高頻層疊元器件及層疊型高頻濾波器的製作方法

2023-10-29 08:13:12

專利名稱：高頻層疊元器件及層疊型高頻濾波器的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種在多個絕緣體層中以規定圖案形成電極來實現期望的電路功能的高頻層疊元器件及利用該高頻層疊元器件的結構的層疊型高頻濾波器。
背景技術：
一直以來，將各種高頻層疊元器件利用於可攜式電話等無線設備。高頻層疊元器件，例如專利文獻1所示，由層疊有多個絕緣體層的結構構成。在高頻層疊元器件中，對多個絕緣體層形成規定電極圖案，藉此形成電感器或電容器。此外，利用另一電極圖案將由這些電極圖案構成的電感器或電容器相連接，藉此實現例如帶通濾波器等的電路功能。由於這種高頻層疊元器件安裝於另一電路基板來使用，因此具有安裝用的端子電極。一般而言，端子電極形成在高頻層疊元器件的端面(側面)或底面。因而，需要設置將構成上述電感器或電容器等的電路功能部的電極圖案與端子電極加以連接的走線用電極。例如，在專利文獻1，為了將規定層的電極圖案連接於底面的接地電極，在層疊體的端面 (側面)形成有將它們相連接的電極。然而，在例如專利文獻1記載的層疊結構中，構成電路功能部的電極與接地電極的走線電極變長，寄生電感器Lg的影響變大。若存在寄生電感器Lg，則在高頻帶的衰減特性劣化。因此，即使構成例如帶通濾波器等的濾波器，也無法獲得期望的通過特性。作為解決這種寄生電感器Lg的問題的方法，有圖1所示的接地阻抗調整電路。圖 1是表示包含接地阻抗調整電路的高頻層疊元器件的等效電路。如圖1所示，高頻層疊元器件具備第1、第2輸入輸出埠 Piol、Pio2、電路功能部、寄生電感器Lg，且具備將三個電容器C1、C2、C12連接成π型的接地阻抗調整電路。通過具備這種接地阻抗調整電路，可在期望的頻帶形成衰減極，因此可防止寄生電感器Lg造成的在高頻帶的衰減特性劣化。又，同樣地，作為由層疊有多個絕緣體層的高頻層疊元器件構成的層疊型高頻濾波器，有例如專利文獻2記載的結構。在專利文獻2記載的層疊型高頻濾波器中，對多個絕緣體層形成規定電極圖案， 藉此形成電感器或電容器。根據由這些電極圖案構成的電感器或電容器形成多個LC諧振器。在多個LC諧振器中，兩端的LC諧振器分別連接於輸入輸出端子，相鄰的LC諧振器的電感器彼此電磁場耦合，從而形成具備由多級構成的LC諧振器的濾波器電路。在這種濾波器電路中，通過具備跳越過多級LC諧振器、用以將兩端的輸入輸出端子電容耦合的跳躍耦合用電容器，可獲得期望的特性。此外，構成跳躍耦合用電容器的電極，如專利文獻2的圖42的160所示的電極或圖45的260所示的電極那樣，以將形成作為輸入輸出端子的輸入輸出用電極的層疊體的兩端部相連結的方向較長延伸的形狀形成。現有技術文獻
專利文獻專利文獻1 日本專利特開平8-46401號公報專利文獻2 :W02007-119356號公報

發明內容
發明所要解決的技術問題然而，將上述接地阻抗調整電路形成於層疊基板的情況下，產生如下所示的問題。 圖2是表示現有接地阻抗調整電路的層疊體IOP的圖。圖3是表示圖2的結構的接地阻抗調整電路的通過特性的圖。圖4(A)是具備3級LC諧振器的帶通濾波器的等效電路圖，圖 4(B)是使用現有結構的接地阻抗調整電路來構成圖4(A)所示的帶通濾波器的情況下的通過特性圖。如圖2所示，接地阻抗調整電路的層疊體IOP是層疊有5層絕緣體層901P 905P 的結構。在最下層(第1層)的絕緣體層901P中，形成有輸入輸出用電極201、202及接地電極110。接地電極110形成於絕緣體層901P的底面，出入用電極201、202以從絕緣體層 901P的相對兩端面朝向底面的方式分別形成。此外，輸入輸出用電極201、202形成在最上層(第5層)的絕緣體層905P以外的各層的端面。在第2層的絕緣體層902P中，形成有內層接地電極120。內層接地電極120利用導電性通孔與接地電極110相連接。在第3層的絕緣體層903P中，形成有電容器用電極131、132，且形成有將電容器用電極131與未圖示的輸入輸出用電極201加以連接的走線電極、及將電容器用電極132與輸入輸出用電極202加以連接的走線電極。在第4層的絕緣體層904P中，形成有電容器用電極140。通過上述結構，電容器用電極131與內層接地電極120的相的區域成為圖1的電容器Cl。電容器用電極132與內層接地電極120的相對區域成為圖1的電容器C2。電容器用電極140與電容器用電極131、132的相對區域成為圖1的電容器C12。此外，將具備該接地阻抗調整電路的元件安裝於印刷基板等時，印刷基板接地電位與接地阻抗調整電路的接地電位的電位差成為寄生電感器Lg。因此，在上述結構中，成為在寄生電感器Lg中包含通孔形成的電感器的結構。在上述結構中，如圖3所示，構成接地阻抗調整電路的電容器在高頻帶中，尤其會產生因電容器Cl、C2的自諧振點，且因利用電容器C12耦合而使應該已改善的通過特性局部劣化。例如，在電容器Cl中，由電容器用電極131的殘留電感與構成在電容器用電極131 與接地電極120之間的電容產生自諧振。因此，即使使用這種接地阻抗調整電路構成圖4(A)所示的帶通濾波器，也會如圖 4 (B)所示那樣在衰減帶產生諧振點，無法獲得良好頻率特性。又，如專利文獻2所示，形成各LC諧振器的電感器的電極沿著連結上述兩端部的方向以規定間隔配置。因而，構成跳躍耦合用電容器的電極若為上述形狀，則配置成從層疊方向觀察時橫越多個電感器用的電極。在這種結構中，構成跳躍耦合用電容器的電極對電感器間的耦合造成大的影響， 增加插入損耗。因此，作為濾波器的特性(通過特性或衰減特性)劣化。
鑑於上述各種課題，本發明的目的在於，通過抑制諧振點的產生或抑制插入損耗的增加原因，來實現具有優異特性的高頻層疊元器件及層疊型高頻濾波器。用於解決技術問題的技術方案本發明涉及高頻層疊元器件，其具有一對輸入輸出端子；連接於該一對輸入輸出端子間的實現規定功能的電路功能部；以及接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。該高頻層疊元器件利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，至少形成接地阻抗調整電路。該高頻層疊元器件進一步至少具備分別形成在層疊體的不同絕緣體層的內層接地電極。形成並聯電容器的電極配置在內層接地電極之間。在該結構中，通過使並聯電容器挾持於二個內層接地電極間，可抑制該並聯電容器的自諧振。藉此，可抑制圖4(B)所示的諧振點。又，本發明的高頻層疊元器件中，利用內層接地電極形成第1並聯電容器及第2並聯電容器的一相對電極，該第1並聯電容器及第2並聯電容器分別以彼此相對的相對電極構成。第1並聯電容器及第2並聯電容器的另一相對電極配置在二個內層接地電極之間。在該結構中，第1並聯電容器及第2並聯電容器的一相對電極成為直接接地電極， 且這些電容器也挾持於內層接地電極間。藉此，可進一步提高頻率特性。又，本發明的高頻層疊元器件中，第1並聯電容器及第2並聯電容器的另一相對電極兼用以彼此相對的相對電極構成的串聯電容器的一相對電極。在該結構中，可省略串聯電容器與第1並聯電容器及第2並聯電容器的走線電極。 藉此，可進一步使頻率特性優異且更小型化。又，本發明的高頻層疊元器件中，電路功能部是具有規定頻率通過特性的濾波器。 在該結構中，示出電路功能部的具體例，如上所述那樣通過將電路功能部作為濾波器，本申請的結構能更有效地發揮作用。又，本發明的高頻層疊元器件中，電路功能部由形成在多個層疊體的電極圖案構成。在該結構中，示出電路功能部的具體形狀。這樣，通過使電路功能部形成在層疊體內， 能僅以單一層疊體實現高頻層疊元器件。又，本發明的高頻層疊元器件中，在電路功能部包含電容器，該電容器兼用作構成接地阻抗調整電路的串聯電容器、第1並聯電容器及第2並聯電容器的至少一個電容器。在該結構中，示出在電路功能部包含電容器的情形的具體形狀。這樣，通過使電路功能部與接地阻抗調整電路至少一部分兼用，可小型化。又，本發明的高頻層疊元器件中，電路功能部由安裝於層疊體的安裝元器件構成。 在層疊體中，形成有將安裝元器件進行安裝的安裝用連接盤。在該結構中，示出電路功能部的具體形狀。這樣，通過將電路功能部作為安裝元器件，可根據需要輕易變更構成電路功能部的各電路元件，變更後也可實現優異的頻率特性。又，本發明涉及高頻層疊元器件，其具有一對輸入輸出端子；以及接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於該一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。該高頻層疊元器件利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，形成接地阻抗調整電路。
