一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路的製作方法
2023-12-02 07:43:21
專利名稱：一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種橋式驅動電路，尤其是涉及一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路。
背景技術：
橋式驅動電路是開關電源領域裡的一種常見應用電路，橋式驅動電路一般包括半橋驅動電路、全橋驅動電路和三相橋式驅動電路，兩個半橋驅動電路可以組合成一個全橋驅動電路，三個半橋驅動電路可以組合成一個三相橋式驅動電路。其中，三相橋式驅動電路經常被應用於風機、變頻空調、變頻洗衣機、變頻微波爐、汽車電機驅動等這一類三相電機的產品上。圖1給出了典型的三相電機橋式驅動智能功率模塊電路，該三相電機橋式驅動智能功率模塊電路包括第一功率器件20、第二功率器件30、第三功率器件40、第四功率器件50、第五功率器件60、第六功率器件70及一個橋式控制晶片(即柵極驅動晶片)10。第一功率器件20、第二功率器件30和第三功率器件40作為高壓側的功率器件；第四功率器件50、第五功率器件60和第六功率器件70作為低壓側的功率器件；柵極驅動晶片10簡稱為柵驅動晶片，其是橋式驅動電路的控制驅動晶片，按照模塊劃分，該柵極驅動晶片10可分為高壓側驅動模塊11和低壓側驅動模塊12，高壓側驅動模塊11可產生三路控制驅動信號HOI、H02及H03，分別連接第一功率器件20、第二功率器件30和第三功率器件40，利用控制驅動信號HOI、H02及H03控制高壓側的功率器件的柵極；低壓側驅動模塊12可產生另三路控制驅動信號L01、L02及L03，分別連接第四功率器件50、第五功率器件60和第六功率器件70，利用控制驅動信號L01、L02及L03控制低壓側的功率器件的柵極，進行功率器件的開關動作。圖1中第一功率器件20、第二功率器件30、第三功率器件40、第四功率器件50、第五功率器件60及第六功率器件70可以是功率IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型電晶體)、或M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應電晶體)，也可以採用其它類型的功率器件，如晶閘管等，其中需將晶閘管的門極作為信號控制埠。圖1所示的三相電機橋式驅動智能功率模塊電路還包括運算放大器電路80和低壓穩壓電路110，運算放大器電路80通過外部電流檢測電阻器R提供電橋電流的模擬反饋，低壓穩壓電路110產生3. 3V或5V電源，給MCU (微處理器)或其它元件供電。在現有應用中，三相電機橋式驅動智能功率模塊電路通常是採用功率模塊集成方法將單個柵極驅動晶片、運算放大器電路、低壓穩壓電路和六個功率器件集成在一個模塊中，採用這種方法，一方面，在智能功率模塊裝置製造中，由於六個功率器件晶片面積較大， 且功率器件工作時發熱也較大，這樣組裝時往往要求各個功率器件之間的間距要大，而柵極驅動晶片面積往往不大，因此這就造成柵極驅動晶片至各個功率器件的連線會很長，使智能功率模塊電路的可靠性大為降低，不利於生產和可靠性控制；另一方面，在生產製造柵極驅動晶片時需要將高壓隔離製造工藝集成到普通CMOS工藝中進行生產，採用高壓隔離製造工藝的目的是為了將高壓側驅動模塊與低壓側驅動模塊隔離開，由於普通CMOS工藝集成高壓隔離製造工藝流程複雜，該工藝為了耐高壓，能夠達到的特徵尺寸較大，原來只需小特徵尺寸的部分也必須採用大特徵尺寸，使製造得到的柵極驅動晶片的特徵尺寸較大， 從而導致了相同功能的柵極驅動晶片佔用面積太大，同時提高了單個柵極驅動晶片的生產成本；此外，由於採用單晶片集成方法實現的柵極驅動晶片的面積較大，這樣不利於設計功能複雜的晶片，如希望集成運算放大器電路、低壓穩壓電路等，這是因為採用這種柵極驅動晶片來設計功能複雜晶片的面積將會更大，同時生產良率也會降低，生產成本也會增加。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種製造方便、可靠性高、生產成本低且生產良率高的用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路。本發明解決上述技術問題所採用的技術方案為一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，包括柵極驅動晶片、一組高壓側功率器件和一組低壓側功率器件，其特徵在於所述的柵極驅動晶片主要由採用高壓隔離製造工藝生產的高壓側控制驅動晶片和採用CMOS工藝生產的低壓側控制驅動晶片組成，所述的高壓側控制驅動晶片主要由高壓側驅動模塊集成，所述的低壓側控制驅動晶片主要由低壓側驅動模塊、運算放大器和低壓穩壓電路集成，所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸入埠接入高壓側邏輯控制信號，所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸出埠與各個所述的高壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸入埠接入低壓側邏輯控制信號，所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸出埠與各個所述的低壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接。