半導體處理系統中的高採樣率傳感器緩衝的製作方法

2023-10-08 05:46:44 2

半導體處理系統中的高採樣率傳感器緩衝的製作方法
【專利摘要】本發明的實施方式針對半導體處理系統中以高採樣率緩衝來自各種傳感器的數據的系統及/或方法。此類採樣可提供關於診斷系統中導致處理故障的條件的處理的較佳數據。
【專利說明】半導體處理系統中的高採樣率傳感器緩衝
[0001]相關專利申請的交叉引用
[0002]本申請主張於2012年6月12日提交且標題為「High Sampling Rate SensorBuffering in Semiconductor Processing Systems」的美國臨時專利申請案第61/658，622號的權益，該美國臨時專利申請案出於所有目的以全文引用的方式併入本文。

【背景技術】
[0003]半導體處理系統是執行各種複雜處理的複雜系統。因為系統及/或處理的複雜性，可因硬體或軟體失靈相關的任何數目的原因而發生故障。


【發明內容】

[0004]在此專利中使用的術語「發明」、「該發明」、「此發明」及「本發明」意欲廣泛指代此專利及下文專利權利要求的所有主題。應理解，含有這些術語的陳述不應限制本文所描述的主題或限制下文專利權利要求的含義或範圍。由下文的權利要求界定此專利所覆蓋的本發明的實施方式，而非由此
【發明內容】
界定。此
【發明內容】
為本發明的各種態樣的高級概述，且引入在下文的【【具體實施方式】】部分中進一步描述的概念中的一些。此
【發明內容】
既不意欲識別所要求保護的主題的關鍵或實質特徵，亦不意欲獨立使用以確定所要求保護的主題的範圍。應以參考此專利的整個說明書、所有附圖及各個權利要求的方式理解該主題。
[0005]本發明的實施方式是針對半導體處理系統中用高採樣率(sample rate)緩衝從一或更多個傳感器接收的原始數據的系統及/或方法。此類採樣可提供關於半導體處理系統中的故障原因的較佳數據。本發明的一些實施方式包括半導體處理系統，所述半導體處理系統具有測量各種處理條件的多個傳感器、耦接至所述多個傳感器的至少一個分組的緩衝器及與緩衝器耦接的長期儲存裝置。緩衝器可用於以高採樣率從該分組的傳感器收集原始數據。
[0006]論及這些說明性實施方式，並非意在限制或界定本揭示案，而是提供實例以幫助本揭示案的理解。在【【具體實施方式】】中將論述額外實施方式及提供進一步描述。可通過檢驗此說明書或通過實踐所呈現的一或更多個實施方式來進一步理解各種實施方式中的一或更多者提供的優點。
[0007]附圖的簡要說明
[0008]當參閱附圖閱讀以下【【具體實施方式】】時，將更好地理解本揭示案的這些及其它特徵、態樣及優點。下文將參閱以下附圖詳細描述本發明的說明性實施方式:
[0009]圖1是根據本發明的一些實施方式的傳感器系統的方塊圖。
[0010]圖2是根據本發明的一些實施方式的用於緩衝傳感器數據的處理的流程圖。
[0011]圖3圖示根據本發明的一些實施方式的示例性電弧檢測系統。
[0012]圖4圖示根據本發明的一些實施方式的另一示例性電弧檢測系統。
[0013]圖5圖示可用於實施本發明的實施方式的計算系統的簡化方塊圖。

【具體實施方式】
[0014]本文利用特定性描述本發明的實施方式的主題以滿足規定的要求，但是此描述未必意欲限制權利要求的範圍。所要求保護的主題可以其它方式實施，可包括不同元件或步驟，且可連同其它現有或未來技術一起使用。不應將此描述解譯為各種步驟或元件之間隱含任何特定次序或配置，除非明確描述個別步驟的次序或元件的配置的情況下。
[0015]半導體製造系統可因硬體或軟體失靈而發生故障。許多故障可能很難清除，因為發生故障時可能丟失一些諸如給定傳感器的狀態之類的信息。依靠該故障，傳感器信息可能在診斷故障原因方面是有用的。本發明的實施方式可用於以高採樣率緩衝傳感器數據以確保傳感器信息可用來診斷故障。
[0016]本發明的實施方式是針對半導體處理系統中用高採樣率緩衝來自各個傳感器的數據的系統及/或方法。此類採樣可提供關於診斷系統中導致處理故障的條件的處理的較佳數據。
