放射線檢測裝置及其製造方法和成像系統的製作方法

2023-09-23 09:02:25 2

放射線檢測裝置及其製造方法和成像系統的製作方法
【專利摘要】本發明涉及放射線檢測裝置及其製造方法和成像系統。一种放射線檢測裝置，包括傳感器面板，所述傳感器面板包括檢測放射線並且排列的多個傳感器單元，所述多個傳感器單元中的各傳感器單元包括像素陣列、閃爍體層和第一閃爍體保護層，所述像素陣列包括檢測光並且二維布置的多個像素，所述閃爍體層將放射線轉換為光，所述第一閃爍體保護層被設置為覆蓋所述閃爍體層，並且所述放射線檢測裝置還包括被設置為覆蓋所述多個傳感器單元的第二閃爍體保護層。
【專利說明】放射線檢測裝置及其製造方法和成像系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及放射線檢測裝置、製造該放射線檢測裝置的方法、以及成像系統。
【背景技術】
[0002]日本專利公開N0.2002-48870公開了用於大屏幕的、在其中布置多個傳感器面板的放射線檢測裝置的結構。各傳感器面板包括閃爍體層3和保護膜4 (閃爍體保護層)，閃爍體層3形成在光接收部分22 (像素部分)上，光接收部分22 (像素部分)設置在基板20上，保護膜4被形成為覆蓋閃爍體層3。以這種方式，在使用閃爍體層的放射線檢測裝置中，有必要用保護層覆蓋閃爍體層以防止閃爍體層的潮解。
[0003]根據日本專利公開N0.2002-48870，相鄰面板中的每個在其側表面上經由UV可固化樹脂被固定。在以上結構中，因為沒有像素可被布置在傳感器面板與其相鄰的傳感器面板之間的邊界上，所以具有在其中不存在像素的部分。這導致顯著的問題，除非在像素尺寸隨像素密度增大而減小的同時，相鄰傳感器面板之間的距離減小。

【發明內容】

[0004]本發明提供一種對增大用於大屏幕的放射線檢測裝置的像素密度有效的技術。
[0005]本發明在其第一方面提供一種包括傳感器面板的放射線檢測裝置，所述傳感器面板包括檢測放射線並且排列的多個傳感器單元，所述多個傳感器單元中的每個包括像素陣列、閃爍體層和第一閃爍體保護層，所述像素陣列包括檢測光並且二維布置的多個像素，所述閃爍體層將放射線轉換為光，所述第一閃爍體保護層被設置為覆蓋閃爍體層，並且所述放射線檢測裝置還包括被設置為覆蓋所述多個傳感器單元的第二閃爍體保護層。
[0006]本發明在其第二方面提供一種製造放射線檢測裝置的方法，所述方法包括:第一步驟，形成排列在基板上的多個像素的像素陣列組；第二步驟，在第一步驟中形成的像素陣列組上形成閃爍體層；第三步驟，將在第二步驟中在其上形成閃爍體層的像素陣列組分割為多個塊；第四步驟，通過對於在第三步驟中獲得的所述多個塊中的每個形成第一閃爍體保護層以便覆蓋閃爍體層來獲取多個傳感器單元；第五步驟，形成由多個傳感器單元構成的傳感器面板，所述多個傳感器單元包括在第四步驟中獲得的傳感器單元中的至少一個；以及第六步驟，在第五步驟中獲得的傳感器面板上形成第二閃爍體保護層，以便覆蓋構成傳感器面板的所述多個傳感器單元。
[0007]從以下參照附圖對示例性實施例的描述，本發明的進一步的特徵將變得清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A至IC是用於解釋第一實施例的布置的例子的示圖；
[0009]圖2A和2B是用於解釋第一實施例的布置的例子的放大圖；
[0010]圖3是用於解釋比較例子的放大圖；
[0011]圖4A和4B是用於解釋第一實施例的布置的另一個例子的示圖；[0012]圖5A至5G是用於解釋第一實施例的製造方法的例子的示圖；
[0013]圖6A和6B是用於解釋第二實施例的布置的例子的示圖；
[0014]圖7A至7G是用於解釋第二實施例的製造方法的例子的示圖；
[0015]圖8是用於解釋對系統的應用例子的示圖；和
