制電介質用無鉛玻璃、制電介質用玻璃陶瓷組合物、電介質及層積電介質的製造方法
2023-07-29 19:00:56 1
專利名稱：制電介質用無鉛玻璃、制電介質用玻璃陶瓷組合物、電介質及層積電介質的製造方法
技術領域：
本發明涉及適用於低溫焙燒形成電介質的玻璃和玻璃陶瓷組合物，適用於在高頻領域使用的電路、天線等基板的電介質以及適用於這種基板的層積電介質的製造方法。
背景技術：
電介質被用於，在高頻波領域使用的天線、諧振濾波器等的基板中，為使這種電介質擁有高介電常數，目前已公開了多種玻璃可作為這種電介質材料(例如日本專利特開平7-118060號公報中表1、2所示。)。
這種介電常數高的電介質也可與介電常數低的電介質層積形成電路板被使用(例如日本專利特開2001-284807號公報中所示。)。
近年來，對於這種電介質，希望其低溫焙燒成為可能(例如小於等於900℃焙燒成為可能)、不含鉛、並提高電絕緣性，因而要求減少其鹼金屬氧化物的含量。
本發明就是以提供能解決這樣問題的制電介質用的無鉛玻璃、制電介質用的玻璃陶瓷組合物以及電介質為目的的。
另外，當高介電常數層與低介電常數層層積時，如日本專利特開2001-284807號公報中所公開的將相互組成不同的層層積成一體焙燒時，因為各層間組成不同其焙燒收縮行為往往不同，常常會出現層間脫離和變形的問題。
本發明以提供可解決這樣問題的層積介質的製造方法為目的。
發明的揭示本發明，提供一種制電介質用的無鉛玻璃，以摩爾％計，由以下氧化物SiO220～39％、B2O35～35％、Al2O32～15％、CaO+SrO 1～25％、BaO 5～25％、ZnO 0～35％、TiO2+ZrO2+SnO20～10％形成，其中B2O3+ZnO的含量在15～45％、不含鹼金屬氧化物或其含量低於1％。
另，提供一種由含Ba化合物粉末與前述制電介質用的無鉛玻璃粉末構成主要成分的制電介質用的玻璃陶瓷組合物。
另，提供由前述制電介質用的玻璃狀陶瓷組合物焙燒所得電介質。
另外，提供一種層積電介質的製造方法，即將含經焙燒後所得在頻率f大於等於1MHz時，介電常數介電常數大於等於15，可形成高介電常數層的玻璃陶瓷組合物的高介電常數原料層，和含經焙燒後所得在相同條件下介電常數未滿10，可形成低介電常數層的玻璃陶瓷組合物的低介電常數原料層，層積焙燒製造層積高介電常數層和低介電常數層的層積電介質的方法。前述可形成高介電常數層的玻璃陶瓷組合物為前述制電介質用玻璃陶瓷組合物，前述可形成低介電常數層的玻璃陶瓷組合物由以氧化鋁粉末和前述制電介質用的無鉛玻璃粉末構成主要成分。
本發明者欲將高介電常數的BaTi4O9晶體粉末與可低溫焙燒的無鉛玻璃粉末混合焙燒得高介電常數的電介質，雖然使用了已知的無鉛玻璃粉末，但是未得到具有所希望的介電常數的電介質。
未得到具有所希望的介電常數的電介質，而對所得電介質進行X線折射分析，未確認有BaTi4O9晶體存在。本發明者認為這是未得到具有所希望的介電常數的電介質的直接原因，並且認為這種現象是在BaTi4O9結晶粉末與無鉛玻璃焙燒時發生反應，使該晶體粉末消失而發生的，於是完成了本發明。
發明實施的最佳方式本發明的制電介質用的玻璃陶瓷組合物(以下以本發明的玻璃陶瓷組合物表示)用於製造25℃、50MHz下介電常數(ε)典型的大於15.5的電介質。即本發明的玻璃陶瓷組合物是經經焙燒後得到作為電介質的焙燒體。
本發明的玻璃陶瓷組合物希望即使在小於等於900℃焙燒也可得到緻密的所希望得到的焙燒體。如果這樣，則低溫同時焙燒陶瓷(LTCC)基板用材料、銀膏等低溫焙燒電極用材料均可在小於等於900℃同時焙燒。
