用於製造有機電子組件的方法和有機電子組件與流程

2023-10-10 01:33:49

本發明涉及一種用於製造有機電子組件的方法，其中藉助氣相沉積獲得有機電子層。此外，本發明涉及一種有機電子組件。
背景技術：
：有機電子裝置涉及將有機基體材料用於將光轉換成電流和相反過程的應用並且用於藉助有機半導體材料構建電子組件。對於最先提到的類別的實例例如是：光電檢測器和有機太陽能電池，其示意地在圖1中示出，所述光電探測器和有機太陽能電池將光轉換成電信號或電流；以及有機發光二極體(oleds)，所述有機發光二極體能夠藉助有機電子材料產生光(見圖2)。例如有機場效應電晶體或雙極性電晶體屬於第二
技術領域：
，在圖3中示意性示出所述有機場效應電晶體，在所述有機場效應電晶體中摻雜降低電極和半導體材料之間的接觸電阻。全部應用的共同點是：所述應用包含電傳輸層作為重要的功能部件，所述電傳輸層根據其組分而具有不同的傳導機制。通常，在有機材料的本徵p型(空穴)導電性或n型(電子)導電性之間進行區分。因為該有機物質類別的電荷傳輸通常是不足夠的，所以所述有機物質類別被摻有附加的化合物，所述化合物應當改進層的電荷傳輸特性。通常，這通過摻雜有金屬化合物或其他有機化合物進行。用於實現顯著改進導電性的方案是添加金屬絡合物。因此，例如，在wo2013/182389a2和wo2011/033023a1中由本發明的發明人已經描述鉍絡合物和銅絡合物用作有機電子組件的p型摻雜質。在此，所描述的器件的有機層例如經由溶劑工藝、即溼法工藝技術獲得，其中所述器件包含基體材料連同相應的金屬絡合物作為p型摻雜質。此外，在所提及的專利文獻中也藉助利用點源進行氣相沉積來產生有機層。溼法工藝技術的實例尤其是印刷技術、如噴墨、凹印和平板印刷。此外，旋轉塗布或狹縫塗布也是典型的溶劑工藝。相反，藉助升華、即通過熱蒸發進行經由真空工藝產生有機電子器件的層。在此，有機層從氣相中沉積在襯底或已經產生的層上。現在，通過最後提到的工藝製造最有效率的有機器件，所述有機器件在這同時也能通過試生產來商業購得。此外，有機電子器件的效率也通過以下方式實現：器件由非常多單個層構成。每個層具有也與組件中的位置相關的特定物理電學的功能。在通過氣相沉積製造有機層的情況下，基體材料和摻雜材料例如通過優選從不同的源中共蒸鍍來沉積到襯底或已經存在的層上。為此，常規方式使用點源。例如在wo2011/033023a1和wo2013/182389a2中由本發明的發明人分別藉助點源進行摻雜的有機層的氣相沉積。在從點源中沉積時，在坩堝中在真空條件下蒸發要沉積的材料。在材料蒸發之後，由於真空中(10-5mbar至10-6mbar)的高的平均自由行程，分子無其他碰撞地擊中到襯底上。這表示：材料必須在僅略超過升華溫度上是熱穩定的，以便能夠未分解地沉積在襯底上。兩種技術、即溼法工藝技術和從氣相中經由點源進行的沉積是相對經濟的技術。因此，所述技術能用於多種不同的金屬絡合物。雖然溼法工藝技術和藉助點源進行的氣相沉積在工業條件下也允許製造有機電子組件，而所提及的技術卻僅有條件地尤其適合於對大面積的襯底覆層。技術實現要素：因此，本發明的目的是提供用於製造有機電子組件的方法，尤其也適合用於對大面積襯底進行覆層的方法。通過根據權利要求1的方法實現該目的。因此，提出一種用於製造有機電子組件的方法，其中組件包括至少一個有機電子層。在此，有機電子層具有基體，其中基體包含金屬絡合物作為摻雜質。例如，上述摻雜質能夠是p型摻雜質。所述金屬絡合物包括至少一個金屬原子m和至少一個結合到金屬原子m上的配體l，其中配體l彼此獨立地具有下列一般結構：在此，e1和e2彼此獨立地是氧、硫、硒、nh或nr』，其中r』能夠選自：烷基或芳基，並且能夠與配體l的取代的苯環連接。取代基r1彼此獨立地選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，其中n＝1至5。因此例如可行的是：能夠存在一至五個取代基r1，所述取代基能夠分別彼此獨立地選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴。在此，例如能夠存在多個相同的取代基r1，但也能夠存在多個不同的取代基r1。取代基r2彼此獨立地選自：-cn，具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴、芳基和雜芳基，其中m＝0至最大5-n。因此例如可行的是：存在一個或多個取代基r2，所述取代基r2彼此獨立地選自：-cn，具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，芳基和雜芳基。但例如也可行的是：配體l不具有取代基r2。配體l在任何情況下具有至少一個取代基r1，而所述配體不必須一定具有取代基r2。配體l的苯環的全部未取代的位用氫或重氫佔據。金屬m例如能夠是主族金屬或過渡金屬。至少一個有機電子層的摻雜質的沉積藉助用於氣相沉積的源進行，其中源構成為，使得摻雜質經歷與源的至少一個壁的碰撞。與如在本發明中使用的源相反，在點源的情況下，源的蒸發摻雜質的區域、源的排出開口，以及襯底全部設置在一條直線中，使得摻雜質具有至襯底的直接的通道並且能夠避免與源的壁的碰撞，其中摻雜質沉積在所述襯底上。在如在根據本發明的方法中使用的源的情況下，源的蒸發摻雜質的區域以及源的排出開口和襯底不設置在一條直線中。更確切地說，源的特徵在於：在摻雜質在源的區域中蒸發之後，在所述摻雜質離開源並且射到襯底上之前，該摻雜質還在源內部經歷偏轉。例如，在此，摻雜質能夠經歷與源的多個壁碰撞。例如具有摻雜質的氣流能夠經由例如呈管形式的源的區域引導，其中摻雜質經歷與源的壁的大量碰撞。例如，源的壁能夠被加熱，使得所述壁具有如下溫度，所述溫度是至少與摻雜質的升華溫度一樣高。相對於用於氣相沉積的常規的源，這類源具有的優點是：所述源允許更好地引導氣流。這尤其對於在待覆層的大面積的襯底中進行氣相沉積是有利的。在根據本發明的方法中，在摻雜質離開源之前，所述摻雜質例如能夠經歷與源的壁進行幾千次碰撞，然而在此不會分解。在許多源中，待沉積的摻雜質經歷與源的壁的幾千次碰撞，直至所述摻雜質經由例如呈縫隙或多個孔形式的排出開口進入自由真空中。為了防止材料沉積在源的壁上，所述壁通常加熱到比待沉積的摻雜質的固有升華點高20開爾文至80開爾文的溫度或甚至明顯更高的溫度上。在從氣相中沉積時，摻雜質必須能夠承受住所述溫度，而不會分解。本發明的發明人確定：雖然用作為有機層中的摻雜質的常規的金屬絡合物對於藉助溼法工藝技術或經由點源進行氣相沉積進行加工是足夠穩定的，然而，對於藉助於摻雜質經歷與源的至少一個壁碰撞的源進行沉積是不足夠穩定的。例如，當前方法的發明人觀察到：一般而言，雖然wo2013/182389a2和wo2011/033023a1的p型摻雜質能夠藉助溶劑工藝和通過從點源中氣相沉積而連同呈有機層形式的適合的基體材料一起沉積，然而，許多其中提到的化合物對於藉助如下源進行沉積是不足夠溫度穩定的，在所述源中摻雜質經歷與源的壁的碰撞。