電氣裝置製造方法
2023-11-01 02:19:52
專利名稱：電氣裝置製造方法
技術領域：
本發明涉及粘結劑，特別是涉及將半導體晶片連接到基板上的技術。
背景技術：
迄今，為了將半導體晶片粘接到柔性布線板之類的基板上，使用了熱固化性的粘結劑。圖9的符號101表示利用粘結劑112將半導體晶片111粘附到基板113上的電氣裝置。
在與基板113的半導體晶片111相向的面上配置金屬布線112。另外，在與半導體晶片111的基板113相向的面上配置凸點狀的端子121，並使這些端子121與對置基板113的金屬布線122相接。
由於半導體晶片111的端子121與未圖示的內部電路連接，所以在圖9所示的狀態下，經端子121與半導體晶片111的內部電路和基板113的金屬布線122電連接。另外，通過加熱使粘結劑112固化，基板113與半導體晶片111也經該粘結劑112進行機械式連接。這樣，如果使用粘結劑112，則即使不用焊錫，也可將半導體晶片111與基板113連接起來。
在現有技術的粘結工序中，將常溫粘結劑112塗敷或貼附到基板113表面後，採用加熱了的擠壓頭將半導體晶片111推壓(加熱擠壓)到粘結劑112上進行粘結，但將粘劑結112塗敷或貼附到基板113時，或將半導體晶片111壓到粘結劑112上時，往往有空氣捲入，在基板113與粘結劑112之間或半導體晶片111的端子121之間產生空洞(氣泡)130。在粘結劑112中有空洞130的情況下，在回流處理等電氣裝置被加熱時，半導體晶片111往往剝離或產生導通不良。
如果降低粘結劑112塗敷時的粘度，則由於基板113或半導體晶片111與粘結劑112的沾潤性提高，所以塗敷時的空氣捲入量減少，但一旦捲入了的空氣在加熱擠壓時則難以除去。
另一方面，儘管在粘度高的情況下，塗敷時容易捲入空氣，而捲入了的空氣在加熱擠壓時容易除去，但還是存在容易產生端子間連接不良的問題。
作為減少空洞的技術，如在特開平5-144873中公開的那樣，已知有採用擠壓頭將半導體晶片111壓到常溫粘結劑112上後，使擠壓頭階梯式地或連續地緩慢升溫，對粘結劑112加熱的方法。按照該方法，通過使粘結劑112緩慢升溫，空洞130變得難以發生。然而，在上述方法中，通過對同一擠壓頭進行溫度調整，無法對多個半導體晶片111連續地進行處理，延長了生產節拍時間，生產率降低了。
另一方面，作為縮短生產節拍時間的技術，已知有在將半導體晶片111裝到粘結劑112上的對準工序(暫時壓焊工序)和對半導體晶片111加熱擠壓的粘結工序(正式壓焊工序)中採用了各不相同的擠壓頭，在對準工序中不加熱而對位，在粘結工序中一次加熱的方法。按照該方法，生產率雖然提高了，但容易發生空洞130。總之，要高效地生產可靠性高的電氣裝置101是困難的。
發明內容
本發明是為了解決上述現有技術的欠妥之處而進行的，其目的在於提供粘結劑中無空洞、可靠性高的電氣裝置。
為了解決上述課題，本發明是具有以基板的連接端子與半導體晶片的連接端子互相相向的方式進行對位，將上述半導體晶片壓到配置於上述基板上的粘結劑上，對上述半導體晶片一邊擠壓，一邊加熱，使上述連接端子彼此之間接觸的粘結工序的電氣裝置製造方法，上述粘結工序具有在將上述粘結劑加熱到第一溫度的狀態下將上述半導體晶片壓到上述粘結劑上的暫時壓焊工序和對上述半導體晶片一邊擠壓，一邊將上述粘結劑加熱到比上述第一溫度高的第二溫度的正式壓焊工序。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，上述第一溫度高於上述粘結劑的反應開始溫度而且低於上述粘結劑的反應峰值溫度。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，上述第二溫度高於上述粘結劑的反應峰值溫度。