電子照相感光體、處理盒和圖像形成裝置的製作方法
2023-10-10 22:27:49 3
本發明涉及電子照相感光體、處理盒和圖像形成裝置。
背景技術：
以往，作為電子照相方式的圖像形成裝置，使用電子照相感光體(下文中有時稱為「感光體」)依次進行充電、靜電潛像形成、顯影、轉印、清潔等工序的裝置是眾所周知的。
作為電子照相感光體，除了在鋁等具有導電性的基體上設置有兼具產生電荷的功能和傳輸電荷的功能的同一層的單層型感光體之外，還已知有在鋁等具有導電性的基體上層疊有產生電荷的電荷產生層和傳輸電荷的電荷傳輸層的功能分離型感光體。
例如，在專利文獻1中公開了一種電子照相感光體，其是在導電性支撐體上設置有至少以載流子產生物質和載流子傳輸物質作為主要構成成分的感光層的電子照相感光體，其特徵在於，在該感光層中含有特定的受阻酚/受阻胺化合物。
在專利文獻2中公開了一種電子照相感光體，其是在導電性基板上設置至少包含酞菁化合物的電荷產生層和電荷傳輸層而成的電子照相感光體，其特徵在於，電荷傳輸層的電荷傳輸材料含有特定的三芳基胺化合物，粘結劑樹脂混合兩種以上，且含有以樹脂重量比計小於50％的特定的聚碳酸酯樹脂，進而含有受阻酚系化合物和受阻胺系化合物中的任一者或兩者作為添加劑。
在專利文獻3中公開了一種電子照相感光體，其是至少具有支撐體、該支撐體上的電荷產生層和該電荷產生層上的電荷傳輸層的電子照相感光體，其特徵在於，在該電荷產生層中含有氧鈦酞菁、偶氮顏料和受阻酚化合物。
在專利文獻4中公開了一種電子照相感光體，其特徵在於，在導電性支撐體上具有包含特定的烯胺化合物且包含選自氫醌化合物、受阻酚化合物、生育酚化合物中的一種或兩種以上的化合物的感光層。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開平11-140051號公報
專利文獻2：日本特開2001-356500號公報
專利文獻3：日本特開平8-54747號公報
專利文獻4：日本特開平11-258839號公報
技術實現要素：
發明所要解決的課題
本發明的目的在於提供一種電子照相感光體，該電子照相感光體與具有導電性基體；配置在上述導電性基體上、包含電荷產生材料而不含抗氧化劑的電荷產生層、或者包含電荷產生材料且僅包含由式(ao-5)表示的受阻胺系抗氧化劑作為抗氧化劑的電荷產生層；和配置在上述電荷產生層上、包含由通式(ct1)表示的電荷傳輸材料和由通式(ct2)表示的電荷傳輸材料的電荷傳輸層的電子照相感光體相比，可抑制在連續輸出同一圖像時圖像的濃度變濃的現象(下文中稱為「殘像重影(焼付きゴースト)」)的發生。
用於解決課題的手段
為了達成上述目的，提供以下的發明。
方案1的發明為一種電子照相感光體，其具有導電性基體、電荷產生層和電荷傳輸層；該電荷產生層配置在上述導電性基體上，包含電荷產生材料和受阻酚系抗氧化劑；該電荷傳輸層配置在上述電荷產生層上，包含由下述通式(ct1)表示的電荷傳輸材料和由下述通式(ct2)表示的電荷傳輸材料。
[化1]
(通式(ct1)中，rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且20以下的烷基、碳原子數為1以上且20以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且30以下的芳基，相鄰的2個取代基可以彼此鍵合而形成烴環結構。n和m各自獨立地表示0、1或2。)
[化2]
(通式(ct2)中，rc21、rc22和rc23各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且10以下的烷基、碳原子數為1以上且10以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且10以下的芳基。)
方案2的發明為方案1的發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑的分子量為300以上。
方案3的發明為方案1或2的發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑的分子量為300以上且800以下。
方案4的發明為方案1～3中任一發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑的含量相對於電荷產生材料的總含量100重量份為0.5重量％以上且10重量％以下。
方案5的發明為方案1～4中任一發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑的含量相對於電荷產生材料的總含量100重量份為0.5重量％以上且7重量％以下。
方案6的發明為方案1～5中任一發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑的含量相對於電荷產生材料的總含量100重量份為0.5重量％以上且3重量％以下。
方案7的發明為方案1～6中任一發明所述的電子照相感光體，其中，上述電荷產生材料為羥基鎵酞菁。
方案8的發明為方案1～7中任一發明所述的電子照相感光體，其中，上述受阻酚系抗氧化劑為由下述通式(hp)表示的抗氧化劑。
[化3]
(通式(hp)中，rh1和rh2各自獨立地表示碳原子數為4以上且8以下的支鏈狀的烷基。rh3和rh4各自獨立地表示氫原子或者碳原子數為1以上且10以下的烷基。rh5表示碳原子數為1以上且10以下的亞烷基。)
方案9的發明為一種處理盒，其具備方案1～8中任一發明所述的電子照相感光體，且可在圖像形成裝置中進行裝卸。
方案10的發明為一種圖像形成裝置，其具備：方案1～9中任一發明所述的電子照相感光體；對上述電子照相感光體的表面進行充電的充電裝置；在充電後的上述電子照相感光體的表面形成靜電潛像的靜電潛像形成裝置；收納包含色調劑的顯影劑、利用上述顯影劑對形成在上述電子照相感光體的表面的靜電潛像進行顯影而形成色調劑圖像的顯影裝置；和將上述色調劑圖像轉印至記錄介質的表面的轉印裝置。
發明的效果
根據方案1的發明，提供一種電子照相感光體，該電子照相感光體與具有導電性基體；配置在上述導電性基體上、包含電荷產生材料而不含抗氧化劑的電荷產生層、或者包含電荷產生材料且僅包含由式(ao-5)表示的受阻胺系抗氧化劑作為抗氧化劑的電荷產生層；和配置在上述電荷產生層上、包含由通式(ct1)表示的電荷傳輸材料和由通式(ct2)表示的電荷傳輸材料的電荷傳輸層的電子照相感光體相比，可抑制在連續輸出同一圖像時圖像的濃度變濃的殘像重影的發生。
根據方案2或方案3的發明，提供一種電子照相感光體，與上述受阻酚系抗氧化劑的分子量小於300的情況相比，該電子照相感光體可抑制在連續輸出同一圖像時出現的殘像重影的發生，同時可抑制在光暴露時出現的光疲勞的發生。
根據方案4、5或6的發明，提供一種電子照相感光體，與上述電荷產生材料不含羥基鎵酞菁的情況相比，該電子照相感光體可抑制在連續輸出同一圖像時出現的殘像重影的發生，同時可抑制在光暴露時出現的光疲勞的發生。
根據方案7的發明，提供一種電子照相感光體，該電子照相感光體與具有導電性基體；配置在上述導電性基體上、包含電荷產生材料而不含抗氧化劑的電荷產生層、或者包含電荷產生材料且僅包含由式(ao-5)表示的受阻胺系抗氧化劑作為抗氧化劑的電荷產生層；和配置在上述電荷產生層上、包含由通式(ct1)表示的電荷傳輸材料和由通式(ct2)表示的電荷傳輸材料的電荷傳輸層的電子照相感光體相比，即使上述電荷產生材料為羥基鎵酞菁顏料，也可抑制在連續輸出同一圖像時所出現的殘像重影的發生。
根據方案8的發明，提供一種電子照相感光體，與上述受阻酚系抗氧化劑為由結構式(ao-4)表示的受阻酚系抗氧化劑的情況相比，該電子照相感光體可抑制在連續輸出同一圖像時出現的殘像重影的發生，同時可抑制在光暴露時出現的光疲勞的發生。
根據方案9或方案10的發明，提供一種處理盒或一種圖像形成裝置，該處理盒或圖像形成裝置具備電子照相感光體，可抑制在連續輸出同一圖像時圖像的濃度變濃的殘像重影的發生，該處理盒或圖像形成裝置所具備的電子照相感光體與具有導電性基體；配置在上述導電性基體上、包含電荷產生材料而不含抗氧化劑的電荷產生層、或者包含電荷產生材料且僅包含由式(ao-5)表示的受阻胺系抗氧化劑作為抗氧化劑的電荷產生層；和配置在上述電荷產生層上、包含由通式(ct1)表示的電荷傳輸材料和由通式(ct2)表示的電荷傳輸材料的電荷傳輸層的電子照相感光體相比，可抑制在連續輸出同一圖像時圖像的濃度變濃的殘像重影的發生。
附圖說明
圖1是示出本實施方式的電子照相感光體的層構成的一例的示意性局部截面圖。
圖2是示出本實施方式的圖像形成裝置的一例的示意性構成圖。
圖3是示出本實施方式的圖像形成裝置的另一例的示意性構成圖。
具體實施方式
下面參照附圖對作為本發明的一例的實施方式進行說明。
