高頻模塊的製作方法

2023-09-22 16:46:40 1

專利名稱：高頻模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及進行將發送信號和接收信號分離的處理的高頻模塊。
技術背景近年來，可對應多頻帶(multiband)便攜電話機正在實用化。眾所 周知，作為能夠以時分多址連接方式對應多個頻帶的便攜電話機中的前 端模塊，利用開關電路進行發送信號和接收信號的切換。這樣的前端模 塊例如被稱為天線開關模塊或者高頻開關模塊。在本申請中，將包含這 樣的前端模塊且進行高頻信號的處理的電路和用於將該電路一體化的 基板的複合體，稱為高頻模塊。作為高頻模塊中的基板，例如使用包含 層疊的多個電介質層的層疊基板。在使用了層疊基板的前端模塊中，有時幾個電路要素使用層疊基板 內的導體層構成，作為 一個以上的其它電路要素的 一個以上的元件搭載 在層疊基板的上表面。作為搭載在層疊基板的上表面上的元件，例如， 存在使用彈性表面波(SAW)元件構成並使接收信號通過的SAW濾波 器。另外，在這樣的前端模塊中，用於與外部電路連接的多個外部端子 有時配置在層疊基板的底面。在特開2004-364051號公報中公開了如下 高頻模塊在層疊基板的上表面搭載SAW濾波器，並且在層疊基板的 底面配置多個外部端子。另外，例如最近特開2003-142981號公報、特開2003-338724號公 報記載那樣，在前端模塊中，作為使接收信號通過的SAW濾波器，提 出使用具有輸出平衡信號的兩個輸出端子的SAW濾波器。在前端模塊中，在層疊基板的上表面搭載SAW濾波器、在層疊基 板的底面配置多個外部端子的情況下，需要連接SAW濾波器和外部端 子的信號路徑。在特開2004-364051號公報的圖5以及圖6中，記載有 這樣的信號路徑，即，作為連接搭載在層疊基板的上表面上的SAW濾 波器和配置在層疊基板的底面的外部端子的信號路徑，使用設置在層疊 基板內的通孔以及導體層、和設置在層疊基板側面的側面端子電極構 成。但是，在這樣的結構的信號路徑中，信號路徑的一部分配置成在層疊基板上迂迴，因此信號路徑變長，其結果，存在信號路徑的插入損失 變大這樣的問題。另外，在該信號路徑中，由於信號路徑的一部分配置 在層疊基板的側面，因此存在容易受到來自模塊外部的電路的幹擾這樣 的問題。
但是，在前端模塊中，在層疊基板的上表面搭載具有輸出平衡信號
的兩個輸出端子的SAW濾波器、且連接在兩個輸出端子的兩個外部端
子配置在層疊基板的底面的情況下，為了連接兩個輸出端子和兩個外部
端子，需要兩條信號路徑。此處，連接在SAW濾波器的兩個輸出端子 的兩個外部端子之間的距離不限於與SAW濾波器的兩個輸出端子之間 的距離相等，不同的情況較多。這樣，在連接在兩個輸出端子的兩個外 部端子之間的距離與SAW濾波器的兩個輸出端子之間的距離不同的情 況下，存在兩條信號路徑的長度因此而不同的可能性。並且，像這樣兩 條信號路徑的長度不同時，平衡信號的平衡度有可能惡化。

發明內容
本發明的目的在於提供一種能夠降低接收信號的路徑的插入損失 的高頻模塊，該高頻模塊其在層疊基板的上表面搭載輸出平衡信號狀態 的接收信號的元件，在層疊基板的底面配置接收信號端子。
本發明的高頻模塊，具有
天線端子，與天線相連接；
第 一 以及第二接收信號端子，輸出平衡信號狀態的接收信號； 發送信號端子，輸入發送信號；
分離電路，配置在所述第一接收信號端子、第二接收信號端子以及 發送信號端子和所述天線端子之間，分離所述接收信號和發送信號；
平衡信號輸出元件，設置在所述分離電路和所述第 一 以及第二接收 信號端子之間，輸出平衡信號狀態的接收信號；以及
層疊基板，用於使所述各要素一體化。
層疊基板包括層疊的多個電介質層，具有配置在所述電介質層的層 疊方向的兩側的底面以及上表面、和連結底面和上表面的多個側面。平 衡信號輸出元件具有輸出平衡信號狀態的接收信號的第一以及第二輸 出端子，搭載在層疊基板的上表面。層疊基板的底面具有多個邊，該多 個邊包括最接近第一以及第二接收信號端子的邊。在從層疊基板的上方觀察時，平衡信號輸出元件的第一以及第二輸出端子以如下方式配置
與層疊基板底面的多個邊中最接近第一以及第二接收信號端子的邊最接近。
本發明的高頻模塊還具有第一信號路徑，連接第一輸出端子和第 一接收信號端子；第二信號路徑，連接第二輸出端子和第二接收信號端 子。第 一以及第二信號路徑分別使用設置在層疊基板內的一個以上的通 孔而構成，且不露出在層疊基板的側面。
在本發明的高頻模塊中，根據上述結構，能夠縮短第一以及第二信 號路徑的長度，該第一以及笫二信號路徑連接配置在層疊基板的上面的 平衡信號輸出元件的第 一以及第二輸出端子、和配置在層疊基板的底面 的第一以及第二接收信號端子。
在發明的高頻模塊中，平衡信號輸出元件可以是使用彈性波元件構 成的濾波器。
另外，在本發明的高頻模塊中，可以是第一以及第二信號路徑都包 括兩個通孔，該兩個通孔以中心軸相互錯開的方式配置；位置調整用 導體層，配置在層疊基板內，且串聯連接所述兩個通孔，並且，第一信 號路徑的長度和第二信號路徑的長度相等。此時，第一接收信號端子和 第二接收信號端子之間的距離可以與第一輸出端子和第二輸出端子之 間的距離不同。
另外，在本發明的高頻模塊中，層疊基板包括除了構成第一以及第 二信號路徑的通孔以外的通孔，構成第 一以及第二信號路徑的通孔的直 徑大於其它通孔的直徑。
另外，本發明的高頻模塊，可以具有多個組的構成要素，該多個組 的構成要素對應於頻帶相互不同的多對的接收信號以及發送信號，所述 多個組各自可以具有所述第一、第二接收信號端子、所述發送信號端子、 所述平衡信號輸出元件、所述第一以及第二信號路徑。此時，分離電路 配置在所述多個組的第一、第二接收信號端子以及發送信號端子和所述 天線端子之間，按各對分離所述多對的接收信號以及發送信號，並且按 每一對分離接收信號和發送信號。
另外，多個組的第 一 以及第二接收信號端子可以沿著所述層疊基板 的底面的多個邊中最接近所述第一以及第二接收信號端子的邊而排成 一列。此時，多個組的笫一以及第二接收信號端子也可以按照頻帶由高到低的順序排列。另外，優選在層疊基板的底面，在多個組的笫一以及 第二接收信號端子的列的延長線上未配置有其它端子。另外，在層疊基 板的內部，在通過所述多個組的第一以及第二接收信號端子的列且垂直 於層疊基板的底面的剖面上，未配置有除了構成多個組的第一以及第二 信號路徑的導體層以外的導體層。在本發明的高頻模塊中，能夠使第 一 以及第二信號路徑的長度變 短，該第一以及第二信號路徑連接配置在層疊基板的上面的平衡信號輸 出元件的第一以及第二輸出端子和配置在層疊基板的底面的第一以及 第二接收信號端子。由此，根據本發明，能夠降低接收信號的路徑的插 入損失。本發明的其它目的、特徵以及益處通過以下的說明會十分清楚。


圖1是表示本發明的一實施方式的高頻模塊的電路結構的方框圖。 圖2是表示本發明的 一 實施方式的高頻模塊的電路結構的電路圖。圖3是本發明的一實施方式的高頻模塊的平面圖。 圖4是表示本發明的 一 實施方式的高頻模塊的外觀的立體圖。 圖5是表示圖3所示的層疊基板中的第一層電介質層的上表面的平 面圖。圖6是表示圖3所示的層疊基板中的第二層電介質層的上表面的平 面圖。圖7是表示圖3所示的層疊基板中的第3層電介質層的上表面的平面圖。圖8是表示圖3所示的層疊基板中的第4層電介質層的上表面的平 面圖。圖9是表示圖3所示的層疊基板中的第5層電介質層的上表面的平 面圖。圖IO是表示圖3所示的層疊基板中的第6層電介質層的上表面的 平面圖。圖11是表示圖3所示的層疊基板中的第7層電介質層的上表面的 平面圖。圖12是表示圖3所示的層疊基板中的第8層電介質層的上表面的平面圖。圖13是表示圖3所示的層疊基板中的第9層電介質層的上表面的 平面圖。圖14是表示圖3所示的層疊基板中的第一 0層電介質層的上表面 的平面圖。圖15是表示圖3所示的層疊基板中的笫一 1層電介質層的上表面 的平面圖。圖16是表示圖3所示的層疊基板中的第一 2層電介質層的上表面 的平面圖。圖17是表示圖3所示的層疊基板中的第一 3層電介質層的上表面 的平面圖。圖18是表示圖3所示的層疊基板中的第一 4層電介質層的上表面 的平面圖。圖19是表示圖3所示的層疊基板中的第一 5層電介質層的上表面 的平面圖。圖20是表示圖3所示的層疊基板中的第一 6層電介質層的上表面 的平面圖。圖21是表示圖3所示的層疊基板中的第一 6層電介質層的上面及 其之下的導體層的平面圖。圖22是表示本發明的一實施方式中的第一以及第二信號路徑的狀 態的第一例的剖面圖。圖23是表示本發明的一實施方式中的第一以及第二信號路徑的狀 態的第二例的剖面圖。圖24是表示本發明的一實施方式中的第一以及第二信號路徑的狀 態的第3例的剖面圖。圖25是表示在第一仿真(simulation)中使用的模型的結構的剖面圖。圖26是表示在第一仿真中使用的模型的結構的立體圖。 圖27是表示第一仿真的結果的特性圖。 圖28是表示在第二仿真中使用的模型的結構的剖面圖。 圖29是具體實施方式
