一種微納結構減反膜的製作方法及顯示裝置與流程

2023-10-29 20:42:27 1

本發明涉及液晶顯示面板領域，尤其涉及一種微納結構減反膜的製作方法及顯示裝置。

背景技術：

液晶顯示裝置應用越來越廣泛，主流的顯示技術主要基於顯示裝置的主動發光原理實現，而太陽光的反射反而構成了影響顯示畫面對比度的重要障礙。

現有主要是通過在顯示裝置上進行減反處理，以減弱太陽光的反射對顯示畫面的影響，其中一種方式為表面微納結構的方法。採用表面微納結構的方法是通過在薄膜表面通過微電子工藝製備光刻膠掩膜，然後採用刻蝕微結構的方法實現，其中，所要求的微電子工藝掩膜板的工藝成本與製備精度均存在較大的難度，工藝步驟複雜。

故，有必要提供一種微納結構減反膜的製作方法及顯示裝置，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發明的目的在於提供一種微納結構減反膜的製作方法，以解決現有的微納結構減反膜製作工藝中存在的工藝步驟複雜、工藝成本高且形成的微納結構減反膜精度差的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種微納結構減反膜的製作方法，其包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一二氧化矽層，所述二氧化矽層表面有多個坑洞，用於提供減反膜的成核點；

在所述二氧化矽層上形成一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯；

以所述石墨烯為生長基底，在多個所述成核點中形成所述減反膜的下表面，使得所述下表面形狀為六角形，並通過漸變生長的方式使得所述減反膜的擴散原子的擴散長度與擴散原子量隨著生長時間的延長而逐漸減少，以形成所述減反膜的上表面。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述漸變生長的方式包括調節生長溫度和控制生長源濃度。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述減反膜的材料為氧化鋅或矽。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，可通過化學氣相沉積法、高溫退火碳化矽外延法或金屬單晶表面外延法形成所述石墨烯。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述上表面的形狀為六角形或圓形。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述下表面的面積大於所述上表面的面積。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述下表面的直徑為100-900納米。

在本發明的微納結構減反膜的製作方法中，所述下表面與所述上表面之間的距離為100-1000納米。

依據本發明的上述目的，還提供一種顯示裝置，其包括一種微納結構減反膜，其製作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一二氧化矽層，所述二氧化矽層表面有多個坑洞，用於提供減反膜的成核點；

在所述二氧化矽層上形成一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯；

以所述石墨烯為生長基底，在多個所述成核點中形成所述減反膜的下表面，使得所述下表面形狀為六角形，並通過漸變生長的方式使得所述減反膜的擴散原子的擴散長度與擴散原子量隨著生長時間的延長而逐漸減少，以形成所述減反膜的上表面。

在本發明的顯示裝置中，所述漸變生長的方式包括調節生長溫度和控制生長源濃度。

本發明的微納結構減反膜的製作方法及顯示裝置通過採用一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯為生長基底，生成微納結構減反膜，其工藝步驟簡單，工藝成本低並且能形成精度較高的具有一定減反效果的微納結構減反膜；解決了現有的微納結構減反膜製作工藝中存在的工藝步驟複雜、工藝成本高且形成的微納結構減反膜精度差的技術問題。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發明微納結構減反膜的製作方法的優選實施例的工藝流程圖；

圖2A-2D為本發明微納結構減反膜的製作方法的優選實施例的具體工藝步驟示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明所採取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。

參閱圖1，圖1為本發明微納結構減反膜的製作方法的優選實施例的工藝流程圖；

如圖1所示，本優選實施例的液晶顯示面板測試線路，包括：

步驟S101，提供一基板；

步驟S102，在所述基板上形成一二氧化矽層，所述二氧化矽層表面有多個坑洞，用於提供減反膜的成核點；

步驟S103，在所述二氧化矽層上形成一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯；

步驟S104，以所述石墨烯為生長基底，在多個所述成核點中形成所述減反膜的下表面，使得所述下表面形成為六角形，並通過漸變生長的方式使得所述減反膜的擴散原子的擴散長度與擴散原子量隨著時間的延長而減少，以形成所述減反膜的上表面。

參閱圖2A-2D，圖2A-2D為本發明微納結構減反膜的製作方法的優選實施例的具體工藝步驟示意圖；

具體地，如圖2A所示，在步驟S101中，液晶顯示裝置中由於蓋板玻璃的表面在強光環境下的反射作用，使得顯示畫面對比度下降，因而可以在蓋板玻璃表面製作一微結構減反膜解決這一問題。本優選實施例所述的基板201為蓋板玻璃，但是基於其他需要製作微結構減反膜的裝置中，所述基板201並不局限於蓋板玻璃。在本優選實施例中，提供的基板201為蓋板玻璃，隨後轉到步驟S102。

