液晶介質以及含有該液晶介質的電光學顯示器的製作方法

2023-10-06 19:06:39

專利名稱：液晶介質以及含有該液晶介質的電光學顯示器的製作方法
技術領域：
本發明涉及液晶介質及其在液晶顯示器中的應用，以及使用上述液晶介質的液晶顯示器，尤其是利用TN(扭轉向列型，具有扭轉大約90°的向列型結構)效應、STN(超扭轉向列型)效應或者SBE(超扭轉雙折射效應)的液晶顯示器。根據本發明的顯示器在具有低的尋址電壓的同時，其特徵尤其還在於具有低的功耗。
利用TN、STN或SBE效應的顯示器仍然代表著目前最普遍的顯示器類型。在上述以及與其類似的電光學效應中使用了具有介電正性各向異性(Δε)的液晶介質。
在該類型的液晶顯示器中，液晶被用作電介質，其光學特性隨所施加的電壓而可逆變化。
由於在一般的顯示器、也就是利用上述效應的顯示器中，操作電壓應儘可能地低，因此所使用的液晶介質通常主要是由全部具有相同的介電各向異性信號以及儘可能高的介電各向異性的液晶化合物組成。至多使用相對少量的介電中性化合物。對於具有高介電正性各向異性的液晶介質而言，所使用的主要是具有介電正性各向異性的化合物。常用的液晶介質通常主要或者一般甚至基本上都是由具有介電正性各向異性的液晶化合物組成。
在本申請所使用的介質中，通常使用最大量的介電中性液晶化合物和一般情況下僅僅是少量或者甚至不使用的介電負性化合物，這是因為液晶顯示器通常應該具有儘可能最低的尋址電壓。基於上述理由，通常是極微量或者根本就不使用具有與介質的介電各向異性相反的介電各向異性信號的液晶化合物。
具有相對較低的尋址電壓的現有液晶介質具有相對較低的電阻，因而導致在顯示器中的功耗不如人意地高。
另外，現有顯示器特別是對於用於行動電話、個人數字助理(縮寫為PDAs)、可攜式輸出裝置及類似設備的顯示器而言，其尋址電壓通常不是足夠大。因此必須提高液晶胞中液晶介質的特徵電壓，同時卻不加大其功耗。
另外，相範圍必須足夠寬，必須改善也就是降低所述液晶介質的粘度。這尤其適用於旋轉粘度，特別是在低溫下。
因此，強烈需求一類不存在現有介質的上述缺點或者至少其缺陷程度顯著降低的液晶介質。
現在出人意料地發現可以得到這樣的液晶顯示器，其初始電流密度也就是顯示沒有負荷(loading)時的初始電流密度為小於或等於0.05μA/cm2，閾電壓為小於或等於1.0V。
在本發明的優選實施方案中，通過使用本發明的液晶介質，在獲得低尋址電壓的同時還獲得了低的功耗。所述介質含有a)含有一種或多種通式I的介電正性化合物的介電正性液晶成分(成分A) 其中 和 彼此獨立地為
或 優選彼此獨立地為 或 特別優選為 為 R1為具有1-7個碳原子的烷基，優選為正烷基，特別優選為具有1-5個碳原子的正烷基，具有1-7個碳原子的烷氧基，優選為正烷氧基，特別優選為具有1-5個碳原子的正烷氧基，或者具有2-7個碳原子、優選具有2-4個碳原子的烷氧基烷基、鏈烯基或鏈烯基氧基，優選鏈烯基氧基，X1為滷素(優選F或Cl)、OCF3或OCHF2，優選F，Y1為H或F，Z11和Z12彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2-、-OCH2-、-CH2O、-OCF2-、-CF2O或者單鍵，優選Z11和Z12之一為-CH2-CH2-或單鍵而另一個為單鍵，特別優選兩者均為單鍵，以及n為0或1，和b)含有一種或多種選自通式II-IV化合物的介電正性化合物的介電正性液晶成分(成分B)
其中R2、R3和R4彼此獨立地為具有1-7個碳原子的烷基，優選正烷基，特別優選具有1-5個碳原子的正烷基，具有1-7個碳原子的烷氧基，優選正烷氧基，特別優選具有1-5個碳原子的正烷氧基，或者具有2-7個碳原子、優選具有2-4個碳原子的烷氧基烷基、鏈烯基或鏈烯基氧基，優選為鏈烯基氧基，Z2為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或者單鍵，優選為-CH2-CH2-或單鍵，特別優選為單鍵，Z31和Z32為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-或者單鍵，優選-CH2-CH2-或單鍵，特別優選單鍵，優選Z32為單鍵，Z41和Z42之一、優選Z42為-OCF2-或-CF2O，優選為-OCF2-，而另一個為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或者單鍵，特別優選單鍵，以及 至 彼此獨立地為
