件反覆執行該同一過程。通常，優選將四邊形單元件20、21和22布置成使得四邊形單元件20、21和22彼此相鄰，以製造具有高切割率(或者低的切割損失率)的切割框架。例如，第一四邊形單元件20可以定位成使得第一四邊形單元件20的兩個頂點接觸該假想四邊形坐標系10的外周。在此狀態下，可以將第二四邊形單元件21定位在使得該第二四邊形單元件21與第一四邊形單元件20的一條邊相接觸的各種位置。以同樣的方式，在定位了第二四邊形單元件21 之後，可以將第三四邊形單元件22定位在使得該第三四邊形單元件22與第一四邊形單元件20和/或第二四邊形單元件21的一條邊相接觸的各種位置。對於在四邊形單元件20、 21和22包含在假想四邊形坐標系10內的條件下的最大數目的四邊形單元件20、21和22 反覆執行這個過程。雖然通過以上過程獲得了具有最大切割率的排列結構，然而，當切割四邊形基材以生產實際的產品時，由於四邊形基材本身的缺陷，可能會得到多個存在缺陷的四邊形單元件。因此，非常需要一種與製造四邊形單元件的方法有關的技術，該方法能夠有效地計算出可以製造優質產品的情形的數目，以在連續大規模生產過程中降低產品的殘次率， 並且，即使在以預定傾角從基材上切割出四邊形單元件時，也能夠有效降低產品的殘次率， 由此防止浪費並降低四邊形單元件的製造成本。
發明內容
因此，已經作出了本發明，以解決上述問題和尚未解決的其它技術問題。具體地，本發明的一個目的在於提供一種用於製造四邊形單元件的方法，所述方法能夠使用檢查裝置來檢查四邊形基材的缺陷，能夠計算當使用多個切割框架從四邊形基材上假想地切割出四邊形單元件時的產出率，能夠選擇提供最大產出率的切割框架之一， 並且能夠使用所選擇的切割框架從四邊形基材上切割出四邊形單元件，以製造四邊形單元件，由此提高四邊形單元件的優質產品率並降低四邊形單元件的製造成本。本發明的另一個目的在於提供一種用於製造四邊形單元件的方法，所述方法能夠甚至僅使用單個切割框架、在考慮到四邊形基材的缺陷位置的情況下設定該四邊形基材的最佳切割位置，由此進一步增強上述效果。本發明的又一個目的在於提供一種用於製造四邊形單元件的設備，該設備能夠執行用於製造四邊形單元件的上述方法。根據本發明的一個方面，能夠通過提供一種用於製造四邊形單元件的方法來實現上述及其它目的，所述方法使用包括多個刀具的刀具框架從具有較大尺寸的四邊形基材上切割出具有較小尺寸的一種或多種四邊形單元件，所述方法包括(a)檢查步驟，該檢查步驟沿著四邊形基材的縱向方向和橫向方向掃描四邊形基材，以確認該四邊形基材上的缺陷的位置；(b)計算步驟，該計算步驟計算當使用兩種或更多種切割框架假想地切割該四邊形基材時的產出率；(c)選擇步驟，該選擇步驟選擇在計算步驟(b)中計算出的產出率在前 30%範圍內的切割框架之一；以及(d)製造步驟，該製造步驟使用在所述選擇步驟(c)中選擇的切割框架來切割所述四邊形基材，以製造四邊形單元件。如上文所述，由於各種因素，例如對產品的需求，需要製造具有不同尺寸的四邊形單元件，因此設計了各種切割框架。即，可以製備各種切割框架以靈活地應對產品需求。另一方面，四邊形基材可能具有不同形式的缺陷。為此，取決於甚至將使用一種特殊切割框架切割的四邊形基材，產品效率可能大大不同。根據本發明，考慮到切割框架和四邊形基材之間的以上關係，對於具有固有缺陷形式的特定四邊形基材，當使用相應的切割框架時，能夠設定假想的切割狀態，由此能夠在不實際切割該四邊形基材的情況下選擇具有最佳切割效率的切割框架。這裡，術語「最佳切割效率」是指當綜合考慮切割率、優質產品的產出率、基於四邊形單元件的尺寸的對該四邊形單元件的需求程度、以及相應的切割框架的狀態時的最優選的切割效率。因此，對於特定四邊形基材，可以選擇如下這種切割框架該切割框架在提供預定範圍內的產品產出率的情況下能夠同時滿足應適當考慮的其它條件。