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述暫時壓焊工序中，將上述基板配置在第一裝載臺上，將上述第一裝載臺加熱到上述第一溫度。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述暫時壓焊工序中，在進行上述對位後，將上述半導體晶片壓到上述粘結劑上。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述暫時壓焊工序中，在將上述半導體晶片壓到上述粘結劑時，將上述半導體晶片擠壓到上述相向的連接端子彼此之間不至相互接觸的程度。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述正式壓焊工序中，將上述基板移到與上述第一裝載臺不同的第二裝載臺上。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述正式壓焊工序中，將可加熱的擠壓頭加熱到上述第二溫度，將上述擠壓頭壓到上述半導體晶片上。
本發明是這樣的電氣裝置製造方法，其中，在上述正式壓焊工序中，在使上述相向的連接端子彼此之間相互接觸後，將上述粘結劑加熱到上述第二溫度。
再有，所謂粘結劑的反應開始溫度是在進行粘結劑的差示掃描熱分析時得到的DSC(差示掃描量熱學)曲線在發熱方向從基線上升時的溫度，所謂粘結劑的反應峰值溫度是該DSC曲線的發熱峰值溫度。
本發明如上述那樣構成，在本發明的暫時壓焊工序中，由於在將半導體晶片壓到粘結劑上之前粘結劑被加熱到第一溫度，通過加熱使粘結劑的粘度比塗敷時降低，所以在將半導體晶片壓到粘結劑上時，粘結劑容易流入半導體晶片的連接端子之間，空氣難以捲入。
在該狀態下，半導體晶片的連接端子不與基板的連接端子相接，在連接端子之間殘留有多餘的粘結劑。由於第一溫度比粘結劑的反應開始溫度高，所以如將粘結劑維持在第一溫度，則粘結劑的固化反應加快，但由於第一溫度低於粘結劑的反應峰值溫度，反應進行速度減慢，粘結劑的反應率保持在2％以上、20％以下的範圍。
在該狀態下，粘結劑的粘度比塗敷時為高，但並未失去流動性。從而，在正式壓焊工序中，如進一步推壓半導體晶片，則在半導體晶片的連接端子與基板的連接端子之間殘留的多餘粘結劑與殘留的空洞一起被擠出，半導體晶片的連接端子與基板的連接端子相接。
在連接端子相互之間接觸的狀態下，如粘結劑升溫到第二溫度，則粘結劑完全固化，用電學的或機械的方式將半導體晶片與基板連接起來。
在暫時壓焊工序中，如使第一裝載臺加熱，則由於可將粘結劑加熱到第一溫度，所以無需加熱對位用的保持機構，作為保持機構可用常溫擠壓頭。另外，只要進行對位，即可加熱該擠壓頭。
圖1(a)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(1)的剖面圖。
圖1(b)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(2)的剖面圖。
圖1(c)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(3)的剖面圖。
圖1(d)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(4)的剖面圖。
圖2(a)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(5)的剖面圖。
圖2(b)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(6)的剖面圖。
圖2(c)是用於說明本發明的電氣裝置之一例的製造工序(7)的剖面圖。
圖3(a)是用於說明本發明的電氣裝置之另一例的製造工序(1)的剖面圖。
