晶片清洗設備的製作方法

2023-10-09 00:00:44

專利名稱：晶片清洗設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一種晶片清洗設備、特別是用於太陽能矽 片的清洗設備。
背景技術：
傳統的矽片清洗機在清洗室和烘乾室之間直接氣體連通，矽片清洗之後被放到傳 輸部上運輸入烘乾室中。由於烘乾室的進料口處非完全密封，大量的氣體將很容易從清洗 室進入烘乾室中，這時，含有大量清洗用化學品的氣體將會造成已清洗完成的矽片表面的 汙染，導致清洗不完全。另外，由於烘乾室的出料口處也非密封，因此，外部空氣也很容易進 入烘乾室中汙染矽片表面。

實用新型內容有鑑於此，需要提供一種晶片清洗設備，該晶片清洗設備可以降低清洗室和外部 空氣對後續乾燥過程中對晶片造成的汙染。根據本實用新型的實施例的晶片清洗設備，包括清洗室；烘乾室，所述烘乾室與 所述清洗室相鄰設置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘乾室而設置，用於將待清洗晶片 從清洗室傳輸至烘乾室，其中所述烘乾室進一步包括用於運入和運出所述待清洗晶片的 進料口和出料口，所述傳輸部通過進料口 ；至少一個進風口，所述進風口設置在所述傳輸部 的上方；與所述進風口相對應的至少一個加熱器，用於加熱供給的氣體；設置在所述傳輸 部與進風口的相對一側的抽風口，用於排出烘乾室內的氣體；和第一氣體導流件，所述第一 氣體導流件設置在貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處且位於抽風口的一側、與所述傳輸部 相鄰，用於阻止來自清洗室的氣流從貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處流入烘乾室。根據本實用新型的晶片清洗設備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學用 品的氣體進入烘乾室中而降低對後續乾燥過程中對晶片造成的汙染，還可以降低外部空氣 在後續乾燥過程中對晶片造成的汙染，清洗效果好，設備結構簡單。根據本實用新型的實施例的晶片清洗設備還具有如下附加特徵所述烘乾室進一步包括至少一個與所述加熱器相對設置的過濾器，用於過濾被 加熱的氣體。在本實用新型的一種實施方式中，所述第一氣體導流件中的設置方向平行於所述 傳輸部的傳輸方向。烘乾室中的被加熱的氣體形成的熱風由於第一氣體導流件的阻擋作用 在傳輸部的上遊部分形成了一個封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風口，以便於形成了流向 清洗室的氣流，從而阻止氣流從清洗室流向烘乾室。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第一氣體導流件靠近上遊的一端與所述 傳輸部的距離不小於所述第一氣體導流件遠離上遊的另外一端與所述傳輸部的距離。這 樣，被加熱的氣體在上遊部分的上方向下運動到傾斜的第一氣體導流件上時，由於反射作 用而被第一氣體導流件反射到進料口處從而形成了流向清洗室的氣流，使得在傳輸部的上遊部分更為有效地阻止氣流從清洗室流向烘乾室，防止從清洗室流出的空氣對待烘乾的晶 片的表面產生玷汙。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第一氣體導流件與傳輸部之間的夾角為 5-30度或者10-60度。所述烘乾室進一步包括第二氣體導流件，所述第二氣體導流件設置在貫穿所述 烘乾室的傳輸部的上遊處且在豎直方向上位於抽風口的一側，所述第二氣流導流件垂直於 所述傳輸部的傳輸方向。第二氣體導流件的設置，也是為形成從烘乾室流向清洗室的氣流， 從而達到阻止清洗室流入烘乾室的氣流，防止清洗室中的髒氣流進入烘乾室帶來對晶片表 面的玷汙。所述烘乾室進一步包括第三氣體導流件，所述第三氣體導流件設置在貫穿所述 烘乾室的傳輸部的下遊處且豎直方向上位於抽風口的一側、與所述傳輸部相鄰，用於阻止 烘乾室外部的氣流從貫穿所述烘乾室的傳輸部的下遊處流入烘乾室。