曝光裝置及元件製造方法

2023-07-08 19:16:06

專利名稱：曝光裝置及元件製造方法
技術領域：
本發明關於透過液體使基板曝光的曝光裝置及元件製造方法。
背景技術：
半導體元件或液晶顯示元件，是通過將形成於掩膜版上的圖案轉印於感光性基板上、即所謂的光刻方法來製造。此光刻步驟所使用的曝光裝置，具有支撐掩膜版的掩膜版載臺與支撐基板的基板載臺，使掩膜版載臺與基板載臺一邊逐次移動一邊透過投影光學系統將掩膜版的圖案轉印於基板。近年來，為對應元件圖案的更高集成化，而期待投影光學系統具有更高解析度。投影光學系統的解析度，是所使用的曝光波長越短、或投影光學系統的數值孔徑越大則會越提高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長逐年變短，投影光學系統的數值孔徑則逐漸增大。又，目前主流的曝光波長雖為KrF準分子雷射的248nm，但波長更短的ArF準分子雷射的193nm也逐漸實用化。又，進行曝光時，焦深(DOF)也與解析度同樣重要。解析度R及焦深S分別以下式表示。R = k: 入 /NA... (I)6 = ±k2 入 /NA2 …(2)此處，A為曝光波長，NA為投影光學系統的數值孔徑，kp k2為處理係數。從(I)式、(2)式可知，為了提高解析度R，而縮短曝光波長\、增大數值孔徑NA時，即會使焦深5變窄。若焦深5變得過窄，即難以使基板表面與投影光學系統的像面一致，有進行曝光動作時焦點裕度不足的顧慮。因此，作為實質上縮短曝光波長且擴大焦深的方法，例如已有提出一種國際公開第99/49504號公報所揭示的液浸法。此液浸法，是以水或有機溶劑等液體充滿投影光學系統下面與基板表面間來形成液浸區域，利用液體中的曝光用光的實質波長為在空氣中的1/n倍(n為液體折射率，通常為I. 2 I. 6左右)這點來提高解析度，且能將焦深放大至n倍。此外，如上述專利文獻I所揭示，是有一種一邊使掩膜版與基板同步移動於掃描方向、一邊將形成於掩膜版的圖案曝光於基板的掃描型曝光裝置。掃描型曝光裝置，以提高元件的生產性為目的等而被要求掃描速度更高速。然而，在使掃描速度更高速時，即有可能難以將液浸區域的狀態維持於所欲狀態(大小等)，進而導致透過液體的曝光精度及測量精度劣化。因此，被要求即使在使掃描速度更高速時，也能將液體的液浸區域維持於所欲狀態。例如，當無法將液浸區域維持於所欲狀態而在液體中產生氣泡或間隙(Void)時，通過液體的曝光用光即因氣泡或間隙而無法良好地到達基板上，使形成於基板上的圖案產生缺陷等不良情形。又，在一邊進行液體的供應及回收、一邊於基板上一部分局部地形成液浸區域時，有可能因掃描速度的高速化而難以充分回收液浸區域的液體。當無法充分回收液體時，即會例如因殘留於基板上的液體氣化而形成附著痕(即所謂水痕，下述中即使液體非水時也將液體附著後的情形稱為水痕)。水痕有可能會對基板上的光致抗蝕劑帶來影響，並有可能因該影響導致所生產元件的性能劣化。又，也有可能隨著掃描速度的更高速而難以將液浸區域維持於所欲大小。又，也有可能隨著掃描速度的更高速而導致液浸區域的液體流出。

發明內容
本發明有鑑於上述情形，其目的在於提供能將液浸區域維持於所欲狀態、良好地進行曝光處理的曝光裝置及使用該曝光裝置的元件製造方法。為解決上述問題，本發明採用了對應實施形態所示的圖I至圖33的下述構成。不過，附加於各要素的包含括號的符號僅是該要素的例示，而並非限定各要素。 根據本發明第I發明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，其特徵在於，具備投影光學系統(PU ;以及液浸機構(11，21等)，供應液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機構，具有與基板(P)表面對向且相對基板表面呈傾斜的斜面(2)，液浸機構的液體回收口(22)形成於斜面(2)。根據本發明的第I發明，由於液浸機構的液體回收口形成於與基板表面對向的斜面，因此即使使形成於投影光學系統的像面側的液浸區域與基板相對移動時，也能抑制液浸區域的液體與其外側空間的界面(氣液界面)的移動量，且抑制界面形狀的較大變化。因此，能將液浸區域的狀態(大小等)維持於所欲狀態。又，能抑制液浸區域的擴大。根據本發明第2發明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)上，以使基板(P)曝光，其特徵在於，具備投影光學系統(PU ;以及液浸機構(11，21等)，供應液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機構，具有形成為與基板(P)表面對向、且與基板(P)表面大致成平行的平坦部(75);液浸機構的平坦部(75)，在投影光學系統(PD的像面側端面(Tl)與基板(P)間配置成包圍曝光用光(EL)所照射的投影區域(ARl)；液浸機構的液體供應口(12)，相對曝光用光(EL)所照射的投影區域(ARl)配置於平坦部
(75)外側。根據本發明的第2發明，由於能將形成於基板表面與平坦部間的小間隙形成於投影區域附近、且形成為包圍投影區域，因此不但能維持覆蓋投影區域所需的十分小的液浸區域，且由於在平坦部外側設置液體供應口，因此能防止氣體混入形成液浸區域的液體中，以液體持續充滿曝光用光的光路。根據本發明第3發明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，其特徵在於，具備投影光學系統(PU ;以及液浸機構(11，21等)，供應液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機構，具有液體供應口(12)，設於該曝光用光(EL)的光路空間外側的第I位置、且供應液體(LQ);以及導引構件(172D)，導引液體，使該液體供應口(12)所供應的液體(LQ)透過該光路空間流向與該光路空間外側的該第I位置相異的第2位置。根據本發明第3發明，由於從設於曝光用光光路空間外側的第I位置的液體供應口所供應的液體，是通過導引構件流至與該光路空間外側的第I位置相異的第2位置，因此能抑制氣體部分(氣泡)在充滿曝光用光的光路空間的液體中形成氣體部分(氣泡)的不當情形產生，將液體維持於所欲狀態。根據本發明第4發明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，其特徵在於，具備光學系統(PU，具有與基板(P)對向的端面(Tl)，使照射於基板(P)的曝光用光(EL)通過；以及液浸機構(11，21等)，是供應液體(LQ)且回收液體；該液浸機構具有板構件(172D)，該板構件具有以和基板(P)平行對向的方式配置於基板(P)與光學系統端面(Tl)之間、且配置成包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75);從供應口(12)將液體(LQ)供應至光學系統端面(Tl)與板構件(172D)間的空間(G2)，且透過液體回收口(22)回收從該供應口供應的液體，該回收口(22)是在較該板構件的平坦面(75)更離開曝光用光(EL)光路的位置配置成與基板(P)對向。根據本發明第4發明的曝光裝置，由於形成於板構件的平坦面與基板間的微小間隙形成為包圍曝光用光，且進一步於該平坦面外側配置有液體回收口，因此能在基板上維持所欲狀態的穩定液浸區域。又，由於將液體供應至板構件與光學系統的端面間的空間，因此於形成在曝光用光的光路的液浸區域難以產生氣泡或間隙(Void)。 又，根據本發明第5發明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，其特徵在於，具備光學構件(LSI)，具有與液體(P)接觸的端面(Tl)，並使曝光用光(EL)通過；以及液浸機構(11，21等)，是供應液體(LQ)且回收液體(LQ);該液浸裝置，具有配置成與基板(P)平行對向、且包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75);以及相對曝光用光(EL)的光路、於平坦面(75)外側相對該平坦面傾斜的斜面(2，2」)。根據本發明第5發明的曝光裝置，由於形成於板構件的平坦面與基板間的微小間隙形成為包圍曝光用光，因此能在基板上維持所欲狀態的穩定液浸區域。又，由于于該平坦面的外側形成斜面，因此可抑制液體的擴大，防止液體漏出等。根據本發明第6發明，提供一種曝光方法，是透過光學構件(LSI)與液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，其特徵在於是將基板(P)配置成與光學構件(LSI)的端面(Tl)對向；將液體供應至在光學構件端面(Tl)與基板(P)間配置成包圍曝光用光(EL)的光路的板構件(172D) —面、與光學構件端面(Tl)之間的空間(G2)，以液體充滿光學構件端面(Tl)與基板(P)之間的空間、以及該板構件的另一面與該基板之間；以和該液體的供應並行的方式從配置成與基板(P)對向的回收口(22)回收液體(LQ)，以在基板(P)上的一部分形成液浸區域(AR2);透過於基板上的一部分形成液浸區域(AR2)的液體(LQ)，將曝光用光照射於該基板，以使基板(P)曝光。根據本發明第6發明的曝光方法，由於形成於板構件的平坦面與基板間的微小間隙形成為包圍曝光用光，因此能在基板上維持所欲狀態的穩定液浸區域。又，由於將液體供應至板構件與光學系統的端面間的空間，因此於形成在曝光用光的光路的液浸區域難以產生氣泡或間隙。根據本發明第7發明，是提供使用上述實施例的曝光裝置(EX)的元件製造方法。根據本發明第7發明，由於即使在使掃描速度高速化時，也能在將液體的液浸區域維持於所欲狀態的狀態下，良好地進行曝光處理，因此能以高生產效率製造具有所欲性能的元件。
根據本發明的第8發明，提供一種環狀的嘴構件(70，70』，70」)，用於透過液體(LQ)將來自光學系統(PU的曝光用光(EL)照射於基板(P)以將該基板(P)曝光的曝光裝置，該嘴構件(70，70』，70」)配置成包圍該光學系統(PL)前端部的光學元件(LSI)周圍，其特徵在於，具備板構件(172D)，具有以和該基板(P)平行對向的方式配置於該基板(P)與該光學系統端面(Tl)之間、且配置成包圍該曝光用光(EL)的光路的平坦面(75);供應口
(12)，供應該液體(LQ);以及液體回收口(22)，相對該曝光用光(EL)的光路配置於較該板構件(172D)的平坦面(75)離開的位置且配置成與該基板(P)對向，用來回收從該供應口
(12)供應的液體(LQ)。根據本發明的第9發明，提供一種曝光方法，是透過光學構件(LSI)與液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使該基板(P)曝光，其特徵在於，包含將基板(P)配置成，與在該光學構件(LSI)的端面(Tl)與該基板(P)間配置成包圍該曝光用光(EL)的光路的板構件(172D)的一面對向的動作；從一供應口(12)供應液體(LQ)，以使液體 (LQ)充滿該光學構件(LSI)的端面(Tl)與該基板(P)之間的該曝光用光(EL)的光路的動作；與該液體(LQ)的供應並行地，從配置成與該基板(P)對向的回收口(22)回收液體(LQ)的動作；通過進行該液體(LQ)的供應與該液體(LQ)的回收，透過形成在該基板(P)上一部分的液浸區域(AR2)的液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於該基板⑵上，以使該基板⑵曝光的動作。


圖I是顯示本發明曝光裝置的第I實施形態的概略構成圖。圖2是顯示第I實施形態的嘴構件附近的概略立體圖。圖3是從下側觀察第I實施形態的嘴構件的立體圖。圖4是顯示第I實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖5是顯示液體回收機構的一實施形態的概略構成圖。圖6是用來說明液體回收機構的液體回收動作原理的示意圖。圖7(a)及(b)是用來說明第I實施形態的液體回收動作的示意圖。圖8(a)及(b)是顯示液體回收動作的比較例的示意圖。圖9是顯示第2實施形態的嘴構件的示意圖。圖10是顯示第3實施形態的嘴構件的示意圖。圖11是顯示第4實施形態的嘴構件的示意圖。圖12是從下側觀察第5實施形態的嘴構件的立體圖。圖13是顯示第6實施形態的嘴構件附近的概略立體圖。圖14是從下側觀察第6實施形態的嘴構件的立體圖。圖15是顯示第6實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖16是用來說明第6實施形態的嘴構件作用的圖。圖17是從下側觀察第7實施形態的嘴構件的立體圖。圖18是顯示第7實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖19是顯示第8實施形態的嘴構件附近的概略立體圖。圖20是從下側觀察第8實施形態的嘴構件的立體圖。
圖21是顯示第8實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖22是顯示第8實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖23是顯示第8實施形態的導引構件的俯視圖。圖24是顯示第8實施形態的嘴構件附近的側視截面圖。圖25是顯示第9實施形態的導引構件的俯視圖。圖26是顯示第10實施形態的導引構件的俯視圖。圖27是顯示第11實施形態的導引構件的俯視圖。圖28是顯示第12實施形態的導引構件的俯視圖。
圖29是顯示第13實施形態的導引構件的俯視圖。圖30是顯示第14實施形態的導引構件的俯視圖。圖31是顯示第15實施形態的導引構件的俯視圖。圖32是顯示第16實施形態的導引構件的俯視圖。圖33是顯示半導體元件一製造工藝例的流程圖。主要元件符號說明I液浸機構2斜面12液體供應口22液體回收口25多孔構件70，70』，70」 嘴構件71D，72D底板部(板狀構件)73槽部73A，74，74， 開口部75平坦面(平坦部)76壁部130A排氣口135吸引裝置(吸氣系統)140A液體供應口172D底板部(構件，導引構件)181第I導引部181F, 182F流路182第2導引部ARl投影區域AR2液浸區域AX光軸EL曝光用光EX曝光裝置G2間隙(空間)LQ液體
P基板PL投影光學系統Tl端面
