電光學裝置、電子設備以及電光學裝置的驅動方法與流程

2023-09-22 01:51:40

本發明涉及電光學裝置、電子設備、以及電光學裝置的驅動方法。

背景技術：

近年來提出各種使用了有機發光二極體(以下，稱為OLED(Organic Light Emitting Diode))元件等發光元件的電光學裝置。在該電光學裝置的一般構成中，對應於掃描線與數據線的交叉，包括發光元件、電晶體等的像素電路與要顯示的圖像的像素對應地設置。

在這樣的構成中，若將與像素的灰度電平對應的電位的數據信號施加給該電晶體的柵極，則該電晶體將與柵極-源極間的電壓對應的電流供給至發光元件。由此，該發光元件以與灰度電平對應的亮度進行發光。

在將電晶體應用於發光強度的調節的驅動方式中，若設置在各像素中的電晶體的閾值電壓有偏差，則在發光元件中流動的電流有偏差，所以顯示圖像的畫質降低。因此，為了防止畫質的降低，需要補償電晶體的閾值電壓的偏差。將執行該補償的動作(以下，稱為補償動作)的期間稱為補償期間，在補償期間中，使該電晶體的漏極以及柵極與按每一列設置的數據信號的供給線連接，將其電位設定為與該電晶體的閾值電壓對應的值(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2013－88611號公報

另外，由於數據信號的供給線附帶寄生電容，所以在執行補償動作時也進行對該寄生電容的充電或者放電。而且，補償期間變長了對該寄生電容的充電或者放電所需的時間。另外，如果不考慮對該供給線附帶的寄生電容的充電或者放電所需的時間而設定補償期間，則該補償期間中的補償變得不充分。

技術實現要素：

本發明是鑑於上述的情況而完成的，其目的之一在於實現對使用於發光強度的調節的電晶體的閾值電壓的偏差進行補償的補償動作的高速化。

為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的電光學裝置的特徵在於，具有：掃描線；第1數據傳輸線；第2數據傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數據傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數據傳輸線連接的第2電極；第1電晶體，其使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為導通狀態或者非導通狀態；像素電路，其與上述第2數據傳輸線和上述掃描線對應地設置；以及驅動電路，其驅動上述像素電路，上述像素電路包括：驅動電晶體，其具備柵電極、第1電流端以及第2電流端；第2電晶體，其連接在上述第2數據傳輸線與上述驅動電晶體的上述柵電極之間；第3電晶體，其用於使上述驅動電晶體的上述第1電流端、和上述驅動電晶體的上述柵電極導通；以及發光元件，其以與經由上述驅動電晶體供給的電流的大小對應的亮度發光，上述驅動電路在第1期間，使上述第1電晶體導通來使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為導通狀態，並且使上述第2電晶體以及上述第3電晶體截止來對上述第2數據傳輸線供給初始電位，在緊接著上述第1期間的第2期間，使上述第1電晶體截止來使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為非導通狀態，並且使上述第2電晶體以及上述第3電晶體導通來使上述驅動電晶體的上述第1電流端、和上述驅動電晶體的上述柵電極導通，二條以上的上述第2數據傳輸線分別經由上述第1電容與上述第1數據傳輸線連接，若將經由上述第2數據傳輸線與同一上述第1數據傳輸線連接的上述像素電路的集合設為像素列，則針對比上述像素列所包含的上述像素電路的個數少的個數的上述像素電路設置上述第2數據傳輸線。

根據該方式，基於下述的理由，與以往的構成相比較，縮短了第2期間(補償期間)。此處將經由第2數據傳輸線和第1電容(轉移電容)與同一第1數據傳輸線連接的像素電路的集合稱為「像素列」，將與同一第2數據傳輸線連接的像素電路的集合稱為「塊」。根據本方式，對比像素列所包括的像素電路的個數少的個數的像素電路設置第2數據傳 輸線。與此相對，在以往的構成中，針對一個像素列(所包括的全部像素電路)設置一條第1數據傳輸線和一條第2數據傳輸線。因此，第2數據傳輸線與以往的構成相比較短。由此，縮短對第2數據傳輸線的充電或者放電所需的時間。換句話說，與以往的構成相比較，縮短對附隨於第2數據傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了第2期間(補償期間)。

本發明的其它方式所涉及的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特徵在於，包括連接在上述驅動電晶體的上述第1電流端與上述發光元件之間的第4電晶體。根據該方式，第4電晶體作為對驅動電晶體與發光元件之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。

本發明的其它方式的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特徵在於，包括第5電晶體，該第5電晶體連接在對上述發光元件供給復位電位的復位電位供給線與上述發光元件之間。根據該方式，第5電晶體作為對復位電位供給線與發光元件之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。

本發明的其它方式的電光學裝置是上述一方式所涉及的電光學裝置，其特徵在於，上述驅動電路在緊接著上述第2期間的第3期間，使上述第1電晶體以及第3電晶體截止，且使第2電晶體導通，並且使對與指定灰度對應的數據信號進行保持的第2電容與上述第1數據傳輸線。根據該方式，在第3期間(寫入期間)中經由第1數據傳輸線將與各像素的指定灰度對應的數據信號供給至像素電路。