以下，參照附圖來詳細說明本發明的實施方式。本發明的一實施方 式的高頻模塊是作為可對應四個頻帶的便攜電話機中的前端模塊而使用的模塊。具體而言，本實施方式中的高頻模塊處理如下信號AGSM (American Global System for Mobile Communications )方式的發送4言號 以及接收信號、EGSM ( Extended Global System for Mobile Communications)方式的發送信號以及4妻收信號、DCS ( Digital Cellular System )方式的發送信號以及接收信號、PCS ( Personal Communications Service)方式的發送信號以及接收信號。AGSM方式的發送信號的頻帶為824MHz 849MHz。 AGSM方式的接 收信號的頻帶為869MHz 894MHz。 EGSM方式的發送信號的頻帶為 880MHz 915MHz。 EGSM方式的接收信號的頻帶為925MHz 960MHz。 DCS方式的發送信號的頻帶為1710MHz 1785MHz。 DCS方式的接收信 號的頻帶為1805MHz l 880MHz 。 PCS方式的發送信號的頻帶為 1850MHz 1910MHz。 PCS方式的接收信號的頻帶為1930MHz 1990MHz。圖1是表示本實施方式的高頻模塊的電路結構的方框圖。本實施方 式的高頻^t塊l具有天線端子ANT、兩個AGSM接收信號端子Rxll、 Rxl2、兩個EGSM接收信號端子Rx21、 Rx22、兩個DCS接收信號端子 Rx31、 Rx32、兩個PCS接收信號端子Rx41、 Rx42、發送信號端子Txl、 Tx2、控制端子Vcl、 Vc2。天線端子ANT連接到天線101。 AGSM接收信號端子Rxl 1、 Rxl2 輸出平衡信號狀態的AGSM方式的接收信號。EGSM接收信號端子 Rx21、 Rx22輸出平衡信號狀態的EGSM方式的接收信號。DCS接收信 號端子Rx31、 Rx32輸出平衡信號狀態的DCS方式的接收信號。PCS接 收信號端子Rx41、 Rx42輸出平衡信號狀態的PCS方式的接收信號。端 子Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41對應於本發明中的第一接收信號端子，端 子Rxl2、 Rx22、 Rx32、 Rx42對應於本發明的第二接收信號端子。對發送信號端子Txl輸入AGSM方式的發送信號和EGSM方式的 發送信號。對發送信號端子Tx2輸入DCS方式的發送信號和PCS方式 的發送信號。對控制端子Vcl輸入第一控制信號。對控制端子Vc2輸入 第二控制信號。端子ANT、 Rxll、 Rxl2、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2連接到外部電路。高頻才莫塊l還具有雙工器(diplexer) 10;兩個開關電路20、 50; 兩個低通濾波器(以下也記為LPF)30、 60;兩個相位電路40、 70; AGSM 接收用SAW濾波器111; EGSM接收用SAW濾波器113; DCS接收用 濾波器115; PCS接收用SAW濾波器117。雙工器10連接到天線端子 ANT以及開關電路20、 50。開關電路20具有三個埠 P1 P3。埠 Pl連接到雙工器10。埠 P2連接到LPF30。埠 P3連接到相位電路40。另外，開關電路20連 接到控制端子Vcl。並且，開關電路20根據來自控制端子Vcl的第一 控制信號的狀態，選擇性地將埠 P2或埠 P3連接到埠 Pl。開關電路50具有三個埠 P4 P6。埠 P4連接到雙工器10。埠 P5連接到LPF60。埠 P6連接到相位電路70。另外，開關電路50連 接到控制端子Vc2。並且，開關電路50根據來自控制端子Vc2的控制 信號的狀態，選擇性地將埠 P5或者埠 P6連接到埠 P4。LPF30插入到開關電路20的埠 P2和發送信號端子Txl之間。 LPF30除去AGSM方式的發送信號以及EGSM方式的發送信號中所包含 的高次諧波成分。LPF60插入到開關電路50的埠 P5和發送信號端子Tx2之間。 LPF60除去DCS方式的發送信號以及PCS方式的發送信號中所包含的 高次諧波成分。相位電路40連接到開關電路20的埠 P3、 AGSM接收用SAW濾 波器111和EGSM接收用SAW濾波器113。相位電路40調整埠 P3 和SAW濾波器111之間的信號路徑、以及埠 P3和SAW濾波器113 之間的信號路徑各自中的阻抗特性，以使來自埠 P3的AGSM方式的 接收信號發送到SAW濾波器111、來自埠 P3的EGSM方式的接收信 號發送到SAW濾波器113。相位電路70連接到開關電路50的埠 P6、 DCS接收用SAW濾波 器115和PCS接收用SAW濾波器117。相位電路70調整埠 P6和SAW 濾波器115之間的信號路徑、以及埠 P6和SAW濾波器117之間的信 號路徑各自中的阻抗特性，以使來自埠 P6的DCS方式的接收信號發 送到SAW濾波器115、來自埠 P6的PCS方式的接收信號發送到SAW濾波器117。SAW濾波器lll、 113、 115、 117都是使用作為彈性波元件的彈性 表面波(SAW)元件而構成的帶通濾波器。另外，也可以設置使用作為 彈性波元件的體聲波(bulk acoustic wave )元件而構成的濾波器來代替 SAW濾波器lll、 113、 115、 117。彈性表面波元件利用在壓電體的表 面傳播的聲波(彈性表面波)，與此相對，體聲波元件利用在壓電體內 部傳播的聲波(體聲波)。SAW濾波器lll、 113、 115、 117都具有輸入不平衡信號的一個輸 入端和輸出平;^信號的兩個輸出端。SAW濾波器111的輸入端連接到 相位電路40, SAW濾波器111的兩個輸出端連"l妻到4^收信號端子Rxl 1 、 Rxl2。 SAW濾波器113的輸入端連接到相位電路40, SAW濾波器113 的兩個輸出端連接到接收信號端子Rx21、 Rx22。 SAW濾波器115的輸 入端連接到相位電路70, SAW濾波器115的兩個輸出端連接到接收信 號端子Rx31 、 Rx32。 SAW濾波器117的輸入端連接到相位電路70 ， SAW 濾波器117的兩個輸出端連接到接收信號端子Rx41、 Rx42。SAW濾波器111使AGSM方式的接收信號通過，並遮斷AGSM方 式的接收信號的頻帶外的頻率的信號。SAW濾波器113使EGSM方式 的接收信號通過，遮斷EGSM方式的接收信號的頻帶外的頻率的信號。 SAW濾波器115使DCS方式的接收信號通過，並遮斷DCS方式的接收 信號的頻帶外的頻率的信號。SAW濾波器117使PCS方式的接收信號 通過，並遮斷PCS方式的接收信號的頻帶外的頻率的信號。另外，SAW 濾波器111、 113、 115、 117都具有將輸入到輸入端的不平衡信號變換 成平衡信號並從輸出端輸出的功能。接著，參照圖2詳細說明圖1所示的高頻模塊1的電路結構。圖2 是表示高頻模塊1的電路結構的電路圖。雙工器10具有電感器ll、 15;電容器12、 13、 14、 16。電感器 11以及電容器12、 13各一端連接到天線端子ANT。電感器11以及電 容器12的各自另一端連接到開關電路20的埠 Pl。電容器14的一端 連接到電容器13的另一端。電容器14的另一端連接到開關電路50的 埠P4。電感器15的一端連接到電容器13的另一端。電感器15的另 一端經由電容器16接地。電感器11以及電容器12構成使AGSM方式的信號以及EGSM方式的信號通過、並遮斷DCS方式的信號以及PCS方式的信號的低通濾 波器。電容器13、 14、 16以及電感器15構成使DCS方式的信號以及 PCS方式的信號通過、並遮斷AGSM方式的信號以及EGSM方式的信 號的帶通濾波器。開關電路20具有埠 P1 P3;電感器21、 25;電容器22 24; 電阻器R1; 二極體D1、 D2。電感器21以及電容器24各自一端以及二 極管Dl的陽極連接到埠 Pl。電容器24的另一端接地。二極體D1的 陰極以及電感器25的一端連接到埠 P2。電感器25的另一端接地。電 感器21的另 一端以及二極體D2的陰極連接到埠 P3 。 二極體D2的陽 極連接到電阻器21的一端，並且，經由電容器22接地。電阻器R1的 另一端連接到控制端子Vcl,並且，經由電容器23接地。LPF30具有電感器31、電容器32 34。電感器31以及電容器33、 34的各一端連接到發送信號端子Txl。電感器31以及電容器33的各自 另一端以及電容器32的一端連接到開關電路20的埠 P2。電容器32、 34的各自另一端接地。相位電路40具有電容器41、 42、 44、 45、和電感器43、 46。電容 器41、 42的各一端連接到開關電路20的埠 P3。電感器43的一端連 接到電容器42的另一端。電感器43的另一端以及電容器44的一端連 接到SAW濾波器111的輸入端。電容器44的另一端接地。電容器45 的一端連接到電容器42的另一端。電容器45的另一端以及電感器46 的一端連接到SAW濾波器113的輸入端。電感器46的另一端接地。在本實施方式中，SAW濾波器lll、 113包含在將它們複合後的一 個部件即雙SAW濾波器(dual SAW filter) 121中。雙SAW濾波器121 具有六個端子P11 P16以及未圖示的四個接地用端子。端子Pll連接到 SAW濾波器111的輸入端。端子P12、 P13連接到SAW濾波器111的 兩個輸出端。另外，端子P12、 P13連接到接收信號端子Rxll、 Rxl2。 端子P14連接到SAW濾波器113的輸入端。端子P15、P16連接到SAW 濾波器113的兩個輸出端。另外，端子P15、 P16連接到接收信號端子 Rx21、 Rx22。相位電路40中的電感器43的另一端以及電容器44的一 端經由Pll連接到SAW濾波器111的輸入端。相位電路40中的電容器 45的另一端以及電感器46的一端經由端子P14連接到SAW濾波器113 的輸入端。開關電路50具有埠 P4 P6、電感器51、 55、 57、電容器52 54、 56、電阻器R2、 二極體D3、 D4。電感器51以及電容器54、 56的各一 端和二極體D3的陽極連接到埠 P4。電容器54的另一端接地。二極 管D4的陰極以及電感器55的一端連接到埠 P5。電感器55的另一端 接地。電感器51的另一端以及二極體D4的陰極連接到埠 P6。 二極 管D4的陽極連接到電阻器R2的一端，並且，經由電容器52接地。電 阻器R2的另一端連接到控制端子Vc2，並且，經由電容器53接地。電 感器57的一端連接到電容器56的另一端。電感器57的另一端連接到 埠 P5。LPF60具有電感器61、 65、和電容器62 64、 66、 67。電感器65 以及電容器66、 67的各一端連接到發送信號端子Tx2。電感器61以及 電容器62、 63的各一端連接到開關電路50的埠 P5。電感器61、 65 以及電容器63、 66的各自另一端相互連接，並且，經由電容器64接地。 電容器62、 67的各自另一端接地。相位電路70具有電容器71、 72、 74、 75和電感器73、 76。電容器 71、 72的各一端連接到開關電路50的埠 P6。電感器73的一端連接 到電容器72的另一端。電感器73的另一端以及電容器74的一端連接 到SAW濾波器115的輸入端。電容器74的另一端接地。