一種顯示基板、其製作方法及顯示裝置與流程
2024-04-15 23:04:05 1
1.本技術涉及顯示設備技術領域，尤其涉及一種顯示基板、其製作方法及顯示裝置。
背景技術：
2.有源矩陣有機發光二極體(active-matrix organic light emitting diode，簡稱amoled)顯示屏具有色域廣、解析度高、可單獨控制每個像素等優點，在終端市場佔比越來越高。隨著面板尺寸增加，現有在柔性顯示面板的製作過程中，通常在一塊母板上製作多個顯示面板，在蒸鍍和封裝工藝完成後，將母板切割為若干個顯示面板。傳統切割道設計時，切割道與切割道兩側膜層之間形成較大的斷差，切割時雷射經過該斷差區域後易在該斷差區域內形成氣泡，後續工藝無法完全排出該區域內的氣泡，以致氣泡對雷射切割工藝造成強幹擾，導致該區域內雷射無法完全聚焦，最終導致切割粘連，良率降低。
技術實現要素：
3.有鑑於此，本技術的目的在於提出一種顯示基板、其製作方法及顯示裝置。
4.基於上述目的，本技術第一方面提供了一種顯示基板，包括：基底、設置在所述基底上的光處理層，所述基底包括顯示區，包圍所述顯示區的非顯示區，以及位於所述非顯示區的至少一條切割道；
5.其中，所述顯示區和所述切割道內均設置有所述光處理層，所述光處理層在所述基底上的正投影與所述切割道在所述基底上的正投影至少部分重合，所述光處理層包括第一光處理層和第二光處理層，所述第二光處理層設置在所述第一光處理層遠離所述基底的一側，所述切割道內設置有所述第一光處理層和/或第二光處理層，所述第一光處理層和所述第二光處理層的折射率不同。
6.進一步地，所述切割道在所述基底上的正投影位於所述光處理層在所述基底上的正投影之中。
7.進一步地，所述光處理層在所述切割道內的厚度小於所述切割道的深度，所述光處理層的厚度方向和所述切割道的深度方向均為沿著垂直於所述基底所在平面的方向。
8.進一步地，所述光處理層包括第一光處理層和第二光處理層，所述第二光處理層設置在所述第一光處理層遠離所述基底的一側，所述切割道內設置有所述第一光處理層和/或第二光處理層。
9.進一步地，所述切割道內設置有所述第一光處理層和第二光處理層，位於所述切割道內的第一光處理層的頂面與位於所述顯示區的第一光處理層的頂面齊平，所述頂面為所述第一光處理層背離所述基底的一面。
10.進一步地，所述切割道內設置有所述第一光處理層或第二光處理層，所述第一光處理層或第二光處理層在所述切割道內的厚度小於所述切割道的深度。
11.進一步地，所述基底的切割邊緣與所述光處理層的邊緣齊平。
12.進一步地，所述基底的切割邊緣與所述第一光處理層的邊緣齊平。
13.進一步地，所述第二光處理層的邊緣在所述基底上的正投影位於所述第一光處理層的邊緣在所述基底上的正投影之中。
14.進一步地，還包括：發光層，所述發光層位於所述基底和所述光處理層之間，所述發光層包括像素定義層，所述像素定義層包括多個像素開口；
15.所述顯示區設置有所述第一光處理層，位於所述顯示區內的所述第一光處理層包括多個光處理結構，相鄰兩個所述光處理結構之間形成光處理開口，所述光處理開口在所述基底上的正投影與所述像素開口在基底上的正投影至少部分重合。
16.進一步地，所述顯示區還設置有所述第二光處理層，位於所述顯示區內的所述第二光處理層覆蓋在所述光處理結構遠離所述基底的一側，所述光處理結構的折射率小於所述第二光處理層的折射率。
17.進一步地，所述第二光處理層的折射率與所述光處理結構的折射率之差大於或等於0.3。
18.進一步地，還包括：封裝結構層和觸控層，所述封裝結構層設置於所述發光層遠離所述基底的一側，所述觸控層設置於所述封裝結構層遠離所述基底的一側，所述光處理層設置在所述觸控層上。
19.基於同一發明構思，本技術第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述第一方面任一項所述的顯示基板。
20.基於同一發明構思，本技術第三方面提供了一種顯示基板的製作方法，包括：
21.提供一基底，所述基底包括顯示區、包圍所述顯示區的非顯示區；
22.在所述基底上形成光處理層；
23.在所述光處理層遠離所述基底的一側形成至少一條切割道，所述顯示區和所述切割道內均設置有所述光處理層，所述光處理層在所述基底上的正投影與所述切割道在所述基底上的正投影至少部分重合。