具體地，基於這些切割框架的產出率來對切割框架進行等級排序，其產出率相對於最大產出率在前30%範圍內的切割框架被列為此類，並且考慮到應適當考慮的各種條件來選擇所列入的切割框架之一。即使其它方面是優良的，但其產出率不在前30%範圍內的切割框架不是優選的， 這是因為在切割過程之後將被丟棄的、從基材產生的廢料的量較大。為了在使產品的缺陷率最小的同時以高的生產率製造四邊形單元件，所述選擇步驟(C)可以包括選擇提供最大產出率的切割框架之可以通過安裝有多個刀具以從基材上切割出多個四邊形單元件的結構來構造每個切割框架。每個切割框架均可以大致形成為四邊形形狀。所述刀具的種類不受特別限制，只要這些刀具具有用於從基材上切割出四邊形單元件的結構或屬性。典型地，所述刀具中的每一個均可以是用於切割的刀子，例如金屬刀或射流水刀，或者是用於切割的光源，例如雷射器。如上所述，本發明中使用的切割框架可以是兩種或更多種切割框架。例如，這些切割框架可以在刀具排列方面彼此不同，切割框架可以在刀具尺寸方面彼此不同，或者，這些切割框架可以在刀具排列和刀具尺寸方面彼此不同。因此，當使用各個切割框架切割特定的四邊形基材時，產出率通常可以是變化的。
在本發明的計算步驟(b)中，可以計算當使用各個切割框架假想地切割特定四邊形基材時的產出率。這裡，產出率例如可以定義為當使用切割框架從四邊形基材上切割出四邊形單元件時，優質的四邊形單元件與整個四邊形基材面積的比率。然而，也可根據需要來改變產出率的標準。例如，也可以根據切割率(假想地切割四邊形基材時的效率)與優質產品率(無缺陷的四邊形單元件的數目與在所述切割率下利用各個切割框架假想地切割出的四邊形單元件的數目之比)的乘積來計算產出率。通過所述計算步驟來決定具有高產出率的切割框架，並在切割之前選擇該具有高產出率的切割框架。因此，對於同一四邊形基材來說，能夠使切割該四邊形基材之後、從該四邊形基材產生的廢料的量最小，並且能夠降低四邊形單元件的製造成本。能夠以各種形式從四邊形基材上切割出四邊形單元件。例如，能夠以相對於該四邊形基材的預定傾斜角度(Θ)從四邊形基材上切割出四邊形單元件。可以基於四邊形單元件的用途來改變該傾斜角度(θ )。例如，相對於該四邊形基材的下端，該傾斜角度(θ )可以是45度或135度。可替代地，相對於該四邊形基材的下端， 該傾斜角度(Θ)可以是0度或90度。通常，切割框架的寬度小於四邊形基材的寬度。即，該四邊形基材的超出切割框架的寬度範圍之外的上端區域和下端區域可能作為廢料而被丟棄。因此，為了增加產出率，優選將四邊形單元件(具體地，優選在切割框架中布置多個刀具)布置成使得四邊形基材的寬度被最大程度地利用。另一方面，該四邊形基材的缺陷可以導致與上述布置結構相反的結果。雖然這些缺陷可能根據四邊形基材的處理水平而隨機地發生，但這些缺陷可能主要位於該四邊形基材的沿其縱向方向的左側端和/或該四邊形基材的沿其橫向方向的兩個相反端，該四邊形基材在所述左側端處固定到輥子使得該四邊形基材纏繞在輥子上，該四邊形基材在所述兩個相反端處固定到拉伸裝置。然而，這些缺陷並非均勻發生在上述區域處，但上述區域具有較高的缺陷分布。因此，優選地，所述用於製造四邊形單元件的方法還可以包括切割步驟，該切割步驟在切割框架沿著四邊形基材的縱向方向和/或橫向方向假想移動的狀態下切割所述四邊形基材，該切割步驟在選擇步驟(C)之前執行。考慮到該四邊形基材的缺陷分布，可以使切割框架與四邊形基材的切割起始端隔開一段預定距離，或者可以按照規則的順序、使切割框架與四邊形基材的上端或下端間隔開預定間隔。S卩，切割框架可以假想地移動到缺陷分布較低的位置，因此，能夠切割出較多數量的優質四邊形單元件。