圖3(b)是用於說明本發明的電氣裝置之另一例的製造工序(2)的剖面圖。
圖3(c)是用於說明本發明的電氣裝置之另一例的製造工序(3)的剖面圖。
圖4是示出第一例的粘結劑的DSC曲線的圖。
圖5是示出第一例的粘結劑的溫度粘度曲線的圖。
圖6是示出第二例的粘結劑的溫度粘度曲線的圖。
圖7是示出第三例的粘結劑的溫度粘度曲線的圖。
圖8是用於說明本發明的電氣裝置的另一例的剖面圖。
圖9是用於說明現有技術的電氣裝置的圖。
在各圖中，符號1、2表示電氣裝置。符號12、15分別表示粘結劑。符號11表示半導體晶片。符號13表示基板(柔性布線板)。符號21表示半導體晶片的連接端子(凸點)。符號22表示基板的連接端子。符號50表示第一裝載臺(暫時壓焊臺)。符號70表示第二裝載臺(正式壓焊臺)。符號60表示擠壓頭(正式壓焊頭)。
具體實施例方式
現說明本發明的實施形態。
首先，將作為熱固化性樹脂的環氧樹脂、由微膠囊化的固化劑構成的潛在固化劑和導電粒子混合在一起，製作後述的表1的ACP、ACF、NCP各欄中示出的組成的粘結劑。在該狀態下粘結劑呈膏狀。
圖1(a)的符號13表示柔性布線板(基板)。在該柔性布線板13的表面上配置金屬布線，從金屬布線的一部分構成多個連接端子22。這些連接端子22分別露出於柔性布線板13的表面，分別配置於與後述半導體晶片的凸點對應的位置上。如將粘結劑12塗敷於裝載後述半導體晶片的位置上，則柔性布線板13的連接端子22被粘結劑12覆蓋(圖1(b))。
圖1(c)的符號50表示暫時壓焊臺(第一裝載臺)。在暫時壓焊臺50的表面附近配置陶瓷加熱器51。如果用陶瓷加熱器51將暫時壓焊臺50預先加熱到至少是粘結劑12的反應開始溫度以上，將柔性布線板13置於未配置連接端子22一側的面之下，放置於暫時壓焊臺50的表面上，則柔性布線板13與粘結劑12藉助於熱傳導被加熱到反應開始溫度以上。在該狀態下調整陶瓷加熱器51的通電量，使粘結劑12處於反應開始溫度以上、反應峰值溫度以下的溫度(第一溫度)。
這時，由於加熱而粘結劑12的粘度降低，對粘結劑12的柔性布線板13的沾潤性提高，所以在塗敷粘結劑12時被捲入了的氣泡(空洞)消失。
圖1(d)的符號11表示半導體晶片。在半導體晶片11的一面上配置多個凸點21(連接端子)，這些凸點21與半導體晶片11的未圖示的內部電路進行電連接。
圖1(d)的符號40表示保持機構，如圖1(d)所示，在使配置了半導體晶片11的凸點21一側的面朝下的狀態下，利用保持機構40保持半導體晶片11，在使半導體晶片11位於柔性布線板13的上方的狀態下，在進行了對位使半導體晶片11的凸點21與柔性布線板13的連接端子22互相相向後，使保持機構40下降，將半導體晶片11裝在柔性布線板13上的粘結劑12上。
如將半導體晶片11推壓到半導體晶片11的凸點21不至與柔性布線板13的連接端子22相接的程度，則從凸點21的前端表面擠出粘結劑12，粘結劑12便流入鄰接的凸點21之間的空隙。這時，由於粘結劑12的粘度因加熱而比塗敷時降低，所以在粘結劑12流入凸點21之間時不產生空洞。
圖2(a)示出了該狀態，在半導體晶片11的凸點21之間空洞消失，粘結劑12被充填其中。另外，在互相相向的凸點21與連接端子22之間殘留多餘的粘結劑12，凸點21與連接端子22不進行電連接。另外，利用暫時壓焊臺50的陶瓷加熱器51，粘結劑12的溫度被維持在第一溫度。
通過將粘結劑12的溫度維持在第一溫度，潛在性固化劑的微膠囊局部地溶解，粘結劑的固化反應緩慢地進行。當粘結劑12的反應率達到2％以上、20％以下的範圍時，在將半導體晶片11裝到粘結劑12上的狀態下，使保持機構退到上方，將柔性布線板13與粘結劑12、半導體晶片11一起從暫時壓焊臺50移到正式壓焊臺70(第二裝載臺)上(圖2(b))。
