組合物的製作方法
2023-10-05 15:00:39 1
本發明涉及包含作為二向色性色素而發揮功能的化合物的組合物。
背景技術：
專利文獻1中記載了包含分散於已取向的聚合性液晶化合物中的、吸收二向色性的光的化合物(二向色性色素)的偏光膜。然而，專利文獻1中並未記載包含在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收的二向色性色素的二向色性比高的偏光膜。
作為在波長350～550nm的範圍內具有最大吸收的二向色性色素，專利文獻2中記載了具有1,4-萘基結構的雙偶氮系色素。然而，包含該雙偶氮系色素的偏光膜的二向色性比低。
專利文獻3中記載了二向色性比高的偏光膜。然而，該偏光膜中含有的二向色性色素在波長518nm以上處具有最大吸收。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本公表專利公報「特表2007-510946號(公布日：2007年4月26日)」
專利文獻2：日本公告專利公報「特公昭63-1357號(日本專利號「專利1454637號」)(公告日：1988年1月12日)」
專利文獻3：日本公開專利公報「特開2013-101328號(公開日：2013年5月23日)」
技術實現要素：
發明要解決的課題
專利文獻1～3中並未記載包含在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收的二向色性色素的二向色性比高的偏光膜。因此，需求包含在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收的二向色性色素的二向色性比高的偏光膜、以及該偏光膜中含有的、包含作為二向色性色素而發揮功能的化合物的組合物。
本發明是考慮到上述課題而作出的發明，其主要目的在於提供包含作為二向色性色素而發揮功能的化合物的組合物。
用於解決課題的手段
為了解決上述課題，本發明包含以下發明。
組合物，其包含式(1)表示的化合物和聚合性近晶型液晶化合物，
[化學式1]
(式中，r1表示氫原子、碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成上述烷基、上述烷氧基、上述醯基、上述烷氧羰基、上述醯氧基、上述烷基磺醯基及上述芳基磺醯基的一個以上的氫原子可被滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。在構成上述烷基及上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基。
r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基，構成上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子或羥基取代。n、p及q各自獨立地為0～2的整數。
r5選自由ar1、nhr5a、n(r5b)2及n(r5a)(r5b)組成的組。此處，ar1為n鍵合於亞苯基上的含氮飽和雜環基團，表示該含氮飽和雜環基團的γ位為氧原子或硫原子的6元環，鍵合於環的氫原子中的1個～6個可被碳原子數1～3的烷基取代，
r5a為碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基，r5b為被至少一個羥基取代的碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基，上述n(r5b)2中，r5b各自獨立，為彼此相同或不同的基團。)。
如所述的組合物，其特徵在於，包含下述化合物和聚合性近晶型液晶化合物，所述化合物由式(1』)表示，
[化學式2]
(式中，r1表示與上述相同的含義。)
式(1』)中的r5為選自以下所示的基團中的基團，
[化學式3]
(a表示氧原子或硫原子。m為0～10的整數，在同一個基團中有兩個m時，這兩個m為彼此相同或不同的值。)。
如或所述的組合物，其特徵在於，上述化合物是在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收的化合物。
如～中任一項所述的組合物，所述組合物還含有聚合引發劑。
偏光膜，其是由～中任一項所述的組合物形成的。
如所述的偏光膜，其中，上述偏光膜的最大吸收波長(λmax1)長於上述式(1)或上述式(1』)表示的上述化合物的最大吸收波長(λmax2)。
如所述的偏光膜，其中，所述λmax1與所述λmax2的差值為10nm以上。
如～中任一項所述的偏光膜，所述偏光膜在x射線衍射測定中顯示出布拉格峰(braggpeak)。
液晶顯示裝置，其具備～中任一項所述的偏光膜。
液晶盒，其具備～中任一項所述的偏光膜、液晶層及基體。
如所述的液晶盒，其中，上述偏光膜配置於上述基體與上述液晶層之間。
如所述的液晶盒，其中，在上述基體與上述液晶層之間還配置有濾色器。
圓偏光板，其具有～中任一項所述的偏光膜和四分之一波片。
有機el顯示裝置，其具備～中任一項所述的偏光膜和有機el元件。
有機el顯示裝置，其具備所述的圓偏光板和有機el元件。
式(10)表示的化合物，
[化學式4]
(式中，r40表示碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成上述烷氧基、上述醯基、上述烷氧羰基、上述醯氧基、上述烷基磺醯基、及上述芳基磺醯基的一個以上的氫原子可被滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代，構成上述烷基的一個以上的氫原子可被羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。在構成上述烷基及上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基。r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基，構成上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子或羥基取代。n、p及q各自獨立地為0～2的整數。
ar1為n鍵合於亞苯基上的含氮飽和雜環基團，表示該含氮飽和雜環基團的γ位為氧原子或硫原子的6元環，鍵合於環的氫原子中的1個～6個可被碳原子數1～3的烷基取代。)。
式(11)表示的化合物，
[化學式5]
(式中，r41表示碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成r41表示的上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被至少一個滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。構成上述醯基、上述烷氧羰基、上述醯氧基、上述烷基磺醯基、上述芳基磺醯基、及r11表示的上述烷基的一個以上的氫原子可被滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。在構成上述烷基及上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基。
r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基。構成上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子或羥基取代。n、p及q各自獨立地為0～2的整數。
r5a為碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基。)。
式(12)表示的化合物，
[化學式6]
(式中，r42表示碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成上述烷基、上述烷氧基、上述醯基、上述烷氧羰基、上述醯氧基、上述烷基磺醯基及上述芳基磺醯基的一個以上的氫原子可被滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。在構成上述烷基及上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基。
r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基。構成上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子或羥基取代。n、p及q各自獨立地為0～2的整數。
r5b為被至少一個羥基取代的碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基，在上述n(r5b)2中，r5b各自獨立，為彼此相同或不同的基團。)。
式(13)表示的化合物，
[化學式7]
(式中，r1表示氫原子、碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成上述烷基、上述烷氧基、上述醯基、上述烷氧羰基、上述醯氧基、上述烷基磺醯基及上述芳基磺醯基的一個以上的氫原子可被滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。在構成上述烷基及上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基。r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基。構成上述烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子或羥基取代。n、p及q各自獨立地為0～2的整數。
r5a為碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基，r5b為被至少一個羥基取代的碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基。)。
發明的效果
本發明的組合物為包含式(1)表示的化合物的組合物，所述化合物在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收，且作為二向色性色素而發揮功能，本發明的組合物可取得能夠由該組合物形成二向色性比高的偏光膜這樣的效果。
附圖說明
[圖1]為表示連續地製造本發明的偏光膜的製造裝置的一例的正視簡圖。
[圖2]為表示連續地製造具有本發明的偏光膜的圓偏光板的製造裝置的一例的正視簡圖。
[圖3]為表示具有本發明的偏光膜的顯示裝置的結構的側視簡圖。
[圖4]為表示具有本發明的偏光膜的顯示裝置的另一結構的側視簡圖。
[圖5]為表示具有本發明的偏光膜的顯示裝置的又一結構的側視簡圖。
具體實施方式
以下，對本發明的一實施方式進行詳細說明。需要說明的是，在本申請中，「a～b」表示「a以上、b以下」。
本發明的式(1)表示的化合物(以下有時記為「化合物(1)」)的兩個偶氮基優選為反式的偶氮基。
式(1)中的r1表示氫原子、碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或-n(r10)(r11)，優選為氫原子、碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基或碳原子數1～20的醯氧基。
作為碳原子數1～20的烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等不具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷基。
構成所述碳原子數1～20的烷基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷基，可舉出氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、九氟丁基等碳原子數1～20的滷代烷基；羥基甲基、2-羥基乙基等碳原子數1～20的羥基烷基；氨基甲基、2-(n,n-二甲基氨基)乙基等具有氨基(所述氨基未經取代或具有取代基)的碳原子數1～20的烷基。
在構成上述烷基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-，r20表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，作為碳原子數1～20的烷基，可舉出與上述同樣的基團。作為在碳原子之間插入有-o-或-nr20-的烷基，可舉出甲氧基甲基、2-乙氧基乙基、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基、2-[2-(乙基氨基)乙基氨基]乙基等。
