導電膜形成方法、薄膜電晶體、帶有薄膜電晶體的面板以及薄膜電晶體的製造方法

2023-10-18 11:43:59

專利名稱：：導電膜形成方法、薄膜電晶體、帶有薄膜電晶體的面板以及薄膜電晶體的製造方法
技術領域：
：本發明涉及適合用於電子元件的金屬布線膜以及作為其成膜方法的賊射方法。
背景技術：
：以往，電子元件用金屬布線膜使用Al或Cu等低電阻材料或Mo、Cr等。例如在TFT(Thinfilmtransistor)液晶顯示器中，隨著面板的大型化，對布線電極的低電阻化的要求也增大，使用Al或Cu作為低電阻布線的必要性增強。TFT中使用的Al布線中存在後續步驟中產生小丘或使用Al布線作為源漏極時向基材Si層擴散的問題、與含有ITO(銦-錫氧化物)的透明電極的接觸電阻變差等問題，為了避免這些問題，必需將Mo或Cr以及以它們為主要成分的合金膜前後層壓而成的屏障層。另一方面，對於Cu布線，Cu是電阻比Al低的材料。Al與ITO透明電極的接觸電阻的變差成為問題，但是Cu由於不易氧化，接觸電阻也良好。因此，使用Cu作為低電阻布線膜的必要性增強。但是，由於Cu與其它的布線材料相比，存在與玻璃或Si等基底材料的粘合性差的問題，用作源漏極時，存在Cu擴散到Si層的問題，所以在Cu布線與其它層的界面必需用於提高粘合性或防止擴散的屏障層。此外，對於半導體中使用的鍍銅的基底Cu種子層(、:/一K層)，與上述同樣地由於擴散的問題，必需防止TiN或TaN等的擴散的屏障層。作為以Cu作為主要成分的面向電子元件的金屬布線膜的相關專利，已知以在Cu中添加Mo等元素為特徵的4支術(日本特開2005-158887)或以在通過純Cu的賊射進行成膜的步驟中，導入氮或氧為特徵的技術(日本特開平10-12151),但是都在粘合性或低電阻化以及對於小丘的耐心方面存在問題。專利文獻l:日本特開2005-158887號公報專利文獻2:日本特開平10-12151號公報
發明內容本發明解決上述現有技術的問題，其目的在於，提供低電阻、與ITO透明電極的接觸電阻、與玻璃或Si的粘合性、用作源漏極時防止與Si層的擴散、小丘耐性、對於這些裝置要求的膜特性優異的Cu系布線膜以及Cu系屏障層膜的製造方法。為了解決上述問題，本發明提供導電膜形成方法，該方法是通過濺射法，在真空氛圍氣體(真空雰囲気)中，在成膜對象物表面上形成以銅作為主要成分、含有添加金屬的導電膜的導電膜形成方法，該方法中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到上述真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使上述革巴釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成上述導電膜。本發明還涉及上述導電膜形成方法，其中，使用在表面上露出矽層、玻璃基板、透明導電膜中的任意1種或2種以上的上述成膜對象物。本發明還涉及上述導電膜形成方法，其中，上迷添加金屬選擇Ti，上述氮化氣體使用氮氣，導入上述氮氣使上述氮氣的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%，上述導電膜中含有0.1原子°/。以上的Ti。本發明涉及薄膜電晶體，其是具有柵極、以矽作為主要成分的漏極區域和以矽作為主要成分的源極區域，對上迷柵極施加電壓時上迷漏極區域與上述源極區域導通的薄膜電晶體，其中，在上述漏極區域的表面和上述源極區域的表面中的任意一方或兩方上形成以銅作為主要成分的第一導電膜，上述第一導電膜如下形成將上迷漏極區域和上述源極區域中的任意一方或兩方露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到上述真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行賊射，使上述革巴釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意l種添加金屬的原子與銅原子，形成上述第一導電膜。本發明還涉及上述薄膜電晶體，其中，上述第一導電膜含有0.1原子％以上的Ti作為上述添加金屬，上述第一導電膜是供給由氮氣構成的上述氮化氣體以使上述氮化氣體的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%來形成。本發明涉及帶有薄膜電晶體的面板，其具有基板，在上述基板表面上分別配置薄膜電晶體和透明導電膜，上述薄膜電晶體具有柵極、以矽作為主要成分的漏極區域和以矽作為主要成分的源極區域，若對上述柵極施加電壓則上述漏極區域與上述源極區域導通，上述透明導電膜與上述源極區域相連接，其中，在上迷漏極區域的表面和上迷源極區域的表面中的任意一方或兩方上形成以銅作為主要成分的第一導電膜，上述第一導電膜如下形成將上述漏極區域和上述源極區域中的任意一方或兩方露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到上述真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使上述靶釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成上述第一導電膜。本發明還涉及上述帶有薄膜電晶體的面板，其中，上迷第一導電膜與上述漏極區域和上述透明導電膜兩方密合。本發明還涉及上述帶有薄膜電晶體的面板，其中，上述添加金屬選擇Ti,上述氮化氣體使用氮氣，導入上述氮氣以使上迷氮氣的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%，上述笫一導電膜中含有0.1原子％以上的Ti。本發明還涉及上述帶有薄膜電晶體的面板，其中，在上述第一導電膜的表面上配置與上述第一導電膜電連接的第二導電膜，上迷透明導電膜配置在上述第二導電膜的表面上，上述第二導電膜如下形成將形成有上述薄膜電晶體和上迷第一導電膜的狀態的上述基板配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到上述真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使上述靶釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、8La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成上述第二導電膜。