在正式壓焊臺70的上方，配置正式壓焊頭(擠壓頭)60。在正式壓焊頭60中內置加熱器61，正式壓焊頭60被預先加熱到至少超過粘結劑12的反應峰值溫度的溫度。
在圖2(b)所示的狀態下，雖然粘結劑12的粘度比塗敷時增高，但其流動性並未消失。
從而，將正式壓焊頭60壓到粘結劑12上的半導體晶片11上，如果一邊對正式壓焊頭60加熱，一邊施加規定的載重，則多餘的粘結劑12與殘留的空洞一起從凸點21與連接端子22之間被擠出，在粘結劑12被加熱到反應峰值溫度以上之前，凸點21被接到連接端子21上。
在該狀態下，如果進一步繼續加熱擠壓，利用熱傳導將粘結劑12加熱到反應峰值溫度以上(第二溫度)，則粘結劑12中的潛在性固化劑完全溶解，粘結劑12的熱固化反應急劇加快，在凸點21與連接端子22相接的狀態下，粘結劑12完全固化。
圖2(c)示出了粘結劑12完全固化了的狀態的電氣裝置1。在該電氣裝置1中，柔性布線板13與半導體晶片11用固化了的粘結劑12不僅進行機械連接，也經凸點21進行電連接。
以上說明了使用膏狀粘結劑12的情形，但本發明不限定於此。例如，也包含使本發明中所用的粘結劑半固化至表現出自支撐性的程度的膜狀物，或添加固態樹脂形成為膜狀的物質。
圖3(a)的符號15表示上述的膜狀粘結劑之一例。如圖3(b)所示，在將膜狀粘結劑15貼附到配置了柔性布線板13的連接端子22一側的面上以後，如在與圖1(c)～圖2(c)所示的工序相同的條件下分別進行暫時壓焊工序和正式壓焊工序，則得到如圖3(c)所示的電氣裝置2。
將下述表1中所示的環氧樹脂、潛在性固化劑和導電粒子分別按下述表1中所示的比例混合，分別製作含有導電粒子的膏狀粘結劑(ACP各向異性導電膏)、含有導電粒子的膜狀粘結劑(ACF各向異性導電膜)和不含導電粒子的膏狀粘結劑(NCP非導電膏)。
表1粘結劑的組成和配比
*在上述表1中，ACP表示包含導電粒子的膏狀粘結劑，ACF表示包含導電粒子的膜狀粘結劑，NCP表示不包含導電粒子的膏狀粘結劑。
*上述表1中的金屬覆膜樹脂粒子由在樹脂粒子表面上形成鎳鍍層，又在該表面上形成金鍍層的樹脂粒子構成。
接著，在上述3種粘結劑之中，對於ACP而言，使用差示掃描熱分析儀(精工電子工業(株)公司制，商品名為「DSC200」)，以10℃/分鐘的升溫速度使之從30℃升溫至250℃，進行差示掃描熱分析。在圖4中示出所得到的DSC曲線。
圖4的橫軸為溫度(℃)，縱軸為熱流(mW)，圖4的符號D表示DSC曲線。另外，該圖的符號B表示基線(底線)。
圖4的符號S表示DSC曲線D從基線B上升的點(反應開始點)，符號P表示DSC曲線的發熱峰值位置(反應峰值點)，反應開始點S在70℃，反應峰值點P在115.2℃。由於該DSC曲線D的發熱峰與ACP的熱固化反應有關，可知在對ACP加熱時ACP的固化反應開始的溫度為70℃(反應開始溫度)，固化反應達到峰值的溫度(反應峰值溫度)約為115℃。另外，在比反應峰值溫度高的溫度下，發熱量急劇減少，固化反應大體結束。再有，這時的發熱量ACP每1mg時為442.9mJ。
此外，採用粘度計(HAAKE公司制，商品名為「RheometerRS75」)，測量使ACP以升溫速度10℃/分鐘從20℃升溫至200℃時的粘度變化(粘度測量)。圖5示出了從該測量結果得到的曲線，圖5的橫軸表示溫度(℃)，縱軸表示粘度(mPa·s)。
圖5的符號S1表示與圖4的反應開始點S對應的溫度(反應開始溫度)，圖5的符號P1表示與圖4的反應峰值點P對應的溫度(反應峰值溫度)。從圖5中所示的溫度粘度曲線L1可知，加熱粘結劑時的粘度在反應開始溫度S1以上、反應峰值溫度P1以下的範圍內變得最低。另外，由於在反應峰值溫度P1以上，粘結劑的固化反應加快，所以粘結劑的粘度急劇升高。