電容器75的 一端連接到電容器72的另一端。電容器75的另一端以及電感器76的 一端連接到SAW濾波器117的輸入端。電感器76的另一端接地。在本實施方式中，SAW濾波器115、 117包含在將它們複合後的一 個部件即雙SAW濾波器122中。雙SAW濾波器122具有六個端子 P21 P26以及未圖示的四個接地用端子。端子P21連接到SAW濾波器 115的輸入端。端子P22、 P23連接到SAW濾波器115的兩個輸出端。 另外，端子P22、 P23連接到接收信號端子Rx31、 Rx32。端子P24連接 到SAW濾波器117的輸入端。端子P25、 P26連接到SAW濾波器117 的兩個輸出端。另外，端子P25、 P26連接到接收信號端子Rx41、 Rx42。 相位電路70中的電感器73的另一端以及電容器74的一端經由端子P21 連接到SAW濾波器115的輸入端。相位電路70中的電容器75的另一 端以及電感器76的 一端經由端子P24連接到SAW濾波器117的輸入端。雙SAW濾波器121從端子P12、 P13輸出平4軒信號狀態的AGSM 方式的接收信號，並且，從端子P15、 P16輸出平tH言號狀態的EGSM方式的接收信號。雙SAW濾波器122從端子P22、 P23輸出平衡信號狀 態的DCS方式的接收信號，並且，從端子P25、 P26輸出平衡信號狀態 的PCS方式的接收信號。雙SAW濾波器121、 122與本發明中的平衡信 號輸出元件相對應。端子P12、 P15、 P22、 P25與本發明中的第一輸出 端子相對應，端子P13、 P16、 P23、 P26與本發明中的第二輸出端子相 對應。在高頻模塊1中，輸入到天線端子ANT的AGSM方式的接收信號 通過雙工器10、開關電路20、相位電路40以及SAW濾波器111,發送 到接收信號端子Rxll、 Rxl2。輸入到天線端子ANT的EGSM方式的接 收信號通過雙工器10、開關電路20、相位電路40以及SAW濾波器113, 發送到接收信號端子Rx21、 Rx22。輸入到天線端子ANT的DCS方式 的接收信號通過雙工器10、開關電路50、相位電路70以及SAW濾波 器115，發送到接收信號端子Rx31、 Rx32。輸入到天線端子ANT的PCS 方式的接收信號通過雙工器10、開關電路50、相位電路70以及SAW 濾波器117,發送到接收信號端子Rx41、 Rx42。輸入到發送信號端子 Txl的AGSM方式的發送信號或者EGSM方式的發送信號通過LPF30、 開關電路20以及雙工器10，發送到天線端子ANT。輸入到發送信號端 子Tx2的DCS方式的發送信號或者PCS方式的發送信號通過LPF60、 開關電路50以及雙工器10,發送到天線端子ANT。雙工器10以及開關電^各20、 50將AGSM方式或者EGSM方式的 接收信號、AGSM方式或者EGSM方式的發送信號、DCS方式或者PCS 方式的接收信號、DCS方式或者PCS方式的發送信號分離。雙工器10 以及開關電路20、 50與本發明中的分離電路相對應。接著，參照圖3以及圖4，說明高頻模塊l的結構。圖3是高頻模 塊1的平面圖。圖4是表示高頻^^塊1的外觀的立體圖。如圖3以及圖 4所示，高頻模塊1具備用於將高頻模塊1的上述各個要素一體化的層 疊基板200。疊層基板200具有交替地層疊的多個電介質層和多個導體 層。另外，層疊基板200具有配置在層疊方向的兩側的底面200a以及 上表面200b、連結底面200a和上表面200b的四個側面，呈長方體形狀。高頻模塊1中的電路使用層疊基板200的內部或者表面上的導體 層、搭載在層疊基板200的上表面200b上的元件構成。這裡，作為一 例，假設圖2中的雙SAW濾波器121、 122、 二極體D1 D4、電阻器Rl、 R2以及電感器25、 46、 55、 57,搭載在層疊基板200的上表面200b。 層疊基板200例如為低溫同時燒結陶瓷多層基板。在層疊基板200的底面200a配置有端子ANT、Rxl 1 、Rxl2、Rx21 、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2、和後述的多 個接地端子。接著，參照圖5至圖21,說明層疊基板200結構的一例。圖5至圖 20分別表示從上起的第一層至第一 6層(最下層)的電介質層的上表面。 圖21以從上方觀察的狀態表示從上起的第一 6層的電介質層以及其下 的導體層。在圖5至圖20中，圓圈表示通孔。在圖5所示的第一層電介質層201的上表面形成十個導體層 401 410,連接雙SAW濾波器121的各端子P11 P16以及未圖示的四個 接地用端子；十個導體層501 510,連接雙SAW濾波器122的各端子 P21-P26以及未圖示的四個接地用端子。在電介質層201的上表面，還 形成導體層221 225、 301、 411 417、 511 519。雙SAW濾波器121的端子P11、 P12、 P13、 P14、 P15、 P16分別 連接到導體層404、 409、 410、 401、 407、 408。在導體層402、 403、 405、 406上連接著SAW濾波器121的未圖示的四個接地用端子。雙SAW濾波器122的端子P21、 P22、 P23、 P24、 P25、 P26分別 連接到導體層504、 509、 510、 501、 507、 508。在導體層502、 503、 505、 506上連接著雙SAW濾波器122的未圖示的四個接地用端子。二極體Dl的陽極連接到導體層301， 二極體Dl的陰極連接到導體 層411。 二極體D2的陽極連接到導體層415, 二極體D2的陰極連接到 導體層416。 二極體D3的陽極連接到導體層513, 二極體D3的陰極連 接到導體層514。 二極體D4的陽極連接到導體層515, 二極體D4的陰 極連接到導體層516。電阻器Rl的一端連接到導體層413,電阻器R1 的另一端連接到導體層414。電阻器R2的一端連接到導體層511，電阻 器R2的另一端連接到導體層512。電感器25的一端連接到導體層223,電感器25的另一端連接到導 體層412。電感器46的一端連接到導體層225,電感器46的另一端連 接到導體層417。電感器55的一端連接到導體層224,電感器55的另 一端連接到導體層519。電感器57的一端連接到導體層517,電感器57 的另一端連接到導體層518。在電介質層201上形成有分別與導體層407、 408、 409、 410、 507、 508、 509、 510連接的通孔h11、 h12、 h13、 h14、 h15、 h16、 h17、 h18。 另外，在電介質層201上，除了賦予符號的通孔以外，還如圖5所示那 樣，形成有多個通孔。在圖6所示的第二層電介質層202的上表面，形成有電容器用導體 層303、 430、位置調整用導體層a21 a28以及導體層227~231、 304、 426 429、 526 528。導體層528具有電感器構成單元528a和電容器構 成單元528b。導體層303構成圖2中的電容器14、 56的各自一部分。在導體層 303上，經由形成於電介質層201的通孔，連接圖5所示的導體層513。 導體層430構成圖2中的電容器45的一部分。在導體層430上，經由 形成於電介質層201的通孔，連接圖5所示的導體層401、 417。導體層 528的電容器構成部528b構成圖2中的電容器75的一部分。在導體層 528上，經由形成於電介質層201的通孔，連接圖5所示的導體層501。 導體層528的電感器構成部528a構成圖2中的電感器76的一部分。在導體層227上，經由形成於電介質層201的通孔，連接圖5所示 的導體層222、 223。在導體層228上，經由形成於電介質層201的通孔， 連接圖5所示的導體層222、 224。在導體層229上，經由形成於電介質 層201的通孔，連接圖5所示的導體層502、 503、 506。在導體層230 上，經由形成於電介質層201的通孔，連接圖5所示的導體層222、 225、 402、 403、 405、 406。在導體層231上，經由形成於電介質層201的通 孔，連接圖5所示的導體層221、 505。圖5所示的導體層301經由形成於電介質層201的通孔與導體層 304連接。圖5所示的導體層411、 412經由形成於電介質層201的通孔 與導體層426連接。圖5所示的導體層414、 415經由形成於電介質層 201的通孔與導體層427連接。圖5所示的導體層413經由形成於電介 質層201的通孔與導體層428連接。圖5所示的導體層416經由形成於 電介質層201的通孔與導體層429連接。圖5所示的導體層512、 515經由形成於電介質層201的通孔與導 體層526連接。圖5所示的導體層514、 518、 519經由形成於電介質層 201的通孔與導體層527連接。體層a21 a28連接。在電介質層202上，形成有分別連接到導體層a21 a28的通孔 h21 h28。另外，在電介質層202上，除了賦予符號的通孔以外，還如 圖6所示那樣形成有多個通孔。在圖7所示的第3層電介質層203的上表面，形成有電容器用導體 層438、 537、 539、導體層235、 306以及電感器用導體層307、 436、 437、 536、 538、 540。導體層306具有電感器構成部306a和電容器構 成部306b。在導體層235上，經由形成於電介質層202的通孔，連接圖 6所示的導體層230。導體層306的電容器構成部306b與圖6所示的導體層303的一部 分一起構成圖2中的電容器14，並且，構成圖2中的電容器13的一部 分。導體層438構成圖2中的電容器45的一部分。導體層537構成圖2 中的電容器56的一部分。在導體層537上，經由形成於電介質層201、 202的通孔，連接圖5所示的導體層517。導體層539構成圖2中的電 容器75的一部分。導體層306的電感器構成部306a構成圖2中的電感器15的一部分。 在導體層307上，經由形成於電介質層202的通孔，連接圖6所示的導 體層304。導體層307構成圖2中的電感器11的一部分。在導體層436 上，經由形成於電介質層202的通孔，連接圖6所示的導體層426。導 體層436構成圖2中的電感器31的一部分。