24.從上面所述可以看出，本技術提供的顯示基板、其製作方法及顯示裝置，本技術所述的顯示基板，通過將光處理層同時設置在顯示區和所述切割道內，僅需將原本只設置於顯示區的光處理層延伸至切割道位置，使光處理層至少部分覆蓋切割道，即可在基本不更改製作工藝、不增加製作成本及製作複雜度的情況下，減小切割道與切割道兩側膜層結構之間的斷差，以減小切割時雷射在該斷差區域內形成氣泡的可能性，進而降低切割道氣泡發生率，避免切割粘連，提升產品良率。
附圖說明
25.為了更清楚地說明本技術或相關技術中的技術方案，下面將對實施例或相關技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
26.圖1為現有技術中在一塊母板上製作兩個顯示面板的宏觀示意圖；
27.圖2為現有技術中的顯示基板及其切割道的結構示意圖；
28.圖3為現有技術中在切割道內設置填充絕緣層的結構示意圖；
29.圖4為本技術實施例的顯示基板的切割道及其兩側的第一種示意圖；
30.圖5為本技術實施例的顯示基板的切割道及其兩側的第二種示意圖；
31.圖6為本技術實施例的顯示基板的切割道及其兩側的第三種示意圖；
32.圖7為本技術實施例的顯示基板的切割道及其兩側的第四種示意圖；
33.圖8為本技術實施例的顯示基板的顯示區的一種結構示意圖；
34.圖9為本技術實施例的顯示基板的顯示區的另一種結構示意圖；
35.圖10為本技術實施例的顯示基板切割後的一種結構示意圖；
36.圖11為本技術實施例的顯示基板切割後的另一種結構示意圖；
37.圖12為本技術實施例的顯示基板篩的製作方法的流程示意圖。
38.圖中，01、柔性襯底層；02、襯底支撐層；03、其他膜層；04、表面保護膜；05、背面保護膜；06、填充絕緣層；1、基底；2、光處理層；21、第一光處理層；211、光處理結構；22、第二光處理層；3、切割道；4、絕緣層；5、發光層；51、像素定義層；52、陽極；53、有機發光層；54、陰極；6、驅動電路層；7、封裝結構層；8、觸控層。
具體實施方式
39.為使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，並參照附圖，對本技術進一步詳細說明。
40.需要說明的是，除非另外定義，本技術實施例使用的技術術語或者科學術語應當為本技術所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本技術實施例中使用的「第一」、「第二」以及類似的詞語並不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。「包括」或者「包含」等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。「連接」或者「相連」等類似的詞語並非限定於物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。「上」、「下」、「左」、「右」等僅用於表示相對位置關係，當被描述對象的絕對位置改變後，則該相對位置關係也可能相應地改變。
41.有源矩陣有機發光二極體(active-matrix organic light emitting diode，簡稱amoled)顯示屏具有色域廣、解析度高、可單獨控制每個像素等優點，在終端市場佔比越來越高。隨著面板尺寸增加，現有在柔性顯示面板的製作過程中，通常在一塊母板上製作多個顯示面板，在蒸鍍和封裝工藝完成後，將母板切割為若干個顯示面板。參考圖1，圖1為在一塊母板上製作兩個顯示面板的宏觀示意圖，圖中虛線框的位置即為切割道的位置。
42.現有在柔性顯示面板的製作過程中，往往需要去除剛性基底，比如玻璃基底，而使用基底作為基板。為了保護基底不受損傷，在去除剛性基底前後，需要貼附柔性保護膜。結合圖2所示，在採用單層柔性襯底層01和單層襯底支撐層02來製備基底時(圖2中柔性顯示面板除了包括上述所述的膜層之外還包括其它膜層，其它膜層用標號03表示)，雷射切割的切割道位置(如圖2中虛線l所示)處所述襯底支撐層02及其他膜層03被完全刻蝕掉，此時切割道位置處僅存在柔性襯底層01，沿垂直於所述柔性襯底層01所在平面的方向上，切割道內的膜層厚度將明顯低於切割道兩側的厚度，切割道與切割道兩側膜層之間形成較大的斷差。在粘貼表面保護膜04和背面保護膜05後，通過在切割道位置處採用雷射對柔性襯底層01進行雷射切割。切割時雷射經過該斷差區域(如圖2中填充區域所示)時易在該斷差區域內形成氣泡，後續工藝無法完全排出該區域內的氣泡，以致氣泡對雷射切割工藝造成強幹
