反相器的製造方法
2023-10-08 07:26:34 1
反相器的製造方法
【專利摘要】本發明提出一種反相器，包括：N型無結型場效應電晶體，其中，N型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構；P型無結型場效應電晶體，其中，P型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構，N型無結型場效應電晶體與P型無結型場效應電晶體平行放置，N型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區與P型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區通過隔離層隔開；隔離層，隔離層的厚度為2-50nm，用於將N型無結型場效應電晶體與P型無結型場效應電晶體電隔離。本發明的反相器通過利用組成反相器兩電晶體之間的類似側柵現象減少傳播延時，優化反相器性能，減少反相器所佔的晶片的面積。
【專利說明】反相器
【技術領域】
[0001]本發明屬於微電子器件領域，具體涉及一種反相器。
【背景技術】
[0002]眾所周知，反相器是所有數字設計的核心，許多複雜的數字電路如乘法器、處理器這樣的模塊均由反相器構成。現有的反相器的基本構成由一個P型MOSFET和一個n型MOSFET組成，一直以來，常規意見都認為為了避免相互幹擾，應該使構成反相器的兩個電晶體之間的距離儘可能的遠離彼此。但最新研究表明，n型溝道與p型溝道中的電勢變化情況會對彼此的電學特性起到促進作用。例如，在輸入從0到I的翻轉過程中，p型MOSFET溝道的電勢將從0變化到I。此時，p型溝道透過隔離層與n型溝道之間的耦合形成了一個側柵，對n型MOSFET的開啟起到了促進作用，加速了反向器的翻轉。同時，在輸入從I到0的翻轉中也是如此。
[0003]發展至今，集成電路中絕大多數邏輯器件依然是盡在襯底表面呈現二維排布的。雖然器件的尺寸在不斷縮小，但是器件的集成密度依然不高，尤其是對於存儲器類晶片來說，集成密度遠遠不夠。正因如此，三維集成日益成為學術界和工業界的研究的熱點。三維集成工藝，以及如何高效的堆疊器件也成為了研究的熱點問題。本發明，可以應用在三維集成中，通過器件的堆疊，不僅僅減少了邏輯門的面積，同時也提高了邏輯門的延遲、功耗等性能。
【發明內容】
[0004]本發明旨在至少在一定程度上解決上述技術問題之一或至少提供一種有用的商業選擇。為此，本發明的目的在於提出一種具有結構簡單、節約器件空間的優點的反相器。
[0005]為實現上述目的，根據本發明一個實施例的反相器，包括:N型無結型場效應電晶體，其中，所述N型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構；P型無結型場效應電晶體，其中，所述P型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構，所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體平行放置，所述N型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區與所述P型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區通過隔離層隔開；所述隔離層，所述隔離層的厚度為2-50nm，用於將所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體電隔尚。
[0006]上述實施例的反相器巧妙地利用了組成反相器兩電晶體之間的相互影響(即一種側柵的現象)來減少反相器的傳播延時，優化反相器性能，並且極大地減少了反相器兩電晶體之間的隔離厚度。同時，減少反相器所佔的晶片的面積，如果再利用三維堆疊的方式可以提高集成密度。
[0007]本發明實施例的反相器還可以具有如下附加技術特徵:
[0008]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極與所述P型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極緊鄰。[0009]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極與所述P型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極通過所述隔離層隔開。
[0010]在本發明的一個實施例中，所述的隔離層為單晶的BeO、(GdhErx) 203、(GdhNdx)2O^ (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3' (Er1^xLax) 203 中的一種或多種的組合，其中X的取值範圍為0-1。
[0011]在本發明的一個實施例中，所述的隔離層為多晶或非晶的BeO、SiO2、(GdhErx) 203、(GdhNdx)2O^ (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3' (Er1^xLax) 203 中的一種或多種的組合，其中X的取值範圍為0-1。
[0012]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體的溝道長度與所述P型無結型場效應電晶體的溝道長度均小於30nm。
[0013]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體中所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且所述P型無結型場效應電晶體中沿著溝道方向的所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等。
[0014]為實現上述目的，本發明另一實施例的反相器，包括:N型無結型場效應電晶體，其中，所述N型無結型場效應電晶體為無結型三柵結構；P型無結型場效應電晶體，其中，所述P型無結型場效應電晶體為無結型三柵結構，所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體平行放置，且所述N型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區的無柵面與所述P型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區的無柵面相對並通過隔離層隔開；所述隔離層，所述隔離層的厚度為2-50nm，用於將所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應晶體 管電隔離。