本發明的其它方式所涉及的電光學裝置的特徵在於，包括：第1數據傳輸線；第2數據傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數據傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數據傳輸線連接的第2電極；驅動電晶體；補償部，其將與上述驅動電晶體的電氣特性對應的電位輸出給上述第2電極以及上述第2數據傳輸線；數據傳輸線驅動電路，其切換上述數據傳輸線以及上述第1電極的電位，以使上述數據傳輸線以及上述第1電極的電位的變化量成為與灰度電平對應的值；以及發光元件，其以與基於從與上述驅動電晶體的電氣特性對應的電位根據上述變化量進行了移位後的電位而被供給的電流的大小對應的亮度發光，上述第1數據傳輸線與M個像素對應設置，上述第2數據傳輸線被分割為M除以 Nb所得的值即K條，在1條上述第2數據傳輸線上連接有Nb個像素。

根據該方式，針對一條第1數據傳輸線設置M除以Nb所得的值即K條第2數據傳輸線。另外，第1數據傳輸線與M行(M個)像素電路對應設置，第2數據傳輸線與比M行少的Nb行(Nb個)像素電路對應設置。因此，第2數據傳輸線與第1數據傳輸線相比較短。由此，縮短對第2數據傳輸線的充電或者放電所需的時間。

因此，與以往的構成相比較，縮短了對附隨於第2數據傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了補償期間本身。

為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的電子設備的特徵在於，具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置。根據該方式，提供一種具備上述各方式的任意一個所涉及的電光學裝置。

為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的電光學裝置的驅動方法的特徵在於，該電光學裝置包括：掃描線；第1數據傳輸線；第2數據傳輸線；第1電容，其包括與上述第1數據傳輸線連接的第1電極、和與上述第2數據傳輸線連接的第2電極；第1電晶體，其使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為導通狀態或者非導通狀態；以及像素電路，其與上述第2數據傳輸線和上述掃描線對應地設置，上述像素電路包括：驅動電晶體，其具備柵電極、第1電流端、以及第2電流端；第2電晶體，其連接在上述第2數據傳輸線與上述驅動電晶體的上述柵電極之間；第3電晶體，其用於使上述驅動電晶體的上述第1電流端、和上述驅動電晶體的上述柵電極導通；發光元件，其以與經由上述驅動電晶體供給的電流的大小對應的亮度發光，二條以上的上述第2數據傳輸線分別經由上述第1電容與上述第1數據傳輸線連接，若將經由上述第2數據傳輸線與同一上述第1數據傳輸線連接的上述像素電路的集合設為像素列，則對比上述像素列所包括的上述像素電路的個數少的個數的上述像素電路設置上述第2數據傳輸線，在第1期間，使上述第1電晶體導通來使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為導通狀態，並且使上述第2電晶體以及上述第3電晶體截止來對上述第2數據傳輸線供給初始電位，在緊接著上述第1期間的第2期間，使上述第1電晶體截止來使上述第1數據傳輸線和上述第2數據傳輸線成為非導通狀態，並且使上述第2電晶體以及上述第3電晶體導通來使上述驅動 電晶體的上述第1電流端、和上述驅動電晶體的上述柵電極導通，。

根據該方式，基於下述的理由，與以往的構成相比較縮短第2期間(補償期間)。此處將經由第2數據傳輸線和第1電容(轉移電容)與同一第1數據傳輸線連接的像素電路的集合稱為「像素列」，將與同一第2數據傳輸線連接的像素電路的集合稱為「塊」。根據本方式，針對比像素列所包括的像素電路的個數少的個數的像素電路設置第2數據傳輸線。與此相對，在以往的構成中，針對一個像素列(所包括的全部的像素電路)設置一條第1數據傳輸線和一條第2數據傳輸線。因此，第2數據傳輸線與以往的構成相比較短。由此，縮短了對第2數據傳輸線的充電或者放電所需的時間。換句話說，與以往的構成相比較，縮短了對附隨於第2數據傳輸線的寄生電容的充電或者放電所需的時間，所以縮短了第2期間(補償期間)。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式所涉及的電光學裝置的構成的立體圖。

圖2是表示該電光學裝置的構成的框圖。

圖3是用於說明該電光學裝置的多路分配器和電平移位電路的構成電路圖。

圖4是表示該電光學裝置的像素電路的構成的電路圖。

圖5是說明該電光學裝置特有的構成的圖。

圖6是說明作為比較例所示的以往的構成的圖。

圖7是表示該電光學裝置的動作的時間圖。

圖8是該電光學裝置的動作說明圖。

圖9是該電光學裝置的動作說明圖。

圖10是表示該電光學裝置的動作的時間圖。

圖11是該電光學裝置的動作說明圖。

圖12是該電光學裝置的動作說明圖。

圖13是表示變形例所涉及的像素電路的構成的電路圖。

圖14是表示HMD的外觀構成的圖。

圖15是表示HMD的光學構成的圖。

具體實施方式

圖1是表示本發明的實施方式所涉及的電光學裝置1的構成的立體圖。電光學裝置1是例如在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。

如圖1所示，電光學裝置1具備顯示面板2、和控制顯示面板2的動作的控制電路3。顯示面板2具備多個像素電路、和驅動該像素電路的驅動電路。在本實施方式中，顯示面板2具備的多個像素電路以及驅動電路形成於矽基板，對於像素電路，使用了發光元件的一個例子的OLED。另外，顯示面板2例如被收納於在顯示部開口的框狀的殼體82，並且，與FPC(Flexible Printed Circuit：撓性電路板)基板84的一端連接。

在FPC基板84上通過COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技術安裝有半導體晶片的控制電路3，並且設置有多個端子86，與省略了圖示的上位電路連接。