焙燒通常在800～900℃保持5～120分鐘。更典型的焙燒溫度為850～900℃。
與銀膏等同時焙燒的銀或者含銀導體形成於焙燒體表面或者內部時，焙燒溫度以小於等於890℃較好。若超過890℃，則在焙燒時銀或含銀導體可能軟化而造成不能保持布線結構形狀，更好為小於等於880℃，特別好為小於等於870℃。
由本發明的玻璃陶瓷組合物焙燒所得電介質，即本發明的電介質的ε以超過15.5較好，更好為大於等於17，特好為大於等於18。經典的ε小於等於30。
另外，本發明的電介質在25℃、20GHz下介電常數(ε20GHz)以及介電損耗(tanδ20GHz)分別以超過15.5、小於等於0.0100較好。若ε20GHz小於等於15.5或者tanδ20GHz超過0.0100，則可能難適用於高頻波天線等。
ε20GHz以大於等於17為好，更好為大於等於18。典型的ε20GHz應小於等於30。另外，tanδ20GHz以小於等於0.0070為好，更好為小於等於0.0050，最好為未滿0.0030。
另外，本發明的電介質在25℃、25GHz下介電常數(ε25GHz)以及介電損耗(tanδ25GHz)分別以超過15.5、小於等於0.0100較好。若ε25GHz小於等於15.5或者tan δ25GHz超過0.0100，則可能難適用於高頻波天線等。
ε25GHz以大於等於17為好，更好為大於等於18。典型的ε25GHz應小於等於30。另外，tanδ25GHz以小於等於0.0070為好，更好為小於等於0.0050，最好為未滿0.0030。
在前述頻率f下，介電損耗(tanδ25GHz)的倒數Q和f的積Qf，以大於等於2800較好，更好為大於等於6700。
本發明的電介質在50MHz時，介電常數在-25～+80℃時，平均溫度變化率(τε)以在-90～+70ppm/℃為好，更好為-50～+30ppm/℃。從-25℃至+80℃每間隔1℃測量前述介電常數，將所得溫度-介電常數曲線進行線性回歸，所得直線的斜率除以ε即得τε。
本發明的電介質，以存在含Ba化合物晶體，或者BaTi4O9晶體為好，其含Ba化合物晶體中除含Ba外還含有Ti，其中Ti/Ba摩爾比為3.5～5.0。若不含有任何前述晶體，則可能有造成如ε20GHz過小或者tanδ20GHz過大的危險。
本發明的電介質中也可含有無礙本發明目的的範圍內的前述晶體以外的晶體。
對於本發明的電介質，若欲增加其機械強度，則以含有鋅尖晶石或者剛玉為好，若欲使其介電損耗減小的同時增加其機械強度等，則以含有鋇長石(BaAl2Si2O8晶體)或者六鋇長石(ヘケサセルシアン)(BaAl2Si2O8晶體)為好。
作為可存在於本發明的電介質中的晶體，其他可例舉如BaTi5O11晶體、Ba2Ti9O20晶體、BaWO4晶體、金紅石(TiO2)晶體。
本發明的電介質如使用於高頻波天線時，可成基板狀用於插線天線(patchantenna)、或成杆狀、模穴狀用於杆狀、模穴狀天線。
由本發明的電介質形成的基板可適用於高頻波插線天線的基板等。這種天線基板等的基板中含有前述含Ba化合物晶體或者BaTi4O9晶體，以ε以及ε20GHz均超過15.5，tanδ20GHz小於等於0.0070為好，更好為tanδ20GHz未滿0.0030。另外，該基板的Qf以大於等於2800為好，更好為大於等於6700。
本發明的制電介質用的無鉛玻璃(以下稱為本發明的玻璃)通常是粉末，該粉末適合成為本發明的玻璃陶瓷組合物的成分。但是本發明的玻璃的用途不僅限定於此。
本發明的玻璃的軟化點Ts以小於等於800℃為好。Ts若超過800℃，則在本發明的玻璃粉末中添加BaTi4O9晶體粉末等陶瓷粉末後在小於等於900℃焙燒時，有可能得不到緻密的焙燒體。
