一種光控LED用信號處理系統的製作方法

2023-10-06 14:56:19 1

本發明涉及電子領域，具體的說，是一種光控LED用信號處理系統。

背景技術：

目前，由於LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環保等特點，其已經成為了人們生活照明的主流產品之一。在生活中人們多採用聲控或光控控制系統來實現對LED燈的開啟與關閉。光控LED控制系統因其能根據LED燈使用環境的亮度來控制LED燈的開啟與關閉，且能有效的滿足人們對LED燈在節能方面的要求，而備受人們的青睞。然而，現有的光控LED控制系統的信號處理系統易受外界的電磁波幹擾而對亮度信號處理不準確，導致光控控制系不能根據環境的光照強度準確的控制LED燈的開啟與關閉，從而無法很好的滿足人們在節能方面的要求。

因此，提供一種能對亮度信號準確處理的信號處理系統便是當務之急。

技術實現要素：

本發明的目的在於克服現有技術中的光控LED控制系統的信號處理系統易受外界的電磁波幹擾而對亮度信號處理不準確的缺陷，提供的一種光控LED用信號處理系統。

本發明通過以下技術方案來實現：一種光控LED用信號處理系統，主要由處理晶片U，三極體VT1，N極與處理晶片U的FDBK管腳相連接、P極經電阻R6後與處理晶片U的COM管腳相連接的二極體D2，P極經電阻R7後與處理晶片U的VNEG管腳相連接、N極與三極體VT1的基極相連接的二極體D3，分別與處理晶片U的VINP管腳和GNEG管腳相連接的低通濾波電路，以及分別與三極體VT1哦發射極和處理晶片U相連接的信號發射調理電路組成；所述三極體VT1的集電極與處理晶片U的FDBK管腳相連接。

所述低通濾波電路由放大器P1，正極與放大器P1的正極相連接、負極作為低通濾波電路的輸入端的極性電容C1，一端與極性電容C1的負極相連接、另一端接地的電阻R1，正極經電阻R2後與放大器P1的負極相連接、負極接地的極性電容C2，正極經電阻R3後與放大器P 1的正極相連接、負極與放大器P1的輸出端相連接的極性電容C3，P極與放大器P1的正極相連接、N極經電阻R4後與極性電容C3的負極相連接的二極體D1，以及負極與放大器P1的輸出端相連接、正極經電阻R5後與處理晶片U的GNEG管腳相連接的極性電容C4組成；所述放大器P1的輸出端與處理晶片U的VINP管腳相連接。

所述信號發射調理電路由場效應管MOS，放大器P2，N極與場效應管MOS的漏極相連接、P極經電阻R8後與處理晶片U的VPOS管腳相連接的二極體D4，負極經電阻R11後與放大器P2的輸出端相連接、正極經電阻R9後與場效應管MOS的漏極相連接的極性電容C5，一端與場效應管MOS的源極相連接、另一端與放大器P2的輸出端相連接的可調電阻R10，負極與場效應管MOS的源極相連接、正極與放大器P2的正極相連接的極性電容C6，正極與三極體VT1的發射極相連接、負極經電阻R12後與放大器P2的負極相連接的極性電容C7，正極與放大器P2的輸出端相連接、負極作為信號發射調理電路的輸出端的極性電容C8，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負極與極性電容C8的負極相連接的極性電容C9組成；所述極性電容C7的負極接地；所述場效應管MOS的柵極與處理晶片U的VOUT管腳相連接。

為了本發明的實際使用效果，所述處理晶片U則優先採用AD603集成晶片來實現。

本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：

(1)本發明能將輸入信號因外界幹擾電波而產生的諧波消除或抑制；並且本發明還能對輸出信號的帶寬進行調整，使輸出信號與輸入的採集信號一致，從而確保了本發明對信號處理的準確性，有效的確保了光控LED控制系統對LED燈的開啟與關閉控制的準確性。

(2)本發明的處理晶片採用了AD603集成晶片來實現，該晶片性能穩定與外部電路相結合有效的提高了本發明對信號處理的準確性。

附圖說明

圖1為本發明的整體結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例及其附圖對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式不限於此。

實施例

如圖1所示，本發明主要由處理晶片U，三極體VT1，N極與處理晶片U的FDBK管腳相連接、P極經電阻R6後與處理晶片U的COM管腳相連接的二極體D2，P極經電阻R7後與處理晶片U的VNEG管腳相連接、N極與三極體VT1的基極相連接的二極體D3，分別與處理晶片U的VINP管腳和GNEG管腳相連接的低通濾波電路，以及分別與三極體VT1哦發射極和處理晶片U相連接的信號發射調理電路組成；所述三極體VT1的集電極與處理晶片U的FDBK管腳相連接。

其中，所述低通濾波電路由放大器P1，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，極性電容C1，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C4，以及二極體D1組成。

連接時，極性電容C1的正極與放大器P1的正極相連接、其負極作為低通濾波電路的輸入端並與亮度傳感器相連接。電阻R1的一端與極性電容C1的負極相連接、其另一端接地。極性電容C2的正極經電阻R2後與放大器P1的負極相連接、其負極接地。極性電容C3的正極經電阻R3後與放大器P 1的正極相連接、其負極與放大器P1的輸出端相連接。

同時，二極體D1的P極與放大器P1的正極相連接、其N極經電阻R4後與極性電容C3的負極相連接。極性電容C4的負極與放大器P1的輸出端相連接、其正極經電阻R5後與處理晶片U的GNEG管腳相連接。所述放大器P1的輸出端與處理晶片U的VINP管腳相連接。

進一步地，所述信號發射調理電路由場效應管MOS，放大器P2，電阻R8，電阻R9，可調電阻R10，電阻R11，電阻R12，極性電容C5，極性電容C6，極性電容C7，極性電容C8，極性電容C9，二極體D4組成。

連接時，二極體D4的N極與場效應管MOS的漏極相連接、其P極經電阻R8後與處理晶片U的VPOS管腳相連接。極性電容C5的負極經電阻R11後與放大器P2的輸出端相連接、其正極經電阻R9後與場效應管MOS的漏極相連接。可調電阻R10的一端與場效應管MOS的源極相連接、其另一端與放大器P2的輸出端相連接。

同時，極性電容C6的負極與場效應管MOS的源極相連接、其正極與放大器P2的正極相連接。極性電容C7的正極與三極體VT1的發射極相連接、其負極經電阻R12後與放大器P2的負極相連接。極性電容C8的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負極作為信號發射調理電路的輸出端並與光控LED控制器相連接。極性電容C9的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負極與極性電容C8的負極相連接。所述極性電容C7的負極接地；所述場效應管MOS的柵極與處理晶片U的VOUT管腳相連接。

實施時，本發明能將輸入信號因外界幹擾電波而產生的諧波消除或抑制；並且本發明還能對輸出信號的帶寬進行調整，使輸出信號與輸入的採集信號一致，從而確保了本發明對信號處理的準確性。本發明將分析處理後的信號轉換為準確的數據信號後並傳輸給光控LED控制系統的控制器，控制器則根據接收的數據信號來控制LED燈的開啟與關閉。為了本發明的實際使用效果，所述處理晶片U則優先採用AD603集成晶片來實現。

按照上述實施例，即可很好的實現本發明。