電源模塊及其封裝集成方法
2023-11-09 23:41:12
專利名稱：電源模塊及其封裝集成方法
技術領域：
本發明涉及電源設備技術領域，具體涉及一種電源模塊及其封裝集成方法。
背景技術：
電源模塊的主要元件包括功率開關，控制ICdntegrated circuit，集成電路)、輸入電容、輸出電容、功率電感和用於信號處理的電阻和電容。功率開關常用的是 MOSFET (Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應電晶體)或IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型電晶體)，控制 IC可以是驅動晶片、或PWM(Pulse Width Modulation，脈衝寬度調製)控制晶片，或兩者的組合。目前，電源和半導體廠商都在發展電源模塊的封裝集成技術，電源廠商和半導體廠商的集成方案在晶片級半導體封裝集成領域逐漸產生交集，多採用集成M0SFET、IC、無源器件 (如電感、電阻、電容等)的結構，內嵌PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)或其他基板，採用金絲或銅絲鍵合的互連方式。MOSFET作為開關，受IC控制或驅動，完成對輸入電壓的脈寬調製，經過電感、電容濾波，輸出負載需要的電壓。在現有的電源模塊中，電感可以採用多銅片與銅引線框架焊接，外加磁芯形成，也可以是將現成的電感元件通過SMT (Surface MountTechnology，表面貼裝技術)焊接在銅引線框架上。根據IC和MOSFET的集成方式不同，電源模塊的封裝集成結構也有所不同，主要有以下兩種方式1. IC和MOSFET可以集成在一個晶片上，IC和MOSFET集成晶片通過金絲鍵合與引線框架和電感連接。2. IC和MOSFET為獨立的晶片，IC組裝在PCB上，PCB再組裝到引線框架上，IC和 MOSFET晶片之間通過金絲或銅絲鍵合互連。不論上述哪種封裝集成結構，由於均需要採用多根金絲或銅絲鍵合進行電連接， 不僅成本高，而且由於金絲鍵合工藝本身的缺陷，例如金線直徑較細、線長較長，使得散熱、 工作時的寄生阻抗等寄生參數不理想，影響電源效率。另外，對於上述第2種方式，由於增加了一層PCB互連，增加了工藝技術難度和成本。
發明內容
本發明實施例提供一種電源模塊及其封裝集成方法，以解決現有技術中採用金絲鍵合連接方式會增加寄生參數、影響散熱性能及電源效率的問題，並簡化互連方式。為了解決以上技術問題，本發明實施例採取的技術方案是一種電源模塊，包括引線框架、無源器件、集成電路IC和功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體M0SFET，所述無源器件通過表面貼裝技術焊接在所述引線框架上；所述 IC為倒裝晶片，通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在所述引線框架上。一種電源模塊封裝集成方法，包括將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；
將集成了功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET和集成電路IC的倒裝晶片利用晶片倒裝技術貼裝並焊接到所述引線框架上，形成一個電源模塊；對所述電源模塊進行塑封；塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。一種電源模塊封裝集成方法，包括將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；將兩片功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET晶片分別焊接到所述引線框架上；將倒裝晶片形式的集成電路IC晶片貼裝並焊接到所述引線框架上，形成一個電源模塊；對所述電源模塊進行塑封；塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。一種電源模塊封裝集成方法，包括將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；將倒裝晶片形式的集成電路IC晶片通過晶片倒裝技術貼裝並焊接到引線框架上；將兩片功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET晶片和兩片銅片進行交替堆疊貼裝，以實現MOSFET晶片和引線框架電連接，形成一個電源模塊；對所述電源模塊進行塑封；塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。