另外，本發明的玻璃粉末用於本發明的玻璃陶瓷組合物中時，若Ts超過800℃，則該粉末的含量必須增加，結果可能導致本發明的電介質的介電常數變小，或者介電損耗變大。Ts值較好為小於等於780℃。如果欲在即使如前述在小於等於880℃焙燒也得到緻密焙燒體，則Ts值較好為小於等於770℃，更好為小於等於760℃。
下面，對於本發明的玻璃的組成將摩爾％以％簡單表示進行說明。
SiO2是玻璃的網絡結構，是必要成分。SiO2未滿20％則難以玻璃化，較好為大於等於30％。SiO2若超過39％則Ts升高造成在小於等於900℃時難以焙燒或者焙燒體的介電常數變小，其含量較好為小於等於36％，更好為小於等於35％。
B2O3可使玻璃穩定或者有降低Ts的作用，是必要成分。若未滿5％則前述效果變小，較好為大於等於11％。B2O3若超過35％則可能造成玻璃的化學穩定性下降，較好為小於等於28％。
Al2O3可使玻璃穩定或者有提高化學耐久性的作用，是必要成分。Al2O3若未滿2％則前述效果變小，較好為大於等於4％，更好為大於等於6％。Al2O3若超過15％則Ts升高，較好為小於等於12％，更好為小於等於8％。
CaO以及SrO有穩定玻璃的效果，必須含有大於等於1種。CaO以及SrO的總含量若未滿1％則前述效果變小，較好為大於等於5％，更好為大於等於6％，若超過25％玻璃反而不穩定，或者介電常數變小，較好為小於等於20％，更好為小於等於17％。
CaO含量較好為大於等於5％。
含有SrO時，其含量較好為大於等於1％。
BaO是為了使在含有BaTi4O9晶體粉末等含Ba化合物粉末的本發明的玻璃陶瓷組合物經焙燒後所得電介質中，仍殘存BaTi4O9晶體等含Ba化合物晶體，而添加的成分，是必要成分。BaO未滿5％則含Ba化合物粉末在焙燒時與玻璃成分反應，造成電介質中較難殘存含Ba化合物晶體，電介質的介電常數變小，或者介電損耗變大。或者當含Ba化合物粉末是BaTi4O9晶體粉末時，BaTi4O9晶體粉末在焙燒時與玻璃成分反應，例如變成金紅石，結果可能造成τε過小。BaO含量較好為大於等於7％，更好為大於等於10％。BaO若超過25％則玻璃會不穩定，或者介電損耗變大，較好為小於等於20％，更好為小於等於18％。
ZnO是非必要成分，但為了降低Ts或者穩定玻璃可含有小於等於35％的ZnO。ZnO若超過35％則可能造成化學耐久性下降，或者玻璃穩定性反而下降，其含量較好為小於等於25％。若含有ZnO時，則其含量較好為大於等於6％，更好為大於等於11％。
B2O3和ZnO的總含量在15～45％範圍內。若其總含量未滿15％則造成玻璃不穩定或者Ts升高，較好為大於等於25％。另外，若超過45％則化學耐久性降低，較好為小於等於40％，更好為小於等於35％。
TiO2、ZrO2以及SnO2均不是必需的，為增大ε或者提高化學耐久性，可加入總含量不超過10％的上述三物質。該含量若超過10％則形成粉末，在焙燒時晶體化速度變大，不易燒結，造成焙燒體緻密性下降，較好為小於等於5％。
本發明的玻璃主要是由前述成分構成，為降低Ts、使玻璃著色等，在不損害本發明目的的範圍內，也可添加其他成分。若本發明的玻璃中含有這樣的成分，則這些成分的總含量較好為小於等於10％。若該含量超過10％，則玻璃有不穩定的可能，較好為未滿5％。
作為這種成分，可舉例如，MgO、P2O5、Y2O3、Ga2O3、In2O3、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、La2O3、Sm2O3、MoO3、WO3、Fe2O3、MnO、CuO、CoO、Cr2O3。