[0016]圖9是用於解釋通過實施例和比較例子獲得的結果的示圖。
【具體實施方式】
[0017](第一實施例)
[0018]將參照圖1A至5來描述第一實施例的放射線檢測裝置11。圖1A至IC示意性地示出放射線檢測裝置11的結構。圖1A是放射線檢測裝置11的示意性平面圖。圖1B示意性地示出沿著圖1A中示出的切割線X-X'截取的放射線檢測裝置11的截面結構。圖1C示意性地示出沿著切割線Y-Y'截取的放射線檢測裝置11的截面結構。放射線檢測裝置11包括傳感器面板30，在傳感器面板30中，排列用於檢測放射線(包括電磁波，比如，X射線、α射線、β射線和Y射線)的多個傳感器單元20。圖1A示出四個傳感器單元20。然而，傳感器單元20的數量不限於四個，可以是兩個或三個或五個或更多個。多個傳感器單元20包括例如被布置為彼此相鄰的第一傳感器單元20i和第二傳感器單元202。各個傳感器單元20可通過粘附層32被布置在基座35上。基座35可支承用粘附層32固定的各個傳感器單元20。
[0019]圖2A和2B是示意性地示出第一傳感器單元20i和第二傳感器單元202之間的邊界區域K的放大圖。圖2A是邊界區域K的截面圖。圖2B是邊界區域K的平面圖。
[0020]各傳感器單元20包括像素陣列22、閃爍體層40和第一閃爍體保護層41，像素陣列22具有在基板15上二維布置的、用於檢測光的多個像素21，閃爍體層40用於將放射線轉換為光，第一閃爍體保護層41被設置為覆蓋閃爍體層40。放射線檢測裝置11還包括被設置為覆蓋多個傳感器單元20的第二閃爍體保護層42。放射線檢測裝置11包括設置在傳感器面板30與第二閃爍體保護層42之間的反射層50。
[0021]各像素21可包括作為光電轉換元件的傳感器(例如，PIN光電二極體傳感器或MIS傳感器)和用於讀取傳感器獲得的電信號的多個開關元件(TFT等)。讀取的信號在經過了預先確定的信號處理之後可經由互連80從信號輸入/輸出單元70輸出到外部信號處理電路板(未示出)。閃爍體層40可通過保護膜25設置在像素陣列22上，保護膜25用於保護像素陣列22。另外，由摻雜例如鉈(TI)的碘化銫(CsI)製成的柱晶層可適合用作閃爍體層40。
[0022]第一閃爍體保護層41是用於防止由於外部環境而導致閃爍體層40劣化(例如，由於潮溼而導致潮解)的保護層。參照圖1A至1C，第一閃爍體保護層41覆蓋整個基板15和閃爍體層40。然而，本實施例不限於這種形狀。例如，基板15的底面無需被該層覆蓋。優選地，對於第一閃爍體保護層41，使用例如有機密封材料，比如，矽樹脂、丙烯酸樹脂、或者環氧樹脂、或者熱熔樹脂(比如，聚酯樹脂、聚烯烴樹脂或聚醯胺樹脂)，特別是，具有低透溼性的樹脂。可使用例如以下有機膜作為第一閃爍體保護層41:通過CVD法形成的有機膜(t匕如，聚-對二甲苯(聚對二甲苯)或polyuria膜)、或者由通過塗覆處理和乾燥處理從液體材料形成的氟基/氯基樹脂等製成的有機膜。[0023]在這種情況下，g表示第一傳感器單元20i的像素陣列22與第二傳感器單元202的像素陣列22之間的距離，P表示各像素陣列22中的像素21的節距(pitch)，L表示從像素的中心到像素212的中心的距離。像素是第一傳感器單元2(^的像素陣列22的位於最靠近第二傳感器單元202的像素中的一個。像素212是第二傳感器單元202的像素陣列22的位於最靠近像素的像素。
[0024]隨著第一閃爍體保護層的厚度tl增大，第一閃爍體保護層41增強防止閃爍體層40潮溼的功能。然而，隨著厚度tl增大,距離g增大。也就是說,如果例如L>2p，則作為邊界區域K的兩側的兩個像素21之間的間隔(例如，像素與像素212之間的距離)，與邊界區域K中的一個像素列對應的放射線信息丟失。放射線檢測裝置11可被配置為建立tl ( l/2x g和3/2x P的關係。這可將邊界區域中的放射線信息損失減小到至少1/2或更小。如果例如像素21的節距P為50 μ m，則優選地，例如，將第一閃爍體保護層41的厚度tl設定為20 μ m或更小,更優選地,5 μ m或更小，並且將距離g設定為IOym或更小。這可改進反射層50的反射效率，並且改進圖像清晰度。