[0017]圖1圖示根據本發明的一些實施方式的傳感器系統100的方塊圖。傳感器系統100可用於(例如)任何處理系統中；例如，半導體處理系統、太陽能電池陣列處理系統、顯示器處理系統、電池處理系統等等。如其它實例，傳感器系統100可用於處理系統的各個階段或部分，諸如線前(front-of-the-line)處理、沉積處理、移除處理、蝕刻處理、圖案化處理、改性處理(modificat1n process)、三維印刷處理、線後(back-of-the-line)處理、晶片測試及其它。舉例而言，沉積處理可包括物理氣相沉積(physical vapor deposit1n ；PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposit1n ;CVD)、電化學沉積(electrochemicaldeposit1n ;EO))、分子束外延法(molecular beam epitaxy ；MBE)及 / 或原子層沉積(atomic layer deposit1n ；ALD)系統及其它。舉例而言，移除處理可包括溼式蝕刻、乾式蝕刻及/或化學機械平坦化(chemical-mechanical planarizat1n ；CMP)及其它。舉例而言，圖案化處理可包括傳統的平版印刷術、光刻、步進處理(stepper process)及/或等離子體灰化及其它。舉例而言，改性處理可包括摻雜處理、熱氧化及/或退火(包括快速熱退火)及其它。
[0018]傳感器系統100可包括與硬碟驅動器110耦接的緩衝器105。緩衝器105可包括可與諸如(例如)傳感器120、傳感器121及/或傳感器122的傳感器電氣連接的輸入。亦可使用連接器來連接一或更多個傳感器與一或更多個緩衝器輸入。控制器140可用於控制緩衝器105及/或硬碟驅動器110的操作。
[0019]緩衝器105可為臨時儲存傳感器數據的任何存儲器，該數據隨後儲存於硬碟驅動器110中。緩衝器105可包含任何類型的存儲裝置，諸如(例如)RAM。緩衝器105可包含與多個傳感器耦接的單個緩衝器或與單個傳感器耦接的單個緩衝器。此外，緩衝器105可包括多個緩衝器，這些緩衝器每一個與多個傳感器之一耦接。
[0020]在一些實施方式中，在操作中，緩衝器105能夠儲存可經數位化的原始傳感器數據。此原始傳感器數據可能包括或可能不包括處理信息。緩衝器105亦可在緩衝器105內部儲存計數器或計時數據。處理信息可為數據收集時間、日期信息、傳感器信息、處理系統信息、工具信息、處理方法信息、製造信息、處理位置、操作者信息、數據單元等等。當將原始傳感器數據寫至硬碟驅動器110時，可連同任何或所有處理信息儲存傳感器數據。
[0021]此外，當將原始傳感器數據寫至硬碟驅動器110時，可將原始傳感器數據格式化至預定或可選的格式化類型。傳感器經常產生如電壓、電阻或其它原始值的原始傳感器數據。在此類情況下，可使用方程式及/或表將原始傳感器數據從原始值轉換至具有物理意義的值。舉例而言，溫度傳感器可包括產生電壓的熱電偶。在操作中，可以高採樣率對熱電偶的電壓採樣及將該電壓儲存在緩衝器105中。控制器140可使用方程式及/或表將儲存於緩衝器105中的電壓值轉換至溫度值。
[0022]在操作中，緩衝器105可以比每微秒100 (比特)位、每微秒10位或每微秒I位快的速率儲存來自一或更多個傳感器的原始傳感器數據。舉例而言，緩衝器105的此採樣率可高於硬碟驅動器110的採樣率。傳感器系統100中可包括各種其它部件；例如，可在傳感器與緩衝器105之間安置一或更多個模擬數字轉換器以數位化模擬傳感器數據。
[0023]舉例而言，緩衝器105可包括兩個緩衝器，其中的每一緩衝器被指派給單獨傳感器。舉例而言，一個緩衝器可緩衝來自溫度傳感器的數據，並且另一緩衝器可緩衝來自流量傳感器的原始數據。在具有多個傳感器的實施方式中，可使用多個緩衝器。
[0024]在其它實施方式中，可使用單個緩衝器。舉例而言，溫度傳感器及流量傳感器可耦接至單個緩衝器。可在第一緩衝器位置以原始電阻值儲存原始溫度傳感器數據，且可在第二緩衝器位置以原始電壓值儲存原始流量數據。在一些實施方式中，當將經緩衝的數據寫至硬碟驅動器I1時，可使用控制器140將原始電阻值轉換至溫度，該溫度隨後儲存於硬碟驅動器中。在其它實施方式中，原始值可儲存在硬碟驅動器110中。