本實施方式的電子照相感光體(下文中有時稱為「感光體」)具有導電性基體、電荷產生層和電荷傳輸層；該電荷產生層配置在上述導電性基體上，包含電荷產生材料和受阻酚系抗氧化劑；該電荷傳輸層配置在上述電荷產生層上，包含由下述通式(ct1)表示的電荷傳輸材料(下文中也稱為「丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)」)和由下述通式(ct2)表示的電荷傳輸材料(下文中也稱為「聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)」)。
[化4]
(通式(ct1)中，rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且20以下的烷基、碳原子數為1以上且20以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且30以下的芳基，相鄰的2個取代基可以彼此鍵合而形成烴環結構。n和m各自獨立地表示0、1或2。)
[化5]
(通式(ct2)中，rc21、rc22和rc23各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且10以下的烷基、碳原子數為1以上且10以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且10以下的芳基。)
通過應用本實施方式的感光體作為圖像形成裝置的圖像保持體，可抑制在連續輸出同一圖像時出現的殘像重影的發生。其理由據推測如下。
丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)對於得到電荷遷移率高、電荷傳輸能力高的電荷傳輸層是適宜的。另一方面，丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)具有在溶劑中的溶解性低的性質。因此，為了得到具有高電荷傳輸能力的電荷傳輸層，可以與丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)一起合用電荷遷移率比較高、在溶劑中的溶解性高的聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)。
但是，在使用具備具有同時包含丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)和聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的電荷傳輸層的感光體的圖像形成裝置連續輸出同一圖像(例如連續輸出3000張)之後，例如在輸出整面半色調圖像時，因同一圖像輸出而連續曝光的部分的感光體的表面電位降低，有時會發生濃度變濃的殘像重影(正重影)。
產生這樣的殘像重影(正重影)的原因據推測如下：在例如對電子照相感光體進行負充電後採用反轉顯影來使用的圖像形成方式的情況下，通過圖像曝光生成的空穴的一部分蓄積在電荷產生層內和電荷產生層與電荷傳輸層的界面附近，在下一循環的充電工序後立即遷移到電荷傳輸層表面，由此使表面電位降低，產生前一循環的圖像變濃而浮出的殘像重影(正重影)。
並且，在電荷傳輸層同時包含丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)和聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的情況下，該表面電位的降低所致的圖像濃度的上升特別顯著。據認為其原因在於，丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)在結構上具有高電荷傳輸能力，因而分子內的電子的離域區域大，在聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)與電荷產生材料之間發生相互作用，通過同一圖像的連續輸出而顯著發生充電電位的降低。
與此相對，在感光體具有同時包含丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)和聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的電荷傳輸層、以及包含電荷產生材料和受阻酚系抗氧化劑的電荷產生層時，認為電荷產生層與電荷傳輸層的能級差減小、電荷傳輸性提高，由此抑制殘像重影的發生。
另外，在電荷產生層中含有電荷產生效率高的羥基鎵酞菁顏料作為電荷產生材料的情況下，由於所產生的電荷量多，因而同一圖像的連續輸出和光暴露所致的充電電位的降低變得顯著，容易發生殘像重影。但是，在本實施方式的電子照相感光體中，即使在電荷產生層中含有羥基鎵酞菁的情況下，也可抑制在連續輸出同一圖像時出現的殘像重影的發生。
另外，在對感光體進行更換等時，若感光體被暴露在室內光或太陽光等中，則光暴露的部分的感光體的充電性降低，其後，在輸出整面半色調圖像時，有時會產生光暴露的部分的圖像濃度濃而浮出的被稱為「光疲勞」的圖像缺陷。根據本實施方式的感光體，與在電荷產生層中僅使用受阻胺系抗氧化劑作為抗氧化劑的情況相比，還可抑制上述那樣的光暴露所致的光疲勞的發生。
圖1是示出本實施方式的電子照相感光體7a的層構成的一例的示意性局部截面圖。圖1所示的電子照相感光體7a具有在導電性基體4上依次層疊有底塗層1、電荷產生層2和電荷傳輸層3的結構。並且，電荷產生層2和電荷傳輸層3構成了感光層5。
需要說明的是，電子照相感光體7a也可以為不設有底塗層1的層構成。另外，電子照相感光體7a也可以為在電荷傳輸層3上進一步設有保護層的層構成。
下面對本實施方式的電子照相感光體的各層進行詳細說明。需要說明的是，省略了符號來進行說明。
(導電性基體)
作為導電性基體，例如可以舉出包含金屬(鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金、鉑等)或合金(不鏽鋼等)的金屬板、金屬鼓和金屬帶等。另外，作為導電性基體，例如還可以舉出塗布、蒸鍍或層疊有導電性化合物(例如導電性聚合物、氧化銦等)、金屬(例如鋁、鈀、金等)或合金的紙、樹脂膜、帶等。此處，「導電性」是指體積電阻率小於1013ωcm。
對於導電性基體的表面，在電子照相感光體用於雷射印表機的情況下，為了抑制照射雷射時產生的幹涉條紋，優選粗面化至以中心線平均粗糙度ra計為0.04μm以上且0.5μm以下。需要說明的是，在使用非相干光作為光源的情況下，防止幹涉條紋的粗面化並不是特別需要的，但可抑制導電性基體的表面凹凸所致的缺陷的發生，因而適合於進一步長壽命化。
作為粗面化的方法，例如可以舉出：通過將研磨劑懸浮在水中並噴吹至支撐體而進行的溼式珩磨；將導電性基體壓接於旋轉的磨石而連續地進行磨削加工的無心磨削；陽極氧化處理等。
作為粗面化的方法，還可以舉出下述方法：不對導電性基體的表面進行粗面化，而是使導電性或半導電性粉體分散在樹脂中，在導電性基體的表面上形成層，利用分散在該層中的顆粒進行粗面化。
利用陽極氧化進行的粗面化處理是通過將金屬制(例如鋁製)的導電性基體作為陽極在電解質溶液中進行陽極氧化而在導電性基體的表面形成氧化膜的粗面化處理。作為電解質溶液，例如可以舉出硫酸溶液、草酸溶液等。但是，通過陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜在原本的狀態下在化學上是活性的，容易被汙染，環境所致的電阻變動也大。因此，優選對多孔陽極氧化膜進行下述封孔處理：在加壓水蒸氣或沸水中(也可以加入鎳等的金屬鹽)，利用水合反應引起的體積膨脹來堵塞氧化膜的微細孔，變為更穩定的水合氧化物。
陽極氧化膜的膜厚例如優選為0.3μm以上且15μm以下。該膜厚處於上述範圍內時，具有針對注入發揮出阻隔性的傾向，並且具有抑制反覆使用所致的殘餘電位上升的傾向。
也可以對導電性基體實施利用酸性處理液的處理或勃姆石處理。
利用酸性處理液的處理例如如下實施。首先，製備包含磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理液。酸性處理液中的磷酸、鉻酸和氫氟酸的混配比例例如為：磷酸為10重量％以上且11重量％以下的範圍、鉻酸為3重量％以上且5重量％以下的範圍、氫氟酸為0.5重量％以上且2重量％以下的範圍，這些酸整體的濃度為13.5重量％以上且18重量％以下的範圍為宜。處理溫度例如優選為42℃以上且48℃以下。覆膜的膜厚優選為0.3μm以上且15μm以下。
勃姆石處理例如通過在90℃以上且100℃以下的純水中浸漬5分鐘至60分鐘、或者與90℃以上且120℃以下的加熱水蒸氣接觸5分鐘至60分鐘來進行。覆膜的膜厚優選為0.1μm以上且5μm以下。也可以進一步使用己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽、檸檬酸鹽等覆膜溶解性低的電解質溶液對其進行陽極氧化處理。
(底塗層)
底塗層例如為包含無機顆粒和粘結樹脂的層。
作為無機顆粒，例如可以舉出粉體電阻(體積電阻率)為102ωcm以上且1011ωcm以下的無機顆粒。
這些之中，作為具有上述電阻值的無機顆粒，例如可以為氧化錫顆粒、二氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒、氧化鋯顆粒等金屬氧化物顆粒，特別優選氧化鋅顆粒。