另外，關於ACF和NCP，分別測量了使之從20℃升溫至200℃時的粘度變化。在圖6中記載了ACF的溫度粘度曲線L2，在圖7中記載了NCP的溫度粘度曲線L3。此外，用ACF、NCP進行了差示掃描熱分析。在圖6中記載了從差示掃描熱分析得到的ACF的反應開始溫度S2和反應峰值溫度P2，在圖7中記載了NCP的反應開始溫度S3和反應峰值溫度P3。
從圖6和圖7可知，即使是將粘結劑形成為膜狀的情況(ACF)或不含有導電粒子的情況(NCP)，溫度粘度曲線L2、L3的粘度成為最低的溫度在反應開始溫度S2、S3以上、反應峰值溫度P2、P3以下的範圍內。從這些結果確認了，當粘結劑為熱固化性時，其粘度成為最低的溫度在反應開始溫度以上、反應峰值溫度以下的範圍內，而與其種類無關，在反應峰值溫度以上，粘結劑的固化反應急劇加快。接著，將上述3種粘結劑(ACP、ACF、NCP)分別塗敷或貼附在柔性布線板13上，在柔性布線板13裝在暫時壓焊臺50上以後，加熱暫時壓焊臺50，使各粘結劑12的溫度上升到下述表2的「第一溫度」一欄中所示的溫度。接著，在圖2(a)～圖2(c)的工序中進行正式壓焊，製作實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1。
表2粘結劑的反應開始溫度、反應峰值溫度和各評價試驗的結果
這裡，作為柔性布線板13，採用在厚度20μm的聚醯亞胺膜的表面上配置了厚度12μm的金屬布線(鍍鎳～金的銅布線)的布線板，作為半導體晶片11，採用在6mm見方的正方形形狀、厚度0.4mm的晶片表面上配置了鍍金凸點(60μm見方的正方形形狀、高度20μm)的晶片。再有，在正式壓焊工序中加熱了的粘結劑12的溫度(第二溫度)為230℃，在正式壓焊工序中所加的載重對每個凸點21為0.6N。
採用這些實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1，分別進行了下面所示的「反應率」、空洞外觀、「初始導通」、「老化後導通」的各評價試驗。
在製造實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1的工序中，採用暫時壓焊工序後的粘結劑12作為試料，對各試料採用與上述差示掃描熱分析相同的方法進行差示掃描熱分析，分別求得粘結劑的反應率。
這裡，分別採用加熱前(塗敷前)的粘結劑作為標準試料。
在假定對標準試料以在進行差示掃描熱分析時所測得的試料每1mg的發熱量為A1，對試料(暫時壓焊後的粘結劑)以在進行差示掃描熱分析時所測得的試料每1mg的發熱量為A2的情況下，用下式(1)得到的值被取作反應率R％。
R(％)＝(1-A2/A1)×100......式(1)在上述表2中記載了各反應率。
對於實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1，用金屬顯微鏡觀察與配置了柔性布線板13的半導體晶片11一側相反的一側的面，確認在將凸點21與連接端子22相接的部分即連接部的周圍的空洞的有無。
這時，假定未觀察到比凸點21大的空洞的場合為「○」，觀察到比凸點21大的空洞的場合為「×」，進行了評價。在上述表2中記載了這些評價結果。
對於實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1，分別測量了連接凸點21的2個連接端子22之間的導通電阻值。假定導通電阻值在100mΩ以下的場合為「○」，在100mΩ以上的場合為「×」，進行了評價。在上述表2中記載了這些評價結果。
將實施例1～7、比較例1～7的電氣裝置1在121℃、相對溼度100％的高溫高溼條件下放置了100小時(老化)後，採用與上述「初始導通」相同的方法測量了導通電阻值。假定導通電阻值在500mΩ以下的場合為「○」，在500mΩ以上的場合為「×」，進行了評價。在上述表2中記載了這些評價結果。