在導體層437上，經由形 成於電介質層202的通孔，連接圖6所示的導體層429。導體層437構 成圖2中的電感器21的一部分。在導體層536上，經由形成於電介質層201、 202的通孔，連接圖5 所示的導體層516。導體層536構成圖2中的電感器51的一部分。在導 體層538上，經由形成於電介質層202的通孔，連接圖6所示的導體層 527。導體層538構成圖2中的電感器61的一部分。在導體層540上， 經由形成於電介質層202的通孔，連接圖6所示的導體層528。導體層 540構成圖2中的電感器76的一部分。在電介質層203上，形成有分別連接到通孔h21 h28的通孔 h31 h38。另外，在電介質層203上，除了賦予符號的通孔以外，還如 圖7所示那樣形成有多個通孔。在圖8所示的第4層電介質層204的上表面，形成有電容器用導體層310、 442、 543、 546以及電感器用導體層309、 311、 440、 441、 443、 542、 544、 547、 548。導體層310與圖7所示的導體層306的電容器構 成部306b —起構成圖2中的電容器13。導體層442構成圖2中的電容 器45的一部分。在導體層442上，經由形成於電介質層202、 203的通 孔，連接圖6所示的導體層430。導體層543構成圖2中的電容器56的 一部分。在導體層543上，經由形成於電介質層202、 203的通孔，連 接圖6所示的導體層303。導體層546構成圖2中的電容器75的一部分。 在導體層546上，經由形成於電介質層202、 203的通孔，連接圖6所 示的導體層528。在導體層309上，經由形成於電介質層203的通孔，連接圖7所示 的導體層306。導體層309構成圖2中的電感器15的一部分。在導體層 311上，經由形成於電介質層203的通孔，連接圖7所示的導體層307。 導體層311構成圖2中的電感器11的一部分。在導體層440上，經由 形成於電介質層203的通孔，連接圖7所示的導體層436。導體層440 構成圖2中的電感器31的一部分。在導體層441上，經由形成於電介 質層203的通孔，連接圖7所示的導體層437。導體層441構成圖2中 的電感器21的一部分。在導體層443上，經由形成於電介質層201 203 的通孔，連接圖5所示的導體層404。導體層443構成圖2中的電感器 43的一部分。在導體層542上，經由形成於電介質層203的通孔，連接圖7所示 的導體層536。導體層542構成圖2中的電感器51的一部分。在導體層 544上，經由形成於電介質層203的通孔，連接圖7所示的導體層538。 導體層544構成圖2中的電感器61的一部分。在導體層547上，經由 形成於電介質層201 203的通孔，連接圖5所示的導體層504。導體層 547構成圖2中的電感器73的一部分。在導體層548上，經由形成於電 介質層203的通孔，連接圖7所示的導體層540。導體層548構成圖2 中的電感器76的一部分。在電介質層204上形成有分別與通孔h31 h3 8連接的通孔h41 h48 。 另外，在電介質層204上，除了賦予符號的通孔以外，還如圖8所示那樣形成有多個通孔。在圖9所示的第5層的電介質205的上表面，形成有電容器用導體 層447、 551、 554、電感器用導體層313、 314、 445、 446、 448、 550、552、 555、 556以及位置調整用導體層a53、 a54、 a55、 a56。導體層447 與導體層430、 438、 442 —起，構成圖2中的電容器45。在導體層447 上，經由形成於電介質層203、 204的通孔，連接圖7所示的導體層438。 導體層551構成圖2中的電容器56的一部分。在導體層551上，經由 形成於電介質層203、 204的通孔，連接圖7所示的導體層537。導體層 554與導體層528的電容器構成部528b以及導體層539、 546 —起，構 成圖2中的電容器75。在導體層554上，經由形成於電介質層203、 204 的通孔，連接圖7所示的導體層539。在導體層313上，經由形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示 的導體層309。導體層313構成圖2中的電感器15的一部分。在導體層 314上，經由形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示的導體層311。 導體層314構成圖2中的電感器11的一部分。在導體層445上，經由 形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示的導體層440。導體層445 構成圖2中的電感器31的一部分。在導體層446上，經由形成於電介 質層204的通孔，連接圖8所示的導體層441。導體層446構成圖2中 的電感器21的一部分。在導體層448上，經由形成於電介質層204的 通孔，連接圖8所示的導體層443。導體層448構成圖2中的電感器43 的一部分。在導體層550上，經由形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示 的導體層542。導體層550構成圖2中的電感器51的一部分。在導體層 552上，經由形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示的導體層544。 導體層552構成圖2中的電感器61、 65的各一部分。圖2中的電感器 61由導體層552的一部分以及導體層538、 544構成。在導體層555上， 經由形成於電介質層204的通孔，連接圖8所示的導體層547。導體層 555構成圖2中的電感器73的一部分。在導體層556上，經由形成於電 介質層204的通孔，連接圖8所示的導體層548。導體層556構成圖2 中的電感器76的一部分。在導體層a53、 a54、 a55、 a56上分別連接通 孔h43、 h44、 h45、 h46。在電介質層205上，形成有分別與通孔h41、 h42、 h47、 h48連接 的通孔h51、 h52、 h57、 h58、和分別與導體層a53、 a54、 a55、 a56連 接的通孔h53、 h54、 h55、 h56。另外，在電介質層205上，除了賦予符 號的通孔以外，還如圖9所示那樣形成有多個通孔。在圖10所示的第6層電介質層206的上表面，形成有電容器用導 體層456、 559、以及電感器用導體層316、 317、 454、 455、 457、 558、 560、 562、 563。導體層456構成圖2中的電容器42的一部分。在導體 層456上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示的導體層447。 導體層559構成圖2中的電容器56的一部分。在導體層559上，經由 形成於電介質層204、 205的通孔，連接圖8所示的導體層543。在導體層316上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示 的導體層313。圖2中的電感器15由導體層306的電感器構成部306a 以及導體層309、 313、 316構成。在導體層317上，經由形成於電介質 層205的通孔，連接著圖9所示的導體層314。導體層317構成圖2中 的電感器ll的一部分。在導體層454上，經由形成於電介質層205的 通孔，連接圖9所示的導體層445。導體層454構成圖2中的電感器31 的一部分。在導體層455上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖 9所示的導體層446。導體層455構成圖2中的電感器21的一部分。在 導體層457上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示的導體 層448。導體層457構成圖2中的電感器43的一部分。在導體層558上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示 的導體層550。導體層558構成圖2中的電感器51的一部分。在導體層 560上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示的導體層552。 圖2中的電感器65由導體層552的一部分和導體層560構成。在導體 層562上，經由形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示的導體層555。 導體層562構成圖2中的電感器73的一部分。在導體層563上，經由 形成於電介質層205的通孔，連接圖9所示的導體層556。導體層563 構成圖2中的電感器76的一部分。在電介質層206上，形成有分別與通孔h51 h58連接的通孔 h61 h68。另外，在電介質層206上，除了賦予符號的通孔以外，還如 圖10所示那樣形成有多個通孔。在圖11所示的第7層電介質層207的上表面，形成有電容器用導 體層461、 566、電感器用導體層320、 459、 460、 462、 565、 568、 569、 導體層319以及位置調整用導體層a71、 a72、 a77、 a78。導體層461構 成圖2中的電容器42的一部分。在導體層461上，經由形成於電介質 層202~206的通孔，連接圖9所示的導體層429。導體層566構成圖2中的電容器的一部分。在導體層566上，經由形成於電介質層205、 206 的通孔，連接圖9所示的導體層551。在導體層319上，經由形成於電介質層206的通孔，連接圖10所 示的導體層316。在導體層320上，經由形成於電介質層206的通孔， 連接圖10所示的導體層317。圖2中的電感器11由導體層307、 311、 314、 317、 320構成。在導體層459上，經由形成於電介質層206的通孔，連接圖10所 示的導體層454。圖2中的電感器31由導體層436、 440、 445、 454、 459構成。在導體層460上，經由形成於電介質層206的通孔，連接圖 10所示的導體層455。導體層460構成圖2中的電感器21的一部分。 