優選的是，考慮到四邊形基材上的沿其縱向方向的缺陷分布，使切割框架從四邊形基材的切割起始端假想移動到沿著該四邊形基材的縱向方向的缺陷分布較高的區域以外的位置。四邊形基材的切割起始端例如可以是該四邊形基材的在纏繞過程中與輥子固定的端部區域。如上所述，當切割框架假想地移動以使這些切割框架按照規則的順序與該四邊形基材的上端或下端隔開預定間隔時，能夠以該四邊形基材的寬度的0. 至5%的移動間隔、更優選以0. 2cm至5cm的移動間隔來假想地移動這些切割框架。因此，如上所述，通過移動所述切割框架以使這些切割框架按照規則的順序與四邊形基材隔開預定間隔，能夠提高產出率，由此提高了製造優質四邊形單元件的可能性。同時，四邊形基材的沿其橫向方向的缺陷分布可能由於各種原因而沿著該四邊形基材的縱向方向改變。例如，假設該基材的全長是100，則在該基材最初的30部分處，較大數目的缺陷主要分布在該基材的上端，在該基材的接下來的40部分處，較大數目的缺陷主要分布在該基材的下端，而在該基材最後的30部分處，較大數目的缺陷主要地分布在該基材的上端。因此，優選的是，在製造步驟(d)中，當產出率沿著四邊形基材的縱向方向變化時，使切割框架沿著該四邊形基材的橫向方向移動到產出率最大的位置並切割該四邊形基材。此時，可以使切割框架移動到該四邊形基材的沿其橫向方向缺陷分布較低的位置。優選的是，當產出率之間的偏差為20%或更大時，沿著四邊形基材的橫向方向移動所述切割框架。然而，考慮到四邊形單元件的製造效率，優選基於四邊形基材的縱向方向，使切割框架沿著該四邊形基材的橫向方向移動三次或移動更少次。在根據本發明的用於製造四邊形單元件的方法中，所述四邊形基材是具有預定寬度和較長長度的連續材料；並且，所述刀具布置成一定的結構，以便以預定長度反覆切割該四邊形基材。S卩，使用所決定的具有最大產出率的切割框架來切割該四邊形基材，因此，能夠提高四邊形單元件的生產率。在本發明中，可以使用各種四邊形基材。例如，所述四邊形基材可以是膜，該膜具有沿其縱向方向或沿其橫向方向僅僅吸收或透射光或電磁波的指定方向上的波動的層 (「吸收層或透射層」)。根據本發明的另一個方面，提供了一種用於製造四邊形單元件的設備。具體地，本發明提供了一種用於製造四邊形單元件的設備，所述設備用於從具有較大尺寸的四邊形基材上切割出具有較小尺寸的一種或多種四邊形單元件，所述設備包括檢查裝置，該檢查裝置用於沿著四邊形基材的縱向方向和橫向方向掃描該四邊形基材， 以確認該四邊形基材上的缺陷的位置；資料庫，該資料庫用於存儲與兩個或更多個切割框架有關的信息；計算裝置，該計算裝置基於來自檢查裝置和資料庫的信息、計算當使用相應的切割框架假想地切割該四邊形基材時的產出率；多個刀具，所述多個刀具用於從四邊形基材上切割出多個四邊形單元件；切割框架，刀具以與所述四邊形單元件相對應的形式安裝在該切割框架中；以及位置調節裝置，該位置調節裝置用於使安裝有刀具的所述切割框架在四邊形基材上移動。因此，根據本發明的用於製造四邊形單元件的設備能夠通過用於確認四邊形基材的缺陷的檢查裝置、用於存儲與切割框架有關的信息的資料庫、以及用於基於來自所述檢查裝置和資料庫的信息計算當使用相應的切割框架假想地切割該四邊形基材時的產出率的計算裝置，來決定這些切割框架中的具有高產出率範圍的一個特定的切割框架。
而且，所述位置調節裝置使切割框架移動到該四邊形基材的分布有少量缺陷的位置。因此，能夠在大規模生產期間基於缺陷位置來快速移動所述切割框架，由此，使四邊形單元件的缺陷率最小並且大大提高了製造效率。所述檢查裝置的種類不受特別限制，只要該檢查裝置能夠掃描四邊形基材以確認該四邊形基材的缺陷。例如，該檢查裝置可以是高性能相機。
