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一種研究銅陽極Cl‑濃度對鍍銅質量影響的方法與流程

2023-10-09 11:23:29


本發明涉及電鍍銅領域,具體地,本發明涉及一種研究銅陽極cl-濃度對鍍銅質量影響的方法。



背景技術:

在製備pcb版的製程中,需要通過電化學的方法對基材進行電鍍銅,即通過電鍍的方式使基材表面鍍上金屬銅。研究發現,電解液對鍍層的質量起至關重要的作用,尤其是電鍍液中cl-的濃度。目前,電解鍍銅所用的陽極多為磷銅陽極,也有少量採用銅板作為陽極,由於陽極和陰極所帶電荷不同,電鍍液中cl-濃度不均勻,cl-多聚集在陽極附近。現今,尚無專利或文獻報導測定陽極附近cl-濃度的方法,也無研究方法確定陽極附近cl-濃度對鍍銅質量有何影響。



技術實現要素:

本發明旨在提供一種研究銅陽極cl-濃度對鍍銅質量影響的方法,本發明通過測定不同電流密度條件下陽極附近cl-濃度,可考察cl-濃度對陰極鍍銅質量的影響,為後續研究鍍銅質量的影響因素奠定理論研究基礎。

本發明的技術方案如下:

一種研究銅陽極cl-濃度對鍍銅質量影響的方法,包括如下步驟:

s1、以磷銅或銅板作為陽極,以待鍍基板為陰極,以h2so4和cuso4溶液作為電鍍液,採用電解鍍銅法電鍍待測基板;

s2、控制陽極電流密度為1.0~2.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n1,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況;

s3、改變陽極電流密度為2.5~3.5a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n2,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況;

s4、改變陽極電流密度為4.0~5.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n3,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況;

s5、根據待鍍基板的鍍銅情況確定銅陽極cl-的濃度對鍍銅的影響。

本發明通過改變電流密度改變陽極附近cl-濃度,通過測定陽極附近cl-的濃度並觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況可以了解cl-的濃度對陰極基板鍍銅質量的影響,獲知cl-在何種濃度下可使陰極基板的鍍銅質量最佳,可為後續對鍍銅質量的研究奠定一定的理論基礎。

在其中一個實施例中,所述測定陽極附近cl-的濃度為:將銅陽極所處區域橫向均分為3~5個區,縱向均分為5~8區,採用移液管在橫向、縱向各個區域內取液,測定cl-濃度。由於cl-濃度不均勻,需在陽極附近多處取樣,通過測定的濃度計算cl-的平均值,以計算出的cl-的平均值作為陽極附近cl-的濃度更具代表意義。

在其中一個實施例中,所述測定陽極附近cl-的濃度為:將銅陽極所處區域橫向均分為3~5個區,所述銅陽極為球狀磷銅陽極,所述磷銅陽極置於鈦藍中且中間插有截面直徑為2~3cm的長管,長管的上端開口且長管的長度大於球狀磷銅陽極的堆積高度,長管的側壁開有均勻分布的小孔,將長管縱向分為5~8區,採用移液管在橫向、縱向各個區域內取液,測定cl-濃度。由於磷銅為球狀,磷銅在鈦藍中會緊密堆積,一般測量時只能測量上層磷銅附近的cl-濃度,在磷銅中插長管,可便於從長管中取樣測定銅陽極所處區域縱向cl-濃度,使測量結果更準確。

在其中一個實施例中,所述鈦藍的底部設有鼓泡裝置。在鈦藍底部設置鼓泡裝置可使磷銅在氣泡的衝擊下不停翻動,使cl-在陽極附近的分布更加均勻,使測量結果更具代表性。

在其中一個實施例中,所述球狀磷銅陽極中磷的含量為50~2000ppm。

在其中一個實施例中,所述球狀磷銅陽極中磷的含量為200ppm~650ppm。

在其中一個實施例中,所述測定陽極附近cl-的濃度的頻率為每隔30~60min測定一次。隨著電鍍的進行,陽極附近cl-的濃度在不斷變化,每隔30~60min測定一次可了解不同時間段cl-的濃度,進一步精細化對銅陽極cl-濃度影響鍍銅質量的研究。

在其中一個實施例中,所述電鍍液為:cuso4:30~50g/l(cu);h2so4:20~150g/l;氯離子20~80ppm;表面添加劑:cc-1220,1ml/l。

在其中一個實施例中,所述電鍍液的溫度為20~40℃。

與現有技術相比,本發明具有如下有益效果:

(1)本發明通過改變電流密度改變陽極附近cl-濃度,通過測定陽極附近cl-的濃度並觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況可以了解cl-的濃度對陰極基板鍍銅質量的影響,獲知cl-在何種濃度下可使陰極基板的鍍銅質量最佳,可為後續對鍍銅質量的研究奠定一定的理論基礎。

(2)本發明使用移液管在陽極附近多處取樣,通過測定的濃度計算cl-的平均值,以計算出的cl-的平均值作為陽極附近cl-的濃度更具代表意義。

附圖說明

圖1為電解鍍銅裝置示意圖。

圖2為實施例1電解鍍銅裝置取樣示意圖。

圖3為長管的示意圖。

圖4為實施例2電解鍍銅裝置取樣示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細的說明。以下實施例僅表達了本發明的實施方式,其描述較為具體和詳細,但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制,但凡採用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術方案,均應落在本發明的保護範圍之內。