[0015]上述實施例的反相器巧妙地利用了組成反相器兩電晶體之間的相互影響(即一種側柵的現象)來減少反相器的傳播延時，優化反相器性能，並且極大地減少了反相器兩電晶體之間的隔離厚度。同時，減少反相器所佔的晶片的面積，如果再利用三維堆疊的方式可以提高集成密度。
[0016]本發明實施例的反相器還可以具有如下附加技術特徵:
[0017]在本發明的一個實施例中，所述的隔離層為單晶的BeO、(GdhErx) 203、(GdhNdx)2O^ (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3' (Er1^xLax) 203 中的一種或多種的組合，其中X的取值範圍為0-1。
[0018]在本發明的一個實施例中，所述的隔離層為多晶或非晶的Be(KSiO2JGdhErx)2Oy(GdhNdx)2O^ (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3' (Er1^xLax) 203 中的一種或多種的組合，其中X的取值範圍為0-1。
[0019]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體的溝道長度與所述P型無結型場效應電晶體的溝道長度均小於30nm。
[0020]在本發明的一個實施例中，所述N型無結型場效應電晶體中所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且所述P型無結型場效應電晶體中沿著溝道方向的所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等。
[0021]本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0023]圖1是本發明第一實施例的反相器的結構示意圖；
[0024]圖2是本發明第二實施例的反相器的結構示意圖；
[0025]圖3是本發明第三實施例的反相器的結構示意圖；
[0026]圖4是本發明實施例的反相器的核心部分的結構示意圖，其中(a)為立體示意圖，(b)為俯視圖，(C)為前視圖，Cd)為側視圖；
[0027]圖5是本發明實施例的反相器的工作原理圖；
[0028]圖6是本發明實施例的反相器的總延時時間-隔離層厚度曲線圖；
[0029]圖7是本發明實施例的反相器的靜態功耗-隔離層厚度曲線圖。
【具體實施方式】
[0030]下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
[0031]在本發明的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「縱向」、「橫向」、「長度」、「寬度」、「厚度」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」 「內」、「外」、「順時針」、「逆時針」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0032]此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明的描述中，「多個」的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0033]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」、「固定」等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0034]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之「上」或之「下」可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
[0035]如【背景技術】中所說的，現有技術認為構成反相器的兩個電晶體之間的距離儘可能的遠離彼此。而本發明提出一種全新的雙柵無結場效應電晶體構成的反相器來推翻這種技術偏見。本發明的反相器的兩電晶體之間的隔離層厚度薄達2nm，該厚度與柵介質厚度相當。與傳統反相器相比，該反相器巧妙地利用了組成反相器兩電晶體之間的相互影響(即一種側柵的現象)來減少反相器的傳播延時，並且極大地減少了反相器兩電晶體之間的隔離厚度。同時，如果再利用三維堆疊的方式可以提高集成密度。這種反相器的構成方法同時也引導我們將反相器視為一個整體器件，而不是兩個獨立器件(即電晶體)組成的系統。本發明的反相器通過利用組成反相器兩電晶體之間的類似側柵現象減少傳播延時，優化反相器性能，減少反相器所佔的晶片的面積。
[0036]圖1是本發明第一實施例的反相器的結構示意圖，該反相器包括:N型無結型場效應電晶體10、P型無結型場效應電晶體20和隔離層30。其中，N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20均為無結雙柵結構。N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20平行放置，二者的柵介質及柵極緊鄰，二者的源區、漏區及溝道區通過隔離層30隔開。隔離層30的厚度為2-50nm，用於將N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20電隔離。
[0037]圖2是本發明第二實施例的反相器的結構示意圖，該反相器包括:N型無結型場效應電晶體10、P型無結型場效應電晶體20和隔離層30。其中，N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20均為無結雙柵結構。N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20平行放置，二者的柵介質、柵極、源區、漏區及溝道區通過隔離層30隔開。隔離層30的厚度為2-50nm，用於將N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20電隔離。
