取向膜修復系統的製作方法

2023-10-31 12:47:27 2

專利名稱：取向膜修復系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示裝置的製造工藝，特別是涉及IXD用取向膜的修復工藝。
背景技術：
參閱圖1及圖2，在一般液晶面板中，與液晶接觸的TFT/CF基板110上分別塗布有一層取向膜120，該取向膜120可用於限制液晶分子的取向狀態。在取向膜120塗布的過程中，由於TFT/CF基板110表面的微粒(Particle) 130使 TFT/CF基板110表面改性不足，配向液(PI液)對TFT/CF基板110表面的貼合性差；TFT/ CF基板110表面的凹凸不平影響了配向液(PI液)在TFT/CF基板110上的擴散等原因，使取向膜120上產生微粒暗點，而去除微粒(Particle) 130所形成的針孔(Pin hole) 140(如圖2所示)，在取向膜120固烤成膜後，因為在針孔140的部位不能正常地顯示圖像，以往必須將取向膜120全部剝離後，才能重新進行成膜。由於取向膜120在剝離的時候要使用大量的剝離液，而完成取向膜120剝離後的 TFT/CF基板110需要經過清洗、乾燥、取向液塗布、預烘烤、檢查、本硬化等一系列製程重新成膜，因此會增加額外的生產成本。

發明內容
本發明要解決的技術問題在於克服上述現有技術的不足，而提出一種取向膜修復系統可以定點修復在取向膜塗布時產生的微粒暗點及去除微粒後的局部的針孔，免去取向膜剝離和清洗、乾燥、取向液塗布、預烘烤、檢查、本硬化等一系列製程重新成膜，從而達到降低製造成本的目的。本發明解決上述技術問題採用的技術方案包括，提出一種取向膜修復系統，包括 一檢查裝置、一取向膜缺陷去除裝置及一取向膜修復劑塗布裝置。檢查裝置包括一電荷耦合元件(CCD)及一缺陷位置檢測電路，電荷耦合元件檢測在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置，缺陷位置檢測電路則記錄對應該缺陷位置的一位置坐標信號，取向膜缺陷去除裝置是根據位置坐標信號，去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的缺陷，以形成一針孔，取向膜修復劑塗布裝置根據位置坐標信號，將一取向膜修復劑塗布在針孔上，對針孔進行修
Μ. ο在本發明的一實施例中，上述的缺陷為包覆有微粒的取向膜。在本發明的一實施例中，上述的針孔是指去除缺陷後於取向膜上所形成的缺口。在本發明的一實施例中，上述的取向膜缺陷去除裝置為一等離子體(AP Plasma)
直ο在本發明的一實施例中，上述的取向膜修復劑塗布裝置為一噴印裝置(Inkjet)。在本發明的一實施例中，上述的噴印裝置將取向膜修復劑塗布在針孔上時，是依據針孔的面積、取向膜修復劑的固含量以及目標膜厚為lOOnm，從而計算出噴印裝置的滴下
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在本發明的一實施例中，上述取向膜修復系統還包括一驅動電路。驅動電路控制取向膜缺陷去除裝置及取向膜修復劑塗布裝置的移動，其作用為接收缺陷位置檢測電路檢測到的位置坐標信號，將取向膜缺陷去除裝置及取向膜修復劑塗布裝置移動至缺陷位置上方，以去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的取向膜和微粒。在本發明的一實施例中，上述取向膜缺陷去除裝置更是對取向膜上的針孔缺陷進行改性，改善針孔缺陷產生區域基板表面的貼合性。與現有技術相比，本發明透過取向膜缺陷去除裝置去除微粒暗點(Particle mura)位置上的取向膜和微粒(Particle)，形成針孔(Pin hole)。或者用等離子體(AP Plasma)裝置對取向膜上的針孔(Pin hole)缺陷進行改性，改善針孔(Pin hole)缺陷產生區域基板表面的貼合性，並通過噴印裝置(Inkjet)使取向膜修復劑塗布在針孔(Pin hole)上，對針孔(Pin hole)進行修復。可避免如現有技術中，每當取向膜上產生缺陷時， 都需要重新成膜，既耗時又耗費成本的缺失。