或 優選地 為 如果存在的話， 為 至 彼此獨立地為 或 優選為 或 特別優選地， 和 為 Y21至Y42彼此獨立地為H或F，優選Y21、Y31和Y41為F，特別優選Y22為H，以及Y32和Y42均為F，m、l和o彼此獨立地為0或1，優選0，
以及任選含有c)含有一種或多種選自通式V和通式VI化合物(具有更大的光學各向異性)的介電中性化合物的介電中性液晶成分(成分C) 其中R51至R62彼此獨立地為如上述對通式II中R2的定義，Z51至Z61彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-COO-或者單鍵，優選地，Z51為單鍵，Z53為-CH＝CH-或單鍵，Z52為-COO-或單鍵，Z61為-CH2-CH2-、-COO-或單鍵，優選-CH2-CH2-或單鍵，特別優選單鍵， 至 彼此獨立地為 或 優選地 為
為 或 如果存在的話， 為 或 為 或 並且特別優選上述環中的至少兩個環為 和/或 其中兩個相鄰環特別優選地為直接相連的，並優選為 或 優選地 為 或 為 或 如果存在的話 為 或 以及p，q和r彼此獨立地為0或1，優選p和q均為0或者均為1，以及任選的
d)含有一種或多種手性化合物的手性成分(成分D)。
在優選實施方案中，所述介質含有一種或多種選自通式I-1至I-5化合物的通式I化合物 其中各參數具有上述通式I中所給出的相應的含義，優選地R1為烷基或鏈烯基，X1為F、OCF3或OCHF2，優選F，以及Z11和Z12中的至少一個為單鍵，優選兩者為單鍵。
在另一優選實施方案中，所述介質含有一種或多種選自通式II-1至II-4、優選選自通式II-1和II-2化合物的通式II化合物 其中各參數具有上述通式I I中所給出的相應的含義，優選地Y22為H。
在另一優選實施方案中，所述介質含有一種或多種選自通式III-1至III-4化合物的通式III化合物
其中各參數具有上述通式III中所給出的相應的含義，優選地特別是在通式III-1中，Y31和Y32均為F。
在另一優選實施方案中，所述介質含有一種或多種通式IV-1化合物 其中各參數具有上述通式IV中所給出的相應的含義，優選地Y41和Y42均為F。
在另一優選實施方案中，所述介質含有一種或多種選自通式V-1至V-12化合物，優選選自通式V-1至V-3、V-5和V-10至V-12化合物，特別優選選自通式V-3和V-11以及V-12化合物的通式V化合物
其中各參數具有上述通式V中所給出的相應的含義，優選地在通式V-1中，R51為正烷基，R22為正烷基、烷氧基或鏈烯基或者R51和R22均為鏈烯基，在通式V-2中，R51和R22均為烷基，在通式V-3中，R51為正烷基，R22為正烷基、烷氧基或鏈烯基，優選烷氧基在通式V-4中，R51為正烷基或鏈烯基，R22為正烷基在通式V-5至V-12中，R51和R22均為正烷基。
所述介質特別優選含有一種或多種通式V-4化合物，尤其優選一種或多種這樣的化合物，其中R51為乙烯基、R52為烷基，優選為正烷基，特別優選甲基，和/或一種或多種這樣的化合物，其中R51為正丁-4-烯-1-基(CH2＝CH-(CH2)2)、R52為烷基，優選為正烷基，特別優選甲基。
在另一優選實施方案中，所述介質含有一種或多種選自通式VI-1至VI-4化合物的通式VI化合物
其中各參數具有上述通式III中所給出的相應的含義，優選地在通式VI-1和VI-2中，R61為烷基，R62為烷基或烷氧基，優選烷氧基，或者在通式VI-1中，R61和R62均為鏈烯基在通式VI-3和VI-4中，R61和R62均為烷基。