作為碳原子數1～20的烷氧基，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、新戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等不具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基。
構成所述碳原子數1～20的烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷氧基，可舉出：氟甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、九氟丁氧基等碳原子數1～20的滷代烷氧基；羥基甲氧基、2-羥基乙氧基等碳原子數1～20的羥基烷氧基；氨基甲氧基、2-(n,n-二甲基氨基)乙氧基等具有氨基(所述氨基未經取代或具有取代基)的碳原子數1～20的烷氧基。
在構成上述烷氧基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-。作為在碳原子之間插入有-o-或-nr20-的烷氧基，可舉出甲氧基甲氧基、2-乙氧基乙氧基、2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基、2-[2-(乙基氨基)乙基氨基]乙氧基等。
作為碳原子數1～20的醯基，可舉出甲醯基、乙醯基、乙基羰基、正丙基羰基、異丙基羰基、正丁基羰基、異丁基羰基、叔丁基羰基、正戊基羰基、異戊基羰基、新戊基羰基、正己基羰基、正庚基羰基、正辛基羰基、正壬基羰基、正癸基羰基等不具有取代基的醯基。
構成所述醯基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的醯基，可舉出三氟乙醯基、五氟乙基羰基、九氟丁基羰基等碳原子數1～20的滷代醯基等。
作為碳原子數2～20的烷氧羰基，可舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、異戊氧基羰基、新戊氧基羰基、正己氧基羰基、正庚氧基羰基、正辛氧基羰基、正壬氧基羰基、正癸氧基羰基等不具有取代基的烷氧羰基。
構成所述烷氧羰基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷氧羰基，可舉出氟甲氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、九氟丁氧基羰基等碳原子數2～20的滷代烷氧羰基。
作為碳原子數1～20的醯氧基，可舉出乙醯氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、異丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、異丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、正戊基羰基氧基、異戊基羰基氧基、新戊基羰基氧基、正己基羰基氧基、正庚基羰基氧基、正辛基羰基氧基、正壬基羰基氧基、正癸基羰基氧基等不具有取代基的醯氧基。
構成所述醯氧基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的醯氧基，可舉出氟乙醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟乙基羰基氧基、九氟丁基羰基氧基等碳原子數1～20的滷代醯氧基。
-n(r10)(r11)中的r10表示碳原子數1～20的醯基、碳原子數1～20的烷基磺醯基或碳原子數6～20的芳基磺醯基，r11表示氫原子或碳原子數1～20的烷基，r10與r11可彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成包含-n-co-或-n-so2-的環。構成r10中的醯基、烷基磺醯基及芳基磺醯基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代。作為具有取代基的氨基，例如，可舉出n-甲基氨基、n-乙基氨基、n,n-二甲基氨基、n,n-二乙基氨基等被一個或兩個碳原子數1～20的烷基取代的氨基等。在構成r11中的烷基的碳原子之間可插入有-o-或-nr20-。作為r10中的碳原子數1～20的醯基，可舉出與上述r1中的碳原子數1～20的醯基同樣的醯基，作為構成該醯基的一個以上的氫原子被滷原子等取代的醯基，可舉出與上述r1中的基團同樣的基團。
作為碳原子數1～20的烷基磺醯基，可舉出甲磺醯基、乙磺醯基、正丙基磺醯基等不具有取代基的烷基磺醯基。作為構成所述烷基磺醯基的一個以上的氫原子被滷原子等取代的基團，可舉出三氟甲磺醯基、五氟乙磺醯基、七氟正丙基磺醯基等碳原子數1～20的滷代烷基磺醯基。
作為碳原子數6～20的芳基磺醯基，可舉出苯磺醯基、對甲苯磺醯基等。作為構成所述芳基磺醯基的一個以上的氫原子被滷原子等取代的基團，可舉出對三氟甲基苯磺醯基等。
作為r11中的碳原子數1～20的烷基，可舉出與上述r1中的碳原子數1～20的烷基同樣的烷基，作為構成該烷基的一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷基，可舉出與上述r1中的基團同樣的基團。
作為-n(r10)(r11)的具體例，可舉出醯基氨基、乙基羰基氨基、正丙基羰基氨基、異丙基羰基氨基、正丁基羰基氨基、異丁基羰基氨基、叔丁基羰基氨基、正戊基羰基氨基、異戊基羰基氨基、新戊基羰基氨基、正己基羰基氨基、正庚基羰基氨基、正辛基羰基氨基、正壬基羰基氨基、正癸基羰基氨基、三氟醯基氨基。
作為r10與r11彼此鍵合併與它們所鍵合的氮原子一同形成的包含-n-co-或-n-so2-的環，可舉出2-吡咯烷酮-1-基等。
r1優選為可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數1～10的烷基、在構成碳原子之間插入有-o-的碳原子數1～20的烷基、可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數1～10的烷氧基、在構成碳原子之間插入有-o-的碳原子數1～20的烷氧基、可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數1～10的醯基、可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數2～10的烷氧羰基、可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數1～10的醯氧基、或-n(r10)(r11)，r10優選為可具有滷原子(優選為氟原子)的碳原子數1～20的醯基，r11優選為氫原子。
r1更優選為可具有氟原子的直鏈狀的碳原子數1～10的烷基或-n(r10)(r11)，r10更優選為可具有氟原子的碳原子數1～10的醯基，r11優選為氫原子。
r1特別優選為可具有氟原子的直鏈狀的碳原子數1～10的烷基。
式(1)中的r2～r4為氫原子以外的取代基，各自獨立地表示碳原子數1～4的烷基、碳原子數1～4的烷氧基、滷原子或氰基。r2～r4可取代在亞苯基的任意位置上。
作為碳原子數1～4的烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基等不具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷基。
構成所述碳原子數1～4的烷基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)或羥基取代。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷基，可舉出：氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、九氟丁基等碳原子數1～4的滷代烷基；羥基甲基、2-羥基乙基等碳原子數1～4的羥基烷基。
作為碳原子數1～4的烷氧基，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基等不具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基。
構成所述碳原子數1～4的烷氧基的一個以上的氫原子可被滷原子(例如，氟原子)或羥基取代。作為一個以上的氫原子被滷原子等取代的烷氧基，可舉出：氟甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、九氟丁氧基等碳原子數1～4的滷代烷氧基；羥基甲氧基、2-羥基乙氧基等碳原子數1～4的羥基烷氧基。
式(1)中的n、p、q各自獨立地為0～2的整數，更優選為0。
式(1)中的r5選自由ar1、nhr5a、n(r5b)2及n(r5a)(r5b)組成的組。
此處，ar1為n鍵合於亞苯基上的含氮飽和雜環基團，表示該含氮飽和雜環基團的γ位為氧原子或硫原子的6元環。
作為上述含氮飽和雜環基團，可舉出嗎啉基及硫代嗎啉基等。
所述含氮飽和雜環基團中的鍵合於環的氫原子中的1個～6個可被碳原子數1～3的烷基取代。作為上述含氮飽和雜環基團，可舉出3,5-二甲基嗎啉基、3-乙基嗎啉基、3,5-二甲基硫代嗎啉基、及3-乙基硫代嗎啉基等。
此處，r5a為碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基。作為上述烷基的碳原子數，優選為1～5，更優選為2～4，進一步優選為2～3。
另外，r5b為被至少一個羥基取代的碳原子數1～10的烷基、或在構成烷基的碳原子之間插入有至少一個-o-的碳原子數1～10的烷基。作為上述烷基的碳原子數，優選為1～5，更優選為2～4，進一步優選為2～3。
進而，在上述n(r5b)2中，r5b各自獨立，為彼此相同或不同的基團。
因此，化合物(1)特別優選為本發明的式(1』)表示的化合物(以下有時記為「化合物(1』)」)。式(1』)中的r1表示與上述相同的含義，r5為選自以下記載的基團中的基團。
[化學式8]
(a表示氧原子或硫原子。m為1～10的整數，在同一個基團中有兩個m時，這兩個m為相同或不同的值。)
另外，作為化合物(1)的優選例，可舉出上述式(10)表示的化合物(以下有時記為「化合物(10)」)、上述式(11)表示的化合物(以下有時記為「化合物(11)」)、上述式(12)表示的化合物(以下有時記為「化合物(12)」)、上述式(13)表示的化合物(以下有時記為「化合物(13)」)。化合物(10)是化合物(1)中的r1為r40且r5為ar1的化合物。化合物(11)是化合物(1)中的r1為r41且r5為nhr5a的化合物。化合物(12)是化合物(1)中的r1為r42且r5為n(r5b)2的化合物。化合物(13)是化合物(1)中的r5為nr5ar5b的化合物。
化合物(10)中，r2～r4、n、p、q及ar1與上述化合物(1)中的同樣。另一方面，r40為上述r1中的碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或由-n(r10)(r11)表示的基團，此處，上述烷基未被替換為滷素，並且，當r10、r11中的r11為烷基時，構成所述烷基的一個以上的氫原子未被滷原子取代，除此以外，與上述化合物(1)中的烷基、烷氧基、醯基、烷氧羰基、醯氧基、r10、r11同樣。
化合物(11)中，r2～r4、n、p、q及r5a與上述化合物(1)中的同樣。另一方面，r41為上述r1中的碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基、或由-n(r10)(r11)表示的基團，此處，構成上述r41表示的烷基及上述烷氧基的一個以上的氫原子被至少一個滷原子、羥基、未經取代的氨基或具有取代基的氨基取代，除此以外，與上述化合物(1)中的烷基、烷氧基、醯基、烷氧羰基、醯氧基、r10、r11同樣。
化合物(12)中，r2～r4、n、p、q及r5b與上述化合物(1)中的同樣。另一方面，r42為上述r1中的碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、碳原子數1～20的醯基、碳原子數2～20的烷氧羰基、碳原子數1～20的醯氧基或由-n(r10)(r11)表示的基團，此處，上述烷基、烷氧基、醯基、烷氧羰基、醯氧基、r10及r11與上述化合物(1)中的r10、r11同樣。
化合物(13)中，r1～r4、n、p、q、r5a及r5b與上述化合物(1)中的同樣。
作為化合物(1)或化合物(1』)的具體例，可舉出下述式(1-1)～式(1-71)表示的化合物。
[化學式9]
其中，優選式(1-1)、式(1-2)、式(1-5)、式(1-16)、式(1-17)、及式(1-20)、式(1-31)及式(1-46)表示的化合物，更優選式(1-1)、式(1-16)及式(1-46)表示的化合物。
