有機電致發光器件及其封裝方法

2023-10-06 00:56:44 2

有機電致發光器件及其封裝方法
【專利摘要】一種有機電致發光器件及其封裝方法，該器件包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極及層疊於陰極的5～7個保護層，每個保護層包括層疊的有機阻擋層及無機阻擋層；有機阻擋層由酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲形成，無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，使器件的使用壽命較長。
【專利說明】有機電致發光器件及其封裝方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及電致發光【技術領域】，特別是涉及一種有機電致發光器件及其封裝方法。

【背景技術】
[0002]有機電致發光器件(OLED)是基於有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上製作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點，被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上佔據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年裡發展迅猛，取得了巨大的成就。由於全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發，大大的推動了 OLED的產業化進程，使得OLED產業的成長速度驚人，目前已經到達了大規模量產的前夜。
[0004]然而,OLED中的發光層對於大氣中的汙染物、氧氣、水汽等十分敏感,在汙染物、氧氣及水汽等的作用下發生化學反應會導致發光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導致OLED的穩定性較差，使用壽命較短。


【發明內容】

[0005]基於此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發光器件及其封裝方法。
[0006]—種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，還包括層疊於所述陰極上的5?7個保護層，每個保護層包括有機阻擋層及層疊於所述有機阻擋層上的無機阻擋層；其中，所述有機阻擋層由酞菁銅、N, N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1, I』 -聯苯-4，4』 - 二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4』，4』 』 -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲形成，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成。
[0007]在其中一個實施例中，所述氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種佔所述無機阻擋層的質量分數為10?30%。
[0008]在其中一個實施例中，所述有機阻擋層的厚度為200納米?300納米。
[0009]在其中一個實施例中，所述無機阻擋層的厚度為100納米?200納米。
[0010]一種有機電致發光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0011]步驟一:提供陽極，採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層；
[0012]步驟二:採用真空蒸鍍在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層；
[0013]步驟三:採用真空蒸鍍在所述空穴傳輸層上形成發光層；
[0014]步驟四:採用真空蒸鍍在所述發光層上形成電子傳輸層；
[0015]步驟五:採用真空蒸鍍在所述電子傳輸層上形成電子注入層；
[0016]步驟六:採用真空蒸鍍在所述電子注入層上陰極；
[0017]步驟七:採用真空蒸鍍在所述陰極上形成有機阻擋層，所述有機阻擋層由酞菁銅、N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，I』-聯苯_4，4』-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4』，4』 』 -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲形成；
[0018]步驟八:採用真空蒸鍍在所述有機阻擋層上形成無機阻擋層，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，所述有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層；
[0019]步驟九:交替重複所述步驟七和所述步驟八4至6次，在所述陰極上形成5?7個保護層，得到有機電致發光器件。
[0020]在其中一個實施例中，所述步驟七?步驟九中，真空蒸鍍的真空度為lX10_5Pa?I X KT3Pa。
[0021]在其中一個實施例中,所述步驟七?步驟九中，蒸發速度為0.5A/s?5 A/s。
[0022]在其中一個實施例中，所述採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前，還包括對陽極的清洗步驟，所述清洗步驟為:將所述陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然後用氮氣吹乾，再用烘箱烘乾。
[0023]在其中一個實施例中，所述清洗步驟完成之後，所述採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前還包括對所述陽極進行表面活化處理的步驟，所述活化處理的步驟為:採用紫外-臭氧對清洗乾燥後的陽極進行處理30?50分鐘。
[0024]上述有機電致發光器件的陰極上層疊5?7個保護層，將活潑的有機層和陰極封裝於保護層與陽極之間，由上述有機材料和無機材料形成的緻密的保護層能夠有效地減少外部水、氧等活性物質對有機層和陰極的侵蝕，並且5?7個保護層能夠滿足封裝的密封性要求，對有機電致發光器件的有機層和陰極形成有效的保護，從而使有機電致發光器件的使用壽命較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0026]圖2為一實施方式的有機電致發光器件的封裝方法流程圖。

【具體實施方式】
[0027]為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
[0028]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100，包括依次層疊的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發光層40、電子傳輸層50、電子注入層60、陰極70及保護層80。