圖2是表示實施方式所涉及的電光學裝置1的構成的框圖。如上述，電光學裝置1具備顯示面板2和控制電路3。

從省略了圖示的上位電路與同步信號同步地對控制電路3供給數字的圖像數據Video。此處，圖像數據Video是例如以8位規定應在顯示面板2(嚴格來說，後述的顯示部100)顯示的圖像的像素的灰度電平的數據。另外，同步信號是包括垂直同步信號、水平同步信號以及點時鐘信號的信號。

控制電路3基於同步信號，生成各種控制信號，並對顯示面板2供給該控制信號。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給控制信號Ctr、 正邏輯的控制信號Gini、與控制信號Gini處於邏輯反轉的關係的負邏輯的控制信號/Gini、正邏輯的控制信號Gcpl、與控制信號Gcpl處於邏輯反轉的關係的負邏輯的控制信號/Gcpl、控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、與這些控制信號Sel(1)、以及Sel(2)、Sel(3)的信號處於邏輯反轉的關係的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。

此處，控制信號Ctr是包括脈衝信號、時鐘信號、使能信號等多個信號的信號。

此外，有時將控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)統稱為控制信號Sel，將控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)統稱為控制信號/Sel。

另外，控制電路3包括電壓生成電路31。電壓生成電路31對顯示面板2供給各種電位。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給復位電位Vorst以及初始電位Vini等。

並且，控制電路3基於圖像數據Video來生成模擬的圖像信號Vid。具體而言，在控制電路3中設置將圖像信號Vid表示的電位以及顯示面板2具備的發光元件(後述的OLED130)的亮度建立對應地進行存儲的檢查表。而且，控制電路3通過參照該檢查表，來生成表示與圖像數據Video所規定的發光元件的亮度對應的電位的圖像信號Vid，並對顯示面板2供給該圖像信號Vid。

圖2所示，顯示面板2具備顯示部100、和驅動顯示部100的驅動電路(數據傳輸線驅動電路10以及掃描線驅動電路20)。

在顯示部100中，與應顯示的圖像的像素對應的像素電路110呈矩陣狀排列。詳細而言，在顯示部100中，M行的掃描線12在圖中沿著橫方向(X方向)延伸設置，另外，按每3列分組的(3N)列的第1數據傳輸線14－1在圖中沿著縱向(Y方向)延伸，並且與各掃描線12保持相互電絕緣地設置。

此外，為了避免附圖的複雜化，圖2中未圖示，但第2數據傳輸線14－2能夠與各個第1數據傳輸線14－1電連接，且沿著縱向(Y方向)延伸設置(例如參照圖4)。而且，與M行的掃描線12、和(3N)列的 第2數據傳輸線14－2對應地設置像素電路110。因此，在本實施方式中，像素電路110以縱M行×橫(3N)列呈矩陣狀排列。

此處，M、N均為自然數。為了區分掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(row)，有時在圖中從上到下按順序稱為1、2、3、…、(M－1)、M行。同樣地為了區分第1數據傳輸線14－1以及像素電路110的矩陣的列(Column)，有時在圖中從左到右按順序稱為1、2、3、…、(3N－1)、(3N)列。

此處，為了通常化說明第1數據傳輸線14－1的組，若將1以上的任意的整數表示為n，則從左數第(3n－2)列、第(3n－1)列以及第(3n)列的第1數據傳輸線14－1屬於第n組。

此外，和同一行的掃描線12以屬於同一組的3列的第2數據傳輸線14－2對應的3個像素電路110分別與R(紅)、G(綠)、B(藍)的像素對應，這三個像素表現應顯示的彩色圖像的1點。即，在本實施方式中，成為通過與RGB對應的OLED的發光而利用加色混色表現1點的彩色的構成。

另外，如圖2所示，在顯示部100中，(3N)列的供電線(復位電位供給線)16沿著縱向延伸，並且與各掃描線12保持相互電絕緣地設置。規定的復位電位Vorst被共通地供給至各供電線16。此處，為了區分供電線16的列，有時在圖中從左到右按順序稱為第1、2、3、…、(3N)列供電線16。第1列～第(3N)列供電線16分別與第1列目～第(3N)列第1數據傳輸線14－1(第2數據傳輸線14－2)的每一個對應地設置。

掃描線驅動電路20根據控制信號Ctr生成用於在一個幀的期間內逐行按順序掃描M條的掃描線12的掃描信號Gwr。此處，分別將供給至第1、2、3…、M行掃描線12的掃描信號Gwr記載為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)。

此外，掃描線驅動電路20除了掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)之外還按每行生成與該掃描信號Gwr同步的各種控制信號，並供給至顯示部100，但圖2中省略圖示。另外，幀的期間是指電光學裝置1顯示 1鏡頭(片段)的圖像所需的期間，例如如果同步信號所包含的垂直同步信號的頻率為120Hz，則是其1周期的8.3毫秒的期間。

數據傳輸線驅動電路10具備與(3N)列的第1數據傳輸線14－1的每一個一一對應設置的(3N)個電平移位電路LS、在按照構成各組的3列的每個第1數據傳輸線14－1設置的N個多路分配器DM、以及數據信號供給電路70

數據信號供給電路70基於從控制電路3供給的圖像信號Vid和控制信號Ctr來生成數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，數據信號供給電路70基於數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)被時分復用後的圖像信號Vid來生成數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。而且，數據信號供給電路70分別對與第1、2、…、N組對應的多路分配器DM供給數據信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。

圖3是用於說明多路分配器DM和電平移位電路LS的構成的電路圖。此外，圖3代表性地示出屬於第n組的多路分配器DM、和與該多路分配器DM連接的三個電平移位電路LS。此外，以下，有時將屬於第n組的多路分配器DM記載為DM(n)。

