一種發光元件及其製作方法
2023-10-10 02:03:29 1
一種發光元件及其製作方法
【專利摘要】本發明公開一種發光元件及其製作方法，發光元件包括：一基板；一第一電極，形成於所述基板上；一發光結構，形成於所述第一電極上，所述發光結構包含一第一非本徵半導體層、一第二非本徵半導體層、及一介於所述第一非本徵半導體層與所述第二非本徵半導體層之間的主動層；一第一絕緣層，形成於所述發光結構的側壁上；以及一第二電極，連接所述第一非本徵半導體層；其中，所述第一電極包含一形成於所述第一絕緣層側壁上的第一分支、一形成於所述第一絕緣層下的第二分支、及一形成於所述第二非本徵半導體層邊緣的第三分支。
【專利說明】一種發光元件及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明是關於一種發光元件技術，特別是一種未具有遮光電極的發光元件。
【背景技術】
[0002]發光二極體元件(LED)已發展成為綠色光源的關鍵技術，並逐漸應用於照明科技領域，有機會取代傳統的光源產品。發光二極體元件依照結構可分成水平式及垂直式兩種，其皆具有表面電極遮光的問題，而影響發光二極體的光輸出效率及其發光形狀或光型。此夕卜，對於傳統採用金屬基板的發光二極體元件，當進行晶粒接合及晶粒切割時，常會遭遇元件漏電或良率不高的問題。
[0003]為解決上述發光二極體元件的問題，有人提出覆晶型的發光元件結構及製作方法，但卻會因為背面對位產生工藝難度高的新問題，且須使用低反射率材料的金屬球作為接合面導電材質，以致影響發光元件的反射機制，造成亮度損失。因此，有必要發展新的發光二極體元件結構以對治及改善。
【發明內容】
[0004]為達成此目的，本發明提供一種發光元件及其製作方法，以解決上述現有技術中所存在的問題，
[0005]根據本發明的一方面，一實施例提供一種發光兀件，其包括:一基板；一第一電極，形成於所述基板上；一發光結構，形成於所述第一電極上，所述發光結構包含一第一非本徵半導體層、一第二非本徵半導體層、及一介於所述第一非本徵半導體層與所述第二非本徵半導體層之間的主動層；一第一絕緣層，形成於所述發光結構的側壁上；以及一第二電極，連接所述第一非本徵半導體層；其中，所述第一電極包含一形成於所述第一絕緣層側壁上的第一分支、一形成於所述第一絕緣層下的第二分支、及一形成於所述第二非本徵半導體層邊緣的第三分支。此外，所述第一電極可進一步包括一形成於所述第二非本徵半導體層下的導電材料層。
[0006]在本發明的另一方面，另一實施例提供一種製作發光元件的方法，其包括:提供一第一基板，其上側面具有一絕緣層；提供一發光結構，其形成於一第二基板上，所述發光結構包含一第一非本徵半導體層、一主動層、及一第二非本徵半導體層；形成一電極層於所述半導體結構上；對所述電極層及所述發光結構進行臺面蝕刻，以定義出所述發光元件的發光區域圖案，並外露出部分的所述第一非本徵半導體層；形成一第一電極墊於所述第一非本徵半導體層的所述外露部分上及一第二電極墊於所述電極層的邊緣上；形成一保護層於上述被臺面蝕刻的所述電極層及所述發光結構的側壁；形成一導電部於所述保護層的側壁上，並連接所述導電部與所述第二電極墊；將具有所述發光結構的所述第二基板翻覆，並通過一粘著劑而與所述第一基板面對面粘貼在一起；移除所述第二基板；以及對所述發光結構進行圖案化處理，以外露出所述第一電極墊及所述導電部。
[0007]通過如上所述的發光元件製作方法，所述發光元件的電極及其接線布局或結構設計將可改善現有發光二極體的表面電極遮去其發光面的問題，因而所述發光元件的發光效率高，且其輸出光型不會受到電極配置的影響。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為根據本發明實施例的發光元件的剖面結構圖；
[0009]圖2為根據本發明另一實施例的發光元件的剖面結構圖；
[0010]圖3至12為根據本發明實施例的發光元件的製作流程所對應的元件剖面圖。
[0011]附圖標記說明:
