有源矩陣有機電致發光裝置及其製造方法
2023-11-01 02:53:32
專利名稱：有源矩陣有機電致發光裝置及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種有機電致發光裝置，並且更具體地，涉及一種包括具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件的有源矩陣有機電致發光裝置及其製造方法。
背景技術：
通常，有機電致發光裝置(ELD)通過向發射層注射來自陰極的電子和來自陽極的空穴，將這些電子和空穴複合，產生激發性電子-空穴對，並且將激發性電子-空穴對從激發態轉換為基態從而實現發光。與液晶顯示(LCD)裝置相反，由於激發性電子-空穴對在兩種狀態之間的轉換導致發光，對於有機ELD不需要額外的光源用來發光，因此能夠減小有機ELD的體積和重量。有機ELD具有例如低功耗、高亮度和響應時間短等其他突出的特徵。由於這些特徵，有機ELD被認為是下一代電子消費產品例如可攜式電話、汽車導航系統(CNS)、個人數字助理(PDA)、可攜式攝像機和掌上電腦等的最有前途的顯示器。另外，由於製造有機ELD是只需要幾個製造步驟的簡單工藝，因此製造有機ELD比LCD裝置更便宜。
有機ELD有兩種不同類型無源矩陣型和有源矩陣型。雖然無源矩陣型有機ELD和有源矩陣型有機ELD都具有簡單的結構並且可以通過簡單的製造工藝形成，但無源矩陣型有機ELD需要相對較高的功率操作，而且，無源矩陣型有機ELD的顯示尺寸受到其結構的限制。另外，隨著導線數量的增加，無源矩陣型有機ELD的孔徑比減小。與之相比，有源矩陣型有機ELD具有高效率並且能夠以相對低的功耗為大尺寸顯示提供高質量的圖像。
圖1是根據現有技術的有機ELD的剖面圖。在圖1中，包括薄膜電晶體(TFT)「T」的陣列元件14形成在第一基板12上。第一電極16、有機電致發光層18和第二電極20形成在陣列元件14上。有機電致發光層18相對於每個像素區域分別顯示紅色、綠色和藍色。第二基板28正對著第一基板12並且與第一基板12隔開。
利用密封劑26將第一基板12和第二基板28彼此接合。有機ELD通過第一基板12接合到第二基板上密封而成。第二基板28包括潮氣吸收材料22，用來除去有可能穿透有機電致發光層18密封的潮氣和氧氣。在蝕刻部分第二基板28之後，利用潮氣吸收材料22填充蝕刻部分，並且通過保持元件25固定填充進來的潮氣吸收材料。
圖2是根據現有技術的有機電致發光裝置的等效電路圖。在圖2中，柵極線36橫穿數據線49，並且開關元件「TS」與柵極線36和數據線49在柵極線36與數據線49的交叉點處連接。驅動元件「TD」電連接開關元件「TS」和有機電致發光二極體「DEL」。存儲電容「CST」形成在驅動元件「TD」的驅動柵極34和驅動漏極52之間，由於驅動元件「TD」是正極類型的電晶體。有機電致發光二極體「DEL」與電源線22連接，並且驅動漏極與有機電致發光二極體「DEL」的陽極連接。
當柵極線36的掃描信號施加給開關元件「TS」的開關型柵極18時，數據線49的圖像信號通過開關元件「TS」施加給驅動元件「TD」的驅動柵極34。通過施加給驅動柵極34的圖像信號調整驅動元件「TD」的電流密度。結果，有機電致發光二極體「DEL」能夠顯示具有灰度等級的圖像。另外，由於存儲在存儲電容「CST」中的圖像信號施加給驅動柵極34，即使開關元件「TS」關閉時，流入到有機電致發光二極體「DEL」中的電流密度也能夠保持均勻直到施加下一個圖像信號。開關元件「TS」和驅動元件「TD」可以由多晶矽TFT或非晶矽TFT形成。非晶矽TFT的製造工藝比多晶矽TFT的工藝更簡單。
圖3是表示根據現有技術的有機電致發光裝置的一個像素區域的開關元件和包括非晶矽TFT的驅動元件的剖面圖。在圖3中，柵極線36以第一方向形成在基板30上，數據線49以第二方向與柵極線36交叉，並且電源線62設置成與數據線49平行並且與柵極線36交叉。由柵極線36、數據線49和電源線62限定一個像素區域「P」。與像素區域「P」相鄰的開關元件「TS」與柵極線36和數據線49連接。驅動元件「TD」與開關元件「TS」連接。另外，開關元件「TS」包括開關柵極32、開關有源層56a、開關源極48和開關漏極50。驅動元件「TD」包括驅動柵極34、驅動有源層58a、驅動源極52和驅動漏極54。特別是，驅動柵極34與開關漏極50連接，驅動源極52與電源線62連接，以及驅動漏極54與有機電致發光二極體「DEL」(圖2中的)連接。開關有源層56a和驅動有源層58a可以由非晶矽形成。