化合物(1)例如可利用以下方法得到：使式(2a)表示的化合物(以下有時記為「化合物(2a)」)與式(2b)表示的化合物(以下有時記為「化合物(2b)」)進行反應，從而得到式(3a)表示的化合物(以下有時記為「化合物(3a)」)，然後由化合物(3a)得到式(3b)表示的化合物(以下有時記為「化合物(3b)」)，進而例如使化合物(3b)的氨基與可具有取代基的鄰亞烷滷醇(alkylenehalohydrin)(例如，2-碘乙醇)進行反應，從而使取代於化合物(3b)的氨基上的一個氫原子成為可具有取代基的羥基烷基，然後與甲醛進行環化反應而形成作為ar1的含氮飽和雜環基團；使化合物(3b)與鄰亞烷滷醇(例如、2-碘乙醇)進行反應，從而使取代於化合物(3b)的氨基上的一個氫原子成為氨基羥基烷基，並利用sandmeyer反應將另一個氫原子烷基化；或者，使化合物(3b)與鄰亞烷滷醇(例如，2-碘乙醇)進行反應，從而使取代於化合物(3b)的氨基上的2個氫原子均成為氨基羥基烷基；等等。另外，根據得到的化合物(1)的種類，還可以利用使化合物(1)中的r5基團替換苯環上的一個氫原子而得到的化合物與化合物(2a)直接進行反應的方法來得到化合物(1)。所述方法例如可按照chembiochem,2011,12,1712、journalofchemicalsociety,perkintrans.1998,685等中記載的方法進行。
[化學式10]
(式中，r1、r2、r3、n、p表示與上述相同的含義。)
[化學式11]
(式中，r4、q表示與上述相同的含義。)
[化學式12]
(式中，r1、r2～r4、n、p、q表示與上述相同的含義。)
[化學式13]
(式中、r1、r2～r4、n、p、q表示與上述相同的含義。)
反應結束後，化合物(1)可利用重結晶、再沉澱、萃取、各種色譜法等通常的提取手段進行提取。
化合物(1)是在波長350nm～510nm的範圍內、優選波長400nm～500nm的範圍內、更優選波長410nm～490nm的範圍內、進一步優選波長420nm～480nm的範圍內具有最大吸收的、作為二向色性色素而發揮功能的化合物，尤其是通過與聚合性液晶化合物一同取向而得到的偏光膜顯示更高的二向色性。另外，化合物(1)、優選化合物(1』)具有耐光性，因此，包含本發明的化合物的偏光膜具有耐光性。
接下來，對包含聚合性液晶化合物和化合物(1)的本發明的組合物進行說明。本發明的組合物可包含兩種以上的化合物(1)。
所謂聚合性液晶化合物，是在分子內具有聚合性基團、且可通過進行取向而呈現液晶相的化合物，優選為可通過單獨進行取向而呈現液晶相的化合物。
所謂聚合性基團，是指參與聚合反應的基團，優選為光聚合性基團。此處，所謂聚合性基團，是指可通過由後述的聚合引發劑產生的活性自由基、酸等而參與聚合反應的基團。作為聚合性基團，可舉出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、氧雜環丙基及氧雜環丁基。其中，優選丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基氧基、氧雜環丙基及氧雜環丁基，更優選丙烯醯基氧基。
聚合性液晶化合物可以為熱致液晶型，也可以為溶致液晶型。
本發明中的聚合性液晶化合物為呈現近晶型液晶相的近晶型液晶性化合物，優選為呈現高階近晶型液晶相的化合物。含有呈現近晶型液晶相的聚合性液晶化合物的本發明的組合物可提供偏光性能更優異的偏光膜。本發明的組合物可包含兩種以上的聚合性液晶化合物。
化合物(1)即使為分散於由呈現近晶型液晶相的聚合性液晶化合物形成的緻密分子鏈之間的狀態，也可顯示出高二向色性，因此，含有化合物(1)的組合物可提供二向色性比高的偏光膜。
作為高階近晶型液晶相，可舉出近晶b相、近晶d相、近晶e相、近晶f相、近晶g相、近晶h相、近晶i相、近晶j相、近晶k相及近晶l相。其中，優選近晶b相、近晶f相及近晶i相，更優選近晶b相。聚合性液晶化合物所呈現的近晶型液晶相為這些高階近晶相時，可得到取向有序度更高的偏光膜。由含有呈現高階近晶型液晶相的聚合性液晶化合物的組合物得到的取向有序度高的偏光膜在x射線衍射測定中顯示出來自六角相(hexaticphase)或結晶相(crystalphase)這樣的高階結構的布拉格峰。布拉格峰是來自分子取向的面周期結構的峰。由本發明的組合物得到的偏光膜所具有的周期間隔(有序周期)優選為0.30～0.50nm。
聚合性液晶化合物所呈現的液晶相的種類例如可利用以下所示的方法進行確認。即，準備合適的基材，在該基材上塗布包含聚合性液晶化合物和溶劑的溶液從而形成塗布膜，然後通過進行加熱處理或減壓處理從而將該塗布膜中含有的溶劑除去。接下來，將在基材上形成的塗布膜加熱至各向同性相(isotropicphase)溫度，然後緩緩進行冷卻，由此呈現出液晶相，利用基於偏光顯微鏡的織構觀察、x射線衍射測定或差示掃描量熱測定對該液晶相進行檢查。在該檢查中，可確認到例如通過冷卻至第一溫度從而呈現向列型液晶相、進而通過緩緩冷卻至第二溫度從而呈現近晶型液晶相。
聚合性液晶組合物優選為式(4)表示的化合物(以下有時記為「化合物(4)」)。
u1-v1-w1-x1-y1-x2-y2-x3-w2-v2-u2(4)
(式中，x1、x2及x3各自獨立地表示可具有取代基的1,4-亞苯基、或可具有取代基的環己烷-1,4-二基。其中，x1、x2及x3中的至少一者為可具有取代基的1,4-亞苯基。構成環己烷-1,4-二基的-ch2-可被替換為-o-、-s-或-nr-。r表示碳原子數1～6的烷基或苯基。
y1及y2各自獨立地表示單鍵、-ch2ch2-、-ch2o-、-coo-、-ocoo-、-n＝n-、-cra＝crb-、-c≡c-或-cra＝n-。ra及rb各自獨立地表示氫原子或碳原子數1～4的烷基。
u1表示氫原子或聚合性基團。
u2表示聚合性基團。
w1及w2各自獨立地表示單鍵、-o-、-s-、-coo-或-ocoo-。
v1及v2各自獨立地表示可具有取代基的碳原子數1～20的烷二基(alkanediyl)，構成該烷二基的-ch2-可被替換為-o-、-s-或-nh-。)
化合物(4)中，x1、x2及x3中的至少一者優選為可具有取代基的1,4-亞苯基。
可具有取代基的1,4-亞苯基優選為不具有取代基的1,4-亞苯基。可具有取代基的環己烷-1,4-二基優選為可具有取代基的反式-環己烷-1,4-二基。可具有取代基的反式-環己烷-1,4-二基優選為不具有取代基的反式-環己烷-1,4-二基。
作為可具有取代基的1,4-亞苯基或可具有取代基的環己烷-1,4-二基所任選具有的取代基，可舉出甲基、乙基、正丁基等碳原子數1～4的烷基、氰基及滷原子。
y1優選為單鍵、-ch2ch2-或-coo-，y2優選為-ch2ch2-或-ch2o-。
u1為氫原子或聚合性基團，優選為聚合性基團。u2為聚合性基團。u1及u2優選均為聚合性基團，更優選均為光聚合性基團。從可在更低的溫度條件下進行聚合的方面考慮，具有光聚合性基團的聚合性液晶化合物是有利的。
u1及u2表示的聚合性基團可以彼此不同，但優選相同。作為聚合性基團，可舉出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、氧雜環丙基及氧雜環丁基。其中，優選為乙烯基氧基、丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、氧雜環丙基及氧雜環丁基，更優選為丙烯醯基氧基。
作為v1及v2表示的烷二基，可舉出亞甲基、亞乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、癸烷-1,10-二基、十四烷-1,14-二基及二十烷-1,20-二基。v1及v2優選為碳原子數2～12的烷二基，更優選為碳原子數6～12的烷二基。
作為可具有取代基的碳原子數1～20的烷二基所任選具有的取代基，可舉出氰基及滷原子。該烷二基優選為不具有取代基的烷二基，更優選為不具有取代基且為直鏈狀的烷二基。
w1及w2各自獨立地優選為單鍵或-o-。
作為化合物(4)的具體例，可舉出下述式(4-1)～式(4-43)表示的化合物。化合物(4)具有環己烷-1,4-二基時，該環己烷-1,4-二基優選為反式型。
[化學式14]
其中，選自由式(4-5)、式(4-6)、式(4-7)、式(4-8)、式(4-9)、式(4-10)、式(4-11)、式(4-12)、式(4-13)、式(4-14)、式(4-15)、式(4-22)、式(4-24)、式(4-25)、式(4-26)、式(4-27)、式(4-28)、及式(4-29)表示的化合物組成的組中的至少一種化合物(4)是優選的。
本發明的組合物可包含兩種以上的化合物(4)。當組合兩種以上的聚合性液晶化合物時，優選其中的至少一種為化合物(4)，更優選其中的兩種以上為化合物(4)。通過組合兩種以上的聚合性液晶化合物，從而有可能在液晶-結晶相轉變溫度以下的溫度也能夠於一段時間內維持液晶相。作為組合兩種聚合性液晶化合物時的混合比，通常為1:99～50:50，優選為5:95～50:50，更優選為10:90～50:50。
化合物(4)例如可利用lub等,recl.trav.chim.pays-bas,115,321-328(1996)、日本專利第4719156號等已知文獻中記載的方法進行製造。
從提高聚合性液晶化合物的取向性這一觀點考慮，本發明的組合物中的聚合性液晶化合物的含有比例相對於本發明的組合物的固態成分100質量份而言優選為70～99.5質量份，更優選為80～99質量份，進一步優選為80～94質量份，特別優選為80～90質量份。此處，所謂固態成分，是指本發明的組合物中的除溶劑以外的成分的總量。
本發明的組合物優選包含聚合引發劑及溶劑，還可包含光敏化劑、阻聚劑及流平劑(levelingagent)。
相對於100重量份的聚合性液晶化合物，本發明的組合物中的化合物(1)的含量通常為50質量份以下，優選為0.1質量份以上且10質量份以下，更優選為0.1質量份以上且5質量份以下。化合物(1)的含量相對於100質量份的聚合性液晶化合物而言為50質量份以下時，有能夠得到聚合性液晶化合物及化合物(1)的取向紊亂少的偏光膜的趨勢。
溶劑優選為能夠將聚合性液晶化合物及化合物(1)完全溶解的溶劑。另外，優選為對聚合性液晶化合物的聚合反應不具有活性的溶劑。
作為溶劑，可舉出：甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、乙二醇甲基醚、乙二醇丁基醚、丙二醇單甲基醚等醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮、甲基異丁基酮等酮溶劑；戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烴溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴溶劑；乙腈等腈溶劑；四氫呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶劑；及氯仿、氯苯等含氯溶劑。這些溶劑可以僅使用一種，也可以組合兩種以上而使用。
在本發明的組合物含有溶劑的情況下，溶劑的含有比例相對於本發明的組合物的總量而言優選為50～98質量％。換言之，本發明的組合物中的固態成分優選為2～50質量％。該固態成分為50質量％以下時，本發明的組合物的粘度變低，由本發明的組合物得到的偏光膜的厚度變得大致均勻，有該偏光膜中不易產生不均的趨勢。所述固態成分可考慮想要製造的偏光膜的厚度而確定。
聚合引發劑是可引發聚合性液晶化合物的聚合反應的化合物。作為聚合引發劑，優選為利用光的作用而產生活性自由基的光聚合引發劑。
作為聚合引發劑，可舉出苯偶姻化合物、二苯甲酮化合物、烷基苯酮化合物、醯基氧化膦化合物、三嗪化合物、碘鎓鹽及鋶鹽。
作為苯偶姻化合物，可舉出苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、及苯偶姻異丁基醚。
作為二苯甲酮化合物，可舉出二苯甲酮、鄰苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苯甲醯基-4』-甲基二苯硫醚、3,3』,4,4』-四(叔丁基過氧化羰基)二苯甲酮、及2,4,6-三甲基二苯甲酮。
作為烷基苯酮化合物，可舉出二乙氧基苯乙酮、2-甲基-2-嗎啉基-1-(4-甲硫基苯基)丙烷-1-酮(2-methyl-2-morpholino-1-(4-methylthiophenyl)-propan-1-one)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1,2-二苯基-2,2-二甲氧基乙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、及2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮的低聚物。
