X光產生裝置的製作方法
2023-10-08 10:59:34 1
專利名稱：X光產生裝置的製作方法
技術領域：
本發明系有關於一種具有X光管等之X光產生裝置。
(2)背景技術X光產生裝置系一種設有用以放出X光之X光管的裝置，大多數利用於醫療或工業用診斷裝置等。就X光管而言，亦因應於X光產生裝置之用途，而有各種變化。例如，當要以X光來檢查受檢查物之細微結構等時，系使用一種叫作微聚焦的X光管，其在X光產生區域所在之陽極靶材上的電子束焦點尺寸為數μm至數十μm(例如參考特開2001-273860號公報)。
上述微聚焦X光管具有一用以將供放出X光之陽極靶材或陰極等配置於各個真空容器內之構造。陰極由用以在加熱器之加熱下產生電子束的陰極電極、控制管電流的柵極電極、以及用以控制陽極靶材上之電子束焦點尺寸的聚焦電極等所構成。
在具有此類構造之X光管中，一般系例如將陰極電極、陽極靶材、或柵極電極設定至接地電位，並施加一特定之(X光)管電壓至陽極靶材上。X光管之動作狀態系藉由例如控制一施加至聚焦電極或柵極電極之電壓而受到調整。若系控制一施加至聚焦電極之電壓的情形，系利用一與用以產生管電壓之陽極靶材用電源分開而設之聚焦電極用電源，來產生一用以施加至聚焦電極之聚焦電壓。
然而，在控制聚焦電壓之方式中，若用以施加至陽極靶材之管電壓，與施加至聚焦電極之聚焦電壓，有脈動等上之變動，將影響到電子束之焦點形狀，而難以形成微小的焦點。亦即，若要將電子束之焦點形狀作到最小，則例如維持圖7之符號P所示之管電壓與聚焦電壓間之比例關係將相當重要。若管電壓與聚焦電壓有變動的話，圖7所示之比例關係將無法保持，而難以形成微小焦點。根據本發明者之實驗，已確認管電壓與聚焦電壓間之比率若變動0.15％以上，將對於焦點直徑有很大的影響。
相對於上述情形，在例如日本特開平7-29532號公報中，則記載有一X光產生裝置，其將聚焦電壓設定於接地電位，並隨著該施加至陽極靶材之電壓變化，而以一定之比率，使該施加至陰極電極之電壓產生變化。藉由此類習知X光產生裝置，由於聚焦電極保持於接地電位而沒有變動，即使該施加至陽極靶材之電壓有脈動產生，亦能保持微小焦點之穩定。
然而，上述公報中所記載之X光產生裝置由於必須將聚焦電極設定於接地電位，因而在裝置構造上之限制相當大。例如，在習知X光產生裝置中，一般雖然系將陽極靶材或柵極電極設定於接地電位，但在此類X光產生裝置上，則無法應用上述公報中所記載之微小焦點形成方法。因此之故，於將陽極靶材或柵極電極設定於接地電位時，將有需要一種可以控制電壓變動所對於電子束微小焦點形成之影響的技術。
又，在微聚焦X光管中，系在陰極電極與柵極電極之間，施加一偏壓電壓，而以該偏壓電壓來控制一使X光產生之電子束電流(管電流)。當應用此類管電流之控制方式時，一般會獨立設置一用以產生該偏壓電壓之電源。
然而，在上述管電流控制方式中，當偏壓電壓用電源發生故障時，X光管內將產生過大的管電流。這樣的過大管電流會導致陽極靶材之熔化等，而招致X光管之特性劣化，甚至破壞等。因此，當以該施加至陰極電極之偏壓電壓，來控制管電流時，將希望能提高其可靠度與安全性等。
本發明之目的在於提供一種即使將陽極靶材或柵極電極設定於接地電位時，亦能抑制電壓變動對於形成電子束焦點之影響的X光產生裝置。本發明之其它目的則在於提供一種當以一施加至陰極電極之偏壓電壓來控制管電流時，能防止過大管電流產生，而藉以提高可靠性或安全性的X光產生裝置。
(3)發明內容本發明所揭第一X光產生裝置包含一陰極電極，用以產生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而放出X光；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；以及一分壓部，用以對該管電壓進行分壓而產生聚焦電壓，再將該聚焦電壓施加至該聚焦電極。
在本發明之X光產生裝置中，由於系對管電壓進行分壓而產生聚焦電壓，因而即使管電壓中有脈動等變動產生，亦能維持管電壓與聚焦電壓間之比例關係。因此，管電壓之變動所對於電子束焦點尺寸之影響即受到抑制，結果，將可以在有比較好之再現性下形成電子束微小焦點。
