用於切割的粘合片的製作方法

2024-03-05 02:48:15 2

專利名稱：用於切割的粘合片的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於切割的粘合片。此外，本發明還涉及使用用於切割的粘合片的切割方法，通過這種切割方法可以獲得小切片。對於小元件片，如半導體片的切割和分離(切割成小片)，根據本發明的用於切割的粘合片，特別適合作為切割半導體片的粘合片，其用於固定被切割的材料，如半導體片。例如，根據本發明的粘合片，可用作為切割矽半導體片的粘合片、切割化合物半導體片的粘合片、切割半導體包裝的粘合片、切割玻璃的粘合片等等。
在切割步驟中，用旋轉移動的環型刀片切割晶片，但稱為完全切割的切割體系是主流，在該切割體系中維護半導體片的、用於切割的粘合板的基材被向內切割。由於採用完全切割法，粘合板被向內切割，基材，即塑料膜產生纖維狀切餘物。當纖維狀切餘物粘到切片(切割片)的內側，在以下的步驟中，粘附的纖維狀切餘物將被固定和保留在切片內部。這導致半導體元件產品的可靠度大大降低。在挑選步驟中，經CCD相機確定位置後，各個碎屑被挑選出來。但是，如果有纖維狀切餘物存在，也存在導致CCD相機識別錯誤的麻煩。
解決這類問題的方法，如日本專利申請公開NO.156214建議一種使用乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物作為基材的粘合片。這種粘合片一定程度上減少了纖維狀切餘物的產生。但是，在切割步驟中不能持久產生高可靠度的的半導體元件。
此外，日本專利申請公開No.211234(1993)建議一種使用經電子射線或輻射，如1-80Mrad的γ-射線輻射處理的膜的粘合片。然而，經射線輻射的粘合片被嚴重損壞，因此很難提供具有優良外觀的膜，並且，制膜的費用也大大提高。就質量和費用而言，此法不優選。
採用完全切割法，晶片被完全切割。因此，切割的質量取決於所使用的用於切割的粘合片。例如，近些年，使用的晶片是薄的，晶片背面有稱之為碎裂的裂縫，導致了晶片抗彎曲強度減小的嚴重問題。
解決此問題的方法，如日本專利申請公開No.335411(1993)建議一種生產薄的半導體元件的方法(通過控制第一步切割)，其中，具有形成於其上的元件的半導體片首先被切割，形成預先設定深度的切割凹槽，然後背面研磨到切割槽的深度。在此方法中，可以防止碎屑的產生，但是，由於被提供的半導體片事先已經有許多幾十到幾百μm的切割深度，產生許多問題，如裂縫的產生先於背面研磨，在背面研磨步驟中來自凹槽的研磨水汙染了晶片的表面。因此導致半導體片產量下降。
本發明的另一個目的是提供一種用於切割的粘合片，其能夠實現很好的切片如半導體片產率，並且在切割過程能夠防止碎屑的產生，解決了以上介紹的現有技術的問題。
本發明的再一個目的是提供一種切割方法，該方法使用用於切割的帶有粘合劑的薄片。
本發明的又一個目的是提供通過這種切割方法獲得的小切片。
為了解決以上問題，本發明人對構成用於切割的粘合片的基膜作了廣泛的研究，結果發現，以上介紹的目的能夠通過在基膜上使用特殊的烯烴熱塑性彈性體獲得，因此完成了本發明。
也就是說，本發明涉及用於切割的粘合片，包括在其至少一個表面上提供粘合劑層的基膜，其中，基膜包含烯烴熱塑性彈性體，烯烴熱塑性彈性體含有作為聚合成分的丙烯和乙烯和/或4-8個碳原子的α-烯烴，並且烯烴熱塑性彈性體的最高熔點為120-170℃。
本發明人發現，在特別是含丙烯和乙烯和/或4-8個碳原子的α-烯烴作為聚合組分，並構成根據本發明的用於切割的粘合片的基膜的烯烴熱塑性彈性體中，最高熔點為120-170℃的彈性體可使基膜在切割過程的延伸性降低，因此能夠防止切割過程纖維狀切餘物的產生。烯烴熱塑性彈性體的最高熔點優選為140℃或更高，更優選為160℃或更高。按照JISK7121，最高熔點一般是用差示掃描量熱計(DSC)測定的。
在用於切割的粘合片中，烯烴熱塑性彈性體在0℃的洗脫餾分與在0-140℃的升溫洗脫分級中的總洗脫餾分的比率優選為10-60重量％，所述洗脫是在鄰二氯苯溶劑中進行的。
烯烴熱塑性彈性體在0℃的洗脫餾分與其總洗脫餾分的比率，優選範圍是切割過程中可以防止產生纖維狀切餘物，並且，基膜的發泡性及與粘合層的粘結性令人滿意。當其在0℃的洗脫餾分的比例較低時，通過模壓烯烴熱塑性彈性體得到的基膜是硬的，在發泡步驟破壞拉伸性，並使挑選變得困難。因此，優選在0℃的洗脫餾分比率為10％(重量)或更多，更優選20％(重量)或更多。另一方面，當在0℃的洗脫餾分的比率較高時，通過模壓烯烴熱塑性彈性體得到的基膜與粘合層的粘結性較低。因此在0℃的洗脫餾分比例優選為60％(重量)或更少；更優選50％(重量)或更少。
升溫洗脫分級(TREF)是已知的分析方法。從原理的觀點出發，在高溫下聚合物完全溶解在溶劑中，然後將惰性載體放在溶液中，冷卻，在惰性載體表面上形成薄的聚合物層。在此過程中，按照下列順序形成聚合物層從容易結晶的、高結晶成分到難於結晶的、低結晶或非結晶成分。然後，當聚合物層被連續或逐漸加熱時，其洗脫按相反的順序進行，也就是說，難結晶的或非結晶的成分首先被洗脫，較高的可結晶成分最後被洗脫。從洗脫溫度和洗脫餾分量的洗脫曲線圖中，可以分析出聚合物中各組分的分布。
關於測量裝置，使用布分級裝置(CFC·T150A，MITSUBISHI化學公司)。一個被測樣品(烯烴熱塑性彈性體)，在140℃條件下，溶解在溶劑(鄰二氯苯)中，濃度為30mg/ml，然後注入測量裝置的樣品環中。以下的測量是在預先設定的條件下自動進行的。保留在樣品環中的樣品，0.4ml被注入TREF柱子(內直徑4mm，長度150mm的不鏽鋼柱子，用惰性玻璃珠填充)中。按溶解溫度的不同，樣品中的組分被分級。以1℃/min的速率將樣品從140℃冷卻到0℃，並且塗布在上面的惰性載體上。在此過程中，聚合物層按從高結晶性(易結晶性)組份到低結晶性(難結晶性)組份的順序，在惰性載體的表面成膜。TREF柱被保持在0℃達30min，然後按以下的數據逐步升溫，柱在每個溫度下保溫30min，測量每個溫度的洗脫餾分。洗脫溫度(℃)0，5，10，15，20，25，30，35，40，45，49，52，55，58，61，64，67，70，73，76，79，82，85，88，91，94，97，100，102，120，140。