[0038]圖3是本發明第三實施例的反相器的結構示意圖，該反相器包括:N型無結型場效應電晶體10、P型無結型場效應電晶體20和隔離層30。其中，N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20均為無結三柵結構。N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20平行放置，且二者的源區、漏區及溝道區的無柵面相對並通過隔離層30隔開。隔離層30的厚度為2-50nm，用於將N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20電隔離。需要說明的是，儘管圖3中示出了實施例的反向器中的N型無結型場效應電晶體10的柵介質及柵極與P型無結型場效應電晶體20的柵介質及柵極通過隔離層30隔開，但這僅是出於示例的方便，而非限定。該實施例的反向器中的N型無結型場效應電晶體10的柵介質及柵極與P型無結型場效應電晶體20的柵介質及柵極也可以是緊鄰的。
[0039]圖1至圖3示出的本發明實施例的反相器在工作時，與常規反相器類似:將N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20的柵極接輸入電壓Vin，N型無結型場效應電晶體10的源極接地Vgnd，P型無結型場效應電晶體20的源極接電源電壓Vdd，以N型無結型場效應電晶體10的漏極與P型無結型場效應電晶體20的漏極為輸出端，接後級電路的輸入端，例如可以用一個電容C代替後級電路。
[0040]為了使本領域技術人員更好地理解本發明的結構，圖4示出了本發明實施例的反相器的共有的核心結構的細節，其中(a)為立體示意圖，(b)為俯視圖，(c)為前視圖，Cd)為側視圖。如圖4所示，其中，N型無結型場效應電晶體10包括第一溝道區110、第一源極120、第一漏極130、第一柵介質140和第一柵極150，P型無結型場效應電晶體20包括第二溝道區210、第二源極220、第二漏極230、第二柵介質240和第二柵極250。
[0041 ] 由上可知，本發明的反相器本質上即兩個互補的無結場效應管近距離平行排列並且電隔離。雙柵/三柵無結電晶體相對於單柵電晶體而言有更好的柵控制能力；相對於環柵結構或者Fin結構，通過調節寬長比來調節電流時，閾值電壓幾乎不受影響，並且比Fin結構的製造工藝要簡單的多。下面結合圖5說明本發明原理。
[0042]一方面，從圖5中可以直觀的看出當隔離層厚度減小到一定程度時，由於溝道的高摻雜濃度，N型無結型場效應電晶體(n幾)和P型無結型場效應電晶體(p幾)的溝道彼此形成一個側柵的作用。PJL溝道摻雜類型和n幾柵的摻雜類型相同，在沒有外加電壓的情況下，PJL的溝道對nJL的作用和nJL的柵的作用一樣，同理所以nJL的溝道對pJL的作用和PJL的柵的作用一樣。當柵壓從高到低翻轉時，當柵壓保持在高電平即1.2V時，pJL截止，nJL導通，這時，nJL的溝道對地電壓為0V，如果H較小，這個「側柵」使得pJL中通過的空穴電流增大，造成靜態功耗相對H較大的反相器更大；而當輸入電壓由高電平到低電平變化時(從1.2V變到OV時)，由於pJL截止時本身通過的較大空穴電流已經使pJL處於預導通狀態，所以在輸入電壓突變時，PJL更容易從截止狀態變到導通狀態，由高到低的翻轉延遲減小。當柵壓從低到高翻轉時，當柵壓保持在低電平即OV時，nJL截止，pJL導通，這時，PJL的溝道對地電壓為1.2V，如果H較小，這個「側柵」使得nJL中通過的電子電流增大，造成靜態功耗相對H較大的反相器更大；而當輸入電壓由低電平到高電平變化時(從OV變到
1.2V時)，由於nJL截止時本身通過的較大電子電流已經使nJL處於預導通狀態，所以在輸入電壓突變時，nJL更容易從截止狀態變到導通狀態，由低到高的翻轉延遲減小。
[0043]另一方面，從仿真的電流結果來說，我們看到靜態電流值隨著H的減小而增大。並且較大的靜態電流會是截止的管子打開的速度較快。因此我們可以得出這個反相器的側柵作用可以提供一個新的靜態功耗和電路延遲的折中。
[0044]從以上分析我們可以得出，構成反相器的兩電晶體的溝道對彼此形成了一種「側柵」效應，這個效應使得當`隔離層厚度減小時，反相器的延遲性能變好，而反相器的功耗卻變差。
[0045]在本發明的一個實施例中，隔離層30的材料可以為單晶的BeO、(GdhErx)203、(GdhNdx)2O^ (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3' (Er1^xLax) 203 中的一種或多種的組合，其中X的取值範圍為0-1。在製造三維晶片的過程中，多個反相器的隔離層30會在垂直於襯底表面的方向上堆疊。如果使用非晶材料或者多晶材料的隔離層，那麼在隔離層30與相鄰的N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20接觸面上存在較多的缺陷，會對溝道的遷移率產生損傷。而採用單晶材料的隔離層30，可以利用外延的方法直接在在隔離層30上生長單晶半導體材料，這樣不僅簡化工藝，易於形成多層溝道層的堆疊的三維結構，同時也極大的提高溝道材料的質量，進而提高器件的驅動能力。優選地，隔離層30可以採用單晶結構的BeO等材料，BeO具有非常高的熱導率，可以提高晶片的散熱能力。
[0046]在本發明的一個實施例中，隔離層30的材料可以為多晶或非晶的BeO、SiO2,(GdhErx)2O3' (GdhNdx)2O3' (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (Pr1^xNdx) 203> (PivxGdx)2O3'(Er1^xLax)2O3中的一種或多種的組合，其中x的取值範圍為0_1。
[0047]在本發明的一個實施例中，N型無結型場效應電晶體10與P型無結型場效應電晶體20的溝道厚度均小於30nm。當溝道厚度足夠小時，柵極才能將溝道耗盡。
[0048]在本發明的一個實施例中，隔離層的厚度優選為2-10nm。[0049]在本發明的一個實施例中，N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20的源區、漏區及溝道區的材料可以為高濃度摻雜的單晶矽，柵極的材料為低濃度摻雜的多晶矽、功函數匹配的金屬或合金中的一種或多種的組合。