本發明實施例提供的電源模塊及其封裝集成方法，無源器件通過表面貼裝技術焊接在所述引線框架上，將IC設計為倒裝晶片，通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在引線框架上，無需金絲或銅絲鍵合連接，晶片與引線框架連接距離短，可以有效降低寄生參數，提高散熱性能及電源效率。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發明實施例中倒裝晶片與引線框架連接的示意圖；圖2是本發明實施例電源模塊的一種單晶片結構示意圖；圖3是本發明實施例電源模塊的另一種單晶片結構示意圖；圖4是本發明實施例電源模塊的另一種單晶片結構示意圖；圖5是本發明實施例電源模塊的另一種單晶片結構示意圖；圖6是本發明實施例電源模塊的一種三晶片結構的示意圖；圖7是本發明實施例中垂直結構的倒裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖；圖8是本發明實施例中垂直結構的正裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖；圖9是本發明實施例中平面結構的倒裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意5
圖10是本發明實施例中平面結構的正裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖；圖11是本發明實施例電源模塊的另一種三晶片結構的示意圖。
具體實施例方式為了使本技術領域的人員更好地理解本發明實施例的方案，下面結合附圖和實施方式對本發明實施例作進一步的詳細說明。針對現有技術中電源模塊中採用金絲或銅絲鍵合連接存在的一些問題，本發明實施例提供一種電源模塊，包括引線框架、無源器件、IC和M0SFET。上述無源器件包括功率電感、輸入電容、輸出電容、電阻等無源器件，這些無源器件通過表面貼裝技術焊接在所述引線框架上。在本發明實施例中，IC為倒裝晶片，通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在所述引線框架上。IC可以作為MOSFET的驅動晶片。在電源模塊中，通常需要兩個MOSFET。為此，在本發明實施例的電源模塊中，可以將兩個MOSFET與上述IC集成在一個倒裝晶片上(以下簡稱單晶片結構)；也可以將兩個 MOSFET設計為獨立於上述IC的兩個晶片(以下簡稱三晶片結構)，並且在這種情況下，兩個MOSFET晶片可以設計為倒裝晶片或正裝晶片。所謂倒裝晶片和正裝晶片是指晶片的兩種不同封裝方式。倒裝晶片封裝方式為晶片正面朝下向基板，無需引線鍵合，形成最短電路，降低電阻；在倒裝晶片下方有用來與引線框架焊接的金屬焊點，比如銅柱焊點或錫球焊點，倒裝晶片與引線框架連接的連接方式如圖1所示，倒裝晶片11通過金屬焊點12焊接在引線框架 10上。正裝晶片是傳統結構的晶片，通過晶片底面與引線框架連接。下面分別以單晶片結構和三晶片結構為例，進一步舉例詳細說明本發明實施例的電源模塊。如圖2所示，是本發明實施例電源模塊的一種單晶片結構示意圖。在該實施例中，無源器件211、212、213通過表面貼裝技術焊接在引線框架20上， 上述無源器件具體可以是電感、電容、電阻等。兩個MOSFET與IC集成在倒裝晶片22上，倒裝晶片22通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在引線框架20上。該實施例中的引線框架20可以是陣列結構，即一片引線框架上有呈矩陣排列的多個模塊。對於這種結構的電源模塊，可以採用以下組裝順序進行集成(1)將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；(2)經過清洗後，將集成了 MOSFET和IC的倒裝晶片利用晶片倒裝技術貼裝並焊接到引線框架上，然後對整個模塊進行清洗；(3)通過底部填充技術將倒裝晶片底部用填充膠填充並固化，然後對整個模塊進行清洗；(4)通過塑封技術將整個模塊塑封；(5)塑封完成後，將電源模塊通過衝壓分離或切割分離。需要說明的是，上述步驟(2)和(3)中的清洗或(3)中的底部填充過程是可選的， 可根據實際需要來決定是否進行各清洗或底部填充過程。