[0025]在一些實施方式中，亦可利用時間戳(或計數器)在硬碟驅動器中儲存原始傳感器數據，該時間戳(或計數器)基於(例如)開始記錄數據的時間、經緩衝的樣本的數目及採樣率將數據或各個數據要素關聯至收集數據的時間。任何其它處理信息(上文或其它方面所描述)亦可與經採樣的數據一起儲存在硬碟驅動器中。此外，可格式化原始數據(例如)來配合表內部，以使位或字節具有特定長度，可標記原始數據，可為原始數據指派某類型的信息籤等等。
[0026]在一些實施方式中，當處理系統正在操作時，緩衝器105可將從傳感器收集的數據寫至硬碟驅動器。在其它實施方式中，在已經檢測到故障之後，緩衝器105可連續地收集數據且將經收集的數據寫至硬碟驅動器。在此實施方式中，當正在收集數據時，較舊數據正從緩衝器刪除。為了確保收集到足夠的數據，可能需要緩衝器105具有充足的存儲器，以擷取及緩衝經收集的數據達所需要時段，例如5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、25分鐘、30分鐘、35分鐘、40分鐘、45分鐘、50分鐘、55分鐘或60分鐘。儘管如此，在一些實施方式中，在某點可在硬碟驅動器110中儲存來自一或更多個傳感器的儲存於緩衝器105中的數據。
[0027]硬碟驅動器110可包括任何類型的長期儲存裝置。舉例而言，硬碟驅動器110可包含儲存伺服器、RAM、雲儲存(cloud storage)等等。
[0028]傳感器(傳感器120、傳感器121及/或傳感器122)可包括任何類型的傳感器。舉例而言，一或更多個傳感器可測量處理腔室內部的大氣條件，諸如溫度、溼度或壓力。如另一實例，一或更多個傳感器可測量進入處理腔室及/或從處理腔室排出的氣流、供應至腔室的直流電功率、腔室內部的直流電功率、腔室內部的RF功率、電流消耗(current draw)等等。如另一實例，一或更多個傳感器可測量各種部件(諸如基板支撐結構、基板載體及/或其它加工部件)的位置及/或移動。此外，如另一實例，傳感器可測量各種馬達的轉矩及/或速度。如又一實例，一或更多個傳感器可測量各種環境條件中的任何條件，諸如熱、輻射、聲音及/或振動。如另一實例，一或更多個傳感器可感測處理腔室內部、管道內部及/或箱槽內部的壓力、流量、溫度及/或化學品及/或氣體量。如又一實例，一或更多個傳感器可測量各種處理條件，諸如晶片厚度、晶片尺寸、晶片均勻性、晶片拋光等等。可使用各種其它傳感器而無需限制。
[0029]傳感器系統100亦可包括可用於提供傳感器信息的輸出135。此可通過此項技術中任何已知技術來實現；例如，可將數據發送電子郵件至生產單位或製造商的工程師或科學家。如另一實例，數據可儲存在位於計算機系統或雲端儲存位置的文件中。隨後可由操作者、工程師或科學家經由計算機網絡(例如，網際網路)存取數據。
[0030]圖2圖示根據本發明的一些實施方式的用於緩衝傳感器數據的處理200的流程圖。處理200從方塊205處開始。在方塊210處，可將傳感器數據寫至緩衝器。可從多個傳感器(例如，傳感器120、傳感器121及/或傳感器122)中的至少一個傳感器收集此傳感器數據。可以快速採樣率將此傳感器數據寫至緩衝器。在方塊215處，可將來自緩衝器的數據寫至硬碟驅動器。將來自緩衝器的數據寫至硬碟驅動器的速率可慢於將數據從傳感器寫至緩衝器的速率，及/或可將一些數據寫至硬碟驅動器110的同時將其它數據寫至緩衝器 105。
[0031]在方塊220處，可確定是否已發生故障。此情況可以眾多方式發生。舉例而言，管理處理系統的工程師(或任何其它工人)可人工確定故障已發生，或處理系統可根據來自系統內部的一或更多個傳感器的數據確定故障已發生。若確定並無故障，則處理200返回至方塊210及方塊215。若確定存在故障，則不管是如何確定的，處理200前進至方塊225，且將記錄於硬碟驅動器中的數據輸出至用戶。此情況可以任何數目的方式實現。在一些實施方式中，在將數據輸出至用戶之前，可能需要等待從緩衝器寫至硬碟驅動器的數據，以確保已將所有數據寫至硬碟驅動器。處理200可結束於方塊230處。
