離子阱和在離子阱中解離離子的方法
2023-09-24 00:53:00 2
專利名稱：離子阱和在離子阱中解離離子的方法
技術領域：
本發明涉及一種離子阱和一種用於在離子阱中解離離子的方法，具體地，涉及一種四極離子阱，且涉及一種使用四極離子阱的串聯質量分析。
背景技術：
可以通過採用離子阱分析儀來實現串聯質量分析，其中離子阱分析儀可以具有磁回旋加速器(FTICR MS)或高頻四極離子阱的形式。在串聯質譜儀中，在捕獲體積內選擇並且分離具有特定質荷比的前體離子。然後使用多種已知激活方法之一，包括碰撞誘導解離(CID)、表面誘導解離(SID)、紅外多光子解離(IRMPD)和電子捕捉解離(ECD)，來進行解離過程。使用質量掃描測量該過程產生的產物離子，以獲得MS2譜。如果從產物離子中進一步選擇前體離子並且重複解離過程，則隨後的質量掃描將給出MS3譜。可以重複這種時域過程以產生MSn譜。串聯質譜儀的能力非常重要，因為通過檢測和分析特定的產物離子，MSn譜可以消除化學噪聲，而同時增加了識別原始離子的化學結構的信心。這種串聯質量分析在闡明和排序例如蛋白質和DNA的複雜分子結構中也是有效的。
在上述解離方法中，ECD是最新開發的，並且ECD提供了更廣泛的序列信息。對於肽和蛋白質排序，ECD導致主鏈鍵裂(backbone bondcleavage)，以形成一系列c型和z型離子。這與通常使用的CID是相對的，CID僅能夠分裂弱的肽鍵以形成b型和y型離子，導致易變的翻譯後修飾的喪失。
然而，僅使用FTICR質譜儀才可以實現ECD。儘管四極離子阱被用於使用CID和IRMPD的串聯質量分析，用於打碎蛋白質或肽離子，但是四極離子阱迄今為止並不能成功地合併ECD。可能是由於以下原因1.對於ECD，電子的動能必須非常低，通常為大約0.2eV。將這種低能量電子從電子源轉移到離子捕獲區域是非常難的。在採用強磁場的FTICR中，低能熱發射電子總是被會聚，並且由磁場線引導，直到它到達捕獲區域。在使用強時變電場來限定離子的四極離子阱的情況下，電場使注入的電子加速或者減速。如果使用正弦RF電壓來產生捕獲電場，則幾乎不存在其中可以注入電子並且電子以所需動能到達離子阱中心的任何實際時間窗口。注入的電子被加速到更高的能量或者簡單地由電場發射。由於這些高能量電子撞擊而引起的分裂屏蔽了從ECD獲得的有用信息，並且難以在RF捕獲電壓具有正確的相位時選通電子注入以與窄時間窗口一致。
2.根據ECD的當前理論模型，電子捕捉解離的機制需要產生並保持前體離子的所謂Rydberg狀態。然而，四極離子阱中的高電場易於破壞Rydberg狀態，使得從Rydberg軌道去除電子使之成為連續能譜。即使在離子阱的中心區域中(離子云可以佔據直徑在2mm以上的空間)，場強仍然會使得中間激勵狀態消失，因此降低ECD的效率。
3.通常在離子阱中使用緩衝氣體以引起碰撞冷卻。緩衝氣體壓力通常為大約1O-3mBar壓力，並且在捕獲的離子和緩衝氣體之間會發生每毫秒幾百次碰撞。在離子阱中與緩衝氣體的這種碰撞也會破壞Rydberg狀態，因此降低ECD的效率。
然而，由於與FTICR儀器相比，四極離子阱質譜儀構造更加廉價，所以在四極離子阱中實現ECD提供了更具吸引力的方法。在美國專利6,653,662B2中，Jochen Franzen公開了在3D RF四極離子阱中實現ECD的過程。該方法包括通過具有RF電壓的離子阱電極中的孔來注入電子，由此在RF周期期間使電子源保持為離子阱的中心處實現的最高正電勢。利用該方法，電子可以到達阱的中心，在滿足ECD的低能量要求的同時，與存儲的離子互相作用幾納秒的時間。儘管該方法克服了上述的第一問題，但是它導致非常窄的電子束可以輻射捕獲離子的時間窗口。可以預期注入的電子將由整個離子云的勢阱捕獲，從而在連續的RF周期上存活並且積累。然而，這種預期既沒有理論依據，也沒有實驗依據。