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該高頻層疊元器件進一步至少具備分別形成在層疊體的不同中間層的二個內層接地電極。形成串聯電容器的電極配置在二個內層接地電極之間。在該結構中，作為高頻層疊元器件，示出僅由接地阻抗調整電路構成的情形。通過使用這種結構的高頻層疊元器件，能使連接於該元器件的其他電路功能部的頻率特性得到提尚。又，本發明的高頻層疊元器件中，利用內層接地電極形成第1並聯電容器及第2並聯電容器的一相對電極。第1並聯電容器及第2並聯電容器的另一相對電極配置在二個內層接地電極之間。在該結構中，在僅由接地阻抗調整電路構成的高頻層疊元器件中，第1並聯電容器及第2並聯電容器的一相對電極成為直接接地電極，且這些電容器也挾持於內層接地電極間。藉此，可進一步提高頻率特性。又，本發明的高頻層疊元器件中，第1並聯電容器及第2並聯電容器的另一相對電極兼用串聯電容器的一相對電極。在該結構中，在僅由接地阻抗調整電路構成的高頻層疊元器件中，可省略串聯電容器與第1並聯電容器及第2並聯電容器的走線電極。藉此，可進一步使頻率特性優異且更小型化。又，本發明涉及層疊型高頻濾波器。層疊型高頻濾波器，具備一對輸入輸出端子； 多級LC諧振器，該多級LC諧振器高頻連接於該一對輸入輸出端子間；以及跳躍耦合用電容器，該跳躍耦合用電容器直接連接於一對輸入輸出端子間。層疊型高頻濾波器利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，形成構成LC諧振器的電感器及電容器、與跳躍耦合用電容器。此外，本發明的層疊型高頻濾波器中，在構成電感器的電極圖案與構成跳躍耦合用電容器的電極圖案之間，配置有內層接地電極。在該結構中，構成跳躍耦合用電容器的電極圖案不會對多個LC諧振器的電感器間的耦合造成影響。藉此，可在電感器間獲得期望的耦合，可抑制插入損耗增加。又，本發明的層疊型高頻濾波器具備分別連接於一對輸入輸出端子與地之間的輸入輸出用電容器。層疊型高頻濾波器利用層疊體的電極圖案形成輸入輸出用電容器，至少跳躍耦合用電容器利用形成在不同絕緣體層的內層接地電極挾持配置。在該結構中，以輸入輸出用電容器與跳躍耦合用電容器構成π型電路。通過構成這種η型電路，能使衰減特性得到提高。尤其是，通過將η型的並聯電容器挾持於內層接地電極間，可抑制並聯電容器的自諧振。藉此，能使衰減特性得到進一步提高。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，形成輸入輸出用電容器的電極圖案也利用形成在不同絕緣體層的內層接地電極挾持配置。在該結構中，通過將所有電容器挾持於內層接地電極間，能使衰減特性進一步得到提高。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，在LC諧振器的電感器的電極圖案的兩端，形成用於連接於LC諧振器的電容器及地的通孔，電感器由該電感器的電極圖案與二個通孔構成。在該結構中，電感器由電極圖案與連接於該電極圖案的二個通孔構成。由此，電感器的電極環狀延伸，能使電感器間的耦合變強。而且，通過將電感器的電極形成為環狀，可提高電感器的Q值，改善濾波器的插入損耗。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，連接於各電感器的電極圖案的通孔形成在從側面觀察層疊體時大致重迭的位置。在該結構中，能使構成相鄰電感器的通孔的間隔接近。藉此，能使電感器間的耦合變強。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，構成電感器的電極圖案設在多個絕緣體層上。 設在多個絕緣體層上的各電極圖案並聯連接於二個通孔。在該結構中，通過使電極圖案存在多個，能進一步使電感器間的耦合變強。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，連接有電感器的電極圖案的地是形成在與層疊體的底面不同的規定絕緣體層的內層接地電極。在該結構中，由於電感器未連接於直接外部連接用的接地電極，因此可減少起因於該接地電極的渦電流損耗。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，連接有電感器的電極圖案的內層接地電極是配置在構成電感器的電極圖案與構成跳躍耦合用電容器的電極圖案之間的內層接地電極。在該結構中，連接有電感器的地兼用作區分上述電感器與跳躍耦合用電容器的內層接地電極，因此可減少層疊體的結構要素。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，構成多個LC諧振器的電感器的內的任意相鄰的電感器的電極圖案的、與電容器連接的通孔的連接位置位於不同的端部。在該結構中，能以相鄰的電感器使電流的流動方向相反。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，構成多個LC諧振器的電感器的內的任意相鄰的電感器的電極圖案形成在同一絕緣體層。在該結構中，相鄰的電感器的電極圖案接近，能使電感器間的耦合變強。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，用於連接於外部地的外部接地電極與形成一對輸入輸出端子的外部輸入輸出端子排列形成在層疊體的底面。在該結構中，由於用於將層疊型高頻濾波器安裝於外部的電路基板的電極位於層疊體的底面，因此能使安裝面積變小。又，本發明的層疊型高頻濾波器中，具備接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。串聯電容器兼用作構成跳躍耦合用電容器的電極圖案。在該結構中，由於接地阻抗調整電路的串聯電容器與跳躍耦合用電容器兼用，因此能將層疊型高頻濾波器形成為更小型。發明效果根據本發明，即使使用由電容器的π型電路構成的接地阻抗調整電路，也可抑制諧振點的產生。又，根據本發明，可抑制層疊體內的電極圖案間的不必要的耦合，可抑制插入損耗的增加原因。藉此，可實現特性優異的高頻層疊元器件及層疊型高頻濾波器。


圖1表示包含接地阻抗調整電路的高頻層疊元器件的等效電路。