在導體層462上，經由形成於電介質層206的通孔，連接圖IO所示的 導體層457。導體層462構成圖2中的電感器43的一部分。在導體層565上，經由形成於電介質層206的通孔，連接圖10所 示的導體層558。另外，在導體層565上，經由形成於電介質層202 206 的通孔，連接圖6所示的導體層303。圖2中的電感器51由導體層536、 542、 550、 558、 565構成。在導體層568上，經由形成於電介質層206 的通孔，連接圖IO所示的導體層562。圖2中的電感器73由導體層547、 555、 562、 568構成。在導體層569上，經由形成於電介質層206的通 孔，連接著圖10所示的導體層563。導體層569構成圖2中的電感器 76的一部分。在導體層a71、 a72、 a77、 a78上,分別連接通孔h61、 h62、 h67、 h68。在電介質層207上，形成有分別與導體層a71、 a72、 a77、 a78 連接的通孔h71、 h72、 h77、 h78;分別與通孔h63、 h641、 h65、 h66連 接的通孔h73、 h74、 h75、 h76。另外，在電介質層207上，除了賦予符 號的通孔以外，還如圖11所示那樣形成有多個通孔。在圖12所示的第8層的電介質層208的上表面，形成有電容器用 導體層571、 572、 575、電感器用導體層464、 574以及導體層465、 573、 466。導體層465具有電感器構成部465a和電容器構成部465b。導體層 571與導體層303的其它一部分以及導體層537、 543、 551、 559、 566 一起，構成圖2中的電容器56。在導體層571上，經由形成於電介質層 206、 207的通孔，連接圖10所示的導體層559。導體層572構成圖2 中的電容器72的一部分。在導體層572上，經由形成於電介質層203 207的通孔，連接圖7所示的導體層536。導體層465的電容器構成部465b構成圖2中的電容器42的一部分。 在導體層465上，經由形成於電介質層207的通孔，連接圖11所示的 導體層462。另外，在導體層465上，經由形成於電介質層206、 207的 通孔，連接圖10所示的導體層456。圖2中的電感器43由導體層443、 448、 457、 462以及導體層465的電感器構成部465a構成。在導體層464上，經由形成於電介質層207的通孔，連接圖11所 示的導體層460。導體層464構成圖2中的電感器21的一部分。在導體 層574上，經由形成於電介質層207的通孔，連接圖ll所示的導體層 569。導體層574構成圖2中的電感器76的一部分。在導體層466上，經由形成於電介質層207的通孔，連接圖11所 示的導體層459。在導體層573上，經由形成於電介質層207的通孔， 連接圖11所示的導體層568。在導體層575上，經由形成於電介質層 206、 207的通孔，連接圖10所示的導體層560。在電介質層208上形成有分別與通孔h71 h78連接的通孔h81 h88 。 另外，在電介質層208上，除了賦予符號的通孔以外，還如圖12所示那樣形成有多個通孔。在圖13所示的第9層的電介質層209上，形成有電容器用導體層 322、 472、 473、 580、 582、電感器用導體層471、 583以及位置調整用 導體層a93、 a94、 a95、 a96。導體層322構成圖2中的電容器12的一 部分。在導體層322上，經由形成於電介質層207、 208的通孔，連接 圖11所示的導體層320。另外，在導體層322上，經由形成於電介質層 204 208的通孔，連接圖8所示的導體層310。導體層472構成圖2中 的電容器42的一部分。在導體層472上，經由形成於電介質層207、 208 的通孔，連接圖11所示的導體層461。導體層473構成圖2中電容器 33的一部分。在導體層473上，經由形成於電介質層208的通孔，連接 圖12所示的導體層466。導體層580構成圖2中的電容器63、 66的各一部分。在導體層580 上，經由形成於電介質層205-208的通孔，連接圖9所示的導體層552。 導體層582構成圖2中的電容器72的一部分。在導體層582上，經由 形成於電介質層208的通孔，連接圖12所示的導體層573。另外，在導 體層582上，經由形成於電介質層205 208的通孔，連接圖9所示的導體層554。在導體層471上，經由形成於電介質層208的通孔，連接圖12所 示的導體層464。圖2中的電感器21由導體層437、 441、 446、 455、 460、 464、 471構成。在導體層583上，經由形成於電介質層208的通 孔，連接圖12所示的導體層574。圖2中的電感器76由導體層528的 電感器構成部528a以及導體層540、 548、 556、 563、 569、 574、 583 構成。在導體層a93、 a94、 a95、 a96上，分別連接通孔h83、 h84、 h85、 h86。在電介質層209上，形成有分別與通孔h81、 h82、 h87、 h88連 接的通孔h91、 h92、 h97、 h98;分別與導體層a93、 a94、 a95、 a96連 接的通孔h93、 h94、 h95、 h96。另外，在電介質層209上，除了賦予符 號的通孔以外，還如圖13所示那樣形成有多個通孔。在圖14所示第一0層電介質層210上，形成有電容器用導體層324、 474、 475、 585。導體層324與圖13所示的導體層322 —起，構成圖2 中的電容器12。在導體層324上，經由形成於電介質層209的通孔，連 接圖13所示的導體層471。另外，在導體層324上，經由形成於電介質 層202 209的通孔，連接圖6所示的導體層304。導體層474構成圖2中的電容器33的一部分。在導體層474上， 經由形成於電介質層203~209的通孔，連接圖7所示的導體層436。導 體層475構成圖2中的電容器42的一部分。在導體層475上，經由形 成於電介質層208、 209的通孔，連接圖12所示的導體層465。導體層 585構成圖2中的電容器71的一部分。另外，導體層585與導體層572、 582 —起，構成圖2中的電容器72。在導體層585上，經由形成於電介 質層208、 209的通孔，連接圖12所示的導體層572。在電介質層210上，形成有分別與通孔h91 h98連接的通孔 hl01 hl08。另外，在電介質層210上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖14所示那樣形成有多個通孔。在圖15所示的第一 1層電介質層211上，形成有電容器用導體層 477-479、 587、 588。導體層477構成圖2中的電容器24的一部分。在 導體層477上，經由形成於電介質層210的通孔，連接圖14所示的導 體層324。導體層478與圖13所示的導體層473以及圖14所示的導體 層474 —起，構成圖2中的電容器33，並且構成圖2中的電容器32的一部分。在導體層478上，經由形成於電介質層210的通孔，連接圖14 所示的導體層474。導體層479構成圖2中的電容器41的一部分。另外， 導體層479與導體層456、 461、 472、 475以及導體層465的電容器構 成部465b—起，構成圖2中的電容器42。在導體層479上，經由形成 於電介質層209、 210的通孔，連接圖13所示的導體層472。導體層587構成圖2中的電容器54的一部分。在導體層587上， 經由形成於電介質層208-210的通孔，連接圖12所示的導體層571。導 體層588構成圖2中的電容器62的一部分。另外，導體層588與導體 層580 —起構成圖2中的電容器66。在導體層588上，經由形成於電介 質層203-210的通孔，連接圖7所示的導體層538。在電介質層211上，形成有分別與通孔hl01 hl08連接的通孔 hlll hl18。另外，在電介質層211上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖15所示那樣形成有多個通孔。在圖16所示的第一2層電介質層212上，形成有接地用導體層238。 在導體層238上，經由形成於電介質層201-211的通孔，連接圖5所示 的導體層221。另外，在導體層238上，經由形成於電介質層202 211 的通孔，連接圖6所示的導體層227、 229 231。另外，在導體層238上， 經由形成於電介質層203~211的通孔，連接圖7所示的導體層235。另 外，在導體層238上，經由形成於電介質層209 211的通孔，連接圖13 所示的導體層583。導體層238與圖14所示的導體層585 —起構成圖2 中的電容器71。另外，導體層238與圖15所示的導體層479、 587、 588 的每一個一起構成圖2中的電容器41、 54、 62。在電介質層212上，形成有分別與通孔hlll hl18連接的通孔 hl21 hl28。另外，在電介質層212上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖16所示那樣形成有多個通孔。在圖17所示的第一 3層電介質層213上，形成有電容器用導體層 481~485、 590 592。導體層481構成圖2中的電容器24的一部分。在 導體層481上，經由形成於電介質層211、 212的通孔，連接圖15所示 的導體層477。導體層482構成圖2中的電容器32的一部分。在導體層 482上，經由形成於電介質層211、 212的通孔，連接圖15所示的導體 層478。導體層483構成圖2中的電容器22的一部分。在導體層483上， 經由形成於電介質層202 212的通孔，連接圖6所示的導體層427。導體層484構成圖2中的電容器23的一部分。在導體層484上，經由形 成於電介質層202 212的通孔，連接圖6所示的導體層428。導體層485 構成圖2中的電容器44的一部分。在導體層485上，經由形成於電介 質層204-212的通孔，連接圖8所示的導體層443。導體層590構成圖2中的電容器52的一部分。在導體層590上， 經由形成於電介質層202 212的通孔，連接圖6所示的導體層526。導 體層591構成圖2中的電容器64的一部分。