[0012]100/200-發光元件；110-基板；112_矽基板；114_反射層；116_第二絕緣層；120-第一電極層；121-第一分支；122_第二分支；123_第三分支；124_導電材料層；130-發光結構；132_第一非本徵半導體層；134-主動層；136-第二非本徵半導體層；138-本徵半導體層；140_第一絕緣層；150_第二電極層；160/260_粘膠層；171/172_粗糙結構；310_第二基板；320-電極層；330-發光結構；331_本徵氮化鎵層；332_n型氮化鎵層；333_主動層；334-p型氮化鎵層；340_保護層；351_第一電極墊；352_第二電極墊；360-導電部；361_第一支部；362_第二支部；363_第三支部；370_粘膠層；380_第一基板；381-矽基板；382-反射層；383_絕緣層。
【具體實施方式】
[0013]為使貴審查委員能對本發明的特徵、目的及功能有更進一步的認知與了解，茲配合圖式詳細說明本發明的實施例如後。在所有的說明書及圖示中，將採用相同的元件編號以指定相同或類似的元件。
[0014]在本發明的實施例說明中，對於一元素被描述是在另一元素的「上面/上」或「下面/下」，是指直接地或間接地在所述元素的上或下的情況，而包含設置於其間的其他元素。為了說明上的便利和明確，圖式中各膜層的厚度或尺寸，是以誇張或省略或概略的方式表示，且各構成要素的尺寸並未完全為其實際的尺寸。
[0015]圖1為根據本發明實施例的發光元件的剖面結構圖。如圖1所示，所述發光元件100包含一基板110、一第一電極層120、一發光結構130、一第一絕緣層140、及一第二電極層150。所述基板110可承載所述發光元件100，並用以散去所述發光結構130產生的熱。所述發光結構130可具有一第一非本徵半導體層132(Extrinsic Semiconductor)、一主動層134、及一第二非本徵半導體層136，作為所述發光元件100的發光主體。所述第一絕緣層140可形成於所述發光結構130的側壁上。所述第一電極120鄰近於所述基板110，並位於所述第一絕緣層140的側壁及所述發光結構130的邊緣。所述第一電極120電性連接所述發光結構130的所述第二非本徵半導體層136，而所述第二電極150電性連接所述發光結構130的所述第一非本徵半導體層。以下將分別詳述所述發光元件100的各個組成部分以及之間的連接關係。
[0016]所述基板110可以是高導熱性材料組成的基板，用以承載所述發光元件100，並用以散去所述發光結構130產生的熱。在本實施例中，所述基板110為矽基板。在另外的實施例中，所述基板110亦可選用氧化招板(Sapphire)或金屬基板(Metal Foil),且所述基板110的表面可形成一絕緣的保護層(未圖示)，用以使所述基板110與所述第一電極120之間形成電性隔離。此外，所述基板110的表面亦可形成一反射性的鏡面層，用以將所述發光結構130發出的下射光朝向所述發光元件100的正面反射，由此可增加所述發光元件100的發光效率。
[0017]所述發光結構130作為所述發光兀件100的發光主體,基本上為一發光二極體(LED)，其具有多個半導體層；例如，摻雜三五族元素的半導體。其中，所述發光二極體可以是發出各色光的發光二極體，例如，藍光、綠光、紅光、及紫外線。如圖1所示，所述發光結構130可以是所述第二非本徵半導體層136、所述主動層134、及所述第一非本徵半導體層132依序堆疊的多層結構。所述第一非本徵半導體層132可以是P型的半導體層，則所述第二非本徵半導體層136為η型的半導體層；或反之，所述第一非本徵半導體層132可以是η型的半導體層，則所述第二非本徵半導體層136為P型的半導體層。所述第一非本徵半導體層132與所述第二非本徵半導體層136所摻雜的雜質濃度可以是相同或不同的。所述發光結構130的各層可以是多樣的結構，可搭配導電載子能階的特殊設計，本發明並不對此結構加以限制。