例如，本發明的發明人認識到：例如銅或鉍的金屬絡合物當其不具有r1形式的取代基時，對於沉積是不足夠穩定的。例如，具有氟化的苯環的、但沒有r1形式的取代基的苯甲酸衍生物對於在根據本發明的方法中應用是不足夠穩定的。本發明的發明人認識到：如在根據權利要求1的根據本發明的方法中使用的金屬絡合物以令人驚訝的方式具有足夠的熱穩定性，以便藉助源蒸發並且沉積，其中該源構成為，使得摻雜質經歷與源的至少一個壁的碰撞。因此，發明人尤其確定：引入至少一個取代基r1能夠實現顯著地改進整個絡合物的熱穩定性，其中所述取代基r1是具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，由此才實現根據權利要求1的經由源進行沉積。同時，除高的溫度穩定性之外，如在根據本發明的方法中使用的金屬絡合物的特徵同時在於足夠良好的摻雜強度。此外，藉助根據本發明的方法產生的、有機電子組件的層的特徵在於：在可見範圍中的高的光學透明度。在根據本發明的方法中使用的金屬絡合物以與常規的金屬絡合物類似的價格購得，並且此外能夠在沒有大的技術耗費的情況下製造。使用其中摻雜質經歷與源的至少一個壁碰撞的源整體上允許更低耗費地、節省時間地並且成本更適宜地製造有機電子組件。根據本發明的方法因此尤其良好地適合應用於工業規模中。根據本發明的方法比常規的方法明顯更好地尤其適合於較大面積襯底的覆層，在所述常規的方法中例如使用點源。根據本發明的方法因此是大面積的覆層方法。在下文中簡要地參考若干術語定義：就本發明而言，術語「有機電子組件」通常表示和/或包括尤其有機電晶體、有機發光二極體、發光電化學電池、有機太陽能電池、光電二極體以及有機光伏裝置。就本發明而言，術語「p型摻雜質」表示或包括尤其如下材料，所述材料具有路易斯酸性和/或所述材料能夠與基體材料構成絡合物，在所述絡合物中，這些材料(即使僅形式上)起路易斯酸作用。在下文中探討根據本發明的方法的一系列優選的實施方式：根據一個尤其優選的實施方式，在根據本發明的方法中，在氣相沉積中使用線性源。在線性源中，從氣相中經由間隙進行沉積，所述間隙作為例如呈孔排形式的排出開口。在此，分子經常經歷與源的壁的幾千次碰撞，直至其最後通過間隙或多個孔進入到自由真空中。為了防止材料沉積在線性源的壁上，所述壁經常加熱到比固有的升華點高20開爾文至80開爾文的溫度上。加熱到還更高的溫度也是可行的。常規的摻雜質大多在與源的壁碰撞時分解。例如，發明人認識到：wo2013/182389a2和wo2011/033023a1的許多金屬絡合物雖然對於藉助點源來沉積是足夠穩定的，然而，如實驗示出的那樣，所述絡合物不能夠藉助線性源沉積，在所述線性源中絡合物經受與源的壁碰撞。在schmid等著的「fluorinatedcopper(i)carboxylatesasadvancedtunablep-dopantsfororganiclight-emittingdiodes」(advancedmaterials2014,vol.26,6,878-885)的文章中描述的化合物也是p型摻雜材料。雖然在那描述的化合物能夠由本發明的發明人未分解地在點源中蒸發並且描述其特徵，然而，轉移到線性源上是不可行的。根據一個優選的實施方式，在根據本發明的方法中使用所描述形式的金屬絡合物，所述金屬絡合物是路易斯酸，即所述金屬絡合物用作電子對受體。這對於與基體材料的相互作用被證實為是尤其優選的。本發明的一個實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物具有多個相同的配體l。這種絡合物通常比具有不同類型的配體l的金屬絡合物能夠更簡單地製備。本發明的一個實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物具有至少兩個不同類型的配體l。這種絡合物也能夠在如下源中沉積，所述源構成為，使得引起摻雜質與源的至少一個壁碰撞。本發明的實施方式涉及根據本發明的方法，其中除配體l之外，金屬絡合物還具有不同於l的其他式的其他配體。這種絡合物的特徵也在於高的熱穩定性。根據本發明的另一改進方案，在根據本發明的方法中使用金屬絡合物，所述金屬絡合物具有至少一個開環的或部分可用的配位位置。這同樣對於與基體材料的相互作用被證實為是尤其優選的。本發明的一個優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的金屬m選自：主族金屬和過渡金屬。尤其地，金屬m能夠是元素周期表的第13至第15族的主族金屬和金屬cu、cr、mo、rh和ru。這些絡合物作為在有機電子組件的有機層中的p型摻雜質被證實是適合的。由於其路易斯酸性，藉助所述金屬的絡合物實現良好的p型摻雜材料作用。此外，所描述的金屬絡合物能容易地導電性能夠簡單地經由所述金屬的摻雜材料的濃度匹配於相應的需要。本發明的另一改進方案涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的金屬m是鉍或銅。例如其能夠是具有iii或v氧化態的鉍的金屬絡合物。在此，尤其優選的是iii氧化態的鉍絡合物。例如，金屬絡合物是銅(i)或銅(ii)絡合物。在此，尤其優選的是i氧化態的銅絡合物。銅和鉍的金屬絡合物作為尤其有效的p型摻雜材料被證實為是適合的，所述p型摻雜材料能夠簡單地製備。例如，包括具有所述摻雜材料的空穴傳輸層的有機電子組件的特徵在於特別良好的導電性。此外，相應的絡合物是尤其熱穩定的。在一個尤其優選的實施方式中，取代基r1是至少雙重氟化的取代基，也就是說，r1具有至少兩個氟原子。更優選的是：取代基r1是全氟化的取代基。氟化程度越高，取代基對金屬絡合物的穩定效果就越強。本發明的一個尤其優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物中的配體l的取代基r1中的至少一個取代基是-cf3基團。本發明的發明人認識到：藉助這類金屬絡合物的根據本發明的方法是尤其優選的，因為這類金屬絡合物具有尤其高的熱穩定性，進而也在在引起金屬絡合物與源的至少一個壁碰撞的源中使用時不分解。發明人觀察到：作為配體l的取代基r1的-cf3基團的電子特性和空間特性引起尤其穩定的金屬絡合物。尤其地，實現非常高的熱穩定性，使得具有作為配體l的取代基r1的-cf3基團的金屬絡合物在遠超過升華點的溫度的情況下才分解。-cf3基團也有助於金屬絡合物的較高的路易斯酸性並且引起尤其良好的摻雜材料強度，這有助於在所製造的有機電子器件的有機層中的導電性。此外，與在用於製備配體l的初始材料中的其他氟化的脂肪烴對比，具有-cf3取代基的配體更盛行，使得取代基r1是-cf3基團的配體比具有其他取代基r1的配體通常更容易獲得並且更便宜。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中配體l具有剛好兩個取代基r1，所述取代基r1分別形成-cf3基團。本發明的發明人認識到：以令人驚訝的方式，與使用例如僅一個-cf3基團相反，通過使用兩個-cf3基團能夠實現金屬絡合物的溫度穩定性的進一步改進。