所述的高壓側控制驅動晶片設置有一組高壓側邏輯控制信號輸入引腳和一組高壓側驅動信號輸出引腳，各個所述的高壓側邏輯控制信號輸入引腳用於接入高壓側邏輯控制信號，各個所述的高壓側邏輯控制信號輸入引腳與所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸入埠一一對應連接，各個所述的高壓側驅動信號輸出引腳的一端與所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸出埠一一對應連接，各個所述的高壓側驅動信號輸出引腳的另一端與各個所述的高壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的低壓側控制驅動晶片設置有一組低壓側邏輯控制信號輸入引腳、一組低壓側驅動信號輸出引腳、一個第一信號輸入引腳、一個第二信號輸入引腳、一個放大信號輸出引腳和一個穩壓信號輸出引腳，各個所述的低壓側邏輯控制信號輸入引腳用於接入低壓側邏輯控制信號，各個所述的低壓側邏輯控制信號輸入引腳與所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸入埠一一對應連接，各個所述的低壓側驅動信號輸出引腳的一端與所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸出埠一一對應連接，各個所述的低壓側驅動信號輸出引腳的另一端與各個所述的低壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的第一信號輸入引腳的一端與所述的運算放大器的同相輸入埠相連接，所述的第二信號輸入引腳的一端與所述的運算放大器的反相輸入埠相連接，所述的第一信號輸入引腳的另一端與所述的第二信號輸入引腳的另一端之間連接有用於提供電橋電流的模擬反饋的電流檢測電阻，所述的放大信號輸出引腳與所述的運算放大器的信號輸出埠相連接，所述的穩壓信號輸出引腳與所述的低壓穩壓電路的信號輸出埠相連接。所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件的個數均為三個。
所述的高壓側驅動信號輸出引腳與零電平之間承受的高壓範圍為400 1200V。所述的低壓穩壓電路的穩壓值為3. 3V或5V。所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為絕緣柵雙極型電晶體，所述的絕緣柵雙極型電晶體的柵極為信號控制埠。所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為金屬氧化物半導體場效應電晶體，所述的金屬氧化物半導體場效應電晶體的柵極為信號控制埠。所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為晶閘管，所述的晶閘管的門極為信號控制埠。與現有技術相比，本發明的優點在於通過將常規的高壓側驅動模塊和低壓側驅動模塊集成晶片、運算放大器模塊晶片及低壓穩壓電路晶片進行重新分割和組合，分成高壓側控制驅動晶片和低壓側控制驅動晶片來實現，採用複雜的高壓隔離製造工藝技術只生產高壓側控制驅動晶片，而對於低壓側控制驅動晶片則採用普通的CMOS工藝進行生產，並將低壓側驅動模塊、運算放大器模塊和低壓穩壓電路集成在該低壓側控制驅動晶片中，而無需採用在普通的CMOS工藝中集成高壓隔離製造工藝生產各個晶片，再將高壓側控制驅動晶片、側壓側控制驅動晶片和所有功率器件封裝在一起構成用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，實現了智能功率模塊的功能，這種結構的智能功率模塊電路一方面由於採用複雜的高壓隔離製造工藝技術只生產了高壓側控制驅動晶片，而高壓側控制驅動晶片的面積僅佔原柵極驅動晶片面積的三分之一左右，使得高壓側控制驅動晶片的生產加工過程更加容易控制，更有利於提高良率；另一方面，採用了普通的CMOS工藝生產由低壓側驅動模塊、運算放大器模塊和低壓穩壓電路模塊集成的低壓側控制驅動晶片，普通的CMOS工藝的工藝條件簡單、技術成熟、特徵線條較細，因此本發明的低壓側控制驅動晶片面積可做的較小(即本發明的集成了運算放大器、低壓穩壓電路和低壓側驅動模塊的低壓側控制驅動晶片的面積比現有的用高壓隔離工藝製造的低壓側驅動模塊的面積還要小)，能有效保證生產良率，且節省成本。