[0025]另外，如圖2A所示，第一傳感器單元20i和第二傳感器單元202優選地被布置為使得它們的第一閃爍體保護層41在它們的整個側表面上彼此接觸。這是因為這種布置防止當排列(鋪設)多個傳感器單元20時在相鄰的傳感器單元20之間的邊界部分中產生間隙。例如，如圖3所示，如果各閃爍體構件在閃爍體層40的側表面上具有凸形部分45，則產生間隙60，從而不理想地增大距離g。相鄰的傳感器單元20因此優選地被排列為使得它們的第一閃爍體保護層41在它們的整個側表面上彼此接觸。另一方面，彼此不相鄰的傳感器單元20的側表面不限於這種形狀。
[0026]第一閃爍體保護層41可防止在放射線檢測裝置11的製造處理期間閃爍體層40劣化。第二閃爍體保護層42可防止在放射線檢測裝置11的製造處理之後閃爍體層40劣化。因此，根據以上關係表達式，第一閃爍體保護層41和第二閃爍體保護層42可被設置為使得第一閃爍體保護層41的厚度tl變為小於第二閃爍體保護層42的厚度。儘管圖1A示出了覆蓋整個基座35和傳感器單元 20的第二閃爍體保護層42，但是本實施例不限於這種形狀。例如，在放射線檢測裝置11中，第二閃爍體保護層42可被設置為覆蓋基座35的傳感器單元20和傳感器單元20。換句話講，第二閃爍體保護層42可被設置為至少覆蓋粘附層32與傳感器單元20之間的邊界、粘附層32、粘附層32與基座35之間的邊界、第一閃爍體保護層41、以及第一閃爍體保護層41與反射層50之間的邊界。與用於第一閃爍體保護層41的材料相同的材料可用於第二閃爍體保護層42。如果例如聚-對二甲苯或氟/氯樹脂用於第二閃爍體保護層42，則第二閃爍體保護層42的厚度為50 μ m或更大，更優選地，100 μ m或更大。
[0027]如圖1A和IB中所例示的，優選地，在多個傳感器單元20的整個上表面上整體地形成反射層50。整體地形成反射層50將有效地防止在邊界區域K中可能發生的光的特定反射、光洩漏到外部、以及光入射到相鄰的傳感器單元20上，從而防止邊界區域K中的解析度降低。可將例如金屬(比如，鋁(Al)或銀(Ag))用於反射層50。
[0028]另外，如圖4A中所例示的，可在放射線檢測裝置11的側表面部分上設置密封樹脂90，以進一步改進防潮效果。例如，環氧樹脂、丙烯酸樹脂等可用於密封樹脂90。
[0029]下面將參照圖5A至5G來描述製造放射線檢測裝置11的方法的例子。首先，如圖5A中所例示的，製備在其上形成像素陣列的基板15A，並且根據需要形成保護膜25(製備處理)。如圖5B中所例示的，在基板15A上形成閃爍體層40，以獲得基板15B (形成閃爍體層40的處理)。閃爍體層40通過例如真空氣相沉積法來形成，並且如上所述，具有柱晶結構的材料(比如，Cs1:Tl)可適合使用。這樣的柱晶結構可通過適當地設定沉積時的沉積溫度和沉積壓力來形成。
[0030]隨後，如圖5C中所例示的，對基板15B進行切割(cut)(或分割)，以獲得多個塊(基板15C)(切割處理)。通過該切割處理，獲得基板15C，以免在閃爍體層40的側表面上形成閃爍體構件的任何凸形部分45。在這個切割處理中，有必要執行乾式割切(dice)，以防止閃爍體層40劣化。因此，優選地，通過使用金剛石鋸的割切、乾式類型刀片割切等來執行切割處理。當使用矽基板時，可通過使用雷射磨削的割切操作、隱形(stealth )割切操作等來執行切割處理。可替換地，可預先在基板15B的在與其上設置閃爍體層40的表面相反的側的表面上形成切割線，並且然後通過劃線(scribe)來切割基板，以不形成任何凸形部分45。
