基於tsv工藝的轉接板深槽電容及其製造方法

2023-10-04 09:29:29 1

基於tsv工藝的轉接板深槽電容及其製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種基於TSV工藝的轉接板深槽電容及其製造方法，其包括襯底；所述襯底具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；所述襯底摻雜區域內設有電容槽，電容槽穿過所述摻雜區域，且電容槽的槽口從第一主面指向第二主面的方向延伸，所述摻雜區域包裹在電容槽上部側壁的周圍；電容槽內設有電容介質體以及電容填充導體，所述電容填充導體通過電容介質體與電容槽的內壁相接觸；襯底的第一主面上方設有第一電容連接電極及第二電容連接電極，第一電容連接電極與摻雜區域歐姆接觸，第二電容連接電極與電容填充導體電連接。本發明結構緊湊，工藝步驟簡便，能在轉接板上製造高密度電容，工藝兼容性好，安全可靠。
【專利說明】基於TSV工藝的轉接板深槽電容及其製造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種轉接板深槽電容結構，尤其是一種基於TSV工藝的轉接板深槽電容及其製造方法，屬於半導體封裝的【技術領域】。
【背景技術】
[0002]目前,基於TSV (Through Silicon Vias)技術的轉接板工藝已經逐漸的到產業界的認可，相關的技術日漸成熟。由於轉接板面向的是系統級封裝，所以轉接板除了要提供優化的互聯結構還需要提供電容等無源器件，以完善系統性能。目前業內轉接板的電容還是在轉接板上的互聯層間製作平板電容，這種電容一般電容的密度較小，需要增加光刻版，工藝複雜程度較高。

【發明內容】

[0003]本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種基於TSV工藝的轉接板深槽電容及其製造方法，其結構緊湊，工藝步驟簡便，能在轉接板上製造高密度電容，工藝兼容性好，安全可靠。
[0004]按照本發明提供的技術方案，所述基於TSV工藝的轉接板深槽電容，包括襯底；所述襯底具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；所述襯底的摻雜區域內設有電容槽，電容槽穿過所述摻雜區域，且電容槽的槽口從第一主面指向第二主面的方向延伸，所述摻雜區域包裹在電容槽上部側壁的周圍；電容槽內設有電容介質體以及電容填充導體，所述電容填充導體通過電容介質體與電容槽的內壁相接觸；襯底的第一主面上方設有第一電容連接電極及第二電容連接電極，第一電容連接電極與摻雜區域歐姆接觸，第二電容連接電極與電容填充導體電連接。
[0005]所述電容介質體包括第一介質層、第二介質層以及第三介質層；所述第一介質層覆蓋電容槽的內壁，第二介質層位於第一介質層與第三介質層之間，第三介質層包覆在電容填充導體上。
[0006]所述襯底的第一主面上通過第一介質層及第三介質層形成表面介質層；表面介質層上設有連接通孔，所述連接通孔位於電容槽的外側；連接通孔內填充有第一連接體，所述第一連接體填充在連接通孔內並支撐在表面介質層上，第一電容連接電極通過第一連接體與摻雜區域歐姆接觸；第二電容連接電極通過電容填充導體上的第二連接體與電容填充導體電連接；表面介質層上還覆蓋有絕緣隔離層，第一電容連接體、第二電容連接體從絕緣隔尚層內芽出。
[0007]所述襯底內設有連接槽，所述連接槽的槽口從襯底的第一主面指向第二主面的方向延伸，連接槽內設有第一介質層、第三介質層以及互連填充導體，第一介質層覆蓋連接槽的內壁，第三介質層覆蓋在第一介質層上，第三介質層與互連填充導體接觸並包覆所述互連填充導體；互連填充導體與襯底第一主面上方的互連連接電極電連接。