具體實施例方式以下雖然參照圖式說明本發明的實施形態，但本發明並不限於此。第I實施形態圖I為顯示本實施形態的曝光裝置的概略構成圖。圖I中，曝光裝置EX，具有掩膜版載臺MST，能保持掩膜版M並移動；基板載臺PST，能保持基板P並移動；照明光學系統IL,以曝光用光EL照明保持於掩膜版載臺MST的掩膜版M ;投影光學系統PL，將以曝光用光EL照明的掩膜版M的圖案像投影於保持在基板載臺PST的基板P ；以及控制裝置C0NT，統籌控制曝光裝置EX整體的動作。本實施形態的曝光裝置EX為一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實質上縮短曝光波長來提高解析度且在實質上放大焦深，其具備供應液體LQ且回收液體LQ的液浸機構I。液浸機構I，具備將液體LQ供應至投影光學系統PL的像面側的液體供應機構10、以及將液體供應機構10所供應的液體LQ回收的液體回收機構20。曝光裝置EX，至少在將掩膜版M的圖案影像轉印於基板P上的期間，在包含投影光學系統PL的投影區域ARl (通過液體供應機構10所供應的液體LQ所形成)的基板P上一部分，局部地形成較投影區域ARl大且較基板P小的液浸區域AR2。具體而言，曝光裝置EX，採用一種局部液浸方式，其於投影光學系統PL的像面側的光學元件LSl與配置於該像面側的基板P表面間充滿液體LQ，通過使曝光用光EL透過此投影光學系統PL與基板P間的液體LQ及投影光學系統PL、並通過掩膜版M而照射於基板P，來使掩膜版M的圖案影像投影曝光於基板P。控制裝置C0NT，是使用液體供應機構10供應既定量的液體LQ至基板P上，且使用液體回收機構20將基板P上的液體LQ回收既定量，據此在基板P上局部形成液體LQ的液浸區域AR2。於投影光學系統PL的像面側附近、具體而言是投影光學系統PL的像面側端部的光學元件LSl附近，配置有詳述於後的嘴構件70。嘴構件70為一環狀構件，其在基板P(基板載臺PST)上方設置成包圍投影光學元件LSl周圍。本實施形態中，嘴構件70為構成液浸機構I的一部分。本實施形態是以使用掃描型曝光裝置(即掃描步進機)作為曝光裝置EX的情形為例來說明，該掃描型曝光裝置，是一邊使掩膜版M與基板P往掃描方向的彼此互異的方向(反方向)同步移動，一邊將形成於掩膜版M的圖案曝光於基板P。以下說明中，將與投影光學系統PL的光軸AX —致的方向設為Z軸方向、將在垂直於Z軸方向的平面內掩膜版M與基板P同步移動的方向(掃描方向)設為X軸方向、將垂直於Z軸方向及X軸方向的方向(非掃描方向)設為Y軸方向。又，將繞X軸、Y軸及Z軸周圍的旋轉(傾斜)方向分別設為0X、0Y以及0Z方向。曝光裝置EX，具備設於地面上的底座BP、以及設於該底座BP上的主柱架9。於主柱架9形成有向內側突出的上側段部7及下側段部8。照明光學系統IL，是以曝光用光EL照明被掩膜版載臺MST支撐的掩膜版M，其由固定於主柱架9上部的框架3支撐。照明光學系統IL，具有曝光用光源、使從曝光用光源射出的曝光用光EL的照度、均一化的光學積分器、使來自光學積分器的曝光用光EL聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統、將曝光用光EL所形成的掩膜版M上的照明區域設定成狹縫狀的可變視野光柵等。掩膜版M上的既定照明區域，是通過照明光學系統IL以均一照度分布的曝光用光EL來照明。作為從照明光學系統IL射出的曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)，或ArF準分子雷射(波長193nm)及F2雷射(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態是使用ArF準分子雷射。本實施形態中，使用純水來作為液體。 純水不但能使ArF準分子雷射也能透射，例如也能使從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透射。掩膜版載臺MST，能保持掩膜版M並移動。掩膜版載臺MST，通過例如真空吸附(或靜電吸附)方式來保持掩膜版M。於掩膜版載臺MST下面，設有多個非接觸軸承的空氣軸承(air bearing) 85。掩膜版載臺MST,通過空氣軸承85以非接觸方式支撐於掩膜版臺4上面(導引面)。於掩膜版載臺MST及掩膜版臺4的中央部，分別形成有使掩膜版M的圖案像通過的開口部MK1，MK2。掩膜版臺4透過防振裝置86支撐於主柱架9的上側段部7。也即，掩膜版載臺MST透過防振裝置86及掩膜版臺4而支撐於主柱架9 (上側段部7)。又，通過防振裝置86，來將掩膜版臺4與主柱架9在振動上分離，能使主柱架9的振動不會傳達至支撐掩膜版載臺MST的掩膜版臺4。掩膜版載臺MST，通過驅動控制裝置CONT所控制的包含線性馬達等的掩膜版載臺驅動裝置MSTD，而能在保持掩膜版M的狀態下，在掩膜版臺4上與投影光學系統PL的光軸AX垂直的平面內、也即XY平面內，進行2維移動及微幅旋轉於0Z方向。掩膜版載臺MST，能以指定的掃描速度移動於X軸方向，並具有掩膜版M全面至少能橫越投影光學系統PL的光軸AX的X軸方向移動行程。於掩膜版載臺MST上，設有與掩膜版載臺MST—起移動的移動鏡81。又，在與移動鏡81對向的位置設置雷射幹涉儀82。掩膜版載臺MST上的掩膜版M的2維方向位置及e Z方向的旋轉角(視情形不同有時也包含0X、0 Y方向的旋轉角)，是通過雷射幹涉儀82以實時方式測量。雷射幹涉儀82的測量結果輸出至控制裝置C0NT。控制裝置C0NT，即根據雷射幹涉儀82的測量結果來驅動掩膜版載臺驅動裝置MSTD，據此進行保持於掩膜版載臺MST的掩膜版M的位置控制。投影光學系統PL，以既定的投影倍率P將掩膜版M的圖案投影曝光於基板P，由多個光學元件(包含設於基板P側前端部的光學元件LSI)構成，這些光學元件以鏡筒PK支撐。本實施形態中，投影光學系統PL，為投影倍率P例如為1/4、1/5或1/8的縮小系統。此外，投影光學系統PL也可為等倍系統及放大系統的任一者。又，投影光學系統PL，也可為包含折射元件與反射元件的反射折射系統、不包含反射元件的折射系統、不包含折射元件的反射系統的任一者。又，本實施形態的投影光學系統PL前端部的光學兀件LSl是從鏡筒PK露出，液浸區域AR2的液體LQ即接觸於該光學元件LSI。於保持投影光學系統PL的鏡筒PK外周設有突緣PF，投影光學系統PL透過此突緣PF支撐於鏡筒臺5。鏡筒臺5透過防振裝置87而支撐於主柱架9的下側段部8。也即，投影光學系統PL透過防振裝置87及鏡筒臺5而支撐於主柱架9 (下側段部8)。又，通過防振裝置87，來將鏡筒臺5在振動上與主柱架9分離，能使主柱架9的振動不會傳達至支撐投影光學系統PL的鏡筒臺5。基板載臺PST，能支撐保持基板P的基板保持具PH並移動，通過例如真空吸附方式等來保持基板P。於基板載臺PST下面，設有多個非接觸軸承的空氣軸承88。基板載臺PST，通過空氣軸承88以非接觸方式支撐於基板臺6上面(導引面)。基板臺6透過防振裝置89支撐於底座BP上。又，通過防振裝置89，來將基板臺6在振動上與主柱架9及底座BP (地板面)分離，能使底座BP (地板面)或主柱架9的振動不會傳達至支撐基板載臺PST的基板臺6。基板載臺PST，通過驅動控制裝置CONT所控制的包含線性馬達等的基板載臺驅動裝置PSTD，而能在透過基板保持具PH在保持基板P的狀態下，在基板臺6上的XY平面內進行2維移動及微幅旋轉於0Z方向。進一步地，基板載臺PST也可移動於Z軸方向、0 X方向以及9Y方向。在基板載臺PST上，設有與基板載臺PST —起相對投影光學系統PL移動的移動鏡83。又，在與移動鏡83對向的位置設有雷射幹涉儀84。基板載臺PST上的基板P在2維方 向的位置及旋轉角，是通過雷射幹涉儀84以實時方式測量。又，雖然未圖示，但曝光裝置EX具備焦點、調平檢測系統，其用以檢測支撐於基板載臺PST的基板P的表面位置信息。作為焦點、調平檢測系統，可採用從斜方向將檢測光照射於基板P表面的斜入射方式、也可採用靜電容量型傳感器的方式等。焦點、調平檢測系統，是透過液體LQ、或在不透過液體LQ的狀態下，檢測出基板P表面的Z軸方向的位置信息、以及基板P的0X及9Y方向的傾斜信息。當是在不透過液體LQ的狀態下檢測基板P表面的面信息的聚焦調平檢測系統時，也可是在離開投影光學系統PL的位置檢測基板P表面的面信息。在離開投影光學系統PL的位置檢測基板P表面的面信息的曝光裝置，例如揭示於美國專利第6，674，510號，在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用該文獻的記載內容作為本文記載的一部分。雷射幹涉儀84的測量結果輸出至控制裝置C0NT。焦點、調平檢測系統的檢測結果也輸出至控制裝置C0NT。控制裝置C0NT，根據焦點、調平檢測系統的檢測結果驅動基板載臺驅動裝置PSTD，通過控制基板P的焦點位置及傾斜角來使基板P表面與投影光學系統PL的像面一致，且根據雷射幹涉儀84的測量結果，進行基板P的X軸方向及Y軸方向的位置控制。於基板載臺PST上設有凹部90，用以保持基板P的基板保持具PH即配置於凹部90。又，基板載臺PST中除了凹部90以外的上面91，是一與保持於基板保持具PH的基板P表面大致相同高度(同一面高)的平坦面(平坦部)。又，本實施形態中，移動鏡83的上面也設置成與基板載臺PST的上面91為大致同一面高。由於將與基板P表面大致同一面高的上面91設於基板P周圍，因此即使是對基板P的邊緣區域進行液浸曝光時，由於在基板P的邊緣部位外側幾乎沒有段差，因此能將液體LQ保持於投影光學系統PL的像面側，良好地形成液浸區域AR1。又，在基板P的邊緣部與設於該基板P周圍的平坦面(上面)91間雖有0. I 2_左右的間隙，但通過液體LQ的表面張力而使液體LQ幾乎不會流入該間隙，即使對基板P的周緣附近進行曝光時，也可通過上面91將液體LQ保持於投影光學系統PL下。液浸機構I的液體供應機構10，用以將液體LQ供應至投影光學系統PL的像面側，其具備能送出液體LQ的液體供應部11、以及其一端部連接於液體供應部11的供應管13。供應管13的另一端部連接於嘴構件70。本實施形態中，液體供應機構10是供應純水，液體供應部11具備純水製造裝置、以及調整所供應的液體(純水)LQ溫度的調溫裝置等。此夕卜，只要能滿足既定水質條件，也可不將純水製造裝置設於曝光裝置EX，而是使用配置有曝光裝置EX的工廠內的純水製造裝置(施力裝置)。又，也可不將調整液體(純水)LQ溫度的調溫裝置設於曝光裝置EX，而使用工廠內的設備來替代。液體供應機構10(液體供應部11)的動作是由控制裝置CONT控制。為將液浸區域AR2形成於基板P上，液體供應機構10，是在控制裝置CONT的控制下，將既定量液體LQ供應至配置在投影光學系統PL像面側的基板P上。又，於供應管13途中設有稱為質量流量控制器的流量控制器16，其用以控制從液體供應部11送至投影光學系統PL像面側的每一單位時間的液體量。流量控制器16的液
體供應量的控制，是根據控制裝置CONT的指令訊號所進行。液浸機構I的液體回收機構20，用以回收投影光學系統PL的像面側的液體LQ，其具備能回收液體LQ的液體回收部21、以及其一端部連接於液體回收部21的回收管23。回收管23的另一端部則連接於嘴構件70。液體回收部21，例如具備真空泵等真空系統(吸引裝置)、以及將所回收的液體LQ與氣體分離的氣液分離器、用以收容所回收的液體LQ的槽等。此外，也可不將真空系統、氣液分離器、槽等全部設於曝光裝置EX，而使用配置有曝光裝置EX的工廠內的設備來替代其至少一部分。液體回收機構20 (液體回收部21)的動作是由控制裝置CONT控制。為將液浸區域AR2形成於基板P上，液體回收機構20，是在控制裝置CONT的控制下，將液體供應機構10所供應的基板P上的液體LQ回收既定量。嘴構件70是被噴嘴保持具92保持，該噴嘴保持具92連接於主柱架9的下側段部8。透過噴嘴保持具92保持嘴構件70的主柱架9、與透過突緣PF支撐投影光學系統PL的鏡筒PK的鏡筒臺5，透過防振裝置87在振動上分離。據此，可防止在嘴構件70產生的振動傳達至投影光學系統PL。又，透過噴嘴保持具92支撐嘴構件70的主柱架9、與支撐基板載臺PST的基板臺6，透過防振裝置89在振動上分離。據此，可防止在嘴構件70產生的振動透過主柱架9及底座BP而傳達至基板載臺PST。又，透過噴嘴保持具92支撐嘴構件70的主柱架9、與支撐掩膜版載臺MST的掩膜版臺4，透過防振裝置86在振動上分離。據此，可防止嘴構件70產生的振動透過主柱架9傳達至掩膜版載臺MST。其次，參照圖2、3及4說明液浸機構I及構成該液浸機構I 一部分的嘴構件70。圖2為顯示嘴構件70附近的概略立體圖的部分截斷圖、圖3為從下側觀察嘴構件70的立體圖、圖4為側視截面圖。嘴構件70，配置於投影光學系統PL的像面側前端部的光學元件LSl附近，為一於基板P (基板載臺PST)上方配置成包圍投影光學系統PL周圍的環狀構件。於嘴構件70中央部具有能配置投影光學系統PL (光學元件LSI)的孔部70H。在嘴構件70的孔部70H的內側面與投影光學系統PL的光學元件LSl的側面間設有間隙。此間隙，是為了在振動上分離投影光學系統PL的光學元件LSl與嘴構件70所設置。據此，可防止在嘴構件70產生的振動直接傳達至投影光學系統PL (光學元件LSI)。此外，嘴構件70的孔部70H內側面，對液體LQ具有撥液性(撥水性)，可抑制液體滲入投影光學系統PL側面與嘴構件70內側面的間隙。
於嘴構件70下面，形成有用以供應液體LQ的液體供應口 12、以及用以回收液體LQ的液體回收口 22。又，於嘴構件70內部，形成有連接於液體供應口 12的供應流路14以及連接液體回收口 22的回收流路24。又，於供應流路14連接供應管13另一端，於回收流路24連接回收管23另一端。液體供應口 12、供應流路14以及供應管13是構成液體供應機構10的一部分，液體回收口 22、回收流路24以及回收管23，是構成液體回收機構20的一部分。液體供應口 12，是在被基板載臺PST支撐的基板P上方，設置成與該基板P表面對向。液體供應口 12與基板P表面隔著既定距離。液體供應口 12，配置成包圍曝光用光EL所照射的投影光學系統PL的投影區域ARl。本實施形態中，液體供應口 12，於嘴構件70下面形成為包圍投影區域ARl的環形狹縫狀。又，本實施形態中，投影區域AR1，為設定成以Y軸方向(非掃描方向)為長邊方向的矩形。
供應流路14，具備其一部分連接於供應管13的另一端的緩衝流路部14H ;以及其上端部連接於緩衝流路部14H、下端部連接於液體供應口 12的傾斜流路部14S。傾斜流路部14S具有對應液體供應口 12的形狀，其沿XY平面的截面形成為包圍光學元件LSl的環形狹縫狀。傾斜流路部14S，具有與配置於其內側的光學元件LSl側面對應的傾斜角度，從側視截面視之，形成為當其與投影光學系統PL的光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。緩衝流路部14H，以包圍傾斜流路部14S上端部的方式設置於其外側，為一形成為沿XY方向(水平方向)擴張的空間部。緩衝流路部14H內側(光軸AX側)與傾斜流路部14S上端部連接，其連接部為一彎曲角部17。又，在其連接部(彎曲角)17附近，具體而言是緩衝流路部14H的內側(光軸AX側)區域，設置有形成為包圍傾斜流路部14S上端部的堤防部15。堤防部15，設置成從緩衝流路部14H底面往+Z方向突出。通過堤防部15，形成較緩衝流路部14H窄的狹窄流路部14N。本實施形態中，嘴構件70，是將第I構件71與第2構件72組合而形成。第1、2構件71、72，例如可通過鋁、鈦、不鏽鋼、杜拉鋁(duralumin)、或至少含上述中的二者的合金來形成。第I構件71，具有側板部71A、其外側端部連接於側板部7IA上部的既定位置的頂板部71B、其上端部連接於頂板部71B內側端部的傾斜板部71C、以及連接於傾斜板部71C下端部的底板部71D(參照圖3)，上述各板部彼此接合成一體。第2構件72，具有其外側端部連接於第I構件71上端部的頂板部72B、其上端部連接於頂板部72B內側端部的傾斜板部72C、以及連接於傾斜板部72C下端部的底板部72D，上述各板部彼此接合成一體。又，以第I構件71的頂板部71B形成緩衝流路部14H的底面、以第2構件72的頂板部72B下面形成緩衝流路部14H的頂面。又，以第I構件71的傾斜板部71C上面(朝向光學元件LSl的面)形成傾斜流路部14S的底面、以第2構件72的傾斜板部72C下面(與光學元件I相反側的面)形成傾斜流路部14S的頂面。第I構件71的傾斜板部71C及第2構件72的傾斜板部72C分別形成為研缽狀。通過組合上述第I、第2構件71、72來形成狹縫狀供應流路14。又，緩衝流路部14H外側，是被第I構件71的側板部7IA上部區域封閉，第2構件72的傾斜板部72C上面是與光學元件LSl的側面對向。液體回收口 22，是在支撐於基板載臺PST的基板P上方，設置成與該基板P表面對向。液體回收口 22與基板P表面隔著既定距離。液體回收口 22是相對投影光學系統PL的投影區域AR1，以從液體供應口 12離開的方式設置於液體供應口 12外側，並形成為包圍液體供應口 12及投影區域ARl。具體而言，通過第I構件71的側板71A、頂板部71B、以及傾斜板部71C，來形成向下開口的空間部24，通過空間部24的前述開口部來形成液體回收口 22，並通過前述空間部24形成回收流路24。又，於回收流路(空間部)24的一部分連接有回收管23的另一端。於液體回收口 22配置有覆蓋該液體回收口 22的具多個孔的多孔構件25。多孔構件25是由具多個孔的網狀(mesh)構件構成。作為多孔構件25，例如能通過形成蜂巢形圖案(由大致六角形的多個孔所構成)的網狀構件來構成。多孔構件25形成為薄板狀，例如為具有IOOiim左右的厚度。多孔構件25，能通過對構成多孔構件的基材(由不鏽鋼(例如SUS316)等構成)的板構件施以鑿孔加工來形成。