因有使電絕緣性下降的可能，因此以不含有Li2O、Na2O、K2O等鹼金屬氧化物為好。若含有鹼金屬氧化物，則該氧化物的總含量較好為未滿1％。
另外，本發明的玻璃不含有PbO。
以下，對本發明的玻璃陶瓷組合物的組成用質量百分比表示進行說明。
含Ba化合物粉末是為了使焙燒體介電常數增大，進一步減少介電損耗而添加的成分，是必需的。含Ba化合物不限於結晶，也可是固溶體，可例舉如BaTi4O9結晶、BaTi5O11結晶、Ba2Ti9O20結晶、BaZrO3結晶、BaWO4結晶、BaSmTi5O14結晶、Ba(Ti，Zr)O3固溶體、Ba(Zr，Zn，Ta)O3固溶體、(BaO，Sm2O3)4TiO2固溶體。含Ba化合物，以含有高頻波領域具有介電常數大且介電損耗小的特徵的BaTi4O9結晶，或BaTi4O9結晶較好。
BaTi4O9結晶粉末可按以下的方法製成。即，碳酸鋇粉末與氧化鈦粉末按Ba/Ti摩爾比3.5～4.5混合得混合粉末，經球磨機等粉碎成粉碎混合粉末，所得粉碎混合粉末保持在1000～1500℃使碳酸鋇粉末和氧化鈦粉末反應。前述保持溫度較好在1050～1250℃。
如此製得粉末(以下稱為BT粉末)的X線折射峰中確認有BaTi4O9結晶的折射峰。
另外，BT粉末中除BaTi4O9結晶以外的結晶，如Ba2Ti9O20結晶、BaTi5O11結晶、TiO2結晶等的折射峰均被確認。
含Ba化合物粉末，除Ba外，含有含Ti化合物粉末，在該化合物中Ti/Ba摩爾比較好為3.5～5.0。
含Ba化合物粉末較好為BT粉末。
含Ba化合物粉末的質量平均粒徑(D50)以在0.5～15μm範圍內為宜。D50若超過15μm則很難得到緻密的焙燒體，較好為小於等於10μm，更好為小於等於5μm。
含Ba化合物粉末的含量以在25～75％為宜，若未滿25％則有可能造成焙燒體的介電常數變小，較好為大於等於35％，特好為大於等於45％。若超過75％，則較難得到緻密的焙燒體，較好為小於等於65％。
本發明的玻璃粉末是為增加焙燒體緻密性而添加的成分，是必需的。
本發明的玻璃粉末的含量以在25～75％為宜，若含量未滿25％則較難得到緻密的焙燒體，較好為大於等於35％，若超過75％則造成介電常數變小，介電損耗變大，或者有τε變大的可能，較好為小於等於65％，特好為小於等於55％。
本發明的玻璃粉末的D50以在0.5～20μm為好。D50若超過20μm則較難得到緻密的焙燒體，較好為小於等於15μm，更好為小於等於7μm，特好為小於等於5μm，另外較好為大於等於1μm，更好為大於等於2μm。
本發明的玻璃陶瓷組合物主要由以上成分構成，在不損害本發明目的的範圍內，也可含有其他成分。其他成分以不含有鉛為好，另外其他成分的總含量較好為小於等於20％，更好為小於等於10％。
例如，作為前述其他成分，為達到增大介電常數，調整τε等目的，可含有從MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3、以及TiO2等中選擇的大於等於1種的結晶粉末。這種情況時，其總含量較好在0.1～20％，典型的含量為0.5～10％。若需增大τε，則較好加入選自MgTiO3、CaTiO3以及SrTiO3等中的大於等於1種的結晶粉末；若需減小τε，則較好加入TiO2；若欲提高焙燒體的緻密性以及結晶化率，則較好加入MgO、ZrO2等粉末。