這在藉助源施加包含所述金屬絡合物作為摻雜材料的有機層時得到尤其好的結果，其中在所述源中摻雜材料、即摻雜質經歷與源的至少一個壁碰撞。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中配體l具有剛好兩個取代基r1，所述取代基r1分別形成-cf3基團並且設置在配體l的苯環上的3、5位上。本發明的發明人認識到：具有所述連接度的配體l的絡合物允許尤其高的熱穩定性。發明人確定：通過處於苯環上3、5位中的基團的空間要求，金屬絡合物的尤其良好的穩定性是可行的。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中取代基r2彼此獨立地選自：-cn、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基和取代的或未取代的苯基。本發明的發明人認識到：這類絡合物藉助如下源蒸發而沒有絡合物的分解是可行的，在所述源中摻雜質經歷與源的至少一個壁碰撞。因此，具有配體l的絡合物也能夠使用在線性源中，其中不是全部的取代基都是氟化的烴。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的配體l不具有取代基r2，也就是說，m＝0。因為未氟化的烴取代基比氟化的烴取代基具有更高的反應性，所以棄用取代基r2引起來進一步改進穩定性進而引起藉助如下源從氣相中更好的可沉積性，在所述源中金屬絡合物與源的至少一個壁碰撞。在本發明的另一優選的改進方案中，金屬絡合物具有剛好兩個取代基r1或還更多個取代基r1。兩個或更多個取代基r1引起尤其良好地向外屏蔽絡合物，進而允許金屬絡合物的尤其良好的穩定。本發明的另一優選的改進方案涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的配體l的e1和e2是氧。在這種情況下，配體l是苯甲酸的用氟化的烴取代的衍生物。本發明的發明人確定：這類金屬絡合物尤其良好地適合用於藉助經由如下源沉積來製造有機電子器件，在所述源中摻雜質經歷與源的壁中的至少一個壁碰撞，因為所述金屬絡合物能夠容易地製備，所以得到良好摻雜強度的金屬絡合物並且滿足對熱穩定性方面尤其高的要求。尤其地，苯甲酸的衍生物通常是易於商購的或無需高的技術耗費地製備。本發明的一個尤其優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的配體l彼此獨立地選自：如果存在多個配體l，那麼在此，能夠彼此獨立地選擇金屬絡合物的全部配體l。例如，金屬絡合物中能夠存在多個不同的所述配體l或全部配體l也能夠是相同的。本發明的發明人確定：具有出自該組的配體l的金屬絡合物具有尤其良好的耐熱性，並且此外具有尤其良好的摻雜材料特性。以令人驚訝的方式發現：這些金屬絡合物以特殊的方式適合藉助如下源沉積，其中金屬絡合物經歷與源的至少一個壁碰撞並且儘管如此在源中不分解。本發明的另一優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的配體l彼此獨立地選自：配體l的所述實例能以可接受的價格商業購得進而不必須以自產方式製備。所述實例因此也尤其適合在工業規模中應用。本發明的還更優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物的配體l是通過應用具有在3、5位中的兩個-cf3取代基的苯甲酸的衍生物獲得金屬絡合物，所述金屬絡合物仍遠在升華溫度之上是熱穩定的。該絡合物尤其良好地適合用於藉助經由如下源、例如線性源進行沉積的方法，在所述源中出現與源的壁中的至少一個碰撞。此外，其得到具有出色的電子特性的有機電子器件。在根據本發明的方法的另一實施形式中，所使用的金屬絡合物是單原子核的金屬絡合物、即具有僅一個中心原子的金屬絡合物。在根據本發明的方法的與之不同的實施方式中，使用多核的金屬絡合物。以該方式，通常通過多個路易斯酸中心的可用性能夠還更好地調節待沉積的有機層的導電性。本發明的另一構成方案涉及根據本發明的方法，其中使用均配的金屬絡合物。這類絡合物可經常不太耗費地製備，因為所述絡合物僅包括配體l的式的配體的類型。因此，也沒有導入其他配體，所述配體能夠潛在地降低整個絡合物的穩定性。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中配體l彼此獨立地通過下列式之一的配位物結合到金屬絡合物的金屬原子m上：發明人的實驗發現指出：與金屬原子m的結合能夠是多種多樣的。配體能夠以單齒的、雙齒的或橋接方式結合，以便引起溫度穩定性的提高。本發明的一個尤其優選的實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物是鉍絡合物，並且其中配體l能夠彼此獨立地具有下列一般結構：其中取代基r1選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，並且其中取代基r3選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的或未氟化的脂肪烴，芳基和雜芳基，其中a能夠等於0或1。本發明的發明人認識到：具有所述配體的鉍絡合物具有尤其高的耐熱性。因此，所述絡合物能夠藉助如下源尤其良好地沉積，在所述源中出現與源的壁中的至少一個碰撞，因此，所述方法允許以尤其少量的技術耗費製造有機電子組件進而是尤其成本低的。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物具有下述分解溫度，所述分解溫度比金屬絡合物的升華溫度高於10開爾文，還高20開爾文並且尤其高超過40開爾文。最優選地，分解溫度比金屬絡合物的升華溫度高超過70開爾文。分解溫度越高於金屬絡合物的升華溫度，金屬絡合物相對與源的壁的碰撞就越穩定。本發明的另一實施方式涉及根據本發明的方法，其中有機電子層的例如藉助共蒸鍍與金屬絡合物共同沉積的基體材料選自如下組，所述組包括例如能夠應用於空穴傳輸層中的材料的一種或多種或由其構成，所述材料是：npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-聯苯胺)，β-npbn,n′-雙(萘-2-基)-n,n′-雙(苯基)-聯苯胺)tpd(n-n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯苯胺)螺-tpd(n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯苯胺)螺-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-螺)dmfl-tpdn,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-2,2-二甲基聯苯胺n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