[0018]來自所述第一非本徵半導體層132及所述第二非本徵半導體層136的電子及電洞可被驅入所述主動層134中，電子電洞複合過程所產生的能量會以光的形式釋放出能量。在本實施例中，所述主動層134具有多重量子井(Multi Quantum Well1MQff)的結構，所述第一非本徵半導體層132的組成材料為η型氮化鎵(n-GaN)，且所述第二非本徵半導體層136的組成材料為P型氮化鎵(p-GaN)。但不以此為限，所述發光結構130亦可以其他的半導體材料或結構來製造。
[0019]為了解決現有發光二極體的表面電極遮到發光面而致減損其發光效率的問題，本發明的發光兀件將上述的表面電極埋藏於發光結構的下方，並將表面電極經由發光結構的側壁向上延伸至發光結構的發光面之外。本實施例是以所述第一電極120作為上述的表面電極，而為了所述第一電極120與所述發光結構130之間的電性隔離，所述第一絕緣層140可以光微影蝕刻技術及乾式蝕刻技術而形成於所述發光結構130的側壁上，其厚度約介於
1.5 μ m與2 μ m之間，以提供足夠的電性絕緣。
[0020]如上所述，本實施例的所述第一電極120用以將發光二極體的表面電極移至所述發光二極體的背面或側面，使得電極的設置不影響到所述發光元件的發光面。因此，所述第一電極120鄰近於所述基板110，並形成於發光結構130側壁上的所述第一絕緣層140而延伸至所述發光結構130的發光面之外。如圖1所示，所述第一電極120包含一形成於所述第一絕緣層140側壁上的第一分支121、一形成於所述第一絕緣層140下的第二分支122、及一形成於所述第二非本徵半導體層136邊緣的第三分支123，且所述第一分支121、第二分支122、及第三分支123彼此電性連接。由此，被埋藏於發光結構下方的表面電極將可經由所述第一電極120而引導至所述發光元件100的表面，以進行後續的導線連接。
[0021]所述第二電極150連接所述發光結構130的側面邊緣，以作為所述發光元件100的另一電極。在本實施例中，所述第一電極120電性連接所述發光結構130的所述第二非本徵半導體層136，而所述第二電極150電性連接所述發光結構130的所述第一非本徵半導體層132，且所述第一電極120與所述第二非本徵半導體層136之間以及所述第二電極150與所述第一非本徵半導體層132之間分別形成歐姆接觸。
[0022]在本實施例中，所述基板110與所述發光結構130可以不同的工藝分別製備；換言之，所述發光結構130並非於所述基板110上進行半導體工藝而形成，而是將已製作好的所述發光結構130面對面粘貼於所述基板110。因此，所述粘膠層160可形成於所述基板110與所述發光結構130之間，用以將所述發光結構130粘貼於所述基板110上。此外，所述粘膠層160的組成材料具有良好的導熱性及電絕緣性，用以將所述發光結構130產生的熱傳遞給所述基板110。
[0023]通過如上所述所述第一電極120及所述第二電極150於所述發光元件100中的布局或結構設計，將可改善現有發光二極體的表面電極遮去其發光面的問題，因而所述發光元件100的發光效率高，且其輸出光型不會受到電極配置的影響。
[0024]圖2為根據本發明另一實施例的發光元件的剖面結構圖。如圖2所示，所述發光元件200包含一基板110、一粘膠層260、一第一電極層120、一發光結構130、一第一絕緣層140、及一第二電極層150。所述基板110可承載所述發光元件200，並用以散去所述發光結構130產生的熱。所述發光結構130可具有一第一非本徵半導體層132、一主動層134、一第二非本徵半導體層136、及一本徵半導體層138,作為所述發光兀件200的發光主體。所述粘膠層260形成於所述基板110與所述發光結構130之間，用以將所述發光結構130粘貼於所述基板110上。所述第一絕緣層140可形成於所述發光結構130的側壁上。所述第一電極120形成於所述基板110上，特別地，並同時亦位於所述第一絕緣層140的側壁及所述發光結構130的下面。所述第一電極120電性連接所述發光結構130的所述第二非本徵半導體層136，而所述第二電極150電性連接所述發光結構130的所述第一非本徵半導體層。以下將分別詳述所述發光元件200的各個組成部分以及之間的連接關係。