在導體層591上，經由形 成於電介質層209~212的通孔，連接圖13所示的導體層580。導體層 592構成圖2中的電容器74的一部分。在導體層592上，經由形成於電 介質層204 212的通孔，連接圖8所示的導體層547。在電介質層213上，形成有分別與通孔hl21 hl28連接的通孔 hl31 hl38。另外，在電介質層213上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖17所示那樣形成有多個通孔。在圖18所示的第一4層電介質層214上，形成有接地用導體層240。 在導體層240上，經由形成於電介質層212、 213的通孔，連接圖16所 示的導體層238。圖2中的電容器24由導體層477、 238、 481、 240構 成。圖2中的電容器32由導體層478、 238、 482、 240構成。圖2中的 電容器44由導體層238、 485、 240構成。圖2中的電容器52由導體層 238、 590、 240構成。圖2中的電容器62由導體層238、 588、 240構成。 圖2中的電容器74由導體層238、 592、 240構成。在電介質層214上，形成有分別與通孔hl31 hl38連接的通孔 hl41 hl48。另外，在電介質層214上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖18所示那樣形成有多個通孔。在圖19所示的第一 5層電介質層215上，形成有電容器用導體層 326、 487、 489、 594、 595。導體層326構成圖2中的電容器16的一部 分。在導體層326上，經由形成於電介質層207-214的通孔，連接圖11 所示的導體層319。導體層487構成圖2中的電容器34的一部分。在導體層487上， 經由形成於電介質層209 214的通孔，連接圖13所示的導體層473。導 體層488構成圖2中的電容器23的一部分。在導體層488上，經由形 成於電介質層213、 214的通孔，連接圖17所示的導體層484。導體層 489構成圖2中的電容器22的一部分。在導體層489上，經由形成於電介質層213、 214的通孔，連接圖17所示的導體層483。導體層594構 成圖2中的電容器53的一部分。在導體層594上，經由形成於電介質 層201 214的通孔，連接圖5所示的導體層511。導體層595構成圖2 中的電容器67的一部分。在導體層595上，經由形成於電介質層208 214 的通孔，連接圖12所示的導體層575。在電介質層215上，形成有分別與通孔hl41 hl48連接的通孔 hl51 hl58。另外，在電介質層215上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖19所示那樣形成有多個通孔。在圖20所示的第一 6層的電介質層216上，形成有接地用導體層 244。在導體層244上，經由形成於電介質層214、 215的通孔，連接圖 18所示的導體層240。圖2中的電容器16由導體層240、 326、 244構成。圖2中的電容 器22由導體層238、 483、 240、 489、 244構成。圖2中的電容器23由 導體層238、 484、 240、 488、 244構成。圖2中的電容器34由導體層 240、 487、 244構成。圖2中的電容器53由導體層240、 594、 244構成。 圖2中的電容器67由導體層240、 595、 244構成。在電介質層216上，形成有分別與通孔hl51 hl58連接的通孔 hl61 hl68。另外，在電介質層216上，除了賦予符號的通孔以外，還 如圖20所示那樣形成有多個通孔。如圖21所示，在電介質層216的下面、即層疊基板200的底面200a， 形成有構成所述各端子ANT、 Rxll、 Rxl2、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2的導體層、構成九個接地端子G卜G9 的導體層、以及接地用導體層246~249。接地端子G1 G9接地。層疊基板200的底面200a具有四個邊。對於上迷多個端子來說， 在底面200a,排列配置在四個邊附近。所有的接收信號端子Rxll、Rx12、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42配置在四個邊中的一個邊200al 的附近。在天線端子ANT上，經由形成於電介質層209~216的通孔，連接 圖13所示的導體層322。在發送信號端子Txl上，經由形成於電介質層 215、 216的通孔，連接圖19所示的導體層487。在發送信號端子Tx2 上，經由形成於電介質層215、216的通孔，連接圖19所示的導體層595。 在控制端子Vcl上，經由形成於電介質層213~216的通孔，連接圖17所示的導體層484。在控制端子Vc2上，經由形成於電介質層215、 216 的通孔，連接圖19所示的導體層594。在接地端子G1 G9以及導體層 246 249上，經由形成於電介質層216的通孔，連接圖20所示的導體層 244。在AGSM接收信號端子Rxll上，經由通孔hl3、導體層a23、通 孔h23、 h33、 h43、導體層a53、通孔h53、 h63、 h73、 h83、導體層a93、 通孔h93、 h103、 h113、 h123、 h133、 h143、 h153、 h163構成的信號路 徑(以下記為信號路徑SPll。)，連接圖5所示的導體層409。在導體 層409上，連接雙SAW濾波器121的端子P12。因此，信號路徑SPll 連接端子P12和AGSM接收信號端子Rxll。信號路徑SP11與本發明中 的第一信號路徑相對應。在AGSM接收信號端子Rxl2上，經由通孔hl4、導體層a24、通 孔h24、 h34、 h44、導體層a54、通孔h54、 h64、 h74、 h843、導體層a94、 通孔h94、 h104、 h114、 h124、 h134、 h144、 h154、 hl64構成的信號路 徑(以下記為信號路徑SP12。)，連接圖5所示的導體層410。在導體 層410上，連接雙SAW濾波器121的端子P13。因此，信號路徑SP12 連接端子P13和AGSM接收信號端子Rxl2。信號路徑SP12與本發明中 的第二信號路徑相對應。在EGSM接收信號端子Rx21上，經由通孔hll、導體層a21、通孔 h21、 h31、 h41、 h51、 h61、導體層a71、通孔h71、 h81、 h91、 h101、 hlll、 h121、 h131、 h141、 h151、 h161構成的信號路徑(以下記為信號 路徑SP21。)，連接圖5所示的導體層407。在導體層407上，連接雙 SAW濾波器121的端子P15。因此，信號路徑SP21連接端子P15和EGSM 接收信號端子Rx21 。信號路徑SP21與本發明中的第 一信號路徑相對應。在EGSM接收信號端子Rx22上，經由通孔hl2、導體層a22、通孔 h22、 h32、 h42、 h52、 h62、導體層a72、通孔h72、 h82、 h92、 h102、 h112、 h122、 h132、 h142、 h152、 h162構成的信號路徑(以下記為信號 路徑SP22。)，連接圖5所示的導體層408。在導體層408上，連接雙 SAW濾波器121的端子P16。因此，信號路徑SP22連接端子P16和EGSM 接收信號端子Rx22。信號路徑SP22與本發明中的第二信號路徑相對應。在DCS接收信號端子Rx31上，經由通孔hl7、導體層a27、通孔 h27、 h37、 h47、 h57、 h67、導體層a77、通孔h77、 h87、 h97、 h107、h117、 h127、 h137、 h147、 h157、 hl67構成的信號路徑(以下記為信號 路徑SP31。)，連接圖5所示的導體層509。在導體層509上，連接雙 SAW濾波器122的端子P22。因此，信號路徑SP31連接端子P22和DCS 接收信號端子Rx31 。信號路徑SP31與本發明中的第 一信號路徑相對應。在DCS接收信號端子Rx32上，經由通孔hl8、導體層a28、通孔 h28、 h38、 h48、 h58、 h68、導體層a78、通孔h78、 h88、 h98、 hl08、 h118、 h128、 h138、 h148、 h158、 h168構成的信號^各徑(以下記為信號 路徑SP32。)，連接圖5所示的導體層510。在導體層510上，連接雙 SAW濾波器122的端子P23。因此，信號路徑SP32連接端子P23和DCS 接收信號端子Rx32。信號路徑SP32與本發明中的第二信號路徑相對應。在PCS接收信號端子Rx41上，經由通孔h15、導體層a25、通孔 h25、 h35、 h45、導體層a55、通孔h55、 h65、 h75、 h85、導體層a95、 通孔h95、 h105、 h115、 h125、 h135、 h145、 h155、 h165構成的信號路 徑(以下記為信號路徑SP41。)，連接圖5所示的導體層507。在導體 層507上，連接雙SAW濾波器122的端子P25。因此，信號^^各徑SP41 連接端子P25和PCS接收信號端子Rx41 。信號路徑SP41與本發明中的 第一信號路徑相對應。在PCS接收信號端子Rx42上，經由通孔h16、導體層a26、通孔 h26、 h36、 h46、導體層a56、通孔h56、 h66、 h76、 h86、導體層a96、 通孔h96、 h106、 h116、 h126、 h136、 h146、 h156、 h166構成的信號路 徑(以下記為信號路徑SP42。)，連接圖5所示的導體層508。在導體 層508上，連接雙SAW濾波器122的端子P26。因此，信號路徑SP42 連接端子P26和PCS接收信號端子Rx42。信號路徑SP42與本發明中的 第二信號路徑相對應。接著，說明本實施方式中的高頻模塊1的特徵。在以下的說明中， 為了使說明簡單，將接收信號端子Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41表示為第 一接收信號端子Rxl,將接收信號端子Rx12、 Rx22、 Rx32、 Rx42表示 為第二接收信號端子RX2，將發送信號端子Txl、 Tx2表示為發送信號 端子Tx。