擾，導致該區域內雷射無法完全聚焦，最終導致切割粘連，良率降低。
43.相關技術中，參考圖3所示，通過在傳統切割道內設置填充絕緣層06來減小切割道與切割道兩側膜層之間的斷差，進而減小該斷差區域的空間，以減小切割時雷射在該斷差區域內形成氣泡的可能性，進而減少切割道氣泡發生率。但是，該方法對工藝的影響較大，需要對製作工藝有較大的改動，增加了製作成本和製作的複雜程度，這不利於該類顯示面板的製作及大批量的生產，因此，這種方法的實際可操作性不強。因此，如何在基本不改變製作工藝、不增加製作成本和製作複雜程度的前提下來減少切割道氣泡發生率，增加產品良率是業內亟需解決的技術問題。
44.基於以上問題，參考圖4，本技術提供了一種顯示基板，包括：基底1、設置在所述基底1上的光處理層2，所述基底1包括顯示區，包圍所述顯示區的非顯示區，以及位於所述非顯示區的至少一條切割道3；
45.其中，所述顯示區和所述切割道3內均設置有所述光處理層2，所述光處理層2在所述基底1上的正投影與所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，所述光處理層2包括第一光處理層21和第二光處理層22，所述第二光處理層22設置在所述第一光處理層21遠離所述基底1的一側，所述切割道3內設置有所述第一光處理層21和/或第二光處理層22，所述第一光處理層21和所述第二光處理層22的折射率不同。
46.具體地，本技術所述的切割道為距離所述基底的切割邊緣200到300微米範圍內的區域。
47.所述光處理層2為第一光處理層21和第二光處理層22形成的堆疊結構。位於所述切割道3處的光處理層2可以為所述第一光處理層21和第二光處理層22的堆疊結構，也可以僅有第一光處理層21或第二光處理層22，具體實施時，採用第一光處理層21和第二光處理層22中的哪一層或者兩層組合來對切割道3進行填充依據實際工藝及需求進行設定，在此不做限定。位於所述顯示區內的光處理層2包括第一光處理層21和第二光處理層22，且所述第一光處理層21和所述第二光處理層22的折射率不同，如此光處理層22可以應用在效率增強結構(efficiency enhancementstructure，簡稱ees)中來提升顯示裝置的正面出光效率。
48.相關技術中，為了降低面板使用過程的功耗，需要採用低功耗的發光器件，例如採用效率增強結構來提升顯示裝置的正面出光效率，以降低顯示功耗。光處理層2是柔性顯示面板的效率增強結構中必不可少的膜層結構，光處理層2一般只設置在顯示基板的顯示區，以提升顯示裝置的正面出光效率。
49.本技術中，所述顯示區和所述切割道3內均設置有所述光處理層2，將所述光處理層2設置在所述顯示區，可以提升顯示裝置的正面出光效率，同時將所述光處理層2設置在所述切割道3處，使得光處理層2可以對切割道3內的空間進行填充，可以減小切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差，以減小切割時雷射在該斷差區域內形成氣泡的可能性，進而降低切割道3氣泡發生率，避免切割粘連，提升產品良率。同時，將光處理層2同時設置在顯示區和所述切割道3內，僅需將原本只設置於顯示區的光處理層2延伸至切割道3位置，使光處理層2至少部分覆蓋切割道3，即可在基本不更改製作工藝、不增加製作成本及製作複雜度的情況下，減小切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差，進而減少切割道3的氣泡發生率，提升產品的良率。
50.其中，所述光處理層2在所述基底1上的正投影與所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合。
51.具體地，所述光處理層2在所述基底1上的正投影與所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，即所述光處理層2在所述基底1上的正投影至少部分覆蓋所述切割道3在所述基底1上的正投影。
52.示例性地，參考圖4，所述切割道3在所述基底1上的正投影位於所述光處理層2在所述基底1上的正投影之中，即所述光處理層2在所述基底1上的正投影完全覆蓋所述切割道3在所述基底1上的正投影，也就是說，所述切割道3的凹槽底部完全填充有所述光處理層2，確保所述切割道3底部全部被光處理層2覆蓋，以使得整個切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差均減小，進而顯著降低切割道3氣泡發生率。
