從襯底表面去除汙染物與原生氧化物的方法
2023-11-01 18:37:12 2
專利名稱：從襯底表面去除汙染物與原生氧化物的方法
從襯底表面去除汙染物與原生氧化物的方法發明背景發明領域本發明的各實施例一般涉及從半導體襯底表面去除原生氧化物和汙染物。相關技術的描述集成電路形成於矽及其它半導體襯底之中及之上。在單晶矽的例子中，襯底是由由熔融矽的浴生成錠塊，並接著將固化的錠塊鋸成多個晶片而製成的。外延矽層可接著形成於單晶矽晶片上，以形成可摻雜或未摻雜的無缺陷矽層。半導體裝置(如，電晶體)由外延矽層而製造。所形成的外延矽層的電特性一般將優於單晶矽襯底的特性。當單晶矽和外延矽層的表面暴露至典型周圍環境的條件時，單晶矽和外延矽層的表面易受到汙染。舉例來說，在沉積外延層之前，原生氧化層可形成於單晶矽表面上。此外，周遭環境中存在的汙染物可能沉積於單晶矽表面上。原生氧化層或汙染物存在於單晶矽表面上對接著形成於單晶矽表面上的外延層的質量產生不利地影響。儘管目前的清潔方法從單晶矽表面去除一些原生氧化物和汙染物，仍存在一些汙染物。因此，需要更有效率的方法，以從襯底表面去除原生氧化物和汙染物。
發明內容
本發明的各實施例一般涉及用於從襯底表面去除汙染物和原生氧化物的方法。所述方法一般包含暴露襯底至氧化源，所述襯底具有氧化層於襯底上。氧化源氧化位於氧化層下方的襯底的上部，以形成具有增加厚度的氧化層。接著去除具有增加厚度的氧化層以暴露襯底的乾淨表面。去除氧化層一般包含去除存在於氧化層之中和之上的汙染物，特別是那些存在於氧化層和襯底的界面處的汙染物。外延層可接著形成於襯底的乾淨表面上。於一個實施例中，一種清潔襯底表面的方法包括放置襯底於腔室中。所述襯底具有氧化層於所述襯底上，並且所述氧化層具有第一厚度。通過暴露所述襯底至氧化源而增加所述氧化層的厚度至第二厚度。從所述襯底去除所述氧化層，以及在去除所述氧化層後，在所述襯底上沉積材料層。在另一實施例中，一種清潔襯底表面的方法包括放置襯底於第一腔室中，所述襯底具有氧化層於所述襯底上。所述襯底具有在所述襯底和所述氧化層之間的界面處的汙染物。通過暴露所述襯底至氧化源以氧化所述襯底的上部並延伸所述氧化層至所述汙染物下的一深度而增加所述氧化層的厚度。接著，從所述襯底去除所述氧化層和所述汙染物。在另一實施例中，一種清潔襯底表面的方法包括放置襯底於第一腔室中。所述襯底包括單晶矽，所述單晶矽具有原生氧化層於所述襯底上。所述原生氧化層具有第一厚度。通過暴露所述襯底至氧化源而增加所述原生氧化層的厚度，所述氧化源選自氧、臭氧及蒸氣所組成的組。放置所述襯底於第二腔室中，以及在熱工藝期間從所述襯底去除所述氧化層。接著在所述襯底上形成外延層。附圖簡要說明
依本發明於上所列舉的特徵的方式可詳細地理解，本發明的更具體的說明(簡短概述於發明內容中)可參照實施例(這些實施例的一部分圖示於附圖中)而獲得。然而，應注意，附圖僅說明本發明的典型實施例，且因此附圖不被視為對本發明範圍的限制，因本發明可允許其它等效的實施例。