本發明還涉及上述帶有薄膜電晶體的面板，其中，在上述第一導電膜的表面上配置以銅作為主要成分的銅膜，使用上述銅膜露出的成膜對象物作為上述成膜對象物，將上述第二導電膜形成在上述銅膜的表面上。本發明還涉及上述帶有薄膜電晶體的面板，其中，上述添加金屬選擇Ti,上迷氮化氣體使用氮氣，導入上述氮氣使上述氮氣的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%,上述第二導電膜中含有0.1原子％以上的Ti。本發明涉及薄膜電晶體的製造方法，該方法是具有與以矽作為主要成分的矽層、玻璃基板和透明導電膜中的任意1種或2種以上接觸的導電膜，上述導電膜以銅作為主要成分的薄膜電晶體的製造方法，該方法中，在將上述矽層、上述玻璃基板和上迷透明導電膜中的任意1種或2種以上露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中的狀態下，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到上述真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使上述粑釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成上述導電膜。本發明還涉及上述薄膜電晶體的製造方法，其中，導入上述氮化氣體使上述氮化氣體的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%來進行上述'賤射。本發明涉及薄膜電晶體的製造方法，該方法是具有以矽作為主要成分的矽層，與上述矽層接觸的第一導電膜，以銅作為主要成分、形成在上迷第一導電膜的表面上的銅膜，和形成在上述銅膜的表面上的笫二導電膜，上述第二導電膜與透明導電膜接觸，上述笫一導電膜、第二導電膜以銅作為主要成分的薄膜電晶體的製造方法，該方法中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到真空氛圍氣體中的同時，在上述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使上述把釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成上述第一導電膜、第二導電膜中的任意一方或兩方。本發明還涉及上述薄膜電晶體的製造方法，其中，導入上述氮化氣體使上述氮化氣體的分壓相對於上述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%來進行上述濺射。另外，第一導電膜、第二導電膜只要是相互電連接，第一導電膜、笫二導電膜可以形成一體，也可以在第一導電膜、第二導電膜之間密合配置純銅膜等其它的導電膜。本發明如上所述構成，靶(靶部)由以銅作為主要成分的主靶和以添加金屬作為主要成分的副靶構成或由以銅作為主要成分、含有添加金屬的合金靶構成。以上情況下都是若將靶部進行濺射則釋放銅原子和添加金屬的原子。本發明中，主要成分指的是含有50&1%(原子％)以上的成為主要成分的原子。即，以銅作為主要成分指的是含有50at。/o以上的銅原子。此外，本發明中，純銅指的是含有99.9at。/c以上的銅的物質。笫一導電膜、第二導電膜以銅作為主要成分，但是含有添加金屬，與純銅相比，銅的含量少(小於99.9at%)。銅膜中，氮原子的含量和添加金屬的含量中的任意一方或兩方，比笫一導電膜、第二導電膜少，銅膜的比電阻比笫一導電膜、笫二導電膜中的任意一種的比電阻小。為了減少添加金屬的含量，將添加金屬的含量少的粑(例如純銅粑)在真空氛圍氣體中進行濺射來成膜。使用純銅靶時，銅膜的添加金屬含量小於0.01at°/o。為了減少氮原子的含量，在與將第一導電膜、第二導電膜成膜時的真空氛圍氣體(第一真空氛圍氣體)相比、氮化氣體分壓低的真空氛圍氣體中，將銅靶進行濺射，形成銅膜。根據本發明，得到電阻低且與成膜對象物粘合性高的導電膜。此外，形成導電膜使其與矽層密合時，在該矽層中不會產生銅的擴散。形成導電膜使其與透明導電膜密合時，對於透明導電膜的接觸電阻低。因此，作為與矽層或透明導電膜密合的膜，具體地說，TFT的源極、漏極或這些電極的屏障膜是特別合適的。是說明本發明中使用的成膜裝置的一例的截面圖。(a)~(c):是說明成膜導電膜和銅膜的步驟的截面圖。[圖3]是表示氮氣的分壓與比電阻的關係的圖(Ti)。[圖4]是表示後退火溫度與比電阻的關係的圖(Ti)。[圖5]是表示導電膜的矽層擴散性的電子顯微鏡照片。[圖6]是表示銅膜的矽層擴散性的電子顯微鏡照片。[圖7](a)~(d):是說明製造第一例TFT面板的步驟的前半部分的截面圖。(a)、(b):是說明製造第一例TFT面板的步驟的後半部分的截面圖。是說明通過本發明製造的TFT面板的第二例的截面圖。是說明通過本發明製造的TFT面板的第三例的截面圖。是表示氮氣的分壓與比電阻的關係的圖(Zr)。是表示後退火溫度與比電阻的關係的圖(Zr)。(a)~(e):是說明製造第四例TFT的步驟的前半部分的截面圖。(a)(d):是說明製造第四例TFT的步驟的後半部分的截面圖。是用於說明柵極與蓄積容量電極的放大截面圖。[圖16]是用於說明液晶顯示裝置的一例的截面圖。符號說明1:成膜裝置2:第一成膜室(真空槽)10:耙部11:主耙12:副把22、41、82:基板23、61、86:矽層25、52、54、93:導電膜(第一導電膜、笫二導電膜)26:銅膜40、80、140:TFT面板60、90、220:TFT62、87、225:源極區域64、89、226:漏極區域71、85:透明電極(透明導電膜)具體實施例方式對通過本發明形成導電膜的步驟進行具體的說明。圖1的符號1表示本發明中使用的成膜裝置的一例。成膜裝置1具有由真空槽構成的第一成膜室2，第一成膜室2與真空排氣系統9、濺射氣體供給系統6和氮氣供給系統8相連接。