作為醯基氧化膦化合物，可舉出2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦。
作為三嗪化合物，可舉出2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、及2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪。
作為碘鎓鹽及鋶鹽，例如可舉出下式表示的鹽。
[化學式15]
聚合引發劑可以僅使用一種，也可以組合兩種以上而使用。
作為聚合引發劑，也可使用市售品。作為市售的聚合引發劑，可舉出irgacure(イルガキュア)(註冊商標)907、184、651、819、250、及369(cibaspecialtychemicals株式會社制)；seikuol(註冊商標)bz、z、及bee(精工化學株式會社制)；kayacure(カヤキュアー)(註冊商標)bp100、及uvi-6992(dowchemical株式會社制)；adekaoptomersp-152、及sp-170(株式會社adeka制)；taz-a、及taz-pp(nihonsiberhegner株式會社制)；以及、taz-104(株式會社sanwachemical制)。
在本發明的組合物含有聚合引發劑的情況下，從不易使聚合性液晶化合物的取向紊亂這一觀點考慮，本發明的組合物中的聚合引發劑的含量相對於100質量份的聚合性液晶化合物而言通常為0.1～30質量份，優選為0.5～10質量份，更優選為0.5～8質量份。
在本發明的組合物含有光聚合引發劑的情況下，本發明的組合物優選含有光敏化劑。通過使得本發明的組合物含有光聚合引發劑及光敏化劑，從而有聚合性液晶化合物的聚合反應被進一步促進的趨勢。作為該光敏化劑，可舉出：呫噸酮及噻噸酮等呫噸酮化合物(例如，2,4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮)；蒽及含有烷氧基的蒽(例如，二丁氧基蒽)等蒽化合物；吩噻嗪及紅熒烯(rubrene)。
在本發明的組合物包含光敏化劑的情況下，本發明的組合物中的光敏化劑的含量相對於100質量份的聚合性液晶化合物而言優選為0.1～30質量份，更優選為0.5～10質量份，進一步優選為0.5～8質量份。
作為阻聚劑，例如可舉出：對苯二酚、含有烷氧基的對苯二酚、含有烷氧基的鄰苯二酚(例如丁基鄰苯二酚)、連苯三酚、2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧自由基等自由基捕獲劑；苯硫酚類；β-萘基胺類及β-萘酚類。
通過使得本發明的組合物包含阻聚劑，從而可控制聚合性液晶化合物的聚合反應的進展程度。
在本發明的組合物包含阻聚劑的情況下，本發明的組合物中的阻聚劑的含量相對於100質量份的聚合性液晶化合物而言優選為0.1～30質量份，更優選為0.5～10質量份，進一步優選為0.5～8質量份。
所謂流平劑，是具有調節本發明的組合物的流動性、使塗布本發明的組合物而得到的塗布膜更平坦的功能的試劑，例如可舉出表面活性劑。優選的流平劑為以聚丙烯酸酯化合物為主成分的流平劑、及以含有氟原子的化合物為主成分的流平劑。
作為以聚丙烯酸酯化合物為主成分的流平劑，可舉出byk-350、byk-352、byk-353、byk-354、byk-355、byk-358n、byk-361n、byk-380、byk-381、及byk-392(byk-chemiegmbh制)。
作為以含有氟原子的化合物為主成分的流平劑，可舉出megaface(註冊商標)r-08、r-30、r-90、f-410、f-411、f-443、f-445、f-470、f-471、f-477、f-479、f-482、f-483(dic株式會社制)；surflon(註冊商標)s-381、s-382、s-383、s-393、sc-101、sc-105、kh-40、及sa-100(agcseimichemical株式會社制)；e1830、及e5844(株式會社daikinfinechemical研究所制)；eftopef301、ef303、ef351、及ef352(mitsubishimaterialselectronicchemicals株式會社制)。
在本發明的組合物包含流平劑的情況下，相對於100質量份的聚合性液晶化合物而言，流平劑的含量優選為0.3質量份以上且5質量份以下，更優選為0.5質量份以上且3質量份以下。
流平劑的含量在上述範圍內時，容易使聚合性液晶化合物水平取向，並且有得到的偏光膜變得更加平滑的趨勢。流平劑相對於聚合性液晶化合物而言的含量超出上述範圍時，有容易在得到的偏光膜中產生不均的趨勢。本發明的組合物可包含兩種以上的流平劑。
包含化合物(1)的本發明的偏光膜例如可通過塗布本發明的組合物而得到，優選地，可利用包括下述工序(a)～(c)的製造方法進行製造。
工序(a)：在基材、或形成有取向膜的基材的表面上塗布本發明的組合物的工序；
工序(b)：使形成的塗布膜中包含的聚合性液晶化合物及化合物(1)取向的工序；
工序(c)：通過向已取向的聚合性液晶化合物照射活性能量射線從而使聚合性液晶化合物進行聚合的工序。
基材可以為玻璃基材，也可以為樹脂基材，優選為樹脂基材。另外，通過使用由樹脂形成的膜基材，從而可得到薄的偏光膜。
樹脂基材優選為透明樹脂基材。所謂透明樹脂基材，是指具有透光性(可使光、尤其是可見光透過)的基材，所謂透光性，是指相對于波長在380nm～780nm的範圍內的光線而言的可見度修正透射率為80％以上的特性。
基材優選為具有四分之一波片功能的相位差膜(以下有時記為「四分之一波片」)。通過使用四分之一波片作為基材，從而可得到圓偏光板。
此時，優選以使得偏光膜的透射軸與四分之一波片的慢軸(光軸)實質上成為45°的方式進行層疊。所謂「實質上成為45°」通常為45±5°的範圍。另外，通過使偏光膜與四分之一波片的光軸一致或正交，從而可得到作為光學補償膜(偏光膜)而發揮功能的圓偏光板。
四分之一波片通常具有式(40)表示的光學特性，優選具有式(41)表示的光學特性。
100nm<re(550)<160nm(40)
130nm<re(550)<150nm(41)
re(550)表示相對于波長550nm的光的面內相位差值。
此外，四分之一波片優選具有逆波長分散特性。所謂逆波長分散特性，是短波長處的面內相位差值大於長波長處的面內相位差值，優選滿足式(50)及式(51)表示的光學特性。
re(450)/re(550)≤1.00(50)
1.00≤re(630)/re(550)(51)
re(λ)表示相對于波長為λnm的光的面內相位差值。對於具備具有式(50)及式(51)表示的光學特性的四分之一波片的圓偏光板而言，由於相對於可見光區域中的各波長的光可得到同樣的偏光轉換特性，因此有防反射特性優異的趨勢。
基材也可以為具有二分之一波片功能的相位差膜。
作為構成基材的樹脂，例如可舉出：聚乙烯、聚丙烯、降冰片烯系聚合物等聚烯烴；環狀烯烴系樹脂；聚乙烯醇；聚對苯二甲酸乙二醇酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；三乙醯纖維素、二乙醯纖維素、及纖維素乙酸丙酸酯(celluloseacetatepropionate)等纖維素酯；聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；聚碸；聚醚碸；聚醚酮；聚苯硫醚；聚苯醚；等等。優選為纖維素酯、環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸酯。
纖維素酯是纖維素中含有的羥基的至少一部分被酯化而得到的化合物，可以以市售品的形式獲得。另外，含有纖維素酯的基材也可以以市售品的形式獲得。作為市售的含有纖維素酯的基材，可舉出：fujitac(註冊商標)膜(fujifilm株式會社制)；kc8ux2m、kc8uy、及kc4uy(konicaminoltaopto株式會社制)等。
所謂環狀烯烴系樹脂，是包含降冰片烯或多環降冰片烯系單體等環狀烯烴的聚合物、或者它們的共聚物的樹脂。該環狀烯烴系樹脂可以包含開環結構，另外，也可以是對包含開環結構的環狀烯烴系樹脂進行氫化而得到的樹脂。另外，在不顯著損害透明性、且不顯著增大吸溼性的範圍內，該環狀烯烴系樹脂可包含來自鏈狀烯烴及乙烯基化芳香族化合物的結構單元。另外，也可在該環狀烯烴系樹脂的分子內導入極性基團。
作為鏈狀烯烴，可舉出乙烯及丙烯等，作為乙烯基化芳香族化合物，可舉出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、及可具有烷基的苯乙烯等。
在環狀烯烴系樹脂為環狀烯烴與鏈狀烯烴或乙烯基化芳香族化合物形成的共聚物的情況下，來自環狀烯烴的結構單元的含量相對於共聚物的全部結構單元而言通常為50摩爾％以下，優選為15～50摩爾％。
在環狀烯烴系樹脂為環狀烯烴、鏈狀烯烴和乙烯基化芳香族化合物形成的三元共聚物的情況下，來自鏈狀烯烴的結構單元的含量相對於共聚物的全部結構單元而言通常為5～80摩爾％，來自乙烯基化芳香族化合物的結構單元的含有比例相對於共聚物的全部結構單元而言通常為5～80摩爾％。這樣的三元共聚物具有可相對減少價格昂貴的環狀烯烴的使用量這一優點。
環狀烯烴系樹脂可以以市售品的形式獲得。作為市售的環狀烯烴系樹脂，可舉出：topas(註冊商標)(ticona公司(德國)制)；arton(註冊商標)(jsr株式會社制)；zeonor(ゼオノア)(註冊商標)、zeonex(ゼオネックス)(註冊商標)(日本zeon株式會社制)；及apel(註冊商標)(三井化學株式會社制)等。可利用例如溶劑流延法、熔融擠出法等已知的方法對這樣的環狀烯烴系樹脂進行制膜，從而製成基材。作為市售的包含環狀烯烴系樹脂的基材，可舉出：escena(エスシーナ)(註冊商標)、sca40(註冊商標)(積水化學工業株式會社制)；及zeonorfilm(註冊商標)(optes株式會社制)等。
可對基材實施表面處理。作為表面處理的方法，例如，可舉出：在真空至大氣壓的氣氛下利用電暈或等離子體對基材表面進行處理的方法；對基材表面進行雷射處理的方法；對基材表面進行臭氧處理的方法；對基材表面進行皂化處理的方法；對基材表面進行火焰處理的方法；在基材表面塗布偶聯劑的方法；對基材表面進行底塗處理的方法；以及使反應性單體、具有反應性的聚合物附著於基材表面後，照射放射線、等離子體或紫外線而使其反應的接枝聚合法；等等。其中，優選在真空至大氣壓的氣氛下對基材表面進行電暈或等離子體處理的方法。
作為利用電暈或等離子體對基材進行表面處理的方法，可舉出：在大氣壓附近的壓力下，在對置的電極之間設置基材，產生電暈或等離子體而對基材進行表面處理的方法；向對置的電極之間流入氣體，使氣體在電極之間等離子體化，將經等離子體化的氣體吹噴至基材的方法；以及在低壓條件下產生輝光放電等離子體而對基材進行表面處理的方法。
其中，優選下述方法：在大氣壓附近的壓力下，在對置的電極之間設置基材，產生電暈或等離子體而對基材進行表面處理的方法；或向對置的電極之間流入氣體，使氣體在電極之間等離子體化，將經等離子體化的氣體吹噴至基材的方法。所述利用電暈或等離子體進行的表面處理通常採用市售的表面處理裝置來實施。
對於基材而言，可以在與塗布本發明的組合物的面相反的面上具有保護膜。作為保護膜，可舉出由聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯及聚烯烴等形成的膜、以及在該膜上進一步具有粘合層的膜等。其中，由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的膜在乾燥時的熱變形小，因而優選。通過在與塗布本組合物的面相反的面上具有保護膜，從而可抑制輸送基材時的膜的晃動、塗布面的微弱振動，可提高塗膜的均勻性。
從成為可進行實用性操作的程度的質量方面考慮，基材的厚度優選較薄，但過薄時強度降低，有加工性差的趨勢。基材的厚度通常為5～300μm，優選為20～200μm。
基材的長度方向的長度通常為10～3000m，優選為100～2000m。基材的寬度方向的長度通常為0.1～5m，優選為0.2～2m。
本發明中的取向膜是使聚合性液晶化合物在期望的方向上取向的、具有取向控制力的膜。
作為取向膜，具有不因塗布本發明的組合物等而發生溶解的耐溶劑性、而且具有在用於除去溶劑或使聚合性液晶化合物取向的加熱處理中的耐熱性的膜是優選的。作為所述取向膜，可舉出包含取向性聚合物的取向膜、光取向膜及在表面形成凹凸圖案或多個槽並進行取向的凹槽取向膜等。
作為取向性聚合物，可舉出在分子內具有醯胺鍵的聚醯胺或明膠類、在分子內具有醯亞胺鍵的聚醯亞胺及作為其水解物的聚醯胺酸、聚乙烯醇、經烷基改性的聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚噁唑、聚乙烯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸及聚丙烯酸酯類。其中，優選聚乙烯醇。可組合兩種以上的取向性聚合物而使用。