從上述表2可知，在暫時壓焊前的粘結劑的加熱溫度(第一溫度)為反應開始溫度以上、反應峰值溫度以下的實施例1～7的電氣裝置1中，對各評價試驗得到優秀的結果。
另一方面，在暫時壓焊前未進行加熱的比較例1的電氣裝置及第溫度低於各粘結劑的反應開始溫度的比較例2、4、6中，由於暫時壓焊前粘結劑的粘度並不充分地低，所以連接部周圍的粘結劑中存在大量空洞，其結果是，老化後的導通結果變壞。
另外，在暫時壓焊前的溫度分別比各粘結劑的反應峰值溫度高的比較例3、5、7中，在粘結劑中未觀察到大的空洞，但由於在正式壓焊前粘結劑的粘度過高，粘結劑無法充分地擠出去，所以在連接端子與凸點之間不能充分地取得導通，在老化前的初始導通階段被確認為導通不良。
以上說明了將暫時壓焊工序與正式壓焊工序在各不相同的平臺上進行的情況，但本發明卻不限定於此，可在同一平臺上進行暫時壓焊工序和正式壓焊工序。另外，將粘結劑塗敷在基板上的工序也可在暫時壓焊平臺上進行。
另外，以上說明了使暫時壓焊平臺50升溫將粘結劑12加熱到第一溫度的情況，但本發明卻不限定於此，可採用各種加熱裝置。例如，使保持機構40內內置加熱裝置，同時藉助於在加熱爐內進行暫時壓焊工序，可將粘結劑12加熱到第一溫度。
另外，如果使正式壓焊平臺內內置加熱裝置，利用加熱裝置預先加熱正式壓焊平臺，則由於在將柔性布線板13從暫時壓焊平臺50移到正式壓焊平臺時，粘結劑12的溫度不降低，所以可更加縮短在正式壓焊工序中花費的時間。這時，希望正式壓焊平臺的溫度在第二溫度以下，如為第一溫度左右則更好。
以上說明了將半導體芯11與柔性布線板13連接起來的情況，但本發明卻不限定於此，可用於各種電氣裝置的製造。例如，也可不用柔性布線板而用剛性基板，將剛性基板與半導體晶片連接起來，製作C0B(晶片在基板上)。
另外，也可用於TCP(帶式載體封裝)與LCD(液晶顯示器件)的連接。
圖8的符號80表示電氣裝置，電氣裝置80具有TCP83和LCD81。圖8的符號84表示用TCP83的布線的一部分構成的連接端子，圖8的符號82表示用LCD81的電極的一部分構成的連接端子。
TCP83與LCD81用與上述圖1(a)～圖1(d)、圖2(a)～圖2(c)相同的工序連接起來，連接端子82、84在相互接觸的狀態下用粘結劑85加以固定。
作為可用於本發明的熱固化性樹脂，可使用環氧樹脂、尿素樹脂、蜜胺樹脂、酚醛樹脂等各種樹脂，但如考慮到固化速度及熱固化後的粘結劑強度等，最好用環氧樹脂。
在使用環氧樹脂作為熱固化樹脂時，最好並用固化劑。作為固化劑可用咪唑類固化劑、聚胺固化劑、酚醛類、異氰酸酯類、聚硫醇類、酸酐固化劑等各種固化劑。將這些固化劑製成微膠囊，可用作潛在性固化劑。
另外，向粘結劑添加熱塑性樹脂也是可能的。作為熱塑性樹脂，可使用苯氧基樹脂、聚酯樹脂等各種樹脂。
也可向本發明中使用的粘結劑中添加消泡劑、著色劑、防老化劑、充填劑、偶聯劑等各種添加劑。
工業上的可利用性在使半導體晶片與基板上的粘結劑相接的暫時壓焊時，粘結劑中不發生空洞。另外，即使在暫時壓焊後殘留有空洞時，為了增高正式壓焊時粘結劑的粘度，可用擠壓法擠出粘結劑中的空洞。從而，按照本發明，在粘結劑中空洞消失，可得到導通可靠性高的電氣裝置。
權利要求
1.一種電氣裝置製造方法，它是具有以基板的連接端子與半導體晶片的連接端子互相相向的方式進行對位，將上述半導體晶片壓到配置於上述基板上的粘結劑上，對上述半導體晶片一邊擠壓，一邊加熱，使上述連接端子彼此之間接觸的粘結工序的電氣裝置製造方法，其特徵在於上述粘結工序具有在將上述粘結劑加熱到第一溫度的狀態下將上述半導體晶片壓到上述粘結劑上的暫時壓焊工序；以及對上述半導體晶片一邊加壓，一邊將上述粘結劑加熱到比上述第一溫度高的第二溫度的正式壓焊工序。