以下，除了圖2還參照圖3，對多路分配器DM以及電平移位電路LS的構成進行說明。

如圖3所示，多路分配器DM是按每一列設置的傳輸門34的集合體，對構成各組的3列按順序供給數據信號。此處，與屬於第n組的(3n－2)、(3n－1)、(3n)列對應的傳輸門34的輸入端相互共通地連接，分別對該公共端子供給數據信號Vd(n)。在控制信號Sel(1)為H電平時(控制信號/Sel(1)為L電平時)，第n組中設置在左端列的(3n－2)列的傳輸門34導通(ON)。同樣地，在控制信號Sel(2)為H電平時(控制信號/Sel(2)為L電平時)，第n組中設置在中央列的(3n－1)列的傳輸門34導通，在控制信號Sel(3)為H電平時(控制信號/Sel(3)為L電平時)，第n組中設置在右端列的(3n)列的傳輸門34導通。

電平移位電路LS按每一列具有保持電容(第2電容)41、傳輸門 45、以及傳輸門42的組，是對從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數據信號的電位進行移位的電路。

各列的傳輸門45的源極或者漏極與第1數據傳輸線14－1電連接。另外，控制電路3共通地地對各列的傳輸門45的柵極供給控制信號/Gini。在控制信號/Gini為L電平時，傳輸門45使第1數據傳輸線14－1和初始電位Vini的供給線電連接，在控制信號/Gini為H電平時，使第1數據傳輸線14－1和初始電位Vini的供給線非電連接。此外，從控制電路3對初始電位Vini的供給線61供給規定的初始電位Vini。

保持電容41具有2個電極。保持電容41的一個電極經由節點h與傳輸門42的輸入端電連接。另外，傳輸門42的輸出端與第1數據傳輸線14－1電連接。

控制電路3共通地地對各列的傳輸門42供給控制信號Gcpl以及控制信號/Gcpl。因此，在控制信號Gcpl為H電平時(控制信號/Gcpl為L電平時)，各列的傳輸門42一齊導通。

各列的保持電容41的一個電極經由節點h與傳輸門34的輸出端以及傳輸門42的輸入端電連接。而且，在傳輸門34導通時，經由傳輸門34的輸出端對保持電容41的一個電極供給數據信號Vd(n)。即，保持電容41對一個電極供給數據信號Vd(n)。

另外，各列的保持電容41的另一方的電極與供給固定電位的電位Vss的供電線63共通地連接。此處，電位Vss也可以是相當於作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的L電平的電位。此外，將保持電容41的電容值設為Crf。

參照圖4，對像素電路110等進行說明。為了通常表示像素電路110排列的行，將1以上M以下的任意的整數表示為m。另外，將1以上M以下且連續的任意的整數表示為m1、m2。即，m是包含m1、m2的一般化的概念。

如果從電氣方面來看，由於各像素電路110是相互相同的構成，所以此處，以位於第m行、且位於第n組中左端列的第(3n－2)列的m行(3n－2)列的像素電路110為例進行說明。

如圖4所示，在第1數據傳輸線14－1上電連接有轉移電容(第1電容)133的第1電極133－1、和第1電晶體126的源極或者漏極的一方。另外，轉移電容133的第2電極133－2、第1電晶體126的源極或者漏極的另一方與第2數據傳輸線14－2電連接。

換句話說，在第1數據傳輸線14－1與第2數據傳輸線14－2之間，轉移電容133和第1電晶體126並聯連接。

另外，像素電路110與第2數據傳輸線14－2連接。即，經由第1數據傳輸線14－1以及第2數據傳輸線14－2對像素電路110供給與指定灰度對應的灰度電位。

具體而言，Nb個的像素電路110與一條第2數據傳輸線14－2電連接。在本實施方式中，Nb＝2，如圖4所示，第m1行的像素電路110、和第m2行的像素電路110與一條第2數據傳輸線14－2連接。

換句話說，在本實施方式中，二個像素電路110共享一條第2數據傳輸線14－2、一個轉移電容133、和第1電晶體126。

此處，與一條第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的個數(Nb)並不限於二個，只要是一個以上則可以是任何個數。此外，決定Nb時應考慮的事項後面詳述。

圖5是用於本實施方式特有的構成的圖。在本實施方式中，如圖5所示，二個以上的第2數據傳輸線14－2分別經由轉移電容133與第1數據傳輸線14－1連接。

此處，將經由第2數據傳輸線14－2和轉移電容133與同一第1數據傳輸線14－1連接的像素電路110的集合稱為「像素列」(圖5中的像素列L)。另外，將與同一第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的集合稱為「塊」(圖5中的塊B)。

如圖5所示，像素列L包括多個塊B，各塊B包括多個像素電路110。換句話說，在本實施方式中，對比像素列L所包括的像素電路110的個數少的個數的像素電路110設置第2數據傳輸線14－2。

與此相對，以往的構成是圖6所示的圖。圖6是用於作為比較例所 示的以往的構成的圖。如該圖所示，在以往的構成中，對像素列L設置第2數據傳輸線14－2，在其端部設置有轉移電容133和第1數據傳輸線14－1。換句話說，在以往的構成中，針對一個像素列L(所包括的全部像素電路110)設置有一條第1數據傳輸線14－1和一條第2數據傳輸線14－2。這一點與參照圖5所說明的本實施方式特有的構成，即按第2數據傳輸線14－2構成像素列L的塊B單位分割而設置多個的點明確不同。