成分A優選主要、特別優選基本上完全、又尤其特別優選實質上完全由一種或多種通式I化合物組成。
在本申請中，關於具體描述組合物中各組分的術語具有下面的含義-含有所述組合物中該組分的濃度優選為10％或更多，特別優選20％或更多；-主要由......組成所述組合物中該組分的濃度優選為50％或更多，特別優選55％或更多，又尤其特別優選60％或更多；
-基本上完全由......組成所述組合物中該組分的濃度優選為80％或更多，特別優選90％或更多，又尤其特別優選95％或更多；-實質上完全由......組成所述組合物中該組分的濃度優選為98％或更多，特別優選99％或更多，又尤其特別優選100.0％。
上述含義不僅適用於作為含有各種組分的組合物形式的介質，其中各組分可以是各種成分和化合物，同樣上述含義還適用於含有各種組分即化合物的各種成分。
成分B優選主要、特別優選基本上完全、又尤其特別優選實質上完全由一種或多種選自通式II-IV化合物中的化合物組成。
成分C優選主要、特別優選基本上完全、又尤其特別優選實質上完全由一種或多種通式V和VI化合物組成。
在優選實施方案中，所述液晶介質含有一種或多種選自通式V-1a至V-1e化合物中的化合物 其中，n和m彼此獨立地為1-5，o和p獨立地同時也彼此獨立地為0-3。
可用於本發明液晶介質中的成分D的一種手性化合物或多種手性化合物選自已知的手性摻雜劑。成分D優選主要、特別優選基本上完全、尤其特別優選實質上完全由一種或多種選自通式VII至IX化合物中的化合物組成 其中R71至R9彼此獨立地如通式II中R2的定義，以及作為選擇，也可以為H、CN、F、Cl、CF3、OCF3、CF2H或者OCF2H，並且R71和R72中至少一個為手性基團，Z71至Z9彼此獨立地為-CH2CH2-、-CH＝CH-、-COO-、-O-CO-或單鍵，優選Z71、Z72、Z81、Z84和Z85為單鍵，Z73、Z82和Z83為-COO-或單鍵，Z82優選為-COO-，Z83和Z9為-O-CO-，
至 彼此獨立地為 或 s，t，u，v和w彼此獨立地為0或1，優選s和t均為0，u和v均為1。
通式VII-IX化合物優選選自下述通式VII-1至VII-3、VII-1和VII-2或者IX-1和IX-2化合物
其中各參數具有上述通式VII至IX中所給出的相應的含義，優選地R71至R9為烷基、鏈烯基或烷氧基、H、CN、F、Cl、CF3、OCF3、CF2H或者OCF2H，並且R71中的至少一個為手性基團，優選為異辛氧基，Z71為單鍵，Z73在通式VII-2中為單鍵，在通式VII-3中為-COO-，Z82為-COO-，Z83為-O-CO-。
所述化合物特別優選選自通式VII-1a、VII-1b、VII-2a至VII-2c、VII-3a、VIII-1a、VIII-1b、IX-1a和IX-2a化合物

在優選實施方案中，基於混合物整體而言，本發明的液晶介質總共含有大於或等於30％的通式I化合物，特別地含有大於或等於30％至小於或等於90％、優選大於或等於35％至小於或等於80％、優選大於或等於40％至小於或等於75％、特別優選大於或等於45％至小於或等於70％、尤其特別優選大於或等於55％至小於或等於65％的成分A，優選該成分A是通式I化合物，含有大於或等於10％至小於或等於60％、優選大於或等於20％至小於或等於55％、特別優選大於或等於30％至小於或等於50％、尤其特別優選大於或等於35％至小於或等於45％的成分B，優選該成分B是通式II-IV化合物，其中II和III化合物的濃度比例優選大於或等於1∶1，特別優選大於或等於3∶2，尤其特別優選大於或等於2∶1，含有大於或等於5％至小於或等於60％、優選大於或等於10％至小於或等於40％、特別優選大於或等於15％至小於或等於30％、尤其特別優選大於或等於20％至小於或等於25％的通式II化合物，含有大於或等於5％至小於或等於40％、優選大於或等於6％至小於或等於30％、特別優選大於或等於10％至小於或等於20％、尤其特別優選大於或等於15％至小於或等於20％的