無機顆粒的基於bet法的比表面積例如可以為10m2/g以上。
無機顆粒的體積平均粒徑例如可以為50nm以上且2000nm以下(優選為60nm以上且1000nm以下)。
無機顆粒的含量例如相對於粘結樹脂優選為10重量％以上且80重量％以下、更優選為40重量％以上且80重量％以下。
無機顆粒可以實施了表面處理。無機顆粒可以將表面處理不同的無機顆粒或粒徑不同的無機顆粒混合兩種以上來使用。
作為表面處理劑，例如可以舉出矽烷偶聯劑、鈦酸酯系偶聯劑、鋁系偶聯劑、表面活性劑等。特別是優選矽烷偶聯劑，更優選具有氨基的矽烷偶聯劑。
作為具有氨基的矽烷偶聯劑，例如可以舉出3-氨基丙基三乙氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、n,n-雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷等，但並不限於這些。
矽烷偶聯劑可以將兩種以上混合使用。例如，可以將具有氨基的矽烷偶聯劑與其他矽烷偶聯劑合用。作為該其他矽烷偶聯劑，例如可以舉出乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、n,n-雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷等，但並不限於這些。
利用表面處理劑的表面處理方法只要是公知的方法則可以為任一方法，可以為乾式法或溼式法中的任一種。
表面處理劑的處理量例如相對於無機顆粒優選為0.5重量％以上且10重量％以下。
此處，從電學特性的長期穩定性、載流子阻擋性高的觀點考慮，優選底塗層中與無機顆粒一同含有受電子性化合物(受體化合物)。
作為受電子性化合物，例如可以舉出下述的電子傳輸性物質等：四氯苯醌、四溴苯醌等醌系化合物；四氰基對苯二醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮、2,4,5,7-四硝基-9-芴酮等芴酮化合物；2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-噁二唑、2,5-雙(4-二乙基氨基苯基)-1,3,4-噁二唑等噁二唑系化合物；氧雜蒽酮系化合物；噻吩化合物；3,3』,5,5』-四叔丁基聯苯醌等聯苯醌化合物；等等。
特別是，作為受電子性化合物，優選具有蒽醌結構的化合物。作為具有蒽醌結構的化合物，例如優選羥基蒽醌化合物、氨基蒽醌化合物、氨基羥基蒽醌化合物等，具體而言，例如優選蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚、紅紫素等。
受電子性化合物可以與無機顆粒一同分散包含在底塗層中，也可以以附著於無機顆粒表面的狀態包含。
作為使受電子性化合物附著於無機顆粒的表面的方法，例如可以舉出乾式法或溼式法。
乾式法例如為下述方法：利用剪切力大的混合器等對無機顆粒進行攪拌，同時直接滴加受電子性化合物、或者滴加溶解於有機溶劑中的受電子性化合物，與乾燥空氣或氮氣一同進行噴霧，使受電子性化合物附著於無機顆粒的表面。在受電子性化合物的滴加或噴霧時，在溶劑的沸點以下的溫度進行為宜。在滴加或噴霧受電子性化合物後，可以進一步於100℃以上進行烘烤(焼き付け)。關於烘烤，只要是可得到電子照相特性的溫度、時間就沒有特別限制。
溼式法例如為下述方法：通過攪拌、超聲波、砂磨機、超微磨碎機、球磨機等使無機顆粒分散於溶劑中，同時添加受電子性化合物，進行攪拌或分散後，除去溶劑，使受電子性化合物附著於無機顆粒的表面。關於溶劑除去方法，例如過濾或通過蒸餾來餾去。溶劑除去後，可以進一步在100℃以上進行烘烤。關於烘烤，只要是可得到電子照相特性的溫度、時間就沒有特別限定。在溼式法中，可以在添加受電子性化合物之前除去無機顆粒含有的水分，作為其示例，可以舉出一邊在溶劑中攪拌加熱一邊除去的方法；與溶劑共沸來除去的方法。
需要說明的是，受電子性化合物的附著可以在對無機顆粒實施利用表面處理劑的表面處理之前或之後進行，也可以同時進行受電子性化合物的附著和利用表面處理劑的表面處理。
受電子性化合物的含量例如相對於無機顆粒可以為0.01重量％以上且20重量％以下、優選為0.01重量％以上且10重量％以下。
作為底塗層中使用的粘結樹脂，例如可以舉出縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛等)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機矽樹脂、有機矽-醇酸樹脂、脲樹脂、酚樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂等公知的高分子化合物；鋯螯合化合物；鈦螯合化合物；鋁螯合化合物；鈦醇鹽化合物；有機鈦化合物；矽烷偶聯劑等公知的材料。
作為底塗層中使用的粘結樹脂，例如還可以舉出具有電荷傳輸性基團的電荷傳輸性樹脂、導電性樹脂(例如聚苯胺等)等。
這些之中，作為底塗層中使用的粘結樹脂，優選不溶於上層的塗布溶劑的樹脂，特別優選脲樹脂、酚樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂等熱固化性樹脂；通過選自由聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯醇縮醛樹脂組成的組中的至少一種樹脂與固化劑的反應而得到的樹脂。
在將這些粘結樹脂兩種以上組合使用的情況下，其混合比例根據需要進行設定。
為了提高電學特性、提高環境穩定性、提高畫質，可以在底塗層中包含各種添加劑。
作為添加劑，可以舉出多環稠合系、偶氮系等的電子傳輸性顏料、鋯螯合化合物、鈦螯合化合物、鋁螯合化合物、鈦醇鹽化合物、有機鈦化合物、矽烷偶聯劑等公知的材料。如上所述，矽烷偶聯劑用於無機顆粒的表面處理，但也可以作為添加劑進一步添加至底塗層中。
作為添加劑的矽烷偶聯劑例如可以舉出乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基矽烷、n,n-雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷等。
作為鋯螯合化合物，例如可以舉出丁醇鋯、乙醯乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙醯丙酮合丁醇鋯、乙醯乙酸乙酯合丁醇鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸酯丁醇鋯、硬脂酸酯丁醇鋯、異硬脂酸酯丁醇鋯等。
作為鈦螯合化合物，例如可以舉出鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚物、鈦酸四(2-乙基己基)酯、乙醯丙酮化鈦、聚乙醯丙酮化鈦、乙醇酸亞辛基酯合鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺合鈦、多羥基硬脂酸鈦等。
作為鋁螯合化合物，例如可以舉出異丙酸鋁、二異丙酸單丁氧基鋁、丁酸鋁、二異丙酸二乙基乙醯乙酸鋁、三(乙基乙醯乙酸)鋁等。
這些添加劑可以單獨使用，或者也可以以多種化合物的混合物或縮聚物的形式使用。
底塗層的維氏硬度為35以上為宜。
關於底塗層的表面粗糙度(十點平均粗糙度)，為了抑制莫爾圖像，調整至所使用的曝光用雷射波長λ的1/(4n)(n為上層的折射率)至1/2為宜。
為了調整表面粗糙度，可以在底塗層中添加樹脂顆粒等。作為樹脂顆粒，可以舉出有機矽樹脂顆粒、交聯型聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒等。另外，為了調整表面粗糙度，可以對底塗層的表面進行研磨。作為研磨方法，可以舉出拋光研磨、噴砂處理、溼式珩磨、磨削處理等。
底塗層的形成沒有特別限制，可利用公知的形成方法，例如通過下述方法進行：形成將上述成分添加至溶劑中而成的底塗層形成用塗布液的塗膜，將該塗膜乾燥，根據需要進行加熱。
作為用於製備底塗層形成用塗布液的溶劑，可以舉出公知的有機溶劑，例如醇系溶劑、芳香族烴溶劑、滷代烴溶劑、酮系溶劑、酮醇系溶劑、醚系溶劑、酯系溶劑等。
作為這些溶劑，具體而言，例如可以舉出甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二氧雜環己烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等通常的有機溶劑。
作為製備底塗層形成用塗布液時的無機顆粒的分散方法，例如可以舉出輥碾機、球磨機、振動球磨機、超微磨碎機、砂磨機、膠體磨、塗料振蕩器等公知的方法。
作為將底塗層形成用塗布液塗布於導電性基體上的方法，例如可以舉出刮板塗布法、線棒塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、珠塗法、氣刀塗布法、幕簾式塗布法等通常的方法。
底塗層的膜厚例如優選設定為15μm以上、更優選設定為20μm以上且50μm以下的範圍內。
(中間層)
