一種GaN基LED的老化測試工藝的製作方法
2023-10-30 05:41:02 3
一種GaN基LED的老化測試工藝的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種GaN基LED的老化測試工藝，所述工藝步驟如下：晶片選取、點膠、固晶、焊線、老化前測試、COB老化、老化後測試。本發明通過對老化測試工藝進行改進優化，能夠明顯的測試出晶片的可靠性，保證後續晶片生產的質量。
【專利說明】—種GaN基LED的老化測試工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種GaN基LED的老化測試工藝，屬於LED檢測領域。
【背景技術】
[0002]LED老化測試在產品質量控制是一個非常重要的環節，但在很多時候往往被忽視，不能進行正確有效的老化，導致老化測試效果不明顯，無法從根源上控制生產質量。
【發明內容】
[0003]本發明針對現有現象，提供一種GaN基LED的老化測試工藝。
本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種GaN基LED的老化測試工藝，所述工藝步驟如下:
Cl)晶片選取:取W、X、Q爐M圈晶片進行取樣，通過全檢測試機對取樣晶片進行測試，剔除參數不良晶片並在顯微鏡下進行觀察，選取外觀良好的優質晶片；
(2)點膠、固晶、焊線:按照COB老化測試操作規程將選取的晶片點膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機進行焊線，焊線後進行目檢，剔除焊線不良的晶片；
(3)老化前測試:使用老化測試機臺對焊線至老化用PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流；
(4)COB老化:將測試完成的PCB板插到老化臺上，進行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時；
(5)老化後測試:使用老化測試機臺對老化後的PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
[0004]本發明的有益效果是:本發明通過對老化測試工藝進行改進優化，能夠明顯的測試出晶片的可靠性，保證後續晶片生產的質量。
【具體實施方式】
[0005]以下對本發明的原理和特徵進行描述，所舉實例只用於解釋本發明，並非用於限定本發明的範圍。
[0006]一種GaN基LED的老化測試工藝，所述工藝步驟如下:
Cl)晶片選取:取W、X、Q爐M圈晶片進行取樣，通過全檢測試機對取樣晶片進行測試，剔除參數不良晶片並在顯微鏡下進行觀察，選取外觀良好的優質晶片；
(2)點膠、固晶、焊線:按照COB老化測試操作規程將選取的晶片點膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機進行焊線，焊線後進行目檢，剔除焊線不良的晶片；
(3)老化前測試:使用老化測試機臺對焊線至老化用PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流；
(4)COB老化:將測試完成的PCB板插到老化臺上，進行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時； (5)老化後測試:使用老化測試機臺對老化後的PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
[0007]以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種GaN基LED的老化測試工藝，其特徵在於，所述工藝步驟如下: Cl)晶片選取:取W、X、Q爐M圈晶片進行取樣，通過全檢測試機對取樣晶片進行測試，剔除參數不良晶片並在顯微鏡下進行觀察，選取外觀良好的優質晶片； (2)點膠、固晶、焊線:按照COB老化測試操作規程將選取的晶片點膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機進行焊線，焊線後進行目檢，剔除焊線不良的晶片； (3)老化前測試:使用老化測試機臺對焊線至老化用PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流； (4)COB老化:將測試完成的PCB板插到老化臺上，進行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時； (5)老化後測試:使用老化測試機臺對老化後的PCB上的晶片進行測試，測試20mA下電壓、波長、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
【文檔編號】G01N21/95GK103792472SQ201210423750
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月30日 優先權日:2012年10月30日
【發明者】王紅亞 申請人:王紅亞