使用該成膜裝置1將成膜導電膜時，首先通過真空排氣系統9將第一成膜室2的內部真空排氣，在繼續真空排氣的同時分別從濺射氣體供給系統6和氮氣供給系統8將'賊射氣體和氮化氣體(這裡為氮氣、N。導入到第一成膜室2內部，形成含有氮氣的規定壓力的第一真空氛圍氣體。圖2(a)的符號21表示在基板22的表面上形成有矽層23(這裡為無定形矽層)的成膜對象物，繼續導入濺射氣體和氮氣並繼續真空排氣，在維持第一真空氛圍氣體的狀態下將成膜對象物21搬入到第一成膜室2內部。在第一成膜室2的內部將基板支架7和靶部10以相互面對的方式配置，使形成有矽層23的面向著靶部10來將成膜對象物21保持在基板支架7上。在基板支架7的背面一側配置加熱設備4，對加熱設備4通電，將基板支架7上的成膜對象物21加熱到規定的成膜溫度。靶部10具有以銅作為主要成分的主靶11和以添加金屬(這裡為Ti)作為主要成分的副靶12(顆粒)。主靶11的平面形狀為長方形、矩形、圓形等板狀。主靶11配置成一面向著基板支架7。副靶12為板狀、球狀、棒狀等，對其形狀不特別限定，但是平面形狀小於主耙11。副扭12配置在主靶11的向著基板支架7的一側的面上。主靶11和副耙12與配置在真空槽2外部的電源5電連接。12在主耙11的背面上配置磁場形成裝置14,若在維持第一真空氛圍氣體的同時從電源5對主耙11和副把12兩方施加電壓，則主靶11和副粑12兩者被磁控賊射，分別釋放銅的濺射粒子和添加金屬的濺射粒子這些濺射粒子到達成膜對象物21的矽層23表面上。如上所述，副耙12的平面形狀小於主靶11的平面形狀。添加金屬的'踐射粒子釋放的量小於銅的'賊射粒子釋放的量，所以到達成膜對象物21的銅濺射粒子的量多於添加金屬的濺射粒子。因此，在矽層23表面上生長以銅作為主要成分、含有添加金屬的導電膜25(圖2(b))。另外，成膜對象物可以使用在表面上露出玻璃的基板(玻璃基板)，在玻璃基板的表面上生長導電膜25。在導電膜25生長的期間，若將成膜對象物21維持在上述成膜溫度，則導電膜25對於矽層23或基板22(例如玻璃基板)的粘合性更高。第一成膜室2與由真空槽構成的第二成膜室3相連接。第二成膜室3與真空排氣系統9和濺射氣體供給系統6相連接，利用真空排氣系統9將第二成膜室3內部真空排氣後，在繼續真空排氣的同時從濺射氣體供給系統6供給濺射氣體，預先在第二成膜室3內部形成不含有氮氣的第二真空氛圍氣體。使導電膜25生長至規定膜厚後，為了進行後述的"粘合性試驗"、"比電阻試驗"、"粘合性、比電阻、擴散試驗"、"添加金屬的種類"，從成膜裝置1取出成膜對象物21的一部分，搬入到未圖示的加熱裝置中進行加熱處理(退火處理)，在維持第二真空氛圍氣體的狀態下將剩餘的成膜對象物21搬入到第二成膜室3內部。在第二成膜室3內部配置有以銅作為主要成分的銅靶15。若在維持第二真空氛圍氣體的同時在將第二成膜室3置於接地電位的狀態下對銅耙15施加負電壓進行'踐射，則在導電膜25的表面上生長以銅作為主要成分的銅膜26(圖2(c))。銅耙15不含添加金屬。此外，第二真空氛圍氣體不含氮氣。在第二真空氛圍氣體中，不將副靶等其它靶進行濺射而僅將銅靶15進行賊射形成的銅膜不含有氮和添加金屬中的任意一種。使用純銅(含有銅99.9at。/o以上)作為銅把15時，銅膜26由純銅形成。圖2(c)表示形成了銅膜26的狀態，將該狀態的成膜對象物21從成膜裝置1取出，用於後述的"電極評價試驗"中。13實施例作為主靶ll,使用直徑7英寸的銅(純度99.9at。/o以上)耙，作為副靶12,使用由Ti構成的靶。改變導電膜25中的Ti含量、成膜時的氮氣分壓和退火處理時的加熱溫度(後退火溫度)，在玻璃基板的表面上成膜導電膜25，製造125種試驗片。進一步地，除了將副靶12改變為由Zr構成的扭之外，通過與上迷相同的步驟在玻璃基板的表面上成膜導電膜25,製造125種試驗片。另外，各導電膜25的成膜條件是導電膜25的目標膜厚為300nm、濺射氣體為Ar氣、笫一成膜室2內部的總壓為0.4Pa。導電膜25中的Ti和Zr的含量、氮氣分壓對於成膜時的總壓(真空槽的內部壓力)的比率和後退火溫度如下述表1、2所示。[表l]表l:粘合性試驗(添加金屬Ti)tableseeoriginaldocumentpage15[表2〗表2:粘合性試驗(添加金屬Zr)tableseeoriginaldocumentpage16上述表l、2中的"asdepo."是指導電膜25成膜後不進行加熱的情況。此外，Ti為O時和Zr為O時，是在上述主靶上不配置副靶而僅將主靶進行濺射的情況。對於得到的導電膜25在下述條件下檢查"粘合性"。[粘合性〗在成膜對象物21的導電膜25成膜的面上用尖端銳利的切割刀形成mm方格10行x10列，共100個刻紋，粘貼膠帶(型號610的透明膠帶)後，以剝離膠帶時殘留的膜的個數進行評價。全部剝離時為0/100,粘合性高而未剝離1個時為100/100,分子的數越大則粘合性越高。其結果如上述表1、表2所示。由上述表l、2可知，若成膜時未導入氮氣則即使Ti或Zr的含量多、為20at。/。(原子0/。)，導電膜的一部分也會剝離，若成膜時以總壓的0.P/。以上導入氮氣則即使Ti或Zr的含量少、為0.1at。/0,導電膜25也幾乎不產生剝離。此外，即使不含有Ti或Zr，若增大氮氣的導入量則粘合性也會提高。但是，即使氮氣的導入量多、為總壓的50%，也僅可以防止7080%的導電膜的剝離。為了得到充分的粘合性，導電膜25中含有Ti或Zr等添加金屬以及成膜時導入氮氣這兩方面是必要的。另外，對成膜導電膜25時的成膜溫度進行研究後得知，若成膜溫度為120。C以上則與成膜時不加熱時相比，粘合性顯著提高。<比電阻試^全〉改變氮氣的導入量，在玻璃基板的表面上成膜添加金屬的含量為0at。/o(純銅)、Ti的含量為0.5at%、Zr的含量為0.5atQ/。的導電膜25。而且，成膜條件除了後退火溫度全部為35(TC以外與上述"粘合性試驗"的情況相同。測定得到的導電膜25的比電阻。其測定結果如圖3、圖11所示。圖3、圖ll的橫軸表示真空槽內的氮氣分壓與總壓的比率，縱軸表示比電阻。由圖3、圖11可知，不含有Ti或Zr等添加金屬而成膜的導電膜(銅膜)，氮氣的導入量越多則比電阻越大。