有機el元件的製造方法及有機el元件的製作方法

2023-10-10 18:30:49

有機el元件的製造方法及有機el元件的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種有機EL元件的製造方法和有機EL元件，其即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕在各層端部的應力集中而抑制應力集中引起的剝離，從而提高有機EL元件的可靠性。有機EL元件的製造方法包含下述工序：從輸送輥向卷繞輥供給基板(101)的工序、在基板(101)上形成第1電極層(102)的工序、在第1電極層(102)上形成有機EL層(103)的工序、以及在有機EL層(103)上形成第2電極層(104)的工序，第1電極層(102)是使用蔭罩形成的，第1電極層(102)的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面(102T)，而且，錐面(102T)與基板(101)的形成有第1電極層(102)的側的面所成的角度θ為1°以下。
【專利說明】有機EL元件的製造方法及有機EL元件
【技術領域】
[0001]本發明涉及有機EL元件的製造方法及有機EL元件。
【背景技術】
[0002]近年來，通過卷對卷式(roll to roll)工藝在窄幅帶狀基材上形成有機EL(電致發光)元件的手法是已知的(例如參照專利文獻I)。所謂的卷對卷式工藝是指連續生產工藝，其是使用柔性基板作為基材，將上述基板預先卷在輥上，使上述輥旋轉而使上述基板拉出並移動，同時在上述基板上進行電極和有機EL層的形成等加工，將上述加工後的基板再次卷繞於其它輥上，從而連續地生產有機EL元件。
[0003]現有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2008-287996號公報
【發明內容】

[0006]本發明要解決的問題
[0007]可是，通過卷對卷式工藝形成的有機EL元件因使用柔性基板，會有容易產生由在各層端部的應力集中而引起的剝離、損害有機EL元件的可靠性(有機EL元件變得容易被破壞)的問題點。
[0008]本發明是鑑於上述問題點而完成的，其目的在於:即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕在各層端部的應力集中而抑制上述應力集中引起的剝離，從而提高有機EL元件的可靠性。
[0009]解決問題的手段
[0010]本發明的有機EL元件的製造方法的特徵在於，其包含下述工序:
[0011 ] 從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序；
[0012]在所述基板上形成第I電極層的工序；
[0013]在所述第I電極層上形成有機EL層的工序；以及
[0014]在所述有機EL層上形成第2電極層的工序，
[0015]所述第I電極層是使用蔭罩(shadow mask)形成的,所述第I電極層的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面，
[0016]而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下。
[0017]另外，本發明的有機EL元件的特徵在於，在柔性基板上，依次層疊有第I電極層、有機EL層及第2電極層，
[0018]所述第I電極層的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面，而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下。
[0019]發明的效果[0020]根據本發明，即使在使用了卷對卷式工藝的情況下，也可以通過減輕各層端部的應力集中而抑制上述剝離，從而提高有機EL元件的可靠性。進而，作為本發明的次要效果，也可以抑制光刻法等中產生的殘渣等引起的收率的降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是表示本發明的有機EL元件的構成的一例的概略截面圖。
[0022]圖2是表示在本發明的有機EL元件的製造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的一例的概略截面圖。
[0023]圖3是表示在本發明的有機EL元件的製造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的另一例的概略截面圖。
[0024]圖4是表示在本發明的有機EL元件的製造方法中使用的蔭罩的開口部附近的形狀的又一例的概略截面圖。
[0025]圖5是說明第I電極層形成工序中的基板與蔭罩的配置的圖。
[0026]圖6是第I電極層形成工序中的蔭罩的開口部附近的立體圖。
[0027]圖7是表示比較例的有機EL元件的構成的一例的概略截面圖。