[0031]如圖所例示的，在各個基板15C上形成第一閃爍體保護層41，以獲得多個傳感器單元20 (形成傳感器單元20的處理)。優選地，在切割處理之後立即執行該處理，以防止由於潮溼而導致閃爍體層40劣化。如上所述，第一閃爍體保護層41可通過CVD法、塗覆法等來形成。
[0032]如圖5E中所例示的，通過粘附層32將各個傳感器單元20排列(鋪設)在基座35上，以獲得傳感器面板30 (排列處理)。在這個處理中，如上所述，各個傳感器單元20被排列為使得各個第一閃爍體保護層41在整個它們的處於相鄰的傳感器單元20之間的側表面上彼此接觸。
[0033]隨後，如圖5F中所例示的，在多個傳感器單元20的整個上表面上整體地形成反射層50，以獲得基板15F (形成反射層50的處理)。如上所述，鋁、銀等可用於反射層50。反射層50可通過經由真空沉積、濺射法等的成膜來形成。可替換地，片狀或板狀板構件可被設置為反射層50。
[0034]最後，如圖5G中所例示的，形成第二閃爍體保護層42以覆蓋傳感器面板30和反射層50，以獲得放射線檢測裝置11 (形成放射線檢測裝置11的處理)。如上所述，形成第二閃爍體保護層42的方法可使用CVD法、塗覆法等。如圖4B中所例示的，可形成具有第二閃爍體保護層42和反射層50這二者的功能的層(片材95)，代替形成第二閃爍體保護層42和反射層50。
[0035]按以上方式，獲得放射線檢測裝置11。這種製造方法可在確保閃爍體層40的防潮效果的同時單個地形成各傳感器單元20，並且還可根據需要形成尺寸與目的/應用對應的放射線檢測裝置11。本實施例對增大用於大屏幕的、在其中排列多個傳感器單元20的放射線檢測裝置的像素密度是有效的。
[0036](第二實施例)
[0037]將參照圖6A和6B以及7A至7G來描述第二實施例的放射線檢測裝置12。如圖6A和6B所示，本實施例與第一實施例的不同之處在於放射線檢測裝置是背側照射類型。像圖1B那樣，圖6A示意性地示出放射線檢測裝置12的截面結構。像圖1C那樣，圖6B示意性地示出放射線檢測裝置12的截面結構。在放射線檢測裝置12中，傳感器單元20通過粘附層32排列在基座35上，在基座35上設置了反射層50。具有高透射率的材料用於粘附層32，以確保反射層50的反射效率。粘附層32的厚度可以為例如25 μ m或更小，更優選地，10 μ m或更小。
[0038]在這種情況下，因為放射線檢測裝置12是背側照射類型，所以優選地，通過拋光等根據放射線的能量來減小傳感器單元20的基板15的厚度。如果例如基板15是矽基板、玻璃基板等，則優選地，將它的厚度設定為0.5mm或更小,更優選地,0.3mm或更小。可通過在製造處理中的早期階段使用具有以上厚度的基板15來形成傳感器單元20，或者可使用具有在早期階段確保的預先確定的厚度的基板15，並且在製造處理中途將基板15拋光為以上厚度。當對基板15進行拋光時，無需用第一閃爍體保護層41覆蓋將被放射線照射的表面。
[0039]將參照圖7A至7G來描述製造放射線檢測裝置12的方法的例子。如圖7A至7D所例示的，直到形成多個傳感器單元20的處理可以按與第一實施例中的方式相同的方式執行。其後，如圖7E所例示的，在其上設置了反射層50的基座35上通過粘附層32排列(鋪設)各傳感器單元20，來獲得傳感器面板30 (排列處理)。在這種情況下，傳感器面板30通過下述方式形成，即，排列各傳感器單元20，以使得其位於靠近基板15和閃爍體層40中的閃爍體層40的表面與反射層50和基座35接觸。
[0040]如果有必要減小基板15的厚度，則如圖7F中所例示的，對基板15進行拋光(拋光處理)。可對各傳感器單元20的位於靠近基板15和閃爍體層40中的基板15的表面執行這個拋光處理。可在對基板15進行拋光的同時去除第一閃爍體保護層41。可通過乾式拋光來執行拋光處理，以防止閃爍體層40劣化。還可通過溼式拋光來執行這個處理，只要可防止劣化即可。最後，如圖7G中所例示的，以與第一實施例中的方式相同的方式形成第二閃爍體保護層42，以獲得放射線檢測裝置12 (形成放射線檢測裝置12的處理)。