與此相對地，含有添加金屬的導電膜25(合金膜)，雖然在氮氣導入量為0時比電阻比銅膜高，但是氮氣的導入量越大則比電阻越低，成膜時的氮氣分壓為3%時，比電阻大致相等，氮氣分壓為10%時，比電阻比銅膜^f氐。認為這是因為，除了Ti或Zr等添加金屬與Cu不固溶的性質之外，還由於Cu和N2不反應，作為添加金屬與1Sb的反應物的氮化物與Cu17積極地分離。從而與單純使用Cu的導電膜相比，含有添加金屬時，比電阻降低。如上所述，含有Ti或Zr等添加金屬且成膜時導入氮氣的導電膜25與不含有添加金屬的導電膜、或成膜時未導入氮氣的導電膜相比，對玻璃基板或矽層等成膜對象物的粘合性高。因此，本發明的導電膜25兼顧粘合性和電阻值低兩方面。另外，作為參考，成膜時不導入氮，分別改變添加金屬的含量和後退火溫度來成膜導電膜從而製造試驗片，測定該導電膜的比電阻。添加金屬為Ti時的測定結果如圖4所示，添加金屬為Zr時的測定結果如圖12所示。由圖4、圖12可知，通過在導電膜成膜後進行退火處理，比電阻降低，含有添加金屬的導電膜發現後退火溫度越高則比電阻越低的趨勢。這是因為，Zr或Ti等添加金屬由於具有與Cu不固溶的性質，通過進行後退火，該添加金屬析出而接近於作為Cu單體的電阻值。此外，通過成膜時將導電膜加熱到規定的成膜溫度(例如12(TC以上)，在比後退火溫度更低的溫度下降低電阻。使用玻璃基板和矽基板作為成膜對象物，在玻璃基板的表面和矽基板的矽層(Si層)表面上形成導電膜，得到試驗片。另外，導電膜25的成膜條件除了將膜厚改變為350nm之外與上述"粘合性試驗"的"後退火溫度"為450。C的情況相同。對於在玻璃基板的表面上形成有導電膜的試驗片，進行上述"粘合性試驗"和導電膜25的比電阻的測定。對於在Si層的表面上形成有導電膜的試驗片，確認有無銅向Si層擴散。確認有無銅向Si層擴散時，對通過蝕刻除去導電膜25後的Si層表面用電子顯微鏡觀察。"粘合性試驗，，和"比電阻，，的測定結果以及銅擴散的有無的結果如下述表3、4所示。使用Ti作為添加金屬時的Ti含量為3at%、氮氣分壓為3%的條件下成膜時的Si層表面的電子顯微鏡照片如圖5所示，Ti含量為0、濺射時的氮氣分壓為0°/。的條件下成膜時的Si層表面的電子顯微鏡照片如圖6所示。18[表3]表3:粘合性、比電阻、擴散試驗(添加金屬Ti)各膜厚350nmtableseeoriginaldocumentpage19[表4]表4:粘合性、比電阻、擴散試驗(添加金屬Zr)各膜厚350nmtableseeoriginaldocumentpage20由上述表3、4,圖5、6可知，Ti或Zr等添加金屬的含量為0、氮氣分壓為0%時，存在銅向矽層的擴散。添加金屬含量為0.1at。/o以上時，銅不向矽層擴散，仍然保持優異的表面。認為這是因為，在導電膜25中分離的添加金屬或添加金屬的氮化物(TiN、ZrN)發揮作為Cu與Si的反應的屏障的功能。此外，對於矽層的粘合性，若導電膜25中的添加金屬的含量為0.1atQ/。以上且氮氣分壓相對於真空氛圍氣體的總壓為0.1%以上，則確認導電膜25接近100%未剝離。存在添加金屬的含量越大則比電阻越大的趨勢。但是成膜時導入氮氣達到總壓的3%以上時，即使添加金屬的含量多、為20%，比電阻也降低至與未含有添加金屬時同等程度。由此可知，添加金屬的含量為0.1at。/。以上且成膜時導入氮氣達到總壓的0.3%以上的導電膜25不僅粘合性優異，而且比電阻與純銅膜同等程度地低，並且還具有防止銅向矽層擴散的能力。如上所述，氮氣導入量越大則比電阻有降低的趨勢，但是若氮氣的導入量超過第一真空氛圍氣體的總壓的50%、賊射氣體的導入量小於總壓的50%則濺射速度大幅降低，成膜效率變差，所以氮氣的導入量的上限優選為第一真空氛圍氣體的總壓的50%以下。使氮氣的導入量為總壓的3%，形成添加金屬(Ti、Zr)的含量分別為0.1at%、3at°/o、10atQ/。的導電膜25。而且，使用玻璃基板和矽基板作為成膜對象物。導電膜25的成膜條件，除了使膜厚改變為50nm以外與上述"粘合性、比電阻、擴散試驗"中的條件相同。在導電膜25的表面上進一步形成膜厚300nm的銅膜26，製造層疊有導電膜25和銅膜26的試驗片。而且，銅膜26是不向第二成膜室3內導入氮氣而將銅靶(純銅靶)進行濺射成膜的。對於成膜對象物為玻璃基板的試驗片測定"比電阻"和"粘合性"，對於成膜對象物為矽基板的試驗片測定"向Si的擴散性"。其測定結果如下述表5、6的"Cu/Cu-Ti"欄所記栽。另外，表5、6的"Cu，，欄和"Cu-Ti"欄中，記栽了上述表3、4的測定結果中氮氣的導入量為總壓的3%、添加金屬的含量分別為Oat%、0.1at%、3at°/o、10atyo時的測定結果。tableseeoriginaldocumentpage22有添加金屬且未導入氮氣的條件下製造的銅膜而成的電極，作為與玻璃基板或矽層密合的電極特別優異。上述"粘合性、比電阻、擴散試驗"中製造的試驗片中，準備使用玻璃基板作為成膜對象物，成膜時的氮氣的導入量為總壓的3%,導電膜25中的添加金屬(Ti、Zr)含量分別為0.1at%、3at%、10at。/。的試騶r片。在各試驗片的導電膜25表面上形成膜厚150nm的ITO薄膜。除了使用形成Al膜、銅膜來替代上述導電膜25的試驗片之外，在與上述6種試驗片相同的條件下形成ITO薄膜。而且，銅膜是不導入氮氣而將純銅靶進行濺射而形成的。對於形成了ITO薄膜的狀態的試驗片，測定未加熱處理時(asdepo.)和250。C下退火處理後，ITO薄膜與導電膜25(或銅、Al膜)之間的接觸電阻。其測定結果如下述表7、8所記載。表7:接觸電阻(添加金屬Ti)_TTO膜厚150nmtableseeoriginaldocumentpage23[表8]表8:接觸電阻(添加金屬Zr)_ITO膜厚150nm膜構成Ti含量N2添加分壓接觸電阻[Q表9:添加金屬的種類tableseeoriginaldocumentpage25比電阻的單卩立為)LtQcm將形成有合金膜的基板在350°C、45(TC的後退火溫度下進行加熱處理，製造樣品片，對於各樣品片的合金膜進行比電阻的測定和粘合性試驗。其結果如上述表9所記載。由上述表9可知，使用各添加金屬時，與濺射時不含有氮氣時(氮氣分壓為0%)相比，含有氮氣時，粘合性提高。由以上的結果可確認，作為添加金屬，除了Ti和Zr之外，還可以<吏用Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd。接著對本發明的TFT(薄膜電晶體)的笫一例進行說明。圖7(a)的符號41表示在表面上形成有絕緣層(例如Si02層)42的透明基板，在絕緣層42的表面的規定區域配置以Si作為主要成分、添加有摻雜物的矽層61。在矽層61上形成源極區域62和漏極區域64,在源極區域62和漏才及區域64之間形成溝道區域63。在矽層61的表面上，在源極區域62、溝道區域63和漏極區域64全部形成柵極氧化膜66,在柵極氧化膜66的表面上配置柵極67。絕緣層42的配置了柵極67—側的面被第一層間絕緣膜43覆蓋。源極區域62的一部分和漏才及區域64的一部分從柵極氧化膜66露出，在笫一層間絕緣膜43上形成源極區域62從柵極氧化膜66露出的部分在底面露出的第一貫通孔69a和漏極區域64從柵極氧化膜66露出的部分在底面露出的第二貫通孔69b。將該狀態的透明基板41作為成膜對象物搬入圖1所示的成膜裝置1中，通過圖2(b)所示的步驟，在形成有第一層間絕緣膜43的一側的面上形成第一導電膜，進一步通過圖2(c)所示的步驟在第一導電膜的表面上形成銅膜。圖7(b)表示形成有第一導電膜52和銅膜53的狀態，第一導電膜52與第一層間絕緣膜43的表面以及第一貫通孔、第二貫通孔69a、69b的內壁面和底面密合。因此，第一導電膜52在第一貫通孔、第二貫通孔69a、69b的底面上分別與源極區域62的表面和漏極區域64的表面密合。此外，在該狀態下，第一貫通孔、第二貫通孔69a、69b的內部被第一導電膜52和銅膜53填充。26將該狀態的透明基板41從第二成膜室3返回到第一成膜室2，通過與在第一層間絕緣膜43的表面上形成笫一導電膜52的方法相同的方法，在銅膜53的表面上形成第二導電膜54(圖7(c))。圖7(c)的符號50表示由第一導電膜、第二導電膜52、54和銅膜53構成的導電體。通過層壓第一導電膜、第二導電膜52、54和銅膜53,可以降低導電體50整體的電阻。接著將該導電體50構圖，分離填充到導電體50的第一貫通孔69a中的部分和填充到第二貫通孔69b中的部分。圖7(d)的符號51表示由填充到導電體50的第一貫通孔69a中的部分和殘留在其周圍的部分構成的源極，圖7(d)的符號55表示由填充到導電體50的第二貫通孔69b中的部分和殘留在其周圍的部分構成的漏才及，源極51和漏極55通過上述構圖相互分離。如上所述，第一導電膜52由於在第一、第二貫通孔69a、69b的底面與源極區域62和漏極區域64密合，源極51的第一導電膜52與源極區域62電連接，漏極55的第一導電膜52與漏極區域64電連接。由於銅膜53和第二導電膜54與第一導電膜52電連接，源極51的銅膜53和第二導電膜54通過第一導電膜52與源極區域62電連接，漏極55的銅膜53和第二導電膜54通過第一導電膜52與漏極區域64電連接。因此，源極51整體與源極區域62電連接，漏極55整體與漏極區域64電連接。接著在透明基板41的形成有源極51和漏極55的一側的面上形成第二層間絕緣膜44,在第二層間絕緣膜44表面的規定位置配置遮蔽膜76後，在第二層間絕緣膜44的配置遮蔽膜76的一側的面上形成笫三層間絕緣膜46(圖8(a))。接著，在漏極55的正上方的位置，形成連通第二層間絕緣膜44、第三層間絕緣膜46的第三貫通孔72，在該第三貫通孔72的底面上露出漏極55的第二導電膜54後，在形成有第三貫通孔72的一側的面上通過濺射法等形成ITO透明導電膜，將該透明導電膜構圖，由填充第三貫通孔72的透明導電膜、殘留在第三貫通孔72上及其周圍的透明導電膜構成透明電極71(圖8(b))。圖8(b)的符號40表示形成有透明電極71的狀態的TFT面板(帶有薄膜電晶體的面板)u電膜54的表面位於第三貫通孔72的底面，透明電極71與漏極55的第二導電膜54電連接。因此，漏極55的銅膜53和第一導電膜52通過第二導電膜54與透明電極71電連接，漏極55整體與透明電極71電連接，通過漏極55,透明電極71與漏極區域64電連接。源極51與未圖示的源極布線連接。若在對源極51和漏極55之間施加電壓的狀態下對柵極67施加電壓，則在源極區域62和漏極區域64之間通過溝道區域63流通電流。透明電極71通過漏極55、漏極區域64、溝道區域63和源極區域62與源極51連接。通過本發明成膜的第一導電膜、第二導電膜52、54由於與Si的粘合性高，源極51和漏極55不易從矽層61剝離，而且第一導電膜、第二導電膜52、54由於擴散防止性高，銅膜53的構成金屬(Cu)不會擴散到矽層61中。此外，通過本發明形成的笫一導電膜、第二導電膜52、54由於比電阻低，並且與透明導電膜之間的接觸電阻也低，因此該TFT60的源極51與漏極55的導通性優異。如此，通過本發明成膜的導電膜適合作為與矽層61或透明電極71密合的電極的屏障膜。另夕卜，在TFT面板40的透明基板41表面上，在離開TFT60的位置還配置柵極布線膜或源極布線膜等其它的布線或其它的電氣元件。這裡，圖示出了柵極布線膜74。以上對在源極51和漏極55的表面和背面分別配置第一導電膜、第二導電膜的情況進行了說明，但是本發明不限於此。圖9的符號80表示通過本發明製造的TFT面板的第二例。該TFT面板80具有透明基板82和配置在透明基板82表面上的TFT90。該TFT卯的柵極83配置在透明基板82的表面上，在透明基板82的配置柵極83的一側的面上形成覆蓋柵極83的表面和側面的絕緣膜84,在絕緣膜84表面的柵極83上的位置配置矽層86，在絕緣膜84表面離開矽層86的位置上配置由透明導電膜構成的透明電極85。在矽層86上與圖8(b)所示的矽層61同樣地形成源極區域87、溝道區域88和漏極區域89。源極區域87的表面與源極91的底面密合，漏極區域89的表面與漏極92的底面密合。漏極92—部分延伸至透明電極85，其底面與透明電極85的表面密合，因此，漏極92的底面與漏極區域89和透明電極85兩方密合。源極91和漏極92具有通過本發明的形成方法成膜的導電膜93和配置在該導電膜93表面上的銅膜94。源極91和漏極92例如如下形成使用在透明基板82的表面上露出透明電極85和矽層86的對象物作為成膜對象物，在該成膜對象物的透明電極85和矽層86露出的全部表面上形成導電膜，在該導電膜的表面上形成銅膜後，同時對導電膜和銅膜構圖，形成源極91和漏極92。