雖然省略了圖示，但在底塗層與感光層之間可以進一步設置中間層。
中間層例如為包含樹脂的層。作為用於中間層的樹脂，例如可以舉出縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛等)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機矽樹脂、有機矽-醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子化合物。
中間層可以為包含有機金屬化合物的層。作為用於中間層的有機金屬化合物，可以舉出含有鋯、鈦、鋁、錳、矽等金屬原子的有機金屬化合物等。
這些用於中間層的化合物可以單獨使用，或者也可以以多種化合物的混合物或縮聚物的形式使用。
這些之中，優選中間層為包含含有鋯原子或矽原子的有機金屬化合物的層。
中間層的形成沒有特別限制，可利用公知的形成方法，例如通過下述方法進行：形成將上述成分添加至溶劑中而成的中間層形成用塗布液的塗膜，將該塗膜乾燥，根據需要進行加熱。
作為形成中間層的塗布方法，使用浸漬塗布法、上推塗布法、線棒塗布法、噴霧塗布法、刮板塗布法、刮刀塗布法、幕簾式塗布法等通常的方法。
中間層的膜厚例如優選設定為0.1μm以上且3μm以下的範圍。需要說明的是，也可以將中間層作為底塗層使用。
(電荷產生層)
電荷產生層例如為包含電荷產生材料、受阻酚系抗氧化劑和粘結樹脂的層。另外，電荷產生層可以為電荷產生材料的蒸鍍層。電荷產生材料的蒸鍍層適合於使用led(lightemittingdiode，發光二極體)、有機el(electro-luminescence，電致發光)圖像陣列等非相干光源的情況。
作為電荷產生材料，可以舉出雙偶氮、三偶氮等偶氮顏料；二溴蒽嵌蒽醌等稠環芳香族顏料；二萘嵌苯顏料；吡咯並吡咯顏料；酞菁顏料；氧化鋅；三方晶系硒等。
這些之中，為了應對近紅外域的雷射曝光，作為電荷產生材料，優選使用金屬酞菁顏料或無金屬酞菁顏料。具體而言，例如更優選日本特開平5-263007號公報、日本特開平5-279591號公報等所公開的羥基鎵酞菁；日本特開平5-98181號公報等所公開的氯代鎵酞菁；日本特開平5-140472號公報、日本特開平5-140473號公報等所公開的二氯錫酞菁；日本特開平4-189873號公報等所公開的氧鈦酞菁。
另一方面，為了應對近紫外區域的雷射曝光，作為電荷產生材料，優選二溴蒽嵌蒽醌等稠環芳香族顏料；硫靛系顏料；四氮雜卟啉化合物；氧化鋅；三方晶系硒；日本特開2004-78147號公報、日本特開2005-181992號公報所公開的雙偶氮顏料等。
使用在450nm以上且780nm以下具有發光的中心波長的led、有機el圖像陣列等非相干光源的情況下，也可以使用上述電荷產生材料，但從解析度的觀點考慮，在以20μm以下的薄膜使用感光層時，感光層中的電場強度提高，容易產生由基體的電荷注入導致的充電降低、即所謂的稱為黑點的圖像缺陷。該情況在使用三方晶系硒、酞菁顏料等在p-型半導體中容易產生暗電流的電荷產生材料時變得顯著。
與此相對，在使用稠環芳香族顏料、二萘嵌苯顏料、偶氮顏料等n-型半導體作為電荷產生材料的情況下，難以產生暗電流，即便製成薄膜也可抑制稱為黑點的圖像缺陷。作為n-型的電荷產生材料，例如可以舉出日本特開2012-155282號公報的[0288]～[0291]段所記載的化合物(cg-1)～(cg-27)，但不限定於此。
需要說明的是，關於n-型的判定，使用通常所用的飛行時間法，通過流動的光電流的極性來判定，將與空穴相比更容易使電子作為載流子流動的類型作為n-型。
這些之中，作為電荷產生材料，從電荷產生效率的觀點考慮，優選羥基鎵酞菁顏料、更優選v型的羥基鎵酞菁顏料。
特別是，作為羥基鎵酞菁顏料，從得到更優異的分散性的觀點考慮，例如在600nm以上且900nm以下的波長區域的分光吸收光譜中在810nm以上且839nm以下的範圍具有最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料是優選的。
另外，上述的在810nm以上且839nm以下的範圍具有最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料優選平均粒徑為特定的範圍、且bet比表面積為特定的範圍。具體而言，平均粒徑優選為0.20μm以下、更優選為0.01μm以上且0.15μm以下。另一方面，bet比表面積優選為45m2/g以上、更優選為50m2/g以上、特別優選為55m2/g以上且120m2/g以下。平均粒徑為體積平均粒徑(d50平均粒徑)，是利用雷射衍射散射式粒度分布測定裝置(la-700、堀場製作所社製造)測定得到的值。另外，bet比表面積是使用bet式比表面積測定器(島津製作所制：flowsorbii2300)利用氮氣置換法測定得到的值。
羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑(一次粒徑的最大值)優選為1.2μm以下、更優選為1.0μm以下、更優選為0.3μm以下。
羥基鎵酞菁顏料優選平均粒徑為0.2μm以下、最大粒徑為1.2μm以下、且比表面積值為45m2/g以上。
羥基鎵酞菁顏料優選為在使用cukα特徵x射線的x射線衍射光譜中至少在布拉格角(2θ±0.2°)為7.3°、16.0°、24.9°、28.0°處具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。
電荷產生材料可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
對受阻酚系抗氧化劑進行說明。
受阻酚系抗氧化劑為具有受阻酚環且優選分子量為300以上的化合物。
受阻酚系抗氧化劑的受阻酚環例如是至少取代有一個碳原子數為4以上且8以下的烷基(例如碳原子數為4以上且8以下的支鏈狀的烷基)的苯酚環。更具體而言，受阻酚環例如是相對於酚羥基在鄰位取代有叔烷基(例如叔丁基)的苯酚環。
作為受阻酚系抗氧化劑，可以舉出：
1)具有1個受阻酚環的抗氧化劑；
2)具有2個以上且4個以下受阻酚環、並且通過連接基團將2個以上且4個以下的受阻酚環連結而成的抗氧化劑，該連接基團是由直鏈或支鏈狀的2價以上且4價以下的脂肪族烴基構成的連接基團、或者是在2價以上且4價以下的脂肪族烴基的碳-碳鍵之間夾有酯鍵(-c(＝o)o-)和醚鍵(-o-)中的至少一者而成的連接基團；
3)具有2個以上且4個以下的受阻酚環和一個苯環(未取代、或者被烷基等取代的取代苯環)或異氰脲酸酯環、並且2個以上且4個以下的受阻酚環各自藉由苯環或異氰脲酸酯環和亞烷基進行連結而成的抗氧化劑；等等。
從抑制殘像重影和光疲勞的觀點考慮，作為受阻酚系抗氧化劑，優選由下述通式(hp)表示的抗氧化劑。
[化6]
通式(hp)中，rh1和rh2各自獨立地表示碳原子數為4以上且8以下的支鏈狀的烷基。
rh3和rh4各自獨立地表示氫原子或碳原子數為1以上且10以下的烷基。
rh5表示碳原子數為1以上且10以下的亞烷基。
通式(hp)中，作為rh1和rh2所表示的烷基，可以舉出碳原子數為4以上且8以下(優選碳原子數為4以上且6以下)的支鏈狀的烷基。
作為支鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基。
這些之中，作為烷基，優選叔丁基、叔戊基，更優選叔丁基。
通式(hp)中，作為rh3和rh4，可以舉出碳原子數為1以上且10以下(優選碳原子數為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀的烷基。
作為直鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
作為支鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基等。
這些之中，作為烷基，優選甲基、乙基等低級烷基。
通式(hp)中，rh5表示碳原子數為1以上且10以下(優選碳原子數為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀亞烷基。
作為直鏈狀的亞烷基，具體而言，可以舉出亞甲基、亞乙基、亞正丙基、亞正丁基、亞正戊基、亞正己基、亞正庚基、亞正辛基、亞正壬基、亞正癸基等。
作為支鏈狀的亞烷基，具體而言，可以舉出亞異丙基、亞異丁基、亞仲丁基、亞叔丁基、亞異戊基、亞新戊基、亞叔戊基、亞異己基、亞仲己基、亞叔己基、亞異庚基、亞仲庚基、亞叔庚基、亞異辛基、亞仲辛基、亞叔辛基、亞異壬基、亞仲壬基、亞叔壬基、亞異癸基、亞仲癸基、亞叔癸基等。
這些之中，作為亞烷基，優選亞甲基、亞乙基、亞丁基等低級亞烷基。
需要說明的是，通式(hp)中，rh1、rh2、rh3、rh4和rh5所表示的上述各取代基還包含進一步具有取代基的基團。作為該取代基，例如可以舉出滷原子(例如氟原子、氯原子)、烷氧基(例如碳原子數為1以上且4以下的烷氧基)、芳基(例如苯基、萘基等)等。