本發明的玻璃陶瓷組合物也可經未燒結薄片(グリ一ンシ一ト)化用於製造電介質。這種情況時，本發明的玻璃陶瓷組合物可加入聚乙烯醇縮丁醛、丙烯酸樹脂等樹脂成分，甲苯、二甲苯、丁醇、丙醇等溶劑，以及必要時添加的鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸丁酯苄酯、三甘醇等增塑劑、分散劑混合，形成生料，這種生料在聚對苯二甲酸乙二酯等的薄膜上用刮片法塗布，乾燥形成未燒結薄片。
以下，說明本發明的層積電介質的製造方法(以下稱為本發明的製造方法)。
本發明的製造方法，適用於製造典型的在1GHz～30GHz等高頻波領域使用的小型天線基板中用到的層積電介質。
作為這種小型天線基板，可舉例按照低介電常數層、高介電常數層、高介電常數層、低介電常數層的順序4層層積形成的層積電介質，作為第2層的高介電常數層與作為第3層的高介電常數層之間形成放射導體層。
層積電介質用於適用於稱之為超寬帶傳送方式的通信技術的天線等中時，典型的，前述頻率f在3GHz～12GHz範圍內，高介電常數層在f時介電常數(εf)為15～23，低介電常數層的εf為5～9。高介電常數層與低介電常數層的εf較好分別為17～22、6～8。
高介電常數原料層以及低介電常數原料層均為前述未燒結薄片是典型情況。但不限於此，例如也可是玻璃陶瓷組合物與載體混合得到玻璃糊。
經焙燒後所得應作為低介電常數層的玻璃陶瓷組合物用質量百分比表示，較好為氧化鋁粉末含量為25～75％，本發明的玻璃粉末含量為25～75％。更好為前者含量為40～60％，後者含量為40～60％。
在本發明的製造方法中高介電常數原料層以及低介電常數原料層使用同種玻璃粉末，因此由於玻璃粉末不同造成的問題，即焙燒時由於兩層間的反應、兩層的收縮行為不同造成的兩層剝離、變形的問題是不會發生或難以發生的。
實施例按表1從SiO2至SnO2欄中用摩爾％表示組成，將原料調和，混合，混合所得原料放入鉑坩鍋中在1550～1600℃熔融60分鐘後，將熔融玻璃倒出冷卻。所得玻璃在氧化鋁製球磨機中以乙醇作為溶劑粉碎20～60小時，得到玻璃粉末G1～G5。另，G5的熔融是在1650℃進行60分鐘。
各玻璃粉末的D50(單位μm)用雷射折射粒度分布儀(島津製作所制SALD2100)測量，用熱分析裝置(マツクサイエンス公司制TG-DTA2000)，升溫速度10℃/分，升至1000℃，測量玻璃化溫度Tg(單位℃)、Ts(單位℃)、結晶化峰溫度Tc(單位℃)。另，G5的Ts不能用此法測定，G1、G2、G5的結晶化峰也不能用此法確認。
BT粉末用以下方法製成。即BaCO3(堺化學工業公司制碳酸鋇BW-KT)88g與TiO2(關東化學公司制試藥金紅石型)130g以及溶劑水在球磨機中混合，乾燥後在1150℃保持2小時。之後用球磨機粉碎60小時，得到D50為0.9μm的粉末。這種粉末經X線折射分析確定為含有BaTi4O9結晶強折射峰形的BT粉末。
(表1)
將各粉末，按照表2從玻璃粉末至T粉末欄中用質量百分率表示的比率混合，得到玻璃陶瓷組合物(例1～例8)。玻璃粉末是指在表2中玻璃種類欄中所示的玻璃粉末，MT粉末是指富士鈦工業公司制的鈦酸鎂粉末MT，CT粉末是指前述公司制鈦酸鈣粉末CT，T粉末是指堺化學工業公司制氧化鈦粉末SR1。使用時分別使用前述粉末。
例1～8中各玻璃陶瓷組合物20g放入40mm×40mm金屬模中加壓成形，將所得物在不同溫度，例1～5、7、8為870℃、例6為860℃分別保持60分鐘進行焙燒，得到厚度約為6mm的焙燒體。
測定所得焙燒體的ε、τε(單位ppm/℃)、ε20GHz、tanδ20GHz，鑑定焙燒體中存在的結晶。結果與Qf一同示於表2。