導電膜93分別位於漏極92和源極91的底面上。如上所述，由於漏極92的底面與漏極區域89和透明電極85兩方密合，因此漏極92的導電膜93與透明電極85和漏極區域89兩方電連接。由於銅膜94與導電膜93密合，因此漏極92的銅膜94通過導電膜93與透明電才及85和漏極區域89兩方電連接，漏極92整體與漏極區域89和透明電4及85兩方電連接。此外，由於源極91底面與源極區域87密合，因此源極91的導電膜93與源極區域87電連接，源極91的銅膜94通過導電膜93與源極區域87電連接，源極91整體與源極區域87電連接。如上所述，通過本發明成膜的導電膜93由於與ITO的接觸電阻低，因此漏極92和透明電極85的導通性優異。在該TFT面板80中，源極91與未圖示的源極布線連接。若在對源極91和漏極92之間施加電壓的狀態下對柵極83施加電壓，則在源極區域87和漏極區域89之間通過溝道區域88流通電流。透明電極85通過源極區域87、溝道區域88、漏極區域89和漏極92與源極91連接。以上對源極和漏極由導電膜和銅膜構成的情況進行了說明，但是本發明不限於此。圖10的符號140表示本發明的第三例TFT面板。該TFT面板140除了源極151和漏極155僅由通過本發明形成的導電膜構成之外，具有與上述圖8(b)所示的TFT面板40相同的結構。由於不層壓銅膜，電阻增大，但是若與Al等相比則得到電阻低的膜。本發明的TFT面板例如用於液晶顯示器或有機EL顯示裝置等中。以上，使用ITO作為透明電極71、85的構成材料，但是本發明不限於此，除了ITO之外還可以使用氧化鋅膜等由各種金屬氧化物構成的透明導電膜。此外，對導電膜的成膜中使用的靶部IO也不特別限定。例如靶部10可以由以銅作為主要成分、含有1種以上添加金屬的1個靶(合金靶)構成。對合金靶的形狀不特別限定，例如平面形狀為長方形、正方形、圓形等板狀。合金靶配置在成膜室(第一成膜室2)內部來替代圖1的靶部10。在使應該成膜導電膜的面向著合金靶的表面來配置成膜對象物的狀態下，將合金靶進行賊射，成膜導電膜。將靶進行磁控濺射時，預先將磁場形成裝置14配置在合金靶的背面一側。若將合金靶進行濺射則從該靶釋放銅與添加金屬的合金的濺射粒子、銅的賊射粒子和添加金屬的賊射粒子。總之，靶部10由合金乾構成的情況、靶部10由主耙11和副靼12構成的情況這兩種情況都是由靶部10通過濺射釋放銅原子和添加金屬原子，在成膜對象物的表面上生長含有銅原子和添加金屬原子兩者的導電膜。以上對使用各靶製造以銅作為主要成分的銅膜53和導電膜(笫一導電膜、第二導電膜52、54)的情況進行了說明，但是本發明不限於此。例如，可以在第一成膜室2內部導入氮氣和賊射氣體的同時將革巴部IO進行濺射成膜導電膜後，對第一成膜室2內部進行真空排氣，使第一成膜室2內部的氮氣分壓比導電膜成膜時低，然後將與導電膜成膜中使用的靶部相同的靶部IO進行濺射成膜銅膜。此時，銅膜含有與第一導電膜、笫二導電膜相同的添加金屬，但是由於成膜時的氮氣分壓低，與第一導電膜、第二導電膜相比，比電阻低。第一導電膜、第二導電膜52、54可以使用相同的靶部IO成膜，也可以使用不同的靶部10成膜，改變添加金屬的種類或含量。此外，笫一導電膜、第二導電膜52、54成膜時的氮氣分壓可以相同或改變氮氣分壓。對退火處理的方法不特別限定，但是優選在真空氛圍氣體中進行，此外，將形成有導電膜的狀態的成膜對象物搬運到其它的成膜室或加熱裝置的期間，優選不將成膜對象物暴露在大氣中而在真空氛圍氣體中搬運。濺射氣體不限於Ar,除了Ar之外也可以使用Ne、Xe等。此外，通過本發明形成的導電膜不僅可以用於TFT、TFT面板的電極或屏障(布線膜P)中。"—5,'"、、'立—層壓導電膜和銅膜時，對導電膜的膜厚不特別限定，但是若過厚則由於電極整體的比電阻增大，優選為電極整體的膜厚的1/3以下。此外，若考慮到與矽層或玻璃基板的粘合性和擴散防止性則導電膜的膜厚優選為10nm以上。此外，氮化氣體只要是化學結構中含有氮原子的氣體則不特別限定，除了氮氣(N2)之外，還可以使用NH3、肼、胺系烷基化合物、疊氮化物等。這些氮化氣體可以單獨使用或2種以上混合使用。透明基板不限於玻璃基板，例如還可以使用石英基板、塑料基板。對本發明中使用的矽層的種類或製造方法不特別限定，例如可以廣泛地使用用濺射法或氣相沉積法等堆積的矽層(無定形矽層、多晶矽層)等TFT的矽層中使用的矽層。本發明中使用的添加金屬優選為Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd，它們可以僅使用1種形成含有1種添加金屬的導電膜或使用2種以上形成含有2種以上添加金屬的導電膜。上述添加金屬中，本申請中，Ti和Zr等第四副族元素是特別合適的。以上對柵極67、83配置在矽層61、86的表面上的所謂頂柵型TFT進行了說明，但是本發明不限於此。根據本發明，也可以在玻璃基板表面上形成柵極，製造所謂底柵型的TFT。以下說明作為底柵型TFT的第四例TFT及其製造步驟。將作為成膜對象物的基板(例如玻璃基板)搬入到圖1的成膜裝置1的真空槽2內部。在基板的表面上，通過與上述圖7(a)(c)說明的步驟相同的步驟，以記栽的順序層壓第一導電膜、銅膜和笫二導電膜，形成導電體。圖13(a)表示在基板2U表面上形成導電體213的狀態。接著，若通過照相步驟、蝕刻步驟將導電體213構圖，則如圖13(b)所示，通過形成了圖案的導電體213形成柵極215和蓄積容量電極212。在基板211的形成了柵極215和蓄積容量電極212的表面上，通過CVD法等成膜由氮化矽膜(SiN)、氧化矽膜(Si02)或氮化氧化矽膜(SiON)構成的柵極絕緣膜214。圖15為配置有柵極215(或蓄積容量電極212)的部分的放大截面圖。柵極215和蓄積容量電極212具有上迷第一導電膜、第二導電膜251、252和銅膜253。第一導電膜251與基板211密合，第二導電膜252與柵極絕緣膜214密合，在第一導電膜、笫二導電膜251、252之間具有銅膜253。笫一導電膜、第二導電膜251、252由於含有氮和添加金屬，對於基板211和柵極絕緣膜214的粘合性高。此外，由於在笫一導電膜、第二導電膜251、252之間配置有電阻低的銅膜253,柵極215和蓄積容量電極212整體的電阻低。