【具體實施方式】
[0028]本發明的有機EL元件的製造方法中的上述蔭罩優選為開口部內側面的截面形狀具有錐狀或多階梯狀。
[0029]本發明的有機EL元件的製造方法中的上述蔭罩優選為開口部的內側端部具有一定厚度，上述厚度在5?500 μ m的範圍內。
[0030]本發明的有機EL元件的製造方法中的上述有機EL層形成工序中，優選使用有機EL層形成用蔭罩來形成上述有機EL層。
[0031]本發明的有機EL元件的製造方法中的上述第2電極層形成工序中，優選使用第2電極層形成用蔭罩來形成上述第2電極層。
[0032]本發明的有機EL元件的製造方法中，作為上述基板，優選使用寬度在10?IOOmm的範圍內、且長度在10?2000m的範圍內、並且曲率半徑為30mm以上的可復原的長條帶狀基板。
[0033]接著，對本發明進行詳細的說明。但是，本發明並不限於以下的記載。
[0034]有機EL元件具有在基板上將第I電極層、有機EL層及第2電極層依照該順序設定而成的層疊體。上述第I電極層與上述第2電極層中的任一方為陽極，另一方為陰極。本發明的有機EL元件的製造方法為卷對卷式(roll to roll)工藝的有機EL元件的製造方法，其包含下述工序:從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序、在上述基板上形成第I電極層的工序、在上述第I電極層上形成有機EL層的工序、以及在上述有機EL層上形成第2電極層的工序。而且，上述第I電極層是使用蔭罩形成的；上述第I電極層的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面，而且，上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下。
[0035]作為上述基板，可以使用鋁(Al)、銅(Cu)、不鏽鋼(SUS)等金屬板及金屬箔、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、甲基丙烯酸樹脂(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、環烯烴樹脂(COP)等樹脂板及樹脂薄膜、柔性玻璃等。本發明中，不限於這些基板，也可以使用可適用於卷對卷式工藝的其他材料。作為上述基板，優選使用寬度在10?IOOmm的範圍內、且長度在10?2000m的範圍內、並且曲率半徑為30mm以上的可復原的長條帶狀基板。更優選為寬度在30?60mm的範圍內、長度在200?2000m的範圍內、可復原的曲率半徑在IOmm以上範圍內的長條帶狀基板。
[0036]使用導電性基板作為上述基板時，有機EL元件的形成面需要確保絕緣性。因此，使用導電性基板時，導電性基板上需要設置絕緣層。作為上述絕緣層，可以使用例如無機絕緣層、有機絕緣層、及無機絕緣層與有機絕緣層的層疊體等。上述有機EL元件可在上述絕緣層上形成。
[0037]上述無機絕緣層優選包含金屬和半金屬中的至少I種。上述金屬或上述半金屬中的至少I種優選從氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物構成的組中選擇的至少I種。作為金屬，可以列舉出例如鋅、鋁、鈦、銅、鎂等，作為半金屬，可以列舉出例如矽、鉍、鍺等。
[0038]上述有機絕緣層可以使用絕緣性的樹脂層。由於上述導電性基板在製造工藝上有時會加熱到150?300°C，因此優選選擇具有150°C以上的玻璃化轉變溫度的耐熱性樹脂。具體而言，可以列舉出丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚苯基碸樹脂及這些樹脂的複合體等。這些當中，作為上述樹脂，優選為從丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環氧樹脂及聚醯亞胺樹脂構成的組中選擇的至少I種。
[0039]作為上述第I電極層，可以使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、銦鋅氧化物(ΙΖ0(註冊商標))、金、鉬、鎳、鎢、銅及鋁等金屬、鋰及銫等鹼金屬、鎂及鈣等鹼土類金屬、鐿等稀土類金屬、鋁-鋰合金及鎂-銀合金等合金等。
[0040]本發明的有機EL元件的製造方法中，上述第I電極層是使用蔭罩形成的。上述第I電極層可以使用例如濺射法、蒸鍍法、CVD法等來形成。上述蔭罩可列舉出由不鏽鋼(SUS)、鋁(Al)及銅(Cu)等金屬形成的蔭罩，但不限於這些。上述蔭罩的厚度優選為10?2000 μ m,更優選為20?500 μ m。
[0041]上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下，優選為0.03°?1°的範圍，更優選為0.1°?1°的範圍。對於上述角度，如後述實施例那樣，第I電極層的端部有時不為膜狀而為海島狀，但此時上述角度是指從第I電極層厚度的20%?80%之間的斜度所算出的角度。當上述角度比1°大時，由於在第I電極層端部有機EL層的厚度就會局部地變薄、電場變大，因此會產生元件容易被破壞的問題。此外，當在第I電極層的形成中使用光刻法工序時，由於除了不易使上述角度為1°以下，還有高成本化、進而有上述工序中產生的殘渣所引起的可靠性降低與收率降低的問題發生，因此本發明中使用蔭罩。