[0025]所述基板110可以是高導熱性材料組成的基板，用以承載所述發光元件200，並用以散去所述發光結構130產生的熱。在本實施例中，所述基板110包含一娃基板112,—反射層114、及一第二絕緣層116。其中，所述矽基板110亦可以氧化鋁板或金屬基板來取代；所述反射層114可具有全方位反射鏡的功能且設置於所述矽基板110上，用以將所述發光結構130發出的下射光朝向所述發光元件200的正面反射，由此可增加所述發光元件200的發光效率；所述第二絕緣層116可設置於所述反射層114上，例如，二氧化矽或氮化矽(SiNx)，用以使所述基板110與所述第一電極120之間形成電性隔離。此外，可調整所述第二絕緣層116的厚度，由幹涉效應以提高所述反射層114的反射效果。
[0026]所述發光結構130作為所述發光兀件200的發光主體,基本上為一發光二極體(LED)，其具有多個複合物半導體層；例如，摻雜三五族元素的半導體。其中，所述發光二極體可以是發出各色光的發光二極體，例如，藍光、綠光、紅光、及紫外線。如圖2所示，所述發光結構130可以是所述第二非本徵半導體層136、所述主動層134、所述第一非本徵半導體層132、及所述本徵半導體層138依序堆疊的多層結構。所述本徵半導體層138設置於所述發光結構130的最上層，而作為所述發光元件200的表面保護之用。所述本徵半導體層138的組成材料可以與所述第一非本徵半導體層132相同，但是其導電性低於所述第一非本徵半導體層132，這是因為所述本徵半導體層138並沒有η型雜質摻雜於其中。
[0027]所述第一非本徵半導體層132可以是P型的半導體層，則所述第二非本徵半導體層136為η型的半導體層；或反之，所述第一非本徵半導體層132可以是η型的半導體層，則所述第二非本徵半導體層136為P型的半導體層。所述第一非本徵半導體層132與所述第二非本徵半導體層136所摻雜的雜質濃度可以是相同或不同的。所述發光結構130的各層可以是多樣的結構，本發明並不對此結構加以限制。此外，所述發光結構的上表面及下表面可形成粗糙結構171 ;換言之，所述本徵半導體層138可具有粗糙的上表面結構，而所述第二非本徵半導體層136可具有粗糙的下表面結構，其為所述發光結構130被粗糙化處理後的不平坦或凹凸的表面形狀，用以增加光的提取效率。
[0028]來自所述第一非本徵半導體層132及所述第二非本徵半導體層136的電子及電洞可被驅入所述主動層134中，電子電洞複合過程所產生的能量會以光的能量形式釋放出而發光。在本實施例中，所述主動層134具有多重量子井(Multi Quantum Well1MQff)的結構，所述第一非本徵半導體層132的組成材料為P型氮化鎵(P-GaN)，且所述第二非本徵半導體層136的組成材料為η型氮化鎵(n-GaN)。但不以此為限，所述發光結構130亦可以其他的半導體材料或結構來製造。
[0029]為了解決現有發光二極體的表面電極遮到發光面而致減損其發光效率的問題，本發明的發光兀件將上述的表面電極埋藏於發光結構的下方，並將表面電極經由發光結構的側壁而向上延伸至發光結構的發光面之外。本實施例是以所述第一電極120作為上述的表面電極，而為了所述第一電極120與所述發光結構130之間的電性隔離，所述第一絕緣層140可光微影蝕刻技術及乾式蝕刻技術而形成於所述發光結構130的側壁上，其厚度約介於1.5 μ m與2 μ m之間，以提供足夠的電性絕緣。此外，在實際的蝕刻工藝製作上，所述第一絕緣層140可能形成於如圖2所示的梯形形狀，其上半部的橫截面積大於其下半部的橫截面積，但本發明不以此為限。
[0030]如上所述，本實施例的所述第一電極120用以將發光二極體的表面電極移至所述發光二極體的背面或側面，使得電極的設置不影響到所述發光元件的發光面。因此，所述第一電極120形成於所述基板110上，並通過附著及攀爬所述發光結構130側壁上的所述第一絕緣層140而延伸至所述發光結構130的發光面之外。如圖2所示，所述第一電極120包含一形成於所述第一絕緣層140側壁上的第一分支121、一形成於所述第一絕緣層140下的第二分支122、一形成於所述第二非本徵半導體層136邊緣的第三分支123、及一形成於所述第二非本徵半導體層136下表面的導電材料層124,且所述第一分支121、第二分支122、第三分支123及所述導電材料層124彼此電性連接。