ε、τε焙燒體對半切斷，將所得上下兩面分別切削，磨製加工使厚度成為1mm，用阻抗測定儀(ヒコ一レツトバカ一ド公司制HP4291A)以及恆溫槽測定ε和τε。
ε20GHz、tanδ20GHz焙燒體的一部分加工成為直徑為4.0～4.5mm高度為2.5～3.0mm的圓筒狀，用アジレントテクノロジ一公司制電路分析儀8722ES以及キ一コム公司制平行導體板型電介質共振法測定系統，在20GHz測定介電常數和介電損耗。例4、7、8未測定。
結晶焙燒體粉碎成粉末，用X線折射法鑑定其結晶。表中，A為金紅石、B為BaTi4O9結晶、C為鋇長石(BaAl2Si2O8晶體)、D為六鋇長石(ヘケサセルシアン)(BaAl2Si2O8晶體)、E為Ba2TiSi2O9結晶。
(表2)
將例6的混合粉末50g與有機溶劑(甲苯、二甲苯、異丙醇、2-丁醇質量比4∶2∶2∶1混合所得溶劑)15g、增塑劑(鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯)2.5g、樹脂(デンカ公司制聚乙烯醇縮丁醛PVK#3000K)5g以及分散劑(ビツクケミ一公司制BYK180)0.3g混合形成生料，將此生料用刮片法在PET薄膜上塗布，乾燥形成厚度為0.2mm未燒結薄片(高介電常數未燒結薄片＝高介電常數原料層)。
另外，用質量百分率表示，將玻璃G1粉末45％、氧化鋁粉末(住友化學工業公司制スミコランダムAA 2)55％製成玻璃陶瓷組合物，同樣加工得到厚度為0.2mm的未燒結薄片(低介電常數未燒結薄片＝低電常數原料層)。
另外，對於這種由低介電常數原料層未燒結薄片焙燒所得的焙燒體，在25GHz按照以下方法測量其介電常數。即，將未燒結薄片截斷成6個50mm×50mm的小塊，將這些小塊層疊起來，在15MPa，加壓壓緊1分鐘。所得壓製品在550℃保持5分鐘使樹脂成分分解除去後，在860℃保持1小時得到焙燒體。將所得焙燒體上下兩面進行鏡面研磨，得到厚度為250μm的樣品。將這種樣品用前述電路分析儀8722ES以及25GHz空洞共振器利用空洞共振法測量其介電常數和介電損耗，結果分別是7.6、0.0019。
將高介電常數未燒結薄片和低介電常數未燒結薄片各4塊切成40mm×40mm大小。
然後，將低介電常數未燒結薄片2塊、高介電常數未燒結薄片2塊、高介電常數未燒結薄片2塊、低介電常數未燒結薄片2塊按照順序排列層疊起來，形成未燒結薄片層積體。另外，在第2塊高介電常數未燒結薄片的上面，用絲網板印刷法形成經焙燒可成為放射導體的銀漿結構。
未燒結薄片層積體在80℃加熱壓著5分鐘後，在550℃保持5小時，使樹脂成分分解除去，之後在860℃保持1小時進行焙燒，得到層積電介質。該層積電介質未見層間界面反應、電介質層剝離以及電介質層變形中的任一現象。
產業利用的可能性本發明方法使即使在小於等於900℃也可焙燒成具有較大ε值的電介質成為可能，這樣使形成銀電極所需的與銀膏同時焙燒成為可能。
本發明之一實施方式可得到在高頻波領域介電常數的平均溫度變化率小的電介質。另外，本發明之另一實施方式可得到在高頻波領域介電損耗小的電介質。
高介電常數層與低介電常數層積疊所得層積電介質中，形成各層的原料層在同時焙燒時，兩層界面間不發生反應或很少發生反應，兩層焙燒時由於收縮行為不同而造成的兩層剝離、變形的情況也不發生或很少發生。
權利要求
1.電介質形成用無鉛玻璃，其特徵在於，以摩爾％計，實質上由以下氧化物SiO220～39％、B2O35～35％、Al2O32～15％、CaO+SrO 1～25％、BaO 5～25％、ZnO 0～35％、TiO2+ZrO2+SnO20～10％形成，B2O3+ZnO為15～45％，不含鹼金屬氧化物或該氧化物的合計含量未滿1％。