[0041]按以上方式，獲得放射線檢測裝置12。這種製造方法可在確保閃爍體層40的防潮效果的同時單個地形成各傳感器單元20，並且還可根據需要形成尺寸對應於目的/應用的放射線檢測裝置12。本實施例對增大用於大屏幕的、在其中排列多個傳感器單元20的放射線檢測裝置的像素密度是有效的。
[0042]儘管以上描述了兩個實施例，但是本發明不限於它們，目的、狀態、應用、功能和其他規範可根據需要而改變，並且可通過其他實施例實現。
[0043](應用)
[0044]根據上述各實施例的放射線檢測裝置可應用於成像系統。成像系統包括例如放射線檢測裝置、信號處理單元、顯示單元和放射線源，信號處理單元包括圖像處理器，顯示單元包括顯示器，放射線源用於產生放射線。例如，如圖8所示，X射線管6050產生的X射線6060透射通過對象6061 (比如，患者)的胸部區域6062，並進入放射線檢測裝置6040。入射的X射線包括關於患者6061的體內信息的信息。閃爍體根據入射的X射線發射光。傳感器面板檢測該光來獲得電信息。其後，該信息被數字地轉換。圖像處理器6070 (信號處理單元)對該信息執行圖像處理。控制室中的顯示器6080 (顯示單元)可顯示所得的圖像。包括網絡6090 (比如，LAN或網際網路)的傳輸處理裝置還可將該信息傳送到遠程位置。這使得可在另一個地方的醫生室等中的顯示器6081上顯示該信息，並且使得遠程位置的醫生可進行診斷。另外，該信息可被存儲在例如光碟中。可替換地，膠片處理器6100可將該信息記錄在記錄介質(比如，膠片6210)上。
[0045]將參照圖9來主要描述通過實施例和根據各個實施例的比較例子關於厚度tl與距離g之間的關係獲得的結果。
[0046](比較例子I)
[0047]根據第一實施例中的過程(見圖5A至5G)來形成用於比較例子I的放射線檢測裝置。像素的節距P被設定為50 μ m。在傳感器陣列上形成氧化矽(SiNx)，並且在所得的結構上形成保護膜25 (厚度:7μπι)。保護膜25通過下述方式形成，S卩，通過旋塗法塗覆聚醯亞胺樹脂，然後通過熱量使該樹脂固化。關於閃爍體層40，由Cs1:Tl製成的閃爍體層40 (厚度:200 μ m)通過真空沉積法形成。第一閃爍體保護層41被形成為使得厚度tl變為25 μ m。在形成第一閃爍體保護層41的處理(形成傳感器單元20的處理)中，在執行掩膜處理的同時，通過使用聚-對二甲苯(聚對二甲苯)的真空沉積法來形成該層，以免在信號輸入/輸出單元70上形成第一閃爍體保護層41。在排列處理之後，用紫外線固化環氧樹脂填充間隙60，並且通過用紫外線(UV)照射該樹脂來使該樹脂固化。該處理可使第一閃爍體保護層41的上表面平面化。通過沉積法在第一閃爍體保護層41上形成鋁(Al)反射層50 (厚度:200nm)。像第一閃爍體保護層41那樣，聚-對二甲苯(聚對二甲苯)用於第二閃爍體保護層42。通過沉積法形成第二閃爍體保護層42(厚度:50μπι)。同樣在這種情況下，執行掩膜處理，以免在信號輸入/輸出單元70上形成第一閃爍體保護層41，並且形成第二閃爍體保護層42。在最後獲得的放射線檢測裝置中，距離g為50 μ m，距離L為100 μ m。像素的節距p為50 μ m，並且相鄰傳感器單元20之間的邊界區域包括不可布置像素的部分。因此，在這種情況下，與一個像素列(50 μ m)對應的圖像信息丟失。
[0048](比較例子2)
[0049]比較例子2與比較例子I相同，除了第一閃爍體保護層41的厚度tl被設定為
12.5 μ m之外。在以這種方式獲得的放射線檢測裝置中，距離g為25 μ m，距離L為75 μ m。在這種情況下，像素的節距P為50 μ m。由於這個原因，在相鄰傳感器單元20之間的邊界區域中，與一個像素列的1/2對應的圖像信息丟失。