又，也能於液體回收口 22重疊配置多個薄板狀多孔構件25。又，也可對多孔構件25施以用來抑制雜質溶於液體LQ的表面處理、或施以用來提高親液性的表面處理。作為此種表面處理，是有使氧化鉻附著於多孔構件25的處理，例如神鋼 環境對策股份有限公司的「G0LDEP」處理、或「GOLDEP WHITE」處理。通過施以此種表面處理，而能防止多孔構件25的雜質溶於液體LQ等不良情形產生。又，也可對嘴構件70 (第I、第2構件71、72)施以上述表面處理。此外，也可使用雜質較不會溶於液體LQ的材料(鈦等)來形成多孔構件25。嘴構件70為俯視四角形狀。如圖3所示，液體回收口 22，是於嘴構件70下面形成為包圍投影區域AlR及液體供應口 12的俯視框狀(「口」字形)。又，於該回收口 22配置有薄板狀的多孔構件25。又，在液體回收口 22(多孔構件25)與液體供應口 12之間，配置有第I構件71的底板部71D。液體供應口 12，是在第I構件71的底板部71D與第2構件72的底板部72D間形成為俯視環狀的狹縫。嘴構件70中，底板部71D、72D的各與基板P對向的面(下面)，為平行於XY平面的平坦面。也即，嘴構件70所具備的底板部71D、72D，是具有形成為與基板載臺PST所支撐的基板P表面(XY平面)對向、且與基板P表面大致平行的下面。又，本實施形態中，底板部71D下面與底板部72D下面為大致同一面高，且與配置於基板載臺PST的基板P表面間的間隙為最小的部分。據此，能將液體LQ良好地保持在底板部71D、72D下面與基板P之間，以形成液浸區域AR1。以下說明中，將形成為與基板P表面對向、且與基板P表面(XY平面)大致平行的底板部71D、72D下面(平坦部)，適當並稱為「平坦面75」。平坦面75，是配置於嘴構件70中最接近基板載臺PST所支撐的基板P位置的面。且本實施形態中，由於底板部71D下面與底板部72D下面為大致同一面高，因此雖然將底板部71D下面及底板部72D下面一起當作平坦面75，但也可於配置底板部71D的部分配置多孔構件25來作為液體回收口，此時，僅有底板部72D的下面為平坦面75。多孔構件25，具有與支撐於基板載臺PST的基板P對向的下面2。又，多孔構件25，是以其下面2對支撐於基板載臺PST的基板P表面(也即XY平面)呈傾斜的方式設於液體回收口 22。也即，設於液體回收口 22的多孔構件25，具有與支撐於基板載臺PST的基板P表面對向的斜面(下面)2。液體LQ，透過配置於液體回收口 22的多孔構件25的斜面2而被回收。因此，液體回收口 22形成於斜面2。換言之，本實施形態中，斜面整體發揮液體回收口 22的功能。又，液體回收口 22，由於是形成為包圍曝光用光EL所照射的投影區域AR1，因此配置於該液體回收口 22的多孔構件25的斜面2，形成為包圍投影區域AR1。與基板P對向的多孔構件25的斜面2形成為，當其與投影光學系統PL (光學元件LSI)的光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。如圖3所示，本實施形態中，液體回收口 22形成俯視呈「口」字形，並組合4枚多孔構件25A 2 配置於該液體回收口 22。其中，相對投影區域ARl的X軸方向(掃描方向)分別配置於兩側的多孔構件25A、25C，配置成其表面與XZ平面正交、且與光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。又，相對投影區域ARl分別配置於Y軸方向兩側的多孔構件25B、25D，配置成其表面與YZ平面正交、且與光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。 相對XY平面的多孔構件25的下面2的傾斜角，是在考慮液體LQ的黏性或基板P表面的液體LQ接觸角等後設定於3 20度間。此外，本實施形態中，該傾斜角設定於7度。連接於第I構件71的傾斜板部71C下端部的底板部71D下面與側板部7IA下端 部，設置成於Z軸方向大致相同位置(高度)。又，多孔構件25，是以其斜面2的內緣部與底板部71D下面(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2的內緣部與底板部71D下面(平坦面75)連續的方式，安裝於嘴構件70的液體回收口 22。也即，平坦面75是與多孔構件25的斜面2連續地形成。又，多孔構件25配置成，當其與光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。又，於斜面2 (多孔構件25)的外緣部外側，設有由側板部71A下部的一部分區域所形成的壁部76。壁部76是以包圍多孔構件25 (斜面2)的方式設置於其周緣，其相對投影區域ARl設於液體回收口 22外側，用以抑制液體LQ的漏出。形成平坦面75的底板部72D的一部分，是在Z軸方向配置於投影光學系統PL的光學元件LSl的像面側端面Tl與基板P之間。也即，平坦面75的一部分，潛入投影光學系統PL的光學元件LSl的下面(端面)T1之下。又，在形成平坦面75的底板部72D的中央部，形成有使曝光用光EL通過的開口部74。開口部74，具有對應投影區域ARl的形狀，在本實施形態中形成為以Y軸方向(非掃描方向)為長邊方向的橢圓狀。開口部74形成為較投影區域ARl大，據此使通過投影光學系統PL的曝光用光EL不會被底板部72D遮蔽，而能到達基板P上。也即，平坦面75的至少一部分，是在不妨礙曝光用光EL的光路的位置，配置成包圍曝光用光EL的光路、且潛入投影光學系統PL的端面Tl之下。換言之，平坦面75的至少一部分，是在投影光學系統PL的像面側的端面Tl與基板P之間配置成包圍投影區域ARl。又，底板部72D，是以其下面為平坦面75配置成與基板P表面對向，並設置成不與光學元件LSl的下面Tl及基板P接觸。此外，開口部74的邊緣部74E可是直角狀，或形成為銳角或圓弧狀皆可。又，平坦面75，配置於投影區域ARl和配置於液體回收口 22的多孔構件25的斜面2間。液體回收口 22是相對投影區域ARl在平坦面75外側、且配置成包圍著平坦面75。也即，液體回收口 22，是在較平坦面75更離開曝光用光光路的位置配置成包圍平坦面。又，液體供應口 12，也相對投影區域ARl配置於平坦面75外側。液體供應口 12，設於投影光學系統PL的投影區域ARl與液體回收口 22間，用以形成液浸區域AR2的液體LQ，是透過液體供應口 12被供應至投影光學系統PL的投影區域ARl與液體回收口 22間。此外，液體供應口 12與液體回收口 22的數目、位置及形狀，並不限於本實施形態所述，只要是能將液浸區域AR2維持於所欲狀態的構成即可。例如，液體回收口 22也能配置成不包圍平坦面75。此時，也能將液體回收口 22，僅設於嘴構件70的下面中相對投影區域ARl的掃描方向(X方向)兩側的既定區域、或僅設於相對投影區域ARl的非掃描方向(Y方向)兩側的既定區域。如上所述，平坦面75配置於光學元件LSl的下面Tl與基板P間，基板P表面與光學元件LSl的下面Tl的距離，是較基板P表面與平坦面75的距離長。也即，光學元件LSl的下面Tl，是形成於較平坦面75高的位置(相對基板P為較遠)。本實施形態中，光學元件LSl的下面Tl與基板P的距離為3mm左右，而平坦面75與基板P的距離為Imm左右。又，平坦面75接觸於液浸區域AR2的液體LQ，光學元件LSl的下面Tl也接觸於液浸區域AR2的液體LQ。也即，平坦面75及下面Tl，為與液浸區域AR2的液體LQ接觸的液體接觸面。投影光學系統PL的光學元件LSl的液體接觸面Tl具有親液性(親水性)。本實施形態中，是對液體接觸面Tl施以親液化處理，通過該親液化處理使光學元件LSl的液體接觸面Tl具親液性。又，也對平坦面75施以親液化處理而具有親液性。此外，也可對平坦面75 —部分(例如，底板部71D下面)施以撥液化處理而使其具有撥液性。當然，如上所述，也能以親液性材料形成第I構件71及第2構件，來使平坦面75具親液性。 作為用以使光學元件LSl的液體接觸面Tl等既定構件具親液性的親液化處理，例如能列舉使MgF2、Al203、Si02等親液性材料附著的處理。或者，由於本實施形態的液體LQ是極性較大的水，因此作為親液化處理(親水化處理)，例如能以酒精等具有OH基的極性較大的分子結構物質來形成薄膜，以賦予親液性(親水性)。又，通過以螢石或石英來形成光學元件LS1，由於這些螢石或石英與水的親和性高，因此即使未施以親液化處理，也能得到良好的親液性，而能使液體LQ與光學元件LSl的液體接觸面Tl大致全面緊貼。又，作為使平坦面75 —部分具有撥液性的撥液化處理，例如可列舉將聚四氟化乙烯(鐵氟龍(登記商標))等氟系列樹脂材料、丙烯酸系列樹脂材料、或矽系列樹脂材料等撥液性材料附著等的處理。又，通過使基板載臺PST的上面91具有撥液性，而能抑制液體LQ在液浸曝光中流出基板P外側(上面91外側)，且在液浸曝光後也能圓滑地回收液體LQ，防止有液體LQ殘留於上面91的不良情形。為將液體LQ供應至基板P上，控制裝置C0NT，驅動液體供應部11將液體LQ從液體供應部11送出。從液體供應部11送出的液體LQ，在流經供應管13後，即流入嘴構件70的供應流路14中的緩衝流路部14H。緩衝流路部14H是沿水平方向擴張的空間部，使流入緩衝流路部14H的液體LQ以沿水平方向擴張的方式流動。由於在緩衝流路部14H的流路下流側的內側(光軸AX側)區域形成有堤防部15，因此液體LQ會在擴張於緩衝流路部14全區後，暫時被儲存於此。接著，當液體LQ在緩衝流路部14H儲存至既定量以上後(液體LQ的液面高於堤防部15的高度後)，即透過狹窄流路部14N流入傾斜流路部14S。流入傾斜流路部14S的液體LQ，即沿傾斜流路部14S流向下方，並透過液體供應口 12供應至配置於投影光學系統PL像面側的基板P上。液體供應口 12從基板P上方將液體LQ供應至基板P上。如此，通過設置堤防部15，使從緩衝流路部14H流出的液體LQ，從液體供應口12 (以包圍投影區域ARl的方式形成為環狀)全區大致均一地供應至基板P上。也即，若未形成堤防部15 (狹窄流路部14N)，流動於傾斜流路部14S的液體LQ的流量，在供應管13與緩衝流路部14H的連接部附近的區域會較其它的區域多，因此在形成為環狀的液體供應口12各位置，對基板P上的液體供應量即會不均一。不過，由於設置狹窄流路部14N來形成緩衝流路部14H，當於該緩衝流路部14H儲存至既定量以上的液體LQ後，才開始將液體供應至液體供應口 12，因此能在使液體供應口 12各位置的流量分布或流速分布均一的狀態下，將液體LQ供應至基板P上。此處，雖然在供應流路14的彎曲角部17附近容易在例如開始供應時等殘存氣泡，但通過縮小此彎曲角部17附近的供應流路14來形成狹窄流路部14N，而能使流動於狹窄流路部14N的液體LQ的流速更高速，通過該高速的液體LQ的流動，能將氣泡透過液體供應口 12排出至供應流路14外部。接著，通過在排出氣泡後執行液浸曝光動作，而能在無氣泡的狀態下於液浸區域AR2進行曝光處理。此外，堤防部15，也可設置成從緩衝流路部14H的頂面往-Z方向突出。其重點，是只要將較緩衝流路部14H狹窄的狹窄流路部14N設於緩衝流路部14H的流路下遊側即可。此外，也可將部分堤防部15作成較低(較高)。通過預先於堤防部15設置部分高度相異的區域，而能防止在開始供應液體LQ時氣體(氣泡)殘留於形成液浸區域AR2的液體中。又，也能將緩衝流路部14H分割成多條流路，來對應狹縫狀液體供應口 12的位置供應相異量的液體LQ。 又，為回收基板P上的液體LQ，控制裝置CONT驅動液體回收部21。通過驅動具有真空系統的液體回收部21，基板P上的液體LQ，即透過配置有多孔構件25的液體回收口 22流入回收流路24。當回收液浸區域AR2的液體LQ時，該液體LQ接觸於多孔構件25的下面(斜面)2。由於液體回收口 22(多孔構件25)是於基板P上方設置成與基板P對向，因此是從上方回收基板P上的液體LQ。流入回收流路24的液體LQ，在流經回收管23後被回收至液體回收部21。圖5是顯示液體回收部21—例的圖。圖5中，液體回收部21，具備回收槽26，連接於回收管23的一端部；真空泵(真空系統)27，透過配管27K連接於回收槽26 ;排液泵(排水泵)29，透過配管29K連接於回收槽26 ；以及液位傳感器(水位傳感器)28，設於回收槽26內側。回收管23—端部連接於回收槽26上部。又，其一端部連接於真空泵27的配管27K的另一端部，連接於回收槽26上部。又，其一端部連接於排液泵29的配管29K的另一端部,連接於回收槽26下部。通過驅動真空泵27，而透過嘴構件70的液體回收口 22將液體LQ回收並收容於回收槽26。通過驅動排液泵29，來將收容於回收槽26的液體LQ透過配管29K排出至外部。真空泵26及排液泵29的動作是被控制裝置CONT控制。液位傳感器28測量收容於回收槽26的液體LQ的液位(水位)，將其計測結果輸出至控制裝置C0NT。控制裝置C0NT，根據液體傳感器28的輸出，將排液泵29的吸引力(排水力)調整成收容於回收槽26的液體LQ的液位(水位)大致為一定。控制裝置C0NT，由於能將收容於回收槽26的液體LQ的液位(水位)維持於大致一定，因此能使回收槽26內的壓力穩定。據此，能使透過液體回收口 22的液體LQ回收力(吸引力)穩定。此外，於圖5所示的實施形態中，也可設置排液閥來替代排液泵29，並根據液位傳感器28的輸出進行排液閥的開閉調整或排出口的口徑調整等，以將回收槽26內的液體LQ的液位維持於大致一定。接著，說明本實施形態的液體回收機構20的回收方法一例。此外，本實施形態是將此回收方法稱為起泡點法。液體回收機構20是使用此起泡點法僅從回收口 22回收液體LQ，據此能抑制因液體回收引起的振動產生。以下，參照圖6的示意圖說明本實施形態的液體回收機構20的液體回收動作原理。於液體回收機構20的回收口 22配置有多孔構件25。作為多孔構件，例如能使用形成有多數個孔的薄板狀網狀構件。起泡點法，是在多孔構件25溼潤的狀態下，將多孔構件25的上面與下面的壓力差控制成滿足後述既定條件，據此來從多孔構件25的孔僅回收液體LQ0作為起泡點法的條件的參數，可列舉多孔構件25的孔徑、多孔構件25與液體LQ的接觸角(親和性)、以及液體回收部21的吸引力(多孔構件25上面的壓力)等。圖6，是多孔構件25的部分截面放大圖，是顯示透過多孔構件25進行的液體回收的具體例。於多孔構件25之下配置有基板P，於多孔構件25與基板P間形成有氣體空間及液體空間。更具體而言，於多孔構件25的第I孔25Ha與基板P間形成有氣體空間，於多孔構件25的第2孔25Hb與基板P間則形成有液體空間。此種狀況，例如是在液浸區域AR2的端部產生。或者，於液浸區域AR2的液體LQ中形成液體的間隙時，也會產生此種狀況。又，於多孔構件25上形成有形成回收流路24 —部分的流路空間。、
圖6中，將多孔構件25的第I孔25Ha與基板P間的空間的壓力(在多孔構件25H下面的壓力)設為Pa、將多孔構件25上的流路空間的壓力(在多孔構件25上面的壓力)設為Pb、將孔25Ha、25Hb的孔徑(直徑)設為d、將多孔構件25 (孔25H內側)與液體LQ的接觸角設為Q、將液體LQ的表面張力設為Y ,而符合(4X y Xcos 0 )/d ^ (Pa-Pb)......(IA)的條件時，S卩如圖6所示，即使在多孔構件25的第I孔25Ha下側(基板P側)形成有氣體空間，也能防止多孔構件25下側空間的氣體透過孔25Ha移動(滲入)至多孔構件25的上側空間。也即，以滿足上述式(IA)的條件的方式，使接觸角0、孔徑d、液體LQ的表面張力Y、以及壓力Pa，Pb達到最佳化，據此能將液體LQ與氣體的界面維持在多孔構件25的孔25Ha內，抑制氣體從第I孔25Ha滲入。另一方面，由於在多孔構件25的第2孔25Hb下側(基板P側)形成有液體空間，因此能透過第2孔25Hb僅回收液體LQ。此外，上述式(IA)的條件中，為簡化說明而並未考慮多孔構件25上的液體LQ的靜水壓。又，本實施形態中，液體回收機構20，是將多孔構件25下的空間的壓力Pa、孔25H的直徑d、多孔構件25 (孔25H的內側面)與液體LQ的接觸角0、以及液體(純水)LQ的表面張力Y設為一定，來控制液體回收部21的吸引力，將多孔構件25上的流路空間的壓力調整成滿足上述式(IA)。不過，於上述式(IA)中，由於當(Pb-Pb)越大、也即((4X y Xcos0 ) /d)越大，越容易將壓力Pb控制成滿足上述式(IA)，因此孔25Ha，25Hb的直徑d、以及多孔構件25與液體LQ的接觸角0最好是儘可能較小。其次，說明使用具上述構成的曝光裝置EX來將掩膜版M的圖案像曝光於基板P的方法。控制裝置C0NT，通過以具有液體供應機構10及液體回收機構20的液浸機構I將既定量的液體LQ供應至基板P上，且將既定量的基板P上的液體LQ回收，而在基板P上形成液體LQ的液浸區域AR2。液浸機構I所供應的液體LQ，是於含有投影區域ARl的基板P上一部分局部形成較投影區域ARl大且較基板P小的液浸區域AR2。又，控制裝置C0NT，是與液體供應機構10對基板P上的液體LQ供應並行，以液體回收機構20進行對基板P上的液體LQ的回收，且一邊使支撐基板P的基板載臺PST移動於X軸方向(掃描方向)，一邊透過投影光學系統PL與基板P間的液體LQ及投影光學系統PL將掩膜版M的圖案影像投影曝光於基板P上。