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圖2是表示現有接地阻抗調整電路的層疊結構的圖。圖3是表示圖2的結構的接地阻抗調整電路的通過特性的圖。圖4是具備3級LC諧振器的帶通濾波器的等效電路圖、及使用現有結構的接地阻抗調整電路構成帶通濾波器的情況下的通過特性圖。圖5是表示第1實施方式的高頻層疊元器件的外觀立體圖及表示層疊結構的圖。圖6是具備由第1實施方式的結構構成的3級LC諧振器的帶通濾波器的通過特性圖。圖7是第1實施方式的高頻層疊元器件即層疊型高頻濾波器的通過特性圖及現有結構的通過特性圖。圖8是表示第2實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖9是表示第3實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖10是第3實施方式的高頻層疊元器件即層疊型高頻濾波器的等效電路圖。圖11是表示第4實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖12是表示與電感器的層數對應的插入損耗的變化的表，是將通帶的通過特性放大的圖。圖13是表示第5實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖14是由層疊體IOE構成的高頻層疊元器件的等效電路圖。圖15是由層疊體IOE構成的低通濾波器的通過特性圖。圖16是表示第6實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖17是表示第7實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖18是由層疊體IOG構成的高頻層疊元器件的等效電路圖。圖19是由層疊體IOG構成的帶通濾波器的通過特性圖。圖20是表示第8實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖21是由層疊體IOG構成的帶通濾波器的通過特性圖。圖22是表示第9實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖23是表示第9實施方式的高頻層疊元器件的另一層疊結構(層疊體101』 )的圖。圖M是表示第10實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。圖25是表示第10實施方式的高頻層疊元器件的另一層疊結構的圖。
具體實施例方式針對本發明第1實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。在本實施方式中，作為高頻層疊元器件以帶通濾波器(band pass filter =BPF)為例進行說明。圖 5(A)是本實施方式的高頻層疊元器件的外觀立體圖，圖5(B)是本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。此外，圖5所示的高頻層疊元器件IOA是具備3級LC並聯電路的帶通濾波器，等效電路與上述圖4(A)相同。高頻層疊元器件由層疊有10層絕緣體層901 910的層疊體IOA構成。構成層疊體IOA的各絕緣體層901 910由規定厚度(微米級)的平板構成。在層疊體IOA的一端面，形成有輸入輸出用電極201，在相對的另一端面，形成有輸入輸出用電極202。又，以下，將形成有輸入輸出用電極201、202的側面稱為「端面」，將與其正交的側面稱為「側面」。在最下層(第1層)的絕緣體層901中，形成有輸入輸出用電極201、202及接地電極110。接地電極110形成在絕緣體層901的底面，輸入輸出用電極201、202從絕緣體層 901的相對二端面朝向底面分別形成。此外，圖5中，輸入輸出用電極201、202形成在最上層(第10層)絕緣體層910以外的各層的端面。在最上層絕緣體層910中，也可形成輸入輸出用電極201、202。在第2層絕緣體層902中，形成有內層接地電極120。內層接地電極120遍布絕緣體層902的大致整個面形成。在第3層絕緣體層903中，形成有具有規定面積的電容器用電極131、132。在第3 層絕緣體層903中，形成有將電容器用電極131與一端面的未圖示的輸入輸出用電極201 加以連接的走線電極。在第3層絕緣體層903中，形成有將電容器用電極132與另一端面的輸入輸出用電極202加以連接的走線電極。在第4層絕緣體層904中，形成有電容器用電極140。電容器用電極140以與第3 層絕緣體層903的電容器用電極131、132 —部分相對的方式形成。在第5層絕緣體層905中，與第3層絕緣體層903的電容器用電極131、132同樣地，形成有電容器用電極151、152。電容器用電極151形成為沿著層疊方向觀察時與電容器用電極131相對。電容器用電極152形成為沿著層疊方向觀察時與電容器用電極132相對。在第5層絕緣體層905中，形成有將電容器用電極151與一端面的未圖示的輸入輸出用電極201加以連接的走線電極。在第5層絕緣體層905中，形成有將電容器用電極152 與另一端面的輸入輸出用電極202加以連接的走線電極。在第6層絕緣體層906中，形成有內層接地電極160。內層接地電極160遍布絕緣體層906的大致整個面形成。在第7層絕緣體層907中，形成有具有規定面積的電容器用電極171、172、173。在第8層絕緣體層908中，形成有輸入輸出用的走線電極181、182。走線電極181 連接於一端面的未圖示的輸入輸出用電極201。走線電極182連接於另一端面的輸入輸出用電極202。在第9層絕緣體層909中，形成有電感器用的線狀電極191、192、193。線狀電極 191、192、193呈在沿著端面的方向延伸的形狀。線狀電極191、192、193以規定間隔分開形成。在最上層即第10層絕緣體層910中，未形成任何東西，是作為層疊體IOA的蓋起到作用的層。在層疊體IOA中，進一步形成有如下所示的導電性的通孔群。如圖5所示，各通孔呈在層疊方向延伸的形狀。通孔800形成為將絕緣體層901的接地電極110、絕緣體層902的內層接地電極 120、絕緣體層906的內層接地電極160加以連接。通孔800形成在接近各層的相對的各側面的位置的二個部位。通孔801形成為將絕緣體層908的走線電極181、絕緣體層907的電容器用電極 171、線狀電極191加以連接。通孔801連接於線狀電極191的延伸方向的一端附近。通孔811形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極191加以連接。通孔811連接於線狀電極191的延伸方向的另一端附近。通孔812形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極192加以連接。通孔812連接於線狀電極192的延伸方向的一端附近。通孔802形成為將絕緣體層907的電容器用電極172、線狀電極192加以連接。通孔802連接於線狀電極192的延伸方向的另一端附近。通孔803形成為將絕緣體層908的走線電極182、絕緣體層907的電容器用電極 173、線狀電極193加以連接。通孔803連接於線狀電極193的延伸方向的一端附近。通孔813形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極193加以連接。通孔813連接於線狀電極193的延伸方向的另一端附近。通過以上的結構，輸入輸出用電極201成為圖4(A)的第1輸入輸出埠 Piol，輸入輸出用電極202成為圖4(A)的第2輸入輸出埠 Pio2。電容器用電極131與內層接地電極120的組合及電容器用電極151與內層接地電極160的組合成為圖4 (A)的電容器Cl (相當於本發明的「第1並聯電容器」)。電容器用電極132與內層接地電極120的組合及電容器用電極152與內層接地電極160的組合成為圖4(A)的電容器C2(相當於本發明的「第2並聯電容器」)。電容器用電極140與電容器用電極131、132的組合及電容器用電極140與電容器用電極151、152的組合成為圖4(A)的電容器C12(相當於本發明的「串聯電容器」)。該電容器C12還兼用作本發明的「跳躍耦合用電容器」。通過上述結構，可構成電容器C12、Cl、C2呈π型連接的接地阻抗調整電路。此外，可實現將該接地阻抗調整電路的所有電容器C12、Cl、C2以二個內層接地電極120、160
