新型半導體雷射脫毛手柄的製作方法
2023-10-25 04:54:02 1
新型半導體雷射脫毛手柄的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種光斑均勻、導光率高、發熱量小、故障率低、而且使用壽命長的新型半導體雷射脫毛手柄。包括安裝在手柄殼體內的半導體雷射器，所述半導體雷射器的發光端安裝有導光晶體，所述半導體雷射器的發光端和所述導光晶體之間安裝有雷射整形透鏡；還包括冷卻裝置。
【專利說明】新型半導體雷射脫毛手柄
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體雷射脫毛手柄。
【背景技術】
[0002]半導體雷射脫毛是一種非侵入性的現代脫毛技術，它能夠安全、快速、永久地去除身體多餘的毛髮。半導體雷射脫毛是基於選擇性光熱作用理論，讓特定波長的雷射穿透表皮，不損傷表皮毛囊，毛幹中的黑色素選擇性地吸收雷射能量，毛囊受熱凝固壞死，毛髮便不再生長。半導體雷射脫毛適用的範圍很廣，治療部位包括:唇上、唇、腋下、臂、大臂、小腿、大腿等，不會對玄色素的處理有局限性，對任何膚色的人都不會挑剔。同時半導體雷射脫毛儀擁有可調的脈衝寬度、能量及照射時間，他的這些選擇性都進步了，不會對脫毛部位的皮膚造成損傷。半導體雷射脫毛治療效果好，不會影響患者的工作、學習和生活。但現有半導體雷射脫毛手柄由於半導體雷射器自己結構的特點，其輸出光束在垂直於結平面(快軸方向)和平行於結平面(慢軸方向)方向的發散角不同，其中快軸方向具有很大的發散角，約為40度，而慢軸方向的發散角小，只有10度左右。半導體雷射器的發光面輸出的光斑形狀為橢圓形。會有大約20%的雷射不能進入導光晶體，未進入導光晶體的雷射照射在雷射器安裝固定殼上，導致外殼的溫度升高，容易造成外殼的過熱而損壞。現有導光晶體的端面直接接觸半導體雷射器發光端面來傳導雷射，一方面耦合效率較低，只有約80%，另一方面兩者直接接觸時，導光晶體的溫度低，會導致半導體雷射器發光端面出現結露現象，結露會導致發光面燒毀。
[0003]有鑑於上述的缺陷，本設計人，積極加以研究創新，以期創設一種新型半導體雷射脫毛手柄，使其更具有產業上的利用價值。
實用新型內容
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型的目的是提供一種光斑均勻、導光率高、發熱量小、故障率低，而且使用壽命長的新型半導體雷射脫毛手柄。
[0005]本實用新型的新型半導體雷射脫毛手柄，包括安裝在手柄殼體內的半導體雷射器，所述半導體雷射器的發光端安裝有導光晶體，所述半導體雷射器的發光端和所述導光晶體之間安裝有雷射整形透鏡；還包括冷卻裝置。
[0006]進一步的，所述雷射整形透鏡為柱透鏡。
[0007]進一步的，所述導光晶體的雷射輸入面面積小於所述導光晶體的雷射輸出面的面積。
[0008]進一步的，所述導光晶體為正四稜台形，正四稜台形的所述導光晶體的小端端面相鄰於所述半導體雷射器的輸出端。
[0009]進一步的，所述導光晶體的等腰梯形側表面的腰和與所述雷射整形透鏡相鄰的底邊的夾角大於110°。
[0010]進一步的，所述半導體雷射器為垂直疊陣半導體雷射器。
[0011]進一步的，所述導光晶體的側表面鍍有全反膜。
[0012]進一步的，所述冷卻裝置包括安裝在所述導光晶體外的金屬冷卻座，所述金屬冷卻座上可拆卸安裝有位於所述導光晶體出光端的金屬冷敷頭，所述冷卻裝置還包括對金屬冷卻座製冷的製冷裝置。
[0013]進一步的，所述金屬冷卻座為銅冷卻座，所述金屬冷敷頭為銅冷敷頭。
[0014]進一步的，所述金屬冷敷頭的外端面的長度和寬度分別大於所述導光晶體的出光端的長度和寬度。
[0015]藉由上述方案，本實用新型至少具有以下優點:採用垂直疊陣半導體雷射器，並在半導體雷射器和導光晶體之間插入柱透鏡，壓縮快軸方向的發散角至10度，使半導體雷射器的輸出光斑均勻，增加導光晶體的耦合率至98%。針對雷射光束髮散的問題，採用了雷射輸入端面小於雷射輸出端面的導光晶體，同時導光晶體的側表面鍍全反膜，增加了導光晶體的導光率。
[0016]上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，並可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型新型半導體雷射脫毛手柄的結構示意圖；
[0018]圖2是本實用新型新型實施例中半導體雷射器、導光晶體以及柱透鏡的安裝位置示意圖；
[0019]圖3是本實用新型實施例中正四稜台形導光晶體的結構示意圖；
[0020]圖4是本實用新型實施例中正四稜台形導光晶體的主視圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用於說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的範圍。
[0022]參見圖1和圖2所示，新型半導體雷射脫毛手柄，包括安裝在手柄殼體I內的半導體雷射器2，所述半導體雷射器2為垂直疊陣808nm半導體雷射器。所述半導體雷射器2的發光端安裝有導光晶體3，所述導光晶體3的側表面鍍有全反膜，所述全反膜為808nm全反膜。所述半導體雷射器2的發光端和所述導光晶體3之間安裝有雷射整形透鏡4，所述雷射整形透鏡4為柱透鏡；還包括冷卻裝置。