ECD被用於解離多電荷正離子，並且是電子誘導解離的一個示例。在電子誘導解離的另一個示例中，使電子注入離子阱以通過所謂電子逸出解離來解離負離子。
發明內容
根據本發明的一個方面，提供了一種在離子阱中解離離子的方法，包括步驟在離散的電壓電平之間切換捕獲電壓，以產生用於在離子阱的捕獲區域內捕獲前體離子和產物離子的數字捕獲場；以及在捕獲電壓處於選定的所述電壓電平的同時將電子注入所述離子阱，使得注入的電子以適於發生電子誘導解離的動能到達捕獲區域。
根據本發明的另一個方面，提供了一種離子阱，包括開關裝置，用於在離散的電壓電平之間切換捕獲電壓，以產生用於在離子阱的捕獲區域內捕獲前體離子和產物離子的數字捕獲場；電子源；以及控制裝置，用於在捕獲電壓處於所述電壓電平中選定之一的同時使源電子注入所述離子阱，使得注入的電子以適於發生電子誘導解離的動能到達捕獲區域。
本發明可以擴展其中低能量電子可以到達離子阱中的離子云以進行有效的離子電子互相作用的時間窗口。本發明還可以在解離過程期間在使離子保持在捕獲區域中的同時降低電場強度。
可以降低捕獲區域中緩衝氣體的壓力，以便在ECD過程期間保持所需的離子的中間狀態。
為了擴展ECD的時間窗口，必須修改傳統的正弦RF捕獲波形。GB1346393公開了一種由周期矩形或梯形波形驅動的四極質譜儀。WO0129875還公開了一種數字離子阱驅動方法，其中由在高和低電壓電平之間切換的電壓來驅動捕獲場。該捕獲方法提供了將電子注入捕獲區域並使它們與捕獲的離子互相作用的機會。
在本發明的優選實施例中，離子阱包括用於產生磁場以將注入的電子引導到捕獲區域的裝置。
現在僅作為示例來參考附圖描述本發明的實施例，圖中圖1示出了會發生ECD的四極離子阱；圖2示出了在ECD過程期間施加到離子阱的RF驅動電壓的波形(標號1)和施加到電子發射器的脈衝選通電壓的波形(標號2)；圖3是示出了電子注入3D離子阱的仿真，其中，初始電子能量是1eV，並且在到達離子阱的中心區域時減少為0.2～0.7eV；圖4示出了具有三個離散電壓電平的RF驅動電壓的波形；圖5示出了用於實現圖4的三電平驅動電壓的切換電路；圖6(a)和6(b)示出了施加磁場以有助於電子注入，其中圖6(a)示出了以減少的能量通過端蓋電極中的孔被注入的電子束，圖6(b)示出了通過環形電極中的孔被引入的電子束；圖7示出了會發生ECD的線性四極離子阱；圖8示出了施加到線性離子阱的X和Y電極的RF驅動電壓的波形；圖9(a)示出了在線性四極離子阱中的ECD的實現，圖9(b)示出了沿線性四極離子阱的軸的DC電壓變化。
具體實施例方式
附1示出了本發明的一種實施方式，其中，3D離子阱的環形電極7與一對開關1、2相連。開關1、2是如圖1所示串聯在一起的電子開關。在該實施例中，開關1與高電平DC電源4相連，開關2與低電平DC電源5相連。交替地閉合和斷開開關，以產生施加到四極離子阱的環形電極7的矩形波形的驅動電壓。四極離子阱在發射端蓋電極8中具有至少一個孔，離子可以通過該孔經過引出電極9被發射到離軸檢測器10。離軸檢測器10包括轉換倍增極10a和電子倍增器10b。當激活ECD過程時，切斷檢測器10上的高電壓偏置，並且打開電子發射器11。通過控制施加到門12的脈衝選通電壓來產生脈衝電子束15。圖2的波形1示出了施加到環形電極7的驅動電壓的時序，而圖2的波形2示出了施加到選通電極12的脈衝選通電壓的時序。還由虛線3示出了捕獲的離子所聚集的離子阱中心處的電勢。參考圖1，當環形電極7上的電壓經歷負向偏移(excursion)時(例如在-500V)，產生電子束15。在r0＝1.414z0的離子阱的情況下(其中r0是徑向尺度，z0是軸向尺度)，如圖1所示，離子阱中心處的電勢是-250V。電子發射器11同樣偏置在-250V電壓處，並且當電子接近端蓋電極8中的孔時它們被加速到250eV，從而使得它們更易於通過孔。在電子進入了離子阱之後，由「靜態」四極場使電子減速。這是因為電子運動與一個波形偏移所需的微秒時間間隔相比相對較快。在幾納秒內，電子到達離子阱的中心區域，但是喪失了大部分動能，並可以由捕獲的多電荷離子捕捉。圖3示出了按照上述方式注入離子阱的4個電子的仿真。由-249V的發射器11產生的電子最初具有1eV的初始動能，並且相對於離子阱軸的初始角度直至88度(即幾乎所有可能的角度)。發射點範圍的半徑在0和0.6mm之間。一旦電子進入離子阱，它們就被沿橫向強烈地會聚。