在根據本發明用於切割的粘合片中，優選基膜還包括晶體成核劑，其對聚丙烯具有晶體成核作用。結果發現，通過將晶體成核劑結合到基膜中，可進一步防止纖維狀切餘物的形成。
在用於切割的粘合片中，優選晶體成核劑的量為基膜總重量的0.0001-1％。晶體成核劑的含量沒有特殊限制，但是當含量控制在以上範圍時，本發明的效果特別顯著。隨成核劑的量的降低，成核作用下降，很難達到本發明的效果。因此成核劑的含量為0.0001％(重量)或更多，優選0.0005％(重量)或更多。另一方面，隨成核劑的量的增加，基膜的柔韌性降低，發泡步驟的拉伸性變差，並使挑選過程變得困難。因此，晶體成核劑的含量為1％(重量)或更少，優選為0.1％(重量)或更少。
在用於切割的粘合片中，優選晶體成核劑為聚(3-甲基-1-丁烯)。
在用於切割的粘合片中，優選基膜為單層膜，並且含50％(重量)或更多的烯烴熱塑性彈性體。
在用於切割的粘合片中，優選基膜為多層膜，並且多層膜中至少一層膜含50％(重量)或更多的烯烴熱塑性彈性體。
基膜中烯烴熱塑性彈性體的含量是這樣選擇的為防止產生纖維狀切餘物，單層膜或多層膜中至少一層膜通常含50％(重量)或更多的烯烴熱塑性彈性體，優選80％(重量)或更多的烯烴熱塑性彈性體。當形成的基膜是多層膜時，拉伸性弱的層被安置在一層，該層含烯烴熱塑性彈性體，至用完全切割的環型刀片的切割深度，由此可以防止切割過程中纖維狀切餘物的產生；而需要發泡的拉伸性優良的層被放在另一層。由此，含烯烴熱塑性彈性體層的弱拉伸性可以得到補償。此外，功能性層，如抗靜電性優良層可以被安置在其中，形成多層膜，以賦予多層膜另外的功能，如抗靜電性。
在根據本發明的用於切割的粘合片中，優選基膜還包括乙烯系列的聚合物，該聚合物含有作為主要聚合成分的乙烯。
在根據本發明的用於切割的粘合片中，基膜包含彈性體，彈性體的最高熔點為120-170℃，在烯烴熱塑性彈性體中含丙烯和乙烯和/或4-8個碳原子的α-烯烴作為聚合組分，乙烯系列聚合物含有乙烯作為主要聚合組分，結果發現，在切割過程中能夠防止碎裂。
在用於切割的粘合片中，乙烯系列的聚合物的含量沒有特殊限制，但是，優選為烯烴熱塑性彈性體重量的5-50％；更優選為10-40％(重量)。當含量控制在以上範圍時，本發明顯示出特別顯著的效果。
在用於切割的粘合片中，乙烯系列的聚合物優選密度為0.94-0.97g/cm3的高密度聚乙烯和/或密度為0.91-0.94g/cm3的線性低密度聚乙烯。乙烯系列的聚合物沒有特殊限制，但是，優選使用以上例舉的聚乙烯以防止碎裂。
在用於切割的粘合片中，優選基膜為單層膜，並且其含有烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物總重量的50％或更多。
在用於切割的粘合片中，優選基膜為多層膜，並且，多層膜中至少一層膜含有烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物總重量的50％或更多。
基膜中，烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物的總含量是這樣確定的為防止產生纖維狀切餘物，單層膜或多層膜中至少一層膜的烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物含量通常為50％(重量)或更多，優選80％(重量)或更多。當形成的基膜是多層膜時，含烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物的一層被安置在至少一層，至用完全切割的環型刀片的切割深度，由此，可以防止切割過程中產生碎裂；而需要發泡的拉伸性優良層被安置在另一層，由此，含烯烴熱塑性彈性體一層的弱拉伸性可以得到補償。此外，功能性層，如抗靜電性優良層可以被安置在其中形成多層膜，以賦予另外的功能，如抗靜電性。
當用於切割的粘合片的厚度為1-200μm時，用於切割的粘合片很有效。
粘合劑層太厚，既不經濟，又導致切割質量顯著降低，如切割過程中半導體片的震動導致切割質量顯著降低。因此，優選粘合劑層的厚度為1-200μm，特別優選為3-50μm。在切割步驟中，用於切割的粘合片通常被環型刀片切割至約5-230μm的深度，所以，當粘合片的厚度小於切割的深度時，被切割的基膜產生纖維狀切餘物的問題，或當基膜的碎裂影響成為問題時，根據本發明的用於切割的粘合片會有效地發揮作用。
在用於切割的粘合片中，優選粘合劑層是通過輻射固化粘合劑形成的。
使用輻射固化粘合劑層，用射線照射後可以降低其粘附力，所以在切割和分離例如晶片後，粘合片能夠很容易從晶片上除去。
另外，本發明還涉及切割方法，包括按以上介紹的方法將用於切割的粘合片粘結到要被切割的材料上，然後切割粘合片至基膜的深度，由此切割要被切割的材料。
作為要被切割材料，半導體元件是有效的。此外，本發明還涉及小切片，這種小切片是採用以上介紹的切割方法、通過切割待切割材料製備的。
基膜包括烯烴熱塑性彈性體，該烯烴熱塑性彈性體含丙烯和乙烯和/或4-8個碳原子的α-烯烴作為聚合組分。
作為烯烴熱塑性彈性體中的聚合組分，含有4-8個碳原子的α-烯烴包括1-丁烯、3-甲基戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等等。優選烯烴熱塑性彈性體是丙烯-乙烯共聚物。