圖1示出用於半導體處理的組合工具的平面圖。圖2為清潔腔室的概要截面圖。圖3A至圖3D為依據一個實施例的半導體襯底的概圖。圖4為用於清潔半導體襯底的方法的流程圖。圖5A至圖5C為說明娃襯底的界面汙染和形成於所述娃襯底上的外延層的圖。為促進理解，儘可能使用相同的參考符號以指定所有圖中共同的相同元件。應考慮者，於一個實施例中所公開的元件可有利地使用於其它實施例上而無需贅述。具體描沭本發明的各實施例一般涉及從襯底表面去除汙染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露襯底至氧化源，所述襯底具有氧化層於襯底上。氧化源氧化位於氧化層下方的襯底的上部，以形成具有增加厚度的氧化層。具有增加厚度的氧化層接著被去除以暴露襯底的乾淨表面。去除氧化層一般包含去除存在於氧化層之中和之上的汙染物，特別是那些存在於氧化層和襯底的界面處的汙染物。外延層可接著形成於襯底的乾淨表面上。本發明的各實施例可有益地實行於半導體清潔腔室中，如SiCoNi 預清潔腔室，可由美國加州的應用材料公司取得。也可使用可從其它製造商取得的腔室以執行於此所述的實施例。圖1示出用於半導體處理的組合工具100的平面圖。組合工具100是包含多個腔室的模塊系統，所述腔室在半導體製造工藝中執行各種功能。組合工具100包括經由一對負載鎖定腔室105而連接至前端環境104的中央傳送腔室107。工廠界面機械手108設置於前端環境104中，並構造成以於負載鎖定腔室105和安裝於前段環境104上的多個艙103之間置換襯底。控制器102耦接至中央傳送腔室107。控制器102包含計算機可讀媒體且適於執行用以依據於此所述的方法處理襯底的一或多個程序。多個腔室101A-D安裝至中央傳送腔室以執行所需的工藝。設置於中央傳送腔室107的中央機械手106構造成以於負載鎖定腔室105和多個腔室101A-D之間，或於多個腔室101A-D之間傳送襯底。多個腔室101A-D可包括一或多個清潔腔室、注入腔室、退火腔室、蝕刻腔室或沉積腔室的任何組合。舉例來說，腔室IOlA和IOlB可為清潔腔室,而腔室IOlC和IOlD可為適於在半導體襯底上生長或沉積外延層的沉積腔室。於一實施例中，與氧化源耦接的第一腔室、適於執行幹蝕刻工藝的第二清潔腔室和外延沉積腔室耦接至中央傳送腔室 107。圖2為清潔腔室的概要截面圖。腔室201可實際上有益於執行熱或以等離子體為基礎的氧化工藝及/或以等離子體輔助的幹蝕刻工藝。腔室201包含腔室主體212、蓋組件214及支撐組件216。蓋組件214設置於腔室主體212的上端，且支撐組件216至少部分設置於腔室主體212內。可使用真空系統以從腔室201去除氣體。真空系統包含耦接至真空埠 221的真空泵218，所述真空埠 221設置於腔室主體212中。蓋組件214包含至少兩個堆疊的部件，所述堆疊的部件構造成以於所述堆疊的部件之間形成等離子體容積或腔。第一電極220垂直地設置於第二電極222上方，以限制出等離子體容積。第一電極220連接至功率源224(如，射頻(RF)功率源)，且第二電極222連接至地面或源返回(source return),在第一電極220和第二電極222之間形成電容。蓋組件214還包含一或多個氣體入口 226，用以經由阻隔板228和氣體分配板230而提供清潔氣體至襯底表面。清潔氣體可為蝕刻劑或離子化活性基(如，離子化氟或氯)或氧化劑(如，臭氧)。此外，腔室201包含控制器202，用以於腔室201內控制工藝。支撐組件216可包含襯底支撐件232，用以於處理期間支撐襯底210於襯底支撐件232上。襯底支撐件232可由軸236而耦接至致動器234，軸236延伸通過形成於腔室主體212的底面中的中央位置開口。