通過端蓋電極8比通過環形電極7更容易注入電子。這是因為在後一種情況下，未在所有橫向上會聚電子，即僅在離子阱的軸向上會聚電子，而在與阱軸垂直的方向上未會聚電子。
應用上述數字捕獲電壓可以擴展其中可以發生ECD的時間窗口，因此電子束的選通變為相對簡單。因此，不再需要通過施加了捕獲電壓的電極來注入電子，以便避免高能量電子到達捕獲中心並且擊中離子云，如美國專利No.6,653,662所教導的。然而，通過環形電極7注入也具有一些優點，如下所述。
多種現有技術實施方式表明ECD產物離子強度並不與對電子的暴露時間成正比地增加。過度暴露會減少產物信號的強度，因為母離子峰遠高於產物離子的峰。這是由於產物離子由隨後的電子捕捉使之中和。然而，如果施加適當的激勵波形，可以從離子電子相互作用區域中去除產物離子。如果如上所述，通過四極離子阱的環形電極注入電子，則電子沿z方向被壓縮，並且到達x-y平面中心的離子云。可以通過在端蓋電極兩端施加偶極反饋(tickling)電壓，從該平面選擇性地去除離子。當選擇了前體離子的質荷比時，可以容易地利用向前體離子的現實(secular)頻率分配的陷波頻率來產生陷波濾波的寬帶激勵波形。當將激勵波形施加到端蓋電極時，將從發生電子輻射的中心平面去除除前體離子之外的所有離子。通過這種方式，將從離子阱的中心去除通過ECD過程產生的產物離子，因此使之免受級聯衰變，並且可以聚集有用的產物離子。
即使在通過端電極中的孔注入電子時，也可以通過檢查圖3認識到避免級聯衰變的可選方法。在圖3的仿真中，發射器的電勢被設置在-249V並且初始電子動能是1eV，最大電子動能(250eV)剛剛夠電子到達離子阱的中心。如果電子動能被設置為更低的值，例如使電子發射器的電勢為更低的負值，則電子將在到達離子阱中心之前轉向。在這種情況下，儘管在轉向點處電子的動能低到足以使ECD發生，但是電子束和離子云不重疊，因此不會發生反應。然而，當將較小的偶極AC電壓施加到端蓋電極時，可以選擇性地激勵前體離子。由前體離子形成的離子云然後沿z軸擴展，並且進入與電子束重疊的區域。這將提供離子和電子具有發生ECD的有利低能量的互相作用區域。產物離子不會被激勵，並因此冷卻下來，運動到離子阱的中心，從而避免進一步與電子作用。
選擇用於電子輻射的每個連續期優選地應該至少與無輻射期一樣長。這產生了其中可以發生ECD的相對較寬的時間窗口，並且導致相對較低的絕對捕獲電壓值，因為整個周期上的平均DC電勢通常為零，以便提供最寬的質量捕獲範圍。當在ECD過程期間使用更低的捕獲電壓時，會有保持Rydberg狀態的更好時機。因此，當矩形波形電壓更低並且針對離子電子互相作用選擇波形的更長偏移時，可以提高ECD效率。
為了進一步降低ECD發生的場強，同時保持足夠的捕獲力，可以使用3電平數字波形。圖4示出了這種波形，並且圖5示出了可以用於產生這種波形的切換電路。在該可選實施例中，開關51與高電平DC電源54相連，開關53與低電平DC電源56相連。附加的開關52連接在中間電平DC電源55和電源54、56的結點之間。中間電平DC電源55可以具有在0至-1OOV的範圍內的電壓。當依次閉合和斷開三個開關時，產生的輸出電壓具有如圖4所示的階梯波形。在每次中間電平偏移42期間，電子束被激活並且注入阱中。由於在離子阱的捕獲區域內電場非常低，所以在解離開始之前，將不會破壞所產生的激勵離子的中間狀態。