在烯烴熱塑性彈性體中，每一種聚合組分的含量沒有特殊限制，只要烯烴熱塑性彈性體滿足最高熔點和升溫洗脫分級的要求即可，但丙烯的含量通常為50-95％(重量)，更優選為60-92％(重量)。乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴是除丙烯之外的其餘的烯烴熱塑性彈性體。
本發明的烯烴熱塑性彈性體包含以上介紹的聚合組分，且滿足最高熔點和升溫洗脫分級的要求。製備烯烴熱塑性彈性體的方法包括連續聚合方法，該方法包括至少兩個階段，其中，例如丙烯均聚物或含丙烯、少量乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴的無規共聚物是在第一階段製備的，而在第二階段和以下的階段，包含丙烯和乙烯和/或含4-8個碳原子的其它α-烯烴的無規共聚物被製備；和另一種方法，其中，丙烯均聚物或包含丙烯、少量乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴的無規共聚物，和包含乙烯和含4-8個碳原子的α-烯烴的無規共聚物，或包含乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴和丙烯的無規共聚物，被分別聚合，然後相互共混。在這些方法中，優選包括至少兩個階段的連續聚合法。
下面，將描述連續聚合法。用於連續聚合的催化劑沒有特殊限制，但優選催化劑包含有機鋁化合物和固體組分，該固體組分包含鈦原子、鎂原子、滷素原子及給電子化合物作為主要組分。在此，有機鋁化合物是在這類聚合中已知的化合物。其用通式(R1)mAlX(3-m)表示，其中，R1表示含1-12個碳原子的烴基，X表示滷素原子，m表示1-3的整數，其實例包括三烷基鋁，如三甲基鋁或三乙基鋁；二烷基滷化鋁，如二甲基氯化鋁或二乙基氯化鋁；烷基鋁倍半滷化物，如甲基鋁倍半氯化物或乙基鋁倍半氯化物；烷基鋁二滷化物，如甲基二氯化鋁或乙基二氯化鋁；烷基鋁滷化物，如二乙基滷化鋁。
另外，含有鈦原子、鎂原子、滷素原子及給電子化合物作為主要組分的固體組分也是這種聚合中已知的。作為鈦原子給體的鈦化合物包括通式Ti(OR2)4-2Xn代表的那些化合物，其中R2表示含1-10個碳原子的烴基，X表示滷素原子，n為1-4的整數，並特別優選四氯化鈦，四乙氧基鈦，四丁氧基鈦等等。作為鎂原子給體的鎂化合物包含如二烷基鎂、二滷化鎂、二烷氧基鎂、烷氧基滷化鎂等等。其中二滷化鎂是優選的。滷素原子包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子，其中氯原子是優選的，並且這些滷素通常由上述鈦化合物提供，但也可以由其它滷素給體如滷化鋁、滷化矽、滷化鎢提供。
給電子化合物包括含氧化合物，如醇、酚、酮、醛、羧酸，有機酸和無機酸或其衍生物，以及含氮化合物，如氨、胺、腈和異氰酸酯。給電子化合物特別優選無機酸酯，有機酸酯和滷化有機酸；更優選矽酯、乙酸溶纖劑和苯二甲酸滷化物；最優選由通式R3R4(3-p)Si(OR5)p表示的那些有機矽化合物，其中，R3表示含3-20個碳原子，優選4-10碳原子的支化脂肪烴基，或含5-20個碳原子，優選6-10個碳原子的脂環烴基；R4表示含1-20個碳原子，優選1-10個碳原子的支化或線性脂肪烴基；p表示1-3的整數，優選的實例包括叔-丁基-甲基-二乙氧基矽烷，環己基-甲基-二甲氧基矽烷和環己基-甲基-二乙氧基矽烷。
在連續聚合法中，丙烯和少量乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴被加入，並在下列條件下在第一階段聚合催化劑存在下，溫度50-150℃，優選50-100℃，丙烯分壓為0.5-4.5MPa，優選1-3.5MPa，製得例如丙烯的均聚物；在第二階段，丙烯和乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴被加入，並在下列條件下與上述均聚物進行共聚合催化劑存在下，溫度為50-150℃，優選50-100℃，丙烯和乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴中每一種的分壓為0.3-4.5Mpa，優選為0.5-3.5MPa，製得含有丙烯和乙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴的共聚物。
可以在間歇，連續或半間歇體系中進行聚合，並且第一階段的聚合是在氣相或液相中進行的，第二階段的聚合也是在氣相或液相中進行的，特別優選在氣相中進行。每個階段的停留時間為0.5-10小時；優選1-5小時。
如果採用以上介紹的方法製備的烯烴熱塑性彈性體的粉末或顆粒有諸如發粘等問題，優選將含活潑氫的化合物在第一階段聚合之後和第二階段聚合前或聚合過程中加入，用量範圍為催化劑固體組分中鈦原子的100-1000倍摩爾，同時為催化劑中有機鋁化合物的2-5倍摩爾。含活潑氫的化合物包括如水、醇、酚、醛、羧酸、酸性醯胺、氨、胺等等。
根據JIS K7210標準，採用上述方法製得的烯烴類熱塑性彈性體230℃、21.18N的負荷下測定的熔體流動速率(MFR)為0.1-50g/10分鐘；根據JIS K7112標準，利用水中置換的方法測定的密度約0.87-0.89g/cm3；根據JIS K7203標準，在23℃測定的勁度模量為600MPa或更少。
烯烴熱塑性彈性體，也可以在已知的有機過氧化物存在條件下被動態熱處理，如果需要，可以加入分子中含有一個或更個，優選兩個或多個雙鍵的交聯劑，由此可以調節MFR。