通式III化合物，含有大於或等於1％至小於或等於40％、優選大於或等於3％至小於或等於30％、特別優選大於或等於5％至小於或等於25％、尤其特別優選大於或等於10％至小於或等於20％的通式IV化合物，在優選實施方案中，含有大於或等於0％至小於或等於50％、優選大於或等於0％至小於或等於40％、特別優選大於或等於0％至小於或等於30％、尤其特別優選大於或等於5％至小於或等於25％的通式IV化合物，含有大於或等於0％至小於或等於40％、優選大於或等於0％至小於或等於30％、特別優選大於或等於0％至小於或等於20％、尤其特別優選大於或等於1％至小於或等於15％的通式V化合物，含有大於或等於0％至小於或等於40％、優選大於或等於0％至小於或等於30％、特別優選大於或等於0％至小於或等於20％、尤其特別優選大於或等於1％至小於或等於15％的通式VI化合物，以及含有大於或等於0％至小於或等於15％、優選大於或等於0％至小於或等於10％、特別優選大於或等於0.1％至小於或等於6％、尤其特別優選大於或等於1％至小於或等於5％的成分D，優選該成分D為上述給出的通式化合物。
在本申請全文中，除非另有說明，術語化合物也可以寫成化合物組(compounds)，它表示一種或者多種化合物。
在本文中，各種情況下使用的單一化合物濃度為大於或等於1％至小於或等於30％、優選大於或等於2％至小於或等於30％、尤其優選大於或等於4％至小於或等於16％。
在優選實施方案中，所述液晶介質特別優選共含有30％-75％的通式I化合物、20％-45％的通式II-IV化合物、0％-25％的通式V化合物以及0％-25％的通式VI化合物。
在該實施方案中，所述液晶介質尤其特別優選共含有35％-65％的通式I化合物、25％-40％的通式II-IV化合物、0％-20％的通式V化合物以及0％-15％的通式VI化合物。
在特別優選的實施方案中，也就是上述適合優選濃度範圍的優選實施方案中，所述液晶介質含有●一種或多種通式I化合物，優選選自通式I-1至/和I-5化合物，優選其中R1為正烷基、X1為F，和●一種或多種通式II-1和/或II-2化合物，優選-一種或多種通式II-1化合物，其中Y22優選為H，R2優選為烷基或烷氧基烷基、特別優選正烷基，和/或，優選和-一種或多種通式II-2化合物，其中Y22優選為H，R2優選為烷基或烷氧基烷基、特別優選正烷基，和/或，優選和●一種或多種通式III化合物和/或，優選和●一種或多種通式IV化合物，優選選自次級通式IV-1至IV-4，和/或，優選和●一種或多種選自通式V和VI化合物的化合物。
特別優選這樣的液晶介質，其含有-一種或多種通式I化合物，優選選自通式I-1至I-5化合物，優選其中R1為正烷基、X1為F，並且尤其是，在各種情況下每種化合物濃度為大於或等於6％至小於或等於20％，和/或-一種或多種通式II-1化合物，尤其是，在各種情況下每種化合物濃度為大於或等於2％、優選大於或等於4％至小於或等於11％，和/或-一種或多種通式II-2化合物，尤其是，在各種情況下每種化合物濃度為大於或等於2％至小於或等於15％，優選在各種情況下為一種或多種其中R2為具有3-5個碳原子的烷基的化合物，和/或-一種或多種通式III化合物，優選通式III-1化合物，優選其中Y31和Y32均為F的通式III-1化合物，和/或-一種或多種通式IV化合物，優選通式IV-1化合物，優選其中Y31和Y32均為F的通式III-1化合物，和/或-一種或多種通式V化合物，優選選自通式V-10、V-11和V-12化合物，優選通式V-11和/或V-12化合物，和/或-一種或多種通式VI化合物，優選選自通式VI-1、VI-2、VI-3和VI-4化合物，優選VI-1、VI-2和VI-3，優選其中R61和R62均為鏈烯基、優選均為相同的鏈烯基的通式VI-1化合物。
本發明的液晶介質優選在低於或等於-20℃至大於或等於70℃，特別優選低於或等於-30℃至大於或等於80℃，尤其特別優選低於或等於-40℃至大於或等於85℃，最優選低於或等於-40℃至大於或等於90℃的各種情況下具有向列相。