致動器234可由波紋管(bellow)(圖未示)而柔性地密封至腔室主體212，所述波紋管防止圍繞軸236的真空洩漏。致動器234允許襯底支撐件232在腔室主體212內的工藝位置和較低的傳送位置之間垂直地移動。傳送位置位於形成於腔室主體212的側壁中的狹縫閥的開口的略下方。襯底支撐件232具有平的或實質上平的表面，所述表面用以支撐待處理的襯底於表面上。襯底支撐件232可由致動器234(致動器234由軸236而耦接至襯底支撐件232)而於腔室主體212內垂直移動。於操作時，襯底支撐件232可升高至緊鄰蓋組件214的位置以控制正被處理的襯底210的溫度。因此，襯底210可經由從分配板230的散發輻射或對流而加熱。圖3A至圖3D為依據一個實施例的半導體襯底的概圖。圖3A示出襯底310，所述襯底310具有氧化層352A設置於所述襯底310上，所述氧化層352A具有第一厚度T1。典型的襯底包含矽、鍺和II1-V族化合物(如，砷化鎵、磷化鎵和氮化鎵)。於一個實施例中，襯底310可為半導體襯底(如，矽)，且氧化層352A可為原生氧化層(如，二氧化矽)。襯底310還可包含雜質或汙染物354A。一般而言，當襯底310於處理設備之間傳送時，或當襯底310被傳送至處理腔室(所述處理腔室具有汙染物於所述處理腔室中)時，汙染物354A沉積於襯底310的表面上。然而，汙染物354A也可於其它位置及以其它方式而引入至襯底310。於此所使用的汙染物可包含任何不需要的材料(如，顆粒物或原子)，所述不需要的材料可能不利地或不合需要地影響襯底處理。舉例來說，汙染物354A可包含硼、氦、氟或氯原子，這些原子存在於襯底310周圍的氣氛中且於處理前不合需要地埋入於襯底310中。汙染物354A可接觸襯底310的表面或氧化層352A並擴散或埋入至氧化層352A內。附加地或替代地，汙染物354A可接觸襯底310的表面且氧化層352A可環繞汙染物354A及/或位於汙染物354A上而形成。汙染物可位於氧化層352A內，於襯底/氧化層界面356A處，或甚至位於界面356A的略下方，並部分地埋入於襯底310中。於圖3B中，襯底310具有氧化層352B於所述襯底310上，氧化層352B具有第二厚度T2。氧化層352Α的厚度向下延伸至第二界面358b，因此形成具有厚度T2的氧化層352B。於圖3B所示的實施例中，襯底310已暴露至氧化源(如，氧化氣體)以氧化於第一界面356B和第二界面358B之間的襯底310的額外材料。通過暴露襯底310的上部至氧化氣體而犧牲地氧化襯底310的上部，襯底/氧化層界面從第一界面356B延伸或移至第二界面358B。第一界面356B代表在氧化襯底310的上部前位於襯底310和氧化層352A之間的界面。第二界面358B代表位於氧化層352B和下方(未氧化)襯底表面之間的界面。應理解，氧化層352B與具有增加厚度的氧化層352A相同。為說明的目的，氧化層352B將可視為當襯底310的上部氧化時形成。然而，氧化層352B的形成相當於增加氧化層352A的厚度。因此，氧化層352B並不是除氧化層352A外的獨立層，而是氧化層352B代表具有增加深度或厚度的氧化層352A。通過增加或延伸氧化層352A至第二界面358B以形成氧化層352B，氧化層352B包覆襯底310的上表面，包含會包覆汙染物354A。因此，氧化層352B包含發現於第一界面356B處的汙染物354A，和於形成氧化層352B前發現於襯底310的上表面的最先幾埃內的汙染物。