[0050]N型無結型場效應電晶體10中所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且P型無結型場效應電晶體20中沿著溝道方向的源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且摻雜濃度大於1018cm_3。較高的摻雜濃度可以減小器件的導通電阻，提高電流驅動能力。需要說明的是，N型無結型場效應電晶體10和P型無結型場效應電晶體20中沿著垂直溝道方向也可以為漸變摻雜。因為器件對遠離柵的溝道部分的控制能力較弱，是關態漏電流比較集中的地方，為了提高對遠離柵的溝道部分的控制能力，在離柵極較近的溝道區域會使用較低的摻雜濃度。這樣可以幫助耗盡層擴散到更遠的溝道區域，與此同時，在溝道最先導通的區域使用相對較高的摻雜濃度可以提高器件的電流驅動能力。
[0051]為使本領域技術人員更好地理解本發明，下面給出具體實施例做進一步說明。
[0052]綜上所述，本發明的反相器通過利用組成反相器兩電晶體之間的類柵現象減少傳播延時，優化反相器性能，減少反相器所佔的晶片的面積。
[0053]為了研究本發明的反相器的延遲及功耗，我們利用SENTAURUS TCAD軟體對表1中的本發明的反相器進行三維仿真。
[0054]表1本實驗的無結電晶體的參數
【權利要求】
1.一種反相器，其特徵在於，包括: N型無結型場效應電晶體，其中，所述N型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構； P型無結型場效應電晶體，其中，所述P型無結型場效應電晶體為無結型雙柵結構，所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體平行放置，所述N型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區與所述P型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區通過隔離層隔開； 所述隔離層，所述隔離層的厚度為2-50nm，用於將所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體電隔離。
2.如權利要求1所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極與所述P型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極緊鄰。
3.如權利要求1所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極與所述P型無結型場效應電晶體的柵介質及柵極通過所述隔離層隔開。
4.如權利要求1-3任一項所述的反相器，其特徵在於，所述的隔離層為單晶的Be。、(GdhErx)2O3' (Gd1^xNdx) 203> (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3'(Er1^xLax)2O3中的一種或多種的組合，其中x的取值範圍為0_1。
5.如權利要求1-3任一項所述的反相器，其特徵在於，所述的隔離層為多晶或非晶的 Be。、Si02、(Gdh Erx)2Op (Gd1^xNdx) 203> (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3'(PiVxGdx)2C^ (Er1^xLax)2O3中的一種或多種的組合，其中x的取值範圍為0_1。
6.如權利要求1-3任一項所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體的溝道長度與所述P型無結型場效應電晶體的溝道長度均小於30nm。
7.如權利要求1-3任一項所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體中所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且所述P型無結型場效應電晶體中沿著溝道方向的所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等。
8.一種反相器，其特徵在於，包括: N型無結型場效應電晶體，其中，所述N型無結型場效應電晶體為無結型三柵結構； P型無結型場效應電晶體，其中，所述P型無結型場效應電晶體為無結型三柵結構，所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體平行放置，且所述N型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區的無柵面與所述P型無結型場效應電晶體的源區、漏區及溝道區的無柵面相對並通過隔離層隔開； 所述隔離層，所述隔離層的厚度為2-50nm，用於將所述N型無結型場效應電晶體與所述P型無結型場效應電晶體電隔離。
9.如權利要求8所述的反相器，其特徵在於，所述的隔離層為單晶的Be0、(GcVxErx)2O3' (GdhNdx)2O3' (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (Pr1^xNdx) 203> (PivxGdx)2O3'(Er1^xLax)2O3中的一種或多種的組合，其中x的取值範圍為0_1。
10.如權利要求8所述的反相器，其特徵在於，所述的隔離層為多晶或非晶的BeO、Si02、(GdhErx)2O3' (Gd1^xNdx) 203> (EivxNdx)2O3' (PivxLax)2O3' (PivxNdx)2O3' (PivxGdx)2O3'(Er1^xLax)2O3中的一種或多種的組合，其中x的取值範圍為0_1。
11.如權利要求8所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體的溝道長度與所述P型無結型場效應電晶體的溝道長度均小於30nm。
12.如權利要求8所述的反相器，其特徵在於，所述N型無結型場效應電晶體中所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等，並且所述P型無結型場效應電晶體中沿著溝道方向的所述源區、漏區及溝道區沿著溝道方向的摻雜濃度相等。
【文檔編號】H03K19/094GK103812501SQ201410049719
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月13日 優先權日:2014年2月13日
【發明者】劉立濱, 李為民, 王敬, 許軍 申請人:清華大學