本實施形態的曝光裝置EX，是使掩膜版M與基板P—邊沿X軸方向(掃描方向)移動一邊將掩膜版M的圖案像投影曝光於基板P，在進行掃描曝光時，是將掩膜版M的一部份圖案像透過液浸區域AR2的液體LQ及投影光學系統PL而投影在投影區域ARl內，並使基板P與掩膜版M以速度V沿-X方向(或+X方向)的移動同步，而相對投影區域ARl以速度^ * V(f3為投影倍率)沿+X方向(或-X方向)移動。於基板P上設定有多個照射區域，在對一個照射區域的曝光結束後，通過基板P的步進移動使次一照射區域移動至掃描開始位置，之後，即以步進掃描方式一邊移動基板P —邊依序對各照射區域進行掃描曝光處理。
本實施形態中，多孔構件25相對基板P表面呈傾斜，是一透過配置於液體回收口22的多孔構件25的斜面2來回收液體LQ的構成，而液體LQ是透過包含斜面2的液體回收口 22被回收。又，平坦面75 (底面部71D的下面)與斜面2是連續形成。此時，當從圖7 (a)所示的初期狀態(在平坦面75與基板P間形成有液體LQ的液浸區域AR2的狀態)使基板P以既定速度相對液浸區域AR2往+X方向掃描移動既定距離時，即成為如圖7(b)所示的狀態。在圖7(b)所示的掃描移動後的既定狀態中，於液浸區域AR2的液體LQ即產生沿斜面2而往斜上方移動的成分Fl、以及沿水平方向移動的成分F2。此時，液浸區域AR2的液體LQ與其外側空間的界面(氣液界面)LG形狀是被維持。又，即使基板P相對液浸區域AR2高速移動，也能抑制界面LG的形狀大幅變化。又，斜面2與基板P間的距離大於平坦面75與基板P間的距離。也即，斜面2與基板P間的空間較平坦面75與基板P間的空間大。據此，能縮短在移動基板P後、圖7(a)所示的初期狀態的界面LG』與圖7(b)所示的在掃描移動後的既定狀態的界面LG間的距離L0據此，能抑制液浸區域AR2的擴張，縮小液浸區域AR2的大小。例如，如圖8(a)所示，當連續形成平坦面75與配置於液體回收口 22的多孔構件25的下面2』、使多孔構件25的下面2』並非相對基板P呈傾斜而是與基板P表面呈大致平行時，換言之，即使包含下面2』的液體回收口 22並無傾斜的情形下，使基板P相對液浸區域AR2移動時，仍可維持界面LG的形狀。不過，由於下面2』並無傾斜，因此於液體LQ僅產生沿水平方向移動的成分F2，而幾乎未產生往上方移動的成分(Fl)。此時，由於界面LG移動與基板P的移動量大致相同的距離，因此在初期狀態的界面LG』與在掃描移動後的既定狀態的界面LG間的距離L即成為較大的值，使液浸區域AR2也隨之增大。如此一來，為對應該較大的液浸區域AR2也必須將嘴構件70作得較大，又，為對應液浸區域AR2的大小，也須將基板載臺PST本身的大小或基板載臺PST的移動行程增大，導致曝光裝置EX整體的巨大化。又，液浸區域AR2的大型化，是隨著基板P對液浸區域AR2的掃描速度越高速而越為顯著。又，如圖8(b)所示，在平坦面75與液體回收口 22(多孔構件25的下面2』 )間設置段差，據此當要將下面2』與基板P間的距離作成大於平坦面75與基板P間的距離時，換言之，也即要將下面2』與基板P間的空間作成大於平坦面75與基板P間的空間時，由於在液體LQ產生往上方移動的成分Fl 』，因此能將距離L設成較小的值，而可抑制液浸區域AR2的大型化。此外，由於在平坦面75與下面2』間設有段差，且平坦面75與下面2』並未連續形成，因此界面LG的形狀較容易潰散。當界面LG的形狀潰散時，即很有可能使氣體進入液浸區域AR2的液體LQ中而在液體LQ中產生氣泡等不良情形。又，當例如在使基板P沿+X方向高速掃描時有段差存在的話，除了會使界面LG的形狀潰散以外，也會使往上方移動的成分F1』變大，使液浸區域AR2的最靠+X側區域的液體LQ膜厚變薄，而在該狀態下使基板P移動於-X方向(逆向掃描)時，即很有可能產生液體LQ散開的現象。當該散開的液體(參照圖8(b)中的符號LQ』)例如殘存於基板P上時，即產生因該液體LQ』氣化而在基板P上形成附著痕(所謂水痕)等不良情形。又，液體LQ很有可能流出至基板P外側，而產生周邊構件及機器生鏽或漏電等不良情形。又，產生前述不良情形的可能性，會隨著基板P對液浸區域AR2的掃描速度的高速化而提高。本實施形態中，由於與平坦面75 (底板部71D的下面)連續地形成斜面2，並將液浸機構I (液體回收機構20)的回收口 22，形成於與基板P在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用該文獻的記載內容作為本文記載的一部分表面對向的斜面2，因此即使是使形成於投影光學系統PL的像面側的液浸區域AR2與基板P相對移動時，也能抑制液浸區域AR2的液體LQ與其外側空間的界面LG的移動距離，而維持液浸區域AR2的形狀(縮小界面LG的形狀變化)，能將液浸區域AR2的大小或形狀維持於所欲狀態。據此，可防止如在液體LQ中產生氣泡、未能完全回收液體、或有液體流出等不良情形。據此，也可謀求曝光裝置EX整體的小型化。又，在高速掃描基板P時，雖然很有可能使液浸區域AR2的液體LQ流出至外側、或液浸區域AR2的液體LQ飛散至周圍，但由於將壁部76設於斜面2周緣，因此可抑制液體LQ的漏出。也即，通過將壁部76設於多孔構件25周緣，而可在壁部76內側形成緩衝空間，因 此即使是液體LQ到達壁部76的內側面，形成液浸區域AR2的液體LQ由於會在壁部76內側的緩衝空間內擴張，因此能更確實地防止液體LQ漏出至壁部76外側。又，由於平坦面75的一部分(底板部72D下面)是以包圍投影區域ARl的方式配置於投影光學系統PL的端面Tl下，因此形成於平坦面75 —部分(底板部72D下面)與基板P表面間的小間隙，是於投影區域附近形成為包圍投影區域。據此，即使高速移動(掃描)基板P時，也能抑制氣體混入液浸區域AR2液體LQ中或液體LQ流出等不良情形，且能謀求曝光裝置EX整體的小型化。又，由於將液體供應口 12配置於平坦面75的一部分(底板部72D下面)外側，因此可防止氣體(氣泡)混入用以形成液浸區域AR2的液體LQ中，即使欲使基板P高速移動時，也能持續以液體充滿曝光用光EL的光路。第2實施形態其次，參照圖9說明本發明的第2實施形態。此處，以下說明中，對與上述實施形態相同或相等的構成部分賦予相同符號，簡化或省略其說明。上述第I實施形態中，雖通過將薄板狀多孔構件25相對基板P傾斜安裝而形成斜面2，但也可如圖9所示，於嘴構件70下面設置與曝光用光EL的光軸AX的距離越長則與基板P表面間的間隔越大的斜面2」，再將液體回收口 22形成於該斜面2」的一部分的既定位置(既定區域)。又，也可將多孔構件25設於此液體回收口 22。此時，嘴構件70的斜面2」與多孔構件25的下面2連續，且斜面2」與下面2大致同一面高。通過上述方式，例如在斜面2」與基板P間形成液體LQ的界面LG時，能維持該界面LG的形狀，防止氣泡於液浸區域AR2的液體LQ中產生等不良情形。又，也可縮小液浸區域AR2的大小。第3實施形態圖10為顯示本發明的第3實施形態的圖。如圖10所示，可形成為多孔構件25的下面2中、接近光軸AX的第I區域2A相對基板P的傾斜角度，大於其外側的第2區域2B相對基板P的傾斜角度。第4實施形態圖11為顯示本發明的第4實施形態的圖。如圖11所示，可形成為多孔構件25的下面2中、接近光軸AX的第I區域2A相對基板P的傾斜角度，小於其外側的第2區域2B相對基板P的傾斜角度。也即，多孔構件25的下面2並不須為平坦面，也可將多孔構件25的下面2設置成，當其與曝光用光EL的光軸AX的距離越長則與基板P表面的間隔越大。第5實施形態圖12是顯示本發明的第5實施形態的圖。如圖12所示，也可在形成於嘴構件70下面的斜面(多孔構件25下面)形成多個翼片構件150。翼片構件150為側視呈大致三角形，於圖12的側視截面圖中，配置在形成於多孔構件25的下面2與壁部76內側的緩衝空間。又，翼片構件150，以其長邊方向往外側的方式呈放射狀安裝在壁部76內側面。此處， 多個翼片構件150彼此離開，而在各翼片構件150間形成空間部。如此，通過以此方式配置多個翼片構件150，由於能增加在形成於嘴構件70下面的斜面(多孔構件25下面)的液體接觸面積，因此可提升嘴構件70下面的液體LQ的保持性能。此外，多個翼片構件150也能以等間隔設置，或也能以不等間隔設置。例如，將相對投影區域ARl配置於X軸方向兩側的翼片構件150的間隔，設定成小於相對投影區域ARl配置於Y軸方向兩側的翼片構件150的間隔。此外，翼片構件150表面最好是對液體LQ具有親液性。又，翼片構件150也可通過對不鏽鋼(例如SUS316)施以「G0LDEP」處理或「GOLDEP WHITE」處理來形成，也可以玻璃(石英)等來形成。第6實施形態其次，參照圖13、14、15及圖16說明本發明的第6實施形態。此外，對與上述各實施形態相同或類似的機構及構件賦予共通符號，簡化或省略其說明。圖13是顯示嘴構件70』附近的概略立體圖的部分截面圖、圖14是從下側觀察嘴構件70』的立體圖、圖15是與YZ平面平行的側視截面圖，圖16是與XZ平面平行的側視截面圖。本實施形態的嘴構件70』，是組合第I構件171與第2構件172所構成，整體形成為俯視大致呈圓形。第I構件171，具有側板部171A及較厚的傾斜板部171C，側板部171A上端部與傾斜板部171C上端部連接。另一方面，第2構件172，具有傾斜板部172C與連接於傾斜板部172C下端部的底板部172D。第I構件171的傾斜板部171C、以及第2構件172的傾斜板部172C分別形成研缽狀，第2構件172的傾斜板部172C，配置於第I構件171的傾斜板部171C內側。又，第I構件171及第2構件172，是被未圖示的支撐機構支撐成第I構件171的傾斜板部171C的內側面171T與第2構件172的傾斜板部172C的外側面172S呈稍微分離狀態。又，在第I構件171的傾斜板部171C的內側面171T與第2構件172的傾斜板部172C的外側面172S間，設有俯視呈圓環狀的狹縫狀槽部73。本實施形態中，槽部73的狹縫寬度Gl設定成3mm左右。又，本實施形態中，槽部73形成為相對XY平面(基板P表面)具約45度的傾斜。光學元件LSl配置於以第2構件172的傾斜板部172C形成的孔部70H內側，配置於該孔部70H的光學元件LSl側面與第2構件172的傾斜板部172C的內側面172T是對向。又，該傾斜板部172C的內側面172T對液體LQ具撥液性(撥水性)，能抑制液體LQ滲入投影光學系統PL側面與傾斜板部172C(嘴構件70』 )的內側面172T間的間隙。
第I構件171的傾斜板部171C中與基板P相對的下面171R，是一與XY平面平行的平坦面。又，第2構件172的底板部172D中與基板P對向的下面172R，也是一與XY平面平行的平坦面。又，第I構件171的傾斜板部171C的下面171R、與第2構件172的傾斜板部172C的下面172R為大致同一面高，由這些傾斜板部171C的下面171R、以及底板部172D的下面172R來形成平坦面75，該平坦面75與嘴構件70』中支撐於基板載臺PST的基板P表面(基板載臺PST上面)對向，且是一最接近此基板P表面(基板載臺PST上面)的面。又，在形成平坦面75的底板部172D中央部形成有使曝光用光EL通過的開口部74。也即，平坦面75，形成為包圍投影區域ARl。如圖15所示，形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z軸方向配置於投影光學系統PL的光學兀件LSl下面Tl與基板P (基板載臺)間。底板部172D,設置成不與光
學元件LSl的下面Tl及基板P (基板載臺PST)接觸。底板部172D的上面配置成與光學元件LSl的下面Tl對向、且大致平行於光學元件LSl下面，於投影光學系統PL的端面Tl與底板部172D上面間形成有既定間隙(空間)G2。於第I構件171形成有向下開口的空間部24，與上述第I實施形態同樣地，於空間部24的開口部形成有液體回收口 22，而使空間部24發揮回收流路的功能。又，回收管23的另一端部連接於回收流路(空間部)24的一部分。於液體回收口 22，配置有具有覆蓋此液體回收口 22的多孔的多孔構件25。多孔構件25，具有與支撐於基板載臺PST的基板P相對的下面2。與上述第I實施形態同樣地，多孔構件25，是以其下面2相對支撐於基板載臺PST的基板P表面(也即XY平面)傾斜的方式設於液體回收口 22。多孔構件25的斜面2形成為，當其與投影光學系統PL (光學元件LSI)的光軸AX的距離越長則與基板P表面間的間隔越大。又，如圖15所示，多孔構件25，是以其斜面2的內緣部與第I構件171的下面171R(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2內緣部與下面171R(平坦面75)連續的方式，安裝於嘴構件70』的液體回收口 22。又，如圖14所示，於嘴構件70』下面，液體回收口 22，形成為包圍開口部74(投影區域ARl)、槽部73、以及平坦面75的俯視呈圓環狀。平坦面75，配置於使曝光用光EL通過的開口部74(投影區域ARl)與配置在液體回收口 22的多孔構件25的斜面2間。液體回收口 22，是相對開口部74 (投影區域ARl)在平坦面75外側、且配置成包圍平坦面75。如第5實施形態中所說明，於斜面(多孔構件25的下面)2呈放射狀設有多個翼片構件150。翼片構件150呈側視大致三角形，配置於形成在多孔構件25的下面2及壁部76內側的緩衝空間。本實施形態中，各翼片構件150厚度約為0. Imm左右，以2度的間隔沿周方向配置多數個。如圖13所示，於第2構件172的傾斜板部172C的內側面172T中，相對投影光學系統PL的投影區域ARl的Y軸方向兩側分別形成有凹部14A。凹部14A是沿傾斜板部172C的傾斜方向形成，其在與光學元件LSl的側面間形成既定間隙G3(參照圖15)。又，通過形成於凹部14A與光學元件LSl間的間隙G3，面於投影光學系統PL的像面側形成用以供應液體LQ的供應流路14。供應流路14的上端部透過未圖示的供應管(供應流路)連接於液體供應部11，下端部則連接於投影光學系統PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2，於其下端形成有將液體LQ供應至間隙G2的液體供應口 12。又，液浸機構I，透過設於流路14下端部的液體供應口 12，將從液體供應部11送出的液體LQ供應至投影光學系統PL與底板部172D間的間隙G2。本實施形態中，供應流路14形成為相對XY平面(基板P表面)具有約45度的傾斜。此外，也可於底板部172D上面設置凹凸，來控制在底板部172D上面的液體流向或液體流速。例如，為決定從液體供應口 12供應至底板部172D的上面172A的液體LQ流向，也可將翼片狀構件配置於液體供應口 12，或於底板部172D的上面172A設置翼片狀突起部。此時，為了能在不殘留氣體部分的狀態下以液體連續充滿投影光學系統PL的像面側的光路空間，最好是根據實驗或模擬的結果來使液體LQ流向及液體LQ的流速達到最佳化。