圖1為現有的TFT-IXD用液晶取向膜的塗布工藝示意圖。圖2為現有的TFT-IXD用液晶取向膜的缺陷示意圖。圖3為本發明的取向膜修復系統元件方塊示意圖。圖4為採用圖3的取向膜修復系統示意圖。圖5為本發明的電荷耦合元件檢測在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置的示意圖。圖6為本發明的取向膜缺陷去除裝置除在TFT/CF基板上缺陷的效果示意圖。圖7為本發明的取向膜修復劑塗布裝置將取向膜修復劑塗布在針孔的狀態示意圖。圖8為本發明的取向膜修復劑塗布在針孔的效果示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖所示的最佳實施例作進一步詳述。參見圖3以及圖4，本發明提出一種取向膜修復系統，包括一檢查裝置310、一驅動電路320、一取向膜缺陷去除裝置330及一取向膜修復劑塗布裝置340。檢查裝置310包括一電荷耦合元件(CCD)311及一缺陷位置檢測電路312，電荷耦合元件(CCD)311檢測在 TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置，缺陷位置檢測電路312則記錄對應該缺陷位置的一位置坐標信號。驅動電路320控制取向膜缺陷去除裝置330及取向膜修復劑塗布裝置 350的移動，其作用為接收缺陷位置檢測電路312檢測到的位置坐標信號，將取向膜缺陷去除裝置330及取向膜修復劑塗布裝置340移動至缺陷位置上方，以去除在TFT/CF基板110 上的缺陷位置上的取向膜120和微粒130。其中，TFT/CF基板110是藉由輸送裝置350輸送。參見圖5檢查裝置310檢測在TFT/CF基板110上由取向膜120包覆微粒130所行程的微粒暗點500，缺陷位置檢測電路312則紀錄對應微粒暗點500位置的一位置坐標信號。
參見圖6，承接圖5，取向膜缺陷去除裝置330較佳為等離子體(AP Plasma)裝置，根據檢查裝置310提供的微粒暗點500的位置坐標信號，驅動電路320將等離子體(AP Plasma)裝置移動到微粒暗點500的上方，去除微粒暗點500位置上的取向膜120和微粒 130，形成針孔(Pin hole) 600 ；或者對取向膜120上的針孔(Pin hole) 600缺陷進行改性， 改善針孔(Pin hole) 600缺陷產生區域TFT/CF基板110表面的貼合性。參見圖7，取向膜修復劑塗布裝置340較佳為噴印裝置(Inkjet)。根據檢查裝置 310提供的微粒暗點500的位置坐標信號，驅動電路將噴印裝置(Inkjet)移動到微粒暗點 500的上方，將取向膜修復劑341塗布在針孔(Pin hole) 600上，對針孔(Pin hole) 600進行修復。取向膜修復劑；341由取向膜溶解在溶劑中形成。在噴印裝置(Inkjet)將取向膜修復劑341塗布在針孔(Pin hole) 600上時，應考慮針孔(Pin hole) 600的面積、取向膜修復劑341的固含量以及目標取向膜厚度為lOOnm，從而計算出噴印裝置(Inkjet)的最佳滴下量。參見圖8，取向膜修復劑341塗布在針孔600位置上，與原先的取向膜120相結合。在本發明中，上述取向膜缺陷去除裝置更是對取向膜上的針孔缺陷進行改性，改善針孔缺陷產生區域基板表面的貼合性。與現有技術相比，本發明在取向膜完成塗布、預烘烤、本硬化等一些列製程成膜後，在檢查工序中檢查在取向膜上是否有微粒暗點(Particle mura)或形成有針孔(Pin hole)缺陷，並且對微粒暗點(Particle mura)或針孔(Pin hole)缺陷的位置進行檢測。 