通式(hp)中，從抑制殘像重影和光疲勞的觀點考慮，優選rh1和rh2表示叔丁基，更優選rh1和rh2表示叔丁基、rh3和rh4表示碳原子數為1以上且3以下的烷基(特別是甲基)、rh5表示碳原子數為1以上且4以下的亞烷基(特別是亞甲基)。
具體而言，受阻酚系抗氧化劑特別優選由例示化合物(hp-3)表示的受阻酚系抗氧化劑。
從抑制殘像重影和光疲勞的觀點考慮，受阻酚系抗氧化劑的分子量優選為300以上且1000以下、更優選為300以上且900以下、進一步優選為300以上且800以下。
下面示出受阻酚系抗氧化劑的具體例，但並不限定於此。
[化7]
[化8]
受阻酚系抗氧化劑可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
從抑制殘像重影和光疲勞的觀點考慮，受阻酚系抗氧化劑的含量相對於電荷產生材料的總量優選為0.5重量％以上且10重量％以下、更優選為0.5重量％以上且7重量％以下、進一步優選為0.5重量％以上且3重量％以下。需要說明的是，該受阻酚系抗氧化劑的含量表示將電荷產生材料的總含量設為100重量份時的份數(重量份)。
需要說明的是，通過使受阻酚系抗氧化劑的含量為10重量％以下，可抑制抗氧化劑對電荷傳輸材料的電荷傳輸能力的阻礙。即，可抑通過光照射在感光體表面形成靜電潛像的阻礙，容易得到目標濃度的圖像。
作為用於電荷產生層的粘結樹脂，可從廣泛的絕緣性樹脂中選擇，另外，作為粘結樹脂，可以從聚-n-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘、聚矽烷等有機光導電性聚合物中選擇。
作為粘結樹脂，例如可以舉出聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚芳酯樹脂(雙酚類與芳香族二元羧酸的縮聚物等)、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚醯胺樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、聚乙烯基吡啶樹脂、纖維素樹脂、氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯吡咯烷酮樹脂等。此處，「絕緣性」是指體積電阻率為1013ωcm以上。
這些粘結樹脂可以單獨使用一種或將兩種以上混合使用。
需要說明的是，電荷產生材料與粘結樹脂的混配比以重量比計優選為10:1至1:10的範圍內。
電荷產生層中可以包含其他公知的添加劑。
電荷產生層的形成沒有特別限制，可利用公知的形成方法，例如通過下述方法進行：形成將上述成分添加至溶劑中而成的電荷產生層形成用塗布液的塗膜，將該塗膜乾燥，根據需要進行加熱。需要說明的是，電荷產生層的形成也可以通過電荷產生材料的蒸鍍來進行。利用蒸鍍進行的電荷產生層的形成特別適於利用稠環芳香族顏料、二萘嵌苯顏料作為電荷產生材料的情況。
作為用於製備電荷產生層形成用塗布液的溶劑，可以舉出甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧雜環己烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等。這些溶劑單獨使用一種或將兩種以上混合使用。
作為使顆粒(例如電荷產生材料)分散在電荷產生層形成用塗布液中的方法，例如利用球磨機、振動球磨機、超微磨碎機、砂磨機、臥式砂磨機等介質分散機；攪拌、超聲波分散機、輥碾機、高壓均質機等無介質分散機。作為高壓均質機，例如可以舉出：在高壓狀態下使分散液進行液-液碰撞或液-壁碰撞來進行分散的碰撞方式；在高壓狀態下從微細的流路中貫通來進行分散的貫通方式等。
需要說明的是，在該分散時，電荷產生層形成用塗布液中的電荷產生材料的平均粒徑為0.5μm以下、優選為0.3μm以下、進一步優選為0.15μm以下是有效的。
作為將電荷產生層形成用塗布液塗布至底塗層上(或中間層上)的方法，例如可以舉出刮板塗布法、線棒塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、珠塗法、氣刀塗布法、幕簾式塗布法等通常的方法。
電荷產生層的膜厚例如優選設定為為0.1μm以上且5.0μm以下、更優選設定為0.2μm以上且2.0μm以下的範圍內。
(電荷傳輸層)
電荷傳輸層例如為包含電荷傳輸材料和粘結樹脂的層。
作為電荷傳輸材料，應用丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)和聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)。
對丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)進行說明。
丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)為由下述通式(ct1)表示的電荷傳輸材料。
[化9]
通式(ct1)中，rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且20以下的烷基、碳原子數為1以上且20以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且30以下的芳基，相鄰的2個取代基可以彼此鍵合而形成烴環結構。
n和m各自獨立地表示0、1或2。
通式(ct1)中，作為rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16所表示的滷原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。這些之中，作為滷原子，優選氟原子、氯原子，更優選氯原子。
通式(ct1)中，作為rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16所表示的烷基，可以舉出碳原子數為1以上且20以下(優選為1以上且6以下、更優選為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀的烷基。
作為直鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等。
作為支鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-異丁基-4-乙基辛基、異十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、異十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、異十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、異十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、異十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、異二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基、新二十烷基等。
這些之中，作為烷基，優選甲基、乙基、異丙基等低級烷基。
通式(ct1)中，作為rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16所表示的烷氧基，可以舉出碳原子數為1以上且20以下(優選為1以上且6以下、更優選為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基。
作為直鏈狀的烷氧基，具體而言，可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基、正二十烷氧基等。
作為支鏈狀的烷氧基，具體而言，可以舉出異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、異十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、異十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、異十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、異十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-異丁基-4-乙基辛氧基、異十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、異十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、異十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、異十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、異十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、異二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基、新二十烷基氧基等。