[0008]所述第一介質層為氧化矽層，第二介質層為氮化矽層，第三介質層為氧化矽層。[0009]—種基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，所述轉接板深槽電容的製造方法包括如下步驟:
a、提供襯底，所述襯底具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；對襯底進行摻雜，以在襯底內得到摻雜區域，所述摻雜區域從襯底的第一主面指向第二主面的方向延伸；
b、選擇性地掩蔽和刻蝕上述襯底，以在襯底內得到所需的電容槽以及連接槽，其中，電容槽位於摻雜區域內，且電容槽穿過摻雜區域，電容槽的槽底位於摻雜區域下方；
C、在上述襯底的第一主面上設置第一介質層，所述第一介質層覆蓋在襯底的第一主面上，並覆蓋電容槽的內壁以及連接槽的內壁；
d、在上述襯底的第一主面上設置第二介質層，所述第二介質層覆蓋在第一介質層上；
e、選擇性地掩蔽和刻蝕所述第二介質層，去除連接槽內以及襯底第一主面上的對應的第二介質層，保留電容槽內的第二介質層；
f、在上述襯底的第一主面上設置第三介質層，所述第三介質層覆蓋在襯底第一主面上的第一介質層上、連接槽內的第一介質層以及電容槽內的第二介質層上，電容槽內通過第一介質層、第二介質層及第三介質層形成電容介質體；襯底第一主面上的第一介質層與第三介質層形成表面介質層；
g、在上述襯底的第一主面上電鍍填充材料，所述填充材料覆蓋在襯底第一主面上方並填充在電容槽以及連接槽內；
h、去除上述襯底第一主面上的填充材料，得到位於電容槽內的電容填充導體以及位於連接槽內的互連填充導體；
1、選擇性地掩蔽和刻蝕表面介質層，得到貫通表面介質層的連接通孔，所述連接通孔位於電容槽的外側，並位於摻雜區域的正上方；
j、在上述襯底的第一主面上設置互連結構，得到第二連接體、第一連接體及第三連接體，第一連接體填充在連接通孔內並與摻雜區域歐姆接觸，第二連接體與電容填充導體電連接，第三連接體與互連填充導體電連接；
k、在上述表面介質層上設置絕緣隔離層、互連連接電極、第一電容連接電極及第二電容連接電極；絕緣隔離層覆蓋在表面介質層及第二連接體、第一連接體與第三連接體上，互連連接電極與第三連接體電連接，第一電容連接電極與第一連接體電連接，第二電容連接電極與第二連接體電連接；互連連接電極、第一電容連接電極及第二電容連接電極穿出絕緣隔離層外。
[0010]所述步驟e包括如下步驟:
el、在襯底第一主面上的第二介質層上設置幹膜層，所述幹膜層覆蓋在第二介質層
上；
e2、去除電容槽槽口正上方外的幹膜層，得到位於電容槽槽口正上方的幹膜，所述幹膜橫跨在電容槽的槽口上並支撐在電容槽槽口外側的第二介質層上；
e3、利用幹膜的選擇性保護，刻蝕襯底第一主面上的第二介質層，以去除連接槽內以及襯底第一主面上的對應的第二介質層。
[0011]所述填充材料包括銅。所述襯底的材料包括矽。
[0012]所述第一介質層為氧化矽層，第二介質層為氮化矽層，第三介質層為氧化矽層。[0013]本發明的優點:在襯底內設置電容槽，電容槽內設置電容介質體以及電容填充導體，電容介質體採用氧化矽-氮化矽-氧化矽的結構，使得形成電容具有高密度，形成的電容通過第一電容連接電極及第二電容連接電極引出，製造工藝與現有TSV工藝匹配，無需工藝複雜度，工藝兼容性好，結構緊湊，安全可靠。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖廣圖13為本發明具體實施工藝步驟剖視圖，其中 圖1為本發明在襯底內得到摻雜區域後的剖視圖。
[0015]圖2為本發明在襯底內得到電容槽以及連接槽後的剖視圖。