包含取向性聚合物的取向膜通常通過下述方式形成於基材的表面上，即，將在溶劑中溶解有取向性聚合物的組合物(以下有時記為「取向性聚合物組合物」)塗布於基材上並除去溶劑，或者，將取向性聚合物組合物塗布於基材上、除去溶劑並進行摩擦(摩擦法)。
作為上述溶劑，可舉出：水、甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基溶纖劑、丁基溶纖劑、丙二醇單甲基醚等醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮等酮溶劑；戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烴溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴溶劑；乙腈等腈溶劑；四氫呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶劑；及氯仿、氯苯等氯代烴溶劑。這些溶劑可僅使用一種，也可組合兩種以上而使用。
取向性聚合物組合物中的取向性聚合物的濃度只要是取向性聚合物材料能夠完全溶解於溶劑中的範圍即可，按照固態成分換算計，相對於溶液而言優選為0.1質量％～20質量％，進一步優選為0.1質量％～10質量％左右。
作為取向性聚合物組合物，可直接使用市售的取向膜材料。作為市售的取向膜材料，可舉出sunever(註冊商標)(日產化學工業株式會社制)、optomer(註冊商標)(jsr株式會社制)等。
作為將取向性聚合物組合物塗布於基材的方法，可舉出旋轉塗布法、擠出(extrusion)法、凹版塗布法、模塗法、狹縫式塗布法、棒塗法、塗敷器法等塗布法、柔版法等印刷法等已知的方法。當利用後述的卷對卷(rolltoroll)方式的連續製造方法製造本發明的偏光膜時，該塗布方法中通常採用凹版塗布法、模塗法或柔版法等印刷法。
作為除去取向性聚合物組合物中含有的溶劑的方法，可舉出自然乾燥法、通風乾燥法、加熱乾燥及減壓乾燥法等。
為了向取向膜賦予取向控制力，根據需要對取向膜進行摩擦(摩擦法)。通過選擇進行摩擦的方向，從而可任意地控制取向控制力的方向。
作為利用摩擦法賦予取向控制力的方法，可舉出如下方法：使取向性聚合物的膜(其是通過將取向性聚合物組合物塗布於基材並進行退火從而形成於基材表面上的)與纏繞有摩擦布且正在旋轉的摩擦輥接觸。
光取向膜通常通過下述方式形成於基材的表面上，即，將包含具有光反應性基團的聚合物或單體和溶劑的組合物(以下有時記為「光取向膜形成用組合物」)塗布於基材上並照射光(優選為偏振uv光)。從可通過選擇所照射的光的偏振方向而任意地控制取向控制力的方向的觀點考慮，更優選光取向膜。
所謂光反應性基團，是指通過進行光照射而產生液晶取向能力的基團。具體而言，可舉出參與通過光照射而產生的分子的取向誘導或者異構化反應、二聚化反應、光交聯反應或光分解反應等成為液晶取向能力起源的光反應的基團。其中，從取向性優異方面考慮，優選為參與二聚化反應或光交聯反應的基團。作為光反應性基團，優選為具有不飽和鍵、尤其是雙鍵的基團，特別優選為具有選自由碳-碳雙鍵(c＝c鍵)、碳-氮雙鍵(c＝n鍵)、氮-氮雙鍵(n＝n鍵)、及碳-氧雙鍵(c＝o鍵)組成的組中的至少一者的基團。
作為具有c＝c鍵的光反應性基團，可舉出乙烯基、多烯基、茋基(stilbenegroup)、苯乙烯基吡啶基(stilbazolegroup)、苯乙烯基吡啶鎓基(stilbazoliumgroup)、查爾酮基、及肉桂醯基。作為具有c＝n鍵的光反應性基團，可舉出具有芳香族席夫鹼、芳香族腙等結構的基團。作為具有n＝n鍵的光反應性基團，可舉出偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族雜環偶氮基、雙偶氮基、甲臢基(formazangroup)、及具有氧化偶氮苯結構的基團。作為具有c＝o鍵的光反應性基團，可舉出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基、及馬來醯亞胺基。這些基團可具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧羰基、羥基、磺酸基、滷代烷基等取代基。
其中，優選為參與光二聚化反應的光反應性基團，從光取向所需的偏振光照射量較少且易於得到熱穩定性、經時穩定性優異的光取向膜的方面考慮，優選為肉桂醯基及查爾酮基。作為具有光反應性基團的聚合物，該聚合物側鏈的末端部成為肉桂酸結構那樣的具有肉桂醯基的聚合物是特別優選的。
作為光取向膜形成用組合物中含有的溶劑，可舉出與上述取向性聚合物組合物中含有的溶劑同樣的溶劑，可根據具有光反應性基團的聚合物或單體的溶解性進行適當選擇。
光取向膜形成用組合物中的具有光反應性基團的聚合物或單體的含量可根據聚合物或單體種類、目標光取向膜的厚度進行適當調節，優選至少設為0.2質量％，更優選為0.3～10質量％。在不顯著損害光取向膜的特性的範圍內，光取向膜形成用組合物可含有聚乙烯醇、聚醯亞胺等高分子材料、光敏化劑。
作為將光取向膜形成用組合物塗布於基材的方法，可舉出與將取向性聚合物組合物塗布於基材的方法同樣的方法。作為從經塗布的光取向膜形成用組合物中除去溶劑的方法，例如可舉出與從取向性聚合物組合物中除去溶劑的方法相同的方法。
為了照射偏振光，可以是向從塗布於基板上的光取向膜形成用組合物中除去了溶劑的組合物直接照射偏振uv光的方式，也可以是從基材側照射偏振光、使偏振光透過而進行照射的形式。另外，特別優選的是，該偏振光實質上為平行光。進行照射的偏振光的波長只要是具有光反應性基團的聚合物或單體的光反應性基團可吸收光能的波長區域即可。具體而言，波長為250～400nm的範圍的uv(紫外線)是特別優選的。作為用於照射該偏振光的光源，可舉出氙燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬滷化物燈、krf、arf等紫外光雷射等，更優選高壓汞燈、超高壓汞燈及金屬滷化物燈。這些燈的波長為313nm的紫外線的發光強度大，故而優選。使來自上述光源的光從合適的偏光片通過而進行照射，由此可照射偏振uv光。作為所述偏光片，可使用偏振濾光片(polarizingfilter)、格蘭-湯普森(glan-thompson)、格蘭-泰勒(glan-taylor)等的偏光稜鏡、線柵型的偏光片。
需要說明的是，進行摩擦或照射偏振光時，若進行掩蔽(masking)，則也可形成液晶取向的方向不同的多個區域(圖案)。
凹槽取向膜是通過膜表面的凹凸圖案或多個槽而實現液晶取向的膜。h.v.kennel等報導了如下事實：將液晶分子置於具有多個等間隔地排列的直線狀凹槽(槽)的基材上時，液晶分子會在沿著該槽的方向上進行取向(physicalreviewa24(5)，2713頁，1981年)。
作為在基材的表面上形成凹槽取向膜的具體方法，可舉出下述方法：隔著曝光用掩模(其具有周期性圖案形狀的狹縫)對感光性聚醯亞胺表面進行曝光，然後進行顯影及漂洗處理而將不需要的聚醯亞胺膜除去，從而形成凹凸圖案的方法；在表面上具有槽的板狀原版上形成uv固化樹脂層，將樹脂層轉移至基材膜後進行固化的方法；輸送形成有uv固化樹脂層的基材膜，將具有多個槽的輥狀原版按壓於uv固化樹脂層表面而形成凹凸，然後進行固化的方法；等等，例如，可使用日本特開平6-34976號公報、日本特開2011-242743號公報中記載的方法等。
上述方法中，在將具有多個槽的輥狀原版按壓於uv固化樹脂層表面而形成凹凸、然後進行固化的方法是優選的。作為輥狀原版，從耐久性的觀點考慮，可使用不鏽鋼(sus)。
作為uv固化樹脂，可使用單官能丙烯酸酯的聚合物、多官能丙烯酸酯的聚合物或它們的混合物的聚合物。
所謂單官能丙烯酸酯，是在分子內具有一個選自由丙烯醯基氧基(ch2＝ch-coo-)及甲基丙烯醯基氧基(ch2＝c(ch3)-coo-)組成的組中的基團(以下有時記為「(甲基)丙烯醯基氧基」)的化合物。
作為具有一個(甲基)丙烯醯基氧基的單官能丙烯酸酯，可舉出(甲基)丙烯酸烷基酯(所述烷基的碳原子數為4至16)、(甲基)丙烯酸β羧基烷基酯(所述β羧基烷基的碳原子數為2至14)、(甲基)丙烯酸烷基化苯基酯(所述烷基的碳原子數為2至14)、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸異冰片酯等。
多官能丙烯酸酯通常是在分子內具有兩個～六個(甲基)丙烯醯基氧基的化合物。
作為具有兩個(甲基)丙烯醯基氧基的二官能丙烯酸酯，可舉出1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、雙酚a的雙(丙烯醯基氧基乙基)醚、乙氧基化雙酚a二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、及3-甲基戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有三個～六個(甲基)丙烯醯基氧基的多官能丙烯酸酯，可舉出：
三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；
季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物、三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物；
己內酯改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；
己內酯改性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物、己內酯改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物、及己內酯改性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯與酸酐的反應產物；等等。需要說明的是，此處所示的多官能丙烯酸酯的具體例中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。另外，所謂己內酯改性，是指在(甲基)丙烯酸酯化合物的來自醇的部位與(甲基)丙烯醯基氧基之間導入有己內酯的開環體或開環聚合物。
所述多官能丙烯酸酯也可使用市售品。作為所述市售品，可舉出：a-dod-n、a-hd-n、a-nod-n、apg-100、apg-200、apg-400、a-gly-9e、a-gly-20e、a-tmm-3、a-tmpt、ad-tmp、atm-35e、a-tmmt、a-9550、a-dph、hd-n、nod-n、npg、tmpt(新中村化學工業株式會社制)；「aronixm-220」、「aronixm-325」、「aronixm-240」、「aronixm-270」、「aronixm-309」、「aronixm-310」、「aronixm-321」、「aronixm-350」、「aronixm-360」、「aronixm-305」、「aronixm-306」、「aronixm-450」、「aronixm-451」、「aronixm-408」、「aronixm-400」、「aronixm-402」、「aronixm-403」、「aronixm-404」、「aronixm-405」、「aronixm-406」(東亞合成株式會社制)；「ebecryl11」、「ebecryl145」、「ebecryl150」、「ebecryl40」、「ebecryl140」、「ebecryl180」、dpgda、hdda、tpgda、hpnda、petia、petra、tmpta、tmpeota、dpha、ebecryl系列(daicel-cytec株式會社制)；等等。
作為凹槽取向膜的凹凸，凸部的寬度優選為0.05～5μm，凹部的寬度優選為0.1～5μm，凹凸的高低差的深度優選為2μm以下，更優選為0.01～1μm。若為該範圍，則可得到取向紊亂少的液晶取向。
取向膜的厚度通常為10nm～10000nm，優選為10nm～1000nm，更優選為10nm～500nm。
作為塗布本發明的組合物的方法，可舉出與作為將取向性聚合物組合物塗布於基材的方法而例示的方法同樣的方法。
在本發明的組合物含有溶劑的情況下，通常從形成的塗布膜中除去溶劑。作為溶劑的除去方法，可舉出自然乾燥法、通風乾燥法、加熱乾燥及減壓乾燥法等。
形成的塗布膜中含有的聚合性液晶化合物通常通過加熱至可轉變為溶液狀態的溫度以上、接著冷卻至進行液晶取向的溫度從而進行取向而形成液晶相。
對於形成的塗布膜中含有的聚合性液晶化合物進行取向的溫度而言，可預先通過使用包含該聚合性液晶化合物的組合物進行的織構觀察等而求出。另外，可同時進行溶劑的除去和液晶取向。作為此時的溫度，雖然也取決於要除去的溶劑、聚合性液晶化合物的種類，但優選為50～200℃的範圍，當基材為樹脂基材時，更優選為80～130℃的範圍。
在使用作為四分之一波片的基材而得到具有本發明的偏光膜和該四分之一波片的圓偏光板的情況下，聚合性液晶化合物的取向方向只要使得到的偏光膜的透射軸與該基材的慢軸(光軸)實質上成為45°即可。