第一X光產生裝置還具特徵在於在分壓部中對聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，再將該陰極電壓，與該偏壓電壓產生部所產生之偏壓電壓加以合成。在此場合下，分壓部所產生之陰極電壓之大小系被設定成即使有相同大小之電壓被施加在陰極電極與柵極電極間，亦不會有管電壓產生。藉此，將可以提高X光產生裝置之安全性。
本發明所揭第二X光產生裝置包含一陰極電極，用以產生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而放出X光；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；一聚焦電壓產生部，用以產生一供施加至該聚焦電極之聚焦電壓；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；以及一分壓部，用以對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，再將該陰極電壓與該偏壓電壓合成後，施加至該陰極電極。
(4)
圖1顯示本發明之第一實施例所成X光產生裝置之概略構造與電路結構。
圖2顯示本發明之第二實施例所成X光產生裝置之概略構造與電路結構。
圖3為一顯示本發明之實施例中之X光產生裝置之管電壓與聚焦電壓間之關係的特性圖。
圖4為一顯示本發明之第二實施例中之X光產生裝置之偏壓電壓產生部之輸出電壓和管電流間之關係的特性圖。
圖5顯示本發明之第三實施例所成之X光產生裝置之概略構造與電路結構。
圖6顯示本發明之第四實施例所成之X光產生裝置之概略構造與電路結構。
圖7為一顯示X光產生裝置中之管電壓與聚焦電壓間之關係的特性圖。
圖式代表符號說明10 X光管11 真空容器12 陰極13 陽極14 陽極靶材
15陰極電極16加熱器17柵極電極18聚焦電極19管電壓產生部20偏壓電壓產生部21加熱器電壓產生部23聚焦電壓產生部31，41分壓部32管電壓檢測部33管電壓比較部34管電壓控制部35管電流控制部36管電流比較部37偏壓電壓控制部38加熱器電壓控制部(5)具體實施方式
以下，就用以實施本發明之型態作一說明。
圖1為一顯示本發明之第一實施例所成X光產生裝置之構造的圖式。該圖所示之X光產生裝置具有一微聚焦X光管10。微聚焦X光管10整體系由真空容器11所構成，在真空容器11內之其中一側配置有陰極12，而在另一側則配置有陽極13，陽極13具有一陽極靶材14。
陰極12例如包含有用以產生電子束e之陰極電極15、用以加熱陰極電極15之加熱器16、用以控制電子束e之流量(例如管電流)的柵極電極17、以及用以集束電子束e而來控制陽極靶材14上所形成之電子束之焦點形狀的聚焦電極。
在本實施例之X光產生裝置中，柵極電極17系成接地電位G；在陽極靶材14與接地電位G間，連接有一可改變輸出之管電壓產生部19；在陽極靶材14上受施加有一相對於柵極電極17為正的管電壓Vt，管電壓Vt被控制在特定值。
又，在陰極電極15與接地電位G之間，連接有一輸出可變之偏壓電壓產生部20，陰極電極15受施加有一相對於柵極電極17為正之偏壓電壓Vb。藉由該陰極電極15與柵極電極17間的偏壓電壓Vb，X光管10之管電流將受到控制。加熱器16受供應一來自加熱器電壓產生部21之DC或AC特定電力。
在管電壓產生部19之兩端，並列連接有一分壓部31。分壓部31系由二個電阻R1、R2所構成，這兩個電阻R1、R2串列連接，且自例如管電壓產生部19之電位較高側依序取得第一電阻R1和第二電阻R2。第一電阻R1和第二電阻R2間之連接點a被連接至聚焦電極18，且第二電阻R2之兩端形成聚焦電壓Vf。
亦即，分壓部31系根據第一電阻R1和第二電阻R2而對管電壓Vt進行分壓，而在第二電阻R2兩端產生聚焦電壓Vf。而且，在聚焦電極18與接地電極G之間，施加有一藉由分壓部31而對管電壓Vt加以分壓而成之聚焦電壓Vf。在聚焦電極18上則被施加一相對於柵極電極17為正之聚焦電壓Vf。
在具有上述構造之X光產生裝置中，以陰極電極15所產生之電子束e系藉由柵極電極17而使管電流受到控制，再以聚焦電極18來使其集束，最後撞擊陽極靶材14。藉由電子束e之撞擊陽極靶材14，由陽極靶材14上將向箭頭Y方向放出X光。此時，被施加至聚焦電極18之聚焦電壓Vf，與管電壓Vt間之關係如下式Vf＝Vt×R2/(R1+R2).................(1)如同由(1)式所明白者，聚焦電壓Vf與管電壓Vt間，具有一如圖7所示之比例關係。該聚焦電壓Vf與管電壓Vt間之比例關係，由於基本上即使管電壓Vt有脈動等變動，亦被維持不變，因而管電壓Vt之變動對於電子束之焦點直徑的影響將可以非常小。結果，陽極靶材14上即可以再現性良好地形成電子束之微小焦點。