為了驅動(圖2中的)有機電致發光二極體「DEL」，非晶矽驅動TFT應當具有大的寬度/長度比(W/L比)。在這種情況中，驅動元件「TD」的尺寸遠遠大於開關元件「TS」的尺寸。
圖4A和4B分別是沿著圖3中的直線「IVa-IVa」和「IVb-IVb」的剖面圖。
在圖4A和4B中，開關柵極32和與開關柵極32連接的驅動柵極34形成在基板30上。儘管圖4A和4B中沒有顯示，柵極線32以第一方向形成在基板30上並且與開關柵極32連接。柵極絕緣層38形成在包括開關柵極32和驅動柵極34的基板30上。開關半導體層56和驅動半導體層58分別形成在開關柵極32和驅動柵極34上。開關半導體層56具有孤立的島狀形狀並且包括開關有源層56a和開關歐姆接觸層56b。另外，驅動半導體層58也具有孤立的島狀形狀並且包括驅動有源層58a和驅動歐姆接觸層58b。
開關源極48和開關漏極50以及驅動源極52和驅動漏極54分別形成開關半導體層56和驅動半導體層58上。特別是，開關源極48和開關漏極50以及驅動源極52和驅動漏極54分別與開關歐姆接觸層56b和驅動歐姆接觸層58b接觸。另外，驅動柵極34與開關漏極50連接。第一鈍化層60形成在包括開關源極48和開關漏極50以及驅動源極52和驅動漏極54的基板30上。電源線62形成在第一鈍化層60上並且與驅動源極52連接。第二鈍化層64形成在包括電源線62的基板30上，並且第一電極66形成在像素區域「P」中的第二鈍化層64上並且與驅動漏極54連接。
為了向有機電致發光二極體提供足夠的電流，根據現有技術的有機電致發光裝置的驅動有源層58a具有大的寬度/長度比(W/L比)，這反而影響了孔徑比。另外，由於電流壓力隨著電流密度的增大而增大，可能會發生驅動TFT的熱化。另外，由於直流(DC)偏壓不變地施加到驅動元件上，驅動元件的工作特性發生變化。因此，具有這種非晶矽TFT的有源矩陣有機電致發光裝置具有較差的圖像質量例如殘留圖象，並且驅動元件的較差的工作特性導致有源矩陣有機ELD中的點缺陷(point defect)。
與此同時，當TFT的陣列元件層和有機EL二極體共同形成在一個基板上時，通過陣列元件的產率與有機EL二極體的產率的乘積確定有機ELD的產品產率。由於有機EL二極體的產率相對較低，有機ELD的產品產率受到有機EL二極體的產率的限制。例如，即使當TFT很好地製造時，由於大約1000厚度的薄膜的有機發光層的缺陷，一個有機ELD可能被確定為是有缺陷的，這導致材料的損失和很高的生產成本。
有機ELD根據有機EL二極體的第一和第二電極的透明度劃分成底發射型和頂發射型。底發射型ELD由於封裝而具有例如高的圖像穩定性和多種製造工藝的優點。但是，底發射型有機ELD由於在孔徑比方面的限制對於要求高清晰度的裝置來說是不夠的。另一方面，由於頂發射型有機ELD在基板的向上方向中直接發射，光線發射不會受到位於有機EL層下面的陣列元件層的幹擾。因此，包括TFT的陣列層的整體設計可以簡化。另外，能夠增大孔徑比，從而增大有機ELD的工作壽命周期。但是，由於頂發射型有機ELD具有通常形成在有機EL層之上的陰極，材料的選擇受到限制使得光透射效率降低。當形成薄膜形狀的鈍化層來防止光透射率的降低時，這種薄膜形狀的鈍化層不能阻止外部空氣滲透到裝置中。
發明內容
因此，本發明的目的在於提出一種有機電致發光裝置及其製造方法，其基本上解決了由於現有技術的局限和缺點而存在的一個或多個問題。
本發明的一個優點在於提供一種有機電致發光裝置及其製造方法，其中的多個薄膜電晶體相互並聯連接。
本發明的另一個優點在於提供一種具有高顯示質量的有源矩陣有機電致發光裝置及其製造方法。
本發明的另一個優點在於增大驅動元件的寬度/長度比(W/L比)而不會犧牲孔徑比，從而穩定驅動元件。
下面的說明書中將會提出本發明的其他特徵和優點，並且一部分會在本說明書中清楚，或者可以通過本發明的實踐學習到。通過在書面的說明書、權利要求書以及所附附圖中具體指出的結構將會實現和獲得本發明的目的和其他優點。
為了實現這些和其它優點並且根據本發明的目的，如具體和概括描述的一種有機電致發光裝置，包括位於基板上的柵極線和數據線，數據線穿過柵極線；與柵極線和數據線連接的開關元件；具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件，該驅動元件與開關元件連接；與驅動元件連接的有機電致發光二極體，其中驅動元件包括第一和第二柵極，位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