[0031]由此，被埋藏於發光結構下方的表面電極(所述導電材料層124)可經由所述第一電極120而引導至所述發光元件200的表面，以進行後續的導線連接。所述導電材料層124的組成材料可以是透明的氧化銦錫(ITO)，使得所述導電材料層124可作為電流的擴散層，其保形地(conformally)形成於具有粗糙結構的所述第二非本徵半導體層136下表面,可增加光提取效率，使其下方的所述基板110的所述反射層114可有效的進行反射。在另一實施例中，所述導電材料層124亦可選用金屬或高反射性材質例如銀或鋁，由此可省略所述基板110上的反射層。
[0032]此外，為了所述第一電極120本身的工藝上以及所述第一電極120後續導線連接上的考量，所述第一電極120的第一分支121可具有一與所述發光結構130表面形成45至90度夾角的斜面,如圖2所示。
[0033]所述第二電極150連接所述發光結構130的側面邊緣，以作為所述發光元件200的另一電極。在本實施例中，所述第一電極120電性連接所述發光結構130的所述第二非本徵半導體層136，而所述第二電極150電性連接所述發光結構130的所述第一非本徵半導體層132，且所述第一電極120與所述第二非本徵半導體層136之間以及所述第二電極150與所述第一非本徵半導體層132之間分別形成歐姆接觸。
[0034]在本實施例中，所述基板110與所述發光結構130可以不同的工藝分別製備；換言之，所述發光結構130並非於所述基板110上進行半導體工藝而形成，而是將已製作好的所述發光結構130面對面粘貼於所述基板110。因此，所述粘膠層260可形成於所述基板110與所述發光結構130之間，用以將所述發光結構130粘貼於所述基板110上。此外，所述粘膠層260的組成材料具有良好的導熱性及電絕緣性，用以將所述發光結構130產生的熱傳遞給所述基板110。所述粘膠層260的厚度隨著貼合工藝時所述基板110與所述發光結構130之間的施力大小而變化；在本實施例中，所述粘膠層260在所述第一電極120底面的下的厚度小於0.5 μ m，所述粘膠層260在所述第二非本徵半導體層136的下的厚度介於1.3 μ m與1.6 μ m之間，且所述粘膠層260在所述第二電極150的下的厚度介於2 μ m與
3.5 μ m之間；但本發明並不以此為限。
[0035]通過如上所述所述第一電極120及所述第二電極150於所述發光元件200中的布局或結構設計，將可改善現有發光二極體的表面電極遮去其發光面的問題，因而所述發光元件200的發光效率高，且其輸出光型不會受到電極配置的影響。
[0036]以下說明上述實施例的製作方法，是以圖2的所述發光元件200為例，但亦適用於圖1的所述發光元件100。圖3至12繪示根據本發明實施例的發光元件的製作流程所對應的元件剖面圖。
[0037]首先，先準備好一第一基板(未圖示)，用以承載後續工藝所將製作的發光元件。
[0038]接著如圖3所示，提供一氧化鋁(sapphire)板作為第二基板310，且所述第二基板310上形成有一發光結構330。所述發光結構330作為本實施例發光兀件的發光主體,其可包含一本徵氮化鎵(U-GaN)層331、一 η型氮化鎵(n_GaN)層332、一多重量子井(MQW)結構的主動層333、及一 P型氮化鎵(p-GaN)層334 ;其中，所述U-GaN層331形成於所述第二基板310上，所述n-GaN層332形成於所述U-GaN層331上，所述主動層333形成於所述n-GaN層332上，且所述ρ-GaN層334形成於所述主動層333上。此外，所述ρ-GaN層334的表面具有粗糙結構，以可增加發光元件的光提取效率。
[0039]接著如圖4所示,一透明的氧化銦錫(ITO)電極層320可保形地(conformally)沉積於所述發光結構330上，以作為所述發光元件的表面電極，則所述電極層320的表面亦為粗糙結構。
