鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的製作方法

2023-11-09 10:04:07 1

專利名稱：鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的製作方法
技術領域：
本發明屬於電子與充電電池放電技術領域，涉及一種鎳鎘充電電池記憶效應消除
>J-U ρ α裝直。
背景技術：
鎳鎘充電電池如果在使用過程中放電不夠徹底，就會產生記憶效應，造成充電一次，原有電量就會減少一點，記憶效應經過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用。要消除鎳鎘充電電池這種記憶效應，可採用本發明所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，使鎳鎘充電電池能夠完全放電。但是，如果不採取特別的放電措施，鎳鎘充電電池會有過放電的風險，有可能使鎳鎘充電電池的極性發生反轉。本發明設計的消除記憶效應的放電電路可 使鎳鎘充電電池放電放到O. 7V，這樣既保證了鎳鎘充電電池的正確放電，也不會發生鎳鎘充電電池極性反轉的現象，可對鎳鎘充電電池性能「早衰」或者性能低下的均有一定修復作用，使其延遲了使用壽命。以下詳細說明本發明所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置在實施過程中所涉及的技術內容。

發明內容
發明目的及有益效果鎳鎘充電電池在使用中如果放電不夠徹底，就會產生記憶效應，記憶效應經過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用，採用本發明所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，可使鎳鎘充電電池能夠完全放電。而且不會發生鎳鎘充電電池過放電的風險，而使鎳鎘充電電池的極性反轉。本發明設計的消除記憶效應的放電電路可使鎳鎘充電電池放電放到O. 7V，既保證了鎳鎘充電電池的正確放電，也不會發生電池極性反轉現象，對鎳鎘充電電池性能「早衰」或者性能低下的均有一定修復作用，使其延遲了使用壽命。電路工作原理鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路在接通I. 2V鎳鎘充電電池後，鎳鎘充電電池經過電阻Rl和高頻變壓器T的LI繞組使NPN型電晶體VTl的基極一發射極通電，NPN型電晶體VTl因高頻變壓器T繞組的正反饋作用而很快導通，在NPN型電晶體VTl導通後趨於穩態，這時高頻變壓器T兩個繞組的交流阻抗消失，直流電阻幾乎為0，這時NPN型電晶體VTl的集電極一發射極之間電壓很低，不能使發光二極體LEDl LED2發光。NPN型電晶體VTl的基極電壓低於NPN型電晶體導通門限電壓O. 7V時，於是使NPN型電晶體VTl截止。NPN型電晶體VTl截止的瞬間，因高頻變壓器T的L2繞組中的儲能與鎳鎘充電電池電壓相加而使發光二極體LEDl LED2發光。在發光二極體LEDl LED2發光期間，高頻變壓器T的LI繞組又有電流流過，使NPN型電晶體VTl再次因高頻變壓器T的正反饋導通,如此周而復始產生間歇振蕩,振蕩頻率約在1kHz。在反激式間歇振蕩電路間歇振蕩期間，NPN型電晶體VTl導通時高頻變壓器T的L2繞組積蓄電能，這時發光二極體LEDl LED2不發光。當NPN型電晶體VTl截止時，高頻變壓器T的L2繞組儲能與鎳鎘充電電池電壓串聯使發光二極體LEDI LED2發光，鎳鎘充電電池得以間歇放電，隨著鎳鎘電池放電其電壓也逐漸減小。當鎳鎘充電電池電壓放電電壓低於NPN型電晶體導通門限電壓O. 7V時，發光二極體LEDl LED2將不再發光，鎳鎘充電電池放電過程結束。技術方案鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，它由I. 2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成，其特徵包括反激式間歇振蕩電路由NPN型電晶體VTI、電阻Rl和高頻變壓器T組成，NPN型電晶體VTl的基極接高頻變壓器T的LI繞組同名端，高頻變壓器T的LI繞組異名端通過電阻Rl接電路正極VCC，NPN型電晶體VTl的集電極接高頻變壓器T的L2繞組異名端，高頻變壓器T的L2繞組同名端接電路正極VCC，NPN型電晶體VTl的發射極接電路地GND ；放電負載電路由發光二極體LEDl和發光二極體LED2組成，發光二極體LEDl和發光二極體LED2的正極接NPN型電晶體VTl的集電極，發光二極體LEDl的負極和發光二極體LED2的負極接電路地GND。
I. 2V鎳鎘充電電池的正極接電路正極VCC，I. 2V鎳鎘充電電池的負極與電路地GND相連。