通過向已取向的聚合性液晶化合物照射活性能量射線，從而使聚合性液晶化合物聚合。
通過使已取向的聚合性液晶化合物進行聚合，從而可得到包含以取向狀態進行了聚合的聚合性液晶化合物、和與該聚合性液晶化合物一同進行了取向的化合物(1)的偏光膜。
對於包含以保持近晶型液晶相的狀態進行了聚合的聚合性液晶化合物的偏光膜而言，與以往的賓主型偏光膜、即以保持向列型液晶相的狀態使聚合性液晶化合物等聚合而得到的偏光膜相比，其偏光性能更高，另外，與僅塗布了二向色性色素或溶致液晶型的液晶化合物而得到的偏光膜相比，其偏光性能及強度更優異。
作為活性能量射線的光源，只要是產生紫外線、電子射線、x射線等的光源即可。優選為低壓汞燈、中壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、化學燈、黑光燈、微波激發汞燈、金屬滷化物燈等在波長400nm以下具有發光分布的光源。
活性能量射線的照射能量優選以使得對聚合引發劑的活化有效的波長區域的照射強度成為10～5000mj/cm2的方式進行設定，更優選以成為100～2000mj/cm2的方式進行設定。照射能量低於10mj/cm2時，有聚合性液晶化合物的固化變得不充分的趨勢。
如上所述形成的本發明的偏光膜的厚度優選為0.5μm以上且10μm以下的範圍，進一步優選為1μm以上且5μm以下的範圍。本發明的偏光膜的厚度可利用幹涉膜厚計、雷射顯微鏡或觸針式膜厚計的測定而求出。
本發明的偏光膜特別優選為在x射線衍射測定中可得到布拉格峰的偏光膜。作為這樣的可得到布拉格峰的本發明的偏光膜，例如可舉出顯示出來自六角相或結晶相的衍射峰的偏光膜。
本發明的偏光膜的最大吸收(λmax1)優選存在於350～550nm的範圍內，更優選存在於410～540nm的範圍內，進一步優選存在於430～530nm的範圍內。另外，優選的是，與將本發明的偏光膜中含有的化合物(1)溶解於適用的溶劑中而測得的最大吸收(λmax2)相比，λmax1向長波長側位移。所述向長波長側位移是在化合物(1)分散於由已聚合的聚合性液晶化合物形成的分子鏈之間時所出現的位移，表示化合物(1)與該分子鏈強烈地相互作用。所謂向長波長側位移，是指最大吸收的差值(λmax1-λmax2)為正值，該差值優選為10nm以上，進一步優選為30nm以上。
本發明的偏光膜所顯示的二向色性比為30以上，優選為40以上，更優選為50以上。
在所使用的基材不是四分之一波片的情況下，可通過將得到的本發明的偏光膜與四分之一波片進行層疊而得到圓偏光板。此時，優選以使得本發明的偏光膜的透射軸與四分之一波片的慢軸(光軸)實質上成為45°的方式進行層疊。另外，通過使本發明的偏光膜的透射軸與四分之一波片等相位差膜的光軸一致或正交，從而也可得到作為光學補償膜而發揮功能的圓偏光板。
對於本發明的偏光膜與四分之一波片的層疊而言，可以連帶形成有本發明的偏光膜的基材、或形成有取向膜的基材一同進行，也可以在將基材、或者基材及取向膜除去後進行。在基材、或形成有取向膜的基材的表面上形成的本發明的偏光膜與四分之一波片的層疊例如可通過下述方式進行：使用粘接劑將形成有本發明的偏光膜的面與四分之一波片貼合，然後將該基材、或形成有取向膜的基材除去。在該情況下，粘接劑可被塗布於本發明的偏光膜，也可被塗布於四分之一波片。
本發明的偏光膜優選利用卷對卷的方式連續地製造。一邊參照圖1，一邊對利用卷對卷的方式連續地製造本發明的偏光膜的方法的一例的主要部分進行說明。
將基材卷繞於第一卷芯210a而成的第一卷210例如可容易地從市場上獲得。作為能夠以這樣的卷的形態從市場上獲得的基材，可舉出已例示的基材中的由纖維素酯、環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸酯形成的膜等。
接下來，從上述第一卷210將基材p開卷放出。關於將基材p開卷放出的方法，可通過將適當的旋轉機構設置於該第一卷210的卷芯210a並利用該旋轉機構使第一卷210旋轉來進行。另外，也可以為下述方式：在自第一卷210輸送基材p的方向上設置至少一個適當的輔助輥300並利用該輔助輥300的旋轉機構將基材p開卷放出。此外，還可以為下述方式：在第一卷芯210a及輔助輥300這兩者處設置旋轉機構，由此在向基材p賦予適度的張力的同時將基材p開卷放出。
自上述第一卷210開卷放出的基材p從塗布裝置211a通過時，利用該塗布裝置211a在基材p的表面上塗布光取向膜形成用組合物。作為用於如上所述連續地塗布光取向膜形成用組合物的塗布裝置211a的塗布方法，優選凹版塗布法、模塗法及柔版法。
從塗布裝置211a通過後的基材p被輸送至乾燥爐212a，利用乾燥爐212a對光取向膜形成用組合物進行乾燥，由此在基材表面連續地形成第一塗布膜。作為乾燥爐212a，例如可使用組合了通風乾燥法和加熱乾燥法的熱風式乾燥爐。乾燥爐212a的設定溫度根據上述光取向膜形成用組合物中含有的溶劑種類等進行確定。乾燥爐212a可以為包含設定溫度彼此不同的多個區域的結構，也可以為將設定溫度彼此不同的多個乾燥爐串聯設置而成的結構。
然後，利用偏振uv光照射裝置213a向得到的第一塗布膜照射偏振uv光，由此得到光取向膜。
接下來，使形成有光取向膜的基材p從塗布裝置211b通過。利用塗布裝置211b將含有溶劑的本發明的組合物塗布於光取向膜上後，使基材p從乾燥爐212b中通過，由此得到本發明的組合物含有的聚合性液晶化合物進行了取向的第二塗布膜。乾燥爐212b不僅擔負從塗布於光取向膜上的含有溶劑的本發明的組合物中除去溶劑的作用，而且還擔負提供熱量以使得該組合物中含有的聚合性液晶化合物進行取向的作用。與乾燥爐212a同樣地，乾燥爐212b可以為包含設定溫度彼此不同的多個區域的結構，也可以為將設定溫度彼此不同的多個乾燥爐串聯設置而成的結構。
在第二塗布膜中含有的聚合性液晶化合物已取向的狀態下，將基材p輸送至活性能量射線照射裝置213b。在活性能量射線照射裝置213b中，向第二塗布膜照射活性能量射線。通過利用活性能量射線照射裝置213b而照射活性能量射線，從而使得聚合性液晶化合物在已取向的狀態下進行聚合而得到偏光膜。
如上所述連續地製造的本發明的偏光膜被卷繞於第二卷芯220a上，以第二卷220的形態而得到。需要說明的是，在進行卷繞時，也可使用適當的間隔物進行共卷繞。
如上所述，基材p從第一卷210依次通過塗布裝置211a、乾燥爐212a、偏振uv光照射裝置213a、塗布裝置211b、乾燥爐212b、及活性能量射線照射裝置213b，由此可以利用卷對卷的方式連續地製造本發明的偏光膜。
另外，在圖1所示的製造裝置中示出了連續地製造本發明的偏光膜的方法的一例，但例如也可通過下述方式連續地製造本發明的偏光膜：使基材p從第一卷210依次通過塗布裝置211a、乾燥爐212a及偏振uv光照射裝置213a後，通過暫時卷繞於卷芯上從而製造由基材和光取向膜形成的卷狀層疊體，接著，將該卷狀層疊體開卷放出並使其依次通過塗布裝置211b、乾燥爐212b及活性能量射線照射裝置213b。
以第二卷220的形態製造本發明的偏光膜時，可從第二卷220將長尺寸的本發明的偏光膜開卷放出並裁切成規定的尺寸，然後將四分之一波片貼合於經裁切的偏光膜，由此製造圓偏光板。另外，也可準備將長尺寸的四分之一波片卷繞於卷芯而成的第三卷(未圖示)，由此連續地製造長尺寸的圓偏光板。
一邊參照圖2所示的製造裝置一邊對連續地製造長尺寸的圓偏光板的方法的一例進行說明。所述製造方法包括下述工序：
從卷繞於第二卷芯220a的第二卷220連續地將本發明的偏光膜q開卷放出，同時從在第三卷芯230a上卷繞長尺寸的四分之一波片而形成的第三卷230連續地將長尺寸的四分之一波片s開卷放出的工序；
將本發明的偏光膜q與長尺寸的四分之一波片s連續地貼合而得到長尺寸的圓偏光板qs的工序；和
將得到的長尺寸的圓偏光板qs卷繞於第四卷芯240a從而得到第四卷240的工序。
將偏光膜q及四分之一波片s開卷放出的方法可通過下述方式進行：在第二卷220的卷芯220a及第三卷230的卷芯230a上設置適當的旋轉機構，利用該旋轉機構使第二卷220及第三卷230旋轉。另外，也可以為下述方式：在輸送偏光膜q及四分之一波片s的方向上設置至少一個適當的輔助輥300，利用該輔助輥300的旋轉機構將偏光膜q及四分之一波片s開卷放出。此外，還可以為下述方式：在卷芯220a、卷芯230a與輔助輥300這兩者處設置旋轉機構，由此在向偏光膜q及四分之一波片s賦予適度的張力的同時將偏光膜q及四分之一波片s開卷放出。該方法為所謂的卷對卷貼合。需要說明的是，貼合中可使用粘接劑。
本發明的偏光膜、及具有本發明的偏光膜和四分之一波片的圓偏光板可用於各種顯示裝置中。
顯示裝置是具有顯示元件的裝置，是包含發光元件或發光裝置作為發光源的裝置。作為具有本發明的偏光膜的顯示裝置，例如可舉出：液晶顯示裝置、有機場致發光(el)顯示裝置、無機場致發光(el)顯示裝置、電子發射顯示裝置(例如場致發射顯示裝置(fed)、表面電場發射顯示裝置(sed))、電子紙(使用了電子油墨、電泳元件的顯示裝置)、等離子體顯示裝置、投射型顯示裝置(例如光柵光閥(glv)顯示裝置、具有數字微鏡器件(dmd)的顯示裝置)、及壓電陶瓷顯示器等。液晶顯示裝置包括透射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直視型液晶顯示裝置、及投射型液晶顯示裝置等中的任意顯示裝置。這些顯示裝置可以為顯示二維圖像的顯示裝置，也可以為顯示三維圖像的立體顯示裝置。
本發明的偏光膜可特別有效地用於液晶顯示裝置、有機場致發光(el)顯示裝置及無機場致發光(el)顯示裝置。上述有機el顯示裝置的結構中至少具備本發明的偏光膜及有機el元件。有機el元件可使用已知結構的元件。
具有本發明的偏光膜和四分之一波片的圓偏光板可特別有效地用於有機場致發光(el)顯示裝置及無機場致發光(el)顯示裝置。上述有機el顯示裝置的結構中至少具備本發明的圓偏光板及有機el元件。
在將本發明的偏光膜用於液晶顯示裝置的情況下，可在液晶盒的外部具備該偏光膜，也可在液晶盒的內部具備該偏光膜。液晶盒的結構中至少具備本發明的偏光膜、液晶層及基體。
以下，特別地，使用圖3對在透射型有源矩陣的彩色液晶顯示裝置中的液晶盒內部具備本發明的偏光膜時的該顯示裝置的第一構成進行說明。該顯示裝置30是依次層疊第一基體31、第一本發明的偏光膜32、濾色器層(濾色器)33、平坦化層34、ito電極層35、第一取向膜36、液晶層37、第二取向膜38、第二本發明的偏光膜39、包含薄膜電晶體電路及像素電極的tft層40、以及第二基體41而構成的。上述各層的層疊可利用已知的方法進行。
第一本發明的偏光膜32配置於第一基體31與液晶層37之間。
濾色器層33是配置於第一基體31與液晶層37之間、且從來自第一基體31側的入射光提取出期望波長的光的層，例如可以是通過從白色光中吸收除期望波長以外的波長的光從而僅使期望波長的光透過的層，也可以是通過對入射光的波長進行波長轉換從而發射出期望波長的光的層。
對於上述第一本發明的偏光膜32及第二本發明的偏光膜39而言，可各自在第一基體31側及第二基體41側包含取向膜。第一取向膜36及第二取向膜38可以為摩擦取向膜，也可以為光取向膜。另外，第一本發明的偏光膜32可包含相位差層。
接下來，以下使用圖4對上述顯示裝置的第二構成進行說明。該顯示裝置60是依次層疊第一基體61、第一本發明的偏光膜62、濾色器層(濾色器)63、平坦化層64、ito電極層65、第一取向膜66、液晶層67、第二取向膜68、包含薄膜電晶體電路及像素電極的tft層70、第二基體71以及第二偏光膜72而構成的。上述各層的層疊可利用已知的方法進行。
隔著第二基體71而位於與tft層70相反的一側的第二偏光膜72可以為本發明的偏光膜，也可以為利用碘將聚乙烯醇染色後進行拉伸而製作的偏光膜。
接下來，以下使用圖5對上述顯示裝置的第三構成進行說明。該顯示裝置80是依次層疊第一基體81、濾色器層(濾色器)82、第一本發明的偏光膜83、平坦化層84、ito電極層85、第一取向膜86、液晶層87、第二取向膜88、包含薄膜電晶體電路及像素電極的tft層90、第二基體91以及第二偏光膜92而構成的。上述各層的層疊可利用已知的方法進行。
在該第三構成中，第二偏光膜92可以為本發明的偏光膜，也可以為利用碘將聚乙烯醇染色後進行拉伸而製作的偏光膜。第二偏光膜92為本發明的偏光膜時，該第二偏光膜92也可以與上述第一構成時同樣地位於第二基體91與tft層90之間。
另外，在第三構成中，濾色器層82可隔著第一基體81而配置於與液晶層87相反的一側。
需要說明的是，濾色器層中包含的粒子可導致偏振光發生散射而引起退偏。因此，在上述第一～第三構成中，第一本發明的偏光膜位於比濾色器層更靠液晶層側的第三構成、即具備第三構成的顯示裝置是更優選的。
本發明並不限於上述各實施方式，可在權利要求所示的範圍內進行各種變更，將不同實施方式中分別公開的技術手段進行適宜組合而得到的實施方式也包括在本發明的技術範圍內。進而，通過將各實施方式中分別公開的技術手段進行組合，從而可形成新的技術特徵。