以下實施例所用電鍍液為:cuso4:30~50g/l(cu);h2so4:20~150g/l;氯離子20~80ppm;表面添加劑:cc-1220,1ml/l。電鍍液溫度為30℃。

以下實施例所用磷銅為球狀磷銅陽極,所述球狀磷銅陽極中磷的含量為200ppm~650ppm。

以下實施例測定陽極附近cl-的濃度的頻率為每隔60min測定一次。

實施例1

一種研究銅陽極cl-濃度對鍍銅質量影響的方法,電解鍍銅的裝置及測定cl-濃度的方法如圖1、圖2、圖3所示,包括如下步驟:

s1、以磷銅12作為陽極10,以待鍍基板20為陰極,以h2so4和cuso4溶液作為電鍍液,採用電解鍍銅法電鍍待測基板。

s2、控制陽極電流密度為1.0~2.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n1,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。在本實施例中,將銅陽極所處區域橫向均分為4個區,所述磷銅陽極置於鈦藍中且中間插有截面直徑為2~3cm的長管11,長管的上端開口且長管的長度大於球狀磷銅陽極的堆積高度,長管的側壁開有均勻分布的小孔(如圖3所示),將長管縱向分為6個區,採用移液管a在橫向、縱向各個區域內取液,取液位置分別見t1(4處)、t2(6處),測定cl-濃度,分別記為nt11、nt12、nt13、nt14、nt21、nt22、nt23、nt24、nt25、nt26。按如下公式計算n1:

n1=(nt11+nt12+nt13+nt14+nt21+nt22+nt23+nt24+nt25+nt26)/10。

s3、改變陽極電流密度為2.5~3.5a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n2,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。

在本實施例中,cl-濃度測定方法與步驟2相似,分別記為mt11、mt12、mt13、mt14、mt21、mt22、mt23、mt24、mt25、mt26。按如下公式計算n2:

n2=(mt11+mt12+mt13+mt14+mt21+mt22+mt23+mt24+mt25+mt26)/10。

s4、改變陽極電流密度為4.0~5.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n3,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。

在本實施例中,cl-濃度測定方法與步驟2相似,分別記為pt11、pt12、pt13、pt14、pt21、pt22、pt23、pt24、pt25、pt26。按如下公式計算n3:

n3=(pt11+pt12+pt13+pt14+pt21+pt22+pt23+pt24+pt25+pt26)/10。

s5、根據待鍍基板的鍍銅情況確定銅陽極cl-的濃度對鍍銅的影響。

實施例2

一種研究銅陽極cl-濃度對鍍銅質量影響的方法,電解鍍銅的裝置及測定cl-濃度的方法如如圖4所示,包括如下步驟:

s1、以磷銅12作為陽極10,以待鍍基板為陰極20,以h2so4和cuso4溶液作為電鍍液,採用電解鍍銅法電鍍待測基板。

s2、控制陽極電流密度為1.0~2.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n1,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。在本實施例中,將銅陽極所處區域橫向均分為4個區,所述磷銅陽極置於鈦藍中且中間插有截面直徑為2~3cm的長管,長管的上端開口且長管的長度大於球狀磷銅陽極的堆積高度,長管的側壁開有均勻分布的小孔,鈦藍的底部設有鼓泡裝置b,鼓泡裝置會向鈦藍中鼓氣,使電解液中出現氣泡,電解液不斷翻動,從而帶動球狀磷銅不停翻動,使cl-在陽極附近的分布更加均勻。將長管縱向分為6個區,採用移液管在橫向、縱向各個區域內取液,取液位置分別見t1(4處)、t2(6處),測定cl-濃度,分別記為nt11、nt12、nt13、nt14、nt21、nt22、nt23、nt24、nt25、nt26。按如下公式計算n1:

n1=(nt11+nt12+nt13+nt14+nt21+nt22+nt23+nt24+nt25+nt26)/10。

s3、改變陽極電流密度為2.5~3.5a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n2,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。

在本實施例中,cl-濃度測定方法與步驟2相似,分別記為mt11、mt12、mt13、mt14、mt21、mt22、mt23、mt24、mt25、mt26。按如下公式計算n2:

n2=(mt11+mt12+mt13+mt14+mt21+mt22+mt23+mt24+mt25+mt26)/10。

s4、改變陽極電流密度為4.0~5.0a/dm2,測定陽極附近cl-的濃度,計算其濃度的平均值,記錄平均值為n3,電鍍2~4小時,觀察記錄待鍍基板的鍍銅情況。

在本實施例中,cl-濃度測定方法與步驟2相似,分別記為pt11、pt12、pt13、pt14、pt21、pt22、pt23、pt24、pt25、pt26。按如下公式計算n3:

n3=(pt11+pt12+pt13+pt14+pt21+pt22+pt23+pt24+pt25+pt26)/10。

s5、根據待鍍基板的鍍銅情況確定銅陽極cl-的濃度對鍍銅的影響。

以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合,為使描述簡潔,未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述,對於本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本發明的保護範圍,都應當認為是本說明書記載的範圍。

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