[0032]圖3圖示可用於本發明的實施方式中的處理系統300的實例。處理系統300可包括一對FOUP (前開式標準艙(front opening unified pods)) 302以供應基板(例如，300mm直徑的晶片)，這些基板由機器人臂304接收且在將基板放入晶片處理腔室307a至307f之前將基板放入低壓保持區域中。可配備各個處理腔室307a至307f以執行眾多基板處理操作，這些處理操作除循環層沉積(cyclical layer deposit1n ；CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、PVD、蝕刻、預清潔、脫氣(degas)、定向(orientat1n)及其它基板處理之外亦包括本文所描述的遠程等離子體處理。
[0033]處理腔室307a至307f可包括用於在基板晶片上沉積、退火、固化及/或蝕刻的一或更多個系統部件。在一個配置中，可使用兩對處理腔室(例如，處理腔室307c至307d及處理腔室307e至307f)以在基板上沉積介電材料，且可使用第三對處理腔室(例如，處理腔室307a至307b)以蝕刻經沉積的電介質。在另一配置中，可配置所有三對腔室(例如，腔室307a至307f)以在基板上提供蝕刻處理。可在與不同實施方式中所示的製造系統分離的一或更多個腔室上進行任何一或更多個所描述的處理。
[0034]每個處理腔室(例如，處理腔室307a)可包括基板支撐件(例如，基板支撐件308a)，該基板支撐件經配置以在處理期間於處理腔室內支撐基板。舉例而言，基板支撐件308a可為靜電卡盤(electrostatic chuck ;ESC)，該靜電卡盤在處理腔室307a內固持及支撐基板。除基板支撐件之外，每個處理腔室(例如，處理腔室307a)亦可包括至少一個傳感器(例如，傳感器309a)，該傳感器經配置以測量與發生於處理腔室(例如，處理腔室307a)內部的基板處理相關聯的一或更多個臨界參數(critical parameter)，以產生表示經測量的參數的模擬輸出信號。
[0035]系統控制器310用於控制馬達、閥門、流量控制器、電源及處理系統實施處理方法所需要的其它功能。系統控制器310可依靠來自光學傳感器的反饋來確定及調整處理腔室307a至307f中可移動機械總成的位置。機械總成可包括機器人、節流閥及基座，這些元件在系統控制器310的控制下由馬達移動。系統控制器310可包括傳感器系統100。
[0036]在一些實施方式中，系統控制器310包括存儲器(例如，硬碟驅動器)、輸入與輸出埠及處理器。系統控制器310可包括模擬與數字輸入/輸出板、接口板及步進馬達控制器板。多腔室處理系統的各個部分由系統控制器310控制。系統控制器執行呈儲存於計算機可讀介質上的電腦程式的形式的系統控制軟體，這些計算機可讀介質諸如硬碟、軟盤或快閃記憶體姆指驅動器。亦可使用其它類型存儲器。電腦程式包括指示計時、氣體的混合、腔室壓力、腔室溫度、RF功率水平、基座位置及特定處理的其它參數的指令組。
[0037]處理腔室(例如，處理腔室307a)可為任何類型的處理腔室。一個實例為圖4中圖示的PECVD腔室。PECVD腔室400包括側壁402、底壁404及腔室蓋406，該三者共同界定處理區域408。氣體分配系統410穿過腔室蓋406而安置以傳遞氣體進入處理區域408。氣體分配系統410包括具有進氣口 414的氣體箱412，該進氣口接收來自前驅物源411的處理氣體且將處理氣體引入氣體箱412。氣體分配系統410亦包括具有多個氣體通道418的噴淋頭416，以用於將來自氣體箱412的處理氣體分配到處理區域408中。氣體分配系統410亦可包括氣體箱加熱器420 (諸如，環狀電阻加熱器)以加熱處理氣體至所要溫度。
[0038]噴淋頭416耦接至RF電源422以提供電能至噴淋頭416，以便促進處理區域408內的等離子體形成。因此，噴淋頭416充當經供電的上部電極。自動調諧RF匹配網絡424定位於RF電源422與噴淋頭416之間。在一個實施方式中，以約23.56MHz的頻率供應RF功率。