氧化層352B—般具有約8埃或更多的厚度1~2 (如，約8埃至約25埃)。較佳地，氧化層352B具有約15埃至約25埃(如，約15埃)的厚度T2。於一個實施例中，氧化層352Β可具有約25埃或更大的厚度Τ2。當處理多個襯底時(如於圖1的組合工具中)，多個襯底表面從第一界面356Β至第二界面358Β的氧化可使用一套工藝配方而一致地複製。用於增加氧化層352Α厚度以形成具有厚度T2的氧化層352Β的合適氧化源包含氧、臭氧、原位或非原位蒸氣或任何其它不會引進額外汙染物至襯底310的表面的氧化劑。可採用多個氧化方法和腔室以通過犧牲地氧化襯底310的上部而形成氧化層352Β。舉例來說，可使用可由美國加州應用材料公司取得的Applied Radox RTP腔室以於熱環境中使用氧自由基而形成氧化層352B。在增加氧化層352A的厚度至第二界面358B時，襯底310可同時被加熱至低於約1100攝氏度的溫度，因此形成氧化層352B。於一個實施例中，襯底310的溫度可介於約625攝氏度和900攝氏度之間。襯底310的上部也可使用低溫氧化工藝(如去耦合等離子體氧化工藝)而被氧化以形成氧化層352B。去耦合等離子體氧化工藝使用離子化氣體或等離子體以增加氧化層352A的厚度。去耦合等離子體氧化工藝可於執行時維持襯底310於約25攝氏度。較佳地，使用低溫工藝氧化襯底310，使得襯底310的總熱預算減少。將襯底310暴露至高溫工藝於延長時段(高熱預算)可導致對襯底310的損害並降低最終裝置效能。因此，若可採用時，較佳地使用低溫工藝以減少總熱預算。於圖3C中，氧化層352B已從襯底310去除。既然氧化層352B延伸至第二界面358B,當氧化層352B去除時，第二界面358B上的汙染物也去除。如果氧化層352A的厚度並未延伸至第二界面358B以形成氧化層352B，位於第一界面356B和第二界面358B之間的汙染物在去除氧化層352A後，仍殘留於襯底310上。因此，更多的汙染物可通過將現存的氧化層從厚度T1氧化至增加厚度T2且接著去除氧化層而從襯底310的表面去除。相對地，如果氧化層352A的厚度未增加，大量的汙染物將於去除氧化層352A後殘留於襯底310上。既然存在於襯底310的犧牲上部中的汙染物也被去除，去除具有厚度T2的氧化層352B使得襯底表面357C具有實質較少的汙染物於襯底表面357C上。汙染物的減少改善後續沉積薄膜的質量和沉積率及總體最終裝置效能。於圖3D中，外延層360D接著沉積於襯底310的襯底表面357C上，在外延層360D和襯底表面357C之間產生界面。襯底表面357C上面具有較少數量的汙染物，且為實質無氧化物。既然襯底表面347C具有較少數量的汙染物於襯底表面347C上，外延層360D可較容易地及較均勻地生長或沉積於襯底310上。於一個實施例中，外延層360D為矽外延層、矽鍺外延層或矽碳外延層。於另一個實施例中，外延層包括摻雜物(如硼或磷)。圖4為用於清潔半導體襯底的方法的流程圖。於操作472中，具有氧化層於襯底上的襯底置於襯底清潔腔室中。於一個實施例中，清潔腔室為獨立腔室，所述獨立腔室不與其它處理腔室共享中央傳送腔室。於操作474中，通過於清潔腔室內暴露襯底至氧化源，並氧化位於氧化層下方的襯底的上部而增加氧化層的厚度。設置於襯底上的氧化層的厚度通過犧牲地氧化接近現存氧化層下方的襯底的上部而增加。