53.示例性地，參考圖5，所述切割道3在所述基底1上的正投影與所述光處理層2在所述基底1上的正投影部分重合，即，所述光處理層2沒有完全覆蓋所述切割道3的底部，僅覆蓋了切割道3底部的一部分。相較於傳統切割道3而言，如此設置仍然能減小切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差，進而降低切割道3氣泡發生率。
54.本技術所述的顯示基板，通過將光處理層2同時設置在顯示區和所述切割道3處，僅需將原本只設置於顯示區的光處理層2延伸至切割道3位置，使光處理層2至少部分覆蓋切割道3，即可在基本不更改製作工藝、不增加製作成本及製作複雜度的情況下，減小切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差，以減小切割時雷射在該斷差區域內形成氣泡的可能性，進而降低切割道3氣泡發生率，避免切割粘連，提升產品良率。
55.在一些實施例中，所述基底1與所述光處理層2之間還設置有絕緣層4。所述絕緣層4可以包括阻隔層、像素定義層、平坦層、層間介質層、柵絕緣層中的一個或多個，具體不做限定。
56.在一些實施例中，所述光處理層2在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度，所述光處理層2的厚度方向和所述切割道3的深度方向均為沿著垂直於所述基底1所在平面的方向。
57.具體地，所述光處理層2在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度，一方面確保光處理層2可以對切割道3進行有效填充，另一方面使得切割道3仍然與切割道3兩側膜層結構之間有較小的斷差，方便後續切割工序的進行。
58.在一些實施例中，所述光處理層2在所述切割道3內的厚度佔所述切割道3的深度的1/3至3/4，以有效降低切割道3的氣泡發生率。若所述光處理層2在所述切割道3內的厚度佔所述切割道3的深度小於1/3，則光處理層2對切割道3的覆蓋厚度不夠，導致無法有效降低切割道3的氣泡發生率；若所述光處理層2在所述切割道3內的厚度佔所述切割道3的深度大於3/4，則光處理層2對切割道3的覆蓋厚度太厚，以致影響後續切割工藝。
59.在一些實施例中，參考圖6，所述切割道3內設置有所述第一光處理層21和第二光處理層22，位於所述切割道3內的第一光處理層21的頂面與位於所述顯示區的第一光處理層21的頂面齊平，所述頂面為所述第一光處理層21背離所述基底1的一面。
60.具體地，當所述切割道3處同時設置有所述第一光處理層21和第二光處理層22時，位於所述切割道3內的第一光處理層21的頂面與位於所述顯示區的第一光處理層21的頂面齊平，使得在實際製作時，切割道3處的第一光處理層21和顯示區處的第一光處理層21可以
同層製作，並且不需要其他特殊處理，也不需要對切割道3處的第一光處理層21進行刻蝕，操作簡單，不會影響現有的製作工藝，不會增加製作成本。同時，所述第二光處理層22和第一光處理層21的厚度之和小於所述切割道3的深度，以使得切割道3處的整個光處理層2的厚度小於切割道兩側膜層結構的厚度，進而使切割道3仍然與切割道3兩側膜層結構之間有較小的斷差，方便後續切割工序的進行。
61.在一些實施例中，繼續參考圖4，所述切割道3內設置有所述第一光處理層21，所述第一光處理層21在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度。
62.具體地，當所述切割道3處僅設置有所述第一光處理層21時，所述切割道3內設置有所述第一光處理層21，所述第一光處理層21在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度，這樣確保第一光處理層21可以對切割道3進行有效填充，以減小切割道3斷差。
63.在一些實施例中，參考圖7，所述切割道3內設置有所述第二光處理層22，所述第二光處理層22在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度。