沿著層疊方向挾持的結構。電容器用電極171與內層接地電極160的組合、電容器用電極131與內層接地電極120的組合、及電容器用電極151與內層接地電極160的組合成為圖4(A)的諧振用電容器Crl。電容器用電極173與內層接地電極160的組合、電容器用電極132與內層接地電極 130的組合、及電容器用電極152與內層接地電極160的組合成為圖4㈧的諧振用電容器 Cr2。電容器用電極172與內層接地電極160的組合成為圖4(A)的諧振用電容器Cr3。線狀電極191與通孔801、811成為圖4(A)的諧振用電感器Lrl。該諧振用電感器 Lrl成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOA的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時逆時針旋轉的環形狀。線狀電極192與通孔802、812成為圖4(A)的諧振用電感器Lr2。該諧振用電感器 Lr2成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOA的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時順時針旋轉的環形狀。線狀電極193與通孔803、813成為圖4(A)的諧振用電感器Lr3。該諧振用電感器 Lr3成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOA的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時逆時針旋轉的環形狀。又，通過將線狀電極191及通孔801、811與線狀電極192及通孔802、812以規定間隔配置，可實現圖4(A)的耦合電感M12，且通過將線狀電極192及通孔802、812與線狀電極193及通孔803、813以規定間隔配置，可實現圖4(A)的耦合電感M23。又，通孔800的接地電極110與內層接地電極120之間的部分成為寄生電感器Lg。
如上所述，通過使用本實施方式的層疊結構，可實現將3級LC諧振器與包含寄生電感器Lg的接地阻抗調整電路一體具備的層疊型高頻濾波器的高頻層疊元器件。在這種結構中，如上所述，通過將構成接地阻抗調整電路的電容器C12、Cl、C2以內層接地電極挾持，可抑制這些電容器的自諧振。尤其是，如本實施方式那樣以具有對稱性的方式形成有電極圖案的情況下，雖容易產生自諧振，但通過以內層接地電極挾持，可抑制自諧振。圖6是具備由本實施方式的結構構成的3級LC諧振器的帶通濾波器的通過特性圖。如圖6所示，通過使用本實施方式的結構，可抑制現有結構的如圖4(B)所示的諧振點的產生。藉此，能使較通帶更高頻側的衰減特性得到提高。即，能使帶通濾波器的頻率特性得到提高。又，在諧振用電感器Lrl的線狀電極191及通孔801、811，諧振用電感器Lr2的線狀電極192及通孔802、812，諧振用電感器Lr3的線狀電極193及通孔803、813，與跳躍耦合用電容器的電容器用電極140之間，配置有內層接地電極160。藉此，跳躍耦合用電容器的電容器用電極140不會作用於諧振用電感器Lrl、Lr2、Lr3的電磁場耦合。藉此，可抑制諧振用電感器Lrl、Lr2、Lr3進行耦合時的損耗，能使作為濾波器的插入損耗降低。藉此，可實現頻帶特性優異的層疊型高頻濾波器。圖7(A)是由本實施方式的結構構成的帶通濾波器的通過特性圖，圖7(B)是成為相同等效電路的現有結構的帶通濾波器的通過特性圖。如圖7所示，通過本實施方式的結構，可在現有結構無法形成的通帶的低頻側附近的衰減帶(2. 2GHz附近)，設置衰減極。藉此，能改善濾波器的通過特性及衰減特性，可實現頻帶特性優異的層疊型高頻濾波器。又，如上所述，利用電容器用電極140構成的電容器C12與電容器C1、C2 —起作用為連接於輸入輸出端子Piol，Pio2間的π型電路。藉此，可實現改善通帶的高頻側的衰減特性的接地阻抗調整電路。其結果，可實現頻帶特性更優異的層疊型高頻濾波器。又，而且，如上所述，由於構成此等電容器C12、Cl、C2的電容器用電極挾持於內層接地電極120、160間，因此可抑制這些電容器的自諧振、尤其抑制還作用為並聯電容器的電容器C1、C2的自諧振。藉此，可實現頻帶特性更優異的層疊型高頻濾波器。又，構成諧振用電感器Lrl、Lr2、Lr3的各線狀電極191、192、193皆形成在相同的絕緣體層909。因此，與這些線狀電極分別形成在不同的絕緣體層的情形相比，可縮短線狀電極間隔。藉此，也可加強電感器間的耦合。又，連接於各線狀電極191、192、193的通孔形成為從層疊體IOA的形成有輸入輸出用電極201、202的端面側觀察時重迭。在該結構中，可縮短通孔間的距離。藉此，也可加強電感器間的耦合。又，相鄰的諧振用電感器Lrl與諧振用電感器Lr2以內層接地電極160為基點，成為相反的卷繞方向。又，相鄰的諧振用電感器Lr2與諧振用電感器Lr3以內層接地電極160 為基點，成為相反的卷繞方向。通過實現這種諧振用電感器間的耦合，可抑制濾波器的通帶的脈動(ripple)。又，構成電感器的線狀電極191、192、193及通孔801、811、802、812、803、813直接連接於內層接地電極160，未直接連接於形成在層疊體IOA的底面的外部接地電極110。藉此，可抑制起因於該外部接地電極110的渦電流損耗。其結果，可改善各LC諧振器的Q。又，通過使用上述結構，電容器C12兼用跳躍耦合用電容器與接地阻抗調整電路的串聯電容器。因而，與分別形成這些電容器的情形相比，可減少層疊體IOA的結構要素。 藉此，能更小型地形成具有如上所述的優異的頻帶特性的層疊型高頻濾波器。又，配置在構成諧振用電感器Lrl、Lr2、Lr3的電極圖案與構成電容器C12的電極圖案之間的內層接地電極160兼用作構成諧振用電感器Lrl、Lr2、Lr3的線狀電極191、192、 193及通孔801、811、802、812、803、813直接連接的內層接地電極。藉此，與分別形成的情形相比，可減少層疊體IOA的結構要素。藉此，能更小型地形成具有如上所述的優異的頻帶特性的層疊型高頻濾波器。接著，針對第2實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖8是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件在層疊體IOB的底面，形成有輸入輸出用電極111、 112。又，在層疊體IOB的最下層絕緣體層901與層疊體內部中具有最下位置的內層接地電極120的絕緣體層902之間，具備另一層絕緣體層911。其他結構與上述第1實施方式所示的高頻層疊元器件相同，因此省略說明。在最下層的絕緣體層901的底面，形成有接地電極110及輸入輸出用底面電極 111、112。這些輸入輸出用底面電極111、112形成為挾持接地電極110。輸入輸出用底面電極111連接於端面的輸入輸出用電極201，輸入輸出用底面電極112連接於端面的輸入輸出用電極202。在最下層的上面，配置有絕緣體層911。