這樣，烘乾室中的被 加熱的氣體形成的熱風由於第三氣體導流件的阻擋作用在傳輸部的下遊部分形成了一個 封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風口，以便於形成了流向出料口的氣流，從而可阻止氣流從 外部流向烘乾室進而玷汙烘乾室中的待烘乾晶片。所述第三氣體導流件中的設置方向平行於所述傳輸部的傳輸方向。所述第三氣體導流件靠近下遊的一端與所述傳輸部的距離不小於所述第三氣體 導流件遠離下遊的另外一端與所述傳輸部的距離。這樣，被加熱的氣體在下遊部分的上方 向下運動到傾斜的第三氣體導流件上時，由於反射作用而被第三氣體導流件反射到出料口 處從而形成了流出烘乾室的氣流，使得在傳輸部的下遊部分更為有效地阻止氣流從外部流 入烘乾室，防止從外界空氣對待烘乾的晶片的表面產生玷汙。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第三氣體導流件與傳輸部之間的夾角為 5-30度或者10-60度。所述烘乾室進一步包括第四氣體導流件，所述第四氣體導流件設置在貫穿所述 烘乾室的傳輸部的下遊處且位於抽風口的一側，且所述第四氣體導流件中的設置方向垂直 於所述傳輸部的傳輸方向。第四氣體導流件的設置，也是為形成從烘乾室流向出料口的氣 流，從而達到阻止從外部流入烘乾室的氣流，防止外部空氣進入烘乾室帶來對晶片表面的 玷汙。在本實用新型的再一種實施方式中，所述第一氣體導流件中的設置方向垂直於所 述傳輸部的傳輸方向。貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處的上方設置有進風口。貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處的上方設置有加熱器。貫穿所述烘乾室的傳輸部的下遊處的上方設置有進風口。貫穿所述烘乾室的傳輸部的下遊處的上方設置有加熱器。所述烘乾室設有3-4個進風口，分別設置在所述烘乾室的頂部或者側上方。所述抽風口處設置有抽風機，所述抽風機用於將抽送的氣體返回到所述進風口 處。所述烘乾室進一步設置有壓縮氣體供給口，用於向所述烘乾室內供給壓縮氣體， 以保持烘乾室內氣體量的平衡，所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮氣或者不與晶片反應的任何其他氣體。本實用新型附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述 中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

本實用新型的上述和/或附加的方面和優點從
以下結合附圖對實施例的描述中 將變得明顯和容易理解，其中圖1為根據本實用新型的晶片清洗設備的烘乾室的實施例一的第一個示例的內 部示意圖，其中，第一氣體導流件241的設置方向與沿縱向方向平行；圖2為圖1中所示的烘乾室的實施例一的第二個示例的內部示意圖，其中，第一氣 體導流件241的設置方向傾斜；圖3為圖1中所示的烘乾室的實施例一的第三個示例的內部示意圖，其中，第一氣 體導流件241的設置方向垂直；圖4為根據本實用新型的晶片清洗設備的烘乾室的實施例二的內部示意圖；圖5為根據本實用新型的晶片清洗設備的烘乾室的實施例三、四的內部示意圖， 其中，第三氣體導流件243的設置方向與縱向方向平行；圖6為圖5中所示的烘乾室的實施例三、四的內部示意圖，其中，第三氣體導流件 243的設置方向傾斜；以及圖7為根據本實用新型的晶片清洗設備的結構示意圖。
具體實施方式
下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始 至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參 考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的 限制。在本實用新型的描述中，術語「內」、「外」、「上」、「下」、「上遊」、「下遊」等指示的方