[0029]陽極10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO)，優選為銦錫氧化物玻璃(IT0)。
[0030]在其他實施方式中，陽極10也可以包括聚碳酸酯板基板等透過性較高的柔性基板及層疊於柔性基板上的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜。
[0031]優選地，陽極10的厚度為100納米。
[0032]空穴注入層20由三氧化鑰(MoO3)摻雜於N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)_1，I』-聯苯-4，4』-=K(NPB)中形成。其中，三氧化鑰(MoO3)佔空穴注入層20的質量分數為30%。
[0033]優選地，空穴注入層20的厚度為10納米。
[0034]空穴傳輸層30由4，4』，4』 』 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)形成。
[0035]優選地，空穴傳輸層30的厚度為30納米。
[0036]發光層40由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)摻雜於1，3，5_三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)佔發光層40的質量分數為5%。
[0037]優選地，發光層40的厚度為20納米。
[0038]電子傳輸層50由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成。
[0039]優選地，電子傳輸層50的厚度為10納米。
[0040]電子注入層60由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7_ 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)中形成。其中，疊氮化銫(CsN3)佔電子注入層60的質量分數為30%。
[0041]優選地，電子注入層60的厚度為20納米。
[0042]陰極70由金屬鋁(Al)形成。優選地，陰極70的厚度為150納米。
[0043]本實施方式中，保護層80的數量為5個，5個保護層層疊於陰極70上。在其他實施方式中，保護層80的數量可以為6個或7個。5~7個保護層80使有機電致發光器件100的防水氧性能較高。
[0044]每一個保護層80包括有機阻擋層81和層疊於有機阻擋層81上的無機阻擋層82。
[0045]有機阻擋層81由酞菁(4卩(:)、隊^-二苯基州州』-二(1-萘基聯苯-4，4』 - 二胺(NPB)、(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，4，，4，，-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或2，9-二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)形成。由這幾種物質形成的有機阻擋層的平整度高，透光率高，內應力小，有利於在有機阻擋層81上形成緻密的、平整的無機阻擋層82。
[0046]優選地，有機阻擋層81的厚度為200納米~300納米。
[0047]無機阻擋層82由氧化二錸(Re20)、氧化錸(ReO)、三氧化二錸(Re203)、二氧化錸(ReO2)、五氧化二錸(Re2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種與硫化鎘(CdS )、硫化鉛(PbS )、二硫化鐵(FeS2)、硫化銅(CuS )、硫化鋅(ZnS )及硫化鎳(Ni S )中的一種混合形成。氧化物的阻擋性能和透光率較高，硫化物起到應力緩衝作用，使得無機阻擋層82具有較高的阻擋性能和透光率，且穩定性較高，無機阻擋層82層疊於有機阻擋層81上形成較為穩定的保護層80。
[0048]無機阻擋層82由硫化物和錸的氧化物共蒸形成，硫化物和錸的氧化物的共蒸緻密性較好，能夠在有機阻擋層81的表面上形成緻密的薄膜，從而提高防水氧性能。
[0049]優選地，無機阻擋層82的厚度為100納米~200納米。
[0050]本實施方式中，由多個有機阻擋層81和無機阻擋層82交替層疊形成的5個保護層80能夠很好的隔絕水、氧等活性物質，使有機電致發光器件100的壽命(T70@1000cd/m2)達到2000小時以上。
[0051]由上述材料形成的有機阻擋層81的平整度好，有利於無機物在有機阻擋層81表面上成膜，有利於形成緻密的無機阻擋層82，從而形成緻密性較高的保護層80，使得保護層80能夠有效地阻擋空氣中的氧氣、水汽等，水汽滲透率達10_3g/m2 - day,並且5~7個保護層能夠進一步滿足封裝的密封性要求，能夠有效地保護空穴注入層20、空穴傳輸層30、發光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70，使得有機電致發光器件100的使用壽命較長。
[0052]請參閱圖2，一實施方式中的有機電致發光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0053]步驟SllO:提供陽極，採用真空蒸鍍在陽極上形成空穴注入層。
[0054]陽極可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0055]在其他實施方式中，陽極也可以由聚碳酸酯板基板等透過性較高的柔性基板及層疊於柔性基板上的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜形成。
[0056]採用真空蒸鍍在潔淨的乾燥的玻璃基板上或聚碳酸酯板基板蒸鍍銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，在玻璃基板或聚碳酸酯板基板形成陽極圖形，得到陽極。
[0057]優選地，陽極的厚度為100納米。
[0058]採用真空蒸鍍在陽極上形成空穴注入層之前，首先將陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然後用氮氣吹乾，再用烘箱烘乾，得到潔淨、乾燥的陽極。進一步將陽極進行表面活性處理，以增加陽極表面的含氧量，提高陽極的功函數。進行表面活性處理的步驟為採用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗乾燥後的陽極進行處理30~50分鐘。
[0059]空穴注入層由三氧化鑰(MoO3)摻雜於N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，1'-聯苯-4，4』 - 二胺(NPB)中形成。其中，三氧化鑰(MoO3)佔空穴注入層的質量分數為30%。
[0060]優選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0061]真空蒸鍍的真空度為lX10_5Pa。蒸發速度為0.lA/s。
[0062]步驟S120:採用真空蒸鍍在空穴注入層上形成空穴傳輸層。
[0063]空穴傳輸層由4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0064]優選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0065]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發速度為0.1人/S。