[0016]圖3為本發明在襯底的第一主面上設置第一介質層後的剖視圖。
[0017]圖4為本發明在襯底的第一主面上設置第二介質層後的剖視圖。
[0018]圖5為本方面在襯底的第一主面上得到幹膜後的剖視圖。
[0019]圖6為本發明利用幹膜對第二介質層進行刻蝕後的剖視圖。
[0020]圖7為本發明去除幹膜後的剖視圖。
[0021]圖8為本發明在襯底的第一主面上設置第三介質層後的剖視圖。
[0022]圖9為本發明在襯底的第一主面上設置填充材料後的剖視圖。
[0023]圖10為本發明得到電容填充導體以及轉填充電極後的剖視圖。
[0024]圖11為本發明得到連接通孔後的剖視圖。
[0025]圖12為本發明得到第一連接體、第二連接體以及第三連接體後的剖視圖。
[0026]圖13為本發明得到第一電容連接電極、第二電容連接電極以及互連連接電極後的剖視圖。
[0027]附圖標記說明:1_襯底、2-摻雜區域、3-電容槽、4-第一介質層、5-第二介質層、6-幹膜、7-填充材料層、8-連接通孔、9-第二連接體、10-第一連接體、11-第三介質層、
12-連接槽、13-互連填充導體、14-電容填充導體、15-第三連接體、16-絕緣隔離層、17-互連連接電極、18-第一電容連接電極、19-第二電容連接電極及20-表面介質層。
【具體實施方式】
[0028]下面結合具體附圖和實施例對本發明作進一步說明。
[0029]如圖13所示:為了能夠在轉接板內得到高密度的電容，本發明基於TSV工藝的轉接板深槽電容，包括襯底I ;所述襯底I具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；所述襯底I的摻雜區域2內設有電容槽3，電容槽3穿過所述摻雜區域2，且電容槽3的槽口從第一主面指向第二主面的方向延伸，所述摻雜區域2包裹在電容槽3上部側壁的周圍；電容槽3內設有電容介質體以及電容填充導體14，所述電容填充導體14通過電容介質體與電容槽3的內壁相接觸；襯底I的第一主面上方設有第一電容連接電極18及第二電容連接電極19，第一電容連接電極18與摻雜區域2歐姆接觸，第二電容連接電極19與電容填充導體14電連接。
[0030]具體地，第一電容連接電極18與第二電容連接電極19用於將形成電容結構向外引出，摻雜區域2、電容填充導體14與電容介質體間形成電容結構，電容介質體能夠使得在襯底I內的電容具有較高的密度。[0031]所述電容介質體包括第一介質層4、第二介質層5以及第三介質層11 ;所述第一介質層4覆蓋電容槽3的內壁，第二介質層5位於第一介質層4與第三介質層11之間，第三介質層11包覆在電容填充導體14上。所述第一介質層4為氧化矽層，第二介質層5為氮化娃層，第三介質層11為氧化娃層。
[0032]所述襯底I的第一主面上通過第一介質層4及第三介質層11形成表面介質層20 ；表面介質層20上設有連接通孔8，所述連接通孔8位於電容槽3的外側；連接通孔8內填充有第一連接體10，所述第一連接體10填充在連接通孔8內並支撐在表面介質層20上，第一電容連接電極18通過第一連接體10與摻雜區域2歐姆接觸；第二電容連接電極9通過電容填充導體14上的第二連接體9與電容填充導體14電連接；表面介質層20上還覆蓋有絕緣隔離層16，第一電容連接體18、第二電容連接體19從絕緣隔離層16內穿出。
[0033]上述為在襯底I內得到深槽電容的結構，為了實現通孔連接，本發明實施例中，所述襯底I內設有連接槽12，所述連接槽12的槽口從襯底I的第一主面指向第二主面的方向延伸，連接槽12內設有第一介質層4、第三介質層11以及互連填充導體13,第一介質層4覆蓋連接槽12的內壁，第三介質層11覆蓋在第一介質層4上，第三介質層11與互連填充導體13接觸並包覆所述互連填充導體13 ;互連填充導體13與襯底I第一主面上方的互連連接電極17電連接。本發明實施例中，上述僅描述了在襯底I內得到電容結構以及連接結構的示意圖，還可以根據需要在襯底I的第二主面進行所需的結構設置。在襯底I的第二主面設置所需的結構可以與第一主面的設置類似，且不是本發明的重點，此處不再贅述。