形成柵極絕緣膜214後，通過CVD法等在柵極絕緣膜214的表面上形成例如由無定形矽構成的溝道半導體層(溝道區域)216(圖13(d))。接著，通過CVD法等在溝道半導體層216的表面上形成以矽作為主要成分、含有雜質的歐姆層217(圖13(e))。接著，將形成有歐姆層217的基板211搬入到圖1的成膜裝置1的真空槽2內部，通過與上述導電體213的成膜相同的步驟，以記載的順序層壓第一導電膜251、銅膜253和第二導電膜252,形成導電體223(圖14(a))。接著，將導電體223、歐姆層217和溝道半導體層216通過照相步驟和蝕刻步驟構圖。通過該構圖，殘留溝道半導體層216中位於柵極215的正上方的部分和位於4冊極215的兩側的部分。此外，通過該構圖，歐姆層217和導電體223的位於溝道半導體層216上的部分中，位於柵極215的中央正上方的部分被除去，位於柵極215的兩側的部分殘留。圖M(b)的符號225、226分別表示源極半導體層(源極區域)和漏極半導體層(漏極區域)。源極半導體層225和漏極半導體層226由歐姆層217的殘留在柵極215兩側的部分構成。圖14(b)的符號221、222表示源極和漏極。源極221和漏極222由導電體223的殘留在柵極215兩側位置的部分構成。接著在源極221和漏極222的表面上通過CVD法等形成由氮化矽膜、氧化矽膜或氮化氧化矽膜構成的層間絕緣膜224(圖M(c))。圖14(c)的符號220表示形成有層間絕緣膜224的狀態的薄膜電晶體(TFT)。圖14(c)的符號210表示帶有薄膜電晶體的面板。源極221、漏極222與柵極215或蓄積容量電極212同樣地具有第一導電膜、第二導電膜251、252和銅膜253。第一導電膜251與歐姆層217密合，第二導電膜252與層間絕緣膜224密合，銅膜253存在於第一導電膜、第二導電膜251、252之間。歐姆層217以矽作為主要成分。第一導電膜、第二導電膜251、252含有氮和添加金屬，所以與矽、絕緣膜的粘合性高。因此，源極221和漏極222不易從歐姆層217或層間絕緣膜224剝離。此外，銅不會從第一導電膜、第二導電膜251、252擴散到歐姆層217中。該薄膜電晶體220中，源極半導體層225和漏極半導體層226之間、源極221和漏極222之間，通過位於柵極215中央的正上方的開口218相互分離。該開口218填充有層間絕緣膜224。溝道半導體層216為與源極和漏極半導體層225、226相同的導電型，但是雜質濃度降低。若在對源極221和漏極222之間施加電壓、對源才及半導體層225和漏極半導體層226之間施加電壓的狀態下對4冊極215施加電壓，則通過溝道半導體層216的柵極絕緣膜214在與柵極215接觸的部分上形成低電阻的蓄積層，源極半導體層225和漏極半導體層226通過該蓄積層電連接，電流流通。另外，溝道半導體層216可以為與源極和漏極半導體層225、226相反的導電型。此時，若在對源極半導體層225和漏極半導體層226之間施加電壓的狀態下對柵極215施加電壓，則通過溝道半導體層216的柵極絕緣膜214在與柵極215接觸的部分上形成與源極和漏一及半導體層225、226相同導電型的反轉層，源極半導體層225和漏極半導體層226通過該反4爭層電連接，電淨u流通。圖14(d)表示將層間絕緣膜224的漏極222或源極221(這裡為漏極222)上的部分和蓄積容量電極212上的部分開窗後，將形成了圖案的透明導電膜配置在層間絕緣膜224上的狀態。圖14(d)的符號227表示由透明導電膜的位於薄膜電晶體220側方的部分構成的像素電極。圖14(d)的符號228表示由透明導電膜的位於薄膜電晶體220上部分、即與漏極222接觸的部分構成的連接部。像素電極227通過連接部228與漏極222電連接，若源極半導體層225和漏極半導體層226電連接則在像素電極227上流通電流。圖16的符號204表示在形成有TFT220的基板221和面板240之間配置了液晶241的液晶顯示裝置。面板240具有玻璃基板242和配置在玻璃基板242的表面上的對置電極245。對置電極245和像素電極227夾持液晶241對置。對施加在像素電極227和對置電極245之間的電壓進行控制，可以改變液晶241的透光率。另外，液晶顯示裝置204可以使用形成有第一~第三例TFT中的任意一種來替代第四例的TFT220的基板211來製造。構成電極的導電體223不限於3層結構，可以僅由第一導電膜251構成源才及221、漏才及222、柵才及215和蓄積容量電淨及212中的至少一種以上電才及。通過本發明成膜的導電膜由於以銅作為主要成分、含有添加金屬，與玻璃基板、矽層、透明導電膜等各種物質的粘合性高。因此，對導電膜的成膜對象物不特別限定。例如可以使用透明導電膜露出的成膜對象物，在該透明導電膜的表面上成膜導電膜。此外，也可以使用玻璃基板和矽層露出的成膜對象物，在玻璃基板的表面和矽層的表面上形成導電膜。進一步地，還可以使用玻璃基板、透明導電膜和矽層分別露出的成膜對象物，在玻璃基板的表面、透明導電膜的表面和矽層的表面上分別成膜導電膜。3權利要求1.導電膜形成方法，該方法是通過濺射法，在真空氛圍氣體中，在成膜對象物表面上形成以銅作為主要成分、含有添加金屬的導電膜的導電膜形成方法，其中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到所述真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使所述靶釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成所述導電膜。2.如權利要求1所述的導電膜形成方法，其中，使用在表面上露出矽層、玻璃基板、透明導電膜中的任意1種或2種以上的所述成膜對象物。3.如權利要求2所述的導電膜形成方法，其中，所述添加金屬選擇Ti,所述氮化氣體使用氮氣，導入所述氮氣使所述氮氣的分壓相對於所述真空氛圍氣體的總壓為0JQ/。~50%,使所述導電膜中含有0.1原子％以上的Ti。4.