在絕緣體層911中，形成有具有規定面積的電容器用電極211、212。電容器用電極211形成為與絕緣體層901的輸入輸出用底面電極111相對。電容器用電極212形成為與絕緣體層901的輸入輸出用底面電極112相對。 在絕緣體層911中，形成有將電容器用電極211與一端面的未圖示的輸入輸出用電極201 加以連接的走線電極。在絕緣體層911中，形成有將電容器用電極212與另一端面的輸入輸出用電極202加以連接的走線電極。通過上述結構，與上述第1實施方式同樣地，可抑制接地阻抗調整電路的電容的自諧振，可實現頻率特性得到提高的高頻層疊元器件。即，可實現具有優異的頻帶特性的層疊型高頻濾波器。而且，通過使用本實施方式的結構，可抑制在輸入輸出用底面電極111、 112與內層接地電極120之間產生的寄生電容，可進一步提高頻率特性。接著，針對第3實施方式的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖9是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10C，相對於第2實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOB的不同之處在於，LC諧振器為4個，且將內層接地電極120與接地電極110加以連接的通孔的結構不同。其他結構與上述第2實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOB相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。在絕緣體層907中，形成有具有規定面積的電容器用電極171、172、173、174。在絕緣體層909中，形成有電感器用的線狀電極191、192、193、194。線狀電極191、 192、193、194呈在沿著端面的方向延伸的形狀。線狀電極191、192、193、194以規定間隔分開形成。
通孔800由通孔800A、800B構成。通孔800A形成為將絕緣體層901的接地電極 110、絕緣體層902的內層接地電極120加以連接。通孔800A形成在一個部位。通孔800B 形成為將絕緣體層902的內層接地電極120、絕緣體層906的內層接地電極160加以連接。 通孔800B形成在接近各層的相對的各側面的位置的二個部位。通孔801形成為將絕緣體層908的走線電極181、絕緣體層907的電容器用電極 171、線狀電極191加以連接。通孔801連接於線狀電極191的延伸方向的一端附近。通孔811形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極191加以連接。通孔811連接於線狀電極191的延伸方向的另一端附近。通孔812形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極192加以連接。通孔812連接於線狀電極192的延伸方向的一端附近。通孔802形成為將絕緣體層907的電容器用電極172、線狀電極192加以連接。通孔802連接於線狀電極192的延伸方向的另一端附近。通孔813形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極193加以連接。通孔813連接於線狀電極193的延伸方向的一端附近。通孔803形成為將絕緣體層907的電容器用電極173、線狀電極193加以連接。通孔803連接於線狀電極193的延伸方向的另一端附近。通孔804形成為將絕緣體層908的走線電極182、絕緣體層907的電容器用電極 174、線狀電極194加以連接。通孔804連接於線狀電極194的延伸方向的一端附近。通孔814形成為將絕緣體層906的內層接地電極160、線狀電極194加以連接。通孔814連接於線狀電極194的延伸方向的另一端附近。圖10是第3實施方式的層疊型高頻濾波器的等效電路圖。輸入輸出用電極201成為圖10的第1輸入輸出埠 Piol，輸入輸出用電極202成為圖10的第2輸入輸出埠 Pio2。電容器用電極140與電容器用電極131、132的組合及電容器用電極140與電容器用電極151、152的組合成為圖10的跳躍耦合用電容器C12。該電容器C12也與上述實施方式相同，兼用接地阻抗調整電路的串聯電容器。線狀電極191與通孔801、811成為圖10的諧振用電感器Lrl。該諧振用電感器 Lrl成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOC的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時逆時針旋轉的環形狀。線狀電極192與通孔802、812成為圖10的諧振用電感器Lr2。該諧振用電感器 Lr2成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOC的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時順時針旋轉的環形狀。線狀電極193與通孔803、813成為圖10的諧振用電感器Lr3。該諧振用電感器 Lr3成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOC的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時順時針旋轉的環形狀。線狀電極194與通孔804、814成為圖10的諧振用電感器Lr4。該諧振用電感器 Lr4成為以連接於內層接地電極160的一側為基點、從層疊體IOC的輸入輸出用電極202 — 側的端面觀察時逆時針旋轉的環形狀。通過將線狀電極191及通孔801、811與線狀電極192及通孔802、812以規定間隔配置，可實現圖10的耦合電感M12。通過將線狀電極192及通孔802、812與線狀電極193及通孔803、813以規定間隔配置，可實現圖10的耦合電感M23。通過將線狀電極193及通孔803、813與線狀電極194及通孔804、814以規定間隔配置，可實現圖10的耦合電感M34。電容器用電極171與內層接地電極160的組合、電容器用電極151與內層接地電極160的組合、及電容器電極131與內層接地電極120成為圖10的諧振用電容器Crl。電容器用電極172與內層接地電極160的組合成為圖10的諧振用電容器Cr2。電容器用電極 173與內層接地電極160的組合成為圖10的諧振用電容器Cr3。電容器用電極174與內層接地電極160的組合、電容器用電極152與內層接地電極160的組合、及電容器用電極132 與內層接地電極160的組合成為圖10的諧振用電容器Cr4。電容器用電極131與內層接地電極120的組合及電容器用電極151與內層接地電極160的組合成為圖10的電容器Cl。電容器用電極132與內層接地電極120的組合及電容器用電極152與內層接地電極160的組合成為圖10的電容器C2。如上所述，本實施方式的層疊體IOC中，通過構成如上述圖9所示的結構，可構成如圖10的等效電路所示的具備4級LC諧振器的帶通濾波器。根據上述構成，與上述各實施方式相同，也能使頻率特性得到提高。而且，如本實施方式那樣，通過變更直接連接於接地電極110的通孔的個數，能進一步使通帶附近的衰減特性得到提高。又，本實施方式的結構中，在諧振用電感器Lrl的線狀電極191及通孔801、811，諧振用電感器Lr2的線狀電極192及通孔802、812，諧振用電感器Lr3的線狀電極193及通孔803、813，諧振用電感器Lr4的線狀電極194及通孔804、814，與跳躍耦合用電容器的電容器用電極140之間，配置有內層接地電極160。