基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統的製作方法
2023-11-05 05:09:42 1
基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統的製作方法
【專利摘要】本發明公開了基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，主要由信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路組成，其特徵在於：在信號放大電路的輸入端還設置有信號變換電路；所述信號變換電路由轉換晶片K，變壓器T1，串接在變壓器T1副邊同名端與非同名端之間的電容C1，與電容C1相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的OSC1管腳相連接、發射極經電阻R1後與轉換晶片K的OSC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的OSC2管腳相連的三極體VT1，一端與三極體VT1的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；本發明可以使振蕩系統適用於很寬的頻率範圍，從而擴大了振蕩系統的應用場合。
【專利說明】
基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種系統，具體是指基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統。
【背景技術】
[0002]隨著電子技術的不斷發展，振蕩器作為產生重複電子訊號(通常是正弦波或方波)的電子元件應用越來越廣泛。其種類很多，按振蕩激勵方式可分為自激振蕩器、他激振蕩器；按電路結構可分為阻容振蕩器、電感電容振蕩器、晶體振蕩器、音叉振蕩器等；按輸出波形可分為正弦波、方波、鋸齒波等振蕩器。目前廣泛用於電子工業、醫療、科學研究等方面。
[0003]然而目前的振蕩器系統所適用的頻率範圍較小,這就使得振蕩系統應用範圍具有很大的局限性。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在於解決目前的振蕩系統所適用的頻率範圍較小的缺陷，提供一種基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統。
[0005]本發明的目的通過下述技術方案現實:基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，主要由信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路組成。在信號放大電路的輸入端還設置有信號變換電路；所述信號變換電路由轉換晶片K，變壓器Tl，串接在變壓器Tl副邊同名端與非同名端之間的電容Cl，與電容Cl相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的OSCl管腳相連接、發射極經電阻Rl後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連的三極體VT1，一端與三極體VTl的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；所述三極體VTl的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的INl管腳與變壓器Tl副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器Tl副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器Tl原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VTl的基極相連接、0UT2管腳和OUTl管腳均與信號放大電路相連。
[0006]進一步的，所述的信號放大電路由放大器P1，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器Pl的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2,—端與放大器Pl的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器Pl的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器Pl的反相輸入端與轉換晶片K的OUTl管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
[0007]所述的正反饋電路由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體Dl組成；場效應管Ql的漏極經電阻R6後與放大器Pl的輸出端相連接、其源極則同時與電阻R3和選頻電路相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體Dl的P極與場效應管Ql的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接。
[0008]所述的選頻電路包括放大器P2，電容C5，電阻R8 ;放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體Dl的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端接地、反相輸入端與場效應管Ql的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
[0009]所述的緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地的電容C7，與電容C7相併聯的電阻RlI，一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接的電阻R12，一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接的電阻R9，以及一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接的電阻R9組成。所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體Dl的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地，電阻R9和電容C6的連接點接地。
[0010]本發明與現有技術相比具有以下優點及有益效果:
1、本發明與現有技術相比增加了信號變換電路，其可以使振蕩系統適用於很寬的頻率範圍，從而擴大了振蕩系統的應用場合。
[0011]2、本發明的轉換晶片K成本低廉，而且具有很好的信噪比和三階互調指標。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1為本發明的整體結構示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結合實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式並不限於此。
實施例
[0014]如圖1所示，本發明的基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，主要由信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路組成。為了使振蕩系統適用於很寬的頻率範圍，擴大振蕩系統的應用場合，因此在信號放大電路的輸入端還設置有信號變換電路。