-螺芴n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-螺芴dmfl-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)dpfl-tpd(n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二苯基-芴)dpel-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二苯基-芴)螺-tad(2,2′,7,7′-四(n,n-二苯基氨基)-9,9′-螺二芴)9,9-雙[4-(n,n-雙-聯苯-4-基-氨基)苯基]-9h-芴9,9-雙[4-(n,n-雙-萘-2-基-氨基)苯基]-9h-芴9,9-雙[4-(n,n′-雙-萘-2-基-n,n′-雙-苯基-氨基)-苯基]-9h-芴n,n′-雙(菲-9-基)-n,n′-雙(苯基)-聯苯胺2,7-雙[n,n-雙(9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴2,2′-雙[n,n-雙(聯苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴2,2′-雙[n,n-雙-苯基-氨基]9,9-螺二芴雙-[4-(n,n-聯甲苯-氨基)-苯基]環己胺2,2′,7,7′-四(n,n-雙-甲苯基)氨基-螺二芴n,n,n′,n′-四-萘-2-基-聯苯胺2,2′,7,7′-四[n-萘基(苯基)氨基]-9,9-螺二芴螺-ttb(2,2′,7,7′-四-(n,n′-二對甲苯氨基)-9,9′-螺二芴)氧鈦酞菁銅酞菁2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷4,4′,4″-三(n-3-甲基苯基-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n-(2-萘基)-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n-(1-萘基)-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n,n-二苯基-氨基)三苯胺吡嗪並[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二腈n,n,n′,n′-四(4-甲氧基苯基)聯苯胺這些材料作為有機電子組件中的基體材料被證實為是適合的。本發明的另一實施形式涉及根據本發明的方法，其中可藉助該方法製造的有機電子器件的至少一個有機電子層是電子阻擋層。在此，藉助其中出現與源的至少一個壁碰撞的、具有至少部分地引導電子的基體材料的源、例如線性源進行共蒸鍍。在此，典型的引導電子的材料是：2,2′,2″-(1,3,5-次苯基)三(1-苯基-1-h-苯並咪唑)2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉8-羥基喹啉-鋰4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑1,3-雙[2-(2,2′-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯4,7-二苯基-1,10-菲咯啉3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁6,6′-雙[5-(聯苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2′聯吡啶2-苯基-9,10-雙(萘-2-基)-蒽2,7-雙[2-(2,2'聯吡啶-6-基)-1,3,4-惡二唑-5-基]-9,9-二甲基芴1,3-雙[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑-5-基]苯2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉2,9–雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)甲硼烷1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1h-咪唑並[4,5-f][1,10]菲咯啉電子流的阻擋和限界例如對於高效的有機發光二極體(oleds)有重要意義，進而根據本發明的方法在工業製造的範圍內是高度有用的。除根據本發明的方法之外，本發明還涉及有機電子組件，所述有機電子組件包括至少一個有機電子層。有機電子層包括基體，其中基體包含鉍絡合物作為摻雜質，例如p型摻雜質。鉍絡合物包括至少一個結合到鉍原子上的配體l，其中配體l能夠彼此獨立地具有下列一般結構：其中取代基r1選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，並且其中取代基r3選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化或未氟化的脂肪烴、芳基和雜芳基，其中a能夠等於0或1。本發明的發明人確定：該形式的有機電子器件與常規的有機電子器件相比能夠以明顯更低的技術耗費製成。這是可行的，因為根據本發明的器件具有剛剛描述的形式的鉍絡合物，所述鉍絡合物的特徵在於尤其高的耐熱性。因此，使用如下製造方法也是可行的，所述製造方法需要金屬絡合物的較高的耐熱性，即為如下製造方法，其中在用於氣相沉積的源中出現絡合物與源的至少一個壁的碰撞或絡合物彼此間的碰撞。例如，藉助線性源執行製造是可行的，所述線性源需要尤其高的耐熱性。根據本發明的有機電子組件的另一實施方式的特徵在於：配體l獨立地選自：除尤其簡單的製造之外，由於鉍絡合物的耐熱性，所述組件還是尤其低成本的，因為所提到的配體能夠以可接受的價格商業購得進而不需要自產。根據本發明的有機光電子組件的一個尤其優選的實施方式涉及組件，其中鉍絡合物的配體l在苯環的3和5位中被取代。這種絡合物是尤其穩定的。根據本發明的有機光電子組件的一個尤其優選的實施方式涉及組件，其中鉍絡合物的配體l是根據本發明的有機光電子組件的一個尤其優選的實施方式涉及組件，其中鉍絡合物是如下絡合物本發明的發明人觀察到：該絡合物顯示出良好的摻雜材料特性和尤其高的耐熱性。絡合物在超過其升華溫度70℃的溫度下仍是穩定的，進而出色地適合用於如下製造方法，所述製造方法需要所使用的摻雜材料的高的耐熱性。絡合物突出地也適合用於在需要絡合物尤其穩定的源、尤其其中出現與源的至少一個壁碰撞的源中進行氣相沉積。例如絡合物能夠以低的耗費在藉助線性源沉積期間與基體材料共同施加。出於這些原因，包括所述絡合物的有機光電子組件也能夠以大技術規模尤其簡單並且成本低地製造，並且所述有機光電子組件具有如下有機電子層，所述有機電子層具有例如在導電性方面非常良好的電學特性。