另夕卜，將由雙工器10以及開關電路20、 50構成的電路表示為 分離電路，將雙SAW濾波器121、 122表示為平衡信號輸出元件120。 另外，將端子P12、 P15、 P22、 P25表示為第一輸出端子Tl，將端子P13、 P16、 P23、 P26表示為第二輸出端子T2。另夕卜，將信號路徑SPll、 SP21、SP31、 SP41表示為第一信號路徑SP1,將信號路徑SP12、 SP22、 SP!32、 SP42表示為第二信號路徑SP2。本實施方式中的高頻模塊1具有天線端子ANT,其連接到天線 101;第一以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2，其輸出平衡信號狀態的接 收信號；發送信號端子Tx,其被輸入發送信號；分離電路，其配置在第 一接收信號端子Rxl、第二接收信號端子Rx2以及發送信號端子Tx和 天線端子ANT之間，分離接收信號和發送信號；平衡信號輸出元件120, 其設置在分離電路和第一以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2之間，且輸 出平衡信號狀態的接收信號；層疊基板200,其用於使上述各要素一體 化。層疊基板200包含層疊的多個電介質層，且具有配置在所述電介質 層的層疊方向的兩側的底面200a以及上表面200b、和連結底面200a和 上表面200b的多個側面。平衡信號輸出元件120具有輸出平衡信號狀 態的接收信號的第一以及第二輸出端子Tl、 T2,並搭載在層疊基板200 的上表面200b。如圖21所示，層疊基板200的底面200a具有包含最接 近第一以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2的邊200al的多個邊。從圖5 以及圖21可知，在從層疊基板200的上方觀察時，平衡信號輸出元件 120的第一輸出端子T1 (P12、 P15、 P22、 P25)以及第二輸出端子T2 (P13、 P16、 P23、 P26)以如下方式配置與層疊基板200的底面200a 的多個邊中最接近於第一以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2的邊200al 最接近。高頻模塊1還具有連接第一輸出端子T1和第二接收信號端子Rxl 的第一信號路徑SP1、和連接第二輸出端子T2和第二接收信號端子Rx2 的第二信號路徑SP2。第一以及第二信號路徑SP1、 SP2分別使用設置 在層疊基板200內的一個以上的通孔而構成，未露出在層疊基板200的 側面。另外，在本實施方式中，第一以及第二信號路徑SP1、 SP2都包 含以中心軸相互錯開的方式配置的兩個通孔；和配置在層疊基板200 內、且串聯連接所述兩個通孔的位置調整用導體層。位置調整用導體層 具體而言是指，圖6所示的導體層a21 a28、圖9所示的導體層a53 a56、 圖11所示的導體層a71、a72、a77、a78以及圖13所示的導體層a93 a96。 位置調整用導體層連接以中心軸相互錯開的方式配置的兩個通孔，由 此，能夠調整這些通孔的位置。另外，在本實施方式中，第一信號路徑SP1的長度和第二信號路徑SP2的長度相等。這裡，在圖22至圖24中，示出信號路徑SP1、 SP2的狀態的第一 至第3例。圖22至圖24都是示意性地示出信號路徑SP1、 SP2的剖面 圖。在第一至第3例中，都從層疊基板200的上方來觀察時，笫一接收 信號端子Rxl和第二接收信號端子Rx2分別被配置在不與第一輸出端子 Tl和第二輸出端子T2重疊的位置。另外，在第一至第3例中，第一接 收信號端子Rxl和第二接收信號端子Rx2之間的距離與第一輸出端子 Tl和第二輸出端子T2之間的距離不同。在圖22所示的第一例以及圖23所示的第二例中，信號路徑SP1由 分別由串聯連接的多個通孔構成的通孔列Hll、 H12、和串聯連接通孔 Hll、 H12的位置調整用導體層All構成。通孔列Hll的一端連接到第 一輸出端子Tl,通孔列Hll的另一端連接到位置調整用導體層All的 上表面。通孔列H12的一端連接到位置調整用導體層All的下表面，通 孔列H12的另一端連接到第一接收信號端子Rxl。通孔列Hll、 H12以 中心軸相互錯開的方式配置。同樣地，信號路徑SP2由分別由串聯連接的多個通孔構成的通孔列 H21、 H22、和串聯連接通孔H21、 H22的位置調整用導體層A21構成。 通孔列H21的一端連接到第二輸出端子T2,通孔列H21的另一端連接 到位置調整用導體層A21的上表面。通孔列H22的一端連接到位置調整 用導體層A21的下表面，通孔列H22的另一端連接到第二接收信號端子 Rx2。通孔列H21、 H22以中心軸相互4普開的方式配置。在第一以及第二例中，通孔列H11、H12的總計長度、與通孔列H21、 H22的總計長度相等。另外，在位置調整用導體層All中將與通孔列 Hll的連接場所和與通孔列H12的連接場所進行連接的部分的長度、與 在位置調整用導體層A21中將與通孔列H21的連接場所和與通孔列H22 的連接場所進行連接的部分的長度相等。因此，第一信號路徑SP1的長 度和第二信號路徑SP2的長度相等。在圖24所示的第3例中，信號路徑SP1由分別由串聯連接的多個 通孔構成的通孔列Hll、 H12、 H13、串聯連接通孔列Hll、 H12的位置 調整用導體層AU、以及串聯連接通孔列H12、 H13的位置調整用導體 層A12構成。通孔列Hll的一端連接到第一輸出端子Tl,通孔列Hll 的另一端連接到位置調整用導體層All的上表面。通孔列H12的一端連接到位置調整用導體層All的下表面，通孔列H12的另一端連接到位置 調整用導體層A12的上表面。通孔列H13的一端連接到位置調整用導體 層A12的下表面，通孔列H13的另 一端連接到第 一接收信號端子Rxl 。 通孔列Hll、 H12、 H13以中心軸相互4普開的方式配置。同樣地，信號路徑SP2由分別由串聯連接的多個通孔構成的通孔列 H21、 H22、 H23、串聯連接通孔列H21、 H22的位置調整用導體層A21 、 以及串聯連接通孔列H22、 H23的位置調整用導體層A22構成。通孔列 H21的一端連接到第二輸出端子T2,通孔列H21的另一端連接到位置 調整用導體層A21的上表面。通孔列H22的一端連接到位置調整用導體 層A21的下表面，通孔列H22的另一端連接到位置調整用導體層A22 的上表面。通孔列H23的一端連接到位置調整用導體層A22的下表面， 通孔列H23的另一端連接到第二接收信號端子Rx2。在第3例中，通孔列Hll、 H12、 H13的總計長度、與通孔列H21、 H22、 H23的總計長度相等。另外，在位置調整用導體層All中將與通 孔列Hll的連接場所和與通孔列H12的連接場所進行連接的部分的長 度、與在位置調整用導體層A21中將與通孔列H21的連接場所和與通孔 列H22的連接場所進行連接的部分的長度相等。另外，在位置調整用導 體層A12中將與通孔列H12的連接場所和與通孔列H13的連接場所進 行連接的部分的長度、與在位置調整用導體層A22中將與通孔列H22 的連接場所和與通孔列H23的連接場所進行連接的部分的長度相等。因 此，第一信號路徑SP1的長度和第二信號路徑SP2的長度相等。根據本實施方式中的高頻模塊1，能夠儘量縮短笫一以及第二信號 路徑SP1、 SP2的長度，該第一以及第二信號路徑SP1、 SP2連接配置在 層疊基板200的上表面200b的平衡信號輸出元件120的笫一以及第二 輸出端子T1、 T2、和配置在層疊基板200的底面200a的第一以及第二 接收信號端子Rxl、 Rx2。由此，根據本實施方式，能夠降低接收信號 的路徑的插入損耗，並且，能夠使高頻模塊l小型化。另外，根據本實 施方式，由於第一以及第二信號路徑SP1、 SP2未露出在層疊基板200 的側面，因此，第一以及第二信號路徑SP1、 SP2難以受到來自模塊1 的外部的電路的幹擾。但是，在從層疊基板200的上方來看時，如果能夠將第一接收信號 端子Rxl和第二接收信號端子Rx2分別配置在與第一輸出端子Tl和第二輸出端子T2重疊的位置，則能夠利用各自一個通孔列來構成第一以及第二信號路徑SP1、 SP2,由此，能夠使第一以及第二信號路徑SP1、 SP2的長度最短。但是，實際上，不一定能夠這樣配置，在從層疊基板 200的上方來看時，不得不將第一接收信號端子Rxl和第二接收信號端 子Rx2分別配置在與第一輸出端子Tl和第二輸出端子T2不重疊的位 置，或者笫一接收信號端子Rxl和第二接收信號端子Rx2之間的距離與 第一輸出端子Tl和第二輸出端子T2之間的距離不同。這些特別是在將 多個平衡信號輸出元件120搭載在層疊基板200的上表面200b的情況 下會明顯發生。此時，若第一以及第二信號路徑SP1、 SP2的長度不同， 則平衡信號的平衡度有可能惡化。在本實施方式中，第一以及第二信號路徑SP1、 SP2都包含以中心 軸相互錯開的方式配置的兩個通孔、串聯連接這兩個通孔的位置調整用 導體層，並且，第一信號路徑SP1的長度和第二信號路徑SP2的長度相 等。由此，根據本實施方式，在從層疊基板200的上方看時，即使在第 一接收信號端子Rxl和第二接收信號端子Rx2分別配置在與第一輸出端 子Tl和第二輸出端子T2不重疊的位置的情況下、或第一接收信號端子 Rxl和第二接收信號端子Rx2之間的距離與第一輸出端子Tl和第二輸 出端子T2之間的距離不同的情況下，也能夠使第一信號路徑SP1的長 度和第二信號路徑SP2的長度相等。如上述那樣，使第一信號路徑SP1的長度和第二信號路徑SP2的長 度相等，由此，能夠使從接收信號端子Rxl、 Rx2輸出的平衡信號的平 衡度變大。以下，對於表示該情況的第一仿真結果，參照圖25至圖27 進行說明。圖25是表示在第一仿真中使用的模型的結構的剖面圖。圖 26是表示在第一仿真中使用的模型的結構的立體圖。在該模型中，與圖 23所示的例子同樣地，信號路徑SP1由通孔列Hll、 H12和位置調整用 導體層A11構成，信號路徑SP2由通孔列H21、 H22和位置調整用導體 層A21構成。