本發明的智能功率模塊電路通過將高壓側驅動模塊和低壓側驅動模塊分別集成在高壓側控制驅動晶片和低壓側控制驅動晶片中，利用高壓側控制驅動晶片驅動高壓側功率器件，利用低壓側控制驅動晶片驅動低壓側功率器件，採用這種方式在封裝智能功率模塊電路時，可有效縮短分離的高壓側控制驅動晶片和低壓側控制驅動晶片與功率器件之間的連線，從而可提高智能功率模塊電路的可靠性。本發明通過高壓側控制驅動晶片和低壓側控制驅動晶片與六個功率器件集成，形成了用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，具有易生產、可靠性高等優點，同時由於將運算放大器、低壓穩壓電路也集成在低壓側控制驅動晶片中，晶片數量減少，從而進一步提高了可靠性、減小了組裝時的封裝體，同時節省了成本。
圖1為典型的三相電機橋式驅動智能功率模塊電路原理圖2為本發明的用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路的連接示意圖； 圖3為柵極驅動晶片用於驅動低壓側功率器件的低壓側驅動信號的波形和用於驅動高壓側功率器件的高壓側驅動信號的波形示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖實施例對本發明作進一步詳細描述。本發明提出的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路的電路原理圖如圖2所示，其包括柵極驅動晶片、三個高壓側功率器件20、30、40和三個低壓側功率器件50、 60、70，柵極驅動晶片主要由採用高壓隔離製造工藝生產的高壓側控制驅動晶片90和採用普通CMOS工藝生產的低壓側控制驅動晶片100組成，高壓側控制驅動晶片90主要由高壓側驅動模塊91集成，低壓側控制驅動晶片100主要由低壓側驅動模塊101、運算放大器102 和低壓穩壓電路110集成，高壓側驅動模塊91的各個信號輸入埠接入高壓側邏輯控制信號，高壓側驅動模塊91的三個信號輸出埠分別與三個高壓側功率器件20、30、40的信號控制埠一一對應連接，低壓側驅動模塊101的各個信號輸入埠接入低壓側邏輯控制信號，低壓側驅動模塊101的三個信號輸出埠分別與三個低壓側功率器件50、60、70的信號控制埠一一對應連接。在此具體實施例中，高壓側控制驅動晶片90設置有一組高壓側邏輯控制信號輸入引腳92和三個高壓側驅動信號輸出引腳93、94、95，各個高壓側邏輯控制信號輸入引腳 92用於接入高壓側邏輯控制信號，各個高壓側邏輯控制信號輸入引腳92與高壓側驅動模塊91的各個信號輸入埠一一對應連接，三個高壓側驅動信號輸出引腳93、94、95的一端分別與高壓側驅動模塊91的三個信號輸出埠一一對應連接，三個高壓側驅動信號輸出引腳93、94、95的另一端分別通過金屬導線與三個高壓側功率器件20、30、40的信號控制埠一一對應連接，分別為三個高壓側功率器件20、30、40提供高壓側驅動信號HOI、H02、 H03，即高壓側控制驅動晶片90通過高壓側驅動信號輸出引腳93為第一個高壓側功率器件20提供高壓側驅動信號H01，高壓側控制驅動晶片90通過高壓側驅動信號輸出引腳94 為第二個高壓側功率器件30提供高壓側驅動信號H02，高壓側控制驅動晶片90通過高壓側驅動信號輸出引腳95為第三個高壓側功率器件40提供高壓側驅動信號H03 ；低壓側控制驅動晶片100設置有一組低壓側邏輯控制信號輸入引腳103、三個低壓側驅動信號輸出引腳107、108、109、一個第一信號輸入引腳106、一個第二信號輸入引腳105、一個放大信號輸出引腳104和一個穩壓信號輸出引腳111，各個低壓側邏輯控制信號輸入引腳103用於接入低壓側邏輯控制信號，各個低壓側邏輯控制信號輸入引腳103與低壓側驅動模塊101 的各個信號輸入埠一一對應連接，三個低壓側驅動信號輸出引腳107、108、109的一端分別與低壓側驅動模塊101的三個信號輸出埠一一對應連接，三個低壓側驅動信號輸出引腳107、108、109的另一端分別通過金屬導線與三個低壓側功率器件50、60、70的信號控制埠一一對應連接，分別為三個低壓側功率器件50、60、70提供低壓側驅動信號L01、L02、 L03，即低壓側控制驅動晶片100通過低壓側驅動信號輸出引腳107為第一個低壓側功率器件50提供低壓側驅動信號L01，低壓側控制驅動晶片100通過低壓側驅動信號輸出引腳 108為第二個低壓側功率器件60提供低壓側驅動信號L02，低壓側控制驅動晶片100通過低壓側驅動信號輸出引腳109為第三個低壓側功率器件70提供低壓側驅動信號L03，第一信號輸入引腳106的一端與運算放大器102的同相輸入埠相連接，第二信號輸入引腳105 的一端與運算放大器102的反相輸入埠相連接，第一信號輸入引腳106的另一端與第二信號輸入引腳105的另一端之間連接有用於提供電橋電流的模擬反饋的電流檢測電阻R，電流檢測電阻R兩端的電流通過運算放大器102放大，放大信號輸出引腳104與運算放大器102的信號輸出埠相連接，放大信號輸出引腳104通過金屬導線與外接的控制電路(圖中未示出)的輸入埠相連接，穩壓信號輸出引腳111與低壓穩壓電路110的信號輸出埠相連接，穩壓信號輸出引腳111通過金屬導線與外接的微處理器(MCU)或其它需要低壓供電的元件(圖中未示出)的輸入埠相連接。