64.具體地，當所述切割道3處僅設置有所述第二光處理層22時，所述切割道3內設置有所述第二光處理層22，所述第二光處理層22在所述切割道3內的厚度小於所述切割道3的深度，既確保所述第二光處理層22可以對切割道3進行有效填充，也可以確保切割道3處總的光處理層2的厚度小於切割道3兩側膜層的厚度，以使得切割道3仍然與切割道3兩側膜層結構之間有較小的斷差，方便後續切割工序的進行。
65.在一些實施例中，參考圖10和圖11，所述基底1的切割邊緣與所述光處理層2的邊緣齊平，具體地，所述基底1的切割邊緣與所述第一光處理層21的邊緣齊平，如此使得切割後的顯示基板的邊緣較為平整，方便後續工序的進行。值得注意的是，本技術所述基底1的切割邊緣與所述光處理層2的邊緣齊平指的是所述光處理層2的邊緣在所述基底1上的正投影與所述基底1的切割邊緣之間的距離為0～30微米。
66.進一步地，所述第二光處理層22的邊緣在所述基底1上的正投影位於所述第一光處理層21的邊緣在所述基底上的正投影之中。
67.具體地，參考圖11，所述第二光處理層22的邊緣可以與所述第一光處理層21的邊緣齊平，即所述第二光處理層22的邊緣在所述基底1上的正投影與所述第一光處理層21的邊緣在所述基底上的正投影重合，此時第二光處理層22的邊緣、第一光處理層21的邊緣和基底1的切割邊緣均齊平，使得切割後的顯示基板的邊緣非常平整，方便後續工序的進行。
68.參考圖10，所述第二光處理層22的邊緣也可以與所述第一光處理層21的邊緣不齊平，即所述第二光處理層22的邊緣在所述基底1上的正投影位於所述第一光處理層21的邊緣在所述基底1上的正投影之中，此時第一光處理層21的邊緣和基底1的切割邊緣依然齊平，如此使得切割後的顯示基板的切割邊緣較為平整，同時使得切割工序更方便進行。
69.在一些實施例中，參考圖8，所述顯示基板還包括：發光層5，所述發光層5位於所述基底1和所述光處理層2之間，所述發光層5包括像素定義層，所述像素定義層包括多個像素開口；
70.所述顯示區設置有所述第一光處理層21，位於所述顯示區內的所述第一光處理層21包括多個光處理結構211，相鄰兩個所述光處理結構211之間形成光處理開口，所述光處理開口在所述基底1上的正投影與所述像素開口在基底1上的正投影至少部分重合。
71.具體地，發光層5可以包括像素定義層51和發光器件，像素定義層51可以包括多個
像素開口，像素開口形成發光區，相鄰發光區之間為像素壩，發光區可以包括紅色發光區、綠色發光區和藍色發光區，或者，發光區可以包括紅色發光區、綠色發光區、藍色發光區和白色發光區，具體不作限制。發光器件可以包括陽極52、有機發光層53和陰極54。
72.其中，位於所述顯示區內的所述第一光處理層21中設置有所述光處理開口，所述光處理開口在所述基底1上的正投影與所述像素開口在基底1上的正投影至少部分重合，確保發光區發出的光線可以從光處理開口中穿過，避免影響出光效率。
73.具體實施時，可以根據實際像素形貌或工藝需求設置光處理結構211的形狀，進而獲得合適的光處理開口的形狀，在平行於顯示基板的平面上，光處理結構211的形狀可以為如下任意一種或多種：三角形、矩形、五邊形、六邊形、圓形和橢圓形，在垂直於基底1的平面內，光處理結構211的截面形狀可以包括梯形、倒梯形或者t形等，光處理結構211的側壁可以是折線、弧線或波浪線等，具體不作限定。
74.在一些實施例中，繼續參考圖8，所述顯示區還設置有所述第二光處理層22，位於所述顯示區內的所述第二光處理層22覆蓋在所述光處理結構211遠離所述基底1的一側，所述光處理結構211的折射率小於所述第二光處理層22的折射率。
75.具體地，所述第二光處理層22遠離所述基底1一側的表面可以為平坦化表面。所述光處理結構211的折射率小於所述第二光處理層22的折射率，使得來自發光區的光線在經過光處理層2後向發光區中心的方向偏轉，能夠提高顯示面板的出光效率。示例性地，發光區中心可以是發光區的幾何中心。光處理結構211的第一折射率n1小於第二光處理層22的第二折射率n2，且第一入射角θ1》全反射臨界角β，全反射臨界角β＝arcsin(n1/n2)。具體實施時，光線以第一入射角θ1入射到光處理結構211與第二光處理層22的交界面，由於第一入射角θ1大於全反射臨界角β，因而入射光發生全反射，以第一反射角θ2重新進入第二光處理層22，由於第一入射角θ1等於第一反射角θ2，這使得原本射向大角度方向的入射光線發生偏轉，進而使得重新進入第二光處理層22的光線實現向發光中心的方向偏轉，因此提升了正面出光的效率。