這些之中，作為烷氧基，優選甲氧基。
通式(ct1)中，作為rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16所表示的芳基，可以舉出碳原子數為6以上且30以下(優選為6以上且20以下、更優選為6以上且16以下)的芳基。
作為芳基，具體而言，可以舉出苯基、萘基、菲基、聯苯基等。
這些之中，作為芳基，優選苯基、萘基。
需要說明的是，通式(ct1)中，rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16所表示的上述各取代基還包含進一步具有取代基的基團。作為該取代基，可以舉出上述例示的原子和基團(例如滷原子、烷基、烷氧基、芳基等)。
通式(ct1)中，在rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16中的相鄰的兩個取代基彼此(例如rc11和rc12彼此、rc13和rc14彼此、rc15和rc16彼此)連結而成的烴環結構中，作為將該取代基彼此連結的基團，可以舉出單鍵、2,2』-亞甲基、2,2』-亞乙基、2,2』-1,2-亞乙烯基等，這些之中，優選單鍵、2,2』-亞甲基。
此處，作為烴環結構，具體而言，例如可以舉出環烷烴結構、環烯烴結構、環烷烴多烯結構等。
通式(ct1)中，n和m優選為1。
通式(ct1)中，從形成電荷傳輸能力高的電荷傳輸層的觀點考慮，優選rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示氫原子、碳原子數為1以上且20以下的烷基、或碳原子數為1以上且20以下的烷氧基，m和n表示1或2；更優選rc11、rc12、rc13、rc14、rc15和rc16表示氫原子，m和n表示1。
即，丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)更優選為由下述結構式(ct1a)表示的電荷傳輸材料(例示化合物(ct1-3))。
[化10]
下面示出丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)的具體例，但並不限定於此。
[化11]
需要說明的是，上述例示化合物中的縮寫表示下述含義。另外，取代基前所帶有的編號表示相對於苯環的取代位置。
·-ch3：甲基
·-och3：甲氧基
丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
對聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)進行說明。
聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)為由下述通式(ct2)表示的電荷傳輸材料。
[化12]
通式(ct2)中，rc21、rc22和rc23各自獨立地表示氫原子、滷原子、碳原子數為1以上且10以下的烷基、碳原子數為1以上且10以下的烷氧基、或者碳原子數為6以上且10以下的芳基。
通式(ct2)中，作為rc21、rc22和rc23所表示的滷原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。這些之中，作為滷原子，優選氟原子、氯原子，更優選氯原子。
通式(ct2)中，作為rc21、rc22和rc23所表示的烷基，可以舉出碳原子數為1以上且10以下(優選為1以上且6以下、更優選為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀的烷基。
作為直鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
作為支鏈狀的烷基，具體而言，可以舉出異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基等。
這些之中，作為烷基，優選甲基、乙基、異丙基等低級烷基。
通式(ct2)中，作為rc21、rc22和rc23所表示的烷氧基，可以舉出碳原子數為1以上且10以下(優選為1以上且6以下、更優選為1以上且4以下)的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基。
作為直鏈狀的烷氧基，具體而言，可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等。
作為支鏈狀的烷氧基，具體而言，可以舉出異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基等。
這些之中，作為烷氧基，優選甲氧基。
通式(ct2)中，作為rc21、rc22和rc23所表示的芳基，可以舉出碳原子數為6以上且10以下(優選為6以上且9以下、更優選為6以上且8以下)的芳基。
作為芳基，具體而言，可以舉出苯基、萘基等。
這些之中，作為芳基，優選苯基。
需要說明的是，通式(ct2)中，rc21、rc22和rc23所表示的上述各取代基還包含進一步具有取代基的基團。作為該取代基，可以舉出上述例示的原子和基團(例如滷原子、烷基、烷氧基、芳基等)。
通式(ct2)中，從形成電荷傳輸能力高的電荷傳輸層的觀點考慮，優選rc21、rc22和rc23各自獨立地表示氫原子或碳原子數為1以上且10以下的烷基，更優選rc21和rc23表示氫原子、rc22表示碳原子數為1以上且10以下的烷基(特別是甲基)。
具體而言，聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)特別優選為由下述結構式(ct2a)表示的電荷傳輸材料(例示化合物(ct2-2))。
[化13]
下面示出聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的具體例，但並不限定於此。
[化14]
需要說明的是，上述例示化合物中的縮寫表示下述含義。另外，取代基前所帶有的編號表示相對於苯環的取代位置。
·-ch3：甲基
·-c2h5：乙基
·-och3：甲氧基
·-oc2h5：乙氧基
聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
接著對電荷傳輸材料的含量進行說明。
從形成電荷傳輸能力高的電荷傳輸層的觀點考慮，丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)的含量以ct1與粘結樹脂的混配比(重量比，ct1:粘結樹脂)計優選為0.1:9.9至4.0:6.0的範圍內，更優選為0.4:9.6至3.5:6.5的範圍內，進一步優選為0.6:9.4至3.0:7.0的範圍內。
從形成電荷傳輸能力高的電荷傳輸層的觀點考慮，聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的含量以ct2與粘結樹脂的混配比(重量比，ct2:粘結樹脂)計優選為1:9至7:3的範圍內，更優選為2:8至6:4的範圍內，進一步優選為2:8至4:6的範圍內。
從形成電荷傳輸能力高的電荷傳輸層的觀點考慮，丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)的含量與聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的含量的重量比(丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)的含量/聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的含量)優選為1/9以上且5/5以下、更優選為1/9以上且4/6以下、進一步優選為1/9以上且3/7以下。
特別地，在丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)的含量與聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)的含量的重量比為上述範圍時，容易發生殘像重影和光疲勞，但通過電荷產生層中含有的受阻酚系抗氧化劑，可抑制殘像重影和光疲勞的發生。
需要說明的是，也可以合用丁二烯系電荷傳輸材料(ct1)和聯苯胺系電荷傳輸材料(ct2)以外的其他電荷傳輸材料。但是，這種情況下，其他電荷傳輸材料在全部電荷傳輸材料中所佔的含量為10重量％以下(優選為5重量％以下)為宜。
在電荷傳輸層中使用的粘結樹脂可以舉出聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機矽樹脂、有機矽醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑、聚矽烷等。這些之中，作為粘結樹脂，優選聚碳酸酯樹脂或聚芳酯樹脂。這些粘結樹脂可以單獨使用一種，或使用兩種以上。