[0034]如圖f圖13所示:上述結構的深槽電容結構，可以通過下述工藝步驟製備得到，所述轉接板深槽電容的製造方法包括如下步驟:
a、提供襯底1，所述襯底I具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；對襯底I進行摻雜，以在襯底I內得到摻雜區域2，所述摻雜區域2從襯底I的第一主面指向第二主面的方向延伸；
如圖1所示:襯底I可以選用矽襯底，在襯底I的第一主面上，利用擴散摻雜或離子注入工藝在襯底I的所需區域進行摻雜，並利用擴散工藝進行離子激活和推進，在襯底I內形成摻雜區域2 ;在襯底I內形成摻雜區域2為常規的工藝步驟，此處不再贅述。
[0035]b、選擇性地掩蔽和刻蝕上述襯底1，以在襯底I內得到所需的電容槽3以及連接槽12，其中，電容槽3位於摻雜區域2內，且電容槽3穿過摻雜區域2後電容槽3的槽底位於摻雜區域2下方；
如圖2所示:對襯底I的第一主面利用光刻和深反應離子刻蝕工藝形成盲孔，得到電容槽3以及連接槽12，其中，通過電容槽3能形成所需的高密度電容，利用連接槽12來製備轉接板所需的通孔連接結構。連接槽12位於摻雜區域2外的區域。
[0036]C、在上述襯底I的第一主面上設置第一介質層4，所述第一介質層4覆蓋在襯底I的第一主面上，並覆蓋電容槽3的內壁以及連接槽12的內壁；
如圖3所示:所述第一介質層4為氧化矽層，所述第一介質層4可以通過化學氣相澱積或氧化工藝在襯底I上形成，第一介質層4能作為矽襯底與採用氮化矽的第二介質層5之間的緩衝層，避免氮化矽與矽直接接觸導致應力過大，產生矽表面缺陷的情況。
[0037]d、在上述襯底I的第一主面上設置第二介質層5，所述第二介質層5覆蓋在第一介質層4上； 如圖4所示:利用化學氣相澱積在襯底I的第一主面上設置第二介質層5，第二介質層5為氮化矽層，由於氮化矽具有高介電常數，因此，能提高電容密度。第二介質層5覆蓋第一主面上的第一介質層4，同時覆蓋電容槽3以及連接槽12側壁上的第一介質層4。
[0038]e、選擇性地掩蔽和刻蝕所述第二介質層5，去除連接槽12內以及襯底I第一主面上的對應的第二介質層5，保留電容槽3內的第二介質層5 ；
如圖5、圖6和圖7所示:為了能使得轉接板具有較小的寄生電容，本發明實施例中，需要去除連接槽12內的第二介質層5，為了去除第二介質層5，所述步驟e具體包括如下步驟:
el、在襯底I第一主面上的第二介質層5上設置幹膜層，所述幹膜層覆蓋在第二介質層5上；
e2、去除電容槽3槽口正上方外的幹膜層，，得到位於電容槽3槽口正上方的幹膜6，所述幹膜6橫跨在電容槽3的槽口上並支撐在電容槽3槽口外側的第二介質層5上；
通過幹膜6能遮擋幹膜與所述幹膜6相接觸的第二介質層5以及電容槽3內的第二介質層5。
[0039]e3、利用幹膜6的選擇性保護，選擇性的刻蝕襯底I第一主面上的第二介質層5，以去除連接槽12內以及襯底I第一主面上的對應的第二介質層5。
[0040]在沒有被幹膜6遮擋的第二介質層5能通過刻蝕工藝去除；在第二介質層5被去除後，將幹膜6去除，位於電容槽3內的第二介質層5能保證電容的密度。
[0041]f、在上述襯底I的第一主面上設置第三介質層11，所述第三介質層11覆蓋在襯底I第一主面上的第一介質層4及第二介質層5上、連接槽12內的第一介質層4以及電容槽3內的第二介質層5上，電容槽3內通過第一介質層4、第二介質層5及第三介質層11形成電容介質體；襯底I第一主面上的第一介質層4與第三介質層11形成表面介質層20 ；