76.其中，所述第二光處理層22的折射率與所述光處理結構211的折射率之差大於或等於0.3，示例性地，所述第二光處理層22的折射率與所述光處理結構211的折射率之差可以為0.3、0.35、0.4等，當所述光處理結構211的折射率與所述第二光處理層22的折射率之差大於或等於0.3時，光處理層2可以更好的提升正面出光效率。
77.本技術中，第一光處理層21在切割道3內為層狀結構，在顯示區內為多個光處理結構211，第一光處理層21在不同區域的不同結構設置既可以保證第一光處理層21對切割道3的覆蓋，以減小切割道3斷差，又使得在顯示區內的第一光處理層21具有光處理開口，以使得來自發光區的光線在經過光處理結構211的全反射之後向發光區中心的方向偏轉，提高正面出光效率。
78.在一些實施例中，參考圖9，所述顯示基板還包括驅動電路層6，所述驅動電路層6設置於所述基底1靠近所述光處理層2的一側。驅動電路層6可以包括構成像素驅動電路的多個電晶體和存儲電容。
79.在一些實施例中，繼續參考圖9，所述顯示基板還包括封裝結構層7，所述封裝結構層7設置於所述發光層5遠離所述基底1的一側。封裝結構層7可以包括疊設的第一子層、第二子層和第三子層，第一子層和第三子層可以採用無機材料，第二子層可以採用有機材料。
80.在一些實施例中，繼續參考圖9，所述顯示基板還包括觸控層8，所述觸控層8設置於所述封裝結構層7遠離所述基底1的一側，所述光處理層2設置在所述觸控層8上。觸控層8可以是柔性多層覆蓋表面式(flexible multi layer on cell，簡稱fmloc)結構，觸控層8可以包括第一觸控絕緣層、第一金屬網格層、第二觸控絕緣層、第二金屬網格層和第三觸控絕緣層，第一觸控絕緣層可以位於第一金屬網格層靠近基底1的一側，第二觸控絕緣層可以位於第一金屬網格層遠離基底1的一側，第二金屬網格層可以位於第二觸控絕緣層4遠離基底1的一側，第三觸控絕緣層4可以位於第二金屬網格層遠離基底1的一側。
81.本技術還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示基板。該顯示裝置具有上述任一實施例所述的技術效果，在此不做贅述。
82.需要說明的是，所述顯示裝置可以是具有圖像顯示功能的產品，例如可以是：顯示器、電視、廣告牌、數碼相框、具有顯示功能的雷射印表機、電話、手機、個人數字助理(personal digital assistant，pda)、數位相機、可攜式攝錄機、取景器、導航儀、車輛、大面積牆壁、家電、信息查詢設備(如電子政務、銀行、醫院、電力等部門的業務查詢設備、監視器等)。
83.在一些實施例中，顯示裝置可以進一步包括與顯示面板耦接的驅動電路，驅動電路被配置為向顯示面板提供相應的電信號。
84.參考圖12，本技術還提供了一種顯示基板的製作方法，包括：
85.s101、提供一基底1，所述基底1包括顯示區、包圍所述顯示區的非顯示區；
86.s102、在所述基底1上形成光處理層2；
87.s103、在所述光處理層2遠離所述基底1的一側形成至少一條切割道3，所述顯示區和所述切割道3內均設置有所述光處理層2，所述光處理層2在所述基底1上的正投影與所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合。
88.其中，所述步驟s102在所述基底1上形成光處理層2具體包括：在所述基底1上塗覆第一光學膠。在顯示區內，通過光刻工藝形成光處理結構211，去掉光處理結構211之間的第一光學膠，形成光處理開口。在示例性實施方式中，可以在第一光學膠中進行摻雜，以獲得具有低折射率的第一光學膠。
89.隨後沉積第一光學薄膜，對第一光學薄膜進行圖案化，形成覆蓋所述第一光學膠和多個光處理結構211的第二光處理層22，至此，製備完成光處理層2圖案。示例性地，第一光學薄膜可以採用矽氧化物(sio
x
)、矽氮化物(sin
x
)和氮氧化矽(sion)中的任意一種或多種，可以是單層、多層或複合層，沉積方式可以採用化學氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)等方式。