然後在修復系統中，用等離子體(AP Plasma)裝置去除微粒暗點(Particle mura)位置上的取向膜和微粒(Particle)，形成針孔(Pin hole)。或者用等離子體(AP Plasma)裝置對取向膜上的針孔(Pin hole)缺陷進行改性，改善針孔(Pin hole)缺陷產生區域基板表面的貼合性。最後，通過噴印裝置(Inkjet)使取向膜修復劑塗布在針孔(Pin hole)上，對針孔(Pin hole)進行修復。可有效的達到降低製造成本之目的。以上，僅為本發明的較佳實施例，意在進一步說明本發明，而非對其進行限定。凡根據上述文字和附圖所公開的內容進行的簡單的替換，都在本專利的權利保護範圍之列。
權利要求
1.一種取向膜修復系統，其特徵在於，包括一檢查裝置，包括一電荷耦合元件及一缺陷位置檢測電路，該電荷耦合元件檢測在 TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置，該缺陷位置檢測電路則記錄對應該缺陷位置的一位置坐標信號；一取向膜缺陷去除裝置，根據該位置坐標信號，去除在TFT/CF基板上的該缺陷位置上的缺陷，以形成一針孔；以及一取向膜修復劑塗布裝置，根據該位置坐標信號，將一取向膜修復劑塗布在該針孔上， 對該針孔進行修復。
2.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該缺陷為包覆有微粒的該取向膜。
3.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該針孔是指去除該缺陷後於該取向膜上所形成的缺口。
4.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該取向膜缺陷去除裝置為一等離子體(AP Plasma)裝置。
5.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該取向膜修復劑塗布裝置為一噴印裝置(Inkjet)。
6.如權利要求5所述的取向膜修復系統，其特徵在於該噴印裝置將該取向膜修復劑塗布在該針孔上時，是依據該針孔的面積、該取向膜修復劑的固含量以及目標膜厚為 lOOnm，從而計算出該噴印裝置的滴下量。
7.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該取向膜修復系統還包括一驅動電路。
8.如權利要求7所述的取向膜修復系統，其特徵在於該驅動電路控制該取向膜缺陷去除裝置的移動，其作用為接收該缺陷位置檢測電路檢測到的該位置坐標信號，將該取向膜缺陷去除裝置移動至該缺陷位置上方，以去除在TFT/CF基板上的該缺陷位置上的取向膜和微粒。
9.如權利要求7所述的取向膜修復系統，其特徵在於所述的驅動電路控制該取向膜修復劑塗布裝置的移動，其作用為接收該缺陷位置檢測電路檢測到的該位置坐標信號，將該取向膜修復劑塗布裝置移動至該缺陷位置上方，以將該取向膜修復劑塗布在該針孔上， 對該針孔進行修復。
10.如權利要求1所述的取向膜修復系統，其特徵在於該取向膜缺陷去除裝置還可對該取向膜上的該針孔缺陷進行改性，改善該針孔缺陷產生區域基板表面的貼合性。
全文摘要
一種取向膜修復系統，包括一檢查裝置，包含一電荷耦合元件及一缺陷位置檢測電路，電荷耦合元件檢測在TFT/CF基板上的一取向膜的一缺陷位置，缺陷位置檢測電路則記錄對應缺陷位置的一位置坐標信號；一取向膜缺陷去除裝置，根據位置坐標信號，去除在TFT/CF基板上的缺陷位置上的缺陷，以形成一針孔；以及一取向膜修復劑塗布裝置，根據位置坐標信號，將一取向膜修復劑塗布在針孔上，對針孔進行修復。
文檔編號G02F1/1337GK102402074SQ20111039919
公開日2012年4月4日 申請日期2011年12月5日 優先權日2011年12月5日
發明者宋玉 申請人:深圳市華星光電技術有限公司