[0050](例子1-1)
[0051]例子1-1與比較例子I相同，除了第一閃爍體保護層41的厚度tl為6.25μπι之夕卜。在以這種方式獲得的放射線檢測裝置中，距離g為12.5 μ m，距離L為62.5 μ m。在這種情況下，像素的節距P為50 μ m。由於這個原因，相鄰傳感器單元20之間的邊界區域中丟失的圖像信息被抑制為一個像素列的1/4，並且該裝置沒有任何像素異常或缺陷(比如，圖像不規則或輸出變化)。另外，作為耐溼測試(溫度:50°C，溼度:90%RH)的結果，即使過去10天後，以這種方式獲得的放射線檢測裝置在發射的光量和閃爍體層40的清晰度上也沒有降低。
[0052](例子1-2)
[0053]例子1-2與例子1-1相同，除了第一閃爍體保護層41的厚度tl為5μπι之外。在以這種方式獲得的放射線檢測裝置中,距離g為10 μ m，距離L為60 μ m。在這種情況下，像素的節距P為50 μ m。這獲得高度可靠的放射線檢測裝置，在該放射線檢測裝置中，在相鄰傳感器單元20之間的邊界區域中丟失的圖像信息被抑制為一個像素列的1/5，並且該放射線檢測裝置具有與例子1-1的耐溼性相同的耐溼性。[0054](例子1-3)
[0055]例子1-3與例子1-1相同，除了第一閃爍體保護層41的厚度tl為2.5 μ m之外。在以這種方式獲得的放射線檢測裝置中，距離g為5μπι，距離L為55 μ m。在這種情況下，像素的節距P為50 μ m。這獲得高度可靠的放射線檢測裝置，在該放射線檢測裝置中，在相鄰傳感器單元20之間的邊界區域中丟失的圖像信息被抑制為一個像素列的1/10，並且該放射線檢測裝置具有與例子1-1的耐溼性相同的耐溼性。
[0056]以下示出通過其他例子和比較例子獲得的結果。
[0057](比較例子3)
[0058]在比較例子3中，在沒有第二閃爍體保護層42的放射線檢測裝置上進行耐溼測試(溫度:50°C，溼度:90%RH)。根據測試三天之後的MTF (調製傳遞函數)，2LP/mm線對/mm(LinePair/mm)的值減小大約30%,發射的光量減少大約10%。
[0059](例子2)
[0060]例子2示出當在例子1-1中描述的放射線檢測裝置中在如圖4A中所例示的那樣形成第二閃爍體保護層42之後設置密封樹脂90時獲得的結果。密封樹脂90通過下述方式形成，即，塗覆熱固性粘合劑(可從Ajinomoto Fine-Techno得到的AE-901T-DA),並將它放置(於60°C持續30分鐘)。如例子1-1中那樣，這種方法獲得高度可靠的放射線檢測裝置，在該放射線檢測裝置中，在相鄰傳感器單元20之間的邊界區域中丟失的圖像信息被抑制為一個像素列的1/4，並且該放射線檢測裝置具有耐溼性。
[0061](例子3)
[0062]例子3示出當如圖4B中所例示的那樣例子1-1中描述的放射線檢測裝置被設置具有反射層50和第二閃爍體保護層42這兩者的功能的片材95 (代替反射層50和第二閃爍體保護層42)時獲得的結果。作為片材95，使用厚度為20 μ m的鋁箔與其粘結的PEF片材。片材95通過厚度為10 μ m的粘合層(未示出)被粘結。除了例子1-1的效果之外，這種方法還可省略形成第二閃爍體保護層42的處理，因此可降低成本。
[0063](例子4)
[0064]在例子4中，遵循第二實施例中的過程(見圖7A至7G)來形成放射線檢測裝置。這個過程直到形成各傳感器單元20的處理都與例子1-1中的處理相同(見圖7A至7D)。傳感器單元20通過粘合層32(厚度為10 μ m的丙烯酸粘合片材)被粘結到其上形成了反射層50的基座35上(圖7E)。其後，對各傳感器單元20的基板15 (矽基板)進行拋光。拋光之後的殘留物通過吹氣來去除(圖7F)。通過乾式拋光來執行該拋光處理，以獲得厚度為0.2mm的基板15。最後，形成第二閃爍體保護層42，以獲得放射線檢測裝置(圖7G)。該放射線檢測裝置是背側照射類型。除了例子I至3中描述的效果之外，由於放射線從背側進入，這使得還可獲得改進圖像清晰度的效果。