另外，在實際應用中，也可以靈活調整上述組裝順序，比如，先組裝倒裝晶片，再組裝無源器件。可見，本發明實施例的電源模塊，無需金絲或銅絲鍵合連接，利用倒裝晶片將 MOSFET和IC直接貼裝到引線框架上，晶片與引線框架連接距離短，可以有效降低寄生參數，提高散熱性能及電源效率。為了進一步提高電源模塊的散熱性能，在本發明實施例中，還可以在上述集成了 MOSFET和IC的倒裝晶片背面設置銅片，以利於散熱並降低電氣噪聲。上述銅片可以焊接在上述倒裝晶片背面，也可以通過高導熱膠粘接在上述倒裝晶片背面。通過配合適當的晶片設計，將晶片上集成的兩個MOSFET全部設計成垂直結構或部分設計成垂直結構，MOSFET 的電極可以在晶片的上表面，上述銅片還可以作為MOSFET電極對外的連線，提供電連接功能。在實際應用中，上述銅片的結構、貼裝位置及貼裝方式可根據倒裝晶片的大小及安裝位置進行靈活設計，對此本發明實施例不做限定，下面僅舉例說明。如圖3所示，是本發明實施例電源模塊的另一種單晶片結構示意圖。與圖2所示實施例不同的是，在該實施例中，在倒裝晶片22的背面貼裝有兩片銅片31、32。銅片31、32分別通過其彎折邊與引線框架20相連。銅片31、32不僅可以起到散熱和降低電氣噪聲的作用，而且當晶片中集成的兩個MOSFET設計成垂直結構時還可以作為MOSFET電極對外的連線，提供電連接的功能。如圖4和圖5所示，是圖3所示的單晶片結構電源模塊的變形結構示意圖。在這兩種結構中，在倒裝晶片22的背面貼裝有一片銅片，如圖4中的銅片41和圖 5中的銅片51，圖4和圖5中的銅片不同的是，銅片的彎折邊與引線框架20的不同位置相連。同樣，在這兩種結構中，銅片31、32不僅可以起到散熱和降低電氣噪聲的作用，而且當晶片中集成的一個MOSFET設計成垂直結構時還可以作為其電極對外的連線，提供電連接的功能。晶片中的另一個MOSFET可以設計成平面結構，通過倒裝晶片的焊球與所述引線框架連接，或直接通過晶片內部結構實現與另一個MOSFET的連接。當然，在實際應用中，上述電源模塊還可以有多種其他變形結構，對此不再一一舉例說明。上述圖3至圖5所示的電源模塊的組裝集成過程與前面提到的圖2所示電源模塊的組裝集成過程類似，在此不再贅述。在上述單晶片結構實施例中，作為一種銅片的替代方案，圖3中的31、32，圖4中的41，圖5中的51，可以使用鋁帶代替銅片，鋁帶通過鋁線、鋁帶焊接技術，焊接到對應的晶片表面和引線框架表面。鋁帶是一種形狀類似銅片的帶狀互連材料。前面提到，本發明實施例的電源模塊中，可以將兩個MOSFET與上述IC集成在一個倒裝晶片上(以下簡稱單晶片結構)；也可以將兩個MOSFET設計為獨立於上述IC的兩個晶片(以下簡稱三晶片結構)，並且在這種情況下，兩個MOSFET晶片可以設計為倒裝晶片或正裝晶片。如圖6所示，是本發明實施例電源模塊的一種三晶片結構的示意圖。在該實施例中，無源器件611、612、613通過表面貼裝技術焊接在引線框架60上，上述無源器件具體可以是電感、電容、電阻等。IC和兩個MOSFET為三個獨立的晶片，如圖中所示的IC晶片62和MOSFET晶片63、64。其中，IC晶片62為倒裝晶片，通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在引線框架60上；兩個MOSFET晶片63、64可以是倒裝晶片，也可以是正裝晶片，分別通過與晶片封裝相適應的方式焊接在引線框架60上。MOSFET晶片63通過銅片631與引線框架60相連，MOSFET晶片64通過銅片641 與引線框架60相連。銅片631和銅片641分別通過焊接或粘接(比如利用高導熱膠粘接) 方式與各自對應的MOSFET晶片和引線框架60相連，實現MOSFET晶片與引線框架60的連接、以及兩個MOSFET晶片之間的互連。該實施例中的引線框架60可以是陣列結構，即一片引線框架上有呈矩陣排列的多個模塊。這種結構的電源模塊，可以採用以下組裝順序進行集成(1)將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；(2)經過清洗後，將兩片MOSFET晶片分別焊接到引線框架上；對於倒裝MOSFET晶片，可以通過倒裝晶片貼裝技術，將其貼裝並焊接到引線框架上；對於正裝晶片，可以通過正裝晶片貼裝技術，利用焊錫或高導熱膠將其焊接到引線框架上；(3)通過銅片貼裝技術，將銅片焊接(比如通過焊錫焊接技術)或粘接(比如利用高導熱膠)到MOSFET晶片和引線框架上，完成MOSFET和引線框架的互連，然後對整個模塊進行清洗；(4)將倒裝晶片形式的IC晶片通過晶片倒裝技術貼裝並焊接到引線框架上，然後對整個模塊進行清洗；(5)通過底部填充技術將倒裝晶片底部用填充膠填充並固化，在對整個模塊進行