90.其中，所述步驟s103在所述光處理層2遠離所述基底1的一側形成至少一條切割道3，所述顯示區和所述切割道3處均設置有所述光處理層2，所述光處理層2在所述基底1上的正投影與所述切割道3在所述基底1上的正投影至少部分重合，具體包括：在前述形成光處理層2圖案的基底1上，對所述光處理層2進行刻蝕，形成至少一條包含所述光處理層2的切割道3。示例性地，所述光處理層2包括第一光處理層21和第二光處理層22，所述第二光處理層22設置在所述第一光處理層21遠離所述基底1的一側，所述切割道3處設置有所述第一光處理層21和/或第二光處理層22。
91.在一些實施例中，所述製作方法還包括：在所述基底1上進行蒸鍍工藝、封裝工藝
以及增設其它功能膜層的工藝，並對這些工藝之後所述切割道3處的相關膜層進行刻蝕，在刻蝕之後，相應地，在所述顯示區形成顯示功能相關的驅動電路層6、發光層5、封裝結構層7和觸控層8。其中，所述顯示基板中相關膜層的具體結構可以參照前述部分的描述，在此不再贅述。此外，還可以在所述封裝結構層7背離所述基底1的一側設置另一保護膜，通過該另一保護膜進一步地避免了外界水氧對相關膜層的腐蝕，保證了所述顯示基板的使用性能。
92.在一些實施例中，所述步驟s01和s102之間，還包括：
93.(1)形成驅動電路層6圖案。示例性地，形成驅動電路層6圖案可以包括：
94.在基底1上依次沉積第一絕緣薄膜和半導體薄膜，通過圖案化工藝對半導體薄膜進行圖案化，形成覆蓋基底1的第一絕緣層，以及設置在第一絕緣層上的半導體層圖案，每個子像素的半導體層圖案可以至少包括多個有源層。
95.隨後，依次沉積第二絕緣薄膜和第一導電薄膜，通過圖案化工藝對第一導電薄膜進行圖案化，形成覆蓋半導體層圖案的第二絕緣層，以及設置在第二絕緣層上的第一導電層圖案，每個子像素的第一導電層圖案可以至少包括多個柵電極和第一極板。
96.隨後，依次沉積第三絕緣薄膜和第二導電薄膜，通過圖案化工藝對第二導電薄膜進行圖案化，形成覆蓋第一導電層的第三絕緣層，以及設置在第三絕緣層上的第二導電層圖案，每個子像素的第二導電層圖案可以至少包括第二極板，第二極板在基底1上的正投影與第一極板在基底1上的正投影至少部分交疊。
97.隨後，沉積第四絕緣薄膜，通過圖案化工藝對第四絕緣薄膜進行圖案化，形成覆蓋第二導電層圖案第四絕緣層圖案，每個子像素的第四絕緣層上形成兩個有源過孔，兩個有源過孔分別暴露出有源層的兩端。
98.隨後，沉積第三導電薄膜，通過圖案化工藝對第三導電薄膜進行圖案化，在第四絕緣層上形成第三導電層圖案，第三導電層圖案至少包括：位於每個子像素的源電極和漏電極，源電極和漏電極分別通過有源過孔與有源層連接。
99.隨後，在形成前述圖案的基底1上塗覆平坦薄膜，通過圖案化工藝對平坦薄膜進行圖案化，形成覆蓋第三導電層圖案平坦層圖案，每個子像素的平坦層上形成有至少一個連接過孔，連接過孔暴露出漏電極的表面。
100.至此，製備完成驅動電路層6圖案。在示例性實施方式中，每個子像素的驅動電路層6可以包括構成像素驅動電路的多個電晶體和存儲電容。在示例性實施方式中，電晶體可以包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，存儲電容以包括第一極板和第二極板。在示例性實施方式中，電晶體可以是像素驅動電路中的驅動電晶體，驅動電晶體可以是薄膜電晶體(thin film transistor，簡稱tft)。
101.在示例性實施方式中，第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層和第四絕緣層可以採用矽氧化物(sio
x
)、矽氮化物(sin
x
)和氮氧化矽(sion)中的任意一種或更多種，可以是單層、多層或複合層。第一絕緣層可以稱為緩衝(buffer)層，第二絕緣層和第三絕緣層可以稱為(gi)層，第四絕緣層可以稱為層間絕緣(ild)層。第一導電層、第二導電層和第三導電層可以採用金屬材料，如銀(ag)、銅(cu)、鋁(al)、鈦(ti)和鉬(mo)中的任意一種或更多種，或上述金屬的合金材料。
102.(2)形成發光層5圖案。在示例性實施方式中，形成發光層5圖案可以包括：
103.在形成前述圖案的基底1上沉積第四導電薄膜，通過圖案化工藝對第四導電薄膜
進行圖案化，形成陽極電極層圖案，每個子像素的陽極電極層圖案至少可以包括陽極，陽極通過連接過孔與電晶體的漏電極連接。
104.隨後，在形成前述圖案的基底1上塗覆像素定義薄膜，通過圖案化工藝對像素定義薄膜進行圖案化，形成像素定義層，每個子像素的像素定義層設置有像素開口，像素開口內的像素定義薄膜被去掉，暴露陽極的表面。
105.隨後，在形成前述圖案的基底1上，通過蒸鍍方式或噴墨列印方式形成位於每個子像素的有機發光層，有機發光層通過像素開口與陽極連接。