[0040]接著如圖5所示，對所述電極層320及所述發光結構330通過乾式蝕刻而進行臺面蝕刻(mesa etching),以定義出所述發光元件的發光區域圖案,並外露出部分的所述n-GaN 層 332。
[0041]接著如圖6所示，形成一第一電極墊351於所述n-GaN層332的所述外露部分上及一第二電極墊352於所述電極層320的邊緣上。所述第一電極墊351與所述發光結構330的所述n-GaN層332形成歐姆接觸，而所述第二電極墊352則用以電性連接所述電極層320。
[0042]接著如圖7所示，形成一電性絕緣的保護層340於上述被臺面蝕刻的所述電極層320及所述發光結構330的側壁上。通過所述保護層340提供電極的另一連接路徑以及將詳述於後的元件工藝，上述作為表面電極的所述電極層320將可埋藏於所述發光結構330的下方。在實際的蝕刻工藝製作上，所述保護層340可能形成於如圖7所示的梯形形狀，其上半部的橫截面積小於其下半部的橫截面積，但本發明不以此為限。
[0043]接著如圖8所示，形成一導電部360於所述保護層340的側壁上，並所述導電部360與所述第二電極墊352彼此電性連接。例如，所述導電部360可包含一形成於所述保護層340側壁的第一支部361、一形成於所述保護層340上的第二支部362、及一形成於所述第二電極層352的第三支部363，且所述第一支部361、第二支部362、第三支部363及所述第二電極墊352彼此電性連接。此外，為了所述導電部360本身的工藝上以及所述導電部360後續導線連接上的考量，所述導電部360的第一支部361可具有一與所述發光結構130表面形成45至90度夾角的斜面，如圖8所示。
[0044]接著如圖9所示，將具有所述發光結構330的所述第二基板310翻覆，並通過一粘著劑370而與所述第一基板380面對面粘貼在一起。所述第一基板380包含一矽基板381，一反射層382、及一絕緣層383。其中，所述矽基板381亦可以氧化鋁板或金屬基板來取代；所述反射層382可具有全方位反射鏡的功能且設置於所述矽基板381上，用以將所述發光結構330發出的下射光朝向所述發光元件的正面反射，由此可增加所述發光元件的發光效率；所述絕緣層383可設置於所述反射層382上，例如，二氧化矽，用以使所述第一基板380與所述電極層320及所述導電部360之間形成電性隔離。此外，可調整所述絕緣層83的厚度，以提高所述反射層382的反射效果。此外，所述粘膠層370用以將所述發光結構330粘貼於所述第一基板380上，其組成材料具有良好的導熱性及電絕緣性，用以將所述發光結構130產生的熱傳遞給所述第一基板380。所述粘膠層370的厚度隨著貼合工藝時所述第一基板380與所述發光結構330之間的施力大小而變化。
[0045]接著如圖10所示,通過例如雷射剝離(laser lift-off)技術,可移除所述第二基板310。此時，所述發光結構330的所述U-GaN層334變成本實施例發光元件的發光面。
[0046]接著如圖11所示，對所述發光結構330的表面施以粗糙化處理，使得所述U-GaN層334的表面形成粗糙結構。
[0047]接著如圖12所示，對所述發光結構330進行圖案化處理，以外露出所述第一電極墊351及所述導電部360，使所述第一電極墊351及所述第二電極墊352得以進行後續的導線連接。此外，為了便於上述所述第一電極墊351及所述第二電極墊352的導線焊接，另一實施例可進一步墊高所述第一電極墊350及所述導電部360。
[0048]通過如上所述的發光元件製作方法，所述發光元件的電極及其接線布局或結構設計將可改善現有發光二極體的表面電極遮去其發光面的問題，因而所述發光元件的發光效率高，且其輸出光型不會受到電極配置的影響。
[0049]以上所述者，僅為本發明的較佳實施例，當不能以的限制本發明的範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化及修飾，仍將不失本發明的要義所在，亦不脫離本發明的精神和範圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。
【權利要求】