[0039]底壁404界定針對杆428的通道426，該杆428支撐底座加熱器430。底座加熱器430經配置以在處理區域408內支撐基板401。底座加熱器430包括嵌入在加熱器內的接地網格(ground mesh) 432，該接地網格連接至RF地。因此，接地網格432充當接地電極以促進在噴淋頭416與底座加熱器430之間的處理區域408內的等離子體形成。底座加熱器430亦包括一或更多個加熱元件434 (諸如，電阻加熱元件)以加熱基板401至所要處理溫度。
[0040]包括中央處理單元(central processing unit ;CPU) 452、存儲器454及支持電路456的控制系統450耦接至腔室400的各個部件以促進腔室400內部的處理控制。存儲器454可為任何計算機可讀介質，諸如隨機存取存儲器(random access memory ;RAM)、只讀存儲器(read only memory ;R0M)、軟盤、硬碟或任何其它形式的數字儲存器，這些計算機可讀介質針對腔室400或CPU 452為本地或遠程。支持電路456耦接至CPU 452，以用於以傳統方式支持CPU 452。這些電路包括高速緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路及子系統以及類似者。當CPU 452執行儲存於存儲器454內的軟體例程(ixnitine)或一系列程序指令時，此舉引起腔室400在腔室內執行等離子體處理。控制系統450亦可包括傳感器系統100。
[0041]可得益於本發明的沉積腔室包括經配置以沉積氧化物(諸如摻雜碳的氧化娃)、含娃膜以及包括高級圖案化薄膜(advanced patterned film ；APF)的其它介電材料的腔室。沉積腔室的實例為可購自Applied Materials, Inc.(應用材料公司)(SantaClara, Calif)的PRODUCER?腔室。PRODUCER ?腔室為具有兩個隔離處理區域的PECVD腔室，這些區域可用於沉積摻雜碳的氧化矽及其它材料。在美國專利第5，855，681號中描述一種腔室的一個實例，該專利案全文以引用的方式併入本文。儘管將腔室400示意地描述為PECVD腔室，但本發明的使用可與諸如等離子體蝕刻、PVD的其它腔室或任何其它類型的腔室同等有效。
[0042]圖5中所示的計算機系統500可用於執行本發明的實施方式的任一實施方式。舉例而言，計算機系統500可用於執行方法200。如另一實例，傳感器系統300可包括計算機系統500的全部或部分。如又一實例，計算機系統500可用於執行本文所描述的任何計算、識別及/或確定。計算機系統500包括可經由總線505電氣地耦接(或視情況可以其它方式通信)的硬體元件。
[0043]計算機系統500圖示為具有經由總線526電氣地耦接的硬體元件。網絡接口 552可將計算裝置500與另一計算機通信地耦接，例如，經由諸如網際網路的網絡。硬體元件可包括控制器340、輸入裝置504、輸出裝置506、硬碟驅動器340、計算機可讀存儲介質讀取器510a、通信系統514、處理加速單元516 (諸如DSP或專用處理器)及存儲器518。計算機可讀存儲介質讀取器510a可進一步連接至計算機可讀存儲介質510b，該組合綜合表示遠程、本地、固定及/或可移除的儲存裝置加上用於臨時及/或更永久含有計算機可讀信息的存儲介質。緩衝器105與總線526耦接。
[0044]計算機系統500亦可包含如展示為當前位於工作存儲器520內部的軟體元件，這些軟體元件包括作業系統524及其它程序代碼522，諸如經設計以實施本文所描述的方法及/或處理的程序。在一些實施方式中，其它程序代碼522可包括如下軟體，該軟體提供用於接收來自雙極化雷達系統的用戶輸入並操控根據本文所揭示的各種實施方式的數據的指令。在一些實施方式中，任何軟體元件或程序代碼可為非暫時性(non-transitory)。對本領域的技術人員將顯而易見的是，根據具體需要可使用實質性變化。舉例而言，亦可能使用定製硬體及/或可能在硬體、軟體(包括諸如小程序之類的可攜式軟體)或兩者中實施特定元件。進一步，可使用至諸如網絡輸入/輸出裝置的其它計算裝置的連接。