[0066]步驟S130:採用真空蒸鍍在空穴傳輸層上形成發光層。
[0067]發光層由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜於1，3，5_三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)佔發光層的質量分數為5%。
[0068]優選地，發光層的厚度為20納米。
[0069]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發速度為0.2A/S。
[0070]步驟S140:採用真空蒸鍍在發光層上形成電子傳輸層。
[0071]電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成。
[0072]優選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0073]真空蒸鍍的真空度為3 X 10?.蒸發速度為0.1A/S,
[0074]步驟S150:採用真空蒸鍍在電子傳輸層上形成電子注入層。
[0075]電子注入層由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)中形成。其中，疊氮化銫(CsN3)佔電子注入層的質量分數為30%。
[0076]優選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0077]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發速度為0.2A/S。
[0078]步驟S160:採用真空蒸鍍在電子注入層上陰極。
[0079]陰極由金屬鋁(Al)形成。優選地，陰極的厚度為150納米。
[0080]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發速度為lA/s。
[0081]步驟S170:採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，有機阻擋層由酞菁銅、N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)_1，I』 -聯苯 _4，4』 - 二胺、(8-羥基喹啉)_ 鋁、4，4』，4』 』 -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲形成。
[0082]優選地，有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0083]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發速度為0.5A/S~5A/S。
[0084]步驟S180:採用真空蒸鍍在有機阻擋層上形成無機阻擋層，無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，，有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層。
[0085]硫化物和錸的氧化物共蒸形成無機阻擋層。無機阻擋層層疊於有機阻擋層上形成一個保護層。
[0086]優選地，無機阻擋層的厚度為100納米~200納米。
[0087]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發速度為0.SA/s-SA/s.
[0088]無機阻擋層層疊於有機阻擋層形成一個保護層。
[0089]步驟S190:交替重複步驟S170和步驟S1804至6次，在陰極上形成5~7個保護層，得到有機電致發光器件。
[0090]交替重複步驟S170和步驟S1804至6次，形成4~6個保護層，從而在陰極上形成5~7個保護層，得到有機電致發光器件。
[0091]上述有機電致發光器件的封裝方法採用真空蒸鍍的方法在陰極上形成5~7個保護層，從而將空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極封裝於陽極和5~7個保護層之間，能夠很好的保護空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極封裝於保護層和陽極，封裝得到穩定性較高、使用壽命較長的有機電致發光器件，並且封裝工藝簡單，易於大規模封裝。
[0092]以下為具體實施例。
[0093]實施例1
[0094] 結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(CuPc/Re20:NiS)7的有機電致發光器件的封裝
[0095](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。首先將陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然後用氮氣吹乾，再用烘箱烘乾，得到潔淨、乾燥的陽極。進一步採用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗乾燥後的陽極進行處理進行表面活性處理30分鐘，以增加陽極表面的含氧量，提高陽極的功函數；
[0096](2)採用真空蒸鍍在陽極的表面上形成的空穴注入層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s;空穴注入層由三氧化鑰(MoO3)摻雜於N，N』-二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4』 - 二胺(NPB)中形成，表示為Μο03:ΝΡΒ，其中三氧化鑰(MoO3)佔空穴注入層的質量分數為30% ;空穴注入層的厚度為10納米；
[0097](3)採用真空蒸鍍在空穴注入層的表面上形成的空穴傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s；空穴傳輸層由4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成；空穴傳輸層的厚度為30納米；
[0098](4)採用真空蒸鍍在空穴傳輸層上形成發光層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為0.2人/S;發光層由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(PPy)3)摻雜於1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成，表示為Ir (ppy)3:TPBI，其中三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)佔發光層的質量分數為5% ;發光層的厚度為20納米；
[0099](5 )採用真空蒸鍍在發光層上形成電子傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10?,蒸發速度為Ο.?Λ/s;電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成，電子傳輸層的厚度為10納米；