在此，低壓側控制驅動晶片100的低壓側驅動信號輸出引腳107、108、109輸出的低壓側驅動信號L01、L02、L03和高壓側控制驅動晶片 90的高壓側驅動信號輸出引腳93、94、95輸出的高壓側驅動信號H01、H02、H03之間存在關聯關係，它通過高壓側邏輯控制信號和低壓側邏輯控制信號的時序控制，低壓側驅動信號 LOl、L02、L03和高壓側驅動信號HOl、H02、H03形成的典型的柵極驅動輸出波形如圖3所示，低壓側驅動信號LOl和高壓側驅動信號HOl在正常工作後交替出現高電平，在兩者的高電平之間存在一個兩者同為低電平的死區時間DT (Dead Time)；低壓側驅動信號L02和高壓側驅動信號H02在正常工作後交替出現高電平，在兩者的高電平之間存在一個兩者同為低電平的死區時間DT ；低壓側驅動信號L03和高壓側驅動信號H03在正常工作後交替出現高電平，在兩者的高電平之間存在一個兩者同為低電平的死區時間DT。在此具體實施例中，高壓側驅動信號輸出引腳93、94、95與零電平(GND)之間能夠承受的高壓範圍均為400 1200V。在此具體實施例中，低壓穩壓電路110的穩壓值為3. 3V或5V。在此具體實施例中，高壓側驅動模塊91、低壓側驅動模塊101、運算放大器102和低壓穩壓電路Iio均採用現有技術，高壓側驅動模塊91、低壓側驅動模塊101、三個高壓側功率器件20、30、40及三個低壓側功率器件50、60、70之間的連接方式均採用現有的技術， 三個高壓側功率器件20、30、40及三個低壓側功率器件50、60、70的信號輸出埠分別用於連接三相電機的相線。在此具體實施例中，三個高壓側功率器件20、30、40和三個低壓側功率器件50、 60、70均採用現有技術，如可採用絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導體場效應電晶體(M0SFET)、晶閘管等功率器件。採用絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)時，其柵極為信號控制埠，其中，對於高壓側功率器件，IGBT的發射極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接，IGBT的集電極接母線電壓；對於低壓側功率器件，IGBT的發射極經過電流檢測電阻R 接地信號(GND)，IGBT的集電極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接。採用金屬氧化物半導體場效應電晶體時，其柵極為信號控制埠，其中，對於高壓側功率器件，MOSFET的源極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接，MOSFET的漏極接母線電壓；對於低壓側功率器件，MOSFET的源極經過電流檢測電阻R接地信號(GND) ,MOSFET的漏極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接。採用晶閘管時，其門極為信號控制埠，其中，對於高壓側功率器件，晶閘管的陰極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接，晶閘管的陽極接母線電壓； 對於低壓側功率器件，晶閘管的陰極經過電流檢測電阻R接地信號(GND)，晶閘管的陽極為信號輸出埠與三相電機的相線相連接。在實際應用本發明的智能功率模塊電路時，可通過功率模塊封裝方式，將高壓側控制驅動晶片90、低壓側控制驅動晶片100、三個高壓側功率器件20、30、40及三個低壓側功率器件50、60、70封裝在單個模塊中，形成一個完整的智能功率模塊的功能；在實際應用過程中，也可以將本發明的高壓側控制驅動晶片90、低壓側控制驅動晶片100、三個高壓側功率器件20、30、40及三個低壓側功率器件50、60、70直接焊接在PCB板上形成一個完整的智能模塊的功能，即COB (板上晶片封裝)智能模塊；還可以將本發明的高壓側控制驅動晶片90、低壓側控制驅動晶片100、功率器件(包括三個高壓側功率器件20、30、40和三個低壓側功率器件50、60、70)分別進行封裝，然後再焊接在PCB板上形成一個完整的智能模塊的功能。
權利要求