[0065]儘管已參照示例性實施例描述了本發明，但是要理解本發明不限於公開的示例性實施例。所附權利要求的範圍應被賦予最寬泛的解釋，以便包含所有這樣的修改以及等同的結構和功能。
【權利要求】
1.一種包括傳感器面板的放射線檢測裝置，在所述傳感器面板中，排列了檢測放射線的多個傳感器單元， 所述多個傳感器單元中的各傳感器單元包括像素陣列、閃爍體層和第一閃爍體保護層，在所述像素陣列中，二維布置檢測光的多個像素，所述閃爍體層將放射線轉換為光，所述第一閃爍體保護層被設置為覆蓋所述閃爍體層，並且 所述放射線檢測裝置還包括被設置為覆蓋所述多個傳感器單元的第二閃爍體保護層。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述多個傳感器單元包括彼此相鄰的第一傳感器單元和第二傳感器單元，並且 設P為每個所述像素陣列中的像素的節距，tl為所述第一閃爍體保護層的厚度，g為所述第一傳感器單元的像素陣列與所述第二傳感器單元的像素陣列之間的距離，以及L為從所述第一傳感器單元的像素陣列中被設置在最靠近所述第二傳感器單元的位置處的像素的中心到所述第二傳感器單元的像素陣列中被設置在最靠近所述像素的位置處的像素的中心的距離，則 tl ≤l/2x g 並且 L ≤ 3/2x p。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一閃爍體保護層的厚度小於所述第二閃爍體保護層的厚度。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器單元和與其相鄰的所述傳感器單元被設置為使得所述各傳感器單元的所述第一閃爍體保護層在其整個側表面上彼此接觸。
5.根據權利要求1所述的裝置，還包括設置在所述傳感器面板與所述第二閃爍體保護層之間的反射層， 所述反射層整體地形成在所述多個傳感器單元的整個上表面上。
6.根據權利要求5所述的裝置，還包括基座和粘附層，所述基座支承所述多個傳感器單元，所述粘附層將所述多個傳感器單元固定到所述基座， 其中，所述第二閃爍體保護層被設置為至少覆蓋所述粘附層與所述傳感器單元之間的邊界、所述粘附層、所述粘附層與所述基座之間的邊界、所述第一閃爍體保護層、以及所述第一閃爍體保護層與所述反射層之間的邊界。
7.一種成像系統，包括: 權利要求1至6中任何一項中限定的放射線檢測裝置； 信號處理單元，所述信號處理單元對來自所述放射線檢測裝置的信號進行處理； 顯示單元，所述顯示單元顯示來自所述信號處理單元的信號；和 放射線源，所述放射線源產生放射線。
8.—種製造放射線檢測裝置的方法，所述方法包括: 第一步驟，形成排列在基板上的多個像素的像素陣列組； 第二步驟，在第一步驟中形成的像素陣列組上形成閃爍體層； 第三步驟，將在第二步驟中在其上形成所述閃爍體層的所述像素陣列組分割為多個塊； 第四步驟，通過對於在第三步驟中獲得的所述多個塊中的各個塊形成第一閃爍體保護層以便覆蓋閃爍體層，來獲取多個傳感器單元； 第五步驟，形成由包括在第四步驟中獲得的傳感器單元中的至少一個的多個傳感器單元構成的傳感器面板；和 第六步驟，在第五步驟中獲得的傳感器面板上形成第二閃爍體保護層，以便覆蓋構成所述傳感器面板的所述多個傳感器單元。
【文檔編號】H01L27/146GK103515404SQ201310237615
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月17日 優先權日:2012年6月20日
【發明者】石田陽平, 岡田聰, 長野和美, 猿田尚志郎, 野村慶一 申請人:佳能株式會社