又，在從投影光學系統PL的像面側空間大致全部回收液體LQ、而形成非液浸狀態時，為了不使液體LQ殘留於光學元件LSl的端面Tl等，最好是根據實驗或模擬的結果來使液體LQ流向及液體LQ的流速達到最佳化。或者，為了不使含有從基板P (感光性樹脂等)溶出的物質的液體滯留最好是根據實驗或模擬的結果來使液體LQ流向及液體LQ的流速達到最佳化。再者，於第2構件172中相對投影區域ARl的X軸方向兩側，分別形成有沿傾斜方向貫通第2構件172的傾斜板部172C內部的狹縫狀貫通孔130。形成於貫通孔130的下端部130A的開口，連接於投影光學系統PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2，上 端部130B則向開放至大氣。能從下端部130A的開口沿底板部172D的上面172A、也即沿平行於基板的方向送出液體。第I構件171與第2構件172間的槽部73，配置於曝光用光EL所照射的投影區域ARl與液體回收口 22的斜面2間，形成為包圍開口部74 (投影區域ARl)。進一步地，槽部73也形成為包圍構成平坦面75 —部分的下面172R。換言之，於構成平坦面75 —部分的下面172R外側配置有槽部73。該槽部73，具有配置成與基板載臺PST上面(支撐於基板載臺PST的基板P)對向的開口部73A。也即，槽部73是向下側開口。開口部73A設於投影光學系統PL的像面附近，槽部73，於其內部透過開口部73A與投影光學系統PL的像面周圍的氣體流通。又，槽部73，除了與基板P(基板載臺PST)對向的開口部73A外，也具有用來向大氣開放的開口部73B。本實施形態中，槽部73，於其上端部具有用來向大氣開放的開口部73B。此外，雖然開口部73B沿槽部73上端部形成為俯視呈圓環形，但也可僅形成於槽部73上端部的一部分。又，用來使槽部73的內部與外部流通的流通路並不限於槽部73的上端部，也可設於任意位置。例如，可於第I構件171 —部分形成用來使槽部73內部的Z軸方向中間位置(既定位置)與槽部73外部流通的流路，透過該流路使槽部73向大氣開放。如此，由於形成具有與基板P(基板載臺PST)對向的開口部73A及用來向大氣開放的開口部73B的槽部73，因此嘴構件70』與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ —部分即可出入於槽部73內部。據此，即使嘴構件70』的大小(直徑)較小，仍能抑制液體LQ向液體回收口 22外側流出。又，如圖15所示，於第I構件171 —部分形成有用來使槽部73的內部與外部流通的流通路131，於該流通路131連接有包含真空系統的吸引裝置132。流通路131及吸引裝置132，是使用於在完全回收嘴構件70』與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ、也即完全回收形成液浸區域AR2的液體LQ時，透過槽部73來回收該液體LQ。其次，說明設有具上述構造的嘴構件70』的液浸機構I動作。為將液體LQ供應至基板P上，控制裝置CONT，即驅動液體供應部11來從液體供應部11送出液體LQ。從液體供應部11送出的液體LQ在流經供應管後，即流入嘴構件70』的供應流路14上端部。流入供應流路14上端部的液體LQ，即沿傾斜板部172C的傾斜方向流向下方，而從液體供應口 12供應至投影光學系統PL的端面Tl與底板部172D間的空間G2。此處，在將液體LQ供應至空間G2前存在於空間G2的氣體部分，是透過貫通孔130或開口部74排出至外部。據此，能防止在開始對空間G2供應液體LQ時氣體會留在空間G2的不良情形，並防止氣體部分(氣泡)產生於液體LQ中的不良情形。供應至空間G2的液體LQ在充滿空間G2後，即透過開口部74流入平坦面75與基板P(基板載臺PST)間的空間。此時，由於液體回收機構20以每一單位時間將基板P上的液體LQ回收既定量，因此由透過開口部74流入平坦面75與基板P (基板載臺PST)間的空間的液體LQ，而於基板P上形成所欲大小的液浸區域AR2。此外，本實施形態中，由於縮小曝光用光EL通過的開口部74而使平坦面75的大小較大，因此能在基板P (基板載臺PST)與嘴構件70』間良好地保持液體LQ。在對基板P進行液浸曝光期間等形成液浸區域AR2的期間內，連接於槽部73的流通路131關閉且停止吸引裝置132的驅動。據此，即使在使基板(基板載臺PST)相對液浸區域AR2(形成為包覆投影區域ARl)進行移動時，液浸區域AR2的液體LQ —部分仍能出入於向大氣開放的槽部73，而能防止液浸區域AR2擴大、或液浸區域AR2的液體LQ流出等不良情形。也即，例如圖16所示，通過使基板P往+X方向移動，而使液浸區域AR2的液體LQ也隨基板P的移動而往+X方向移動。此時，有可能會因液體LQ往+X方向移動而使液浸區域AR2往+X方向擴大或液浸區域AR2的液體LQ流出液體回收口 22外側。然而，由於該往+X方向移動的液體LQ的一部分進入+X側的槽部73 (參照圖16中的箭頭F3)，因此可抑制液浸區域AR2擴大或液體LQ流出等。又，當在基板P的液浸曝光結束時等將嘴構件70』與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ完全回收時，控制裝置CONT除了停止液體供應機構10的液體供應動作、並透過液體回收機構20的液體回收口 22進行液體回收動作以外，且同時開啟連接於槽部73的流通路131，驅動吸引裝置132使槽部73的內部空間成為負壓，而進行透過槽部73的開口部73A的液體回收動作。如此，通過也使用最接近基板P(基板載臺PST)的開口部73A，而能以更短時間確實地回收嘴構件70』與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ。此時，由於用來向大氣開放的開口部73B較發揮液體LQ回收口功能的開口部73A的尺寸小，因此可使槽部73達到足夠的負壓來回收液體LQ。又，在透過槽部73回收液體LQ時，雖然有可能因槽部73的氣體與液體LQ—起流入流通路131而在嘴構件70』產生振動，但由於透過槽部73進行的液體LQ的回收，不是在進行須要求基板P的曝光動作等精度時執行，因此不會產生問題。此外，本實施形態中，雖然用以形成供應流路14的凹部14A，是相對投影區域ARl於Y軸方向兩側分別各設一個(合計二個)，但也能在任意多數處設置成包圍曝光用光EL所照射的投影光學系統PL的投影區域ARl。又，也可於凹部14A上端部附近設置如第I實施形態中說明的堤防部15(緩衝流路部14H)。第7實施形態其次，參照圖17及18說明本發明的第7實施形態。此外，本實施形態中，與上述各實施形態同樣或類似的機構及構件賦予共通符號，省略詳細說明。圖17是從下側觀察嘴、構件70』的立體圖，圖18是側視截面圖。於圖17及18中異於上述第6實施形態之處，是第2構件172的底板部172D的大小較小，且底板部172D大部分並未配置於投影光學系統PL的下面Tl與基板P(基板載臺PST)間。也即，形成於底板部172D的開口部74，是大致與投影光學系統PL(光學元件LSI)的下面Tl相同大小、且形成為大投影區域ARl很多的大致圓形。又，光學元件LSl的下面Tl大部分是以與基板P(基板載臺PST)對向的方式露出。從液體供應部11送出的液體LQ，透過形成於光學元件LSl側面與凹部14A間的供應流路14，供應至投影光學系統PL的下面Tl與基板P (基板載臺PST)間的空間。本實施形態中，雖然平坦面75的面積變得較小，但與第6實施形態相較，由於第2構件172與投影光學系統PL的光學元件LSl間幾乎毫無空間，使易滯留氣體的部分變得較少，因此可更確實地防止在開始供應液體LQ開始時，氣體部分(氣泡)產生在形成液浸區域AR2的液體LQ中的不良情形。此外，上述第6實施形態及第7實施形態中，雖為簡化說明，而敘述嘴構件70』是以第I構件171及第2構件172的組合所構成，但實際上尚組合有其它數個構件所構成。當然，也可以一個構件來構成嘴構件70』。又，上述第6實施形態及第7實施形態中，雖在開始供應液體LQ時是使用貫通孔130排出空間G2的氣體，但也可將貫通孔130連接於吸引裝置(真空系統)，在開始供應液體LQ時強制排出空間G2的氣體。又，上述第6實施形態及第7實施形態中，底板部172D的開口部74，並不限於圖14或圖17所示的形狀，也可設定成在氣體不殘留的狀態下，即使基板P(基板載臺PST)移動仍可以液體LQ連續充滿投影光學系統PL的像面側的光路空間。又，上述第6實施形態及第7實施形態中，在完全回收嘴構件70』與基板P (基板載臺PST)間(投影光學系統PL的像面側的光路空間)的液體LQ時，除了進行使用了液體回收口 22或開口部73A的液體回收動作外，也可加上從液體供應口 12吹出氣體的動作。由於從液體供應口 12吹出的氣體是吹於投影光學系統PL前端部的光學元件LSl的下面Tl，因此可除去附著(殘留)於光學元件LSl的下面Tl的液體LQ。從液體供應口 12吹出的氣體，能沿下面Tl流動，使附著於光學元件LSl的下面Tl中曝光用光EL所通過區域(也即與光學元件LSl的下面Tl的投影區域ARl對應的區域)的液體(液滴)往該區域外側移動(後退)。據此，除去附著於光學元件LSl的下面Tl中曝光用光EL所通過區域的液體LQ0此外，也可通過以所噴吹的氣體使附著於光學元件LSl的下面Tl的液體LQ氣化(乾燥)來加以除去。從液體供應口 12透過包含化學過濾器、粒子除去過濾器的過濾裝置(未圖示)吹出清淨氣體。又，使用大致與收容有曝光裝置EX的室內部的氣體大致相同的氣體、例如空氣(乾燥空氣)來作為氣體。此外，也可使用氮氣(乾燥氮氣)來作為吹出的氣體。又，在完全回收液體LQ時，也可在用以將存在於空間G2的氣體排出至外部的貫通孔130等連接真空系統，並從形成於貫通孔130的下端部130A的開口吸引並回收液體LQ。又，也可在用以將存在於空間G2的氣體排出至外部的貫通孔130等連接氣體供應系統，並透過該貫通孔130吹出氣體。
此外，第6實施形態及第7實施形態中，也可將液體供應口 12相對投影區域ARl分別配置於X軸方向兩側，並從掃描方向兩側供應液體LQ。此時，貫通孔130的下端部130A，例如是設在相對投影區域ARl在Y軸方向兩側等、與液體供應口 12不同的位置。
又，第6及第7實施形態中，雖通過傾斜板部172C的凹部14A與光學元件LSl側面間的間隙G3來形成供應流路14，而使該供應流路14下端部發揮液體供應口 12的功能，但也可連接貫通孔130的上端部130B與液體供應部11而使貫通孔130發揮供應流路的功能，且使貫通孔130的下端部130A發揮液體供應口的功能。連接貫通孔130的上端部130B與液體供應部11並透過貫通孔130來供應液體LQ時，傾斜板部172C的凹部14A與光學元件LSl側面間的間隙G3不與液體供應部11連接(空間G3並未發揮供應流路的功能)，而使液體LQ3上端部向大氣開放。接著，在從貫通孔130對空間G2供應液體LQ前，存在於空間G2的氣體即透過間隙G3排出至外部。如此，即使透過貫通孔130來供應液體LQ時，也可防止在開始對空間G2供應液體LQ時氣體留在空間G2的不良情形，防止於液體LQ中產生氣體部分(氣泡)。又，在此情形下，也可連接空間G3上端部與吸引裝置(真空系統)，在開始供應液體LQ時強制排出空間G2的氣體。又，透過貫通孔130來供應液體LQ時，能將發揮液體供應口功能的貫通孔130的下端部130A相對投影區域ARl分別配置於Y軸方向兩側，再從非掃描方向的兩側供應液體LQ0
第8實施形態其次，參照圖19、20、21及22說明本發明的第8實施形態。圖19是顯示嘴構件70」附近的概略立體圖的部分剖斷圖，圖20是從下側觀察嘴構件70」的立體圖，圖21是與YZ平面平行的側視截面圖，圖22是與XZ平面平行的側視截面圖。以下說明中，對與上述實施形態相同或同等的構成部分賦與同一符號，簡略或省略其說明。嘴構件70」是組合第I構件171、第2構件172以及第3構件173所構成，整體形成為俯視大致呈圓形。第I構件171，具有側板部171A及較厚的傾斜板部171C。第2構件172，具有傾斜板部172C與連接於傾斜板部172C下端部的底板部172D。第3構件173連接於第I構件171及第2構件172的上端部，於第3構件173中央部形成有用來配置光學元件LSl的孔部173H。光學元件LSl，配置於以第3構件173的孔部173H及第2構件172的傾斜板部172C形成的孔部70H內側，配置於孔部70H內側的光學元件側面與第2構件172的傾斜板部172C的內側面172T對向。又，在第I構件171的傾斜板部171C的內側面171T與第2構件172的傾斜板部172C的外側面172S間，設有俯視呈圓環形的狹縫狀槽部73。槽部73形成為相對XY平面(基板P表面)具有約45度的傾斜。又，通過第I構件171的傾斜板部171C的下面171R與第2構件172的底板部172D的下面172R來形成平坦面75，該平坦面是一在嘴構件70」中與支撐於基板載臺PST的基板P表面(基板載臺PST上面)對向、最接近該基板P表面(基板載臺PST的上面)的面。平坦面75形成包圍投影區域ARl。形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z軸方向配置於投影光學系統PL的光學元件LSl像面側的下面Tl與基板P (基板載臺PST)間。底板部172D，設置成不與光學元件LSl的下面Tl及基板P (基板載臺PST)接觸。底板部172D上面配置成與光學元件LSl的下面Tl對向、且大致與光學元件LSl下面平行，於投影光學系統PL的端面Tl與底板部172D的上面間形成有既定間隙(空間)G2。於第I構件171形成有發揮回收流路功能的空間部24，於空間部24的開口部形成有液體回收口 22。液體回收口 22，是以包圍開口部74(投影區域ARl)、槽部73、以及平坦面75的方式形成為俯視呈圓環狀。於回收流路(空間部)24 一部分連接有回收管23的另一端部。於液體回收口 22配置有多孔構件25 (具有與支撐於基板載臺PST的基板P對向的斜面2)。多孔構件25，是以其斜面2的內緣部與第I構件171的下面171R(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2內緣部與下面171R(平坦面75)連續的方式，安裝於液體回收口 22。於斜面2，呈放射狀設有多個翼片構件150。於第2構件172中相對投影區域ARl的Y軸方向兩側，分別形成有沿傾斜方向貫通第2構件172的傾斜板部172C內部的狹縫狀貫通孔130。又，貫通孔140的上端部140B，是透過未圖示供應管(供應流路)連接於液體供應部11，下端部140A，即連接於投影光學系統PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2。也即，貫通孔140發揮供應流路的功能，形成於該貫通孔140的下端部140A的開口，發揮將液體LQ供應至間隙G2的液體供應口的功能。又，液體供應口 140A分別設於曝光用光EL所照射的投影區域ARl的Y軸方向兩側，且設於曝光用光EL的光路空間外側中曝光用光EL的光路空間兩側的既定位置(第I位置)。液浸機構I，透過供應流路(貫通孔)140，將從液體供應部11送出的液體LQ自液 體供應口(下端部)140A供應至內部空間(包含投影光學系統PL與底板部172D間的間隙(空間)G2)。供應流路140，形成為相對XY平面(基板P表面)具有約45度的傾斜。此夕卜，為決定從液體供應口 140A供應至底板部172D上面的液體LQ的流向，也可在液體供應口 140A配置翼片狀構件、或在底板部172D上面設置翼片狀突起部。於第2構件172中相對投影區域ARl的X軸方向兩側，分別形成有沿傾斜方向貫通第2構件172的傾斜板部172C內部的狹縫狀貫通孔130。於第2構件172的上面中、貫通孔130的上端部130B的既定區域與第3構件173間形成有間隙。又，貫通孔130的上端部130B向大氣開放，貫通孔130的下端部130A連接於投影光學系統PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2。據此，間隙G2的氣體，即可透過貫通孔130的上端部130B向外部空間排出(排氣)。