[0042]上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度可以通過蔭罩開口部的內側端部的厚度來調整。當使上述厚度變薄時，就可以使上述角度變大，當使上述厚度變厚時，就可以使上述角度變小。另外，也可以通過第I電極層形成時的基板與蔭罩之間的間隙的大小來調整。當使上述間隙變小時，就可使上述角度變大，當使上述間隙變大時，就可使上述角度變小。蔭罩開口部的內側端部的厚度也可使蔭罩本身的厚度改變，也可以將蔭罩開口部的內側端部的制膜源側的一面加以半蝕刻而僅使開口部的內側端部的厚度變薄。將蔭罩開口部內側面的截面形狀的例子顯示於圖2?4中。
[0043]在圖2的蔭罩中，由於開口部的內側端部的厚度與其他部分的厚度相同，因此要使開口部的內側端部的厚度變薄時，蔭罩本身的強度有可能成為問題。要使開口部的內側端部的厚度變薄時，如圖3或圖4的截面形狀的蔭罩那樣，開口部內側面S的截面形狀優選為多階梯狀或錐狀。此時，開口部附近的厚度與圖2的蔭罩相同，但可使開口部附近以外的厚度變厚。如上所述，當使用圖3或圖4的截面形狀的蔭罩時，就可獲得蔭罩本身的強度，因此是優選的。上述蔭罩的開口部的內側端部的厚度d優選在5?500 μ m的範圍內，更優選在50?300 μ m的範圍內。當上述厚度d在上述範圍時，可保持開口部附近的強度，在這點上是優選的。另外，上述多階梯狀或錐狀的形成部的寬度L優選在d/5?5d的範圍內，更優選在d/3?3d的範圍內。當上述寬度L在上述範圍時，可保持開口部附近的強度並可以提高圖案的精度，因而是優選的。
[0044]作為在第I電極層形成時在基板與蔭罩之間設置間隙的方法，有在蔭罩的開口部附近對上述基板側的面進行半蝕刻的方法、在蔭罩與上述基板之間夾有空間的方法、對蔭罩或上述基板實施滾花法加工的方法、及在上述基板上通過光刻法來形成圖案的方法等。
[0045]圖5是上述第I電極層形成工序中的上述基板與上述蔭罩的配置的說明圖。圖6是對上述第I電極層形成工序中的蔭罩開口部附近從制膜源側來觀察的立體圖。如圖5和圖6所示的那樣，與基板101的形成第I電極層的側的面相對地配置有制膜源150。制膜源150為包含第I電極層的形成材料的蒸鍍源、濺射靶等。在基板101與制膜源150之間配置有蔭罩210。從制膜源150放出第I電極層的形成材料，與蔭罩210的開口部分的形狀配合而在基板101上形成第I電極層。在該圖中，基板101與蔭罩210被密合地配置，但本發明不限於此，基板與蔭罩之間也可以設置間隙(gap)。
[0046]上述有機EL層至少具有空穴輸送層、發光層和電子輸送層，根據需要，也可以具有空穴注入層、電子注入層等。上述第I電極層為陽極、上述第2電極層為陰極時，對於有機EL層，從第I電極層朝向第2電極層例如依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層。另一方面，上述第I電極層為陰極、上述第2電極層為陽極時，對於有機EL層，從第2電極層朝向第I電極層例如依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層。
[0047]空穴輸送層的形成材料只要是具有空穴輸送功能的材料即可，沒有特別限定。作為上述空穴輸送層的形成材料，可以列舉出例如4，4』 -雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(NPB)及4，4』 -雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(TPD)等芳香族胺化合物、1，3-雙(N-咔唑基)苯等咔唑衍生物、高分子化合物等。空穴輸送層的形成材料可以單獨使用I種，也可以並用2種以上。另外，空穴輸送層也可以為2層以上的多層構造。
[0048]空穴注入層的形成材料沒有特別限定，可以列舉出例如HAT_CN(1，4，5，8，9，12-六氮雜苯並菲六腈)、釩氧化物、鈮氧化物及鉭氧化物等金屬氧化物、酞菁等酞菁化合物、3,4-乙烯二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物(PED0T/PSS)等高分子化合物、上述空穴輸送層的形成材料等。空穴注入層的形成材料可單獨使用I種，也可以並用2種以上。
[0049]發光層的形成材料只要是具有發光性的材料即可，沒有特別限定。作為發光層的形成材料，可以使用例如低分子螢光發光材料或低分子磷光發光材料等低分子發光材料。另外，發光層的形成材料也可以同時具有發光功能及電子輸送功能或空穴輸送功能。