這裡的術語「具有向列相」首先是指在相應的低溫下觀察不到近晶相和結晶，其次是指由向列相加熱時也不會出現澄清化(clearing)現象。使用流動粘度計在相應的溫度下進行上述低溫研究，而測試是通過將其貯存在具有適合於電光學應用的層厚度的測試晶胞中持續至少100小時進行的。如果在-20℃的溫度下在相應的測試晶胞中該貯存穩定性達到1000小時或者更多，該介質就被認為在該溫度下是穩定的。在-30℃和-40℃的溫度下，相應的時間分別為500小時和250小時。在高溫下，澄清點是使用毛細管通過常規方法測定得到的。
另外，本發明的液晶介質特徵在於其光學各向異性值為適中的範圍。雙折射值優選為0.100-0.200，特別優選為0.120-0.170，尤其特別優選為0.140-0.160。
本發明的液晶介質在液晶晶胞(cell)中具有特別低的電流密度值。
在20℃的剛填充的晶胞中，其電流密度值小於或等於0.10μA/cm2，優選小於或等於0.08μA/cm2，特別優選小於或等於0.06μA/cm2，尤其特別優選小於或等於0.04μA/cm2。
在20℃的已經於120℃溫度下貯存10分鐘之後的晶胞中，其電流密度值小於或等於0.12μA/cm2，優選小於或等於0.10μA/cm2，特別優選小於或等於0.08μA/cm2，尤其特別優選小於或等於0.06μA/cm2。
在20℃的已經於120℃溫度下貯存60分鐘之後的晶胞中，其電流密度值小於或等於0.18μA/cm2，優選小於或等於0.16μA/cm2，特別優選小於或等於0.14μA/cm2，尤其特別優選小於或等於0.12μA/cm2。
在20℃的已經於100℃溫度下貯存24小時之後的晶胞中，其電流密度值小於或等於0.24μA/cm2，優選小於或等於0.22μA/cm2，特別優選小於或等於0.20μA/cm2，尤其特別優選小於或等於0.18μA/cm2。
此外，本發明的液晶介質具有小於或等於1.00V的特別低的閾電壓(V0)值，優選小於或等於0.95V，特別優選小於或等於0.90V，又尤其特別優選小於或等於0.85V。在特別優選的實施方案中，本發明的液晶介質具有小於或等於0.80V的閾電壓值。
一般來說，相對於那些具有相對較高的尋址電壓或閾電壓的液晶介質而言，具有低尋址電壓或閾電壓的液晶介質具有更大的電流密度，而反之亦然。
另外，還優選各種情況下的本發明液晶介質同時具有上述優選的各種物理特性值。
在本申請中，「≤」表示小於或等於，優選小於，而「≥」表示大於或等於，優選大於。
在本申請中， 和 是指反式-1，4-亞環己基。
在本發明中，術語「介電正性化合物」是指其Δε＞1.5的化合物，術語「介電中性化合物」是指那些-1.5≤Δε≤1.5的化合物，術語「介電負性化合物」是指其Δε＜-1.5的化合物。化合物的介電各向異性通過下述方法測量將10％的化合物溶解於液晶基質中，然後在至少一種具有厚度為20μm的測試晶胞中使用垂直表面校準器和在至少一種具有厚度為20μm的測試晶胞中用同向表面校準器測量該混合物在1kHz下的電容。所測得的電壓一般為0.5V至1.0V，其通常小於相應液晶混合物的閾電容。
用於介電正性和介電中性化合物的基質混合物有ZLI-4792，用於介電負性化合物的基質混合物有ZLI-2857，兩者均由德國Merch KGaA生產。對在加入所研究的化合物之後寄主混合物介電常數的變化進行分析，並外推至使用100％的化合物，得出所研究的相應化合物的數值。將所研究的化合物以10％的量溶解於基質混合物中。如果材料溶解性太差而不能進行溶解的話，可以將濃度逐漸減半直到能夠在所需溫度下進行研究分析。
除非另有說明，本申請中的所有溫度值均為℃，所有的溫度差別相應地是微分度。
除非另有說明，本申請中的閾電壓正如常規的那樣涉及在10％相對對比度下的光學閾值(V10)。