也即，形成於貫通孔130的下端部130A的開口，發揮排出間隙G2的氣體的排氣口功能，貫通孔130即發揮排氣流路的功能。又，排氣口(下端部)130A，與間隙G2的氣體、也即投影光學系統PL的像面周圍的氣體連接。又，排氣口 130A，分別設於曝光用光EL所照射的投影區域ARl的X軸方向兩側，且設在曝光用光EL的光路空間外側中曝光用光EL的光路空間兩側的既定位置(第2位置)。如上所述，液體供應口 140A，設於曝光用光EL的光路空間外側的既定位置(第I位置)。又，底板部172D，也發揮導引從液體供應口 140A供應的液體LQ流動的導引構件功能。底板部(導引構件)172D，配置成能防止氣體留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ中。也即，底板部172D，配置成使從液體供應口 140A(設於曝光用光EL的光路空間外側的第I位置)供應的液體LQ會透過曝光用光EL的光路空間流向與該光路空間外側的第I位置相異的第2位置。此外，底板部172D，具有與基板P對向的平坦面(平坦部)75，與上述實施形態同樣地，也具有使液體LQ穩定地充滿曝光用光EL的光路的功能。圖23是底板部(導引構件)172D的俯視圖。本實施形態中，於曝光用光EL的光路空間外側的第2位置設有排氣口 130A，底板部172D，配置成使從液體供應口 140A供應的液體LQ流向設有排氣口 130A的第2位置。導引構件172D是使液體LQ以在曝光用光EL的光路空間內不會產生渦流的方式流動。也即，底板部172D具有開口 74』，該開口 74』形成為使第I位置(配置有液體供應口 140A)所供應的液體LQ會流向設有排氣口 130A的第2位置，以防止於曝光用光EL的光路空間內產生渦流。底板部172D，具有第I導引部181，形成從設有液體供應口 140A的第I位置往曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)的流動方向；以及第2導引部182，是形成從曝光用光EL的光路空間往設有排氣口 130A的第2位置的流動方向。也即，通過第I導引部181，形成使液體LQ從液體供應口 140A流向曝光用光EL的光路空間的流路181F，通過第2導引部182，形成使液體LQ從曝光用光EL的光路空間流向第2位置(排氣口 130A)的流路182F。以第I導引部181形成的流路18IF與以第2導引部182形成的流路182F交叉。以第I導引部181形成的流路18IF是使液體LQ大致沿Y軸方向流動，以第2導引部182形 成的流路182F是使液體LQ大致沿X軸方向流動。又，通過第I導引部181與第2導引部182形成俯視大致呈十字形的開口部74』。開口部74』配置於投影光學系統PL的像面側，其設置成使曝光用光EL通過形成為大致十字形的開口部74』的大致中央部。也即，曝光用光EL的光路空間，是設定於以第I導引部181形成的流路181F與以第2導引部182形成的流路182F的交叉部。本實施形態中，以第I導引部181形成的流路181F與以第2導引部182形成的流路182F為大致正交。又，以第I導引部181形成的流路181F的寬度Dl與以第2導引部182形成的流路182F的寬度D2為大致相同。又，本實施形態中，第I導引部181與第2導引部182的連接部190形成為曲線狀(圓弧狀)。液體供應口 140A，是將液體LQ供應至內部空間(包含投影光學系統PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2)。從液體供應口 140A供應至間隙G2的液體LQ，是被第I導引部181導引而流向曝光用光EL的光路空間、並通過曝光用光EL的光路空間後，即被第2導引部182導引流向曝光用光EL的光路空間外側。也即，液體LQ的流路，是在第I導引部181與第2導引部182的交叉位置或其附近彎曲。或者，液體LQ的流路是在光路空間或其附近彎曲。液浸機構1，通過以底板部172D的第I、第2導引部181，182導引液體LQ且使其流動，來抑制在曝光用光EL的光路空間內產生渦流。據此，即使於曝光用光EL的光路空間中有氣體(氣泡)，也能通過液體LQ的流動將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側的第2位置，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間。如圖19、21等所示，第I構件171與第2構件172間的槽部73，形成為圍繞包含曝光用光EL的光路空間的開口部74』。進一步地，槽部73形成為也包圍構成平坦面75 —部分的下面172R。於槽部73下端部形成有配置成與基板P(基板載臺PST的上面)對向的開口部73A。開口部73A形成為俯視大致呈圓環狀。另一方面，於槽部73上端部也形成有俯視大致呈圓環狀的開口部73B。又，於第I構件171的傾斜板部171C上端部中、與第2構件172對向的部分形成有缺口部171K，通過該缺口部171K而在槽部73上端部形成寬广部。接著，於該寬广部與第3構件173間形成空間73W。槽部73上端部的開口部73B配置於空間73W內側，設於槽部73下端部(投影光學系統PL的像面側附近)的開口部73A與空間73W透過槽部73相連接。也即，空間73W，是透過槽部73(開口部73A)與投影光學系統PL的像面周圍的氣體流通。又，如圖21所示，於第3構件173的一部分形成有與空間73W連接的流通路131』，該流通路131』與含有真空系統的吸引裝置132透過配管133相連接。流通路131』及吸引裝置132，是使用於在完全回收嘴構件70」與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ時，透過槽部73來回收該液體LQ。又，於第3構件173中與流通路131』不同的位置形成有使空間73W內部與外部流通的孔部134。孔部134的直徑(大小)較流通路131』的直徑(大小)小，且遠較開口部73A小。本實施形態中，孔部134的直徑約為1mm。通過孔部134使空間73W向大氣開放，據此，投影光學系統PL的像面周圍的氣體(間隙G2)也透過開口部73A、槽部73及空間73W向大氣開放。據此，嘴構件70」與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ—部分即可出入於槽部73內部。據此，即使嘴構件70」的大小(直徑)較小，也可抑制液體LQ向液體回收口 22外側流出。其次，說明設有具上述構造的嘴構件70」的液浸機構I動作。為將液體LQ供應至基板P上，控制裝置CONT，即驅動液體供應部11來從液體供應部11送出液體LQ。從液體供應部11送出的液體LQ在流經供應管後，即流入嘴構件70」的供應流路14的上端部140B。 流入供應流路14的上端部140B的液體LQ，即流動於供應流路140，而從液體供應口 140A供應至投影光學系統PL的端面Tl與底板部172D間的空間G2。此處，在將液體LQ供應至空間G2前存在於空間G2的氣體部分，是透過貫通孔130或開口部74』排出至外部。據此，能防止在開始對空間G2供應液體LQ時氣體會留在空間G2的不良情形，並防止氣體部分(氣泡)產生於液體LQ中的不良情形。又，由於從液體供應部11送出的液體LQ流動於槽部(供應流路)140內側，因此是在不會對光學元件LSl側面等施加力量的狀態下供應至空間G2。又，由於液體LQ不連接於光學元件LSl側面，因此即使於光學元件LSl側面塗布有例如既定功能材料時，也能抑制對功能材料帶來影響。供應至空間G2的液體LQ在充滿空間G2後，即透過開口部74』流入平坦面75與基板P(基板載臺PST)間的空間。此時，由於液體回收機構20是以每一單位時間將基板P上的液體LQ回收既定量，因此由透過開口部74』流入平坦面75與基板P (基板載臺PST)間的空間的液體LQ，而於基板P上形成所欲大小的液浸區域AR2。由於從液體供應口 140A供應制空間G2的液體LQ，是在被第I導件181導引而流向曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)後，即被第2導件182導引而流向曝光用光EL的光路空間外側，因此即使於液體LQ中產生氣體部分(氣泡)，也可通過液體LQ的流動，將該氣泡排出至曝光用光EL的光路空間外側。又，由於底板部172D是使液體LQ以不會在曝光用光EL的光路空間中產生渦流的方式流動，因此可防止氣泡留在曝光用光EL的光路空間。又，由於底板部172D使液體LQ朝向排氣口 130A流動，因此存在於液體LQ中的氣體部分(氣泡)，即透過排氣口 130A圓滑地排出至外部。又，即使於平坦面75與基板P(基板載臺PST)間的空間的液體LQ中有氣體部分(氣泡)存在，平坦面75與基板P (基板載臺PST)間的空間的液體LQ，仍透過回收口 22而與氣體部分(氣泡)一起被回收。在對基板P進行液浸曝光期間等形成液浸區域AR2的期間內，連接於槽部73的流通路131』關閉且停止吸引裝置132的驅動。據此，即使在使基板(基板載臺PST)相對液浸區域AR2(形成為包覆投影區域ARl)進行移動時，液浸區域AR2的液體LQ —部分仍能出入於透過孔部134而向大氣開放的槽部73 (參照圖22中的箭頭F3)，而能防止液浸區域AR2的液體LQ流出等不良情形。
又，當在基板P的液浸曝光結束時等將嘴構件70」與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ完全回收時，控制裝置CONT除了透過液體回收機構20的液體回收口 22進行液體回收動作以外，且同時開啟連接於槽部73的流通路131』，驅動吸引裝置132使槽部73的內部空間成為負壓，進行透過槽部73的開口部73A的液體回收動作。如此，通過也使用最接近基板P (基板載臺PST)的開口 部73A，而能以更短時間確實地回收嘴構件70」與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ。此時，由於用來向大氣開放的孔部134較發揮液體LQ回收口功能的開口部73A的尺寸小，因此可使槽部73達到足夠的負壓來回收液體LQ。又，當完全回收嘴構件70」與基板P (基板載臺PST)間的液體LQ時，除了使用液體回收口 22或開口部73A的液體回收動作外，也可加上從液體供應口 140吹出氣體的動作。此外，當對基板P進行液浸曝光期間等形成液浸區域AR2期間內，只要是能維持液浸區域AR2的狀態(形狀等)的程度，也可開啟連接於槽部73的流通路131』並驅動吸引裝置132。通過此方式，而可透過槽部73回收液體LQ中的氣泡。又，如圖24所示，也可連接貫通孔130的上端部130B與吸引裝置(吸氣系統)135，並透過貫通孔130連接排氣口 130A與吸引裝置135。又，也可在例如開始供應用來形成液浸區域AR2的液體LQ時，驅動吸引裝置135使貫通孔130內側成為負壓，來強制排出空間G2的氣體。通過此方式，也可防止氣體留在空間G2的不良情形產生，並防止於液體LQ產生氣體部分(氣泡)的不良情形產生。又，也可在驅動吸引裝置135的同時對基板P進行液浸曝光，或於基板P的液浸曝光中停止吸引裝置135的驅動。此外，嘴構件70」雖是以第I、第2、第3構件171、172、173三構件構成，但也可由一構件構成，或由三個以外的多個構件構成。第9實施形態圖25是顯示第9實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，以第2導引部182形成的流路182F的寬度D2較以第I導引部181形成的流路181F的寬度Dl小。據此，可相對流動於以第I導引部181形成的流路181F的液體LQ流速，提高流動於以第2導引部182形成的流路182F的液體LQ流速。據此，能通過高速化的液體LQ，將曝光用光EL的光路空間的氣體(氣泡)迅速且圓滑地排出至曝光用光EL的光路空間外側。第10實施形態圖26是顯示第10實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，以第2導引部182形成的流路182F的寬度D2，形成為從曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl或第2導引部182的上遊側)向設有排氣口 130A的第2位置(或第2導引部182的下遊側)逐漸變窄。即使是此種構成，也能相對流動於以第I導引部181形成的流路181F的液體LQ流速，提高流動於以第2導引部182形成的流路182F的液體LQ流速，而將氣體(氣泡)迅速且圓滑地排出至曝光用光EL的光路空間外側。第11實施形態圖27是顯示第11實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，第I導引部181與第2導引部182的連接部190形成為直線狀，於第I導引部181與第2導引部182間形成有角部。即使是此種構成，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。第12實施形態
圖28是顯示第12實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，以第I導引部181形成的流路181F中、液體供應口 140A附近的既定區域(的流路寬度)，形成為從液體供應口 140A向曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)逐漸變窄(從上遊至下遊)，以第2導引部182形成的流路182F中、排氣口 130A附近的既定區域(的流路寬度)，形成為從排氣口 130A向曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)逐漸變窄(從上遊至下遊)。又，本實施形態中，第I導引部181與第2導引部182大致成直角交叉。即使是此種構成，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。第13實施形態 圖29是顯示第13實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，液體供應口 140A僅設置一個。又，以第I導引部181形成的流路181F與以第2導引部182形成的流路182F為大致正交，開口部74』形成為俯視大致呈T字形。即使是此種構成，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。第14實施形態圖30是顯示第14實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，以第I導引部181形成的流路181F與以第2導引部182形成的流路182F並未正交，而是以90度以外的既定角度交叉。又，液體供應口 140A(第I位置)，設於曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)的外側區域中、從與投影區域ARl在Y軸方向並排的位置偏向9 Z方向的位置，排氣口130A(第2位置)也設於從與投影區域ARl在X軸方向並排的位置偏向9Z方向的位置。即使是此種構成，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。第15實施形態圖31是顯示第15實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，各液體供應口 140A及排氣口 130A，分別設於曝光用光EL的光路空間外側區域中的三個既定位置。本實施形態中，液體供應口 140A及排氣口 130A，是在曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)外側區域中，以大致等間隔交互配置成包圍投影光學系統PL的光軸AX。又，以第I導引部181形成的多條流路181F及以第2導引部182形成的多條流路182F是以既定角度交叉。