[0050]作為上述低分子發光材料，可以列舉出例如4，4』 - 二(2，2』 - 二苯基乙烯基)-聯苯(DPVBi)等芳香族二亞甲基化合物、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯並噁唑基)苯基]乙烯基]苯並噁唑等噁二唑化合物、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑等三唑衍生物、1，4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、甲亞胺鋅絡合物及三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等有機金屬絡合物苯醌衍生物、萘醌衍生物、蔥醌衍生物、芴酮衍生物等。
[0051]另外，作為發光層的形成材料，也可以使用在基質材料中摻雜了發光性的摻雜劑材料而得到的材料。
[0052]作為上述基質材料，可以使用例如上述低分子發光材料，除此以外還可以使用1，3雙(N-咔唑基)苯(mCP)、2，6-雙(N-咔唑基)吡啶、9，9- 二(4- 二咔唑-苄基)芴(CPF)、4，4』 -雙(咔唑-9-基)_9，9- 二甲基-芴(DMFL-CBP)等咔唑衍生物等。
[0053]作為上述摻雜劑材料，可以使用例如三(2-苯基吡啶基)銥(III) (Ir(ppy)3)及三(1-苯基異喹啉)銥(III) (Ir(Piq)3)等有機銥絡合物等磷光發光性金屬絡合物、苯乙烯基衍生物、茈衍生物等。
[0054]進而，發光層的形成材料還可以含有上述空穴輸送層的形成材料、後述電子輸送層的形成材料及各種添加劑等。
[0055]電子輸送層的形成材料只要是具有電子輸送功能的材料即可，沒有特別限定。作為電子輸送層的形成材料，可以列舉出例如雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚基)鋁(BAlq)等金屬絡合物、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)及1，3_雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(0XD-7)等雜芳香族化合物、聚(2，5-吡啶-二基)(PPy)等高分子化合物等。電子輸送層的形成材料可以單獨使用I種，也可以並用2種以上。另外，電子輸送層也可以為2層以上的多層構造。
[0056]電子注入層的形成材料沒有特別限定，可以列舉出例如氟化鋰(LiF)及氟化銫(CsF)等鹼金屬化合物、如氟化鈣(CaF2)這樣的鹼土類金屬化合物、及上述電子輸送層的形成材料等。電子注入層的形成材料可單獨使用I種，也可以並用2種以上。另外，電子注入層也可以為2層以上的多層構造。
[0057]構成上述有機EL層的各層的形成方法沒有特別限定，可以列舉出例如濺射法、蒸鍍法、噴墨法、塗布法等。作為上述有機EL層的圖案形成方法，可舉例蔭罩法或光刻法，但從對有機EL層的損傷、抗蝕劑殘渣、工序數等的觀點來看，在有機EL層形成工序中，優選使用有機EL層形成用蔭罩來形成。
[0058]作為上述第2電極層，可以使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、金、鉬、鎳、鎢、銅及鋁等金屬、鋰及銫等鹼金屬、鎂及鈣等鹼土類金屬、鐿等稀土類金屬、鋁-鋰合金及鎂-銀合金等合金等。
[0059]上述第2電極層可用例如濺射法、蒸鍍法、CVD法等來形成。作為上述第2電極層的圖案形成方法，可以列舉出蔭罩法或光刻法，但從對有機EL層的損傷、抗蝕劑殘渣、工序數等的觀點來看，在上述第2電極層形成工序中，優選使用第2電極層形成用蔭罩來形成。
[0060]圖1是本發明的有機EL元件構成的一例的概略截面圖。如圖所示,該有機EL元件100是在基板101上依次層疊有第I電極層102、有機EL層103、第2電極層104。第I電極層102的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面102T。錐面102T與基板101的形成有第I電極層102的側的面所成的角度Θ為1°以下。本發明的有機EL元件可通過上述本發明的有機EL元件的製造方法來製造，但並非限定於此。
[0061]實施例
[0062]接著，對本發明的實施例與比較例一併進行說明。而且，本發明不受下述的實施例和比較例的任何限定和限制。另外，各實施例和各比較例中的各種特性及物性的測定及評價是通過下述的方法來實施。
[0063](錐面與基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度)
[0064]由於第I電極層的端部有時不是膜狀而是海島狀，因此上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度是從第I電極層厚度20%?80%之間的斜度算出。上述斜度是將有機EL元件的截面用株式會社日本電子制的掃描型電子顯微鏡(商品名為JSM-6610)來觀察，並加以測量。