本發明中的基膜可以包括以上介紹的烯烴熱塑性彈性體作為組成樹脂，其可以單獨由烯烴熱塑性彈性體構成，或根據需要由與其他塑料樹脂或彈性體的混合物構成。優選使用的塑料樹脂或彈性體包括常規塑料或彈性體片材樹脂，例如已知的聚烯烴，如聚丙烯、聚乙烯和聚丁烯，以及聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯、苯乙烯型彈性體、和乙烯-丙烯橡膠，或含乙烯和丙烯和/或含4-8個碳原子的α-烯烴的乙烯-α-烯烴共聚物(橡膠)。如上所述，為了防止纖維狀切餘物的產生，基膜中烯烴熱塑性彈性體的含量通常為50％(重量)或更多，優選80％(重量)或更多。
當基膜碎屑的影響成為問題時，則基膜優選由烯烴熱塑性彈性體和含有乙烯作為主要聚合成分的聚合物的混合物構成。
作為與烯烴熱塑性彈性體混合的乙烯系列聚合物，可以使用含有至少50摩爾％乙烯作為聚合組分的聚合物，而沒有特別的限定。
該乙烯系列聚合物包括例如高壓-低密度聚乙烯，其密度為0.91-0.94g/cm3；高密度聚乙烯，其密度為0.94-0.97g/cm3；線性低密度聚乙烯，其密度為0.91-0.94g/cm3；茂金屬型乙烯-α-烯烴共聚物，其密度為0.88-0.91g/cm3，例如，含3-8個碳原子的α-烯烴共聚物，如丙烯、1-丁烯、1-己烯或1-辛烯；和乙烯-α-烯烴共聚物橡膠，其密度為0.85-0.88g/cm3。製備這些乙烯系列聚合物的方法沒有特殊限制，但這些聚合物是用下列方法製備的例如高壓自由基聚合法，或使用Ziegler型催化劑或單中心催化劑如茂金屬型催化劑的配位陰離子聚合法。乙烯系列聚合物包括例如乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯和甲基丙烯酸和/或甲基丙烯酸酯的共聚物、乙烯和丙烯酸和/或丙烯酸酯的共聚物、乙烯和甲基丙烯酸金屬鹽和/或丙烯酸金屬鹽的共聚物(離子交聯聚合物)、乙烯-丙烯-非共軛二烯共聚物橡膠(EPDA)、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-降冰片烷共聚物等等。在這些乙烯系列聚合物中，密度為0.94-0.97g/cm3的高密度聚乙烯和/或密度為0.91-0.94g/cm3的線性低密度聚乙烯是優選的；特別優選密度為0.94-0.97g/cm3的高密度聚乙烯。
如上所述，乙烯系列聚合物與烯烴熱塑性彈性體的比率優選為5-50％(重量)。烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物的混合方法沒有特殊限制，但可以提及的有例如用Banbury密練機、單螺杆擠出機或雙螺杆擠出機的熔融-捏合法，以及在製備膜過程中的混合法(幹混合)。特別優選熔融-捏合法。在熔融-捏合過程中，在已知的有機過氧化物或在分子中含一個或多個，優選兩個或多個雙鍵的交聯劑存在下，烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物也可以被動態加熱處理。
為了防止切碎，基膜中烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物的總含量通常為50％(重量)或更多，優選80％(重量)或更多。
如果需要，基膜可與下列物質共混增塑劑如礦物油；填料，如碳酸鈣、二氧化矽、滑石、雲母和粘土；各種添加劑，如抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、分散劑、中和劑、α-晶體成核劑和β-晶體成核劑。
在這些添加劑中，本發明基膜中優選含有對聚丙烯具有晶體成核作用的晶體成核劑作為添加劑。基膜中晶體成核劑的含量優選為0.0001-1％(重量)。
對晶體成核劑沒有特殊限制，其實例包含各種無機化合物，各種羧酸或其金屬鹽，二亞苄基山梨糖醇型化合物，磷酸芳基酯型化合物，環狀多價金屬磷酸芳基鹽型化合物和鹼金屬脂肪單羧酸鹽或鹼式鋁·鋰·羥基·碳酸鹽·水合物的混合物，和α-晶體成核劑，例如各種聚合物。這些晶體成核劑可以單獨使用也可以混合使用。
無機化合物的實例包括滑石、明礬、二氧化矽、二氧化鈦、氧化鈣、氧化鎂、碳黑、粘土礦物等等。
羧酸的實例包括除一元脂肪羧酸外的羧酸。其實例包括丙二酸、丁二酸、己二酸、馬來酸、壬二酸、癸二酸、十四烷二酸、檸檬酸、丁烷三甲酸、丁烷四甲酸、環己烷甲酸、環戊烷甲酸、1-甲基環戊烷甲酸、2-甲基環戊烷甲酸、環戊烯甲酸、環己烷甲酸、1-甲基環己烷甲酸、4-甲基環己烷甲酸、3，5-二甲基環己烷甲酸、4-丁基環己烷甲酸、4-辛基環己烷甲酸、環己烯甲酸、4-環己烯-1，2-二羧酸、苯甲酸、甲苯甲酸、二甲基苯甲酸、乙基苯甲酸、4-叔丁基苯甲酸、水楊酸、苯二甲酸、偏苯三酸和1，2，4，5-苯四酸。關於這些羧酸的金屬鹽，可以提及的有其與鋰、鈉、鉀、鎂、鈣、鍶、鋇、鋅或鋁的正鹽或鹼式鹽。
二亞苄基山梨糖醇型化合物包括例如1·3，2·4-二亞苄基山梨糖醇，1·3-亞苄基-2·4-對甲基亞苄基山梨糖醇，1·3-亞苄基-2·4-對乙基亞苄基山梨糖醇，1·3-對甲基亞苄基-2·4-亞苄基山梨糖醇，1·3-對乙基亞苄基-2·4-對亞苄基山梨糖醇，1·3-對甲基亞苄基-2·4-對乙基亞苄基山梨糖醇，1·3-對乙基亞苄基-2·4-對甲基亞苄基山梨糖醇，1·3，2·4-二(對甲基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對乙基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對正丙基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對異丙基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對正丁基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對仲丁基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