清洗；(6)通過塑封技術將整個模塊塑封；(7)塑封完成後，將電源模塊通過衝壓分離或切割分離。需要說明的是，上述步驟(幻_ 中的清洗或( 中的底部填充過程是可選的，可根據實際需要來決定是否進行各清洗或底部填充過程。另外，在實際應用中，也可以靈活調整上述組裝順序，比如，先組裝各晶片，再組裝無源器件。需要說明的是，圖6中的兩個MOSFET可以是兩個垂直結構的倒裝MOSFET晶片，但根據應用需要，也可以採用垂直結構的正裝MOSFET晶片，當然，還可以採用平面結構的倒裝或正裝MOSFET晶片，只是MOSFET的結構和封裝不同時，與該MOSFET晶片貼裝的銅片的數量及連接方式需要適當的調整，貼裝在MOSFET晶片上的銅片可以與MOSFET的不同電極相連。另外，本發明實施例中的兩個MOSFET晶片的結構和封裝形式可以完全相同，也可以不同。下面分別對本發明實施例中不同結構及封裝形式的MOSFET與引線框架的連接方式做簡單說明。垂直結構的MOSFET的源極和漏極之間的電流在晶片上下表面之間縱向穿過，其源極和漏極分別位於晶片上下表面；平面結構的MOSFET的源極和漏極之間的電流沿晶片單個表面橫向穿過，其源極和漏極位於同一平面。
如圖7所示，是本發明實施例中垂直結構的倒裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖。在該圖中，倒裝MOSFET晶片71下表面的兩個電極通過倒裝晶片焊球分別與引線框架70的焊端相連接，上表面的電極通過與其貼裝的銅片72與引線框架70的焊端相連接。如圖8所示，是本發明實施例中垂直結構的正裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖。在該圖中，正裝的MOSFET晶片81下表面的電極通過焊錫或高導熱膠連接引線框架80上的焊端，上表面的兩個電極各自通過與其貼裝的銅片821、822與引線框架80上的焊端相連接。如圖9所示，是本發明實施例中平面結構的倒裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖。在該圖中，倒裝的MOSFET晶片91下表面的電極通過倒裝晶片的焊球焊接到引線框架90上的焊端，實現MOSFET的三個電極與引線框架90的連接。如圖10所示，是本發明實施例中平面結構的正裝MOSFET晶片與引線框架的連接示意圖。在該圖中，正裝的MOSFET晶片101下表面通過焊錫或高導熱膠連接引線框架100 上的焊端，上表面的三個電極各自通過與其貼裝的銅片1011、1012、1013與引線框架100上的焊端相連接。在上述三晶片結構實施例中，作為一種銅片的替代方案，圖6中的631、641，圖7中的72，圖8中的821、822，圖10中的1011、1012、1013，可以使用鋁帶代替銅片。鋁帶通過鋁線、鋁帶焊接技術，焊接到對應的晶片表面和引線框架表面。鋁帶是一種形狀類似銅片的帶狀互連材料。可見，本發明實施例的電源模塊，MOSFET晶片互連無需金絲或銅絲鍵合，而且IC晶片的安裝無需內嵌的PCB或其他基板，而是利用晶片倒裝技術將IC直接貼裝到引線框架上， 晶片與引線框架連接距離短，可以有效降低寄生參數，改善晶片散熱通道及散熱性能，提高電源模塊性能，無源器件也是通過表面貼裝技術直接焊接在引線框架上的。本發明實施例的電源模塊，成本低，而且大大減少了內部焊點數量，降低了焊點失效概率，提高了可靠性。如圖11所示，是本發明實施例電源模塊的另一種三晶片結構的示意圖。在該實施例中，無源器件611、612、613通過表面貼裝技術焊接在引線框架60上， 上述無源器件具體可以是電感、電容、電阻等。IC和兩個MOSFET為三個獨立的晶片，如圖中所示的IC晶片62和MOSFET晶片65、66。其中，IC晶片62為倒裝晶片，通過晶片倒裝技術貼裝並焊接在引線框架60上；兩個MOSFET晶片65、66可以是倒裝晶片。與圖6所示結構不同的是，在該實施例中，兩個MOSFET晶片65、66和兩個銅片 651、661交替堆疊貼裝，如圖11所示，MOSFET晶片65通過與晶片封裝相應的方式焊接在引線框架60上，銅片651通過銅片貼裝技術(即焊接或粘接)貼裝在MOSFET晶片65上，然後再將MOSFET晶片66通過與晶片封裝相應的方式焊接在銅片651上，銅片661通過銅片貼裝技術貼裝在MOSFET晶片66上。兩個銅片651、661用於實現兩個MOSFET晶片與引線框架60的連接、以及兩個MOSFET晶片的互連。