藉此，跳躍耦合用電容器的電容器用電極 140不會作用於諧振用電感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4的電磁場耦合。藉此，可抑制諧振用電感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4進行耦合時的損耗，能使作為濾波器的插入損耗降低。藉此，可實現頻帶特性優異的層疊型高頻濾波器。接著，針對第4實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖11是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10D，相對於第3實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOC的不同之處在於，LC諧振器的電感器的形狀不同。其他結構與上述第3實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOC相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。本實施方式的層疊體10D，具有三層形成有電感器用的線狀電極的絕緣體層。在形成有走線電極181、182的絕緣體層908的上層，配置有絕緣體層909C。在絕緣體層909C 中，形成有電感器用的線狀電極191C、192C、193C、194C。線狀電極191C、192C、193C、194C呈在沿著端面的方向延伸的形狀。線狀電極191C、192C、193C、194C以規定間隔分開形成。在絕緣體層909C的上層，配置有絕緣體層909B。在絕緣體層909B中，形成有電感器用的線狀電極191B、192B、193B, 194B。緣體層909B的線狀電極191B、192B、193B, 194B形成為在沿著層疊方向觀察的狀態下與絕緣體層909C的線狀電極191C、192C、193C、194C重迭。在絕緣體層909B的上層，配置有絕緣體層909A。在絕緣體層909A中，形成有電感器用的線狀電極191A、192A、193A、194A。緣體層909A的線狀電極191A、192A、193A、194A 形成為在沿著層疊方向觀察的狀態下與絕緣體層909B、909C的線狀電極191Β、192Β、19!3Β、 194Β、191C、192C、193C、194C 重迭。通孔801、811形成為將線狀電極191A、191B、191C導通。通孔802、812形成為將線狀電極192A、192B、192C導通。通孔803,813形成為將線狀電極193AU93BU93C導通。 通孔804、814形成為將線狀電極194A、194B、194C導通。通過上述結構，諧振用電感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4成為三層結構，與單層結構時相比，更提高諧振用電感器間的耦合度。藉此，插入損耗降低，通過特性得到提高。圖12(A) 是表示與電感器的層數對應的插入損耗的變化的表，圖12(B)是將通帶的通過特性放大的圖。從圖12可知，通過使電感器的層數增加，可提高插入損耗及通過特性。藉此，能使作為高頻層疊元器件的特性進一步得到提高。接著，針對第5實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖13是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10E，相對於第3實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOC的不同之處在於，相當於電路功能部的層的結構不同。其他結構與上述第3實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOC相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。絕緣體層901、911、902、903、904、905、906及最上層絕緣體層910的結構與第3實施方式的高頻層疊元器件的層疊體IOC相同。此外，本實施方式的結構中，在最上層絕緣體層910中，形成有輸入輸出用電極201、202。該輸入輸出用電極201、202，與上述實施方式相同，形成也好不形成也罷。在形成有內層接地電極160的絕緣體層906的上層，配置有絕緣體層912。在絕緣體層912中，以將輸入輸出用電極201、202導通的規定寬度形成有直線狀的線狀電極195。 該線狀電極195作用為電感器。圖14是由層疊體IOE構成的高頻層疊元器件的等效電路圖。如圖14所示，由層疊體IOE構成的高頻層疊元器件，在輸入輸出端子Piol、Pio2間串聯連接有電感器La，作用為將該電感器La與接地阻抗調整電路並聯連接的低通濾波器(low pass filter :LPF)。圖15是由層疊體IOE構成的低通濾波器的通過特性圖。如圖15所示，通過使用本實施方式的結構，可提高高頻側的衰減特性，構成頻率特性優異的低通濾波器。接著，針對第6實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖16是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10F，相對於第5實施方式的層疊體IOE的不同之處在於，相當於電路功能部的層的結構不同。其他結構與上述第5實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOE相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。絕緣體層901、911、902、903、904、905、906及最上層絕緣體層910的結構與層疊體 IOE相同。
17
在形成有內層接地電極160的絕緣體層906的上層，配置有絕緣體層91!3B。在絕緣體層91 中，形成有從上層側觀察時以逆時針旋轉從外側卷繞至內側的卷繞形的線狀電極196B。卷繞形的線狀電極196B的最外周端附近連接有輸入輸出用電極201。在絕緣體層91 的上層，配置有絕緣體層913A。在絕緣體層913A中，形成有從上層側觀察時卷繞連接於上述卷繞形的線狀電極196B的形狀的線狀電極196A。線狀電極 196A的一端附近利用通孔820連接於絕緣體層91 的線狀電極196B的最內周端附近。線狀電極196A的另一端連接於輸入輸出用電極201。即使是上述結構，與上述第5實施方式相同地，可構成頻率特性優異的低通濾波