除非在捕獲區域內存在用於降低電子能量的足夠的減速場，否則電子必須以非常低的動能注入捕獲區域，以便發生ECD。將低能量電子束會聚到離子阱的中心是非常難的，所以多數電子不會到達與捕獲的離子發生互相作用的離子阱中心。
為了解決該問題，將磁場施加到離子捕獲區域。計算顯示，小於150高斯的磁場將足以將熱陰極產生的電子束限定為1mm直徑內的束。這容易地使電子束與離子阱內的離子云重疊並互相作用。如圖6a所示，可以由環繞離子阱的線圈60產生磁場。匝數和電流的積是大約2000A。產生的磁場強度對離子捕獲的影響可忽略，並且可以在前體分離和質量掃描期間切斷。
也可以將磁場用於會聚通過環形電極中的孔注入的電子束。利用這種方式，可以降低在x-y平面中心處沿x方向的發散度，並且提高ECD的效率。圖6b示出了用於產生這種磁場的布置。如圖所示，Helmholtz類型的線圈61和62被用於在離子捕獲區域內產生磁場。
也可以通過切換電路來驅動線性四極離子阱，並且在WO 0129875中公開了該內容。與3D離子阱的情況相同，數字驅動的線性離子阱也提供了發生ECD的機會。圖7中示出了驅動線性離子阱的一種方式。一對開關73與一對X電極72相連，並且另一對開關74與一對Y電極71相連。當開關對73、73交替地在高電壓電平VH和低電壓電平VL之間操作時，每一個都將矩形波形輸出到相應的電極對72、71。可以將附加電路75用於在捕獲體積內產生偶極場，以引起質量選擇分離、CID和質量掃描所需的離子的共振激勵。圖8示出了施加到X和Y電極對的矩形波形的三個示例。在第一示例(a)中，兩個矩形波電壓1和2為反相。在捕獲體積內產生的四極場3也具有矩形波形。在這種條件下，使用在現有技術中已經公開的方法，可以捕獲和選擇離子；然而，如果電子沿線性離子阱的軸行進，則電子易於被偏轉。在第二示例(b)和第三示例(c)中，產生施加到X電極和Y電極的矩形波電壓，其具有相對相移而不是反相。這使得捕獲體積內的電場具有階梯波形6或9，其中波形包括至少一個零場偏移。在配置(b)中，零場偏移在每個周期期間僅在X和Y電極都與較高的電壓電平相連時發生一次。在配置(c)中，零場偏移在每個周期期間發生兩次，一次在X和Y電極都與較高的電壓電平相連時，一次在X和Y電極都與較低的電壓電平相連時。在零場偏移期間，具有較低動能的電子可以沿X或Y方向無加速或偏轉地沿軸行進。在沿阱軸的磁場的輔助之下，預期電子束與離子云重疊，使得ECD能夠發生。配置(b)可以提供比配置(c)更大的ECD時間窗口；然而，因為使用了非對稱矩形波形(佔空周期＞0.5)，阱軸上的平均電勢不再是零伏特。這會在設計線性離子阱兩端的DC遏止電勢時引起一些困難。利用配置(c)，平均DC電壓是零伏特，因此可以使用施加DC遏止場的傳統方法。兩對電極都處於較高電壓電平的時間間隔(在時間軸上用陰影塊10標記)最好用於注入電子束。在圖9a和9b中簡要地示出了該實施例。
圖9a示出了ECD用的與電子源結合的線性離子阱的示意圖。在該配置中，線性離子阱具有前面部分93、主要部分91和後面部分92。可以經過門94和前面部分93引入離子，這些離子進入主要部分91，最終形成線性離子云90。圖9b示出了在電子注入時刻沿離子阱的軸的DC電勢，並且該時刻與圖8b和8c中的時間間隔10相對應。在這些偏移期間，來自源11的電子從右手端入口95注入並進入阱部分92、91和93。在左手端，電子被反射，並且重新進入互相作用區域。因為預期電子在捕獲體積內以非常低的能量沿阱軸行進，所以使用磁場來引導電子束。由一對Helmholtz線圈96和97來產生該磁場。必須調節線圈的位置，以調整磁場，使之與線性離子阱的軸平行。如上針對3D離子阱所述，可以使用AC偶極場來從產物離子中分離前體離子，以避免產物離子與電子束重疊。這可以避免產物離子的級聯中和，從而提高ECD效率。