附圖I是鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置在實施例中所用的電路工作原理圖。
具體實施例方式按照附圖I所示鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路工作原理圖和

，並且按照發明內容所述的各部分電路中元器件之間的連接關係，以及實施方式中所述的元器件技術參數要求進行實施即可實現本發明。元器件名稱及主要技術參數高頻變壓器T的製作選用Φ 8 「工」型高頻磁芯，LI繞組使用Φ O. 21mm (36號)漆包線分層平繞30圈，L2繞組用￠0. 21mm漆包線分層平繞15圈，注意標識各繞組同名端，繞組之間須墊用絕緣材料；VTl為NPN型電晶體，選用的型號為2SC9013 (或BC547)，要求β彡160 ;電阻Rl的阻值為150 Ω ；LED1、LED2為發光二極體，可選用兩隻直徑為紅色發光二極體。電路製作要點及電路調試因鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路結構非常簡單、製作比較容易，一般情況下只要使用的元器件性能完好，元器件的物理連接正確無誤，電路不需要進行任何調試即可正常工作；在電路接通I. 2V鎳鎘充電電池後，發光二極體LEDl和發光二極體LED2沒有被點亮，說明反激式間歇振蕩電路沒有起振，可以將高頻變壓器T的L2繞組兩端對調一下即可；為縮短鎳鎘充電電池的放電時間，可在發光二極體LEDl LED2兩端並聯幾隻型號相同的發光二極體，以加大放電負載； 如果鎳鎘充電電池放電後的仍然有一定的電量，可用本裝置對鎳鎘充電電池再進行一次放電；經過這種方法放電處理，鎳鎘充 電電池記憶效應可以徹底消除，可以使鎳鎘充電電池恢復原來的容量。
權利要求
1.一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，它由I. 2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成，其特徵包括 反激式間歇振蕩電路由NPN型電晶體VTI、電阻Rl和高頻變壓器T組成，NPN型電晶體VTl的基極接高頻變壓器T的LI繞組的同名端，高頻變壓器T的LI繞組異名端通過電阻Rl接電路正極VCC，NPN型電晶體VTl的集電極接高頻變壓器T的L2繞組異名端，高頻變壓器T的L2繞組同名端接電路正極VCC，NPN型電晶體VTl的發射極接電路地GND ； 放電負載電路由發光二極體LEDl和發光二極體LED2組成，發光二極體LEDl和發光二極體LED2的正極接NPN型電晶體VTl的集電極，發光二極體LEDl的負極和發光二極體LED2的負極接電路地GND。
2.根據權利要求I所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，其特徵是1.2V鎳鎘充電電池的正極接電路正極VCC，I. 2V鎳鎘充電電池的負極與電路地GND相連。
全文摘要
本發明公開了一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置。該鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置由1.2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成。鎳鎘充電電池在使用中如果放電不夠徹底，就會產生記憶效應，記憶效應經過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用。採用本發明所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置，能夠使鎳鎘充電電池完全放電，而且不會發生鎳鎘充電電池過放電的風險，而使鎳鎘充電電池的極性反轉。本發明設計的消除記憶效應的放電電路可使鎳鎘充電電池放電放到0.7V，既保證了鎳鎘充電電池的正確放電，也不會發生電池極性反轉現象，對鎳鎘充電電池性能「早衰」或者性能低下的均有一定修復作用，使其延遲了使用壽命。
文檔編號H02J7/00GK102801194SQ20121028865
公開日2012年11月28日 申請日期2012年8月14日 優先權日2012年8月14日
發明者黃宇嵩 申請人:黃宇嵩