106.隨後，在形成前述圖案的基底1上，通過開放式掩膜版的蒸鍍方式形成陰極圖案，整面結構的陰極與有機發光層連接，實現了有機發光層同時與陽極和陰極連接。
107.至此，製備完成發光層5圖案。
108.在示例性實施方式中，第四導電薄膜可以採用金屬材料、透明導電材料或者金屬材料和透明導電材料的多層複合結構，金屬材料可以包括銀(ag)、銅(cu)、鋁(al)、鈦(ti)和鉬(mo)中的任意一種或更多種，或上述金屬的合金材料，透明導電材料可以包括氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)，多層複合結構可以是ito/al/ito等。
109.在示例性實施方式中，像素定義薄膜的材料可以包括聚醯亞胺或亞克力等。在示例性實施方式中，可以採用半色調(half tone mask)掩膜板的圖案化工藝，在形成像素定義層圖案時形成隔墊柱圖案，隔墊柱可以設置在像素開口的外側，隔墊柱被配置為在後續蒸鍍工藝中支撐精細金屬掩模版，本技術在此不做限定。
110.在示例性實施方式中，有機發光層可以包括如下任意一種或多種：空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。
111.在示例性實施方式中，陰極可以採用鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、銅(cu)和鋰(li)中的任意一種或多種，或採用上述金屬中任意一種或多種製成的合金。
112.(3)形成封裝結構層7圖案。在示例性實施方式中，形成封裝結構層7圖案可以包括：
113.在形成前述圖案的基底1上，先利用開放式掩膜板採用沉積方式沉積第一封裝薄膜，形成第一子層圖案，隨後利用開放式掩膜板採用噴墨列印工藝列印第二封裝材料，形成第二子層圖案，隨後利用開放式掩膜板採用沉積方式沉積第三封裝薄膜，形成第三子層圖案。至此，製備完成封裝層圖案。
114.在示例性實施例中，第一封裝薄膜和第三封裝薄膜可以採用矽氧化物(sio
x
)、矽氮化物(sin
x
)和氮氧化矽(sion)中的任意一種或多種，可以是單層、多層或複合層，可以保證外界水氧無法進入發光層5，沉積方式可以採用化學氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)等方式。第二封裝薄膜可以採用有機材料，如樹脂等，起到包覆顯示基板各個膜層的作用，以提高結構穩定性和平坦性。至此，製備完成封裝結構層7圖案。
115.綜上，本技術提供的顯示基板、其製作方法及顯示裝置，本技術所述的顯示基板，通過將光處理層2同時設置在顯示區和所述切割道3內，僅需將原本只設置於顯示區的光處理層2延伸至切割道3位置，使光處理層2至少部分覆蓋切割道3，即可在基本不更改製作工藝、不增加製作成本及製作複雜度的情況下，減小切割道3與切割道3兩側膜層結構之間的斷差，以減小切割時雷射在該斷差區域內形成氣泡的可能性，進而降低切割道3氣泡發生
率，避免切割粘連，提升產品良率。
116.需要說明的是，上述對本技術的一些實施例進行了描述。其它實施例在所附權利要求書的範圍內。在一些情況下，在權利要求書中記載的動作或步驟可以按照不同於上述實施例中的順序來執行並且仍然可以實現期望的結果。另外，在附圖中描繪的過程不一定要求示出的特定順序或者連續順序才能實現期望的結果。在某些實施方式中，多任務處理和並行處理也是可以的或者可能是有利的。
117.所屬領域的普通技術人員應當理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，並非旨在暗示本技術的範圍(包括權利要求)被限於這些例子；在本技術的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術特徵之間也可以進行組合，步驟可以以任意順序實現，並存在如上所述的本技術實施例的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細節中提供。
118.本技術實施例旨在涵蓋落入所附權利要求的寬泛範圍之內的所有這樣的替換、修改和變型。因此，凡在本技術實施例的精神和原則之內，所做的任何省略、修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護範圍之內。