在ECD發生之前，需要脈衝氣體注入來使離子運動冷卻下來。具有恆定高壓的緩衝氣體會降低ECD的效率，因此不推薦該氣體。將緩衝氣體引入捕獲區域的脈衝閥的時序必須與ECD時序同步(波形改變、電子選通和線圈充電)，以在ECD開始之前具有足夠的抽空時間。
在線性離子阱的情況下，離子動能的大幅度衰減發生在具有相對較高氣壓的一個線性離子阱中，而ECD發生在氣壓較低的下遊線性離子阱中。兩個離子阱之間的孔可以用於保持氣壓差。
儘管描述了在施加數字捕獲波形的一個選定電壓電平期間注入電子，ECD不必僅在這部分波形偏移期間發生。在磁場的輔助下，注入的低動能電子可以在連續的波形偏移期間被捕獲，並且繼續與前體離子作用。對於3D離子阱，當圖4中的電壓電平42被用於注入低動能電子時存在這種機會。當環形電極上的電壓步進到下一個電平時，由電場沿z軸方向捕獲電子，並且由磁場沿徑向捕獲電子。對於線性離子阱，如果在偏移期間(如圖8(c)中的陰影區域11所示，就在增加線性離子阱的軸向電勢的轉換之前)注入電子，則同樣存在這種機會。
在本發明的可選實施例中，代替直接電子捕捉解離(ECD)，使用低動能電子的解離可以包括兩級過程，其中，首先在離子阱的離子捕獲區域內由氣體分子捕捉電子，然後將電子轉移到前體離子以引起解離。
此處公開的方法僅作為示例。可以設計各種配置，以利用由數字捕獲電壓驅動的3D或線性離子阱來執行ECD。例如，電子源可以被設置為離軸，或者被設計具有環形或中空形狀，使得雷射束能夠撞擊在離子云上，如電離或解離目的所需。根據本發明併入了ECD的離子阱可以是單獨的質譜儀，或者可以組成串聯質譜儀的一部分，就像在離子阱飛行時間混合系統中一樣。
權利要求
1.一種在離子阱中解離離子的方法，包括步驟在離散的電壓電平之間切換捕獲電壓，以產生用於在離子阱的捕獲區域內捕獲前體離子和產物離子的數字捕獲場；以及在捕獲電壓處於選定的所述電壓電平的同時將電子注入所述離子阱，使得注入的電子以適於發生電子誘導解離的動能到達捕獲區域。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，在電子進入離子阱之後，將注入電子的初始動能減小為適於發生電子誘導解離的所述動能。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，在兩個離散電壓電平之間切換所述捕獲電壓。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，電子具有實質上適於電子誘導解離的相對較低的初始動能，並且在捕獲電壓處於零伏特或接近零伏特的同時被注入所述捕獲區域。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，捕獲電壓具有三個離散電壓電平，並且在捕獲電壓具有最低的絕對電壓值的同時將電子注入所述捕獲區域。
6.根據權利要求1至5之一所述的方法，包括使用磁場來將注入的電子引導到捕獲區域。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，使用被設置為由脈衝電流激勵的電線圈來產生所述磁場。
8.根據權利要求1至7之一所述的方法，其中，離子阱是3D四極離子阱，並且電子通過離子阱的端蓋電極中的孔而注入捕獲區域。
9.根據權利要求1至7之一所述的方法，其中，離子阱是3D四極離子阱，並且電子通過離子阱的環形電極中的孔或縫隙而注入捕獲區域。
10.根據權利要求1至7之一所述的方法，其中，離子阱是線性四極離子阱。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，沿離子阱的縱軸從捕獲區域的一端注入電子。
12.根據權利要求1至11之一所述的方法，包括在解離之前或之後，將氣體脈衝引入離子阱的捕獲區域，以引起離子的碰撞冷卻。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，使用能夠使氣壓快速降至10-4mbar以下的脈衝閥和真空泵，將所述氣體脈衝引入捕獲區域。