ο接著，針對第7實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖17是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10G，相對於第5實施方式的層疊體IOE的不同之處在於，相當於電路功能部的層的構成不同。其他結構與上述第3實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOE相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。在形成有內層接地電極160的絕緣體層906的上層，配置有絕緣體層914。在絕緣體層914中，形成有T字狀電極197。T字狀電極197是從上層觀察時沿著分別成大致90° 的三方向延伸形狀的電極。T字狀電極197中延伸方向平行的二個線狀電極之一連接於輸入輸出用電極201，另一電極連接於輸入輸出用電極202。T字狀電極197中剩餘的一個線狀電極以不露出層疊體的側面的規定長度形成，經由通孔820與內層接地電極160連接。圖18是由層疊體IOG構成的高頻層疊元器件的等效電路圖。如圖18所示，由層疊體IOG構成的高頻層疊元器件，在輸入輸出端子Piol、Pio2間連接有電感器Lb、Lc的串聯電路，作用為在電感器Lb、Lc的連接點與地之間連接有電感器Ld的T型帶通濾波器(band pass filter :BPF)。圖19是由層疊體IOG構成的帶通濾波器的通過特性圖。如圖19所示，通過使用本實施方式的結構，可提高通帶的高頻側的衰減特性，構成頻率特性優異的帶通濾波器。而且，本實施方式中，由於將電感器Lb、Lc形成為直線狀，因此可構成低損耗的帶通濾波器。 此時，通過變更通孔820的連接位置，可將電感器Lb、Lc間的電感調整成最適值。接著，針對第8實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖20是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體10H，相對於第7實施方式的層疊體IOG的不同之處在於，相當於電路功能部的層的結構不同。其他結構與上述第7實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOG相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。絕緣體層901、911、902、903、904、905、906及最上層絕緣體層910的結構與層疊體 IOG相同。在形成有內層接地電極160的絕緣體層906的上層，配置有絕緣體層915。在絕緣體層915中，形成有十字形狀電極198。十字形狀電極198是從上層觀察時沿著分別成大致 90°的四個方向延伸形狀(十字形狀)的電極。十字形狀電極198中延伸方向平行的各一對線狀電極之內的一對線狀電極連接於輸入輸出用電極201、202。十字形狀電極198中剩餘的一對線狀電極以不露出層疊體的側面的規定長度形成為分別往相反方向延伸。
圖21是由層疊體IOH構成的帶通濾波器的通過特性圖。如圖21所示，通過使用本實施方式的結構，可提高通帶的高頻側的衰減特性，構成頻率特性優異的帶通濾波器。而且，本實施方式中，由於將電感器Lb、Lc形成為直線狀，因此可構成低損耗的帶通濾波器。 此時，通過變更通孔820的連接位置，可將電感器Lb、Lc間的電感調整成最適值。接著，針對第9實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖22是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體101，相對於第5實施方式的層疊體IOE的不同之處在於，相當於電路功能部的層的結構不同，構成有該電路功能部的絕緣體層成為最上層。其他結構與上述第5實施方式所示的高頻層疊元器件的層疊體IOE相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位的說明。絕緣體層901、911、902、903、904、905、906的結構與層疊體IOG相同。在形成有內層接地電極160的絕緣體層906的上層，配置有絕緣體層916。在絕緣體層916中，形成有分別與輸入輸出用電極201、202導通的規定寬度的直線狀的走線電極 199A、199B。在該走線電極199A、199B的相對端部，安裝有片狀電感器300。即使是上述結構，與上述第5實施方式相同，也可構成頻率特性優異的高頻層疊元器件。而且，若為本實施方式的結構，通過將片狀電感器300置換為其他電路元件(其他電感的片狀電感器或濾波器元件等)，可構成具有另一特性的頻率特性優異的高頻層疊元器件。即，可容易形成多種頻率特性優異的高頻層疊元器件。此外，圖22中，以第5實施方式的結構為基礎，作成可安裝其他電路元件的結構， 但如圖23所示，也可以第7實施方式的結構為基礎，形成具有可安裝同樣的其他電路元件的結構的高頻層疊元器件。圖23是表示本實施方式的高頻層疊元器件的另一層疊結構(層疊體101』)的圖。當然，可以第8實施方式的結構為基礎，形成具有可安裝同樣的其他電路元件的結構的高頻層疊元器件。若為圖23的結構，能以安裝電路元件與線狀電極的組合， 構成電路功能部。接著，針對第10實施方式所涉及的高頻層疊元器件，參照附圖進行說明。圖對是表示本實施方式的高頻層疊元器件的層疊結構的圖。上述各實施方式中，示出了將接地阻抗調整電路與電路功能部一體形成在層疊體的例子。然而，如本實施方式所示，也可以是在層疊體中僅具備接地阻抗調整電路的結構。如圖M所示，本實施方式的高頻層疊元器件的層疊體IOJ由省略第2實施方式的圖8所示的層疊體IOB的絕緣體層907、908、909的結構構成。通過上述結構，可形成由接地阻抗調整電路單體構成的高頻層疊元器件。此外，使這種高頻層疊元器件接近分置的濾波器元件元器件，並安裝於電路基板上。藉此，可提高分置的濾波器元件元器件的頻率特性。又，將該接地阻抗調整電路形成在電路基板內，能使元器件整體小型化。又，對這種僅由接地阻抗調整電路構成的高頻層疊元器件，也可如上述第3實施方式等所示那樣，在最下層內層接地電極120與接地電極110之間與比內層接地電極120 更上層側，通孔的個數可不同。圖25是表示本實施方式的高頻層疊元器件的另一層疊構成的圖。此外，具備上述電路功能部的實施方式中，示出了將LC諧振用的電容器與接地阻抗調整電路的電容器分別形成的例子。然而，也可將連續的多個LC諧振器的兩端的LC諧振器的電容器構成為兼用作接地阻抗調整電路的第1並聯電容器Cl及第2並聯電容器C2。 藉此，層疊體的結構要素變少，可將層疊體的結構形成為更簡單且小型。又，具備上述電路功能部的濾波器的實施方式中，有時在輸入輸出端子Piol、Pio2 間設定跳躍耦合用的電容。此時，能將該跳躍耦合用的電容兼用作接地阻抗調整電路的串聯電容器C12。藉此，層疊體的結構要素變少，可將層疊體的結構形成為更簡單且小型。又，具備上述電路功能部的實施方式中，示出了將LC諧振用的電容器與接地阻抗調整電路的電容器分別形成的例子。然而，也可將連續的多個LC諧振器的兩端的LC諧振器的電容器構成為兼用作接地阻抗調整電路的第1並聯電容器Cl及第2並聯電容器C2。 藉此，層疊體的結構要素變少，可將層疊體的結構形成為更簡單且小型。又，在上述結構中，將LC諧振器的電容器用的電極適當設定成可獲得期望的電容。然而，根據電容決定該電容器用的電極的形狀時，形成為至少不同時與相鄰的線狀電極的兩方重迭更佳。標號說明IOA 10J、10Γ、10J，、IOP 層疊體901P 905P、901 916 絕緣體層201、202 輸入輸出用電極110:接地電極111、112 輸入輸出用底面電極120、160 內層接地電極131、132、151、152、171、172、173、211、212 電容器用電極181、182:走線電極191 194、191A 194A、191B 194B、191C 194C 線狀電極800、800A、800B、801、802、803、804、811、812、813、814、820 通孔
權利要求
1.一種高頻層疊元器件，具有 一對輸入輸出端子；連接於該一對輸入輸出端子間的實現規定功能的電路功能部；以及接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於所述一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，形成所述接地阻抗調整電路，該高頻層疊元器件的特徵在於至少具備分別形成在所述層疊體的不同絕緣體層的內層接地電極； 形成所述並聯電容器的電極配置在所述內層接地電極之間。