上述的以及所要求保護的且在實施例中描述的可根據本發明應用的組件的尺寸、形狀設計、材料選擇和技術設計不受特殊的例外條件影響，使得能夠不受限地應用在應用領域中已知的選擇標準。附圖說明從下面描述的附圖和所屬的實例以及參考實例中得出本發明的主題的其他細節、特徵和優點。在附圖中示出：圖1示意性示出有機發光二極體(10)的構造。發光二極體由玻璃層(1)；透明導電氧化物(toc)或pedot：pps層或pani層(2)；空穴注入層(3)；空穴傳輸層(htl)(4)；發射體層(eml)(5)；空穴阻擋層(hbl)(6)；電子傳輸層(etl)(7)；電子注入層(8)和陰極層(9)；圖2示意性示出具有pin結構(20)的有機太陽能電池的構造，所述有機太陽能電池將光(21)轉換成電流。太陽能電池由用銦錫氧化物構成的層(22)；p型摻雜的層(23)；吸收層(24)；n型摻雜的層(25)和金屬層(26)構成；圖3示意性示出有機場效應電晶體(30)的可行的橫截面。在襯底(31)上施加柵極電極(32)、柵極電介質(33)、源極和漏極接觸部(34+35)和有機半導體(36)。劃陰影的位置表示如下位置，在所述位置處接觸摻雜是有益的。圖4示出根據creaphys公司的點源的現有技術的構造。點源具有坩堝(41)。待沉積的材料在坩堝中在真空條件下蒸發。在材料蒸發之後，分子經由排出開口(42)離開點源。由於真空中(10-5mbar至10-6mbar)高的平均自由行程，例如金屬絡合物的分子無其他碰撞地射到襯底上，其中所述金屬絡合物起摻雜質作用。這表示：材料必須在僅略超過升華溫度上是熱穩定的，以便能夠未分解地沉積在襯底上。尤其，藉助點源沉積的摻雜材料不射到源的壁上，而是能夠通過直接設置在源的開口處來直接沉積在待覆層的襯底上。坩堝的蒸發摻雜質的區域以及排出開口和襯底因此處於直線布置中。尤其地，在所述摻雜質射到襯底上之前，摻雜質無需經由管路系統或噴灑系統改道來沉積。圖5示例地以vecco公司的示意性示出的線性源來示出線性源的構造。線性源具有坩堝(51)，所述坩堝能夠是可取下的。在坩堝中的待沉積的材料、例如摻雜質蒸發之後，處於氣相中的摻雜質經由管路(53)引導至排出開口(52)。在此，排出開口(52)例如能夠是間隙狀的或由孔排構成。線性源不允許摻雜質直接地、直線地到達襯底，而是相反，摻雜質在線性源中通常多次轉向。在此，出現摻雜質與線性源的壁的大量碰撞。此外，線性源能夠包含可控制的閥(54)、流量調節器(56)以及用於例如加熱設備或閥的電子控制裝置的相應的布線(55)。通過有針對性引導氣流能夠尤其良好地實現大面積的沉積。圖6針對實施i示出未摻雜的基體材料以及對於摻雜的基體材料的電流密度與電壓的關係。在此，空穴導體2,2′,7,7′-四(n,n′-二對甲苯)氨基)-9,9′-螺二芴)、簡稱螺-ttb用作基體材料。電流密度-電壓特性曲線表明：15％的cu(3,5-tfmb)在空穴導體螺-ttb中的足夠的摻雜性能。圖7關於實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的1-tnata示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量在藉助點源產生的摻雜的基體材料處執行，以便實現在相同條件下與對比實例將電學性能進行比較。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。電壓特性曲線表明鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的良好的導電性並且證明鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的良好的摻雜材料強度。圖8關於實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖9關於參考實例i針對摻雜有鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖10關於參考實例i針對摻雜有鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖11關於參考實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖12關於參考實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖13關於參考實例iii針對摻雜有鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖14關於參考實例iii針對摻雜有鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖15關於參考實例iv針對摻雜有鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖16關於參考實例iv針對摻雜有鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖17關於參考實例v針對摻雜有鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖18關於參考實例v針對摻雜有鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖19關於參考實例vi針對摻雜有鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖20關於參考實例vi針對摻雜有鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖21關於參考實例vii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖22關於參考實例vii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb的參考實例vii方面電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖23關於參考實例viii針對摻雜有鉍(iii)-三(三氟乙酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖24關於參考實例viii針對摻雜有鉍(iii)-三(三氟乙酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。圖25關於參考實例ix針對摻雜有鉍(iii)-三(三乙酸)的1-tnata示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執行。