像這樣，根據第一實施例之X光產生裝置，電壓變動對於電子束之焦點形成的影響可以相當少，藉此將可以再現性良好地在陽極靶材14上形成電子束之微小焦點。又，由於系以分壓部31來對管電壓Vt進行分壓，而產生聚焦電壓Vf，將沒有必要如習知X光產生裝置般，在管電壓產生部19之外，另外設一聚焦電壓產生部，而可以簡化X光產生裝置之裝置構造。又，在本實施例中，雖將柵極電極17設定成接地電位G，但仍可以與例如將陽極靶材14設定成接地電位時之情形同樣地動作。
其次，就本發明之第二實施例而成之X光產生裝置，參照圖2作說明。圖2顯示一根據本發明之第二實施例而成之X光產生裝置之構造。又，在圖2中，和圖1相對應之部分賦予相同符號，並部分省略重複之說明。
在圖2所示之X光產生裝置中，和上述第一實施例相同地，在管電壓產生部19之兩端，並聯連接有分壓部31。惟，此分壓部31系由三個電阻R1、R21、R22所構成，這三個電阻R1、R21、R22串接在一起，且例如由管電壓產生部19之電位較高側，依序取得第一電阻R1、第二電阻R21、以及第三電阻R22。
此外，第一電阻R1和第二電阻R21間之連接點a，和第一實施例一樣，被連接至聚焦電極18，且二個電阻R21、R22之兩端的電壓即為聚焦電壓Vf，且被施加於聚焦電極18與接地電位G之間。聚焦電壓Vf為一相對於柵極電極17為正的電壓。
在第二實施例之X光產生裝置中，分壓部31中有關於聚焦電壓Vf之產生的動作，與第一實施例相同，聚焦電壓Vf相對於管電壓Vt有一比例關係，亦即聚焦電壓Vf和管電壓Vt之關係如下式Vf＝Vt×(R21+R22)/(R1+R21+R22)...............(2)像這樣，聚焦電壓Vf和管電壓Vt間，具有一如圖7所示之比例關係，管電壓Vt之變動對於電子束之焦點直徑的影響將非常小。
在本第二實施例之X光產生裝置中，分壓部31中之第二電阻R21和第三電阻R22間之連接點b，還透過偏壓電壓產生部20，而連接至陰極電極15。亦即，分壓部31會根據第二電阻R21和第三電阻R22，而對聚焦電壓Vf加以分壓，而在第三電阻R22兩端，產生一相對於柵極電極17為正電壓之陰極電壓Vc(圖中未示)。生成於該第三電阻R22兩端之陰極電壓Vc，與偏壓電壓產生部20之輸出電壓會相合成。
其中，圖2中之偏壓電壓產生部20被連接成使陰極電極15相對於柵極電極17呈負電壓，且將負的輸出電壓Vb』施加至陰極電極15上。而且，由於第二電阻R21和第三電阻R22之連接點b，系被連接至偏壓電壓產生部20之正端子，在陰極電極15上，將被施加一由第三電阻R22兩端的電壓(陰極電壓)Vc和偏壓電壓產生部20之輸出電壓Vb』兩者間所得之差壓。
然而，在微聚焦X光管中，如前所述，管電流系受陰極電極15和柵極電極17間之偏壓電壓Vb所控制，而且，在偏壓電壓Vb和聚焦電壓Vf之間，有一如圖3之符號Q所示之關係；圖3之橫軸表示聚焦電壓(V)、縱軸為偏壓電壓(V)、直線Q為管電流遮斷偏壓電壓。
如圖3所示，以管電流遮斷偏壓電壓Q為界，在其上方之部分為管電流沒有流通之區域，而在下方部分則為管電流有流通之區域。換言之，相對於某一聚焦電壓Vf，偏壓電壓Vb若為一比管電流遮斷偏壓電壓Q還小之電壓，則不會有管電流。又，符號Q1表管電流為40μA之場合。
又，如同由圖7之關系所明了者，管電壓Vt之動作範圍例如為0～80kV時，聚焦電壓Vf之調整範圍為0～2000V。在此場合，由圖3之關係可知，會有管電流之偏壓電壓Vb之調整範圍為例如0～150V。在圖1所示之第一實施例中，系直接由連接成會使陰極電極相對於柵極電極17為正電壓的偏壓電壓產生部之輸出電壓，來調整這樣範圍(例如0～150V)的偏壓電壓Vb。
另一方面，在圖2所示之第二實施例之分壓部31中，在第三電阻R22兩端所產生之電壓(陰極電壓)Vc，系比例於聚焦電壓Vf。亦即，可知在第二電阻R21與第三電阻R22之連接點b上之電壓(第三電阻R22兩端之電壓Vc)為Vc＝Vf×R21/(R21+R22)..............(3)且其比例於聚焦電壓Vf。又，由於聚焦電壓Vf比例於管電壓Vt，陰極電壓Vc和管電壓Vt將呈比例關係。