二-(對叔丁基亞苄基)山梨糖醇，1·3-(2』·4』-二甲基亞苄基)-2·4-亞苄基山梨糖醇，1·3-亞苄基-2·4-(2』·4』-二甲基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(2』，4』-二甲基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(3』，4』-二甲基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對甲氧基亞苄基)山梨糖醇，1·3，2·4-二(對乙氧基亞苄基)山梨糖醇，1·3-亞苄基-2·4-對氯亞苄基山梨糖醇，1·3-對氯亞苄基-2·4-亞苄基山梨糖醇，1·3-對氯亞苄基-2·4-對甲基亞苄基山梨糖醇，1·3-對氯亞苄基-2·4-對乙基亞苄基山梨糖醇，1·3-對甲基亞苄基-2·4-對氯亞苄基山梨糖醇，1·3-對乙基亞苄基-2·4-對氯亞苄基山梨糖醇，和1·3，2·4-二(對氯亞苄基)山梨糖醇。
磷酸芳基型化合物包括例如二(4-叔丁基苯基)磷酸鋰，二(4-叔丁基苯基)磷酸鈉，二(4-枯基苯基)磷酸鋰，二(4-枯基苯基)磷酸鈉，二(4-叔丁基苯基)磷酸鉀，一(4-叔丁基苯基)磷酸鈣，二(4-叔丁基苯基)磷酸鈣，一(4-叔丁基苯基)磷酸鎂，二(4-叔丁基苯基)磷酸鎂，一(4-叔丁基苯基)磷酸鋅，二(4-叔丁基苯基)磷酸鋅，二羥基-(4-叔丁基苯基)磷酸鋁，羥基-二(4-叔丁基苯基)磷酸鋁，三(4-叔丁基苯基)磷酸鋁，2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4-枯基-6-叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鋰，2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鋰，2，2』-亞甲基-二(4-枯基-6-叔丁基苯基)磷酸鋰，2，2』-亞乙基-二(4-異丙基-6-叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸鋰，2，2』-亞甲基-二(4-乙基-6-叔丁基苯基)磷酸鋰，2，2』-亞丁基-二(4，6-二甲基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞丁基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-叔辛基亞甲基-二(4，6-二甲基苯基)磷酸鈉，2，2』-叔辛基亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4-乙基-6-叔丁基苯基)磷酸鈉，(4，4』-二甲基-6，6』-二叔丁基-2，2』-二苯基)磷酸鈉，2，2』-亞乙基-二(4-仲丁基-6-叔丁基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4，6-二甲基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞甲基-二(4，6-二乙基苯基)磷酸鈉，2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鉀，二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鈣，二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鎂，二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋅，三[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋁，二[2，2』-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸]鈣二[2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鈣，二[2，2』-硫代二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸]鈣，二[2，2』-硫代二(4-乙基-6-叔丁基苯基)磷酸]鈣，二[2，2』-硫代二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鈣，二[2，2』-硫代二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鎂，二[2，2』-硫代二(4-叔辛基苯基)磷酸]鎂，二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋇，二[(4，4』-二甲基-6，6』-二叔丁基-2，2』-二苯基)磷酸鈣，二[2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鎂，二[2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋇，三[2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋁，二羥基-2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鋁，二羥基-2，2』-亞甲基-二(4-枯基-6-叔丁基苯基)磷酸鋁，羥基-二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋁，羥基-二[2，2』-亞甲基-