如圖8所示:第三介質層11採用氧化矽，設置第三介質層11後形成氧化矽-氮化娃-氧化娃的電容介質體；第一介質層4與第三介質層11疊加後形成表面介質層20。
[0042]g、在上述襯底I的第一主面上電鍍填充材料，所述填充材料覆蓋在襯底I第一主面上方並填充在電容槽3以及連接槽12內；
如圖9所示:在電鍍填充材料後得到填充材料層7，所述填充材料層7覆蓋在表面介質層20上並分別填充在電容槽3以及連接槽12內。在具體實施時，在電鍍填充材料前，需要利用PVD工藝製作阻擋層以及種子層，然後在利用電鍍工藝電鍍填充材料，所述填充材料可以選用銅。
[0043]h、去除上述襯底I第一主面上的填充材料，得到位於電容槽3內的電容填充導體14以及位於連接槽12內的互連填充導體13 ；
如圖10所示:在電鍍填充材料層7後，需要進行退火或表面金屬化學機械拋光工藝，以去除第一主面上的填充材料以及阻擋層，所述退火的溫度，去除第一主面上的填充材料以及阻擋層為常規工藝。
[0044]1、選擇性地掩蔽和刻蝕表面介質層20，得到貫通表面介質層20的連接通孔8，所述連接通孔8位於電容槽3的外側，並位於摻雜區域2的正上方；
如圖11所示:為了能夠對電容結構進行引出，需要製作連接通孔8，連接通孔8的底部即為摻雜區域2。[0045]j、在上述襯底I的第一主面上設置互連結構，得到第二連接體9、第一連接體10及第三連接體15，第一連接體10填充在連接通孔8內並與摻雜區域2歐姆接觸，第二連接體9與電容填充導體14電連接，第三連接體15與互連填充導體13電連接；
如圖12所示:在襯底I的第一主面上通過澱積等工藝得到第一連接體10、第二連接體9及第三連接體15，第一連接體10填充在連接通孔8內並支撐在表面介質層20上，第二連接體9直接與電容填充導體14接觸後電連接，第三連接體15與互連填充導體13接觸後電連接。進一步地，第三連接體15與互連填充導體13電連接後，還需要完成必要的互連結構，所述必要的互連結構根據不同的互連結構來進行設置和操作。
[0046]k、在上述表面介質層20上設置絕緣隔離層16、互連連接電極17、第一電容連接電極18及第二電容連接電極19 ;絕緣隔離層16覆蓋在表面介質層20及第二連接體9、第一連接體10與第三連接體15上，互連連接電極17與第三連接體15電連接，第一電容連接電極18與第一連接體10電連接，第二電容連接電極19與第二連接體9電連接；互連連接電極17、第一電容連接電極18及第二電容連接電極19穿出絕緣隔離層16外。
[0047]如圖13所示:為了能夠進行通孔連接以及電容的引出連接，確保引出的可靠性，在第一主面上還設置絕緣隔離層16，所述絕緣隔離層16覆蓋在第一連接體10、第二連接體9及第三連接體15上，然後將穿出絕緣隔離層16外的互連連接電極17、第一電容連接電極18及第二電容連接電極19與外部的連接，互連連接電極17、第一電容連接電極18及第二電容連接電極19形成凸點的形式。
[0048]通過上述工藝，在襯底I的第一主面上完成轉接板的通孔連接、電容等結構，還可以根據需要在襯底I的第二主面設置後續的連接等結構，後續的結構此處不再詳述。
[0049]本發明在襯底I內設置電容槽3，電容槽3內設置電容介質體以及電容填充導體14，電容介質體採用氧化矽-氮化矽-氧化矽的結構，使得形成電容具有高密度，形成的電容通過第一電容連接電極18及第二電容連接電極19引出，襯底I內通過設置連接槽12以及互連填充導體13形成通孔連接結構，結構緊湊，工藝步驟簡便，工藝兼容性好，安全可`
O
【權利要求】