從以下結合附圖進行的詳細描述中，將會更清楚地理解本發明的上述及其它目的、特徵和其它優點，在附圖中圖1是示意了以預定傾角在假想框架上布置四邊形單元件的過程的一個實例的典型視圖；圖2是示意了根據本發明一個實施例的、用於製造四邊形單元件的設備的構造圖；圖3是示意了用於切割圖2的四邊形單元件的方法的典型視圖；圖4是示意了用於製造圖2和圖3的四邊形單元件的方法的流程圖；圖5是示意了在圖4的計算步驟(S31)中、切割框架沿著縱向方向(L)假想移動的典型視圖；圖6是示意了在圖4的計算步驟(S31)中、切割框架沿著橫向方向(W)假想移動的典型視圖；並且圖7是示意了根據本發明一個實施例的、在對缺陷的位置加以考慮的情況下以最大產出率製造四邊形單元件的方法的典型視圖。
具體實施例方式現在，將參考附圖來詳細描述本發明的優選實施例。然而，應當指出，本發明的範圍不局限於所示出的實施例。圖2是典型地示意了根據本發明一個實施例、用於製造四邊形單元件的設備的構造圖，而圖3是示意了用於切割圖2的四邊形單元件的方法的一個實例的典型視圖。參考這些圖，用於製造四邊形單元件的設備1000包括多個刀具800，所述多個刀具800用於從四邊形基材306上切割出多個四邊形單元件302 ；多個切割框架304，刀具800 以與四邊形單元件302相對應的形式安裝在所述多個切割框架304的每一個中；檢查裝置 600，所述檢查裝置600用於沿著四邊形基材306的縱向方向(L)和橫向方向(W)掃描該四邊形基材306，以確認四邊形基材306上的缺陷300的位置；資料庫700，所述資料庫700用於存儲與切割框架304有關的信息；計算裝置500，所述計算裝置500用於基於來自檢查裝置600和資料庫700的信息、計算使用相應的切割框架304假想地切割四邊形基材306時的產出率；以及位置調節裝置400，所述位置調節裝置400用於使每個均安裝有刀具800的切割框架304移動到四邊形基材306上的分布有少量缺陷的位置。圖4是示意了用於製造圖2和圖3的四邊形單元件的方法的流程圖。參考圖4以及圖2和圖3，所述用於製造四邊形單元件的方法包括檢查步驟 (SlO)，所述檢查步驟(SlO)使用檢查裝置沿著四邊形基材306的縱向方向(L)和橫向方向(W)掃描四邊形基材306，以確認該四邊形基材306上的缺陷300的位置；計算步驟(S20)， 所述計算步驟(S20)計算當使用兩種或更多種切割框架304假想地切割該四邊形基材306 時的產出率；選擇步驟(S30)，所述選擇步驟(S30)選擇在計算步驟(S20)中計算出的產出率在前30%範圍內的切割框架304之一；以及製造步驟(S40)，所述製造步驟(S40)使用在所述選擇步驟(S30)中選擇的切割框架304來切割四邊形基材306，以製造四邊形單元件 302。在選擇步驟(S30)之前，還可以執行切割步驟(S31)，所述切割步驟(S31)在切割框架304沿著四邊形基材306的縱向方向(L)和橫向方向(W)假想移動的狀態下切割四邊形基材306。圖5是示意了在圖4的計算步驟(S31)中、切割框架沿著縱向方向(L)假想移動的典型視圖。參考圖5，考慮到四邊形基材306a上的沿其縱向方向(L)的缺陷分布，使切割框架 30 從四邊形基材306a的切割起始端假想移動一段預定距離dl，即，假想移動到沿著四邊形基材306a的縱向方向(L)的缺陷分布較高的區域以外的位置。圖6是示意了在圖4的計算步驟(S31)中、切割框架沿著橫向方向(W)假想移動的典型視圖。參考圖6，切割框架304b按照規則的順序、從四邊形基材306b的上端以大約Icm 的預定間隔dl假想移動。計算出切割框架304b所移動到的各個位置處的產出率，以獲得具有最大產出率的位置之一。圖7是示意根據本發明一個實施例的、以最大產出率製造四邊形單元件的方法的典型視圖。