位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本實用新型而不是要 求本實用新型必須以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。在本 實用新型的描述中，術語「橫向」指的是垂直於圖紙面的方向，「縱向」指的是沿傳輸部的傳 輸方向，而「豎向」指的是圖中上下方向。另外，附圖中的箭頭表示氣體流向。下面將參考圖1-圖7來說明根據本實用新型的晶片清洗設備。如圖1-圖6所示，根據本實用新型的實施例的晶片清洗設備，包括清洗室1、與清 洗室1相鄰設置的烘乾室2和傳輸部3。其中，傳輸部3貫穿烘乾室2而設置，用於將待清 洗晶片從清洗室1傳輸至烘乾室2。其中，晶片8放在在承載籃7上，而承載籃7放在清洗 框6中，該清洗框6被傳輸部3從清洗室1運輸到烘乾室2中。如圖1-7所示，烘乾室2包括用於運入和運出待清洗晶片8的進料口 27和出料口 28、至少一個進風口 21、與進風口 21相對應的至少一個加熱器22、抽風口 23和氣體導流 件。貫穿烘乾室2的傳輸部通過進料口 27進入烘乾室2，而後通過出料口 28。在本實用新型的一個示例中，傳輸部可以為在烘乾室2中進行循環運動的傳輸帶3，因此，置有清 洗後待烘乾的晶片8的清洗框6被放置在傳輸帶3的上層傳輸帶31上，並從清洗室1中被 運輸入烘乾室2中，而後晶片8被烘乾後被運出烘乾室2並出料。至少一個進風口 21設置在傳輸部3的上方，例如可以為1個。在本實用新型的一 個示例中，進風口 21設置在貫穿烘乾室2的傳輸部3的上遊處的上方。而在本實用新型的 另一個示例中，進風口 21設置貫穿烘乾室2的傳輸部3的下遊處的上方。進風口 21例如 也可以為3-4個，分別設置在烘乾室2的頂部或者側上方。至少一個加熱器22設置在傳輸部的上方且位於進風口 21的下方用於加熱烘乾室 2內從進風口 21供給的氣體。在本實用新型的一些示例中，加熱器設置在貫穿烘乾室2的 傳輸部3的上遊處的上方。在本實用新型的另一些示例中，加熱器設置在貫穿烘乾室2的 傳輸部3的下遊處的上方。抽風口 23設置在所述傳輸部與進風口 21的相對一側，即圖中以進料口為界分成 的上下兩側中的下側。抽風口 23處設置有抽風機(圖未示)，該抽風機用於排出烘乾室2 內的氣體並又送至進風口，從而使得熱風在烘乾室2中內部循環。在本實用新型的一個示例中，烘乾室2中還進一步包括至少一個與加熱器22相對 設置的過濾器25。至少一個過濾器25與至少一個加熱器22均相對應，且過濾器25設在加 熱器的正對下方用於過濾吹到晶片上的被加熱的氣體。另外，可選地，在烘乾室2上還形成有壓縮氣體供給口 26，從而可採用壓縮氣體對 烘乾室2內進行補風，以保持烘乾室2內氣體量的平衡。所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮 氣或者不與晶片反應的任何其他氣體。壓縮氣體供給口 26例如可以設置在烘乾室2的下 部且位於傳輸部3的下方，也可以設置在烘乾室2的上部且位於過濾器25上方。下面將通過四個實施例來進行具體說明氣體導流件的設置。實施例一在本實施例中，設置有第一氣體導流件241，如圖1-圖3所示。第一氣體導流件241設置在貫穿烘乾室2的傳輸部3的上遊處且在豎直方向上位 於抽風口 23的一側、與傳輸部3相鄰，例如圖中位於進料口 27下方且傳輸部3的旁邊，用 於阻止來自清洗室1的氣流從貫穿烘乾室2的傳輸部3的上遊處流入烘乾室2。這樣，烘乾 室2中的被加熱的氣體形成的熱風由於第一氣體導流件241的作用在傳輸部3的上遊部分 形成了一個封閉空間，以便於形成了流向清洗室1的氣流，從而阻止氣流從清洗室1流向烘 幹室2。在本實用新型的第一個示例中，第一氣體導流件241中的設置方向平行於傳輸部 3的傳輸方向(即縱向方向)，如圖1所示。在本實用新型的第二個示例中，第一氣體導流件241靠近上遊的一端與傳輸部3 的距離不小於第一氣體導流件241遠離上遊的另外一端與傳輸部3的距離，由此，在第一氣 體導流件241與縱向方向水平線之間形成了一個銳角夾角α，如圖2所示，這樣，被加熱的 氣體在上遊部分的上方向下運動到傾斜的第一氣體導流件241上時，由於反射作用而被第 一氣體導流件241反射到進料口 27處從而形成了流向清洗室1的氣流，使得在傳輸部3的 上遊部分更為有效地阻止氣流從清洗室1流向烘乾室2，防止從清洗室1流出的空氣對待烘 幹的晶片8的表面產生玷汙。