即使是此種構成，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ,並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。第16實施形態圖32是顯示第16實施形態的圖。本實施形態的特徵部分在於，液體供應口140A(第I位置)是設在曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)外側區域中與投影區域ARl在Y軸方向並排的位置，排氣口 130A(第2位置)是設在從與投影區域ARl在Y軸方向並排的位置偏向9Z方向的位置。本實施形態中，排氣口 130A(第2位置)是設在從曝光用光EL的光路空間(投影區域ARl)外側區域中、從與投影區域ARl在Y軸方向並排的位置向Q Z方向離開約45度的位置。又,底板部172D,具有第I導引部181,形成從液體供應口 140A往曝光用光EL的光路空間的流動方向；以及第2導引部82，形成從曝光用光EL的光路空間往排氣口 130A的流動方向。以第I導引部181形成的流路181F，使液體LQ大致沿Y軸方向流動。另一方面，以第2導引部182形成的流路182F，具有與流路18IF正交而使液體LQ大致沿X軸方向流動的第I區域182Fa、以及使流經第I區域182Fa的液體LQ向排氣口 130A流動的第2區域182Fb。通過流路181F與流路182F的第I區域182Fa，形成俯視大致呈十字形的開口部74』。根據此種構造，即使在設置液體供應口 140A或排氣口130A的位置有限制，也可抑制渦流的產生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。此外，若能抑制渦流產生，並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側的話，液體供應口 140A及排氣口 130A的數目及配置、以及對應該液體供應口 140A及排氣口 130A的流路181F，182F的形狀等即可任意設定。例如，也可設置四個以上的多個液體供應口 140A及排氣口 130A，或也可使液體供應口 140A及排氣口 130A的數目彼此不同，或也能以不相等的間隔配置液體供應口 140A及排氣口 130A。液體供應口 140A及排氣口 130A 的數目及配置、以及對應該液體供應口 140A及排氣口 130A的流路181F，182F的形狀等，最好是根據實驗或模擬結果使其達最佳化，能抑制渦流的產生、並能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側。此外，上述第8至16實施形態中，雖然液浸機構1，雖通過底板部(導引構件)172D，使設於第I位置的液體供應口 140A所供應的液體LQ流向設於第2位置的排氣口130A，但也可不將排氣口 130A設於第2位置。即使無排氣口 130A，也可通過液體LQ的流動，將在曝光用光EL的光路空間的氣體部分(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側，防止氣體留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ中。另一方面,通過設置排氣口 130A於第2位置，而能從曝光用光EL的光路空間圓滑地排出氣體。又，上述第8至第16實施形態中，雖液浸機構I沿Y軸方向對投影區域ARl供應液體LQ，但也可例如將液體供應口 140A相對投影區域ARl分別設於X軸方向兩側，再沿X軸方向對投影區域ARl供應液體LQ。此外，上述第I至第16實施形態中，形成於嘴構件70下面的斜面(多孔構件下面)也可為曲面。又，參照圖9至圖11所說明的上述第2至第4實施形態中，也可將壁部76設於多孔構件25的下面2周緣。此外，上述第I至第16實施形態中，雖然於液體回收口 22配置有多孔構件25，但也可不配置多孔構件25。即使此時，例如於嘴構件70下面設置與曝光用光EL的光軸AX的距離越長則與基板P表面間的間隔越大的斜面，並將液體回收口設於此斜面的既定位置，據此也可維持界面LG的形狀，防止氣泡產生於液浸區域AR2的液體LQ中等不良情形。又，也可縮小液浸區域AR2的大小。又，於上述第I至第16實施形態中，雖於嘴構件70下面的斜面(多孔構件下面)設置液體回收口，但只要能將液體LQ的液浸區域AR2維持於所欲狀態，也可不將斜面形成於嘴構件70下面，而在與平坦面75大致平行(同一面高)的面上設置液體回收口。也即，當液體LQ對基板P的接觸角較大時，或從液體回收口 22回收液體LQ的回收能力較高時等，即使增加基板P的移動速度也能在不使液體LQ漏出的狀態下加以回收的話，也可將液體回收口設於與平坦面75平行(同一面高)的面。又，於上述第I至第16實施形態中，雖在形成於嘴構件70下面的斜面(多孔構件下面)周圍設置壁部76，但若能抑制液體LQ的漏出時，也可省略壁部76的設置。
又，於上述第I至第16實施形態中，雖將具有與基板P的開口 73A對向的槽部73設於嘴構件，但也可省略此槽部73。此時，為使投影光學系統PL的像面側的空間成為非液浸狀態，可使用液體回收口 22將所有投影光學系統PL的像面側的液體LQ回收。此時，如第6至第16實施形態，在形成有連接於底板部72D上面與光學元件LSl間的空間G2的開口時,也可與液體回收口 22的液體回收動作並行來從該開口回收液體LQ。又，上述第I至第16實施形態的嘴構件嘴構件70，雖是將平坦面(平坦部)75的一部分形成於投影光學系統PL與基板P之間，並在其外側形成斜面(多孔構件下面)，但也可不將平坦面的一部分配置於投影光學系統PL下，而是相對投影光學系統PL的光軸配置於投影光學系統PL的端面Tl外側(周圍)。此時，平坦面75也可與投影光學系統PL的端面Tl大致同一面高，或也可使平坦面75的Z軸方向位置，位於相對投影光學系統PL端面Tl往+Z方向或-Z方向離開之處。 又，於上述第I至第5實施形態中，雖然液體供應口 12是以包圍投影區域ARl的方式形成為環形狹縫狀，但也可設置彼此分離的多個供應口。此時，雖供應口的位置並無特別限定，但可在投影區域ARl兩側(X軸方向兩側或Y軸方向兩側)各設一個供應口，也可在投影區域ARl的X軸及Y軸方向兩側各設一個(共計四個)供應口。又，只要是能形成所欲的液浸區域AR2，也可在相對投影區域ARl往定方向離開的位置僅設置一個供應口。又，從多個供應口供應液體LQ時，也可調整從各供應口供應的液體LQ的量，來從各供應口供應不同量的液體。又，於上述第I至第16實施形態中，雖投影光學系統PL的光學元件LSl是具有折射力的透鏡元件，但也可使用無折射力的平行平面板作為光學元件LSl。又，於上述第I至第16實施形態中，雖然是以液體LQ充滿投影光學系統PL的光學元件LSl像面側(下面側)的光路空間，但也可採用如國際公開第2004/019128號說明書所揭示般，以液體LQ充滿投影光學系統PL的光學元件LSl上面側及下面側二側的光路空間的構造。如上所述，本實施形態的液體LQ是使用純水。純水的優點為能容易地在半導體製造工廠等處大量取得，且對基板P上的光致抗蝕劑或光學元件(透鏡)等無不良影響。又，純水除了對環境無不良影響外，由於雜質的含有量極低，因此也能期待有洗淨光學元件(設於基板P的表面、以及投影光學系統PL前端面)的作用。又，從工廠等所供應的純水純度較低時，也可使曝光裝置具備超純水製造器。又，純水(水)對波長為193nm左右的曝光用光EL的折射率n是大致I. 44左右，若使用ArF準分子雷射(波長193nm)來作為曝光用光EL的光源時，在基板P上則將波長縮短為1/n、也即大約134nm左右，即可獲得高解析度。再者，由於焦深與在空氣中相較放大約n倍、也即約I. 44倍左右，因此只要是能確保與在空氣中使用時相同程度的焦深時，即能更增加投影光學系統PL的數值孔徑，從此點來看也能提高解析度。此外，使用如上所述的液浸法時，有時投影光學系統PL的數值孔徑NA會成為
0.9 I. 3。如此，投影光學系統PL的數值孔徑NA變大時，由於現有用作為曝光用光的任意偏極光有時會因偏光效果不同而使成像性能惡化，因此最好是使用偏光照明。此時，最好是進行配合掩膜版(標線片)的線/空間(line and space)圖案的線圖案長邊方向的直線偏光照明，而從掩膜版(標線片)的圖案射出較多S偏光成分(TE偏光成分)、也即沿線圖案長邊方向的偏光方向成分的繞射光。在投影光學系統PL與塗布於基板P表面的光致抗蝕劑間充滿液體時，與在投影光學系統PL與塗布於基板P表面的光致抗蝕劑間充滿空氣(氣體)的情形相較，由於有助於提高對比的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光的光致抗蝕劑表面透射率會變高，因此即使投影光學系統的數值孔徑NA超過I. O時，也能得到高成像性能。又，若適當組合相移掩膜版或如特開平6-188169號公報所揭示的配合線圖案長邊方向的斜入射照明法(特別是偶極(dipole)照明法)等，則更具效果。特別是，直線偏光照明法與偶極照明法的組合，當線/空間圖案的周期方向限於既定一方向時、或孔圖案沿既定一方向密集形成時相當有效。例如，並用直線偏光照明法及偶極照明法，來照明透射率6%的半透光(half-tone)型相移掩膜版(半間距45nm左右的圖案)時,將照明系統的瞳面中形成偶極的二光束的外接圓所規定的照明0設為0.95、將其瞳孔平面的各光束半徑設為0. 125 O、將投影光學系統PL的數值孔徑設為NA = I. 2時，即能較使用任意偏極光將焦深(DOF)增加150nm左右。又，例如以ArF準分子雷射為曝光用光，使用1/4左右的縮小倍率的投影光學系統PL，將微細的線/空間圖案(例如25 50nm左右的線/空間)曝光於基板P上時，依掩膜 版M構造(例如圖案的細微度或鉻的厚度)的不同，通過波導效果(Wave guide)使掩膜版M發揮偏光板的作用，而使從掩膜版M射出S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光多於使對比下降的P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光。此時，雖最好是使用上述直線偏光照明，但即使以任意偏極光來照明掩膜版M，而投影光學系統PL的數值孔徑NA如為0. 9 I. 3般較大的情形時，也能得到高解析性能。又，當將掩膜版M上的極微細線/空間圖案曝光於基板P上時，通過線柵(WireGrid)效果雖然也有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大於S偏光成分(TE偏光成分),但例如以ArF準分子雷射為曝光用光，並使用1/4左右的縮小倍率的投影光學系統PL將較25nm大的線/空間圖案曝光於基板P上時，由於從掩膜版M射出S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光多於P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光，因此即使投影光學系統PL的數值孔徑NA如為0. 9 I. 3般較大的情形時，也能得到高解析性能。再者，除了與掩膜版(標線片)的線圖案長邊方向配合的直線偏光照明(S偏光照明)以外，如特開平6-53120號公報所揭示，將以光軸為中心的圓接線(周)方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法組合也具有效果。特別是，除了掩膜版(標線片)的圖案沿既定一方向延伸的線圖案以外，在沿多個相異方向延伸的線圖案混合(周期方向相異的線/空間圖案混合)的情形下，同樣如特開平6-53120號公報所揭示，通過並用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光)與環帶照明法，即使投影光學系統PL的數值孔徑NA較大時，也能得到高成像性能。例如，在並用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光)與環帶照明法(環帶比3/4)，來照明透射率6%的半透光型相移掩膜版(半間距63nm左右的圖案)的情形下，將照明o設為0. 95、將投影光學系統PL的數值孔徑設為NA = I. 00時，較使用任意偏極光的情形能使焦深(DOF)增加250nm左右，當半間距為55nm左右的圖案且投影光學系統PL的數值孔徑為NA = I. 2時，能使焦深增加IOOnm左右。本實施形態中，將光學元件LS2安裝於投影光學系統PL前端，通過此透鏡能進行投影光學系統PL的光學特性的調整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。此外，作為安裝於投影光學系統PL前端的光學元件，也可是使用於調整投影光學系統PL的光學特性的光學板。或也可是能使曝光用光EL透射的平行平面板。此外，因液體LQ流動所產生的投影光學系統PL前端的光學元件與基板P間的壓力較大時，也可不將該光學元件作成能交換的構造，而是將光學元件堅固地固定成不會因其壓力而移動。又，本實施形態中，雖然是以液體LQ充滿投影光學系統PL與基板P間的構成，但也可是例如在將平行平面板所構成的蓋玻片安裝於基板P表面的狀態下來充滿液體LQ的構成。又，使用圖I至圖32說明的實施形態的投影光學系統PL，雖然是以液體充滿前端的光學元件的像面側的光路空間，但也可採用如國際公開第2004/019128號公報所揭示般，也以液體充滿光學元件LSl的掩膜版M側的光路空間的投影光學系統。此外，本實施形態的液體雖然是水，但也可是水以外的液體。例如，曝光用光的光 源為F2雷射時，由於此F2雷射無法透射水，因此也可使用能使F2雷射透射的液體來作為第I、第2液體LQl,LQ2,例如過氟聚醚(PFPE,perfluoro-polyether)或氟系列油等氟系列流體也可。此時，例如以包含氟的極性小的分子構造物質來形成薄膜，據此對與第I、第2液體LQl，LQ2接觸的部分進行親液化處理。又，作為第I、第2液體LQl，LQ2，其它也能使用對曝光用光EL具透射性且折射率儘可能較高、並對塗布於投影光學系統PL與基板P表面的光致抗蝕劑較穩定的液體(例如杉木油(cedar oil))。此時，表面處理也根據所使用的第
I、第2液體LQ1，LQ2的極性來進行。又，也能使用具有所欲折射率的各種流體來替代液體LQl，LQ2的純水，例如超臨界流體或高折射率氣體。又，於使用圖1、4、15、16、18、21、22及24的說明中，雖是在使基板P與光學元件LSl的下面Tl對向的狀態下，以液體LQ充滿光學元件LSl的下面Tl與基板P間的空間，但即使是投影光學系統PL與其它構件(例如基板載臺的上面91等)對向時，也能以液體充滿投影光學系統PL與其它構件間。又，作為上述各實施形態的基板P，除了半導體元件製造用的半導體晶片以外，也能適用於顯示器元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或在曝光裝置所使用的掩膜版或標線片的原版(合成石英、矽晶片)等。此外，上述實施形態中，雖使用於具光透射性的基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性掩膜版(標線片)，但也可使用例如美國專利第6，778，257號公報所揭示的電子掩膜版來代替此標線片，該電子掩膜版根據待曝光圖案的電子資料來形成透射圖案、反射圖案或發光圖案。又，本發明也能適用於，如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，通過將幹涉紋形成於晶片W上、而在晶片W上形成線/空間圖案的曝光裝置(光刻系統)。曝光裝置EX，除了能適用於使掩膜版M與基板P同步移動來對掩膜版M的圖案進行掃描曝光的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，也能適用於步進重複方式的投影曝光裝置(步進器)，其是在使掩膜版M與基板P靜止的狀態下，使掩膜版M的圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。又，作為曝光裝置EX，也能適用下述曝光裝置，即在使第I圖案與基板P大致靜止的狀態下，使用投影光學系統(例如1/8縮小倍率且不含反射元件的折射型投影光學系統)將第I圖案的縮小像一次曝光於基板P的方式的曝光裝置。此時，進一步於其後，也能適用於接合方式的一次曝光裝置，其是在使第2圖案與基板P大致靜止的狀態下，使用該投影光學系統使第2圖案的縮小像與第I圖案部分重疊而一次曝光於基板P。又，作為接合方式的曝光裝置，也能適用於步進接合方式的曝光裝置，其是在基板P上將至少2個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。又，本發明也能適用於具備保持基板的二個基板載臺的雙載臺型曝光裝置。雙載臺型曝光裝置的構造及曝光動作，例如揭示於特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國專利 6，341，007,6, 400，441,6, 549，69 及 6，590，634)，特表 2000-505958 號(對應美國專利5，969，441)或美國專利6，208，407，在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用上述文獻的揭示作為本文記載的一部分。再者，本發明也可適用於如特開平11-135400號公報所揭示的曝光裝置，該曝光裝置具備保持基板P的基板載臺、以及裝載形成有基準標記的基準構件或各種光電傳感器的計測載臺。