1.一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，包括柵極驅動晶片、一組高壓側功率器件和一組低壓側功率器件，其特徵在於所述的柵極驅動晶片主要由採用高壓隔離製造工藝生產的高壓側控制驅動晶片和採用CMOS工藝生產的低壓側控制驅動晶片組成，所述的高壓側控制驅動晶片主要由高壓側驅動模塊集成，所述的低壓側控制驅動晶片主要由低壓側驅動模塊、運算放大器和低壓穩壓電路集成，所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸入埠接入高壓側邏輯控制信號，所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸出埠與各個所述的高壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸入埠接入低壓側邏輯控制信號，所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸出埠與各個所述的低壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接。
2.根據權利要求1所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側控制驅動晶片設置有一組高壓側邏輯控制信號輸入引腳和一組高壓側驅動信號輸出引腳，各個所述的高壓側邏輯控制信號輸入引腳用於接入高壓側邏輯控制信號，各個所述的高壓側邏輯控制信號輸入引腳與所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸入埠一一對應連接，各個所述的高壓側驅動信號輸出引腳的一端與所述的高壓側驅動模塊的各個信號輸出埠一一對應連接，各個所述的高壓側驅動信號輸出引腳的另一端與各個所述的高壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的低壓側控制驅動晶片設置有一組低壓側邏輯控制信號輸入引腳、一組低壓側驅動信號輸出引腳、一個第一信號輸入引腳、 一個第二信號輸入引腳、一個放大信號輸出引腳和一個穩壓信號輸出引腳，各個所述的低壓側邏輯控制信號輸入引腳用於接入低壓側邏輯控制信號，各個所述的低壓側邏輯控制信號輸入引腳與所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸入埠一一對應連接，各個所述的低壓側驅動信號輸出引腳的一端與所述的低壓側驅動模塊的各個信號輸出埠一一對應連接， 各個所述的低壓側驅動信號輸出引腳的另一端與各個所述的低壓側功率器件的信號控制埠一一對應連接，所述的第一信號輸入引腳的一端與所述的運算放大器的同相輸入埠相連接，所述的第二信號輸入引腳的一端與所述的運算放大器的反相輸入埠相連接，所述的第一信號輸入引腳的另一端與所述的第二信號輸入引腳的另一端之間連接有用於提供電橋電流的模擬反饋的電流檢測電阻，所述的放大信號輸出引腳與所述的運算放大器的信號輸出埠相連接，所述的穩壓信號輸出引腳與所述的低壓穩壓電路的信號輸出埠相連接。
3.根據權利要求1或2所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件的個數均為三個。
4.根據權利要求3所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側驅動信號輸出引腳與零電平之間承受的高壓範圍為400 1200V。
5.根據權利要求4所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的低壓穩壓電路的穩壓值為3. 3V或5V。
6.根據權利要求5所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為絕緣柵雙極型電晶體，所述的絕緣柵雙極型電晶體的柵極為信號控制埠。
7.根據權利要求5所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為金屬氧化物半導體場效應電晶體，所述的金屬氧化物半導體場效應電晶體的柵極為信號控制埠。
8.根據權利要求5所述的一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，其特徵在於所述的高壓側功率器件和所述的低壓側功率器件均為晶閘管，所述的晶閘管的門極為信號控制埠。
全文摘要
本發明公開了一種用於三相電機橋式驅動的智能功率模塊電路，包括柵極驅動晶片、一組高壓側功率器件和一組低壓側功率器件，柵極驅動晶片由高壓側控制驅動晶片和低壓側控制驅動晶片組成，高壓側控制驅動晶片由高壓側驅動模塊集成，低壓側控制驅動晶片由低壓側驅動模塊、運算放大器和低壓穩壓電路集成，優點在於由於採用複雜的高壓隔離製造工藝只生產了高壓側控制驅動晶片，而高壓側控制驅動晶片的面積較小，使得高壓側控制驅動晶片的生產加工過程更加容易控制，更有利於提高良率；由於採用了普通的CMOS工藝生產低壓側控制驅動晶片，普通的CMOS工藝的工藝條件簡單、技術成熟、特徵線條較細，因此晶片面積可做的較小，能有效保證生產良率，並節省成本。
文檔編號H01L25/16GK102208865SQ20111014328
公開日2011年10月5日 申請日期2011年5月31日 優先權日2011年5月31日
發明者胡同燦 申請人:日銀Imp微電子有限公司