然而，如下述的(式1)所示，將顯示部10中的像素電路110的全行數M除以與一條第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的行數Nb所得的值設為K。換言之，第2數據傳輸線14－2被分割為將M除以Nb所得的值即K條，在1條第2數據傳輸線14－2上連接Nb個像素電路110。

【數1】

K = M N b ]]>…(式1)

在本實施方式中，對一條第1數據傳輸線14－1設置K(K≥2)條第2數據傳輸線14－2。換言之，一個像素列L具備K個塊B。另外，第1數據傳輸線14－1與M行(M個)的像素電路110對應地設置，第2數據傳輸線14－2與Nb行(Nb個)的像素電路110對應地設置。因此，第2數據傳輸線14－2與第1數據傳輸線14－1相比較短。

在本實施方式中，Nb的值為2。此外，使用k作為1以上K以下的任意整數。

以下，如圖4所示，與包括第m1行以及第m2行的塊對應的第1電晶體126為從第1行數第k個的第1電晶體126，供給控制信號Gfix(k)。

像素電路110包括P溝道MOS型的電晶體121～125、OLED130、和像素電容132。對第m行像素電路110供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m)。此處，分別對應於第m行， 通過掃描線驅動電路20供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m)。

此外，圖2中省略圖示，但如圖4所示，在顯示面板2(顯示部100)上設置沿著橫向(X方向)延伸的M行的控制線143(第1控制線)、沿著橫向延伸的M行的控制線144(第2控制線)、沿著橫向延伸的M行的控制線145(第3控制線)、沿著橫向延伸的K行的控制線146(第4控制線)。

而且，掃描線驅動電路20對第m行控制線143供給控制信號Gcmp(m)，對第m行控制線144供給控制信號Gel(m)，對第m行控制線145供給控制信號Gorst(m)，對第k行控制線146供給控制信號Gfix(k)。

即，掃描線驅動電路20分別經由第m行掃描線12、控制線143、144、145對位於第m行的像素電路供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)。另外，經由第k行控制線146對位於第k行的第1電晶體126供給控制信號Gfix(k)。

以下，有時將掃描線12、控制線143、控制線144、控制線145、以及控制線146統稱為「控制線」。即，在本實施方式所涉及的顯示面板2上，各行設置包括掃描線12的4條控制線，並且按每一Nb行設置1條控制線146。

像素電容132以及轉移電容133分別具有2個電極。轉移電容133是包括第1電極133－1和第2電極133－2的靜電電容。

第2電晶體122的柵極與第m行掃描線12電連接，源極或者漏極的一方與第2數據傳輸線14－2電連接。另外，第2電晶體122的源極或者漏極的另一方分別與驅動電晶體121的柵極、和像素電容132的一方的電極電連接。即，第2電晶體122電連接在驅動電晶體121的柵極與轉移電容133的第2電極133－2之間。而且，第2電晶體122作為對驅動電晶體121的柵極和與第(3n－2)列第2數據傳輸線14－2連接的轉移電容133的第2電極133－2之間的電連接進行控制的電晶體發揮作用。

驅動電晶體121其源極與供電線116電連接，其漏極與第3電晶體123的源極或者漏極的一方、和第4電晶體124的源極電連接。

此處，對供電線116供給像素電路110中成為電源的高位側的電位Vel。該驅動電晶體121作為使與驅動電晶體121的柵極以及源極間的電壓對應的電流流動的驅動電晶體發揮作用。

第3電晶體123的柵極與控制線143電連接，供給控制信號Gcmp(m)。該第3電晶體123作為對驅動電晶體121的柵極與漏極之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。因此，第3電晶體123是用於經由第2電晶體122使驅動電晶體121的柵極以及漏極之間導通的電晶體。此外，在第3電晶體123的源極和漏極的一方與驅動電晶體121的柵極之間連接有第2電晶體122，但也可解釋為第3電晶體123的源極和漏極的一方與驅動電晶體121的柵極電連接。

第4電晶體124的柵極與控制線144電連接，被供給控制信號Gel(m)。另外，第4電晶體124的漏極分別與第5電晶體125的源極和OLED130的陽極130a電連接。該第4電晶體124作為對驅動電晶體121的漏極與OLED130的陽極之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。並且，在驅動電晶體121的漏極與OLED130的陽極之間連接有第4電晶體124，但也可解釋為驅動電晶體121的漏極與OLED130的陽極電連接。

第5電晶體125的柵極與控制線145電連接，被供給控制信號Gorst(m)。另外，第5電晶體125的漏極與第(3n－2)列的供電線16電連接而被保持在復位電位Vorst。該第5電晶體125作為對供電線16與OLED130的陽極130a之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。

第1電晶體126的柵極與控制線146電連接，被供給控制信號Gfix(k)。另外，第1電晶體126的源極或者漏極的一方與第2數據傳輸線14－2電連接，經由第2數據傳輸線14－2與轉移電容133的第2電極133－2以及第3電晶體123的源極或者漏極的另一方電連接。另外，第1電晶體126的源極或者漏極的另一方與第(3n－2)列的第1數據傳輸線14－1電連接。

該第1電晶體126主要作為對第1數據傳輸線14－1與第2數據傳輸線14－2之間的電連接進行控制的開關電晶體發揮作用。

此處，第1電晶體126以及轉移電容133由與同一第2數據傳輸線14－2連接的Nb個像素電路110共享。在本實施方式中，如圖4所示，由第m1行的像素電路110和第m2的行像素電路110這二個像素電路110共享。

此外，在本實施方式中，由於顯示面板2形成於矽基板，所以電晶體121～126的基板電位為電位Vel。另外，上述中的電晶體121～126的源極、漏極也可以根據電晶體121～126的溝道型、電位的關係來更換。另外，電晶體可以是薄膜電晶體，也可以是場效應電晶體。