作為曝光裝置EX的種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P的半導體元件製造用曝光裝置，而也能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用的曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標線片以及掩膜版等的曝光裝置等。當於基板載臺PST或掩膜版載臺MST使用線性馬達時，也可採用使用了空氣軸承的氣浮型及使用了勞倫茲(Lorentz)力或電抗的磁浮型中的任一型。又，各載臺PST、MST，也可是沿導件移動的類型，或也可是不設導件的無導件類型。於載臺使用線性馬達之例，是揭示於美國專利5，623，853及5，528，118，分別在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用此等文獻的記載內容作為本文記載的一部分。作為各載臺PST、MST的驅動機構也可使用平面馬達，其是使二維配置有磁鐵的磁鐵單元與二維配置有線圈的電樞單元對向，通過電磁力來驅動各載臺PST、MST。此時，只要將磁鐵單元與電樞單元中的任一方連接於載臺PST、MST、並將磁鐵單元與電樞單元中的另一方設置於載臺PST、MST移動側即可。因基板載臺PST的移動所產生的反作用力，也可使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。此反作用力的處理方法，例如，美國專利5，528，118(特開平8-166475號公報)所詳細揭示的內容，在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用該文獻的記載內容作為本文記載的一部分。因基板載臺MST的移動所產生的反作用力，也可使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。此反作用力的處理方法，例如，美國專利5，874，820 (特開平8-330224號公報)所詳細揭示的內容，在本國際申請案的指定或選擇的國家法令所容許的範圍內，援用該文獻的記載內容作為本文記載的一部分。如上所述，本申請案的實施形態的曝光裝置EX，通過組裝各種次系統(包含本發明的權利要求書中所列舉的各構成要素)，以能保持既定的機械精度、電氣精度、光學精度的方式所製造。為確保這些各種精度，於組裝前後，進行對各種光學系統進行用以達成光學精度的調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度的調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度的調整。從各種次系統至曝光裝置的組裝製程，包含機械連接、電路的配線連接、氣壓迴路的配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置的組裝製程前，有各次系統個別的組裝製程。當各種次系統至曝光裝置的組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體的各種精度。此外，曝光裝置的製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的潔淨室進行。半導體元件的微元件，如圖33所示，是經由下述步驟所製造，即進行微元件的功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作掩膜版(標線片)的步驟202、製造構成元件基材的基板的步驟203、通過前述實施形態的曝光裝置EX將掩膜版圖案曝光於基板的曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
根據本發明，由於即使在使掃描速度高速化時，也可將液體的液浸區域維持於所欲狀態，因此能以良好效率良好地進行曝光處理。
權利要求
1.一種曝光裝置，是透過液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光，其特徵在於，具備 投影光學系統；以及 液浸機構，供應該液體且回收該液體； 該液浸機構，具有 液體供應口，設於該曝光用光的光路空間外側的第I位置、且供應液體；以及 導引構件，導引液體，使該液體供應口所供應的液體透過該光路空間流向與該光路空間外側的該第I位置相異的第2位置。
2.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該導引構件，是用以防止氣體殘留於該曝光用光的光路空間的液體中而配置。
3.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該導引構件是使液體流動，能使渦流不會產生於該光路空間內。
4.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該導引構件，具有配置於該投影光學系統的像面側、使該曝光用光通過的開口部。
5.如權利要求4所述的曝光裝置，其特徵在於，該開口部呈十字形。
6.如權利要求4所述的曝光裝置，其特徵在於，該液體供應口，是將液體供應至包含該投影光學系統與該導引構件間的空間的內部空間。
7.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該導引構件具有配置成與該基板對向的平坦部。
8.如權利要求7所述的曝光裝置，其特徵在於，該平坦部配置成包圍該曝光用光； 該液浸機構，在相對該曝光用光的光路較該平坦部更外側處，具備配置成與該基板對向的液體回收口。
9.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該液體供應口包含分別設於該光路空間兩側的供應口。
10.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，於該第2位置或其附近配置有排氣口。
11.如權利要求10所述的曝光裝置，其特徵在於，該排氣口，與該投影光學系統的像面周圍的氣體連接。
12.如權利要求10所述的曝光裝置，其特徵在於，該排氣口連接於吸氣系統。
13.如權利要求10所述的曝光裝置，其特徵在於，該排氣口包含分別設於該光路空間兩側的供應口。
14.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，該導引構件，具有用以形成從該第I位置朝向該光路空間的流路的第I導引部、以及用以形成從該光路空間朝向該第2位置的流路的第2導引部，以該第I導引部形成的流路和以該第2導引部形成的流路交叉。
15.如權利要求14所述的曝光裝置，其特徵在於，以該第I導引部與該第2導引部來形成呈十字形的開口部。
16.如權利要求15所述的曝光裝置，其特徵在於，該曝光用光通過該十字形開口部的中央部。
17.如權利要求14所述的曝光裝置，其特徵在於，以該第I導引部形成的流路寬度、以和該第2導引部形成的流路寬度大致相同。
18.如權利要求14所述的曝光裝置，其特徵在於，以該第2導引部形成的流路寬度小於以該第I導引部形成的流路寬度。
19.如權利要求I所述的曝光裝置，其特徵在於，從第I位置透過該光路空間流向第2位置的液體流路彎曲。
20.如權利要求19所述的曝光裝置，其特徵在於，該液體流路是在該光路空間或其附近彎曲。
21.一種曝光裝置，是透過液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光，其特徵在於，具備 光學構件，具有與該液體接觸的端面，並使該曝光用光通過；以及 液浸機構，供應該液體且回收該液體； 該液浸機構，具有配置成與該基板平行對向、且包圍該曝光用光的光路的平坦面，以及相對該曝光用光的光路、於該平坦面外側相對該平坦面傾斜的斜面。
22.如權利要求21所述的曝光裝置，其特徵在於，該平坦面及該斜面是連續形成。
23.如權利要求21所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構，能在該斜面與該基板之間形成液浸區域的界面，該液浸區域的界面是形成於該基板上一部分。
24.如權利要求21所述的曝光裝置，其特徵在於，該斜面相對該平坦面以3 20度的角度傾斜。
25.如權利要求21所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構，具有配置成與該基板對向的回收口。
26.如權利要求25所述的曝光裝置，其特徵在於，該回收口相對該曝光用光的光路形成於該斜面外側。
27.如權利要求25所述的曝光裝置，其特徵在於，於該回收口配置有多孔構件。
28.如權利要求27所述的曝光裝置，其特徵在於，該回收口，能在不伴隨氣體的狀態下僅回收液體。
29.—種曝光裝置，是透過液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光，其特徵在於，具備 光學系統，具有與基板對向的端面，使照射於基板的曝光用光通過；以及 液浸機構，供應該液體且回收該液體； 該液浸機構具有板構件，該板構件具有以和該基板平行對向的方式配置於該基板與該光學系統端面之間、且配置成包圍曝光用光的光路的平坦面； 從供應口將液體供應至該光學系統端面與該板構件間的空間，且透過液體回收口回收從該供應口供應的液體，該液體回收口以在較該板構件的平坦面更離開該曝光用光光路的位置且與基板對向之方式配置； 該液浸機構，具有供來自該液體回收口的液體流動的回收管與連接於該回收管的液體回收部； 該液體回收部，具有連接於該回收管一端部的回收槽、連接於該回收槽上部且連接該回收槽與真空系統的配管、以及連接於該回收槽下部且用來排出被該回收槽回收的液體的配管。
30.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該板構件，具有與該光學系統端面對向的面以及與該基板對向的該平坦面。
31.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該供應口配置於該曝光用光的光路兩側。
32.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該供應口能將氣體供應至該光學系統端面與該板構件間的空間。
33.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構具備不同於該供應口、連接於該光學系統端面與該板構件間的空間的開口。
34.如權利要求33所述的曝光裝置，其特徵在於，透過該開口排出該光學系統端面與該板構件間的空間內的氣體。
35.如權利要求33所述的曝光裝置，其特徵在於，透過該開口回收該光學系統端面與該板構件間的空間內的液體。
36.如權利要求35所述的曝光裝置，其特徵在於，為使該曝光用光的光路空間成為非液浸狀態，而從該開口進行液體的回收。
37.如權利要求33所述的曝光裝置，其特徵在於，該開口連接於吸引機構。
38.如權利要求33所述的曝光裝置，其特徵在於，該開口能將氣體供應至該光學系統端面與該板構件間的空間。
39.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該板構件，對應該曝光用光的照射區域的形狀，而具有該曝光用光通過的既定形狀的開口。
40.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該板構件具有該曝光用光通過的開Π ； 從該供應口供應至該板構件的一面與該光學系統端面間的空間的液體，能透過該開口流入該板構件的另一面與該基板間的空間。
41.如權利要求40所述的曝光裝置，其特徵在於，該供應口配置於該板構件的平坦面上方。
42.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，該供應口朝向與該基板平行的方向送出液體。
43.如權利要求29所述的曝光裝置，其特徵在於，於該基板的曝光中，持續從該供應口供應液體與從該回收口回收液體，而以液體充滿該光學系統的端面與該基板間。
44.如權利要求29項所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構，相對該曝光用光的光路，在該板構件的該平坦面外側具有對此平坦面傾斜的斜面。
45.如權利要求44所述的曝光裝置，其特徵在於，該回收口形成於該斜面。
46.如權利要求44所述的曝光裝置，其特徵在於，該回收口相對該曝光用光的光路形成於該斜面外側。
47.如權利要求44所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構，能在該斜面與該基板之間形成液浸區域的界面，該液浸區域的界面是形成於該基板上一部分。
48.如權利要求44所述的曝光裝置，其特徵在於，該斜面相對該平坦面以3 20度的角度傾斜。
49.如權利要求29至48中任一項的曝光裝置，其特徵在於，該回收管連接於該回收槽上部。
50.如權利要求29至48中任一項所述的曝光裝置，其特徵在於，該液浸機構，具有配置成包圍該光學系統前端部的光學組件周圍的嘴構件； 該嘴構件具有該板構件、該供應口、該液體回收口。
51.一種元件製造方法，其特徵在於 是使用權利要求I至50中任一項所述的曝光裝置。
全文摘要
一種曝光裝置(EX)，是透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於基板(P)，以使基板(P)曝光，具備光學系統(PL)，具有與基板(P)對向的端面(T1)，使照射於基板(P)的曝光用光(EL)通過；以及液浸機構(11，21等)，是供應液體(LQ)且回收液體；該液浸機構具有板構件(172D)，該板構件具有以和基板(P)平行對向的方式配置於基板(P)與光學系統端面(T1)之間、且配置成包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75)；從供應口(12)將液體(LQ)供應至光學系統端面(T1)與板構件(172D)間的空間(G2)，且透過液體回收口(22)回收從該供應口供應的液體，該回收口(22)是在較該板構件的平坦面(75)更離開曝光用光(EL)光路的位置配置成與基板(P)對向。本發明還公開了一種元件製造方法。
文檔編號H01L21/027GK102736446SQ201210184248
公開日2012年10月17日 申請日期2005年6月9日 優先權日2004年6月10日
發明者奧山猛, 長坂博之 申請人:尼康工程股份有限公司, 尼康股份有限公司