[0100](6)採用真空蒸鍍在電子傳輸層上形成電子注入層，真空蒸鍍的真空度為3父10_^，蒸發速度為0.2人/5,..電子注入層由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen )中形成，表示為CsN3: Bphen，其中疊氮化銫(CsN3)佔電子注入層的質量分數為30% ；電子注入層的厚度為20納米；
[0101](7)採用真空蒸鍍在電子注入層上形成陰極，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為lA/s;陰極包括依次層疊於電子注入層上的第一硫化鋅層、銀層和第二硫化鋅層，表示為ZnS/Ag/ZnS，第一硫化鋅層和第二硫化鋅層的厚度均為30納米，銀層的厚度為10納米;
[0102](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為IX 10_5Pa，蒸發速度為1A/S.，有機阻擋層由酞菁銅(CuPc)形成，有機阻擋層的厚度為300納米；
[0103](9)採用真空蒸鍍共蒸氧化二錸與硫化鎳，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為1\10_中8，蒸發速度為21/8;無機阻擋層由氧化二錸與硫化鎳混合形成，表示為Re20:NiS，其中氧化二錸佔無機阻擋層的質量分數為20%，無機阻擋層的厚度為150納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表示為CuPc/Re20:NiS ；
[0104](10 )交替重複步驟(8 )和步驟(9 )6次，最終在陰極上形成層疊的7個保護層，表示為(CuPc/Re20: NiS) 7，得到結構為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CuPc/Re20:NiS) 7 的有機電致發光器件。
[0105]實施例2
[0106]結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(NBP/ReO: ZnS) 6的有機電致發光器件的封裝
[0107]步驟(1)~(7)中，除對陽極進行表面活化處理的時間為50分鐘外，其餘同實施例I。
[0108](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發速度為5A/S；有機阻擋層由N，N』 - 二苯基-N, N』 - 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4』 - 二胺(NPB)形成，有機阻擋層的厚度為300納米；
[0109](9)採用真空蒸鍍共蒸氧化錸與硫化鋅，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發速度為0.5人/S;無機阻擋層由氧化錸與硫化鋅混合形成，表示為
ReO:ZnS，其中氧化錸佔無機阻擋層的質量分數為10%，無機阻擋層的厚度為100納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表示為NBP/ReO:ZnS ；
[0110](10)交替重複步驟(8)和步驟(9) 5次，最終在陰極上形成層疊的6個保護層，表示為(NBP/ReO: ZnS) 6,得到結構為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ ZnS/Ag/ZnS/ (NBP/ReO: ZnS) 6的有機電致發光器件。
[0111]實施例3
[0112]結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(Alq3/Re203: CuS) 6的有機電致發光器件的封裝
[0113]步驟(1)~(7)中，除對陽極進行表面活化處理的時間為40分鐘外，其餘同實施例I。
[0114](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5 X 1-5Pa,蒸發速度為0.5A/S:有機阻擋層由(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)形成，有機阻擋層的厚度為200納米;
[0115](9)採用真空蒸鍍共蒸三氧化二錸與硫化銅，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發速度為5A/S；無機阻擋層由三氧化二錸與硫化銅混合形成，表示為Re203:CuS，其中三氧化二錸佔無機阻擋層的質量分數為30%，無機阻擋層的厚度為200納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表不為Alq3/Re203:CuS ；
[0116](10 )交替重複步驟(8 )和步驟(9 )5次，最終在陰極上形成層疊的6個保護層，表示為(Alq3/Re203: CuS) 6，得到結構為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (Alq3/Re203: CuS) 6 的有機電致發光器件。
[0117]實施例4
[0118]結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(m-MTDATA/Re02: FeS2) 6的有機電致發光器件的封裝
[0119]步驟(1)~(7)中，除對陽極進行表面活化處理的時間為45分鐘外，其餘同實施例I。
[0120](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發速度為2A/S；有機阻擋層由4，4』，4』』-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)形成，有機阻擋層的厚度為240納米；
[0121](9)採用真空蒸鍍共蒸二氧化錸和二硫化鐵，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發速度為3A/S；無機阻擋層由二氧化錸與二硫化鐵混合形成，表示為ReO2 = FeS2，其中二氧化錸佔無機阻擋層的質量分數為15%，無機阻擋層的厚度為180納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表示為m-MTDATA/Re02 = FeS2 ；
[0122](10)交替重複步驟(8)和步驟(9) 5次，最終在陰極上形成層疊的6個保護層，表示為(m-MTDATA/Re02: FeS2) 6，得到結構為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (m_MTDATA/Re02: FeS2) 6 的有機電致發光器件。
[0123]實施例5
[0124]結構為IT0/Mo 03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(BCP/Re205: PbS) 6的有機電致發光器件的封裝
[0125]步驟(1)~(7)同實施例1。
[0126](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發速度為lA/s;有機阻擋層由2，9-二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)形成，有機阻擋層的厚度為260納米；