因此，在第二實施例之X光產生裝置中，系將第三電阻R22兩端所產生之陰極電壓Vc，設定成一即使將一和其一樣大小之電壓加在陰極電極15與柵極電極17間下亦不會有管電流之大小，亦即圖3所示管電流遮斷偏壓電壓Q，再將該管電流遮斷陰極電壓Vc和偏壓電壓產生部20所產生之電壓Vb』加以合成，而加至陰極電極15上。在此場合，管電流遮斷陰極電壓Vc系例如沿著管電流遮斷偏壓電壓Q(圖3)之直線而變化。
進一步，如同由圖3所示關係可明了者，在有管電流之情形下，只要在一降低管電流遮斷陰極電壓Vc之方向上，控制偏壓電壓產生部20所發生之電壓Vb』即可。亦即，將身為正電壓之管電流遮斷陰極電壓Vc，和身為負電壓之偏壓電壓產生部20所產生之電壓Vb』加以合成，再將其間之差，加至陰極電極15作為偏壓電壓Vb(＝Vc-Vb』)，而來控制管電流。
因此，可以將控制管電流所需要之偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb』設定成例如0～30V之範圍。藉由如此狹窄範圍之發生電壓Vb』，將可以充分地控制管電流。是以，可以簡單化偏壓電壓產生部20之構造與控制。進一步，即使偏壓電壓產生部20發生故障，由於在陰極電極15上受施加有來自分壓部31之管電流遮斷陰極電壓Vc，因而將可以防止因過大管電流產生而使陽極靶材14熔化之事故發生。
在此，就改變聚焦電壓Vf下之管電流，以及偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb』間之關係，參照圖4作說明。圖4之縱軸為管電流[μA]，橫軸為偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb』[V]，符號V1表聚焦電壓Vf為400V下之情形，符號V2表聚焦電壓為1000V之情形。像這樣，即使偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb』之範圍在例如0～30V之狹窄範圍，亦可以將管電流控制至必要範圍。
根據上述第二實施例之X光產生裝置，由於系以分壓部31來對管電壓Vt進行分壓，而產生聚焦電壓Vf，因而將可以使電壓變動對於電子束之焦點形成所造成之影響減到最少。又，由於系以分壓部31所產生之管電流遮斷陰極電壓Vc，和偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb』間之差，來作為偏壓電壓Vb而施加至陰極電極15，因而可以簡化偏壓電壓產生部20之構造與控制。
此外，即使偏壓電壓產生部20發生故障，由於在陰極電極15上受施加有一來自分壓部31之管電流遮斷陰極電壓Vc，因而可以防止因過大管電流所致X光管10之特性劣化或破壞。亦即，將可以大幅提高X光產生裝置之可靠度或安全性。又，在本實施例中，雖系就柵極電極17設定成接地電位G之情形作說明，但若將陽極靶材14設定成接地電位，亦可以相同地動作。
其次，就本發明之第三實施例所成之X光產生裝置，參照圖5作說明。圖5顯示一根據本發明之第三實施例而成之X光產生裝置之構造。又，在圖5中，和圖1與圖2相對應之部分賦予相同符號，並部分省略重複之說明。
第三實施例之X光產生裝置中之陽極靶材14，亦即陽極12系接地G的。而且，設有一用以產生一供應給微聚焦X光管10之電源電壓的高電壓產生部22，以及一用以控制該高電壓產生部22之控制部30等，且高電壓產生部22系被容納於一例如絕緣物中。分壓部31之動作和前述第二實施例一樣。
在本第三實施例中，管電壓產生部19所產生之負電壓被施加至柵極電極17上。且管電壓產生部19之輸出電壓由管電壓檢測部32所檢測出。管電壓檢測部32所檢測出之管電壓值V1，和所設定之管電壓設定值V0，會在管電壓比較部33中被比較。所比較得之資料被送至管電壓控制部34，再由管電壓控制部34來控制管電壓產生部19，使管電壓值V1和管電壓設定值V0相等。
又，陰極電極15和陽極靶材14間所流之管電流I1會為管電流檢測部35所檢測出。由管電流檢測部35所檢測出之管電流值I1會和所設定之管電流設定值I0在管電流比較部36中被比較。比較得之資料被送至偏壓電壓控制部37，再由偏壓電壓控制部37來控制偏壓電壓產生部20，而使管電流值I1和管電流設定值I0相等。加熱器電壓產生部21為加熱器電壓控制部38所控制。