1.一種基於TSV工藝的轉接板深槽電容，包括襯底(I);所述襯底(I)具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；其特徵是:所述襯底(I)的摻雜區域(2)內設有電容槽(3)，電容槽(3)穿過所述摻雜區域(2)，且電容槽(3)的槽口從第一主面指向第二主面的方向延伸，所述摻雜區域(2)包裹在電容槽(3)上部側壁的周圍；電容槽(3)內設有電容介質體以及電容填充導體(14)，所述電容填充導體(14)通過電容介質體與電容槽(3)的內壁相接觸；襯底(I)的第一主面上方設有第一電容連接電極(18)及第二電容連接電極(19)，第一電容連接電極(18)與摻雜區域(2)歐姆接觸，第二電容連接電極(19)與電容填充導體(14)電連接。
2.根據權利要求1所述的基於TSV工藝的轉接板深槽電容，其特徵是:所述電容介質體包括第一介質層(4)、第二介質層(5)以及第三介質層(11);所述第一介質層(4)覆蓋電容槽(3)的內壁，第二介質層(5)位於第一介質層(4)與第三介質層(11)之間，第三介質層(11)包覆在電容填充導體(14)上。
3.根據權利要求2所述的基於TSV工藝的轉接板深槽電容，其特徵是:所述襯底(I)的第一主面上通過第一介質層(4)及第三介質層(11)形成表面介質層(20);表面介質層(20)上設有連接通孔(8)，所述連接通孔(8)位於電容槽(3)的外側；連接通孔(8)內填充有第一連接體(10 )，所述第一連接體(10 )填充在連接通孔(8 )內並支撐在表面介質層(20 )上，第一電容連接電極(18)通過第一連接體(10)與摻雜區域(2)歐姆接觸；第二電容連接電極(9)通過電容填充導體(14)上的第二連接體(9)與電容填充導體(14)電連接；表面介質層(20)上還覆蓋有絕緣隔離層(16)，第一電容連接體(18)、第二電容連接體(19)從絕緣隔離層(16)內穿出。
4.根據權利要求2所述的基於TSV工藝的轉接板深槽電容，其特徵是:所述襯底(I)內設有連接槽(12)，所述連接槽(1`2)的槽口從襯底(I)的第一主面指向第二主面的方向延伸，連接槽(12)內設有第一介質層(4)、第三介質層(11)以及互連填充導體(13)，第一介質層(4)覆蓋連接槽(12)的內壁，第三介質層(11)覆蓋在第一介質層(4)上，第三介質層(11)與互連填充導體(13)接觸並包覆所述互連填充導體(13);互連填充導體(13)與襯底(I)第一主面上方的互連連接電極(17)電連接。
5.根據權利要求2所述的基於TSV工藝的轉接板深槽電容，其特徵是:所述第一介質層(4)為氧化矽層，第二介質層(5)為氮化矽層，第三介質層(11)為氧化矽層。
6.一種基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，其特徵是，所述轉接板深槽電容的製造方法包括如下步驟: (a)、提供襯底(I)，所述襯底(I)具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；對襯底(I)進行摻雜，以在襯底(I)內得到摻雜區域(2)，所述摻雜區域(2)從襯底(I)的第一主面指向第二主面的方向延伸； (b)、選擇性地掩蔽和刻蝕上述襯底(1)，以在襯底(I)內得到所需的電容槽(3)以及連接槽(12)，其中，電容槽(3)位於摻雜區域(2)內，且電容槽(3)穿過摻雜區域(2)，電容槽(3)的槽底位於摻雜區域(2)下方； (C)、在上述襯底(I)的第一主面上設置第一介質層(4)，所述第一介質層(4)覆蓋在襯底(I)的第一主面上,並覆蓋電容槽(3)的內壁以及連接槽(12)的內壁； (d)、在上述襯底(I)的第一主面上設置第二介質層(5)，所述第二介質層(5)覆蓋在第一介質層(4)上； (e)、選擇性地掩蔽和刻蝕所述第二介質層(5)，去除連接槽(12)內以及襯底(I)第一主面上的對應的第二介質層(5)，保留電容槽(3)內的第二介質層(5)； (f )、在上述襯底(I)的第一主面上設置第三介質層(11 )，所述第三介質層(11)覆蓋在襯底(I)第一主面上的第一介質層(4)上、連接槽(12)內的第一介質層(4)以及電容槽(3)內的第二介質層(5)上，電容槽(3)內通過第一介質層(4)、第二介質層(5)及第三介質層(11)形成電容介質體；襯底(I)第一主面上的第一介質層(4 )與第三介質層(11)形成表面介質層(20)； (g)、在上述襯底(I)的第一主面上電鍍填充材料，所述填充材料覆蓋在襯底(I)第一主面上方並填充在電容槽(3)以及連接槽(12)內； (h)、去除上述襯底(I)第一主面上的填充材料，得到位於電容槽(3)內的電容填充導體(14)以及位於連接槽(12)內的互連填充導體(13)； (i)、選擇性地掩蔽和刻蝕表面介質層(20)，得到貫通表面介質層(20)的連接通孔(8)，所述連接通孔(8)位於電容槽(3)的外側，並位於摻雜區域(2)的正上方； (j)、在上述襯底(I)的第一主面上設置互連結構，得到第二連接體(9)、第一連接體(10)及第三連接體(15 )，第一連接體(10)填充在連接通孔(8)內並與摻雜區域(2)歐姆接觸，第二連接體(9 )與電容填充導體(14 )電連接，第三連接體(15)與互連填充導體(13 )電連接； (k)、在上述表面介質層(20)上設置絕緣隔離層(16)、互連連接電極(17)、第一電容連接電極(18)及第二電容連接電極(19);絕緣隔離層(16)覆蓋在表面介質層(20)及第二連接體(9 )、第一連接體(10 )與第三連接體(15 )上，互連連接電極(17 )與第三連接體(15 )電連接，第一電容連接電極(18)與第一連接體(10)電連接，第二電容連接電極(19)與第二連接體(9)電連接；互連連接電極(17)、第一電容連接電極(18)及第二電容連接電極(19)穿出絕緣隔離層(16)外。
7.根據權利要求6所述基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，其特徵是，所述步驟(e)包括如下步驟: (el)、在襯底(I)第一主面上的第二介質層(5)上設置幹膜層，所述幹膜層覆蓋在第二介質層(5)上； (e2)、去除電容槽(3)槽口正上方外的幹膜層，得到位於電容槽(3)槽口正上方的幹膜(6)，所述幹膜(6)橫跨在電容槽(3)的槽口上並支撐在電容槽(3)槽口外側的第二介質層(5)上； (e3)、利用幹膜(6)的選擇性保護，刻蝕襯底(I)第一主面上的第二介質層(5)，以去除連接槽(12)內以及襯底(I)第一主面上的對應的第二介質層(5)。
8.根據權利要求6所述基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，其特徵是:所述填充材料包括銅。
9.根據權利要求6所述基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，其特徵是:所述襯底(I)的材料包括矽。
10.根據權利要求6所述基於TSV工藝的轉接板深槽電容的製造方法，其特徵是:所述第一介質層(4)為氧化矽層，第二介質層(5)為氮化矽層，第三介質層(11)為氧化矽層。
【文檔編號】H01L23/522GK103700644SQ201310719075
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月23日 優先權日:2013年12月23日
【發明者】薛愷, 於大全 申請人:華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司