2.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於上述第一溫度高於上述粘結劑的反應開始溫度而且低於上述粘結劑的反應峰值溫度。
3.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於上述第二溫度高於上述粘結劑的反應峰值溫度。
4.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，將上述基板配置在第一裝載臺上，將上述第一裝載臺加熱到上述第一溫度。
5.如權利要求2所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，將上述基板配置在第一裝載臺上，將上述第一裝載臺加熱到上述第一溫度。
6.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，在進行上述對位後，將上述半導體晶片壓到上述粘結劑上。
7.如權利要求2所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，在進行上述對位後，將上述半導體晶片壓到上述粘結劑上。
8.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，在將上述半導體晶片壓到上述粘結劑時，將上述半導體晶片擠壓到上述相向的連接端子彼此之間不至相互接觸的程度。
9.如權利要求2所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述暫時壓焊工序中，在將上述半導體晶片壓到上述粘結劑時，將上述半導體晶片擠壓到上述相向的連接端子彼此之間不至相互接觸的程度。
10.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，將上述基板移到與上述第一裝載臺不同的第二裝載臺上。
11.如權利要求3所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，將上述基板移到與上述第一裝載臺不同的第二裝載臺上。
12.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，將可加熱的擠壓頭加熱到上述第二溫度，將上述擠壓頭壓到上述半導體晶片上。
13.如權利要求3所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，將可加熱的擠壓頭加熱到上述第二溫度，將上述擠壓頭壓到上述半導體晶片上。
14.如權利要求1所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，在使上述相向的連接端子彼此之間相互接觸後，將上述粘結劑加熱到上述第二溫度。
15.如權利要求3所述的電氣裝置製造方法，其特徵在於在上述正式壓焊工序中，在使上述相向的連接端子彼此之間相互接觸後，將上述粘結劑加熱到上述第二溫度。
全文摘要
在本發明的電氣裝置1的製造方法中，由於將粘結劑12與柔性布線板13一起加熱到第一加熱溫度，在粘度充分降低後，進行半導體晶片11的對位，所以在半導體晶片11被裝到粘結劑12上時，沒有捲入空氣。另外，在正式壓焊時，由於粘結劑12被加熱到比第一加熱溫度高的第二加熱溫度，粘結劑12的粘度增高，所以殘留的空洞與多餘的粘結劑12一起被擠出。從而，在粘結劑12中空洞消失，得到導通可靠性高的電氣裝置1。
文檔編號C09J5/06GK1505835SQ0280879
公開日2004年6月16日 申請日期2002年2月15日 優先權日2001年2月26日
發明者熊倉博之 申請人:索尼化學株式會社