二(4-枯基-6-叔丁基苯基)磷酸鋁，二羥基-二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鈦，二羥基-二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]錫，氧-二[2，2』-亞甲基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋯，二羥基-2，2』-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸鋁，羥基-二[2，2』-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯基)磷酸]鋁，二羥基-2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸鋁，和羥基-二[2，2』-亞乙基-二(4，6-二叔丁基苯基)磷酸]鋁，以與環狀多價磷酸芳基型化合物(上述磷酸芳基型化合物除外)的混合物形式使用的一元脂肪羧酸的鹼金屬鹽，包括下列酸的鋰、鈉或鉀鹽醋酸、乳酸、丙酸、丙烯酸、辛酸、異辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、肉寇酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞油酸、亞麻酸、12-羥基硬脂酸、蓖麻油酸、二十二烷酸、芥酸、二十九烷酸、三十烷酸、硬脂醯乳酸、β-十二烷巰基乙酸、β-十二烷巰基丙酸、β-N-月桂烷基氨基丙酸和β-N-甲基-N-月桂醯基丙酸。
聚合物包括例如聚乙烯、聚(3-甲基-1-丁烯)、聚(3-甲基-1-戊烯)、聚(3-乙基-1-戊烯)、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(4-甲基-1-己烯)、聚(4，4-二甲基-1-戊烯)、聚(4，4-二甲基-1-己烯)、聚(4-乙基-1-己烯)、聚(3-乙基-1-己烯)、聚烯丙基萘、聚烯丙基降冰片烷、無規聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、聚二甲基苯乙烯、聚乙烯基萘、聚烯丙基苯、聚烯丙基甲苯、聚乙烯基環戊烷、聚乙烯基環己烷、聚乙烯基環庚烷、聚乙烯基三甲基矽烷和聚烯丙基三甲基矽烷。
採用例如日本專利申請公開No.42304(1990)中所示的方法，可以以丙烯聚合物形式得到這些聚合物，丙烯聚合物含有以上聚合物的濃度約0.01-0.15％(重量)，在該方法中，0.01-100g組成聚合物的單體被預先聚合，然後，僅與丙烯聚合或與丙烯和少量乙烯和/或α-烯烴共聚合。通過將得到的產物加入到烯烴熱塑性彈性體中，作為晶體成核劑的聚合物能夠與烯烴熱塑性彈性體有效、均勻的混合，很少量的晶體成核劑即能達到優良的晶體成核作用。
當晶體成核劑是低分子量化合物時，基膜與粘合劑層的粘結性較低，且半導體被金屬離子汙染。因此，本發明中使用的晶體成核劑優選高分子量化合物。聚合物中，聚(3-甲基-1-丁烯)是優選的。
本發明中的基膜可以由傳統的技術如擠出法製備，基膜厚度通常為約10-300μm，優選約30-200μm。基膜可以是單層膜，也可以是多層膜。但是，從與粘合劑層接觸的表層到切割過程中環型刀片將到達的約150μm範圍的層，優選是含有烯烴熱塑性彈性體的層。多層膜可以用例如常規的薄膜層壓法製備，如共擠出或在其它層使用以上介紹的聚烯烴等的幹層壓法。
如果必要的話，得到的基膜可以被單軸或多軸拉伸。拉伸優選在約60-100℃下進行。這樣製備的基膜，如果必要的話可以經常規的物理或化學處理，如消光、電暈放電、底漆等等。
粘合劑層可以使用已知的或常規的粘合劑。對這類粘合劑沒有特殊限制，可以使用各種粘合劑，如那些基於橡膠系列、丙烯酸系列、矽氧烷系列、或聚乙烯基醚系列等的粘合劑。
優選粘合劑為丙烯酸系列粘合劑。在丙烯酸系列粘合劑中用作為基礎聚合物的丙烯酸聚合物，通常為烷基(甲基)丙烯酸酯聚合物或其與共聚單體的共聚物。優選丙烯酸聚合物中的主要單體是烷基(甲基)丙烯酸酯，其給出玻璃化轉變溫度為20℃或更低的均聚物。
烷基(甲基)丙烯酸酯中的烷基部分包括例如甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、異壬基，等等。共聚合單體包括(甲基)丙烯酸的烷羥基酯(例如，羥乙基酯、羥丁基酯、羥己基酯等等)、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等等。
使用的粘合劑可以是用UV射線、電子射線等固化的輻射固化粘合劑或熱發泡粘合劑。另外，可以使用也能作為切割模具粘合的粘合劑。本發明中，優選使用輻射固化的粘合劑，特別是UV固化粘合劑。當使用的粘合劑是輻射固化粘合劑時，粘合劑在切割前或後要經輻射照射，因此，基膜優選具有足夠的輻射滲透性。
輻射固化粘合劑包括例如以上介紹的基礎聚合物(丙烯酸聚合物)和輻射固化組分。輻射固化組分可以是任何這樣的組分在分子中有碳碳雙鍵並能夠通過自由基聚合固化的單體，低聚物或聚合物。輻射固化組分包括例如多元醇和(甲基)丙烯酸形成的酯，如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；丙烯酸酯低聚物；和異氰脲酸酯或異氰脲酸酯化合物，如2-丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯、2-羥乙基-二(2-丙烯醯氧乙基)異氰脲酸酯和三(2-甲基丙烯醯氧乙基)異氰脲酸酯。
另外，在輻射固化粘合劑中使用的基礎聚合物(丙烯酸聚合物)可以是在聚合物側鏈上具有碳碳雙鍵的輻射固化聚合物，在這種情況下，不需要加入上述輻射固化組分。