像素電容132的一方的電極與驅動電晶體121的柵極g電連接，另一方的電極與供電線116電連接。因此，像素電容132作為對驅動電晶體121的柵極-源極間的電壓進行保持的保持電容發揮作用。此外，將像素電容132的電容值記載為Cpix。

此外，作為像素電容132，可以使用寄生於驅動電晶體121的柵極g的電容，也可以使用通過在矽基板利用相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。

OLED130的陽極130a是按每個像素電路110獨立設置的像素電極。與此相對，OLED130的陰極是遍及像素電路110的全部共用設置的共用電極118，被保持成在像素電路110中成為電源的低位側的電位Vct。OLED130是在上述矽基板中通過陽極130a和具有透光性的陰極夾持白色有機EL層而成的元件。而且，在OLED130的出射側(陰極側)重疊與RGB的任意一個對應的彩色濾光片。此外，也可以調整夾著白色有機EL層而配置的2個反射層間的光學距離來形成腔結構，並設定從OLED130發出的光的波長。該情況下，可以具有彩色濾光片，也可以不具有。

在這種OLED130中，若電流從陽極130a流向陰極，則從陽極130a注入的空穴和從陰極注入的電子在有機EL層再結合而生成激子，產生白色光。此時成為產生的白色光透過與矽基板(陽極130a)相反的一側 的陰極，經過由彩色濾光片實現的著色而在觀察者側被視覺確認的構成。

參照圖7，對電光學裝置1的動作進行說明。圖7是用於說明電光學裝置1中的各部的動作的時間圖。如該圖所示，掃描線驅動電路20依次將掃描信號Gwr(1)～Gwr(M)切換為L電平，在1幀的期間按每1水平掃描期間(H)依次掃描1～第M行掃描線12。

1水平掃描期間(H)中的動作在各行的像素電路110中是共同的。因此，以下，在水平掃描第m1行的水平掃描期間中，特別是著眼於m1行(3n－2)列的像素電路110來說明動作。

在本實施方式中，第m1行的水平掃描期間大致區分為圖7中(c)所示的補償期間、和(d)所示的寫入期間。另外，水平掃描期間以外的期間被分為(a)所示的發光期間、和(b)所示的初始化期間。而且，(d)的寫入期間之後，再次成為(a)所示的發光期間，經過1幀的期間後再次到達第m1行的水平掃描期間。因此，如果以時間的順序來說，成為發光期間→初始化期間→補償期間→寫入期間→發光期間這一周期的反覆。

以下，為了便於說明，從成為初始化期間的前提的發光期間開始進行說明。圖8是說明發光期間中的像素電路110等的動作的圖。此外，圖8中，用粗線表示動作說明中重要的電流路徑，在截止狀態的電晶體或者傳輸門上用粗線附加「X」記號(以下的圖9、圖11、以及圖12中也同樣)。

＜發光期間＞

如圖7的時間圖所示，在第m1行的發光期間中，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為L電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為H電平。

因此，如圖8所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第4電晶體124導通，另一方面，電晶體122、123、125、126截止。由此，驅動電晶體121將與被像素電容132保持的電壓，即柵極-源極間的電壓Vgs對應的驅動電流Ids供給至OLED130。換句話說，OLED130通 過驅動電晶體121供給對應於與各像素的指定灰度對應的灰度電位的電流，以與該電流對應的亮度發光。

此處，發光期間中，在電平移位電路LS中，控制信號/Gini變為H電平，所以如圖8所示，傳輸門45截止，控制信號Gcpl變為L電平，所以如圖8所示，傳輸門42截止。另外，在發光期間的多路分配器DM(n)中，由於控制信號Sel(1)變為L電平，所以傳輸門34截止。

此外，第m1行的發光期間是水平掃描第m1行以外的期間，所以傳輸門34、傳輸門42、傳輸門45配合這些行的動作來進行導通或者截止，所以第1數據傳輸線14－1以及第2數據傳輸線14－2的電位適當地變動。但是，在第m1行的像素電路110中，第2電晶體122截止，所以此處不考慮第1數據傳輸線14－1以及第2數據傳輸線14－2的電位變動。

＜初始化期間＞

接下來，第m1行的初始化期間開始。如圖7所示，在第m1行的初始化期間中，掃描信號Gwr(m1)為H電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為L電平。

因此，如圖9所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，電晶體125、126導通，另一方面電晶體122、123、124截止。由此，由於供給至OLED130的電流的路徑被切斷，所以OLED130成為截止(非發光)狀態。

此處，初始化期間中，在電平移位電路LS中，由於控制信號/Gini變為L電平，所以如圖9所示，傳輸門45導通，由於控制信號Gcpl變為L電平，所以如圖9所示，傳輸門42截止。因此，如圖9所示，與轉移電容133的第1電極133－1連接的第1數據傳輸線14－1被設定為初始電位Vini，並且第1電晶體126導通，所以第1數據傳輸線14－1與第2數據傳輸線14－2電連接，轉移電容133的第2電極133－2也被設定為初始電位Vini。由此，轉移電容133被初始化。

另外，在初始化期間的多路分配器DM(n)中，由於控制信號Sel (1)變為H電平，所以如圖9所示，傳輸門34導通。由此，對電容值Crf的保持電容41寫入灰度電位。