1.一種發光元件，其特徵在於，其包括: 一基板； 一第一電極，位於所述基板上； 一發光結構，位於所述第一電極上，所述發光結構包含一第一非本徵半導體層、一第二非本徵半導體層及一介於所述第一非本徵半導體層與所述第二非本徵半導體層之間的主動層； 一第一絕緣層，位於所述發光結構的側壁；以及 一第二電極，連接所述第一非本徵半導體層； 其中，所述第一電極包含一位於所述第一絕緣層側壁上的第一分支。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述第一電極進一步包括: 一第二分支，位於所述第一絕緣層下:以及 一第三分支，位於所述第二非本徵半導體層的邊緣。
3.根據權利要求2所述的發光元件，其特徵在於，所述第一電極進一步包括: 一導電材料層，位於所述第二非本徵半導體層下。
4.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述第一電極的第一分支具有一斜面，所述斜面與所述發光結構的表面形成45至90度的夾角。
5.根據權利要求1所述的發光`元件，其特徵在於，進一步包括: 一粘膠層，位於所述基板與所述第二非本徵半導體層之間。
6.根據權利要求5所述的發光元件，其特徵在於，所述粘膠層在所述第二分支的下的厚度小於0.5 μ m，所述粘膠層在所述第二非本徵半導體層的下的厚度介於1.3 μ m與1.6 μ m之間，且所述粘膠層在所述第二電極的下的厚度介於2 μ m與3.5 μ m之間。
7.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述基板進一步包含: 一反射層，位於所述基板上 '及 一第二絕緣層，位於所述反射層上。
8.根據權利要求1項所述的發光元件，其特徵在於，所述第二非本徵半導體層具有粗糙的表面結構。
9.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述第一非本徵半導體層包含一η型氮化鎵，所述第二非本徵半導體層包含一 P型氮化鎵。
10.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述發光結構進一步包含: 一本徵半導體層，形成於所述發光結構的最上層，且所述本徵半導體層具有粗糙的表面結構。
11.根據權利要求1所述的發光元件，其特徵在於，所述主動層具有多重量子井的結構。
12.—種製作發光元件的方法，其特徵在於，包括下列步驟: (A)提供一第一基板； (B)提供一發光結構，其形成於一第二基板上，所述發光結構包含一第一非本徵半導體層、一主動層、及一第二非本徵半導體層； (C)形成一電極層於所述發光結構上； (D)對所述電極層及所述發光結構進行蝕刻，定義出所述發光元件的發光區域圖案，並外露出部分的所述第一非本徵半導體層； (E)形成一第一電極墊於所述第一非本徵半導體層的所述外露部分上及一第二電極墊於所述電極層的邊緣； (F)形成一保護層於上述被蝕刻的所述電極層及所述發光結構的側壁； (G)形成一導電部於所述保護層的側壁上，並連接所述導電部與所述第二電極墊； (H)通過一粘著劑將具有所述發光結構的所述第二基板與所述第一基板面對面粘貼在一起; (I)移除所述第二基板；以及 (J)對所述發光結構進行圖案化處理，以外露出所述第一電極墊及所述導電部。
13.根據權利要求12所述的製作發光元件的方法，其特徵在於，在步驟(J)的前更包括下列步驟: (JO)對所述發光結構的表面施以粗糙化處理。
14.根據權利要求12所述的製作發光元件的方法，其特徵在於，進一步包括下列步驟: (K)墊高所述第一電極墊及 所述導電部。
【文檔編號】H01L33/38GK103489980SQ201210191933
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年6月12日 優先權日:2012年6月12日
【發明者】洪瑞華, 郭育瑋 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司