[0065](漏電(元件破壞率))
[0066]製作100個在I處具有20mmX IOOmm的方形發光部(元件)的有機EL元件，並在有機EL元件的第I電極層與第2電極層之間從-8V到8V為止反覆進行100次的0.lV/sec的間隔的電壓施加。利用該操作，計算發生了漏電的有機EL元件的數量，並將元件的破壞率根據下述評價基準來進行評價。
[0067]A:元件的破壞比率為O?10%
[0068]B:元件的破壞比率超過10%但為30%以下
[0069]C:元件的破壞比率超過30%但為100%以下
[0070](收率(暗點數))
[0071]在進行了上述漏電試驗後的有機EL元件的第I電極層與第2電極層之間施加5V的電壓,將發光面用光學顯微鏡(株式會社Keyence制的數字顯微鏡(商品名為VHX-1000))來觀察，計算直徑為10 μ m以上的暗點(dark spot)數，將收率根據下述評價基準來進行評價。
[0072]G:每Icm2的暗點數為O?I個
[0073]NG:每Icm2的暗點數為2個以上
[0074][實施例1]
[0075]作為製作有機EL元件的基板，在全長1000m、寬度30mm、厚度50 μ m的SUS箔上，作為平坦化層，塗布有機EL用絕緣丙烯酸樹脂(JSR株式會社制商品名「 JEM-477」 )，並進行乾燥、硬化，準備由此得到的基板。對上述基板進行了洗滌工序與加熱工序後，在KT4Pa以下的真空度的氣氛中，於上述基板上密合開口部內側面的截面形狀為多階梯狀且開口部的內側端部的厚度d為IOOym的SUS形成的第I電極層形成用蔭罩。在該狀態下，作為第I電極層，將Al用lA/sec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法進行蒸鍍以使厚度為lOOnm。此時，上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.03°。此後，使有機EL層形成用蔭罩與基材密合，作為有機EL層，將HAT-CN (厚度10nm) /NPB (厚度50nm) /Alq3(厚度 50nm)/LiF(厚度 0.5nm)用I A/sec (0.lnm/sec)的速度進行真空蒸鍍。接著，使第2電極層形成用蔭罩與基材密合，作為第2電極層，蒸鍍Al (厚度Inm) /Ag (厚度19nm)，在基板上形成有機EL元件，並且卷繞。之後，在不活潑氣體的氣氛中開卷，切斷成各個元件，分別在覆蓋發光部的狀態下，以成為可連接來自上述第I電極層(陽極)和上述第2電極層(陰極)的端子的狀態的方式，使用從厚度1.1mm的板狀體周邊部突出設置了高度0.4_、寬度2_的環狀凸部的玻璃制密封板來密封，獲得本實施例的有機EL元件。對於密封板的粘接，是在密封板周邊部塗布雙組份常溫硬化型環氧系粘接劑(KONISHI株式會社制商品名為「々^ y々5」)，並在該密封板的凹部貼附乾燥劑(Dynic株式會社制商品名為「Moisture getter sheet，，)。
[0076][實施例2]
[0077]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內側端部的厚度d為50 μ m，並使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.06°，除此以外，按照與實施例I同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。
[0078][實施例3]
[0079]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內側端部的厚度d為25 μ m，並使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.11°，除此以外，按照與實施例I同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。
[0080][實施例4]
[0081]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內側端部的厚度d為10 μ m，並使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.29°，除此以外，按照與實施例I同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。
[0082][實施例5]
[0083]使第I電極層形成用蔭罩的開口部的內側端部的厚度d為5μπι，並使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.57°，除此以外，按照與實施例I同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。
[0084][實施例6]