參考圖7，在圖4的製造步驟(S50)中，當在圖4的計算步驟(S30)中產出率沿著四邊形基材306c的縱向方向(L)改變時，使切割框架3(Mc沿著四邊形基材306c的橫向方向(W)移動到產出率最大的位置並切割該四邊形基材306c。具體地，當產出率之間的偏差為20%或更大時，位於四邊形基材306c下端的切割框架3(Mc移動到四邊形基材306c的上端(見304c，)，以製造四邊形單元件。優選的是，基於四邊形基材306c的縱向方向(L)，使切割框架3(Mc沿著四邊形基材306c的橫向方向(W)移動三次或移動更少次。因此，其內安裝有多個刀具的切割框架3(Mc移動到四邊形基材306c上的、使用檢查裝置確認的缺陷分布得較少的位置並切割四邊形單元件302，由此製造大量的優質四邊形單元件。工業實用性從以上描述中清楚可見，根據本發明的用於製造四邊形單元件的方法具有以下效果考慮到切割框架和四邊形基材之間的關係，對於具有固有缺陷形式的特定四邊形基材， 當使用相應的切割框架時，能夠設定假想的切割狀態，由此能夠在不實際切割該四邊形基材的情況下選擇具有最佳切割效率的切割框架。而且，根據本發明的用於製造四邊形單元件的方法還具有如下效果能夠使用所選擇的切割框架來切割出四邊形單元件，由此，在使缺陷率最小的同時提供了高的生產率。雖然已出於示意性目的公開了本發明的優選實施例，但本領域技術人員將會理解，在不偏離如所附權利要求限定的本發明的範圍和精神的情況下，可以進行各種變型、添加和替換。
權利要求
1.一種用於製造四邊形單元件的方法，所述方法使用包括多個刀具的刀具框架從具有較大尺寸的四邊形基材上切割出具有較小尺寸的一種或多種四邊形單元件，所述方法包括(a)檢查步驟，所述檢查步驟沿著四邊形基材的縱向方向和橫向方向掃描所述四邊形基材，以確認所述四邊形基材上的缺陷的位置；(b)計算步驟，所述計算步驟計算當使用兩種或更多種切割框架假想地切割所述四邊形基材時的產出率；(c)選擇步驟，所述選擇步驟選擇在所述計算步驟(b)中計算出的產出率在前30%範圍內的切割框架之一；以及(d)製造步驟，所述製造步驟使用在所述選擇步驟(c)中選擇的切割框架來切割所述四邊形基材，以製造四邊形單元件。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選擇步驟(c)包括選擇提供最大產出率的切割框架之一。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述刀具中的每一個均是用於切割的刀子或用於切割的光源。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述用於切割的刀子是金屬刀或射流水刀，而所述用於切割的光源是雷射器。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述計算步驟(b)中，各個切割框架在刀具布置結構和/或刀具尺寸方面彼此不同。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，以相對於所述四邊形基材的預定傾斜角度(θ) 從所述四邊形基材上切割出所述四邊形單元件。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，相對於所述四邊形基材的下端，所述傾斜角度 (Θ)是45度或135度。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，相對於所述四邊形基材的下端，所述傾斜角度 (Θ)是0度或90度。
9.根據權利要求1所述的方法，還包括切割步驟，所述切割步驟在所述切割框架沿著所述四邊形基材的縱向方向和/或橫向方向假想移動的狀態下切割所述四邊形基材，所述切割步驟在所述選擇步驟(c)之前執行。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述切割框架的假想移動包括使所述切割框架與所述四邊形基材的切割起始端隔開一段預定距離。