2.如權利要求1所述的高頻層疊元器件，其特徵在於，所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器由彼此相對的相對電極構成； 所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的一相對電極由所述內層接地電極形成； 所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的另一相對電極配置在所述內層接地電極之間。
3.如權利要求1或2所述的高頻層疊元器件，其特徵在於， 所述串聯電容器由彼此相對的相對電極構成；所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的另一相對電極兼用所述串聯電容器的一相對電極。
4.如權利要求1至3中任一項所述的高頻層疊元器件，其特徵在於， 所述電路功能部是具有規定頻率通過特性的濾波器。
5.如權利要求1至4中任一項所述的高頻層疊元器件，其特徵在於， 所述電路功能部由形成在所述多個絕緣體層的電極圖案構成。
6.如權利要求5所述的高頻層疊元器件，其特徵在於，在所述電路功能部包含電容器，該電容器兼用作構成所述接地阻抗調整電路的所述串聯電容器、第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的至少一個電容器。
7.如權利要求1至4中任一項所述的高頻層疊元器件，其特徵在於， 所述電路功能部由安裝於所述層疊體的安裝元器件構成；在所述層疊體中，形成有將所述安裝元器件進行安裝的安裝用連接盤。
8.一種高頻層疊元器件，具有 一對輸入輸出端子；以及接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於該一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，形成所述接地阻抗調整電路，該高頻層疊元器件的特徵在於至少具備分別形成在所述層疊體的不同中間層的二個內層接地電極； 形成所述串聯電容器的電極配置在所述二個內層接地電極之間。
9.如權利要求8所述的高頻層疊元器件，其特徵在於，所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的一相對電極由所述內層接地電極形成； 所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的另一相對電極配置在所述二個內層接地電極之間。
10.如權利要求8或9所述的高頻層疊元器件，其特徵在於，所述第1並聯電容器及所述第2並聯電容器的另一相對電極兼用所述串聯電容器的一相對電極。
11.一種層疊型高頻濾波器，具備 一對輸入輸出端子；多級LC諧振器，該多級LC諧振器高頻連接於該一對輸入輸出端子間；以及跳躍耦合用電容器，該跳躍耦合用電容器直接連接於所述一對輸入輸出端子間； 利用層疊了形成有規定電極圖案的多個絕緣體層的層疊體，形成構成所述LC諧振器的電感器及電容器、以及所述跳躍耦合用電容器，該層疊型高頻濾波器的特徵在於 所述層疊體包含形成在所述絕緣體層上的內層接地電極；在構成所述電感器的電極圖案與構成所述跳躍耦合用電容器的電極圖案之間，配置有內層接地電極。
12.如權利要求11所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，具備分別連接於所述一對輸入輸出端子與地之間的輸入輸出用電容器；利用所述層疊體的電極圖案，形成該輸入輸出用電容器；至少所述跳躍耦合用電容器由形成在不同絕緣體層的內層接地電極挾持配置。
13.如權利要求12所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，形成所述輸入輸出用電容器的電極圖案也由形成在所述不同絕緣體層的內層接地電極挾持配置。
14.如權利要求11至13中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，在所述LC諧振器的電感器的電極圖案的兩端，形成用於連接於所述LC諧振器的電容器及地的通孔，電感器由該電感器的電極圖案與二個通孔構成。
15.如權利要求14所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，連接於各電感器的電極圖案的通孔形成在從側面觀察所述層疊體時大致重迭的位置。
16.如權利要求14或15所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於， 構成所述電感器的電極圖案設在多個絕緣體層；設在該多個絕緣體層的各電極圖案並聯連接於所述二個通孔。
17.如權利要求14至16中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，連接有所述電感器的電極圖案的地是形成在與層疊體的底面不同的規定絕緣體層中的內層接地電極。
18.如權利要求17所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，連接有所述電感器的電極圖案的內層接地電極是配置在構成所述電感器的電極圖案與構成所述跳躍耦合用電容器的電極圖案之間的內層接地電極。
19.如權利要求14至18中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，構成所述多個LC諧振器的電感器內的任意相鄰的電感器的電極圖案的、與所述電容器連接的通孔的連接位置位於不同的端部。
20.如權利要求11至19中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，構成所述多個LC諧振器的電感器內的任意相鄰的電感器的電極圖案形成在同一絕緣體層。
21.如權利要求11至20中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，用於連接於外部地的外部接地電極與形成所述一對輸入輸出端子的外部輸入輸出端子排列形成在所述層疊體的底面。
22.如權利要求11至21中任一項所述的層疊型高頻濾波器，其特徵在於，具備接地阻抗調整電路，該接地阻抗調整電路由連接於所述一對輸入輸出端子間的串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器的兩端與地之間的第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；所述串聯電容器兼用作構成所述跳躍耦合用電容器的電極圖案。
全文摘要
構成高頻層疊元器件的層疊體(10A)在最下層(第1層)絕緣體層(901)的底面具備接地電極(110)。在第2層絕緣體層(902)中，在大致整個面上配置有內層接地電極(120)。在第3層絕緣體層(903)至第5層絕緣體層(905)中，形成有構成接地阻抗調整電路的串聯電容器(C12)的電容器用電極(140)與構成第1並聯電容器及第2並聯電容器的電容器用電極。在第6層絕緣體層(906)中，在大致整個面上配置有內層接地電極(160)。內層接地電極(120、160)利用通孔(800)與接地電極(110)導通。
文檔編號H03H7/01GK102549690SQ201180004106
公開日2012年7月4日 申請日期2011年2月24日 優先權日2010年3月18日
發明者谷口哲夫 申請人:株式會社村田製作所