該實施例中的引線框架60可以是陣列結構，即一片引線框架上有呈矩陣排列的多個模塊。對於這種結構的電源模塊，可以採用以下組裝順序進行集成(1)將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；(2)將倒裝晶片形式的IC晶片通過晶片倒裝技術貼裝並焊接到引線框架上，然後對整個模塊進行清洗；(3)通過底部填充技術將倒裝晶片底部用填充膠填充並固化，在對整個模塊進行
清洗；(4)將兩片MOSFET晶片和兩片銅片進行交替堆疊貼裝，完成MOSFET晶片和引線框架的互連，然後對整個模塊進行清洗；(5)通過塑封技術將整個模塊塑封；(6)塑封完成後，將電源模塊通過衝壓分離或切割分離。需要說明的是，上述步驟0)-(5)中的清洗過程或(3)中的底部填充過程是可選的，可根據實際需要來決定是否進行各清洗或底部填充過程。另外，在實際應用中，也可以靈活調整上述組裝順序，比如，先組裝各晶片，再組裝無源器件。另外需要說明的是，在實際應用中，MOSFET晶片和銅片的位置及堆疊次序也可以根據實際使用的MOSFET晶片的結構及封裝形式靈活調整，只要通過貼裝在MOSFET晶片上的銅片能夠實現MOSFET的電極與引線框架的連接即可，對此本發明實施例不做限定。可見，本發明實施例的電源模塊，MOSFET晶片互連無需金絲或銅絲鍵合，而且IC 晶片的安裝無需內嵌的PCB或其他基板，而是利用倒裝晶片將IC直接貼裝到引線框架上， 晶片與引線框架連接距離短，可以有效降低寄生參數，改善晶片散熱通道及散熱性能，提高電源模塊性能，無源器件也是通過表面貼裝技術直接焊接在引線框架上的。本發明實施例的電源模塊，成本低，而且大大減少了內部焊點數量，降低了焊點失效概率，提高了可靠性。在上述三晶片結構實施例中，作為一種銅片的替代方案，圖11中的銅片可以使用鋁帶代替。鋁帶通過鋁線、鋁帶焊接技術，焊接到對應的晶片表面和引線框架表面。鋁帶是一種形狀類似銅片的帶狀互連材料。需要說明的是，上述各實施例中的IC可以是只包含用於驅動MOSFET驅動電路的驅動晶片，也可以是帶有PWM控制器的控制、驅動晶片，該PWM控制器用於控制上述驅動電路。本發明實施例的技術方案，可以用於P0L(Point Of Load，點負載)電源的半導體封裝集成，也可以用於PWM控制器的封裝集成，而且也可以作為二次電源模塊集成的部分。需要說明的是，本說明書中的各個實施例均採用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。 可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現本實施例方案的目的。本領域普通技術人員在不付出創造性勞動的情況下，即可以理解並實施。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並非用於限定本發明的保護範圍。凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換、改進等，均包含在本發明的保護範圍內。
權利要求
1.一種電源模塊，包括引線框架、無源器件、集成電路IC和功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體M0SFET，其特徵在於所述無源器件通過表面貼裝技術焊接在所述引線框架上；所述IC為倒裝晶片，貼裝並焊接在所述引線框架上。
2.如權利要求1所述的電源模塊，所述無源器件包括輸入電容、輸出電容和功率電感。
3.如權利要求2所述的電源模塊，所述IC是所述MOSFET的驅動晶片。
4.如權利要求1至3任一項所述的電源模塊，其特徵在於，所述MOSFET與所述IC集成在一個倒裝晶片上。
5.如權利要求4所述的電源模塊，其特徵在於，還包括設置在所述倒裝晶片背面的金屬片，用於散熱並降低電氣噪聲。
6.如權利要求5述的電源模塊，其特徵在於， 所述金屬片焊接在所述倒裝晶片背面；或者所述金屬片通過高導熱膠粘接在所述倒裝晶片背面。
7.如權利要求5所述的電源模塊，其特徵在於，所述金屬片具有彎折邊，所述彎折邊與引線框架電連接。
8.如權利要求1至3任一項所述的電源模塊，其特徵在於，所述MOSFET為兩個獨立的 MOSFET晶片，分別焊接在所述引線框架上。