根據本實用新型的一個實施例，該夾角α的範圍可為5-30度。根據本實用新型的另外一個實施例，所述角度α可以為10-60度。當然，在本實用新型的第三個示例中，第一氣體導流件241中的設置方向垂直於 傳輸部3的傳輸方向，如圖3所示。另外，在本實施例中，壓縮氣體供給口 26是可選地，可採用壓縮氣體對烘乾室2內 進行補風，以保持烘乾室2內氣體量的平衡。實施例二 在本實施例中，除了第一氣體導流件241外，烘乾室2還進一步包括第二氣體導流 件242，如圖4所示。第二氣體導流件242設置在貫穿烘乾室2的傳輸部3的上遊處且位於抽風口 23的 一側，即圖4中位於進料口 27下方且傳輸部3的旁邊，第二氣流導流件垂直於傳輸部3的 傳輸方向。在本實施例中，第一氣體導流件241和第二氣體導流件242可以同時採用，也可以 只採用其中的一個，目的均為形成從烘乾室2流向清洗室1的氣流，從而達到阻止清洗室1 流入烘乾室2的氣流，防止清洗室中的髒氣流進入烘乾室2帶來對晶片表面的玷汙。但值 得注意的是，前述實施例一的第三個示例中的垂直於傳輸部3的傳輸方向設置的第一氣體 導流件241單獨採用即可，而不需要同時採用第二氣體導流件242。同實施例一，在本實施例中，壓縮氣體供給口 26是可選的。實施例三在本實施例中，在前述實施例一、二的基礎上，烘乾室2進一步包括第三氣體導流 件243，如圖5和圖6所示。第三氣體導流件243設置在貫穿烘乾室2的傳輸部3的下遊處且在豎直方向上位 於抽風口 23的一側、與傳輸部3相鄰，即位於出料口 28下方且傳輸部3的旁邊，用於阻止 烘乾室2外部的氣流從貫穿烘乾室2的傳輸部3的下遊處流入烘乾室2。這樣，烘乾室2中 的被加熱的氣體形成的熱風由於第三氣體導流件243的作用在傳輸部3的下遊部分形成了 一個封閉空間，以便於形成了流向出料口 28的氣流，從而可阻止氣流從外部流向烘乾室2 進而玷汙烘乾室2中的待烘乾晶片8。在本實用新型實施例的一個示例中，第三氣體導流件243中的設置方向平行於傳 輸部3的傳輸方向。如圖5所示。在本實用新型實施例的另一個示例中，第三氣體導流件243靠近下遊的一端與傳 輸部3的距離不小於第三氣體導流件243遠離下遊的另外一端與傳輸部3的距離，如圖6 中所示。由此，在第三氣體導流件243與縱向方向水平線之間形成了一個夾角β，如圖6 所示，這樣，被加熱的氣體在下遊部分的上方向下運動到傾斜的第三氣體導流件243上時， 由於反射作用而被第三氣體導流件243反射到出料口 28處從而形成了流出烘乾室2的氣 流，使得在傳輸部3的下遊部分更為有效地阻止氣流從外部流入烘乾室2，防止從外界空氣 對待烘乾的晶片8的表面產生玷汙。根據本實用新型的一個實施例，該夾角β的範圍可為 5-30度。根據本實用新型的另外一個實施例，所述夾角β可以為10-60度。在本實施例中，在烘乾室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可採用壓縮氣體對烘乾 室2內進行補風，以保持烘乾室2內氣體量的平衡。實施例四[0065]在本實施例中，在前述實施例三的基礎上，烘乾室2還進一步包括第四氣體導流 件244，如圖5-圖6所示。第四氣體導流件244設置在貫穿烘乾室2的傳輸部3的下遊處且在豎直方向上位 於抽風口 23的一側，即圖中位於出料口 28下方且傳輸部3的旁邊。第四氣體導流件244 中的設置方向垂直於傳輸部3的傳輸方向。在本實施例中，第三氣體導流件243和第四氣體導流件244可以同時採用，也可以 只採用其中的一個，目的均為形成從烘乾室2流向外部的氣流，從而達到阻止外部空氣反 流入烘乾室2的氣流，防止外部空氣進入烘乾室2帶來對晶片表面的玷汙。在本實施例中，在烘乾室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可採用壓縮氣體對烘乾 室2內進行補風，以保持烘乾室2內氣體量的平衡。