如圖2B所示，在步驟S102中，在所述基板201上形成一二氧化矽層202，所述二氧化矽層202表面有多個坑洞，用於提供減反膜的成核點。本優選實施例可通過磁控濺射或者蒸發的方式形成二氧化矽層202。由於二氧化矽本身的分子結構，使得形成的二氧化矽層表面凹凸不平，形成坑洞結構(圖中未標示)，所述坑洞為減反膜的形成提供了成核點，而不需要額外通過其他方式去形成這些坑洞，簡化了工藝步驟。

如圖2C所示，在步驟S103中，在所述二氧化矽層202上形成一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯203。本優選實施例可通過以下三種方式中的任意一種生成石墨烯203。

優選地，本實施例可通過化學氣相沉積法形成石墨烯203。具體地，首先，在基片表面沉積一層具有催化功能的多晶金屬薄膜，然後利用熱催化分解碳氫化合物來在金屬薄膜的表面生長石墨烯203。

優選地，本實施例還可通過高溫退火碳化矽外延法形成石墨烯203，這種方法則是利用高溫處理的方式來蒸發掉表面的矽原子，留下碳原子，形成石墨烯203。

優選地，本實施例還可通過金屬單晶表面外延法形成石墨烯203。具體地，先在基片表面形成金屬單晶，然後利用晶體內部碳雜誌的析出或熱催化分解碳氫化合物，在金屬單晶表面外延石墨烯204。

由於所述石墨烯203的生成環境要求較高，易損壞基板201表面，在實際工藝製程中，可先製得石墨烯203，再將石墨烯203移至二氧化矽層202上。

如圖2D所示，在步驟S104中，以所述石墨烯203為生長基底，在多個所述成核點中形成所述減反膜的下表面2041，使得所述下表面2041形狀為六角形，並通過漸變生長的方式使得所述減反膜的擴散原子的擴散長度與擴散原子量隨著生長時間的延長而逐漸減少，以形成所述減反膜的上表面2042。

其中，所述漸變生長的方式包括調節生長溫度和控制生長源濃度；所述減反膜的材料為氧化鋅或矽，將氧化鋅或矽製作成生長源。

進一步地，下表面2041的直徑為100-900納米，並且下表面2041為六角形或者圓形，下表面2041的面積大於上表面2042的面積，下表面2041和上表面2042之間的距離為100-1000納米。本優選實示例通過控制漸變生長的方式，形成一微納結構減反膜，其下表面直徑為300納米，上表面直徑為100納米，上表面和下表面之間的距離為600納米，通過測試，採用這個微納結構的減反膜在可見光波段的反射率低於1％，透過率高於99％，起到很好的減反效果。

本優選實施例的微納結構減反膜通過採用一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯為生長基底，生成微納結構減反膜，其工藝步驟簡單，工藝成本低並且能形成精度較高的具有一定減反效果的微納結構減反膜；解決了現有的微納結構減反膜製作工藝中存在的工藝步驟複雜、工藝成本高且形成的微納結構減反膜精度差的技術問題。

本發明還提供一種顯示裝置，其包括液晶顯示面板、蓋板玻璃以及位於所述蓋板玻璃表面的微納結構減反膜。

本實施例的顯示裝置，通過蓋板玻璃表面的微納結構減反膜，以減少強光環境下蓋板玻璃表面的反射對顯示效果的影響，並且形成微納結構減反膜的工藝步驟簡單。

本優選實施例的顯示裝置形成微納結構減反膜的製作工藝與上述微納結構減反膜的製作方法的優選實施例基本一致，再次不做贅述。

本優選實施例的顯示裝置通過採用一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯為生長基底，生成微納結構減反膜，其工藝步驟簡單，工藝成本低並且能形成精度較高的具有一定減反效果的微納結構減反膜；解決了現有的微納結構減反膜製作工藝中存在的工藝步驟複雜、工藝成本高且形成的微納結構減反膜精度差的技術問題。

本發明的微納結構減反膜的製作方法及顯示裝置通過採用一六角形呈蜂巢晶格狀的石墨烯為生長基底，生成微納結構減反膜，其工藝步驟簡單，工藝成本低並且能形成精度較高的具有一定減反效果的微納結構減反膜；解決了現有的微納結構減反膜製作工藝中存在的工藝步驟複雜、工藝成本高且形成的微納結構減反膜精度差的技術問題

綜上，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例並非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護範圍以權利要求界定的範圍為準。