為了用UV線固化輻射固化粘合劑，需要光聚合引發劑。該聚合引發劑包括例如苯偶姻烷基醚，如苯甲醯甲醚、苯偶姻丙醚和苯偶姻異丁醚；芳香酮，如苄基酮、苯偶姻酮、二苯甲酮和α-羥基環己基苯甲酮；芳香縮酮，如苄基二甲基縮酮；聚乙烯基二苯甲酮；和噻噸酮，如氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮和二乙基噻噸酮。
如果必要的話，粘合劑也可以含有常規的添加劑，如交聯劑、粘合劑、填料、抗老化劑和著色劑。交聯劑包括例如聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、氮丙啶化合物、環氧樹脂、酐類、聚胺和含羧基的聚合物。
根據本發明用於切割的粘合片1可以通過以下方法製備，例如，將粘合劑塗到基膜11的表面，乾燥粘合劑(如果需要，對其進行熱交聯)形成粘合劑層12，然後根據需要，將分隔層13粘結到粘合劑層12的表面。或者，可以使用單獨在分隔層13上形成粘合劑層12，然後將其粘結到基膜11上的方法。
可以根據粘合劑類型或切割深度適當地確定粘合劑層的厚度，但通常為約1-200μm，優選約3-50μm。
為了標貼或使粘合劑層光滑，如果必要的話，可以安置分隔層。構成分隔層的材料包括合成樹脂膜，如紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二酸乙二醇酯等。為了改善從粘合劑層的釋放性，如果必要的話，可以用矽氧烷、長鏈烷基化合物、氟化物等處理分隔層的表面。為了改善韌性，可對分隔層進行單軸或多軸拉伸或將分隔層層壓在另一個塑料膜上。分隔層的厚度通常約10-200μm，優選約25-100μm。
MITSUBISHI化學公司生產的Zelas 5053(商品名)是一種烯烴熱塑性彈性體，其由79％(重量)丙烯組分和21％(重量)乙烯組分構成，並且這種商購產品在0℃的洗脫餾分與其在0-140℃的升溫洗脫分級中的總洗脫餾分的比率為41.7％(重量)，所述洗脫是在鄰二氯苯溶劑中進行的，該產品的最高熔點為164℃，密度為0.88g/cm3，MFR(230℃，21.18N)是6.8g/10分鐘。(粘合劑的製備)將60份(重量)二季戊四醇六丙烯酸酯(Kayarad，DPHA(商品名)，Nippon Kayaku有限公司)，3份(重量)光聚合引發劑(Irgacure184(商品名)，Ciba Specialty chemicals)和5份(重量)聚異氰酸酯化合物ColonateL(商品名，Nippon Urethane有限公司)加入到含重均分子量為500,000的丙烯酸共聚物中，該共聚物一般是通過95份(重量)丙烯酸丁酯和5份(重量)丙烯酸在甲苯中共聚合的方式製得的，由此製得丙烯酸UV-固化粘合劑的溶液。(用於切割的粘合片的製備)將上面製得的粘合劑溶液塗到經電暈處理的前面得到的基膜表面上，並在80℃下熱交聯10分鐘，在其上形成20μm厚的UV-固化的粘合劑層。然後，將分隔層粘結到粘合劑層的表面，製得用於切割的UV-固化的粘合片。
Nippon Polychem有限公司生產的Kemel KF261是茂金屬基低密度聚乙烯，其密度為0.898g/cm3，MFR(190℃，21.18N)為2.2g/10分鐘。(用於切割的粘合片的製備)將實施例1中製備的粘合劑溶液塗布在經電暈處理的前面得到的基膜表面上，並在80℃下熱交聯10分鐘，在其上形成50μm厚的UV-固化的粘合劑層。然後，將分隔層粘結到粘合劑層的表面，由此製得用於切割的UV-固化的粘合片。
Nippon Polychem有限公司生產的Novateck HD HB330是高密度聚乙烯，其密度為0.953g/cm3，MFR(190℃，21.18N)為0.35g/10分鐘。(用於切割的粘合片的製備)將實施例3中製得的粘合劑溶液塗布在經電暈處理的前面得到的基膜表面上，在80℃下熱交聯10分鐘，在其上形成50μm厚的UV-固化粘合劑層。然後，將分隔層粘結到粘合劑層的表面，製得用於切割的UV-固化的粘合片。比較例1按照與實施例1相同的方式製備用於切割的粘合片，除了使用的基膜是採用T-模頭擠出低密度聚乙烯製得的厚度為100μm的膜外。低密度聚乙烯的最高熔點為110℃，密度為0.923g/cm3，MFR(190℃，21.18N)為1.5g/10分鐘。比較例2按照與實施例1相同的方式製備用於切割的粘合片，除了使用的基膜是採用T-模頭擠出乙烯-甲基丙烯酸共聚物製得的厚度為100μm的膜外。乙烯-甲基丙烯酸共聚物的最高熔點為100℃，密度為0.930g/cm3，MFR(190℃，21.18N)為3g/10分鐘。比較例3按照與實施例1相同的方式製備用於切割的UV-固化的粘合片，除了使用的基膜是厚度為100μm的基膜外，該基膜是採用T-模頭擠出乙烯—甲基丙烯酸共聚物(MFR＝2.0)，隨後對所得薄膜的一個表面進行電暈處理得到的。(評估測試)用以下方法評估在實施例和比較例中得到的用於切割的粘合片，結果如表1所示。(1)切割性能評估將350μm厚的六英寸晶片固定在用於切割的粘合片上，然後在下列條件下切割。(切割條件)切塊機DFD-651，DISCO有限公司刀片NBC-ZH2050 27HEDD，DISCO有限公司刀片轉數45,000rpm切割速率100mm/秒切割深度基膜中30μm深切割尺寸2.5mm×2.5mm切割方式下切切割後，在光學顯微鏡(x200)下，在切片表面上觀察到出現纖維狀切餘物，並且統計了在預定尺寸範圍內的纖維狀切餘物的數目。
表1

從表1能夠看出，實施例中用於切割的粘合片很少產生纖維狀切餘物。這些粘合片不產生100μm或更大尺寸的纖維狀切餘物。特別地，可以看到，在實施例3和實施例4中，用於切割的粘合片使用含晶體成核劑的基膜可以減少纖維狀切餘物的產生。實施例和比較例中的晶片沒有顯示質量的降低。