這裡，將輸出端子T1、 T2間的距離設為"A",將接收信 號端子Rxl、 Rx2間的距離設為"B",將構成通孔列Hll、 H12、 H21、 H22的通孔的直徑設為"C"。另夕卜，將通孔列Hll、 H21的長度設為"D", 將通孔列H12、 H22的長度設為"E"。另外，位置調整用導體層All、 A21的上表面的形狀假設都為在一個方向較長的矩形形狀，將位置調整 用導體層All的長邊方向的長度設為"F",將位置調整用導體層A21的32長邊方向的長度設為"G"。距離"A"和距離"B"不同。在第一仿真中，使長度"F，固定為0.25mm,使長度"G"為0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm4種，從而求各自情況下的接收信號端子Rxl 、 Rx2的輸出信號的振幅差的頻率特性。另外，在長度"F"為0.25mm時， 在位置調整用導體層All中將與通孔列Hll的連接場所和與通孔列H12 的連接場所進行連接的部分的長度為0.15mm。另外，在長度"G"為 0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm時，在位置調整用導體層A21中 將與通孔列H21的連接場所和與通孔列H22的連接場所進行連接的部 分的長度分別為0.15mm、 0.35mm、 0.55mm、 0.75mm。圖27表示第一仿真結果。在圖27中，以符號81、 82、 83、 84所 示的曲線分別表示長度"G"為0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm時的 振幅差的頻率特性。從圖27可知，長度"F"、 "G"的差越小，振幅差越 小、即平衡度越大。在本實施方式中，構成第一以及第二信號路徑SP1、 SP2的通孔的 直徑可以大於層疊基板200所包含的其它通孔的直徑。由此，能夠減小 笫一以及第二信號路徑SP1、 SP2的插入損失。以下，對於表示該情況 的第二仿真的結果，參照圖28至圖30進行說明。圖28是表示在第二 仿真中使用的模型的結構的剖面圖。圖29是表示在第二仿真中使用的 模型的結構的立體圖。在該模型中，信號路徑SP1、 SP2僅由分別由串 聯連接的多個通孔構成的通孔列構成。這裡，將輸出端子T1、 T2間的 距離設為"A",接收信號端子Rxl、 Rx2間的距離設為"B",將構成信號 路徑SP1、 SP2的各通孔的直徑設為"C",將信號路徑SP1、 SP2的長度 設為"H"。在第二仿真中，將距離"A"、 "B"以及長度"H"固定，將通孔的直徑"C" 作為0.05mm、 O.lOmm、 0.15mm、 0.20mm這4種，求出各情況下的信 號路徑SP1、 SP2的插入損失的頻率特性。圖30表示第二仿真的結果。 在圖30中，由符號91、 92、 93、 94表示的曲線分別表示直徑"C"為 0.05mm、 O.lOmm、 0.15mm、 0.20mm時的插入損失的頻率特性。從圖 30可知，直徑"C"越大，插入損失越小。另外，本實施方式中的高頻模塊1具有與頻帶互不相同的多對的 接收信號以及發送信號對應的多個組的第一、第二接收信號端子Rxl、 Rx2以及發送信號端子Tx;與多個組的第一以及第二接收信號端子Rxl、Rx2對應的多個平衡信號輸出元件120 (121、 122);與多個組的笫一 以及第二接收信號端子Rxl 、 Rx2對應的多個組的第 一以及第二信號路 徑SP1、 SP2。換而言之，本實施方式中的高頻模塊1具有與頻帶不同的多對的接 收信號以及發送信號對應的多個組的結構要素，所述多個組的每一個具 有第一、第二接收信號端子Rxl、 Rx2、發送信號端子Tx、平衡信號 輸出元件120、第一以及第二信號路徑SP1、 SP2。分離電路(IO、 20、 50)被配置在所述多個組的第一、第二接收信號端子Rxl、 Rx2以及發 送信號端子Tx和天線端子ANT之間，並且按各對分離多對的接收信號 以及發送信號，並且，按每一對分離接收信號和發送信號。在本實施方式中，如圖21所示，多個組的第一以及第二接收信號 端子Rxl (Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41 ) 、 Rx2 (Rxl2、 Rx22、 Rx32、 Rx42)沿著層疊基板200的底面200a的多個邊中最接近於第一以及第 二接收信號端子Rxl、 Rx2的邊200al排成一列。另外，多個組的第一 以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2沿著邊200al按照頻帶從高到低的順 序排列。具體而言，多個組的第一以及笫二接收信號端子Rxl、 Rx2從 圖21中的左側起，按照如下順序排列PCS接收信號端子Rx41、 Rx42、 DCS接收信號端子Rx31、 Rx32、 EGSM接收信號端子Rx21 、 Rx22、 AGSM接收信號端子Rxll、 Rxl2。另外，在本實施方式中，在層疊基板200的底面200a,在多個組的 第一以及第二接收信號端子Rxl、Rx2的列的延長線上不配置其它端子。 另外，如圖5至圖21所示，在層疊基板200的內部，在通過多個組的 第一以及第二接收信號端子Rxl、 Rx2的列且垂直於層疊基板200的底 面200a的剖面上，不配置除了構成多個組的第一以及第二信號路徑 SP1、 SP2的導體層以外的導體層。通過這些特徵，根據本實施方式， 能夠防止信號路徑SP1、 SP2和構成信號路徑SP1、 SP2的導體層以外的 導體層之間產生寄生電容，並且能夠防止信號路徑SP1、 SP2受到除了 通過那裡的接收信號以外的信號的幹擾。另外，通過上述特徵，根據本 實施方式，能夠使構成信號路徑SP1、 SP2的通孔的直徑變大。另外，本發明不限於上述實施方式，可以進行各種變更。例如，在 本發明中，信號路徑SP1、 SP2如圖28所示那樣，可以分別僅由一個通 孔列構成。另外，本發明不限於作為便攜電話機中的前端模塊使用的高頻模 塊，也能適用於進行分離發送信號和接收信號的處理的所有高頻模塊。基於以上說明可知，可實施本發明的各種方式和變形例。因此，在 技術方案範圍的均等的範圍內，即使以上述最佳方式以外的方式來實施 本發明也是可能的。
權利要求
1.一種高頻模塊，具有天線端子，與天線連接；第一以及第二接收信號端子，輸出平衡信號狀態的接收信號；發送信號端子，輸入發送信號；分離電路，配置在所述第一接收信號端子、第二接收信號端子以及發送信號端子和所述天線端子之間，分離所述接收信號和發送信號；平衡信號輸出元件，設置在所述分離電路和所述第一以及第二接收信號端子之間，輸出平衡信號狀態的接收信號；層疊基板，用於使所述各要素一體化，其特徵在於，所述層疊基板包括層疊的多個電介質層，具有配置在所述電介質層的層疊方向的兩側的底面以及上表面、和連結所述底面和上表面的多個側面，所述平衡信號輸出元件具有輸出平衡信號狀態的接收信號的第一以及第二輸出端子，搭載在所述層疊基板的上表面，所述層疊基板的底面具有多個邊，該多個邊包括最接近所述第一以及第二接收信號端子的邊，在從所述層疊基板的上方觀察時，所述平衡信號輸出元件的第一以及第二輸出端子以如下方式配置與所述層疊基板底面的多個邊中最接近所述第一以及第二接收信號端子的邊最接近，並且，具有第一信號路徑，連接所述第一輸出端子和第一接收信號端子；第二信號路徑，連接所述第二輸出端子和第二接收信號端子，所述第一以及第二信號路徑分別使用設置在所述層疊基板內的一個以上的通孔構成，並且不在所述層疊基板的側面露出。
2. 如權利要求l的高頻模塊，其特徵在於， 所述平衡信號輸出元件是使用彈性波元件構成的濾波器。
3. 如權利要求l的高頻模塊，其特徵在於，所述第一以及笫二信號路徑都包括兩個通孔，該兩個通孔以中心 軸相互錯開的方式配置；位置調整用導體層，配置在所述層疊基板內， 且串聯連接所述兩個通孔，所述第 一信號路徑的長度和第二信號路徑的長度相等。
4. 如權利要求3的高頻模塊，其特徵在於所述笫一接收信號端子和第二接收信號端子之間的距離與所述第 一輸出端子和第二輸出端子之間的距離不同。
5. 如權利要求l的高頻模塊，其特徵在於所述層疊基板包括構成所述第 一以及第二信號路徑的通孔以外的 通孔，構成所述第一以及第二信號路徑的通孔的直徑大於其它通孔的直徑。
6. 如權利要求l的高頻模塊，其特徵在於具有與頻帶相互不同的多對接收信號以及發送信號對應的多個組 的結構要素，所述多個組分別具有所述第一、第二接收信號端子、所述 發送信號端子、所述平衡信號輸出元件、所述第一以及第二信號路徑，所述分離電路配置在所述多個組的第一、第二接收信號端子以及發 送信號端子和所述天線端子之間，按各對分離所述多對接收信號以及發 送信號，並且，按每一對分離接收信號和發送信號。
7. 如權利要求6的高頻模塊，其特徵在於所述多個組的第 一以及第二接收信號端子沿著所述層疊基板底面 的多個邊中最接近所述第 一以及第二接收信號端子的邊排成一列。
8. 如權利要求7的高頻模塊，其特徵在於所述多個組的第 一 以及第二接收信號端子按照頻帶由高到低的順 序排列。
9. 如權利要求7的高頻模塊，其特徵在於在所述層疊基板的底面，在所述多個組的笫一以及第二接收信號端 子的列的延長線上未配置其它端子。
10. 如權利要求7的高頻模塊，其特徵在於在所述層疊基板的內部，在通過所述多個組的第 一 以及第二接收信 號端子的列且垂直於所述層疊基板的底面的剖面上，未配置構成所述多 個組的第 一 以及笫二信號路徑的導體層以外的導體層。
全文摘要
高頻模塊具有層疊基板和輸出平衡信號狀態的接收信號的元件。元件具有第一以及第二輸出端子，並裝載在層疊基板的上面。在層疊基板的底面配置有第一以及第二接收信號端子。高頻模塊具有連接第一輸出端子與第一接收信號端子的第一信號路徑和連接第二輸出端子與第二接收信號端子的第二信號路徑。第一以及第二信號路徑分別使用設置在層疊基板內的一個以上的通孔而構成，並不露出在層疊基板的側面。
文檔編號H04B1/44GK101277124SQ20081008747
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優先權日2007年3月28日
發明者巖田匡史 申請人:Tdk株式會社