[0127](9)採用真空蒸鍍共蒸五氧化二錸與硫化鉛，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發速度為2A/S;無機阻擋層由五氧化二錸與硫化鉛混合形成，表示為Re205:PbS，其中五氧化二錸佔無機阻擋層的質量分數為20%，無機阻擋層的厚度為140納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表示為BCP/Re205:PbS ；
[0128](10 )交替重複步驟(8 )和步驟(9 )5次，最終在陰極上形成層疊的6個保護層，表示為(BCP/Re205: PbS) 6，得到結構為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (BCP/Re205:PbS)6 的有機電致發光器件。
[0129]實施例6
[0130]結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(CuPc/Re03: CdS) 5的有機電致發光器件的封裝
[0131]步驟(1)~(7)同實施例1。
[0132](8)採用真空蒸鍍在陰極上形成有機阻擋層，真空蒸鍍的真空度為IX 10_3Pa，蒸發速度為1A/S.，有機阻擋層由酞菁銅(CuPc)形成，有機阻擋層的厚度為220納米；
[0133](9)採用真空蒸鍍共蒸三氧化錸與硫化鎘，在有機阻擋層上形成無機阻擋層，真空度為1\10，&，蒸發速度為21/8;無機阻擋層由三氧化錸與硫化鎘混合形成，表示為Re03:CdS，其中三氧化錸佔無機阻擋層的質量分數為19%，無機阻擋層的厚度為150納米；有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層，表不為CuPc/Re03:CdS ；
[0134](10 )交替重複步驟(8 )和步驟(9 )4次，最終在陰極上形成層疊的5個保護層，表示為(CuPc/Re03:CdS)5，得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CuPc/Re03: CdS) 5 的有機電致發光器件。
[0135]對比例I
[0136]結構為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS 的有機電致發光器件的封裝
[0137]該有機電致發光器件的結構除了沒有保護層以外，其餘同實施例1。
[0138]方法同實施例1的步驟(1)~(7)。
[0139]表1為實施例1~6及對比例I的有機電致發光器件的水汽滲透率及使用壽命。
[0140]表1實施例1~6及對比例I的有機電致發光器件的水汽滲透率及使用壽命
[0141]

【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，其特徵在於，還包括層疊於所述陰極上的5~7個保護層，每個保護層包括有機阻擋層及層疊於所述有機阻擋層上的無機阻擋層；其中，所述有機阻擋層由酞菁銅、N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，I』-聯苯_4，4』-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4』，4』』-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9-二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲形成，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種佔所述無機阻擋層的質量分數為10 ~30%O
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述無機阻擋層的厚度為100納米~200納米。
5.一種有機電致發光器件的封裝方法，其特徵在於，包括如下步驟: 步驟一:提供陽極，採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層； 步驟二:採用真空蒸鍍在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層； 步驟三:採用真空蒸鍍在 所述空穴傳輸層上形成發光層； 步驟四:採用真空蒸鍍在所述發光層上形成電子傳輸層； 步驟五:採用真空蒸鍍在所述電子傳輸層上形成電子注入層； 步驟六:採用真空蒸鍍在所述電子注入層上陰極； 步驟七:採用真空蒸鍍在所述陰極上形成有機阻擋層，所述有機阻擋層由酞菁銅、N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，I』-聯苯_4，4』-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4』，4』』-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9-二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲形成； 步驟八:採用真空蒸鍍在所述有機阻擋層上形成無機阻擋層，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，所述有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層； 步驟九:交替重複所述步驟七和所述步驟八4至6次，在所述陰極上形成5~7個保護層，得到有機電致發光器件。
6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特徵在於，所述步驟七~步驟九中，真空蒸鍍的真空度為I X 10_5Pa~I X 10_3Pa。
7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特徵在於，所述步驟七~步驟九中，蒸發速度為0.5A/s~5 A/s。
8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特徵在於，所述採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前，還包括對陽極的清洗步驟，所述清洗步驟為:將所述陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然後用氮氣吹乾，再用烘箱烘乾。
9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特徵在於，所述清洗步驟完成之後，所述採用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前還包括對所述陽極進行表面活化處理的步驟，所述活化處理的步驟為:採用紫外-臭氧對清洗乾燥後的陽極進行處理30~50分 鍾。
【文檔編號】H01L51/56GK104051646SQ201310084228
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月15日 優先權日:2013年3月15日
【發明者】周明傑, 王平, 鍾鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司