另一方面，一種有機電致發光裝置，包括彼此正對並且相互隔開的第一和第二基板；位於第一基板上的柵極線和數據線，數據線穿過柵極線；與柵極線和數據線連接的開關元件；具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件，該驅動元件與開關元件連接；位於第二基板上的有機電致發光二極體；和將第一基板與第二基板電連接的連接電極，其中驅動元件包括第一和第二柵極，位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
另一方面，一種製造有機電致發光裝置的方法，包括以下步驟在基板上形成柵極線；形成與柵極線連接的開關元件；形成與該開關元件連接的驅動元件，驅動元件具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體；形成數據線，該數據線橫穿柵極線並且與開關元件連接；和形成與驅動元件連接的有機電致發光二極體，其中形成具有多個薄膜電晶體的驅動元件包括形成第一和第二柵極；在第一和第二柵極之上形成有源層；在第一和第二柵極之間形成漏極；和形成基本上圍繞漏極的源極。
更進一步，另一方面，一種有機電致發光裝置的驅動系統，包括彼此正對並且相互隔開的第一和第二柵極；位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
應當理解的是，下面概括的描述和詳細的描述都是示例性的和解釋性的，是為要求保護的本發明來做進一步解釋的。
結合所附附圖解釋本發明的實施例，並且與說明書一起來解釋本發明的原理，這些附圖進一步地理解發明並且合併在其中構成本說明書的一部分。
在這些附圖中圖1是根據現有技術的有機ELD的剖面圖；圖2是根據現有技術的有機電致發光裝置的等價電路圖；
圖3是表示根據現有技術的有機電致發光裝置的一個像素區域的開關元件和包括無定形TFT的驅動元件的剖面圖；圖4A和4B分別是沿著圖3中的直線「IVa-IVa」和「IVb-IVb」的剖面圖；圖5是根據本發明的一個實施例的雙平板類型的有機電致發光裝置的剖面圖；圖6是根據本發明的一個實施例的雙平板類型的有機電致發光裝置的平面圖；圖7A和7B分別是沿著圖6中的直線「VIIa-VIIa」和「VIIb-VIIb」的剖面圖；圖8至12是表示根據本發明的實施例的具有多個相互並聯連接的驅動TFT的驅動元件的平面圖；和圖13A至13F和圖14A至14F分別是沿著圖6中的直線「VIIa-VIIa」和「VIIb-VIIb」的剖面圖，表示根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置的TFT陣列部分的製造工藝。
具體實施例方式
現在將對本發明的圖解的實施例給予詳細的解釋，結合所附附解其中的一個例子。可能的情況下，在所有附圖中使用同樣的附圖標記表示相同或類似的部分。
圖5是根據本發明的一個實施例的雙平板類型的有機電致發光裝置的剖面圖。在圖5中，在第一和第二基板100和200中限定多個像素區域「P」，其中第一和第二基板彼此正對並且相互隔開。多個陣列元件層「AL」和多個薄膜電晶體(TFT)「T」形成在第一基板100的內表面上。每個陣列元件層「AL」和TFT「T」位於每個像素區域「P」中。儘管圖5中沒有顯示出來，每個TFT「T」包括開關TFT「TS」和驅動元件「TD」。特別是，驅動元件「TD」包括相互並聯連接的多個驅動TFT(圖中沒有示出)。
第一電極202形成在第二基板200的內表面上。多個電致發光層208和多個第二電極210依次形成在像素區域「P」中的第一電極202上。電致發光層208可以分別為每個像素區域「P」顯示紅色、綠色和藍色。當第一電極202起到陽極的作用時，第一電極202由透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或者類似物製成。當第二電極210起到陰極的作用時，第二電極210可以由不透明(no-transparent)的導電材料例如鋁(Al)、鈣(Ga)、鎂(Mg)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)或者類似物製成。另外，電致發光層208可以包括多個空穴傳輸層208a、多個發射層208b和多個電子傳輸層208c。特別是，空穴傳輸層208a向發射層208b提供來自陽極的空穴；電子傳輸層208c向發射層208b提供來自陰極的電子。
與此同時，連接電極400將第一基板100與第二基板200電連接並且位於每個像素區域「P」中。特別是，第二電極210和驅動元件「TD」通過連接電極400相互連接。另外，第一基板100和第二基板200通過密封劑300彼此相互接合。