較佳地，氧化層的厚度增加至超過於第一襯底/氧化層界面處所發現的大部分汙染物的位置處。於操作476中，從襯底的表面去除具有增加厚度的氧化層。氧化層可以於操作472中所使用的相同襯底清潔腔室而去除，或襯底可被傳送至另一腔室以去除氧化層。於一個實施例中，襯底可傳送至組合工具，所述組合工具包含一或兩個清潔腔室和外延沉積腔室。當氧化層去除時，於氧化層中發現的大部分汙染物，和於第一襯底/氧化層界面(於增加氧化層厚度前的界面)處的任何汙染物被去除，直到第二襯底/氧化層界面(於增加氧化層厚度後的界面)的深度。因此，襯底表面的上部可犧牲地氧化至足以去除所需數量的汙染物的深度。與氧化層的厚度未增加的情況相比，去除氧化層和汙染物產生更乾淨的襯底表面，所述襯底表面用於後續地沉積材料層於襯底表面上。於操作478中，襯底傳送至沉積腔室，且外延層生長或形成於氧化層與汙染物已被去除的襯底表面上。圖5A至圖5C為說明娃襯底的界面汙染和形成於所述娃襯底上的外延層的圖。於圖5A中，具有原生氧化層於矽襯底上的矽襯底使用離子活性基蝕刻而清潔。接著，矽鍺外延層在約700攝氏度時生長於矽襯底上。鍺的急劇下降表明介於矽襯底和外延層間的界面A。於界面A處，包含約22.2%的鍺的矽鍺外延層於矽襯底上生長。每立方釐米的氯、氮、氟、碳、氧和硼原子的濃度由以二次離子質譜儀所測量而顯示。矽襯底中和外延層中氯原子的濃度為約每立方釐米5xl015個原子。然而，在介於矽襯底和外延層之間的界面A處，氯原子濃度為約每立方釐米IxlO18個原子。矽襯底內和外延層內的氮和氟的濃度為約每立方釐米6xl016個原子。於界面處，氮和氟的濃度為約每立方釐米IxlO17個原子。矽襯底內和外延層內的碳的濃度為約每立方釐米2xl017個原子，而於界面A處的碳的濃度為約每立方釐米8xl017個原子。矽襯底內的氧的濃度為約每立方釐米5xl017個原子，而外延層中的氧的濃度為約每立方釐米3xl017個原子。於界面A處，氧的濃度為約每立方釐米IxlO19個原子。外延層已被摻雜成硼濃度為約每立方釐米5xl019個原子，而因由硼摻雜的外延層擴散至矽襯底的緣故，矽襯底內的硼濃度具有漸減的硼濃度。對所示的原子而言，每一原子的界面濃度大於矽襯底內或外延層內的濃度，如於界面A的濃度峰值所示。於圖5B中，具有原生氧化物於矽襯底上的矽襯底使用離子活性基蝕刻而清潔。於離子活性基蝕刻前，在Applied Radox RTP腔室中矽襯底被增加至約650攝氏度的溫度，並暴露至氧自由基，所述Applied Radox RTP腔室可從美國加州應用材料公司取得。原生氧化層的厚度增加至約15埃。襯底被傳送至清潔腔室，且氧化層從襯底蝕刻。襯底接著傳送至沉積腔室，且硼摻雜的矽鍺外延層於約700攝氏度時生長於襯底上。矽鍺外延層包含約22.0%的鍺。每立方釐米的氯、氮、氟、碳、氧及硼原子的濃度由以二次離子質譜儀所測量而顯示。矽襯底中和外延層中氯和氟原子的濃度具有約每立方釐米3xl015個原子的平均濃度。於介於矽襯底和外延層之間的界面A處，氯原子濃度為約每立方釐米6xl015個原子，且氟原子濃度為約每立方釐米2xl015個原子。於矽襯底內和外延層內的氮的濃度為約每立方釐米IxlO16個原子。氮的濃度於界面處為約每立方釐米2xl016個原子。於矽襯底內和於外延層內靠近界面處的碳的濃度為約每立方釐米IxlO17個原子，所述濃度約與於界面A處的碳濃度相等。