需要說明的是，電荷傳輸材料與粘結樹脂的混配比以重量比計優選為10:1至1:5。
電荷傳輸層中可以包含其他公知的添加劑。
電荷傳輸層的形成沒有特別限制，可利用公知的形成方法，例如通過下述方法進行：形成將上述成分添加至溶劑中而成的電荷傳輸層形成用塗布液的塗膜，將該塗膜乾燥，根據需要進行加熱。
作為用於製備電荷傳輸層形成用塗布液的溶劑，可以舉出苯、甲苯、二甲苯、氯苯等芳香族烴類；丙酮、2-丁酮等酮類；二氯甲烷、氯仿、氯乙烯等滷代脂肪族烴類；四氫呋喃、乙醚等環狀或直鏈狀的醚類等通常的有機溶劑。這些溶劑可以單獨使用，或將兩種以上混合使用。
作為將電荷傳輸層形成用塗布液塗布在電荷產生層上時的塗布方法，可以舉出刮板塗布法、線棒塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、珠塗法、氣刀塗布法、幕簾式塗布法等通常的方法。
電荷傳輸層的膜厚例如優選設定為5μm以上且50μm以下、更優選設定為10μm以上且30μm以下的範圍內。
(保護層)
保護層根據需要設置在感光層上。保護層例如是出於防止充電時的感光層的化學變化、或進一步改善感光層的機械強度的目的而設置的。
因此，保護層應用由固化膜(交聯膜)構成的層為宜。作為這些層，例如可以舉出下述1)或2)所示的層。
1)由包含在同一分子內具有反應性基團和電荷傳輸性骨架的含反應性基團的電荷傳輸材料的組合物的固化膜所構成的層(即，包含該含反應性基團的電荷傳輸材料的聚合物或交聯體的層)
2)由包含非反應性的電荷傳輸材料和不具有電荷傳輸性骨架但具有反應性基團的含反應性基團的非電荷傳輸材料的組合物的固化膜所構成的層(即，包含非反應性的電荷傳輸材料和該含反應性基團的非電荷傳輸材料的聚合物或交聯體的層)
作為含反應性基團的電荷傳輸材料的反應性基團，可以舉出鏈聚合性基團、環氧基、-oh、-or[其中，r表示烷基]、-nh2、-sh、-cooh、-sirq13-qn(orq2)qn[其中，rq1表示氫原子、烷基、或者取代或無取代的芳基，rq2表示氫原子、烷基、三烷基甲矽烷基。qn表示1～3的整數]等公知的反應性基團。
作為鏈聚合性基團，只要是可進行自由基聚合的官能團就沒有特別限定，例如為具有至少含有碳雙鍵的基團的官能團。具體而言，可以舉出含有選自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基以及它們的衍生物中的至少一種的基團等。其中，作為鏈聚合性基團，由於其反應性優異，因而優選為含有選自乙烯基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基以及它們的衍生物中的至少一種的基團。
作為含反應性基團的電荷傳輸材料的電荷傳輸性骨架，只要是電子照相感光體中的公知的結構就沒有特別限定，例如可以舉出作為來自三芳基胺系化合物、聯苯胺系化合物、腙系化合物等含氮的空穴傳輸性化合物的骨架的、與氮原子共軛的結構。這些之中，優選三芳基胺骨架。
這些具有反應性基團和電荷傳輸性骨架的含反應性基團的電荷傳輸材料、非反應性的電荷傳輸材料、含反應性基團的非電荷傳輸材料從公知的材料中選擇即可。
保護層中可以包含其他公知的添加劑。
保護層的形成沒有特別限制，可利用公知的形成方法，例如通過下述方法進行：形成將上述成分添加至溶劑中而成的保護層形成用塗布液的塗膜，將該塗膜乾燥，根據需要進行加熱等固化處理。
作為用於製備保護層形成用塗布液的溶劑，可以舉出甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；四氫呋喃、二氧雜環己烷等醚系溶劑；乙二醇單甲醚等溶纖劑類溶劑；異丙醇、丁醇等醇系溶劑等。這些溶劑可以單獨使用，或將兩種以上混合使用。
需要說明的是，保護層形成用塗布液可以為無溶劑的塗布液。
作為將保護層形成用塗布液塗布在感光層(例如電荷傳輸層)上的方法，可以舉出浸漬塗布法、上推塗布法、線棒塗布法、噴霧塗布法、刮板塗布法、刮刀塗布法、幕簾式塗布法等通常的方法。
保護層的膜厚例如優選設定為1μm以上且20μm以下、更優選設定為2μm以上且10μm以下的範圍內。
[圖像形成裝置(和處理盒)]
本實施方式的圖像形成裝置具備：電子照相感光體；對電子照相感光體的表面進行充電的充電裝置；在充電後的電子照相感光體的表面形成靜電潛像的靜電潛像形成裝置；收納包含色調劑的顯影劑、利用包含色調劑的顯影劑對形成在電子照相感光體的表面的靜電潛像進行顯影而形成色調劑圖像的顯影裝置；和將色調劑圖像轉印至記錄介質的表面的轉印裝置。並且，作為電子照相感光體，應用上述本實施方式的電子照相感光體。
本實施方式的圖像形成裝置可適用下述公知的圖像形成裝置：具備對轉印到記錄介質表面的色調劑圖像進行定影的定影裝置的裝置；將形成在電子照相感光體表面的色調劑圖像直接轉印至記錄介質上的直接轉印方式的裝置；將形成在電子照相感光體的表面的色調劑圖像一次轉印至中間轉印體的表面、再將轉印到中間轉印體表面的色調劑圖像二次轉印到記錄介質表面的中間轉印方式的裝置；具備在色調劑圖像的轉印後對充電前的電子照相感光體的表面進行清潔的清潔裝置的裝置；具備在色調劑圖像的轉印後在充電前對電子照相感光體表面照射除電光來進行除電的除電裝置的裝置；具備用於提高電子照相感光體的溫度、降低相對溫度的電子照相感光體加熱部件的裝置；等等。
在中間轉印方式的裝置的情況下，轉印裝置例如應用具有在表面轉印色調劑圖像的中間轉印體、將形成在電子照相感光體表面的色調劑圖像一次轉印至中間轉印體表面的一次轉印裝置、和將轉印至中間轉印體表面的色調劑圖像二次轉印至記錄介質表面的二次轉印裝置的構成。
本實施方式的圖像形成裝置可以為乾式顯影方式的圖像形成裝置、溼式顯影方式(利用液體顯影劑的顯影方式)的圖像形成裝置中的任一種。
需要說明的是，在本實施方式的圖像形成裝置中，例如具備電子照相感光體的部分可以為相對於圖像形成裝置可進行裝卸的盒結構(處理盒)。作為處理盒，優選使用例如具備本實施方式的電子照相感光體的處理盒。需要說明的是，在處理盒中，除了電子照相感光體以外，還可以具備例如選自由充電裝置、靜電潛像形成裝置、顯影裝置、轉印裝置組成的組中的至少一者。
下面示出本實施方式的圖像形成裝置的一例，但並不限定於此。需要說明的是，對圖中所示的主要部分進行說明，對於其他部分，省略其說明。
圖2是示出本實施方式的圖像形成裝置的一例的示意性構成圖。
如圖2所示，本實施方式的圖像形成裝置100具備：具備電子照相感光體7的處理盒300；曝光裝置9(靜電潛像形成裝置的一例)；轉印裝置40(一次轉印裝置)；和中間轉印體50。需要說明的是，在圖像形成裝置100中，曝光裝置9配置在可由處理盒300的開口部對電子照相感光體7進行曝光的位置，轉印裝置40配置在隔著中間轉印體50與電子照相感光體7對置的位置，中間轉印體50按照其一部分與電子照相感光體7接觸來配置。儘管未圖示，但還具有將轉印至中間轉印體50的色調劑圖像轉印至記錄介質(例如紙張)的二次轉印裝置。需要說明的是，中間轉印體50、轉印裝置40(一次轉印裝置)和二次轉印裝置(未圖示)相當於轉印裝置的一例。
圖2中的處理盒300在外殼內一體地承載有電子照相感光體7、充電裝置8(充電裝置的一例)、顯影裝置11(顯影裝置的一例)和清潔裝置13(清潔裝置的一例)。清潔裝置13具有清潔刮板(清潔部件的一例)131，清潔刮板131按照與電子照相感光體7的表面接觸的方式配置。需要說明的是，清潔部件也可以不是清潔刮板131的方式而是導電性或絕緣性的纖維狀部件，其可以單獨使用或與清潔刮板131合用。
需要說明的是，在圖2中，作為圖像形成裝置，示出了具備將潤滑材料14供給至電子照相感光體7的表面的纖維狀部件132(滾筒狀)和輔助清潔的纖維狀部件133(平刷狀)的示例，但這些部件是根據需要進行配置的。
下面對本實施方式的圖像形成裝置的各構成進行說明。
-充電裝置-
作為充電裝置8，例如使用接觸型充電器，該接觸型充電器利用了導電性或半導電性的充電輥、充電刷、充電膜、充電橡膠刮板、充電管等。另外，還可使用非接觸方式的輥充電器、利用了電暈放電的電暈絲(scorotron)充電器或電暈管(corotron)充電器等本身公知的充電器等。
-曝光裝置-
作為曝光裝置9，例如可以舉出利用半導體雷射、led光、液晶光閘光等光按照確定的圖像對電子照相感光體7表面進行曝光的光學設備等。光源的波長設定為電子照相感光體的分光感度區域內。作為半導體雷射的波長，在780nm附近具有振蕩波長的近紅外為主流。但是，並不限於該波長，也可以利用大致為600nm的振蕩波長雷射或者作為藍色雷射的在400nm以上且450nm以下具有振蕩波長的雷射。另外，為了進行彩色圖像形成，可輸出多光束類型的面發光型雷射源也是有效的。
-顯影裝置-
作為顯影裝置11，例如可以舉出接觸或不接觸顯影劑來進行顯影的通常的顯影裝置。作為顯影裝置11，只要具有上述功能就沒有特別限制，可根據目的進行選擇。例如，可以舉出具有使用刷、輥等使單組分系顯影劑或雙組分系顯影劑附著至電子照相感光體7的功能的公知的顯影器等。其中優選使用在表面保持有顯影劑的顯影輥。