[0023]如圖3和圖4所不,所述導光晶體3的雷射輸入面面積小於所述導光晶體3的雷射輸出面的面積。所述導光晶體3為正四稜台形，正四稜台形的所述導光晶體3的小端端面相鄰於所述半導體雷射器2的輸出端。所述正四稜台形的導光晶體3各個側表面均為等腰梯形，所述導光晶體3的等腰梯形側表面的腰5和與所述雷射整形透鏡相鄰的底邊6的夾角為120°。手柄殼體內安裝有垂直疊陣808nm半導體雷射器，半導體雷射器輸出的雷射經過柱透鏡整形，光斑變得均勻，然後耦合進入導光晶體，所述導光晶體3的雷射輸入面面積小於所述導光晶體3的雷射輸出面的面積，所述導光晶體3的等腰梯形側表面的腰5和與所述雷射整形透鏡相鄰的底邊6的夾角為大於110°的120°夾角，當採用808nm半導體雷射器時，所述導光晶體3的等腰梯形側表面的腰5和與所述雷射整形透鏡相鄰的底邊6的夾角還可以為大於110°的其他度數，導光晶體能夠完全把808nm雷射傳導至皮膚，而不會在傳導過程中發生漏光現象。
[0024]如圖1所示，所述冷卻裝置包括安裝在所述導光晶體3外的金屬冷卻座，所述金屬冷卻座上可拆卸安裝有位於所述導光晶體3出光端的金屬冷敷頭8，所述冷卻裝置還包括對金屬冷卻座製冷的製冷裝置。所述金屬冷卻座為銅冷卻座，所述金屬冷敷頭8為銅冷敷頭。製冷裝置對金屬冷卻座進行製冷，進而降低了金屬冷敷頭8的溫度，所述製冷裝置可以採用半導體製冷片，所述冷卻裝置還包括安裝在所述半導體製冷片外側的水箱7，通過水循環，把熱量帶走。所述金屬冷敷頭8對皮膚進行冷敷，防止了雷射能量照射所導致的皮膚表面燙傷，進而減少了術後恢復時間。
[0025]所述金屬冷敷頭8的外端面的長度和寬度分別大於所述導光晶體3的出光端的長度和寬度。使得皮膚的受熱範圍小於金屬冷敷頭8進行冷卻的範圍，方便了操作。
[0026]採用垂直疊陣半導體雷射器，並在半導體雷射器和導光晶體之間插入柱透鏡，壓縮快軸方向的發散角至10度，使半導體雷射器的輸出光斑均勻，增加導光晶體的耦合率至98%。針對雷射光束髮散的問題，採用了雷射輸入端面小於雷射輸出端面的導光晶體，同時導光晶體的側表面鍍808nm全反膜，增加了導光晶體的導光率。減少了半導體雷射脫毛手柄中相關結構件對未在導光晶體中傳輸雷射的吸收，減少了半導體雷射脫毛手柄容易過熱而損壞問題。
[0027]以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，並不用於限制本實用新型，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:包括安裝在手柄殼體內的半導體雷射器，所述半導體雷射器的發光端安裝有導光晶體，所述半導體雷射器的發光端和所述導光晶體之間安裝有雷射整形透鏡；還包括冷卻裝置。
2.根據權利要求1所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述雷射整形透鏡為柱透鏡。
3.根據權利要求1所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述導光晶體的雷射輸入面面積小於所述導光晶體的雷射輸出面的面積。
4.根據權利要求3所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述導光晶體為正四稜台形，正四稜台形的所述導光晶體的小端端面相鄰於所述半導體雷射器的輸出端。
5.根據權利要求4所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述導光晶體的等腰梯形側表面的腰和與所述雷射整形透鏡相鄰的底邊的夾角大於110°。
6.根據權利要求1所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述半導體雷射器為垂直疊陣半導體雷射器。
7.根據權利要求1所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述導光晶體的側表面鍍有全反膜。
8.根據權利要求1至7任一權利要求所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述冷卻裝置包括安裝在所述導光晶體外的金屬冷卻座，所述金屬冷卻座上可拆卸安裝有位於所述導光晶體出光端的金屬冷敷頭，所述冷卻裝置還包括對金屬冷卻座製冷的製冷裝置。
9.根據權利要求8所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述金屬冷卻座為銅冷卻座，所述金屬冷敷頭為銅冷敷頭。
10.根據權利要求8所述的新型半導體雷射脫毛手柄，其特徵在於:所述金屬冷敷頭的外端面的長度和寬度分別大於所述導光晶體的出光端的長度和寬度。
【文檔編號】A61B18/20GK203953810SQ201420394696
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年7月16日 優先權日:2014年7月16日
【發明者】焦文 申請人:北京康鼎醫療科技有限公司