於矽襯底內的氧的濃度為約每立方釐米5xl017個原子，所述濃度約與於界面A處的氧濃度相等。外延層已被摻雜成硼濃度為約每立方釐米4xl019個原子，而因由摻雜的外延層擴散至矽襯底的緣故，於矽襯底內的硼濃度具有漸減的硼濃度。將圖5B與圖5A比較，圖5B缺少於圖5圖的界面A處所發現的原子濃度峰值。一般認為，襯底的上部的犧牲氧化幫助於界面A處去除更多的原子，這些原子導致在界面A處的界面汙染。因此，襯底的上部的氧化及增加厚度的氧化層的去除導致具有較少界面汙染的乾淨襯底表面，如圖5B中所
/Jn ο於圖5C中，具有原生氧化層於矽襯底上的矽襯底使用離子活性基蝕刻而清潔。於離子活性基蝕刻前，矽襯底的上部在室溫下通過在氧化腔室中暴露至氧化等離子體而氧化。襯底的上部被氧化以將原生氧化層的厚度增加至約15埃的深度。襯底被傳送至清潔腔室，且氧化層從襯底蝕刻。襯底接著傳送至沉積腔室，且硼摻雜的矽鍺外延層於約攝氏700度時生長於襯底上。矽鍺外延層包含約20.9%的鍺。每立方釐米的氯、氮、氟、碳、氧及硼原子的濃度由以二次離子質譜儀所測量而顯示。矽襯底中和外延層中的氯原子的濃度為約每立方釐米7xl015個原子，所述濃度約與於界面A處的氯原子濃度相等。矽襯底內和外延層內的氮原子和氟原子的濃度為約每立方釐米7xl016個原子，所述濃度約與於界面A處的氮原子和氟原子濃度相等。矽襯底內和外延層內的碳的濃度為約每立方釐米2xl017個原子。於界面A處的碳原子的濃度為約每立方釐米3xl017個原子。矽襯底內的氧的濃度為約每立方釐米8xl017個原子。外延層內的氧的濃度為約每立方釐米4xl017個原子。界面A處的氧的濃度為約每立方釐米7xl017個原子。外延層已被摻雜成硼濃度為約每立方釐米5xl019個原子，而因由硼摻雜的外延層擴散至矽襯底的緣故，矽襯底內的硼濃度具有漸減的硼濃度。如圖5C中所示，界面汙染可通過於去除氧化層前，進一步氧化於襯底上的現存氧化層至一增加深度而減少。通過犧牲地氧化於現存氧化層下的襯底表面的部分，現存氧化層和襯底的氧化的上部表面可於清潔工藝中去除，因此從襯底的表面去除較多的汙染物。如上所解釋，相對高的汙染物濃度可於襯底/氧化層界面處發現。氧化層厚度的增加增加了在清潔工藝期間將要從襯底去除的材料數量。較佳地，氧化層厚度增加至足以包圍界面汙染的程度，當氧化層從襯底表面去除時，界面汙染於是與氧化層去除。與圖5B類似，於去除氧化物前，通過犧牲地氧化襯底的上部而進一步氧化氧化層導致減少的界面汙染。界面汙染的減少由在界面A處的原子濃度的相對程度(如，在界面處缺少濃度峰值)而示出在圖5C中。本發明的優點包含在沉積工藝前從襯底表面大量去除汙染物。大量去除汙染物產生使用於後續工藝中的乾淨的襯底表面。通過在去除氧化層前，增加存在於襯底表面上的氧化層厚度，可從襯底表面去除大量的材料。所去除的大量材料幫助去除界面汙染，所述界面汙染於傳統清潔工藝中可能不會被去除。界面汙染的減少允許更均勻和更高質量的外延層生長或形成於襯底上，提高了最終製造裝置的總體質量。儘管前述部分針對本發明的實施例，本發明的其它或進一步的實施例可設計而不 背離本發明的基本範圍，且本發明的範圍由以下的權利要求而確定。
權利要求
1.一種清潔襯底表面的方法，所述方法包括以下步驟: 放置襯底於腔室中，所述襯底具有氧化層於所述襯底上，所述氧化層具有第一厚度； 通過暴露所述襯底至氧化源而增加所述氧化層的厚度至第二厚度； 從所述襯底去除所述氧化層；以及 在去除所述氧化層後，在所述襯底上沉積材料層。