實施例
以下，利用實施例對本發明進一步詳細說明，但本發明不應受到這些實施例的限制。只要沒有特別說明，則實施例中記載的「％」及「份」為「質量％」及「質量份」。
[製造例1]
[化學式16]
將式(2a)表示的化合物0.50g、乙酸5.0g、水0.50g及35％鹽酸0.65g混合。將得到的混合物冷卻至0℃，然後滴入33％亞硝酸鈉水溶液0.45g。將得到的混合物攪拌30分鐘，然後加入氨基磺酸0.02g。將得到的混合物於0℃滴入至由式(3a)表示的化合物0.48g和甲醇4.8g組成的混合物中。過濾析出物，用水清洗3次。
利用矽膠柱色譜(洗脫液：氯仿)對得到的固體進行純化。用乙腈將濃縮後得到的固體進行清洗，然後使其乾燥，由此得到作為橙色固體的式(1-2)表示的化合物(以下稱為化合物(1-2))0.40g。
收率：(以式(2a)表示的化合物為基準)：48％。
m/z＝428(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝422nm(氯仿溶液)
化合物(1a)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)0.95(t、3h)、1.35(m、2h)、1.65(m、2h)、2.70(t、2h)、3.46(t、4h)、3.90(t、4h)、6.98(d、2h)、7.34(d、2h)、7.85-8.15(c、8h)。
[製造例2]
[化學式17]
使用式(2b)表示的化合物代替式(2a)表示的化合物，除此以外，利用與製造例1相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-1)表示的化合物(以下稱為化合物(1-1))0.25g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：30％。
m/z＝440(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝438nm(氯仿溶液)
化合物(1b)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)3.35(t、4h)、3.89(t、4h)、6.97(d、2h)、7.80(d、2h)、7.90-8.20(c、8h)。
[製造例3]
[化學式18]
將式(2b)表示的化合物5.0g、乙酸50g、水5.0g及35％鹽酸6.50g混合。將得到的混合物冷卻至0℃，然後滴入33％亞硝酸鈉水溶液4.5g。將得到的混合物攪拌30分鐘，然後加入氨基磺酸0.03g。將得到的混合物於0℃滴入至由式(3b)表示的化合物4.5g、乙酸鈉6.5g和水68g組成的混合物中。過濾析出物，用水清洗3次。
向得到的析出物中加入氫氧化鈉7.0g和水80g。將得到的混合物於85℃攪拌2小時，然後冷卻至10℃。過濾析出物，用水進行清洗。對得到的固體進行乾燥，由此得到橙色固體5.78g。
將得到的橙色固體中的0.50g、n,n-二異丙基乙基胺0.88g和n,n-二甲基乙醯胺5.0g混合，滴入1-碘丁烷1.2g。將得到的混合物於90℃攪拌3小時。將得到的反應混合物滴入至甲醇中並過濾析出物。利用矽膠柱色譜(洗脫液：氯仿)對得到的固體進行純化。用甲醇清洗得到的固體，然後使其乾燥，由此得到作為橙色固體的式(1-61)表示的化合物(以下稱為化合物(1-61))0.10g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：17％。
m/z＝426(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝460nm(氯仿溶液)。
[製造例4]
[化學式19]
使用式(3c)表示的化合物代替式(3a)表示的化合物，除此以外，利用與製造例2相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-46)表示的化合物(以下稱為化合物(1-46))0.38g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：48％。
m/z＝428(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝480nm(氯仿溶液)
化合物(1d)的1h-nmr(thf-d8)：δ(ppm)3.57(s、3h)、4.02(t、2h)、4.14(m、2h)、4.32(t、1h)、7.26(d、2h)、8.25-8.50(c、10h)。
[製造例5]
[化學式20]
使用式(3d)表示的化合物代替式(3c)表示的化合物，除此以外，利用與製造例4相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-31)表示的化合物(以下稱為化合物(1-31))0.44g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：51％。
m/z＝458(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝472nm(氯仿溶液)
化合物(1e)的1h-nmr(thf-d8)：δ(ppm)3.57(t、4h)、3.69(m、4h)、4.08(t、2h)、6.78(d、2h)、7.78(m、4h)、7.91(m、2h)、7.98(m、4h)。
[製造例6]
[化學式21]
使用碘乙烷代替1-碘丁烷，除此以外，利用與製造例3相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-23)表示的化合物(以下稱為化合物(1-23))0.088g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：16％。
最大吸收波長(λmax2)＝472nm(氯仿溶液)
化合物(1f)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)1.32(t、3h)、3.29(m、2h)、6.66(d、2h)、7.80(d、2h)、7.89(m、2h)、7.95-8.15(c、6h)。
[製造例7]
[化學式22]
使用式(2c)表示的化合物代替式(2a)表示的化合物，除此以外，利用與製造例2相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-5)表示的化合物(以下稱為化合物(1-5))0.33g。
收率：(以式(2c)表示的化合物為基準)：51％。
m/z＝456(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝432nm(氯仿溶液)
化合物(1b)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)3.35(t、4h)、3.89(t、4h)、6.98(d、2h)、7.33(d、2h)、7.80-8.20(c、8h)。
[製造例8]
[化學式23]
使用1-碘丙烷代替1-碘丁烷，除此以外，利用與製造例3相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-62)表示的化合物(以下稱為化合物(1-62))0.21g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：37％。
m/z＝412(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝460nm(氯仿溶液)
化合物(1h)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)1.04(t、3h)、1.72(m、2h)、3.21(t、2h)、6.66(d、2h)、7.78(d、2h)、7.85-8.20(c、8h)。
[製造例9]
[化學式24]
使用碘甲烷代替1-碘丁烷，除此以外，利用與製造例3相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-63)表示的化合物(以下稱為化合物(1-63))0.075g。
收率：(以式(2b)表示的化合物為基準)：14％。
m/z＝384(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝452nm(氯仿溶液)。
[製造例10]
[化學式25]
使用式(2c)表示的化合物代替式(2b)表示的化合物，除此以外，利用與製造例6相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-20)表示的化合物(以下稱為化合物(1-20))0.115g。
收率：(以式(2c)表示的化合物為基準)：21％。
m/z＝414(ei-ms)
最大吸收波長(λmax2)＝452nm(氯仿溶液)
化合物(1j)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)1.32(t、3h)、3.28(m、2h)、4.17(t、1h)、6.66(d、2h)、7.36(d、2h)、7.85-8.10(c、8h)。
[製造例11]
[化學式26]
使用式(2a)表示的化合物代替式(2b)表示的化合物，除此以外，利用與製造例6相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-17)表示的化合物(以下稱為化合物(1-17))0.038g。
收率：(以式(2a)表示的化合物為基準)：7％。
最大吸收波長(λmax2)＝440nm(氯仿溶液)
化合物(1k)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)0.95(t、3h)、1.25(t、3h)、1.40(m、2h)、1.62(m、2h)、2.70(t、2h)、3.29(m、2h)、4.15(t、1h)、6.67(d、2h)、7.33(d、2h)、7.80-8.15(c、8h)。
[製造例12]
[化學式27]
使用式(2d)表示的化合物代替式(2b)表示的化合物，除此以外，利用與製造例3相同的步驟得到作為橙色固體的式(1-64)表示的化合物(以下稱為化合物(1-64))0.065g。
收率：(以式(2d)表示的化合物為基準)：13％。
最大吸收波長(λmax2)＝468nm(氯仿溶液)
化合物(1l)的1h-nmr(cdcl3)：δ(ppm)0.99(t、3h)、1.45(m、2h)、1.66(m、2h)、2.67(s、3h)、3.23(m、2h)、4.23(t、1h)、6.65(d、2h)、7.86(d、2h)、7.95-8.20(c、8h)。
[聚合性液晶化合物]
使用下述式(4-6)表示的化合物[以下稱為化合物(4-6)]、下述式(4-8)表示的化合物[以下稱為化合物(4-8)]、下述式(4-22)表示的化合物[以下稱為化合物(4-22)]及下述式(4-25)表示的化合物[以下稱為化合物(4-25)]。
需要說明的是，化合物(4-6)是利用lub等,recl.trav.chim.pays-bas,115,321-328(1996)中記載的方法而合成的。另外，按照該方法製造化合物(4-8)。
化合物(4-22)及化合物(4-25)按照日本專利第4719156號中記載的方法進行製造。
[化學式28]
[相轉變溫度的測定]
通過求出由各聚合性液晶化合物形成的膜的相轉變溫度，從而對上述各聚合性液晶化合物的相轉變溫度進行測定。其操作如下所述。
化合物(4-6)的相轉變溫度通過求出由化合物(4-6)形成的膜的相轉變溫度來進行確認。其操作如下所述。
在形成有取向膜的玻璃基板上形成由化合物(4-6)形成的膜，一邊加熱一邊利用偏光顯微鏡(bx-51，olympus株式會社制)進行織構觀察，由此確認相轉變溫度。化合物(4-6)在升溫至120℃後進行降溫時，於112℃相變為向列相，於110℃相變為近晶a相，於94℃相變為近晶b相。
按照與化合物(4-6)的相轉變溫度測定同樣的操作，確認化合物(4-8)的相轉變溫度。化合物(4-8)在升溫至140℃後進行降溫時，於131℃相變為向列相，於80℃相變為近晶a相，於68℃相變為近晶b相。
按照與化合物(4-6)的相轉變溫度測定同樣的操作，確認化合物(4-22)的相轉變溫度。化合物(4-22)在升溫至140℃後進行降溫時，於106℃相變為向列相，於103℃相變為近晶a相，於86℃相變為近晶b相。
按照與化合物(4-6)的相轉變溫度測定同樣的操作，確認化合物(4-25)的相轉變溫度。化合物(4-25)在升溫至140℃後進行降溫時，於119℃相變為向列相，於100℃相變為近晶a相，於77℃相變為近晶b相。
[實施例1]
[組合物的製備]
混合下述成分，於80℃攪拌1小時，由此得到組合物(1)。
化合物(1)：化合物(1-2)2.5份