然而，在本實施方式中，如圖9所示，在連接有m1行(3n－2)列的像素電路110的第2數據傳輸線14－2上也連接m2行(3n－2)列的像素電路110。因此，由在第m1行的初始化期間所使用的控制信號Gfix(k)控制的第1電晶體126如圖10所示，在第m2行的初始化期間也被使用。

＜補償期間＞

若結束上述(b)的初始化期間，則水平掃描期間開始。首先，圖7所示的(c)的補償期間開始。在第m1行的補償期間中，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為L電平，控制信號Gfix(k)為H電平。

因此，如圖11所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，電晶體122、123、125導通，另一方面，第4電晶體124、126截止。此時，驅動電晶體121的柵極g經由第2電晶體122和第3電晶體123與自身的漏極連接(二極體連接)，漏極電流在驅動電晶體121中流動，對柵極g進行充電。

即，驅動電晶體121的漏極和柵極g與第2數據傳輸線14－2連接，若將驅動電晶體121的閾值電壓設為Vth，則驅動電晶體121的柵極g的電位Vg與(Vel－Vth)接近。

此處，在補償期間的電平移位電路LS中，由於控制信號/Gini變為L電平，所以如圖11所示，傳輸門45導通，控制信號Gcpl變為L電平，如圖11所示，傳輸門42截止。此時，與如上述那樣以往的構成相比，第2數據傳輸線14－2較短，所以縮短了對附隨於第2數據傳輸線14－2的寄生電容的充電或者放電所需的時間，縮短了補償期間本身。

另外，在補償期間的多路分配器DM(n)中，由於控制信號Sel(1)變為H電平，所以如圖11所示，傳輸門34導通。由此，對電容值Crf的保持電容41寫入灰度電位。

此外，由於第4電晶體124截止，所以驅動電晶體121的漏極與OLED130非電連接。另外，與初始化期間同樣地，通過第5電晶體125導通，使OLED130的陽極130a和供電線16電連接，陽極130a的電位被設定為復位電位Vorst。

＜寫入期間＞

在第m1行的水平掃描期間中，若結束上述的(c)的補償期間，則(d)的寫入期間開始。在第m1行的寫入期間中，掃描信號Gwr(m1)為L電平，控制信號Gel(m1)為H電平，控制信號Gcmp(m1)為H電平，控制信號Gfix(k)為H電平。

因此，如圖12所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，電晶體122、125導通，另一方面，電晶體123、124、126截止。

此處，在寫入期間的電平移位電路LS中，由於控制信號/Gini變為H電平，所以如圖12所示，傳輸門45截止，由於控制信號Gcpl變為H電平，所以如圖12所示，傳輸門42導通。因此，解除向第1數據傳輸線14－1以及第1電極133－1供給初始電位Vini，並且電容值Crf的保持電容41的一方的電極與第1數據傳輸線14－1以及第1電極133－1連接，對該第1電極133－1供給灰度電位。而且，將灰度電位被電平移位後的信號供給至驅動電晶體121的柵極，並寫入像素電容Cpix。

此外，在寫入期間的多路分配器DM(n)中，由於控制信號Sel(1)變為L電平，所以如圖12所示，傳輸門34截止。

此外，由於第4電晶體124截止，所以驅動電晶體121的漏極與OLED130非電連接。另外，與初始化期間同樣地，通過第5電晶體125導通，使OLED130的陽極130a與供電線16電連接，陽極130a的電位被初始化為復位電位Vorst。

此外，在第m行寫入期間中，如果以第n組來說，控制電路3按順序將數據信號Vd(n)切換為與m行(3n－2)列、m行(3n－1)列、m行(3n)列的像素的灰度電平對應的電位。

另一方面，控制電路3配合數據信號的電位的切換按順序排他地使 控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)成為H電平。省略圖示，但控制電路3也輸出與控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)處於邏輯反轉的關係的控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。由此，在多路分配器DM中，各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序導通。

然而，在左端列的傳輸門34通過控制信號Sel(1)、/Sel(1)而導通時，將第1數據傳輸線14－1以及第1電極133－1的電位的變化量設為ΔV，則第2數據傳輸線14－2以及驅動電晶體121的柵極g的電位的變化量ΔVg用下述(式2)表示。但是，轉移電容133的電容值C1與像素電路110的行數成比例，能夠調整電容值，作為每1行的電容C1a。

另外，將附隨於每1行的第2數據傳輸線14－2的寄生電容的電容值設為C3a。另外，如上述那樣，將與一條第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的行數表示為Nb。

Δ V g = N b C 1 a N b C 1 a + N b C 3 a + C p i x Δ V ]]>…(式2)

如下述的(式3)所示，此處將ΔV與ΔVg之比設為壓縮率R。

【數3】

R = N b C 1 a N b C 1 a + N b C 3 a + C p i x ]]>…(式3)

換句話說，寫入期間的驅動電晶體121的柵極g的電位Vg成為從補償期間中的電位Vg電平移位了對第1數據傳輸線14－1以及第1電極133－1的電位的變化量ΔV乘以R所得的值後(數據壓縮)的值。若結束該寫入期間，則上述(a)的發光期間開始。

根據上述的(式2)所示的關係，與一條第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的個數Nb越多(1塊內所包括的像素電路110的個 數Nb越多)，ΔVg和ΔV變為越接近的值。換言之，Nb的值越大，(式4)所示的R越接近1。

此處，優選與第2數據傳輸線14－2連接的像素電路110的個數Nb(1塊內所包括的像素電路110的個數Nb)鑑於補償動作的完成所需的時間、和數據壓縮的壓縮率來決定。以下，具體地進行說明。