由Nippon Polychem有限公司生產的Novateck LL UF420是線性低密度聚乙烯，其密度為0.925g/cm3，MFR(190℃，21.18N)為0.8g/10分鐘。(用於切割的粘合片的製備)將實施例3中製得的粘合劑溶液塗布在經電暈處理的上面得到的基膜表面上，並在80℃下熱交聯10分鐘，在其上形成20μm厚的UV-固化的粘合劑層。然後，將分隔層粘結到粘合劑層的表面，製得用於切割的UV-固化的粘合片。比較例4在實施例5中用於切割的烘乾粘合片的製備中，按照與實施例1相同的方式製備粘合片，除了使用的基膜是厚度為80μm的基膜外，該基膜是通過幹混50份(重量)聚丙烯(Novateck FL6CK，Nippon Polychem有限公司生產)和50份(重量)乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(AquliftWM305，Sumitomo化學有限公司)，然後將共混物擠壓成型得到的。比較例5在實施例5中用於切割的烘乾粘合片的製備中，按照與實施例1相同的方式製備粘合片，除了使用的基膜是80μm厚的線性低密度聚乙烯外。(評估測試)按照下列方法評估在實施例和比較例中得到的用於切割的粘合片，結果見表2。(碎裂評估)將背部進行背面研磨(#2000光潔度)的150μm厚的六英寸晶片，固定在每一個在實施例和比較例中得到的用於切割的粘合片上。在下列條件下切割每一個薄片上。切割完後，用UV射線(500mJ/cm2)照射薄片的背部，然後，從其中挑選出(釋放出)50個隨機的半導體基片。在光學顯微鏡(x200)下，在得到的半導體片—側觀察各碎裂在基片深度方向的深度，並且統計了在預定尺寸範圍內的碎裂數目。(產率)用碎裂尺寸為50μm或更小的半導體基片與50個用於評估碎裂的隨機半導體基片的比例來表達產率。(切割條件)切塊機DFD-651，DISCO有限公司刀片NBC-ZH2050 27HEDD，DISCO有限公司刀片轉數40000rpm切割速率120mm/秒切割深度基膜中30μm深切割尺寸2.5mm×2.5mm切割方式下切表2

由表2可知，實施例5和6中的用於切割的粘合片，產生較少的尺寸大於或等於50μm的碎片，表明產率較高。另一方面，在比較例4和5中，產生較多的尺寸大於或等於50μm的碎片，表明產率較低。
權利要求
1.一種用於切割的粘合片，包括在其至少一個表面上提供粘合劑層的基膜，其中，所述基膜包含一種烯烴熱塑性彈性體，該烯烴熱塑性彈性體含有丙烯和乙烯和/或包含4-8個碳原子的α-烯烴作為聚合組分，並且烯烴熱塑性彈性體的最高熔點為120-170℃。
2.根據權利要求1的用於切割的粘合片，其中所述烯烴熱塑性彈性體在0℃的洗脫餾分與其在0-140℃的升溫洗脫分級中的總洗脫餾分的比率為10-60重量％，所述洗脫是在鄰二氯苯溶劑中進行的。
3.根據權利要求1或2的用於切割的粘合片，其中所述基膜還包括晶體成核劑，該晶體成核劑對聚丙烯具有晶體成核作用。
4.根據權利要求3的用於切割的粘合片，其中晶體成核劑相對於基膜總重量的含量為0.0001-1％。
5.根據權利要求3或4的用於切割的粘合片，其中所述晶體成核劑為聚(3-甲基-1-丁烯)。
6.根據權利要求1-5中任何一項的用於切割的粘合片，其中基膜是單層膜，並且含有至少50重量％的所述烯烴熱塑性彈性體。
7.根據權利要求1-5中任何一項的用於切割的粘合片，其中基膜是多層膜，並且在多層膜中的至少一層含有至少50重量％的烯烴熱塑性彈性體。
8.根據權利要求1-5中任何一項的用於切割的粘合片，其中所述基膜還包括乙烯系列聚合物，該聚合物含有乙烯作為主要聚合組分。
9.根據權利要求8的用於切割的粘合片，其中所述乙烯系列聚合物相對於所述烯烴熱塑性彈性體的含量為5-50重量％。
10.根據權利要求8或9的用於切割的粘合片，其中所述的乙烯系列聚合物是密度為0.94-0.97g/cm3的高密度聚乙烯和/或密度為0.91-0.94g/cm3的線性低密度聚乙烯。
11.根據權利要求8-10中任何一項的用於切割的粘合片，其中基膜是單層膜，並且所述烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物在基膜中的總含量至少為50重量％。
12.根據權利要求8-10中任何一項的用於切割的粘合片，其中基膜是多層膜，並且在多層膜的至少一層中所述烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物的總含量至少為50重量％。
13.根據權利要求1-12中任何一項的用於切割的粘合片，其中粘合劑層的厚度為1-200μm。
14.根據權利要求1-13中任何一項的用於切割的粘合片，其中粘合劑層是由輻射-固化的粘合劑形成的。
15.一種切割方法，包括將如權利要求1-14中任何一項所述的用於切割的粘合片粘結到待切割的材料上，然後切割粘合片到基膜的深度，由此切割待切割的材料。
16.根據權利要求15的切割方法，其中被切割的材料為半導體元件。
17.一種小型切片，其是採用如權利要求15或16所述的切割方法、通過切割待切割的材料製得的。
全文摘要
一種用於切割的粘合片，包括在其至少一個表面上提供粘合劑層的基膜，其中，所述基膜包含一種烯烴熱塑性彈性體，該烯烴熱塑性彈性體含有丙烯和乙烯和/或包含4－8個碳原子的α－烯烴作為聚合組分，並且烯烴熱塑性彈性體的最高熔點為120℃或更高，其沒有經濟缺點，產品質量標準降低較少，並且在切割過程中很少產生纖維狀切餘物。特別是，當基膜含有晶體成核劑時，在切割過程中產生的纖維狀切餘物較少。此外，通過在基膜中結合乙烯系列聚合物，可以防止切割過程中碎裂的產生。
文檔編號H01L21/68GK1395293SQ0212441
公開日2003年2月5日 申請日期2002年6月27日 優先權日2001年6月27日
發明者山本昌司, 高柳健二郎 申請人:日東電工株式會社