在本實用新型的上述多個實施例中，實施例三和四可更有效地過濾烘乾室2內的 空氣，可用於清洗室1內的氣體中含有大量清洗用化學用品或烘乾室2外部空氣較髒的情 況。而對於烘乾室2外部空氣較為乾淨的情況下，採用實施例一和實施例二即可達到效果。下面以實施例四為例來說明根據本實用新型的晶片清洗設備的烘乾室中的工作 過程，其中，以第一和第三氣體導流件的設置方向傾斜為例來進行說明。如圖7所示，首先，當待烘乾的晶片8通過承載籃7和放置承載籃7的清洗框6放 到傳輸帶3的上層傳輸帶31上，並從清洗室1中被運輸入烘乾室2中。然後，氣體由進風口 21供入烘乾室2中，並由加熱器22進行加熱，同時，通過過濾 器進行過濾，以對帶烘乾的晶片8進行烘乾作業。同時，被加熱的氣體形成的熱風由於第一氣體導流件241的作用在傳輸部3的上 遊部分形成了一個封閉空間，並且由於第三氣體導流件243的作用在傳輸部3的下遊部分 形成了一個封閉空間，這樣，在傳輸部3的上遊部分和下遊部分分別形成了流向清洗室1的 氣流和流向出料口 28的氣流，從而阻止了清洗室中含有化學品的氣流從清洗室1流向烘乾 室2，同時阻止了外部空氣流入烘乾室2中，由此，避免了對烘乾室2內晶片的汙染。最後，晶片8在烘乾後被運出烘乾室2並出料。此外，如圖7所示，根據本實用新型的晶片清洗設備還可以包括上料臺5和下料臺 5。其中，上料臺5相鄰於清洗室1且位於清洗室的上遊，用於向清洗室內供給待清洗晶片。 而下料臺5與烘乾室2相鄰且位於烘乾室的下遊，用於輸出已清洗及烘乾的晶片。根據本實用新型的晶片清洗設備，可以避免清洗室中含有大量清洗用化學用品的 氣體進入烘乾室中而降低對後續乾燥過程中對晶片造成的汙染，還可以降低外部空氣在後 續乾燥過程中對晶片造成的汙染，清洗效果好，設備結構簡單。根據本實用新型的晶片清洗 設備，例如可用來清洗矽片。任何提及「 一個實施例」、「實施例」、「示意性實施例，，等意指結合該實施例描述的 具體構件、結構或者特點包含於本實用新型的至少一個實施例中。在本說明書各處的該示 意性表述不一定指的是相同的實施例。而且，當結合任何實施例描述具體構件、結構或者特 點時，所主張的是，結合其他的實施例實現這樣的構件、結構或者特點均落在本領域技術人 員的範圍之內。儘管參照本實用新型的多個示意性實施例對本實用新型的具體實施方式
進行了 詳細的描述，但是必須理解，本領域技術人員可以設計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本實用新型原理的精神和範圍之內。具體而言，在前述公開、附圖以及權 利要求的範圍之內，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改 進，而不會脫離本實用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其範圍由所 附權利要求及其等同物限定。
權利要求一種晶片清洗設備，其特徵在於，包括清洗室；烘乾室，所述烘乾室與所述清洗室相鄰設置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘乾室而設置，用於將待清洗晶片從清洗室傳輸至烘乾室，其中所述烘乾室進一步包括用於運入和運出所述待清洗晶片的進料口和出料口，所述傳輸部通過進料口；至少一個進風口，所述進風口設置在所述傳輸部的上方；與所述進風口相對應的至少一個加熱器，用於加熱供給的氣體；設置在所述傳輸部與進風口的相對一側的抽風口，用於排出烘乾室內的氣體；和第一氣體導流件，所述第一氣體導流件設置在貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處且位於抽風口的一側、與所述傳輸部相鄰，用於阻止來自清洗室的氣流從貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處流入烘乾室。
2.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室進一步包括 至少一個與所述加熱器相對設置的過濾器，用於過濾被加熱的氣體。