2.按權利要求1所述的方法，其中所述氧化源選自氧、臭氧及蒸氣所組成的組。
3.按權利要求2所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 在去除所述氧化層前，放置所述襯底於第二腔室中。
4.按權利要求3所述的方法，其中所述材料層為外延層，所述襯底包括單晶矽，且所述氧化層包括二氧化矽。
5.按權利要求4所述的方法，其中去除所述氧化層的步驟還包括以下步驟: 從所述襯底的表面去除汙染物，並且其中所述氧化層使用熱工藝、幹蝕刻工藝或溼蝕刻工藝而去除。
6.按權利要求5所述的方法，其中所述第二厚度為約25埃或更厚。
7.按權利要求1所述的方法，其中增加所述氧化層的厚度的步驟發生在襯底溫度低於約1100攝氏度時。
8.按權利要求7所述的方法，其中增加所述氧化層的厚度的步驟發生在襯底溫度從約625攝氏度至約900攝氏度的範圍內時。
9.按權利要求7所述的方法，其中增加所述氧化層的厚度的步驟發生在襯底溫度約25攝氏度時。
10.一種清潔襯底表面的方法，所述方法包括以下步驟: 放置襯底於第一腔室中，所述襯底具有氧化層於所述襯底上，所述襯底具有在所述襯底和所述氧化層之間的界面處的汙染物； 通過暴露所述襯底至氧化源以氧化所述襯底的上部並延伸所述氧化層至所述汙染物下的一深度而增加所述氧化層的厚度；以及從所述襯底去除所述氧化層和所述汙染物。
11.按權利要求10所述的方法，其中所述襯底包括單晶矽，且所述氧化層包括二氧化矽。
12.按權利要求10所述的方法，其中所述氧化層是使用熱工藝、幹蝕刻工藝或溼蝕刻工藝而去除，並且其中所述氧化源包括氧、臭氧或蒸氣。
13.按權利要求10所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 在去除所述氧化層後，在所述襯底上沉積矽鍺外延層。
14.一種清潔襯底表面的方法，所述方法包括以下步驟: 放置襯底於第一腔室中，所述襯底包括單晶矽，所述單晶矽具有原生氧化層於所述襯底上，所述原生氧化層具有第一厚度； 通過暴露所述襯底至氧化源而增加所述原生氧化層的厚度，所述氧化源選自氧、臭氧及蒸氣所組成的組； 放置所述襯底於第二腔室中； 在熱工藝期間從所述襯底去除所述氧化層；以及在所述襯底上形成外延層。
15.按權利要求14 所述的方法，其中去除所述氧化層的步驟還包括以下步驟:從所述襯底的表面去除汙染物。
全文摘要
本發明的各實施例一般涉及從襯底表面去除汙染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露襯底至氧化源，所述襯底具有氧化層於襯底上。氧化源氧化位於氧化層下方的襯底的上部，以形成具有增加厚度的氧化層。具有增加厚度的氧化層接著去除以暴露襯底的乾淨表面。去除氧化層一般包含去除存在於氧化層之中和之上的汙染物，特別是那些存在於氧化層和襯底的界面處的汙染物。外延層可接著形成於襯底的乾淨表面上。
文檔編號H01L21/311GK103098177SQ201180036284
公開日2013年5月8日 申請日期2011年7月6日 優先權日2010年8月4日
發明者薩瑟施·庫珀奧, 馬尼施·赫姆卡, 溫德蘭, 金以寬 申請人:應用材料公司