顯影裝置11中使用的顯影劑可以是單獨為色調劑的單組分系顯影劑，也可以是包含色調劑和載體的雙組分系顯影劑。另外，顯影劑可以為磁性，也可以為非磁性。這些顯影劑可應用公知的顯影劑。
-清潔裝置-
清潔裝置13使用具備清潔刮板131的清潔刮板方式的裝置。
需要說明的是，除了清潔刮板方式以外，還可以採用毛刷清潔方式、顯影同時進行清潔的方式。
-轉印裝置-
作為轉印裝置40，例如可以舉出使用帶、輥、膜、橡膠刮板等的接觸型轉印充電器、利用電暈放電的電暈絲轉印充電器或電暈管轉印充電器等本身公知的轉印充電器。
-中間轉印體-
作為中間轉印體50，使用賦予了半導電性的包含聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡膠等的帶狀轉印體(中間轉印帶)。另外，作為中間轉印體的形態，除了帶狀以外，還可以使用鼓狀轉印體。
圖3為示出本實施方式的圖像形成裝置的另一例的示意性構成圖。
圖3所示的圖像形成裝置120為搭載有4個處理盒300的串聯方式的多色圖像形成裝置。在圖像形成裝置120中，4個處理盒300各自並列地配置在中間轉印體50上，形成每1色使用1個電子照相感光體的構成。需要說明的是，圖像形成裝置120除了為串聯方式以外，具有與圖像形成裝置100同樣的構成。
[實施例]
下面對本發明的實施例進行說明，但本發明並不限定於以下實施例。需要說明的是，在以下的說明中，只要不特別聲明，「份」和「％」均為重量基準。
[電子照相感光體的製作]
-底塗層的形成-
將氧化鋅(商品名：mz300、tayca株式會社製造)100重量份、作為矽烷偶聯劑的n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷的10重量％的甲苯溶液10重量份、甲苯200重量份混合併進行攪拌，進行2小時回流。之後在10mmhg下減壓蒸餾除去甲苯，在135℃下進行2小時烘烤表面處理。
將表面處理後的氧化鋅33重量份、封端異氰酸酯(商品名：sumidur3175、sumitomo-bayerurethaneco.,ltd.製造)6重量份、由式(ak-1)表示的化合物1重量份、甲基乙基酮25重量份混合30分鐘，之後添加丁縮醛樹脂(商品名：s-lecbm-1、積水化學工業公司製造)5重量份、矽膠球(商品名：tospearl120、momentiveperformancematerials公司製造)3重量份、作為流平劑的矽油(商品名：sh29pa、toraydowcorningsilicone公司製造)0.01重量份，利用砂磨機進行3小時的分散，得到分散液(底塗層形成用塗布液)。
[化15]
進一步，將該塗布液利用浸漬塗布法塗布到直徑47mm、長度357mm、厚度1mm的鋁基材上，在180℃進行30分鐘的乾燥固化，得到厚度25μm的底塗層。
-電荷產生層的形成-
接著，將由羥基鎵酞菁顏料(在使用cukα特徵x射線的x射線衍射光譜中至少在布拉格角(2θ±0.2°)為7.3°、16.0°、24.9°、28.0°的位置具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料(在600nm以上且900nm以下的波長區域的分光吸收光譜中的最大峰值波長＝820nm、平均粒徑＝0.12μm、最大粒徑＝0.2μm、比表面積值＝60m2/g))、作為粘結樹脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(商品名：vmch、nipponunicar公司製造)和乙酸正丁酯構成的混合物裝入到容量100ml的玻璃瓶中，同時以填充率50％裝入玻璃珠，使用塗料振蕩器進行2.5小時分散處理，得到電荷產生層用塗布液。相對於羥基鎵酞菁顏料和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂的混合物，羥基鎵酞菁顏料的含量為55.0體積％，分散液的固體成分為6.0重量％。含量是將羥基鎵酞菁顏料的比重設為1.606g/cm3、將氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂的比重設為1.35g/cm3而進行計算的。
在所得到的塗布液中混合相對於電荷產生材料總量為0.5重量％的後述的具有(ao-1)結構的受阻酚系抗氧化劑，浸漬塗布在上述的底塗層上，在100℃乾燥5分鐘，形成膜厚0.20μm的電荷產生層。
-電荷傳輸層的形成-
接著，相對於作為由式(ct1)表示的化合物且式(ct1)中的rc11～rc16分別為表1中記載的結構的丁二烯系電荷傳輸材料8重量份、作為由式(ct2)表示的化合物且式(ct2)中的rc21～rc23分別為表1中記載的結構的聯苯胺系電荷傳輸材料32重量份和雙酚z型聚碳酸酯樹脂(分子量4萬)60重量份，加入四氫呋喃340重量份，將溶解得到的塗布液浸漬塗布在電荷產生層上，在150℃進行40分鐘的乾燥，由此形成膜厚34μm的電荷傳輸層。
經過上述工序，得到了在鋁基材上依次層疊有底塗層、電荷產生層和電荷傳輸層的實施例1的電子照相感光體。
分別如表1所示地變更電荷傳輸層中的電荷傳輸材料和電荷產生層中的抗氧化劑，除此以外，與實施例1同樣地製作實施例2～12的電子照相感光體。
將用於形成電荷傳輸層的塗布液中的電荷傳輸材料的混配量變更為丁二烯系電荷傳輸材料16重量份、聯苯胺系電荷傳輸材料24重量份，除此以外，與實施例7同樣地製作實施例13的電子照相感光體。
將用於形成電荷傳輸層的塗布液中的電荷傳輸材料的混配量變更為丁二烯系電荷傳輸材料24重量份、聯苯胺系電荷傳輸材料16重量份，除此以外，與實施例7同樣地製作實施例14的電子照相感光體。
除了在電荷產生層的形成中不添加抗氧化劑以外，與實施例6同樣地製作比較例1的電子照相感光體。
在電荷產生層的形成中，將抗氧化劑變更為下述結構(ao-5)的受阻胺系抗氧化劑，除此以外，與實施例6同樣地製作比較例2的電子照相感光體。
作為電荷傳輸層中的電荷傳輸材料，僅使用式(ct1)的rc11～rc16為表1中記載的結構的丁二烯系電荷傳輸材料40重量份，除此以外，與實施例1同樣地製作比較例3的電子照相感光體。
作為電荷傳輸層中的電荷傳輸材料，僅使用式(ct2)中的rc21～rc23為表1中記載的結構的聯苯胺系電荷傳輸材料40重量份，除此以外，與實施例1同樣地製作比較例4的電子照相感光體。
作為電荷傳輸層中的電荷傳輸材料，使用由下述結構式(ct3)表示的化合物40重量份，除此以外，與實施例1同樣地製作比較例5的電子照相感光體。
將各例中得到的電子照相感光體搭載在圖像形成裝置(富士施樂公司製造：versant2100press)的改造機上，按以下要點進行各評價。
[殘像重影的評價]
使用上述的圖像形成裝置，在28℃、85％rh的環境下，在3000張a3尺寸的紙張上形成格子狀的圖表圖像(青色)後，連續輸出圖像濃度為20％的整面半色調圖像(青色)，通過目視觀察格子狀圖像(重影)的出現狀況，對于格子圖案的連續圖像輸出部和非連續圖像輸出部的濃度差，通過目視實施感官評價(等級判定)。等級判定中，g0～g5以0.5g的間隔進行，g的數字越小表示濃度差越小、未發生殘像重影。殘像重影的容許等級為g3.5以下。
[光疲勞的評價]
首先，在將電子照相感光體搭載至各實施例、各比較例和各參考例的圖像形成裝置之前，將其卷在開有2cm見方的窗的黑紙中，按照僅對開窗部進行光暴露的方式在白色螢光燈(1000lux)下放置10分鐘，使電子照相感光體進行光暴露。
接著，將光暴露後的電子照相感光體搭載至各實施例、各比較例和各參考例的圖像形成裝置，在1張a3尺寸的紙張上輸出圖像濃度為50％的整面半色調圖像(青色)。
然後，對輸出的整面半色調圖像進行觀察，對於光暴露部和非光暴露部的濃度差，通過目視實施感官評價(等級判定)。等級判定中，g0～g5以0.5g的間隔進行，g的數字越小，表示濃度差越小、未發生光疲勞。光疲勞的容許等級為g3.5以下。圖像輸出全部在28℃、85％rh的環境下實施。
[半色調圖像濃度的評價]
在1張a3尺寸的紙張上輸出圖像濃度為50％的整面半色調圖像(青色)。
然後，對輸出的整面半色調圖像進行觀察，考察是否輸出了目的圖像濃度，按下述基準進行評價。圖像輸出全部在28℃、85％rh的環境下實施。
a：良好
b：略微有點兒淡
c：稍淡
d：淡
將各實施例和各比較例的電子照相感光體以及它們的評價結果示於表1。需要說明的是，電荷產生層中的抗氧化劑的結構如下所述，添加量表示將電荷產生材料的總含量設為100重量％時的比例。
由上述結果可知，在本實施例中，與比較例相比，「殘像重影」受到抑制，並且「光疲勞」也受到抑制。
表1中的抗氧化劑的結構如下。
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
符號說明
1底塗層、2電荷產生層、3電荷傳輸層、4導電性基體、5感光層、7a,7電子照相感光體、8充電裝置、9曝光裝置、11顯影裝置、13清潔裝置、40轉印裝置、50中間轉印體、100圖像形成裝置、120圖像形成裝置、131清潔刮板、132纖維狀部件(卷狀)、133纖維狀部件(平刷狀)、300處理盒。