[0045]計算系統500可進一步包括一或更多個儲存裝置525 (及/或與一或更多個儲存裝置525通信)，這些儲存裝置525可包括(而不限於)本地及/或網絡可存取儲存器及/或可包括(而不限於)磁碟驅動器、驅動器陣列、光學儲存裝置、諸如隨機存取存儲器(「RAM」)及/或只讀存儲器(「ROM」)的固態儲存裝置，這些儲存裝置可為可編程、可快閃更新(flash-updateable)儲存裝置及/或類似儲存裝置。計算系統500亦可能包括通信子系統530，該通信子系統530可包括(而不限於)數據機、網卡(無線或有線)、紅外通信裝置、無線通信裝置及/或晶片組(諸如藍牙裝置、802.6裝置、WiFi裝置、WiMax裝置、蜂窩通信設備等等)及/或類似裝置。通信子系統530可容許與網絡(諸如下文所描述的網絡，作為一個實例)及/或本文所描述的任何其它裝置交換數據。在眾多實施方式中，計算系統500將進一步包括工作存儲器535，該工作存儲器535可包括RAM或ROM裝置，如上文所描述。
[0046]計算系統500亦可包括如展示為當前位於工作存儲器535內部的軟體元件，這些軟體元件包括作業系統540及/或諸如一或更多個應用程式545的其它程序代碼，這些軟體元件可包括本發明的電腦程式及/或可經設計以實施本發明的方法及/或配置本發明的系統，如本文所描述。舉例而言，針對上文討論的一或更多種方法所描述的一或更多個過程可實施作為由計算機(及/或計算機內部的處理器)可執行的程序代碼及/或指令。一組這些指令及/或程序代碼可儲存在諸如上文所描述的一或更多個儲存裝置525的計算機可讀存儲介質上。
[0047]在一些情況下，存儲介質可併入計算系統500內或存儲介質可與計算系統500通信。在其它實施方式中，存儲介質可與計算系統500分開(例如，諸如光碟之類的可移除介質等等)及/或提供在安裝包中，以使得存儲介質可用於用上面儲存的指令/程序代碼對通用計算機編程。這些指令可採取可由計算系統500執行的可執行程序代碼的形式及/或可採取原始碼及/或可安裝程序代碼的形式，該原始碼及/或可安裝程序代碼在計算系統500上編譯及/或安裝(例如，使用各種通常可用的編譯程序、安裝程序、壓縮及/或解壓實用工具等等中的任一者)之後再採取可執行程序代碼的形式。
[0048]可能有附圖中所描述或上文所描述的元件的不同配置以及未圖示或未描述的部件及步驟。類似地，一些特徵及子組合是有用的，且可使用這些特徵及子組合而無需參考其它特徵及子組合。出於說明性及非限制性目的已描述本發明的實施方式，且替代實施方式對此專利的讀者來說將變得顯而易見。因此，本發明不受限於上文所描述或附圖中所描述的實施方式，且可在不脫離以下權利要求的範圍的情況下做出各種實施方式及修改。
[0049]本文闡述眾多具體細節以提供對所要求保護的主題的透徹理解。然而，本領域的技術人員將理解，可實施所要求保護的主題而無需這些具體細節。在其它情況下，並未詳細描述會是本領域的普通技術人員所知的方法、設備或系統，以免模糊所要求保護的主題。
[0050]一些部分根據對儲存於諸如計算機存儲器的計算系統存儲器內部的數據位或二進位數位訊號進行運算的算法或符號標記來呈現。這些演算描述或標記是數據處理領域中那些普通技術人員所使用的技術的實例，以傳達該領域的普通技術人員工作的實質內容給該領域的其他技術人員。算法是導致所要結果的一系列自兼容操作(self-consistentsequence of operat1ns)或類似處理。在此情形下，操作或處理涉及物理量的實體操控。通常，儘管並非必需，這些量也可採取能夠被儲存、傳送、組合、比較或以其它方式受到操控的電氣或磁信號的形式。已多次證明以位、數據、值、元件、符號、字符、術語、數目、數字或類似者指代此類信號的便利性(主要出於共有用途的原因)。然而，應理解，所有這些及類似術語將與適當物理量相關聯且僅是便利的標記。應了解，除非明確陳述，否則貫穿此說明書，利用諸如「處理」、「計算(computing) 」、「計算(calculating) 」、「確定」及「識別」的術語或類似者的論述指的是諸如一或更多個計算機或者一或多個類似電子計算裝置的計算裝置的動作或處理，這些動作或處理操控或變換表示為計算平臺的存儲器、寄存器或其它信息儲存裝置、傳輸裝置或顯示裝置內部的實體電子或磁性量的數據。