3.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述第一氣體導流件靠近上遊 的一端與所述傳輸部的距離不小於所述第一氣體導流件遠離上遊的另外一端與所述傳輸 部的距離。
4.根據權利要求1或3所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室進一步包括 第二氣體導流件，所述第二氣體導流件設置在貫穿所述烘乾室的傳輸部的上遊處且在豎直方向上位於抽風口的一側，所述第二氣流導流件垂直於所述傳輸部的傳輸方向。
5.根據權利要求1或3所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室進一步包括 第三氣體導流件，所述第三氣體導流件設置在貫穿所述烘乾室的傳輸部的下遊處且豎直方向上位於抽風口的一側、與所述傳輸部相鄰，用於阻止烘乾室外部的氣流從貫穿所述 烘乾室的傳輸部的下遊處流入烘乾室。
6.根據權利要求5所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述第三氣體導流件靠近下遊 的一端與所述傳輸部的距離不小於所述第三氣體導流件遠離下遊的另外一端與所述傳輸 部的距離。
7.根據權利要求1或3所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室進一步包括 第四氣體導流件，所述第四氣體導流件設置在貫穿所述烘乾室的傳輸部的下遊處且位於抽風口的一側，且所述第四氣體導流件中的設置方向垂直於所述傳輸部的傳輸方向。
8.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述第一氣體導流件中的設置 方向垂直於所述傳輸部的傳輸方向。
9.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，貫穿所述烘乾室的傳輸部的上 遊處的上方設置有進風口。
10.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，貫穿所述烘乾室的傳輸部的上 遊處的上方設置有加熱器。
11.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，貫穿所述烘乾室的傳輸部的下 遊處的上方設置有進風口。
12.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，貫穿所述烘乾室的傳輸部的下 遊處的上方設置有加熱器。
13.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室設有3-4個進風口， 分別設置在所述烘乾室的頂部或者側上方。
14.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述抽風口處設置有抽風機， 所述抽風機用於將抽送的氣體返回到所述進風口處。
15.根據權利要求1所述的晶片清洗設備，其特徵在於，所述烘乾室進一步設置有 壓縮氣體供給口，用於向所述烘乾室內供給壓縮氣體。
專利摘要本實用新型公開了一種晶片清洗設備，包括清洗室；與所述清洗室相鄰設置的烘乾室；以及貫穿所述烘乾室的傳輸部，其中烘乾室進一步包括進料口和出料口；至少一個進風口，設置在傳輸部的上方；與進風口相對應的至少一個加熱器；設置在所述傳輸部與進風口的相對一側的抽風口；和第一氣體導流件，所述第一氣體導流件設置在傳輸部的上遊處且位於抽風口的一側、與所述傳輸部相鄰。根據本實用新型的晶片清洗設備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學用品的氣體進入烘乾室中而降低對後續乾燥過程中對晶片造成的汙染，還可以降低外部空氣在後續乾燥過程中對晶片造成的汙染，清洗效果好，設備結構簡單。
文檔編號H01L31/18GK201699041SQ201020236590
公開日2011年1月5日 申請日期2010年6月17日 優先權日2010年6月17日
發明者王敬, 翟志華 申請人:王敬;江西旭陽雷迪高科技股份有限公司