在具有上述構造之X光產生裝置中，藉由加熱器16之加熱，陰極電極15將會放出電子e，而使管電流產生。由陰極電極15所放出之電子束e會因柵極電極17，而使管電流受到控制，並為聚焦電極18所集束，而撞擊於陽極靶材14上，再由陽極靶材14向箭號Y方向放出X光。
根據上述第三實施例所揭X光產生裝置，即使陽極靶材14之電壓因脈動而變化，仍可以將最佳之聚焦電壓施加至聚焦電極18上。藉此，將可以在陽極靶材14上，再現性良好地形成電子束之微小焦點。又，和前述第二實施例一樣，可以縮小偏壓電壓之控制範圍，並能以簡單之控制電路，來穩定地控制高解析度之管電流。
其次，就本發明之第四實施例所成之X光產生裝置，參照圖6作說明。圖6顯示一根據本發明之第四實施例而成之X光產生裝置之構造。又，在圖6中，和圖1與圖2相對應之部分賦予相同符號，並部分省略重複之說明。
本第四實施例之X光產生裝置之柵極電極17系設成接地電位G。陽極靶材14和接地電位G之間連接有可變更輸出之管電壓產生部19。陽極靶材14被施加一相對於柵極電極17為正的管電壓Vt。在聚焦電極18與接地電位G之間，連接有可變更輸出之聚焦電壓產生部23，聚焦電極18並被施加一相對於柵極電極17為正的聚焦電壓Vf。偏壓電壓產生部20被連接於陰極電極15和接地電位G之間，俾施加一負電壓(輸出電壓Vb』(圖中未示))至陰極電極15上。
聚焦電壓產生部23之兩端並聯連接有一分壓部41。該分壓部41系由二個電阻R21、R22所構成。此兩電阻R21、R22串聯連接，且例如由聚焦電壓Vf23之高電位側，依序成為第一電阻R21和第二電阻R22。而且，分壓部41中之第一電阻R21與第二電阻R22間之連接點b，透過偏壓電壓產生部20，而被連接至陰極電極15。
亦即，分壓部41系根據第一電阻R21和第二電阻R22，而對聚焦電壓Vf進行分壓，並在第二電阻R22兩端，產生一相對於柵極電極17使陰極電極15成為正電壓的陰極電壓Vc(圖中未示)。生成於該第二電阻R22兩端之陰極電壓Vc會與偏壓電壓產生部20之輸出電壓Vb』相合成。由於第一電阻R21和第二電阻R22之連接點b被連接至偏壓電壓產生部20之正端子，因而陰極電極15上所被供應的，應是第二電阻兩端電壓(陰極電壓)Vc和偏壓電壓產生部20之輸出電壓Vb』間之差壓。
在本第四實施例之X光產生裝置中，和前述第二實施例一樣，系將生成於第二電阻R22兩端之陰極電壓Vc，設定成當和其相同大小之電壓被施加於陰極電極15與柵極電極17間時不會有管電流產生之大小。在陰極電極15上，被施加一作為偏壓電壓Vb之由管電流遮斷陰極電壓(正電壓)Vc和偏壓電壓產生部20之發生電壓(負電壓)Vb』間所產生之差壓(Vc-Vb』)，而由該偏壓電壓Vb(＝Vc-Vb』)來控制管電流。
像這樣，根據第四實施例之X光產生裝置，和第二實施例一樣，可以縮小該控制管電流所需之偏壓電壓產生部20之調整範圍。藉此，並可以簡化偏壓電壓產生部20之構造與控制。進一步，即使偏壓電壓產生部20發生故障，在陰極電極15上，由於受施加有一來自分壓部31之管電流遮斷陰極電壓Vc，將可以防止一因過大管電流所致之X光管的特性劣化或破壞。亦即，可以大幅地提高X光產生裝置之可靠度與安全性。
又，在本實施例中雖系就一將柵極電極17設定成接地電位G之情形作說明，但即使例如將陽極靶材14設定成接地電位，亦有相同之動作。根據本發明之X光產生裝置，將可以抑制電壓變動所對於電子束之焦點形成所造成之影響。是以，可以再現性良好地在陽極靶材上，形成電子束之微小焦點。進一步，可以提高X光產生裝置之可靠度與安全性。像本發明這樣的X光產生裝置可以有效地被利用於醫療用或工業用診斷裝置等。
權利要求
1.一種X光產生裝置，其特徵在於，具有一陰極電極，用以產生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而放出X光；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；以及一分壓部，用以對該管電壓進行分壓而產生聚焦電壓，再將該聚焦電壓施加至該聚焦電極。