圖6是根據本發明的一個實施例的雙平板類型的有機電致發光裝置的平面圖。圖7A和7B分別是沿著圖6中的直線「VIIa-VIIa」和「VIIb-VIIb」的剖面圖。
參照圖6、7A和7B，柵極線104以第一方向形成在基板100上，數據線119以第二方向與柵極線104交叉，和通過柵極線104和數據線119限定一個像素區域「P」。與柵極線104和數據線119的交叉點相鄰的開關TFT「TS」與柵極線102和數據線119連接。驅動元件「TD」與開關TFT「TS」連接並且包括相互並聯連接的第一至第六驅動TFT「Td1至Td6」。另外，電源線132以第二方向形成並且與驅動元件「TD」連接。
開關柵極102形成在第一基板100上，並且柵極絕緣層108形成在包括開關柵極102的第一基板100之上。另外，開關有源層110形成在開關柵極102之上，開關源極120a和開關漏極120b形成在開關有源層110上並且彼此分開。因此，開關TFT「TS」包括開關柵極102、開關有源層110、開關源極120a和開關漏極120b。開關有源層110可以由非晶矽材料製成。
仍然參照圖6、圖7A和7B，驅動第一和第二柵極106a和106b作為一個整體形成在第一基板100上並且彼此相互分開。驅動第一和第二柵極106a和106b與開關漏極120b連接。驅動有源層114形成在驅動第一和第二柵極106a和106b上方，並且柵極絕緣層108夾在驅動第一和第二柵極106a和106b與驅動有源層114之間。另外，驅動漏極122b形成在驅動第一和第二柵極106a和106b之間，驅動源極122a圍繞驅動漏極122b並且與之分開。因此，驅動元件「TD」包括驅動第一和第二柵極106a和106b、驅動有源層114、驅動源極122a和驅動漏極122b。驅動源極122a和驅動漏極122b具有不均勻的部分，突出部分「X」和凹入部分「V」，如圖6中所示。突出部分「X」與驅動第一和第二柵極106a和106b重疊，而凹入部分「V」與驅動第一和第二柵極106a和106b不重疊。
圖8至12是表示根據本發明的另一個實施例的具有多個相互並聯連接的驅動TFT的驅動元件的平面圖。
驅動第一和第二柵極106a和106b作為一個整體形成在第一基板100(圖6中)上並且彼此相互分開。驅動漏極122b在一個平面圖中形成在驅動第一和第二柵極106a和106b之間。驅動漏極122b的一部分與驅動第一和第二柵極106a和106b的邊緣部分相互重疊。驅動源極122a圍繞驅動漏極122b並且與驅動漏極122b分開。儘管圖8至12中沒有顯示，(圖6中的)驅動有源層114形成在驅動第一和第二柵極106a和106b之上。另外，驅動元件「TD」包括多個驅動TFT「Td」。
在圖8中，驅動源極122a具有凹凸不平的部分，突出部分「X」和凹入部分「V」。突出部分「X」與驅動第一和第二柵極106a和106b重疊，而凹入部分「V」與驅動第一和第二柵極106a和106b不重疊。另外，在圖8中驅動元件「TD」包括第一至第六驅動TFT「Td1至Td6」。
在圖9中，驅動漏極122b具有凹凸不平的部分，突出部分「X」和凹入部分「V」。突出部分「X」與驅動第一和第二柵極106a和106b重疊，而凹入部分「V」與驅動第一和第二柵極106a和106b不重疊。另外，在圖9中驅動元件「TD」包括第一至第六驅動TFT「Td1至Td6」。在圖8至圖9中，驅動第一和第二柵極106a和106b具有端部區域「EP」。
在圖10中，驅動源極122a和驅動漏極122b具有第一和第二凹凸不平部分。驅動源極122b的第一凹凸不平部分具有第一突出部分「X1」和第一凹入部分「V1」，並且驅動漏極122a的第二凹凸不平部分具有第二突出部分「X2」和第二凹入部分「V2」。第一和第二突出部分「X1」和「X2」與驅動第一和第二柵極106a和106b重疊，而第一和第二凹入部分「V1」和「V2」與驅動第一和第二柵極106a和106b不重疊。驅動第一和第二柵極106a和106b具有圓環形狀。驅動第一和第二柵極106a和106b包括連接區域「M」。因此，有源溝道區域「ch」的面積變得增大而不需要額外的驅動TFT。另外，在圖10中驅動元件「TD」包括第一至第五驅動TFT「Td1」和「Td5」。