[0085]作為第I電極層，將IZO以I AVsec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法按照厚度達到IOOnm的方式進行蒸鍍，並使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為0.05°，除此以外，按照與實施例1同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。
[0086][實施例7]
[0087]作為第I電極層，將ITO以I A/sec (0.lnm/sec)的速度通過真空蒸鍍法按照厚
度達到IOOnm的方式進行蒸鍍，除此以外，按照與實施例6同樣的步驟，獲得本實施例的有機EL元件。而且，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為
0.05°。
[0088][比較例I]
[0089]在基板上，使用剝離用抗蝕劑(富士藥品工業株式會社制商品名「FNPR-L3」)，通過光刻法來形成圖案，並通過濺射法，形成厚度IOOnm的Al層，將上述圖案剝離，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機EL元件。另外，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為3°。
[0090][比較例2]
[0091]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的Al層，並通過光刻法對Al進行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機EL元件。另外，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為30°。
[0092][比較例3]
[0093]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的IZO層，並通過光刻法對IZO進行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機EL元件。而且，使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為40°。
[0094][比較例4]
[0095]在基板上，通過濺射法，形成厚度IOOnm的ITO層，並通過光刻法對ITO進行蝕刻，從而形成第I電極層，除此以外，按照與實施例1同樣的步驟，獲得本比較例的有機EL元件。使上述錐面與上述基板的形成有上述第I電極層的側的面所成的角度為80°。
[0096][評價]
[0097]對各實施例和比較例中所得的有機EL元件測定、評價漏電(元件破壞率)和收率(暗點數)。結果示於表1中。
[0098]表1
[0099]
【權利要求】
1.一種有機EL元件的製造方法，其特徵在於，其包含下述工序: 從輸送輥向卷繞輥供給基板的工序； 在所述基板上形成第I電極層的工序； 在所述第I電極層上形成有機EL層的工序；以及 在所述有機EL層上形成第2電極層的工序， 所述第I電極層是使用蔭罩形成的，所述第I電極層的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面， 而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下。
2.如權利要求1所述的有機EL元件的製造方法，其特徵在於，所述蔭罩的開口部內側面的截面形狀具有錐狀或多階梯狀。
3.如權利要求1或2所述的有機EL元件的製造方法，其特徵在於，所述蔭罩的開口部的內側端部具有一定厚度，所述厚度在5~500 μ m的範圍內。
4.如權利要求1~3中任一項所述的有機EL元件的製造方法，其特徵在於，在所述有機EL層的形成工序中，使用有機EL層形成用蔭罩來形成所述有機EL層。
5.如權利要求1~4中任一項所述的有機EL元件的製造方法，其特徵在於，在所述第2電極層形成工序中，使用第2電極層形成用蔭罩來形成所述第2電極層。
6.如權利要求1~5中任一項所述的有機EL元件的製造方法，其特徵在於，作為所述基板，使用寬度在10~IOOmm的範圍內、且長度在10~2000m的範圍內、並且曲率半徑為30mm以上的可復原的長條帶狀基板。
7.一種有機EL元件，其特徵在於， 在柔性基板上，依次層疊有第I電極層、有機EL層及第2電極層， 所述第I電極層的側面的至少一部分為從下側朝上側向內部方向傾斜的錐面，而且，所述錐面與所述基板的形成有所述第I電極層的側的面所成的角度為1°以下。
【文檔編號】H01L51/50GK103959903SQ201380004044
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年2月27日 優先權日:2012年6月11日
【發明者】中井孝洋, 森田成紀, 砂川博 申請人:日東電工株式會社