圖26關於參考實例ix針對摻雜有鉍(iii)-三(三乙酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出通過藉助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對於電壓以及電流密度相對於外部電場強度的關係。具體實施方式在下文中，介紹兩個實例i和實例ii。兩種金屬絡合物銅(i)雙-三氟-甲基苯甲酸(實例i)和鉍(iii)三-3,5-三氟甲基苯甲酸(實例ii)憑藉明顯超過其升華溫度的分解溫度而是極其溫度穩定的。兩種絡合物能夠藉助如下源沉積，在所述源中絡合物經歷與源的至少一個壁碰撞。例如，兩種絡合物具有對於經由線性源進行氣相沉積足夠高的穩定性。這通過所謂的安瓿測試以實驗方式證實。全部其他參考實例、即參考實例i至參考實例ix在安瓿測試中沒有顯示出足夠的穩定性。發明人實驗性確定：這些物質不適合用於藉助如下源沉積，在所述源中絡合物經歷碰撞。在下文中，同樣研究相應摻雜的層的電學性能。因為參考實例i至參考實例ix的金屬絡合物分別對於藉助其中出現與源的至少一個壁碰撞的源進行沉積是不足夠穩定的，所以測量在經由點源沉積的有機電子層處執行並且相互比較。例如，參考實例i至ix的絡合物對於藉助線性源沉積是不足夠穩定的。實例i實例i涉及金屬絡合物銅(i)雙-三氟甲基苯甲酸(在下文中簡稱為cu(3,5-tfmb))。一般地，以如下途徑製備苯甲酸的多個銅(i)絡合物的氟化的衍生物：以類似方式能夠製備多種在根據本發明的方法中使用的金屬絡合物。因此，根據下列規則能夠從銅(i)-三氟乙酸中獲得例如金屬絡合物3,5-雙(三氟甲基苯甲酸)：5g(7.08mmol)的銅(i)-三氟乙酸連同7.5g(29.03mmol)的3,5-雙(三氟甲基苯甲酸)在250ml的雙頸燒瓶中在惰性氣體下(例如在手套箱中)稱重。混合物摻入有80ml的甲苯和70ml的苯，其中產生綠色的反應溶液。在輕度回流條件下過夜加熱所述混合物(浴溫度大約90℃)，緊接著蒸餾出溶劑。保留奶油色-綠色的產物，所述產物在真空中乾燥。在一次升華之後，產量為6.98g(76％)。在2×10-5mbar下，物質的升華範圍在160℃-180℃。通過安瓿測試能夠證明：cu(3,5-tfmb)直至至少225℃是穩定的。在安瓿測試中，在10-5mbar至10-6mbar的基礎壓力下熔化約100mg至500mg的待研究的物質。緊接著，在爐中加熱安瓿，並且在相應溫度下放置大約100小時。通過視覺檢查能夠識別：是否出現金屬絡合物的分解，因為分解導致變色，經常導致變棕色。最後，在大約100小時之後，在第一測試溫度下以10開爾文至20開爾文的步距繼續加熱安瓿，並且在新的測試溫度下在爐中放置保持大約100小時。實驗繼續進行，最後直至變色推斷出分解。在檢查實驗中，附加地，分別隨視覺確定之後，將具有相同的要測試的金屬絡合物的新的樣本的另一安瓿再次在爐中加熱大約100小時。在此，加熱到略低於視覺確定的分解溫度的溫度上。接著，藉助元素分析研究如此處理的樣本，進而經由元素組分來證實絡合物的穩定性。對於根據實例i的銅(i)雙-三氟甲基苯甲酸，在三個不同的溫度：210℃、230℃和240℃下執行安瓿測試。測量證明：絡合物直至至少225℃是穩定的。這藉助元素分析證實。因此，cu(3,5-tfmb)適合用於從氣相中也藉助從如下源中進行沉積，在所述源中出現絡合物與源的壁中的至少一個碰撞。例如經由線性源從氣相中沉積是可行的。摻雜有cu(3,5-tfmb)的層具有在可見範圍中非常好的光學透明度。此外，cu(3,5-tfmb)的特徵在於足夠良好的摻雜材料強度。如還通過圖6示出，摻雜有cu(3,5-tfmb)的有機層具有良好的導電性。實例ii實例ii涉及根據本發明的方法，其中金屬絡合物是鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸(在下文中簡稱bi(3,5-tfmb)3)。根據實例ii的鉍絡合物以及參考實例i至參考實例vii的在下文中描述的金屬絡合物按照根據簡圖1的下列一般性的方法製備：簡圖1：在此，對於bi(3,5-tfmb)3，殘基rb和rd、即3、5位中的殘基分別是cf3取代基，並且殘基ra、rc和re分別是氫原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(3,5-tfmb)3(測量：碳33.5％；氫0.5％；計算：碳33.06％；氫0.92％)。藉助安瓿測試確定鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的熱穩定性，如其已經結合實例i描述。因此，在330℃下在144小時的時間片期間進行熱處理時，金屬絡合物也是穩定的。在低於330℃的溫度中，未觀察到安瓿變色。從330℃起才可見輕度變色。元素分析的數據也證實：絡合物在統計誤差範圍內直至330℃是熱穩定的。此外，如在表1中示出的那樣，類似的測試分別在260℃、280℃、315℃和330℃的溫度下執行144小時。在此，熱處理過的物質的樣本分別藉助元素分析研究，其中確定碳含量。因此，根據如此確定的碳含量與未分解的絡合物的期望的碳含量的偏差，推斷出關於在相應的熱處理之後的絡合物的分解程度是可行的。由發明人通過一系列測試能夠證明：根據實例ii的鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸具有尤其高的熱穩定性，並且在考慮統計誤差的情況下，在高於330℃的溫度下才顯示出明顯的分解。表1：藉助元素分析在安瓿的如下兩個不同位置(位置a，位置b)處確定碳含量，在安瓿測試之後物質分別沉積在所述位置上。在不超過330℃的溫度下確定的碳含量與(為33.06％的)理論計算的含量的小的偏差證明：鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的高的熱穩定性。在超過330℃的溫度下才觀察到絡合物的明顯的分解。位置a位置b3×升華的材料沒有材料理論值+0.44％c在260℃下144h理論值+0.49％c理論值+0.05％c在280℃下144h理論值+0.63％c理論值+0.12％c在300℃下144h理論值+0.49％c沒有材料在315℃下144h理論值+0.47％c理論值+0.18％c在330℃下144h理論值+0.14％c分解因此，元素分析證實在不超過330℃下在考慮統計誤差的情況下絡合物的穩定性。由於高的熱穩定性，因此，如在鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的實例可見，具有氟化的烷基取代基r1的摻雜材料尤其適合用於藉助如下源進行氣相沉積，在所述源中金屬絡合物、即摻雜質經歷與源的至少一個壁碰撞。例如，金屬絡合物對於能夠無分解地經由線性源從氣相中沉積是足夠穩定的。摻雜有bi(3,5-tfmb)3的層具有在可見範圍中非常良好的光學透明度。此外，bi(3,5-tfmb)3的特徵在於足夠良好的摻雜材料強度。這通過在下文中總結的實驗數據進一步加以說明。在圖7、圖8和表2、表3中總結摻雜有bi(3,5-tfmb)3的有機層的電學性能。