在由Merch KGaA生產的測試晶胞中測量電流密度。測試晶胞具有蘇打-石灰玻璃基板，它使用聚醯亞胺校準層(AL-3046，由日本JapanSynthetic Rubber生產)組成TN結構，這些校準層具有50nm的厚度並且彼此垂直摩擦(扭轉角度為90°)。層厚度為均勻的5.6μm。透明ITO電極的面積為1cm2。所設計的這種晶胞也適用於電光學特性的測量。然而，此處需要根據所用液晶介質的雙折射(Δn)對晶胞的層厚度(d)進行選擇，使得光學延遲達到(d·Δn)達到1.0μm。在大氣壓下通過毛細管方法對晶胞進行填充，然後在未密封狀態下進行研究。使用德國Autronic-Melchers生產的LCCS 107測量裝置測量電流密度。在測量中，將測試晶胞放置於接地鋁盒中。在將空白晶胞貯存過夜之後的剛填充的晶胞中，通過在高於所用液晶介質澄清點的溫度下進行加熱(一般到100℃)在新填充的晶胞中測量初始電流密度。在第一天進行上述測量。裝填之後，接下來就進行相應的不同裝填量的測試。對於一定裝填量的各項分析均使用新的晶胞。在功耗的測試中，矩形測量電壓逐步從0.5V升至1V再到最大值10V(峰值)，頻率為30赫茲。電流測量的靈敏度為0.5μA。在每次電壓不同的條件下測量20次，取平均數得到測量值。調整時間，也就是調整新電壓和電流測量之間的延遲時間為100ms。用於電流測量的幀範圍的相對間隔寬度(評價間隔)為0.2。延遲或參考振幅設定為1.5V。
除非另有說明，本申請中的所用濃度以重量百分比表示，並且是基於相應的混合物或者混合物成分。所有的物理特性已經按照「MerckLiquid Crystal，Physical Properties of Liquid Crystals」，status1997年11月，德國Merck KGaA中所描述的方法進行測定，除非另有說明，應用溫度為20℃。測量589nm處的Δn以及1kHz的Δε。
置於100℃烤箱5分鐘之後，在20℃下測量電壓保持率(holdingratio)。所用電壓為1V。
如果需要的話，本發明的液晶介質還可以含有常規含量的其它添加劑，例如手性摻雜劑(作為成分D)。基於混合物整體的量而言，所使用的這些添加劑總含量為大於或等於0％至小於或等於10％，優選為大於或等於0.1％至小於或等於6％。所使用的單個化合物的濃度優選為大於或等於0.1％至小於或等於3％。在描述液晶化合物在液晶介質中的濃度和濃度範圍時，並沒有考慮這些添加劑及其類似添加劑的濃度。
所述組合物由多種化合物組成，優選由多於或等於3種至少於或等於30種、特別優選由多於或等於6種至少於或等於20種、尤其優選由多於或等於10種至少於或等於16種化合物組成，這些化合物按照常規方法進行混合。通常是將所需量的使用成分以較低量溶解於構成混合物主要組分的成分中。有利地在升高的溫度下進行溶解。如果所選擇的溫度高於主要組分的澄清點，那麼就非常容易完成溶解步驟。當然，也可以按照其它的常規方法，例如使用預混或者所謂的「多相瓶」體系製備得到液晶混合物。
下面的實施例是用來描述而不是限制本發明的。在這些實施例中，液晶物質的熔點T(C，N)、近晶相(S)向向列相(N)的轉變溫度T(S，N)以及澄清點T(N，I)是以攝氏度為單位給出的。
在本申請和下面的實施例中，液晶化合物的結構是利用首字母縮寫詞來表示的，根據下面的表A和B轉換成化學結構式。所有的基團CnH2n+1、CmH2m+1和CIH2I+1為分別具有n、m和I個碳原子的直鏈烷基。表B中的代碼是不言自明的。表A中僅僅給出了母體結構的首字母縮寫詞。在各情況下，母體結構的首字母縮寫詞之後是被破折號隔開的表示取代基R1、R2、L1、L2和L3的代碼
表示R1、R2、R1R2L1L2L3L1、L2和L3的代碼nmCnH2n+1CmH2m+1HHHnOm CnH2n+1OCmH2m+1HHHnO.m OCnH2n+1CmH2m+1HHHnmFF CnH2n+1CmH2m+1HFFnmOFF CnH2n+1OCmH2m+1HFFn CnH2n+1CN HHHnN.F CnH2n+1CN FHHnN.F.FCnH2n+1CN FFHnFCnH2n+1F HHHnF.F CnH2n+1F FHHnF.F.FCnH2n+1F FFHnOF OCnH2n+1F HHHnCI