11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述切割框架的假想移動包括按照規則的順序、使所述切割框架與所述四邊形基材的上端或下端隔開預定間隔。
12.根據權利要求10所述的方法，還包括考慮到所述四邊形基材上的沿其縱向方向的缺陷分布，使所述切割框架從所述四邊形基材的切割起始端假想移動到沿著所述四邊形基材的縱向方向的缺陷分布較高的區域以外的位置。
13.根據權利要求11所述的方法，還包括以所述四邊形基材的寬度的0.至5%的移動間隔來假想地移動所述切割框架。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述移動間隔在0.2cm至5cm之間。
15.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述製造步驟(d)中，當產出率沿著所述四邊形基材的縱向方向變化時，使所述切割框架沿著所述四邊形基材的橫向方向移動到產出率最大的位置並切割所述四邊形基材。
16.根據權利要求15所述的方法，還包括當產出率之間的偏差為20%或更大時，沿著所述四邊形基材的橫向方向移動所述切割框架。
17.根據權利要求15所述的方法，其中，基於所述四邊形基材的縱向方向，使所述切割框架沿著所述四邊形基材的橫向方向移動三次或移動更少次。
18.根據權利要求1所述的方法，其中，所述四邊形基材是具有預定寬度和較長長度的連續材料；並且，所述刀具布置成一定的結構，以便以預定長度反覆切割所述四邊形基材。
19.根據權利要求1所述的方法，其中，所述四邊形基材是膜，所述膜具有沿其縱向方向或沿其橫向方向僅僅吸收或透射光或電磁波的指定方向上的波動的層(「吸收層或透射層」)。
20.一種用於製造四邊形單元件的設備，所述設備用於從具有較大尺寸的四邊形基材上切割出具有較小尺寸的一種或多種四邊形單元件，所述設備包括檢查裝置，所述檢查裝置用於沿著所述四邊形基材的縱向方向和橫向方向掃描所述四邊形基材，以確認所述四邊形基材上的缺陷的位置；資料庫，所述資料庫用於存儲與兩個或更多個切割框架有關的信息；計算裝置，所述計算裝置用於基於來自所述檢查裝置和所述資料庫的信息、計算當使用相應的切割框架假想地切割所述四邊形基材時的產出率；多個刀具，所述多個刀具用於從所述四邊形基材上切割出多個四邊形單元件；切割框架，所述多個刀具以與所述多個四邊形單元件相對應的形式安裝在所述切割框架中；以及位置調節裝置，所述位置調節裝置用於使安裝有所述多個刀具的所述切割框架在所述四邊形基材上移動。
全文摘要
本發明涉及一用於種製造四邊形單元的方法，所述方法包括使用帶有刀具的切割框架從較大的四邊形基材上切割出與該基材相比具有較小尺寸的兩種或更多種四邊形單元。所述方法包括(a)檢查步驟，該檢查步驟沿著四邊形基材的縱向方向和橫向方向掃描該四邊形基材，以確認該四邊形基材上的缺陷的位置；(b)計算步驟，該計算步驟利用對該四邊形基材的虛擬切割、為兩種或更多種切割框架中的每一種計算出產出率；(c)選擇步驟，該選擇步驟基於在步驟(b)中計算出的數值、從產出率落入前30％範圍內的切割框架中選擇一個切割框架；以及(d)製造步驟，該製造步驟使用在步驟(c)中選擇的切割框架來切割所述四邊形基材，以製造四邊形單元。
文檔編號B26D7/00GK102348545SQ201080011581
公開日2012年2月8日 申請日期2010年3月10日 優先權日2009年3月10日
發明者張應鎮, 李圭滉, 李裕敏, 李鎬敬, 金勳烈 申請人:株式會社Lg化學