表2：摻雜有bi(3,5-tfmb)3的1-tnata的電學性能的總結。尤其研究在三個不同的摻雜材料含量(1:8、1:4和1:2)的情況下的電學性能的總結。在表2以及全部其他表中針對不同材料詳述的電學性能通過在承載在ito襯底上的200nm厚的有機層處測量來執行，所述層通過經由點源共蒸鍍獲得。在此，實驗摩爾比分別代表基體材料和金屬絡合物的摩爾比例。σ0代表測量到的有機電子層的導電性。ρc.；0代表接觸電阻。ebi代表半導體材料的內部電場的電場強度(英文術語「built-inelectricfield內建電場」；由在有機電子組件的陽極和陰極之間的輸出功的差得出該場強度)。εr說明通過共蒸鍍獲得的材料的介電常數。結合如在文獻中的不同的導電性理論中描述的有機電子層中載流子的傳輸基質確定一系列參數。在此，r代表根據載流子傳輸模型(steiger等的「energetictrapdistributionsinorganicsemiconductors」syntheticmetals2002，129(1)，1-7；schwoerer等「organicmolecularsolids」，wiley-vch，2007)描述的指數分布的經驗係數(英文術語「trapdistributionfactor」(陷阱分布係數))。μ0代表載流子遷移率並且γ代表場激活係數(英文術語：「field-activationfactor」)。例如，γ在根據murgatroyd公式：murgatroyd，p.n.「theoryofspace-charge-limitedcurrentenhancedbyfrenkeleffect」journalofphysicsd：appliedphysics1979，3(2)，151描述的載流子傳輸的上下文中是重要的。在表2至表31中使用的術語「過於導電」、「彈道」、「非歐姆接觸」、「陷阱」、「老化」、「非tflc」、「限制(compliance)」在此分別具有下列意義：術語「過於導電」描述：由於層的過高的導電性，測量不具效力。術語「非歐姆接觸」表示：不存在電接觸。術語「限制」表達：達到測量儀器的預設的電流極限。術語「tflc」代表：根據steiger等和schwoerer等的論文為「陷阱填充限制基質」並且參考有機電子層的載流子的傳輸基質。術語「彈道」、「陷阱」、「老化」表示「ballistic彈道」、「trapping陷阱」、「aging老化」。在此，術語「彈道」、「陷阱」和「老化」涉及根據在所述文獻中描述的不同的導電性模型的其他傳輸機制。在此，不同的導電性機制能夠在電流-電壓相關性的指數處識別。各簡稱以類似方式也適用於表3至表21。表3：總結摻雜有(1:2)的bi(3,5-tfmb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能。對比在摻雜不同基體材料的情況下的電學性能。測量證實：摻雜有bi(3,5-tfmb)3的基體材料具有良好的電學性能、尤其足夠良好的導電性。在下文中，這通過與多種其他絡合物的電學性能對比加以說明，然而，所述絡合物與根據實例i的cu(3,5-tfmb)和根據實例ii的bi(3,5-tfmb)3相反，在安瓿測試中分別示出不足夠的耐熱性，進而不適合藉助如下源從氣相中沉積，在所述源中進行與源的至少一個壁碰撞。參考實例i參考實例i涉及鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)、簡稱bi(2,6-dfb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(2,6-dfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(2,6-dfb)3，殘基ra和re分別是氟原子並且剩餘的取代基rb、rc和rd分別是氫原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(2,6-dfb)3(測量：碳36.2％；氫1.5％；計算：碳37.06％；氫1.32％)。在圖9、圖10和表4、表5中總結摻雜有bi(2,6-dfb)3的有機層的電學性能。表4：摻雜有bi(2,6-dfb)3的1-tnata的電學性能的總結。表5：摻雜有(1:2)的bi(2,6-dfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例ii參考實例ii涉及鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)、簡稱bi(4-fb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(4-fb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(4-fb)3，殘基ra、rb、rd和re分別是氫原子並且僅rc是氟原子。在藉助升華純化之後通過元素分析證實獲得bi(4-fb)3(測量：碳42.4％；氫2.3％；計算：碳40.26％；氫1.92％)。在圖11、圖12和表6、表7中總結摻雜有bi(4-fb)3的有機層的電學性能。表6：摻雜有bi(4-fb)3的1-tnata的電學性能的總結。表7：摻雜有(1:2)的bi(4-fb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例iii參考實例iii涉及鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)、簡稱bi(3-fb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(3-fb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(3-fb)3，殘基ra、rc、rd和re分別是氫原子並且僅rb是氟原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(3-fb)3(測量：碳39.2％；氫2.3％；計算：碳40.26％；氫1.92％)。在圖13、圖14和表8、表9中總結摻雜有bi(3-fb)3的有機層的電學性能。表8：摻雜有bi(3-fb)3的1-tnata的電學性能的總結。表9：摻雜有(1:2)的bi(3-fb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例iv參考實例iv涉及鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)、簡稱bi(3,5-dfb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(3,5-dfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(3,5-dfb)3，殘基ra、rc和re分別是氫原子並且取代基rb和rd分別是氟原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(3,5-dfb)3(測量：碳36.3％；氫1.4％；計算：碳37.06％；氫1.32％)。