首先，對補償動作的完成所需的時間進行說明。優選將結束補償期間的時刻的驅動電晶體121的柵極g的電位Vg(補償點)設定成灰度電壓的中間灰度，Nb的值越小，附隨於驅動電晶體121的柵極g的寄生電容越小，所以補償期間極端短，結果受到掃描信號Gwr(m)的上升(下降)的變形的影響，在供給掃描信號Gwr(m)側和被供給側，會有補償期間不同的顧慮。該情況下，需要能夠消除該顧慮程度的驅動能力高的掃描線驅動電路20。

另外，如(式2)所示，對於數據壓縮的壓縮率，Nb的值越小，壓縮率越大，反之，Nb的值越大，壓縮率越小。

因此，優選鑑於補償動作的完成所需的時間、和數據壓縮的壓縮率來將Nb的值決定為適當的值。例如在全行數M為720行的情況下，也可以將Nb設為90個、將總塊數K設為8個。

如以上說明那樣，根據本發明的一實施方式，通過實行對使用於發光強度的調節的電晶體的閾值電壓的偏差進行補償的補償動作的高速化，能夠提供一種電光學裝置、電子設備、以及電光學裝置的驅動方法。

本發明並不限於上述的實施方式，例如能夠進行下面所述的各種變形。另外，下面所述的變形的方式也能夠適當地組合任意選擇的一個或者多個。

＜變形例1＞

在上述的實施方式中，在各像素電路110中，第3電晶體123連接在驅動電晶體121的漏極與第2數據傳輸線14－2之間，但如圖13所示，也可以連接在驅動電晶體121的漏極與柵極g之間。

＜變形例2＞

在上述的實施方式的各像素電路110中，可以不設置第5電晶體125。

＜變形例3＞

上述的第1電晶體126不一定配置於像素電路110外，也可以配置於各像素電路110內。

＜變形例4＞

在上述的實施方式中，針對二個像素電路110以各一個的比例設置第1電晶體126和轉移電容133，但也可以按每個像素電路110一一對應地設置第2數據傳輸線14－1、第1電晶體126、和轉移電容133。

＜變形例5＞

在上述的實施方式中，構成為按每3列對第1數據傳輸線14－1進行分組，並且，在各組中按順序選擇第1數據傳輸線14－1，供給數據信號，但構成組的數據線數隻要是「2」以上「3n」以下的規定量即可。例如，構成組的數據線數可以是「2」，也可以是「4」以上。

另外，也可以構成為不分組，即不使用多路分配器DM而一齊按線順序對各列的第1數據傳輸線14－1供給數據信號。

＜變形例6＞

在上述的實施方式中，將電晶體121～126統一為P溝道型，但也可以統一為N溝道型。另外，也可以適當地組合P溝道型以及N溝道型。

例如，在將電晶體121～126統一為N溝道型的情況下，上述的實施方式中的、數據信號Vd(n)將正負反轉的電位供給至各像素電路110即可。另外，該情況下，電晶體121～126的源極和漏極成為與上述的實施方式以及變形例反轉的關係。

＜變形例7＞

在上述的實施方式以及變形例中，作為電氣光學元件，例示了作為 發光元件的OLED，但只要是例如無機發光二極體、LED(Light Emitting Diode)等以與電流對應的亮度進行發光的發光元件即可。

＜應用例＞

接下來，對應用實施方式等、應用例所涉及的電光學裝置1的電子設備進行說明。電光學裝置1適合像素為小尺寸、高精細的顯示的用途。因此，作為電子設備，例舉頭戴式顯示器的例子進行說明。

圖14是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖15是表示其光學構成的圖。

首先，如圖14所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，頭戴式顯示器300如圖15所示，在鼻架320附近且透鏡301L、301R的裡側(圖中下側)設置有左眼用的電光學裝置1L和右眼用的電光學裝置1R。

在圖15中以成為左側的方式配置電光學裝置1L的圖像顯示面。由此，電光學裝置1L的顯示圖像經由光學透鏡302L在圖中向9點鐘方向射出。半透半反鏡303L使電光學裝置1L的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。

以成為與電光學裝置1L相反的右側的方式配置電光學裝置1R的圖像顯示面。由此，電光學裝置1R的顯示圖像經由光學透鏡302R在圖中向3點鐘方向射出。半透半反鏡303R使電光學裝置1R的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。

在該構成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透過狀態觀察電光學裝置1L、1R的顯示圖像。

另外，在該頭戴式顯示器300中，若使電光學裝置1L顯示伴有視差的兩眼圖像中左眼用圖像，使電光學裝置1R顯示右眼用圖像，則能夠使佩戴者感覺所顯示的圖像宛如具有縱深感、立體感(3D顯示)。

此外，除了頭戴式顯示器300之外，電光學裝置1也能夠應用於攝像機、透鏡更換式的數位相機等中的電子式取景器。

符號說明

1、1L、1R…電光學裝置，2…顯示面板，3…控制電路，10…數據線驅動電路，12…掃描線，14－1…第1數據傳輸線，14－2…第2數據傳輸線，16…供電線，20…掃描線驅動電路，31…電壓生成電路，34…傳輸門，41…保持電容，42…傳輸門，45…傳輸門，70…數據信號供給電路，100…顯示部，110…像素電路，116…供電線，118…共用電極，121、122、123、124、125、126…電晶體，130…OLED，130a…陽極，132…像素電容，133…轉移電容，143、144、145、146…控制線，300…顯示器，301L、301R…透鏡，302L、302R…光學透鏡，303L、303R…半透半反鏡，310…眼鏡腿，320…鼻架，DM…多路分配器，LS…電平移位電路。