[0015]其中，信號變換電路由轉換晶片K，變壓器Tl，電容Cl，電容C2，電容C3，電阻R1，三極體VT1，基頻石英晶體X組成。連接時，電容Cl串接在變壓器Tl副邊同名端與非同名端之間，電容C2則與電容Cl相併聯，三極體VTl的集電極與轉換晶片K的OSCl管腳相連接、發射極經電阻Rl後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連，電容C3的一端與三極體VTl的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連。同時，三極體VTl的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的INl管腳與變壓器Tl副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器Tl副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器Tl原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VTl的基極相連接、0UT2管腳和OUTl管腳均與信號放大電路相連。為了更好的實現本發明，所述的轉換晶片K優選為NE602，其使用方便並且具有很好的信噪比和三階互調指標。
[0016]系統中設置有信號放大電路，其能對所輸入的信號予以放大，保證輸出的信號維持恆定的數值。該信號放大電路由放大器P1，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器Pl的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2,—端與放大器Pl的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器Pl的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器Pl的反相輸入端與轉換晶片K的OUTl管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
[0017]正反饋電路可以使輸入端的反饋信號的相位相同，以保證系統振蕩維持下去。其由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體Dl組成。連接時，場效應管Ql的漏極經電阻R6後與放大器Pl的輸出端相連接、其源極則同時與電阻R3和選頻電路相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體Dl的P極與場效應管Ql的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接。
[0018]而選頻電路則可以對頻率進行篩選，其只允許特定的頻率通過，使振蕩系統維持單一頻率的輸出。所述的選頻電路包括放大器P2，電容C5，電阻R8。連接時，放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體Dl的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端接地、反相輸入端與場效應管Ql的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
[0019]同時，緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，電阻R9，電阻R10，電阻R11，電阻R12，電阻R13，電容C6，電容C7組成。電容C7的正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地，電阻Rll與電容C7相併聯，電阻R12的一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接，電阻R9的一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接，電阻R9的一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接。同時，所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體Dl的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地、其副邊非同名端則作為電路的輸出端，電阻R9和電容C6的連接點接地。通過緩衝電路的作用可以有效的防止系統中的負載效應以及因負載變化而產生的頻率漂移現像，從而實現振蕩電路的低失真度。
[0020]如上所述，便可很好的實現本發明。
【權利要求】
1.基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，主要由信號放大電路，與信號放大電路相連接的正反饋電路，與正反饋電路相連接的選頻電路，以及與選頻電路相連接的緩衝電路組成，其特徵在於:在信號放大電路的輸入端還設置有信號變換電路；所述信號變換電路由轉換晶片K，變壓器T1，串接在變壓器T1副邊同名端與非同名端之間的電容C1，與電容C1相併聯的電容C2，集電極與轉換晶片K的0SC1管腳相連接、發射極經電阻R1後與轉換晶片K的0SC2管腳相連接、基極則經基頻石英晶體X後與轉換晶片K的0SC2管腳相連的三極體VT1，一端與三極體VT1的基極相連接、另一端則與轉換晶片K的VCC管腳相連的電容C3組成；所述三極體VT1的基極與外部電源相連接，轉換晶片K的IN1管腳與變壓器T1副邊的非同名端相連接、其IN2管腳則與變壓器T1副邊的同名端相連接、GND管腳與變壓器T1原邊的非同名端相連、VCC管腳與三極體VT1的基極相連接、0UT2管腳和0UT1管腳均與信號放大電路相連。
2.根據權利要求1所述的基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，其特徵在於:所述的信號放大電路由放大器P1，正極與轉換晶片K的0UT2管腳相連接、負極經電阻R3後與正反饋電路以及選頻電路相連的電容C4，一端與放大器P1的反相輸入端相連、另一端與電容C4的負極相連接的電阻R2，一端與放大器P1的正相輸入端相連、另一端接地的電阻R4，以及串接在放大器P1的反相輸入端與輸出端之間的電阻R5組成；所述放大器P1的反相輸入端與轉換晶片K的0UT1管腳相連接，其輸出端則與正反饋電路相連。
3.根據權利要求2所述的基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，其特徵在於:所述的正反饋電路由場效應管Q1，電阻R6，電阻R7，以及二極體D1組成；場效應管Q1的漏極經電阻R6後與放大器P1的輸出端相連接、其源極則同時與電阻R3和選頻電路相連接、其柵極經電阻R7後接地，二極體D1的P極與場效應管Q1的柵極相連接、其N極則與選頻電路相連接。
4.根據權利要求3所述的基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，其特徵在於:所述的選頻電路包括放大器P2，電容C5，電阻R8 ;放大器P2的輸出端經電阻R8後同時與二極體D1的N極以及緩衝電路相連接、其正相輸入端接地、反相輸入端與場效應管Q1的源極相連接，電容C5則串接在放大器P2的反相輸入端和輸出端之間。
5.根據權利要求4所述的基於單片晶控變換的低失真度振蕩系統，其特徵在於:所述的緩衝電路由變壓器T2，雙柵極場效應管Q2，正極與雙柵極場效應管Q2的a柵極相連接、負極接地的電容C7，與電容C7相併聯的電阻R11，一端與電容C7的正極相連接、另一端經電阻R13後與變壓器T2原邊的同名端相連接的電阻R12，一端與雙柵極場效應管Q2的b柵極相連接、另一端經電容C6後與雙柵極場效應管Q2的源極相連接的電阻R9，以及一端與雙柵極場效應管Q2的源極相連接、另一端與電阻R9和電容C6的連接點相連接的電阻R9組成；所述雙柵極場效應管Q2的b柵極還二極體D1的N極相連接、其漏極與變壓器T2原邊的非同名端相連接，變壓器T2副邊的同名端接地，電阻R9和電容C6的連接點接地。
【文檔編號】H03B5/36GK104393840SQ201410662540
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月18日 優先權日:2014年11月18日
【發明者】車容俊 申請人:成都措普科技有限公司