2.如權利要求1所述的X光產生裝置，其特徵在於，以該分壓部對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，且將該陰極電壓，與該由該偏壓電壓產生部所產生之偏壓電壓相合成。
3.如權利要求2所述的X光產生裝置，其特徵在於，由該分壓部所產生之該陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小之電壓被施加至該陰極電極與該柵極電極之間時，不會有管電流產生。
4.如權利要求1所述的X光產生裝置，其特徵在於，該分壓部系相對於該管電壓產生部呈並聯連接。
5.如權利要求2所述的X光產生裝置，其特徵在於，該分壓部系由第一電阻、第二電阻、以及第三電阻，由該管電壓產生部之高電位側，依序串接而成，且該第一電阻與該第二電阻間之連接點被連接至聚焦電極，而該第二電阻與該第三電阻間之連接點則被連接至偏壓電壓產生部。
6.一種X光產生裝置，其特徵在於，具有一X光管，其具有一陰極電極，用以產生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；及一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而放出X光；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；一偏壓電壓控制部，用以檢測出該X光管中所流之管電流，再將檢測出之該管電流與一基準值相比較，以控制一由該偏壓電壓產生部所生成之偏壓電壓；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；一管電壓控制部，用以檢測出該管電壓產生部所產生之管電壓，再將檢測出之該管電壓與一基準值相比較，以控制該管電壓；以及一分壓部，用以對該管電壓進行分壓而產生聚焦電壓，並將該聚焦電壓施加至該聚焦電極。
7.如權利要求6所述的X光產生裝置，其特徵在於，以該分壓部對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，且將該陰極電壓，與該由該偏壓電壓產生部所產生之偏壓電壓相合成。
8.如權利要求7所述的X光產生裝置，其特徵在於，由該分壓部所產生之該陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小之電壓被施加至該陰極電極與該柵極電極之間時，不會有管電流產生。
9.一種X光產生裝置，其特徵在於，包含一陰極電極，用以產生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而放出X光；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；一聚焦電壓產生部，用以產生一供施加至該聚焦電極之聚焦電壓；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；以及一分壓部，用以對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，再將該陰極電壓與該偏壓電壓合成後，施加至該陰極電極。
10.如權利要求9所述的X光產生裝置，其特徵在於，由該分壓部所產生之該陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小之電壓被施加至該陰極電極與該柵極電極之間時，不會有管電流產生。
全文摘要
本發明之X光產生裝置具有一陰極電極15、一用以控制該陰極電極15所生電子束e之柵極電極17、一用以集束該電子束e之聚焦電極18、以及一藉由電子束e之撞擊而放出X光之陽極靶材14。在陰極電極15和柵極電極17之間，受施加有一來自偏壓電壓產生部20之偏壓電壓Vb。陽極靶材14受施加一來自管電壓產生部19之管電壓Vt。分壓部31對管電壓Vt進行分壓，而產生聚焦電壓Vf。藉由將如此而得之聚焦電壓Vf施加至聚焦電極18上，將可以抑制電壓變動對於電子束之焦點形成所造成的影響。
文檔編號H05G1/30GK1535559SQ0280598
公開日2004年10月6日 申請日期2002年8月29日 優先權日2001年8月29日
發明者下野隆 申請人:株式會社東芝