CnH2n+1CI HHHnCI.F CnH2n+1CI FHHnCI.F.F CnH2n+1CI FFHnCF3CnH2n+1CF3HHHnCF3.F CnH2n+1CF3FHHnCF3.F.F CnH2n+1CF3FFHnOCF3CnH2n+1OCF3HHHnOCF3.F CnH2n+1OCF3FHHnOCF3.F.FCnH2n+1OCF3FFHnOCF2CnH2n+1OCHF2HHHnOCF2.F CnH2n+1OCHF2FHHnOCF2.F.FCnH2n+1OCHF2FFHnSCnH2n+1NCS HHHnS.F CnH2n+1NCS FHHnS.F.FCnH2n+1NCS FFHrVsN CrH2r+1-CH＝CH-CsH2s- CN HHHrEsN CrH2r+1-O-CsH2s- CN HHH
表A

表B CGU-n-XCDU-n-X(X＝F，Cl或OCF3)(X＝F，Cl或OCF3) CGP-n-X CGG-n-X(X＝F，Cl或OCF3) (X＝F，Cl或OCF3)

PGIP-n-X GP-n-X(X＝F，Cl或OCF3) (X＝F，Cl或OCF3) PGIGI-n-XGGP-n-X(X＝F，Cl或OCF3) (X＝F，Cl或OCF3)




表C可以加入到例如本發明的混合物中的穩定劑如下所示。

在本發明的優選實施方案中，本發明所述介質含有一種或多種選自表C化合物中的化合物。
表D表D中列出了本發明混合物優選使用的手性摻雜劑。

實施例下面的實施例是用來解釋而不是限制本發明的。當然，這些實施例描述了可以優選達到的特性範圍以及可以優選使用的化合物。
實施例1
對涉及液晶介質的應用特性進行評價。具體地說，在測試晶胞中測量了它的功耗(參見表1)和其電壓保持率(參見表2)。
在測試晶胞中評價液晶介質的功耗。測量剛填充的晶胞的電流密度。然後將各種晶胞在120℃或100℃的溫度下貯存不同時間，接著進行尋址。其結果列在下表中。
表1測試晶胞中的電流密度
注所給出的值通常為各種情況下兩組測試晶胞測量結果的平7)培養成熟後，挑取帶紫紅色的菌株。
70％～80％的這類菌株中具有抗菌活性。
以下給出本發明與已有技術分離效果的比較。
對來自海洋潮間帶包括底泥、海洋藻類植物以及紅樹植物腐爛枝條的樣品，採用本發明與上述背景技術中的文獻1、2進行了海洋小單孢菌單位樣品的分離總數和非目標菌(細菌、真菌、鏈黴菌)的比較，結果如表1～表3。比較結果顯示，本發明無論菌落總數/g樣品或雜菌數/g樣品均優於上述文獻1、2。
表1.不同方法對海洋小單孢的分離效果的比較(底泥樣品)
表2.不同方法對海洋小單孢分離效果的比較(海藻樣品)
表3.不同方法對海洋小單孢分離效果的比較(紅樹林腐爛枝條樣品)
以下給出本發明與已有技術的小單孢菌對指示菌(枯草桿菌)抗菌比例的比較。
在常規的小單孢抗菌活性的測定中，通常的程序是先分離菌株，然後逐株通過培養測定抗菌活性。本發明的優點是通過測定，發現小單孢菌抗菌活性菌株主要集中在產紫色可溶色素的類群中，該類群70％～80％的菌株具有抗菌活性，而常規測定方法僅獲得25％～30％的抗菌活性。因此在抗菌菌株篩選中，只要選擇紫色類群進行測定，即可獲得高比例的抗菌活性菌株，大大地提高了篩選效率。表4是對分離來自海洋底泥，海藻和紅樹植物的小單孢菌所述介質根據實施例1所述方法進行研究評價。在測試晶胞中的電流密度和電壓保持率的測量結果列在相應的表中(1或2)。
由上述結果可以看出，相對於對照實施例的顯示器而言，含有實施例1介質的液晶顯示器其特徵在於具有更低的功耗以及顯著更高的電壓保持率。
實施例2
所述介質根據實施例1所述方法進行研究評價。
實施例3
所述介質根據實施例1所述方法進行研究評價。
實施例4
所述介質根據實施例1所述方法進行研究評價。
對所得顆粒PVA進行與實施例1相同的特性測定(除了堆積比重、平均粒徑)。升溫溶解度示於表14。PVA的製造條件、所得PVA的特性分別示於表20、表21。
表14