9.如權利要求8所述的電源模塊，其特徵在於，所述兩個獨立的MOSFET晶片中任意一個是平面結構的倒裝MOSFET晶片； 或者，所述兩個獨立的MOSFET晶片中任意一個是垂直結構的倒裝MOSFET晶片，並且所述垂直結構的倒裝MOSFET晶片上貼裝有一個金屬片，所述金屬片用於實現該MOSFET晶片上的電極與引線框架的電連接；或者，所述兩個獨立的MOSFET晶片中任意一個是垂直結構的正裝MOSFET晶片，並且所述垂直結構的正裝MOSFET晶片上貼裝有兩個金屬片，所述金屬片用於實現該MOSFET晶片上的電極與引線框架的電連接；或者，所述兩個獨立的MOSFET晶片中任意一個是平面結構的正裝MOSFET晶片，並且所述平面結構的正裝MOSFET晶片上貼裝有三個金屬片，所述金屬片用於實現該MOSFET晶片上的電極與引線框架的電連接。
10.如權利要求1至3任一項所述的電源模塊，其特徵在於，所述MOSFET為兩個獨立的倒裝MOSFET晶片，兩個MOSFET晶片和兩個金屬片交替堆疊貼裝，所述兩個金屬片用於實現所述MOSFET晶片與引線框架的電連接、和/或兩個MOSFET晶片之間的電連接。
11.如權利要求5、9或10所述的電源模塊，其特徵在於，所述金屬片為銅片或鋁片。
12.一種電源模塊封裝集成方法，其特徵在於，包括 將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；將集成了功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET和集成電路IC的倒裝晶片利用晶片倒裝技術貼裝並焊接到所述引線框架上，形成一個電源模塊； 對所述電源模塊進行塑封； 塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。
13.一種電源模塊封裝集成方法，其特徵在於，包括 將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；將兩片功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET晶片分別焊接到所述引線框架上；將倒裝晶片形式的集成電路IC晶片利用晶片倒裝技術貼裝並焊接到所述引線框架上，形成一個電源模塊；對所述電源模塊進行塑封； 塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。
14.如權利要求12所述的電源模塊封裝集成方法，其特徵在於， 所述MOSFET晶片中任意一個是平面結構的倒裝MOSFET晶片；或者，所述MOSFET晶片中任意一個是垂直結構的倒裝MOSFET晶片，所述方法還包括 將一個金屬片貼裝在該MOSFET晶片上，並且使所述金屬片分別與MOSFET的一個電極和所述引線框架電連接；或者，所述MOSFET晶片中任意一個是垂直結構的正裝MOSFET晶片，所述方法還包括 將兩個金屬片貼裝在該MOSFET晶片上，並且使各金屬片分別與MOSFET的一個電極和所述引線框架電連接，不同金屬片連接MOSFET的不同電極；或者，所述MOSFET晶片中任意一個是平面結構的正裝MOSFET晶片，所述方法還包括 將三個金屬片貼裝在該MOSFET晶片上，並且使各金屬片分別與MOSFET的一個電極和所述引線框架電連接，不同金屬片連接MOSFET的不同電極。
15.一種電源模塊封裝集成方法，其特徵在於，包括 將無源器件通過表面貼裝技術焊接到引線框架上；將倒裝晶片形式的集成電路IC晶片通過晶片倒裝技術貼裝並焊接到引線框架上； 將兩片功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET晶片和兩片銅片進行交替堆疊貼裝，以實現MOSFET晶片和引線框架電連接，形成一個電源模塊； 對所述電源模塊進行塑封； 塑封完成後，將所述電源模塊進行分離。
全文摘要
一種電源模塊及其封裝集成方法，該電源模塊包括引線框架、無源器件、集成電路IC和功率開關金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET，所述無源器件通過表面貼裝技術焊接在所述引線框架上；所述IC為倒裝晶片，貼裝並焊接在所述引線框架上。
文檔編號H01L21/50GK102171825SQ201180000413
公開日2011年8月31日 申請日期2011年4月29日 優先權日2011年4月29日
發明者周濤, 段志華, 毛恆春, 陳鍇 申請人:華為技術有限公司