在圖15、圖16和表10、表11中總結摻雜有bi(3,5-dfb)3的有機層的電學性能。表10：摻雜有bi(3,5-dfb)3的1-tnata的電學性能的總結。表11：摻雜有(1:2)的bi(3,5-dfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例v參考實例v涉及鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)、簡稱bi(3,4,5-tfb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(3,4,5-tfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(3,4,5-tfb)3，殘基ra和re分別是氫原子並且剩餘的取代基rb、rc和rd分別是氟原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(3,4,5-tfb)3(測量：碳33.8％；氫1.2％；計算：碳34.33％；氫0.82％)。在圖17、圖18和表12、表13中總結摻雜有bi(3,4,5-tfb)3的有機層的電學性能。表12：摻雜有bi(3,4,5-tfb)3的1-tnata的電學性能的總結。表13：摻雜有(1:2)的bi(3,4,5-tfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例vi參考實例vi涉及鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)、簡稱bi(pfb)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。根據簡圖1執行bi(pfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對於bi(pfb)3，全部五個殘基ra至re分別是氟原子。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(pfb)3(測量：碳29.9(6)％；計算：碳29.93％)。在圖19、圖20和表14、表15中總結摻雜有bi(pfb)3的有機層的電學性能。表14：摻雜有bi(pfb)3的1-tnata的電學性能的總結。表15：摻雜有(1:2)的bi(pfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。參考實例vii參考實例vii涉及鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)、簡稱bi(4-pftl)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。在此，在簡圖1中，對於bi(4-pftl)3，殘基ra、rb、rd和re分別是氟原子並且rc是cf3-基團。在藉助升華純化之後，通過元素分析證實獲得bi(4-pftl)3(測量：碳30.0％；計算：碳29.03％)。在圖21、圖22和表16、表17中總結摻雜有bi(4-pftl)3的有機層的電學性能。表16：摻雜有bi(4-pftl)3的1-tnata的電學性能的總結。表17：摻雜有(1:2)的bi(4-pftl)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。發明人考慮具有基於乙酸和三氟乙酸的配體的其他常規的金屬絡合物用於與在根據本發明的方法中應用的絡合物對比：參考實例viii參考實例viii涉及鉍(iii)-三(三氟乙酸)、簡稱bi(tfa)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。在文獻(例如suzuki,h.；matano，y.in在organobismutchemistry，elsevier2001)中描述製備。在圖23、圖24和表18、表19中總結摻雜有bi(tfa)3的有機層的電學性能。表18：摻雜有bi(tfa)3的1-tnata的電學性能的總結。對於「在tflc之後，斜率減小到3/2附近的極限值(彈道)」和「剛好在指數性增長之前(老化)」參閱從一種電荷傳輸機制到另一種電荷傳輸機制的過渡。表19：摻雜有(1:2)的bi(tfa)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。從數據中顯而易見的是：也摻雜具有未氟化的配體的絡合物，然而，與具有氟化的配體的絡合物相比明顯更差。這些絡合物也同樣如其他參考實例那樣不適合用於如下源，在所述源中進行與源的至少一個壁碰撞。參考實例ix參考實例ix涉及鉍(iii)-三(三乙酸)、簡稱bi(ac)3用作用於氣相沉積的金屬絡合物。該絡合物是可商購的。在圖25、圖26和表20、表21中總結摻雜有bi(ac)3的有機層的電學性能。表20：摻雜有bi(ac)3的1-tnata的電學性能的總結。表21：摻雜有(1:2)的bi(ac)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學性能的總結。多個所提出的實例，即實例i、實例ii以及大多數參考實例具有足夠良好的摻雜材料強度。在實例i和實例ii的情況下以及也在多個參考實例中，摻雜有這些絡合物的基體材料顯示出足夠良好的導電性。然而，在絡合物穩定性、尤其熱穩定性方面，僅實例i和實例ii的金屬絡合物滿足對於藉助如下源進行沉積的高的要求，在所述源中絡合物與源的至少一個壁發生碰撞。相反，參考實例的絡合物顯示出：沒有絡合物足夠穩定來藉助如下源從氣相中沉積，在所述源中發生與源的壁碰撞。例如，僅實例i和實例ii的絡合物能夠藉助線性源沉積，但參考實例的絡合物都不能。全部絡合物對於藉助點源沉積是足夠穩定的，而因此僅具有至少一個取代基r1的絡合物滿足高的穩定性要求。已經提及的實施方案的特徵和組成部分的各個組合是示例性的；同樣明確地考慮該教導與其他的教導的交換和代替，所述其他的教導包含在所述文獻中與所引用的參考文獻中。本領域技術人員認識到：同樣能夠出現在此描述的變型形式、修改形式和其他實施方案，而不會偏離本發明的發明思想和本發明的保護範圍。相應地，上面的描述是示例性的並且不能夠視作為是限制性的。在權利要求中應用的表述「包括」不排除其他的組成部分或步驟。不定冠詞「一個」不排除複數含義。在彼此不同的權利要求中陳述特定的計量單位的單純的事實不表示：不能夠有利地使用這些計量單位的組合。本發明的範圍在權利要求和其所屬的等價形式中限定。本專利申請要求德國專利申請102014114231.4的優先權，其公開的內容通過參引併入本文。當前第1頁12