薄膜電晶體，其是具有柵極、以矽作為主要成分的漏極區域和以矽作為主要成分的源極區域，對所迷柵極施加電壓時所述漏極區域與所述源極區域導通的薄膜電晶體，其中，在所迷漏極區域的表面和所述源極區域的表面中的任意一方或兩方上形成以銅作為主要成分的第一導電膜，所述第一導電膜如下形成將所述漏極區域和所述源極區域中的任意一方或兩方露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到所述真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的把進行濺射，使所述耙釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意l種添加金屬的原子與銅原子，形成所述第一導電膜。5.如權利要求4所述的薄膜電晶體，其中，所述第一導電膜含有0.1原子％以上的Ti作為所述添加金屬，所述第一導電膜是供給由氮氣構成的所述氮化氣體使所迷氮化氣體的分壓相對於所述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%而形成的。6，帶有薄膜電晶體的面板，其具有基板，在所述基板表面上分別配置薄膜電晶體和透明導電膜，所述薄膜電晶體具有柵極、以矽作為主要成分的漏極區域和以矽作為主要成分的源極區域，對所述柵極施加電壓時所述漏極區域與所述源極區域導通，所述透明導電膜與所述源極區域相連接，其中，在所述漏極區域的表面和所述源極區域的表面中的任意一方或兩方上形成以銅作為主要成分的第一導電膜，所述第一導電膜如下形成將所述漏極區域和所述源極區域中的任意一方或兩方露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到所述真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的耙進行濺射，使所述靶釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意l種添加金屬的原子與銅原子，形成所迷第一導電膜。7.如權利要求6所述的帶有薄膜電晶體的面板，其中，所述第一導電膜與所述漏極區域和所述透明導電膜兩方密合。8.如權利要求6所迷的帶有薄膜電晶體的面板，其中，所述添加金屬選擇Ti,所述氮化氣體使用氮氣，導入所述氮氣使所迷氮氣的分壓相對於所述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%，所述第一導電膜中含有0.1原子°/。以上的Ti。9.如權利要求6所述的帶有薄膜電晶體的面板，其中，在所迷第一導電膜的表面上配置與所述第一導電膜電連接的第二導電膜，所述透明導電膜配置在所述第二導電膜的表面上，所述第二導電膜如下形成將形成有所述薄膜電晶體和所述第一導電膜的狀態的所述基板配置在真空氛圍氣體中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到所述真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使所述靶釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成所述第二導電膜。10.如權利要求9所述的帶有薄膜電晶體的面板，其中，在所述第一導電膜的表面上配置以銅作為主要成分的銅膜，使用所述銅膜露出的成膜對象物作為所述成膜對象物，將所述第二導電膜形成在所述銅膜的表面上。11.如權利要求9所述的帶有薄膜電晶體的面板，其中，所述添加金屬選擇Ti，所述氮化氣體使用氮氣，導入所述氮氣使所述氮氣的分壓相對於所迷真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%，所述第二導電膜中含有0.1原子％以上的Ti。12.薄膜電晶體的製造方法，所迷薄膜電晶體具有與以矽作為主要成分的矽層、玻璃基板和透明導電膜中的任意1種或2種以上接觸的導電膜，所述導電膜以銅作為主要成分，該方法中，在將所迷矽層、所述玻璃基板和所述透明導電膜中的任意1種或2種以上露出的成膜對象物配置在真空氛圍氣體中的狀態下，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到所述真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使所述粑釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成所述導電膜。13.如權利要求12所述的薄膜電晶體的製造方法，其中，導入所述氮化氣體使所述氮化氣體的分壓相對於所述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%來進行所述賊射。14.薄膜電晶體的製造方法，所述薄膜電晶體具有以矽作為主要成分的矽層，與所述矽層接觸的第一導電膜，以銅作為主要成分、形成在所述第一導電膜的表面上的銅膜，和形成在所迷銅膜的表面上的第二導電膜，所述第二導電膜與透明導電膜接觸，所述第一導電膜、第二導電膜以銅作為主要成分，該方法中，在將化學結構中具有氮原子的氮化氣體供給到真空氛圍氣體中的同時，在所述真空氛圍氣體中將以銅作為主要成分的靶進行濺射，使所述耙釋放選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1種添加金屬的原子與銅原子，形成所迷第一導電膜、笫二導電膜中的任意一方或兩方。15.如權利要求14所述的薄膜電晶體的製造方法，其中，導入所述氮化氣體使所述氮化氣體的分壓相對於所述真空氛圍氣體的總壓為0.1%~50%來進行所述濺射。全文摘要成膜粘合性高、比電阻低的導電膜。將以銅作為主要成分的靶在導入有氮化氣體的真空氛圍氣體中進行濺射，形成以銅作為主要成分、含有Ti等添加金屬的導電膜(25)。該導電膜(25)與矽層(23)或基板(22)的粘合性高，不易從基板(22)上剝離。而且，由於比電阻低、對於透明導電膜的接觸電阻也低，即使用於電極膜時，其電學特性也不會變差。通過本發明成膜的導電膜特別適合用於TFT或半導體元件的電極用屏障膜。文檔編號H01L29/786GK101512730SQ20078003189公開日2009年8月19日申請日期2007年10月12日優先權日2006年10月12日發明者武井應樹,浮島禎之,石橋曉,谷典明,高橋明久,高澤悟申請人:株式會社愛發科