[0051]本文所論述的一或更多種系統不受限於任何特定的硬體架構或配置。計算裝置可包括部件的任何適宜的配置，該配置提供取決於一或更多個輸入的結果。適宜的計算裝置包括基於微處理器的多用途計算機系統，這些計算機系統存取經儲存的軟體，該軟體將計算系統從通用計算設備編程或配置成實施本主題的一或更多個實施方式的專用計算設備。可使用任何適宜的編程、腳本或其它類型的語言或語言組合來實施本文軟體內所含有的將用於對計算裝置編程或配置的教導。
[0052]可在這樣的計算裝置的操作中執行本文所揭示的方法的實施方式。可變化以上實例中所呈現的方塊的次序，例如，方塊可重新排序、組合及/或分裂成子方塊。可並行執行某些方塊或處理。
[0053]本文「經調適以」或「經配置以」的用法意為開放及包括性語言，並非排除經調適或經配置以執行額外任務或步驟的裝置。另外，「基於」的用法意為開放及包括性的，從而「基於」一或更多個所列舉的條件或值的處理、步驟、計算或其它動作可實際上基於超出所列舉的這些條件或值的額外條件或值。本文所包括的標題、清單及編號僅便於說明且並不意謂限制。
[0054]儘管關於本發明的特定實施方式已詳細描述本主題，應將了解，本領域的技術人員在獲得上述的理解後可易於產生此類實施方式的變更、變化及等效者。因此，應理解，呈現本揭示案的目的在於實例而非限制，且本揭示案並不排除包括這些對本主題的修改、變化及/或附加，此情況對本領域的普通技術人員應會輕易地顯而易見。
【權利要求】
1.一種半導體處理系統，所述系統包含: 多個傳感器，所述多個傳感器測量所述半導體處理系統的物理條件； 緩衝器，所述緩衝器與所述多個傳感器的至少一分組電氣地耦接以儲存傳感器數據；以及 長期儲存裝置，所述長期儲存裝置與所述緩衝器電氣地耦接以儲存在所述緩衝器處儲存的數據，且其中所述長期儲存裝置具有比所述緩衝器的採樣率更小的採樣率。
2.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述多個傳感器中至少兩個傳感器測量所述半導體處理系統的不同物理條件。
3.如權利要求1所述的半導體處理系統，進一步包含數字模擬轉換器，所述數字模擬轉換器耦接於所述多個傳感器中至少一個傳感器與所述緩衝器之間。
4.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述緩衝器包含多個緩衝器。
5.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述緩衝器包含RAM。
6.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述緩衝器以大於每微秒I位的速率儲存所述傳感器數據。
7.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述緩衝器以大於每微秒100位的速率儲存所述傳感器數據。
8.如權利要求1所述的半導體處理系統，進一步包含處理器，所述處理器與所述緩衝器及所述長期儲存裝置耦接。
9.一種用於在半導體處理系統中感測環境條件的方法，所述方法包含以下步驟: 在緩衝器內以第一採樣率儲存傳感器數據； 接收故障事件；以及 響應於接收所述故障事件，將儲存於所述緩衝器內的所述傳感器數據以第二採樣率儲存入硬碟驅動器。
10.如權利要求9所述的方法，進一步包含以下步驟:從至少兩個傳感器接收傳感器數據，這些傳感器測量半導體處理系統的不同物理條件。
11.如權利要求9所述的方法，進一步包含數字模擬轉換器，所述轉換器耦接於所述多個傳感器中至少一個傳感器與所述緩衝器之間。
12.如權利要求9所述的方法，其中所述緩衝器包含多個緩衝器。
13.如權利要求9所述的方法，其中所述緩衝器包含RAM。
14.如權利要求9所述的方法，其中傳感器數據是以大於每微秒I位的採樣率儲存在所述緩衝器內。
15.如權利要求9所述的方法，其中所述傳感器數據是以大於每微秒100位的採樣率儲存在所述緩衝器內。
【文檔編號】H01L21/02GK104488073SQ201380037597
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年6月6日 優先權日:2012年6月12日
【發明者】西蒙·亞沃伯格 申請人:應用材料公司