2.如權利要求1所述的電介質形成用無鉛玻璃，其特徵還在於，軟化點小於等於800℃。
3.電介質形成用玻璃陶瓷組合物，其特徵在於，實質上由含Ba化合物粉末與權利要求1或2所述的電介質形成用無鉛玻璃的粉末構成。
4.如權利要求3所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物，其特徵還在於，用質量百分率表示，含Ba化合物粉末的含量為25～75％，前述電介質形成用無鉛玻璃粉末的含量為25～75％。
5.如權利要求3或4所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物，其特徵還在於，含Ba化合物粉末除含有Ba外還含有含Ti的化合物粉末，該化合物中的Ti/Ba的摩爾比為3.5～5.0。
6.如權利要求3或4所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物，其特徵還在於，含Ba化合物粉末是BaTi4O9結晶粉末。
7.如權利要求3～6中任一項所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物，其特徵還在於，用質量百分率表示，合計含有0.1～20％的選自MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3及TiO2的1種或1種以上的結晶粉末。
8.電介質，其特徵在於，由權利要求3～7中任一項所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物焙燒得到。
9.如權利要求8所述的電介質，其特徵還在於，存在含Ba化合物結晶或BaTi4O9結晶，該含Ba化合物除含Ba外還含有Ti，Ti/Ba摩爾比為3.5～5.0。
10.如權利要求8或9所述的電介質，其特徵還在於，25℃、50MHz下的介電常數超過15.5。
11.如權利要求8～10中任一項所述的電介質，其特徵還在於，25℃、20GHz下的介電常數超過15.5，介電損耗未滿0.0070。
12.如權利要求8～11中任一項所述的電介質，其特徵還在於，50MHz下的介電常數在-25～+80℃範圍內的平均溫度變化率為-90～+70ppm/℃。
13.層積電介質的製造方法，它是層積並焙燒高介電常數原料層和低介電常數原料層，製造層積了高介電常數層和低介電常數層的層積電介質的方法，所述高介電常數原料層含有經焙燒後可形成頻率f大於等於1MHz時的介電常數大於等於15的高介電常數層的玻璃陶瓷組合物，所述低介電常數原料層含有經焙燒後可形成相同條件下的介電常數未滿10的低介電常數層的玻璃陶瓷組合物，其特徵在於，可形成前述高介電常數層的玻璃陶瓷組合物為權利要求3～7中任一項所述的電介質形成用玻璃陶瓷組合物，可形成前述低介電常數層的玻璃陶瓷組合物實質上由氧化鋁粉末和權利要求1或2所述的電介質形成用無鉛玻璃的粉末構成。
14.如權利要求13所述的層積電介質的製造方法，其特徵還在於，用質量百分率表示，可形成前述低介電常數層的玻璃陶瓷組合物中的氧化鋁粉末含量為25～75％，前述電介質形成用無鉛玻璃粉末的含量為25～75％。
全文摘要
一種制電介質用無鉛玻璃，以摩爾％計，由以下氧化物SiO
文檔編號H01B3/12GK1771211SQ200480009438
公開日2006年5月10日 申請日期2004年4月12日 優先權日2003年4月21日
發明者伊藤和弘, 大崎康子, 中山勝壽, 渡邊一成, 千葉次郎 申請人:旭硝子株式會社