聚合性液晶化合物：化合物(4-6)75份
化合物(4-8)25份
聚合引發劑：2-二甲基氨基-2-苄基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮(irgacure369；cibaspecialtychemicals株式會社制)6份
流平劑：聚丙烯酸酯化合物(byk-361n；byk-chemie社制)1.5份
溶劑：氯仿250份
[相轉變溫度的測定]
與化合物(4-6)同樣地求出組合物(1)中含有的成分的相轉變溫度。所述成分在升溫至140℃後進行降溫時，於115℃相變為向列相，於105℃相變為近晶a相，於75℃相變為近晶b相。
[偏光膜的製造及其評價]
1.取向膜的形成
利用旋塗法在玻璃基板上塗布2質量％聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型，和光純藥工業株式會社制)的水溶液並進行乾燥後，形成了厚度為100nm的膜。接下來，對得到的膜的表面實施摩擦處理，由此形成取向膜。摩擦處理是使用半自動摩擦裝置(商品名：lq-008型，常陽工學株式會社制)、利用布(商品名：ya-20-rw，吉川化工株式會社制)、在壓入量為0.15mm、轉速為500rpm、16.7mm/s的條件下進行的。通過所述摩擦處理，從而得到在玻璃基板上形成有取向膜的層疊體1。
2.偏光膜的形成
利用旋塗法在層疊體1的取向膜上塗布組合物(1)，在120oc的加熱板上加熱乾燥1分鐘後，快速冷卻至室溫，從而在上述取向膜上形成包含已取向的聚合性液晶化合物的乾燥被膜。接著，使用uv照射裝置(spotcuresp-7；ushio電機株式會社制)，以2000mj/cm2的曝光量(以365nm為基準)向乾燥被膜照射紫外線，由此在將該乾燥被膜中含有的聚合性液晶化合物保持取向狀態的情況下進行聚合，由該乾燥被膜形成偏光膜(1)，從而得到層疊體2。利用雷射顯微鏡(olympus株式會社制ols3000)測定此時的偏光膜的厚度，結果為1.7μm。
3.x射線衍射測定
利用x射線衍射裝置x』pertprompd(spectris株式會社制)對偏光膜(1)進行x射線衍射測定。經由固定發散狹縫1/2°從摩擦方向(預先求出位於偏光膜下的取向膜的摩擦方向)入射x射線(所述x射線是使用銅作為靶在x射線管電流為40ma、x射線管電壓為45kv的條件下產生的)，在掃描範圍2θ＝4.0～40.0°的範圍內以2θ＝0.01671°的步距(step)進行掃描而進行測定，結果在2θ＝20.1°附近得到半峰寬(fwhm)＝約0.31°的尖銳的衍射峰(布拉格峰)。另外，即使從相對於摩擦方向垂直的方向入射x射線，也得到了同等程度的結果。由峰位置求出的有序周期(d)為約可知形成了反映高階近晶相的結構。
4.二向色性比的測定
使用在分光光度計(島津製作所株式會社制uv-3150)上設置有具備層疊體2的摺疊器(folder)的裝置，利用雙光束法，對最大吸收波長處的透射軸方向的吸光度(a1)及吸收軸方向的吸光度(a2)進行測定。該摺疊器在參比側設置有將光量阻截50％的篩網。由測得的透射軸方向的吸光度(a1)及吸收軸方向的吸光度(a2)的值算出兩者之比(a2/a1)，將其作為二向色性比。最大吸收波長(λmax1)為464nm，該波長下的二向色性比顯示出高數值，為42。可以認為，二向色性比越高，則作為偏光膜越是有用的。化合物(1-2)的最大吸收波長(λmax2)為422nm，因此確認已向長波長側位移。該向長波長側位移的結果表明：在本發明的偏光膜中，當化合物(1-2)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-2)與該分子鏈強烈地相互作用。
另外，在所形成的偏光膜(1)表面配置保護膜(40μmtac(konicaminolta株式會社制「kc4uy」))，以下述條件從其上方照射光，由此評價耐光性。偏光膜(1)的最大吸收波長464nm處的、耐光性試驗後的偏光膜(1)的吸光度為試驗前的94％。另一方面，使用日本特開2013-101328號公報中記載的式(1-10)表示的二向色性色素，利用與上述方法同樣的方法形成了偏光膜並進行了耐光性試驗，結果，該偏光膜的最大吸收波長548nm處的、耐光性試驗後的該偏光膜的吸光度為試驗前的47％。即，可知本發明的包含化合物的組合物的耐光性優異。
耐光性試驗中的光照射條件如下所示。
使用的設備：atlas公司制suntestxls+
使用的光源：氙弧燈
曝光條件：250mw/m2
試驗時間：120小時
曝光量：108000kj/m2
溫度：60℃。
[實施例2]
使用化合物(1-1)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為483nm，二向色性比顯示出高數值，為51。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為438nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，當化合物(1-1)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-1)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例3]
使用化合物(1-61)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為502nm，二向色性比顯示出高數值，為39。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為460nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-61)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-61)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例4]
使用化合物(1-46)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為538nm，二向色性比顯示出高數值，為36。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為497nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-46)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-46)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例5]
使用化合物(1-31)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為528nm，二向色性比顯示出高數值，為32。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為496nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-31)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-31)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例6]
使用化合物(1-23)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為511nm，二向色性比顯示出高數值，為57。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為456nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-23)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-23)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例7]
使用化合物(1-5)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為478nm，二向色性比顯示出高數值，為48。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為432nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-5)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-5)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例8]
使用化合物(1-62)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為505nm，二向色性比顯示出高數值，為35。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為460nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-62)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-62)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例9]
使用化合物(1-63)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為512nm，二向色性比顯示出高數值，為41。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為452nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-63)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-63)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例10]
使用化合物(1-20)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為506nm，二向色性比顯示出高數值，為57。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為452nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-20)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-20)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例11]
使用化合物(1-17)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為493nm，二向色性比顯示出高數值，為43。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為440nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-17)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-17)與該分子鏈強烈地相互作用。
[實施例12]
使用化合物(1-64)來代替化合物(1-2)，除此之外，按照與實施例1同樣的操作，製作本偏光膜。同樣地測定最大吸收波長及二向色性比，結果最大吸收波長(λmax1)為504nm，二向色性比顯示出高數值，為48。另外，如實施例2所記載的，最大吸收波長(λmax2)為454nm，因此確認已向長波長側位移。該結果表明：在本偏光膜中，化合物(1-64)分散於聚合性液晶化合物進行聚合而形成的緻密分子鏈之間時，該化合物(1-64)與該分子鏈強烈地相互作用。
產業上的可利用性
本發明的組合物是包含在波長350nm～510nm的範圍內具有最大吸收的、作為二向色性色素而發揮功能的化合物的組合物，由該組合物可形成二向色性比高的偏光膜。本發明的組合物可廣泛用於偏光膜、以及具備偏光膜的液晶顯示裝置、液晶盒、圓偏光板、及有機el顯示裝置的製造領域中。
附圖標記說明
210第一卷
210a卷芯
211a、211b塗布裝置
212a、212b乾燥爐
213a偏振uv光照射裝置
213b活性能量射線照射裝置
220第二卷
220a卷芯
230第三卷
230a卷芯
240第四卷
240a卷芯
300輔助輥