14.根據權利要求1至13之一所述的方法，包括向選通裝置施加脈衝選通電壓，以控制從電子源引出電子，用於注入到所述捕獲區域，並且使所述脈衝選通電壓的施加與將所述捕獲電壓切換到所述選定電壓電平的步驟同步。
15.根據權利要求1至7之一所述的方法，包括向離子阱施加寬帶偶極信號，以從離子阱的中心區域去除產物離子。
16.根據權利要求1至7之一所述的方法，包括向離子阱施加AC偶極信號，以選擇性地激勵前體離子。
17.根據權利要求1至16之一所述的方法，其中，捕獲的前體離子包括多電荷前體離子，並且注入的電子具有小於1eV的動能，並且能夠誘導所述多電荷離子的電子捕捉解離。
18.根據權利要求1至16之一所述的方法，其中，捕獲的前體離子包括多電荷前體離子，並且所述方法包括步驟將氣體引入離子阱的捕獲區域，使得由氣體的分子捕捉注入的電子，然後將電子轉移到前體離子以引起解離。
19.一種離子阱，包括開關裝置，用於在離散的電壓電平之間切換捕獲電壓，以產生用於在離子阱的捕獲區域內捕獲前體離子和產物離子的數字捕獲場；電子源；以及控制裝置，用於在捕獲電壓處於所述電壓電平中選定之一的同時使源電子注入所述離子阱，使得注入的電子以適於發生電子誘導解離的動能到達捕獲區域。
20.根據權利要求19所述的離子阱，其中，所述開關裝置被設置為在兩個離散電壓電平之間切換所述捕獲電壓。
21.根據權利要求19所述的離子阱，其中，所述電子具有實質上適於發生電子誘導解離的相對較低的初始動能，並且在捕獲電壓處於零伏特或接近零伏特的同時將電子注入所述捕獲區域。
22.根據權利要求21所述的離子阱，其中，所述開關裝置被設置為在三個離散電壓電平之間切換所述捕獲電壓，並且所述控制裝置被設置為在捕獲電壓具有最低的絕對電壓值的同時使所述電子注入捕獲區域。
23.根據權利要求19至22之一所述的離子阱，包括用於產生磁場以將注入的電子引導到捕獲區域的裝置。
24.根據權利要求23所述的離子阱，其中，用於產生磁場的所述裝置包括電線圈和用於利用脈衝電流來激勵線圈的裝置。
25.根據權利要求19至24之一所述的離子阱，具有3D四極離子阱的形式，其中，電子通過離子阱的端蓋電極中的孔或縫隙而注入捕獲區域。
26.根據權利要求19至24之一所述的離子阱，具有3D四極離子阱的形式，其中，電子通過離子阱的環形電極中的孔或縫隙而注入捕獲區域。
27.根據權利要求19至24之一所述的離子阱，具有線性四極離子阱的形式。
28.根據權利要27所述的離子阱，其中，沿離子阱的縱軸從捕獲區域的一端注入電子。
29.根據權利要求19至27之一所述的離子阱，包括氣體源，用於在解離之前或之後，將氣體脈衝引入捕獲區域，以引起離子的碰撞冷卻。
30.根據權利要求29所述的離子阱，其中，氣體源包括能夠使氣壓快速降至10-4mbar以下的脈衝閥和真空泵。
31.根據權利要求19至30之一所述的離子阱，其中，所述控制裝置包括選通裝置；裝置，用於向所述選通裝置施加脈衝選通電壓，以控制從所述電子源引出電子；以及裝置，用於使所述脈衝選通電壓的施加與將所述捕獲電壓切換到選定電壓電平同步。
32.根據權利要求19至24之一所述的離子阱，包括裝置，用於向離子阱施加寬帶偶極信號，以從離子阱的中心區域去除產物離子。
33.一種在離子阱中解離離子的方法，實質上如參考附圖所述。
34.一種離子阱，實質上如參考附圖所述。
35.一種串聯質譜儀，包括根據權利要求19至32以及權利要求34之一所述的離子阱。
全文摘要
一種四極離子阱，包括開關(3)，用於在離散的電壓電平V
文檔編號H01J49/42GK1922711SQ200580005744
公開日2007年2月28日 申請日期2005年2月23日 優先權日2004年2月24日
發明者丁力 申請人:島津歐州研究所