(比較例5)將35重量％的聚合度2000的PVAc、65重量％的甲醇、0.3重量％的氫氧化鈉(甲醇量為PVAc中酯基的5.0摩爾倍，氫氧化鈉量為PVAc中酯基的0.018摩爾倍，測得的上述混合液的水分為2100ppm)進行混合，將上述混合液供給至保持45℃的帶式皂化機，在帶上進行20分鐘的皂化處理。對所得的塊狀PVA進行粉碎，用甲醇進行洗滌後，在100℃下，進行4小時的乾燥，從而製得PVA粉末。
對所得顆粒PVA進行與實施例1相同的特性測定(除了堆積比重、平均粒徑)。升溫溶解度示於表15。PVA的製造條件、所得PVA的特性分別示於表20、表21。
權利要求
1.一種向列型液晶介質，特徵在於它在液晶顯示器中具有小於或等於0.05μA/cm2的初始電流密度以及小於或等於1.0V的閾電壓。
2.根據權利要求1的向列型液晶介質，特徵在於它含有a)含有一種或多種通式I的介電正性化合物的介電正性液晶成分(成分A) 其中 和 彼此獨立地為 或 R1為具有1-7個碳原子的烷基，具有1-7個碳原子的烷氧基，或者具有2-7個碳原子的烷氧基烷基、鏈烯基或鏈烯基氧基，X1為滷素、OCF3或OCHF2，Y1為H或F，Z11和Z12彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2-、-OCH2-、-CH2O、-OCF2-、-CF2O或者單鍵，以及n為0或1，和b)優選含有一種或多種選自通式II-IV化合物的介電正性化合物的介電正性液晶成分(成分B) 其中R2、R3和R4彼此獨立地為具有1-7個碳原子的烷基，具有1-7個碳原子的烷氧基，或者具有2-7個碳原子的烷氧基烷基、鏈烯基或鏈烯基氧基，Z2在每種情況下彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或者單鍵，Z31和Z32彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-或者單鍵，Z41和Z42之一為-OCF2-或-CF2O，而另一個為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或者單鍵，以及 至 彼此獨立地為 或 Y21至Y42彼此獨立地為H或F，m、l和o彼此獨立地為0或1。
3.根據權利要求1和2中至少一項權利要求的液晶介質，特徵在於它含有介電中性成分(成分C)，所述介電中性成分含有一種或多種選自通式V和通式VI化合物(具有更大的光學各向異性)的介電中性化合物 其中R51至R62彼此獨立地為如權利要求2對通式II中R2的定義，Z51至Z61彼此獨立地為-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-COO-或者單鍵， 至 彼此獨立地為 或 以及p，q和r彼此獨立地為0或1。
4.根據權利要求1-3中至少一項權利要求的液晶介質，特徵在於它含有一種或多種根據權利要求2的通式I化合物，其中X1為F。
5.根據權利要求1-3中至少一項權利要求的液晶介質，特徵在於它含有一種或多種選自通式I-1至I-5化合物中的化合物 其中各參數具有如權利要求2對通式I所給出的相應的含義。
6.根據權利要求5的液晶介質，特徵在於它含有一種或多種選自I-3和I-4化合物的化合物。
7.根據權利要求3-6中至少一項權利要求的液晶介質，特徵在於它含有大於或等於30％的一種或多種通式I化合物以及大於或等於10％至小於或等於60％的一種或多種選自通式II、III和IV化合物中的化合物。
8.根據權利要求1-7中至少一項權利要求的液晶介質在電光學顯示器中的應用。
9.電光學顯示器，它含有根據權利要求1-7中至少一項權利要求的液晶介質。
10.根據權利要求9的顯示器，特徵在於它是TN或STN顯示器。
全文摘要
本發明涉及液晶顯示器中具有小於或等於0.05μA/cm
文檔編號C09K19/42GK1626617SQ200410092228
公開日2005年6月15日 申請日期2004年11月5日 優先權日2003年11月6日
發明者H·希爾施曼, S·舍恩 申請人:默克專利股份有限公司