在圖11中，驅動元件「TD」還包括位於驅動漏極122a和驅動源極122b的另一個對面區域中的第三凹凸不平部分「VS」，並且第三凹凸不平部分「VS」具有第三突出部分「X3」和第三凹入部分「V3」。第三突出部分「X3」與驅動第一和第二柵極106a和106b重疊，而第三凹入部分「V3」的一部分與驅動第一和第二柵極106a和106b不重疊。在圖11中，位於第三突出部分「X3」之間的是另一個有源溝道區域「ch1」。另外，在圖11中驅動元件「TD」包括第一至第七驅動TFT「Td1」和「Td7」。
在圖12中，驅動元件「TD」包括第一至第五驅動TFT「Td1」和「Td5」。驅動漏極122a和驅動源極122b具有不凹凸不平的部分，突出部分「X」和凹入部分「V」，如圖12中所示。通過延伸相應的突出部分「X」，驅動元件「TD」例如第四驅動TFT「Td4」的溝道寬度「W」增大。
儘管圖8至12中沒有顯示，驅動漏極122a和驅動源極122b可以相互交換。也就是說，附圖標記122a可以是漏極而附圖標記122b可以是源極。具體地，當薄膜電晶體是n型並且漏極的電壓值是大於源極的電壓值時，源極和漏極從圖8至12中所示的位置彼此相互交換。但是，在這種情況中，可能在漏極的交換後的區域中發生修剪現象，並且它可以起到溝道的電阻元件的作用。這是因為應當在飽和狀態區域中驅動有機電致發光裝置的TFT。突出部分「X」和凹入部分「V」的數量決定了並聯的TFT的數量。
圖13A至13F和圖14A至14F分別是沿著圖6中的直線「VIIa-VIIa」和「VIIb-VIIb」的剖面圖，表示根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置的TFT陣列部分的製造工藝。
在第一基板100中限定像素區域「P」、開關區域「S」和驅動區域「D」。開關區域「S」和驅動區域「D」分別包括開關TFT(圖中沒有示出)和驅動元件(圖中沒有示出)。通過沉積金屬層例如鋁(Al)、Al合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)或類似物並且對其構圖，在第一基板100上形成開關柵極102和驅動柵極106。儘管圖13A和14A中沒有顯示，開關柵極102與以第一方向形成在第一基板100上的柵極線連接。驅動柵極106包括位於驅動區域「D」中的驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b。驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b具有端部區域。應當理解驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b可以一起具有環狀，如圖10至12中所示。
在圖13B和14B中，柵極絕緣層108形成在具有驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b的第一基板100之上。通過沉積無機絕緣材料例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)形成柵極絕緣層108。通過依次沉積純淨的非晶矽和摻雜質的非晶矽並對其構圖，將開關半導體層111和驅動半導體層115分別形成開關柵極102和驅動柵極106之上。因此，柵極絕緣層108形成在半導體層111和115與柵極102和106之間。開關半導體層111包括開關有源層110和開關歐姆接觸層112，並且驅動半導體層115包括驅動有源層114和驅動歐姆接觸層116。另外，柵極絕緣層108具有將驅動柵極106的一部分暴露出來的柵接觸孔118。
在圖13C和14C中，通過沉積金屬層並對其構圖，開關源極和漏極120a和120b和驅動源極和漏極122a和122b分別形成在開關半導體層111和驅動半導體層115上。特別是，開關源極和漏極120a和120b與開關歐姆接觸層112接觸，並且驅動源極和漏極122a和122b與驅動歐姆接觸層116接觸。在平面圖中驅動漏極122b位於驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b之間。驅動源極122a和驅動漏極122b彼此分開並且圍繞驅動漏極122b。另外，驅動柵極106通過柵接觸孔118與開關漏極120b連接。
儘管在圖13C和14C中沒有顯示，為了提供具有多個彼此並聯連接的驅動TFT的驅動元件「TD」，驅動源極和漏極122a和122b中的至少一個具有凹凸不平部分。該凹凸不平部分包括與驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b重疊的突出部分和與驅動第一柵極106a和驅動第二柵極106b不重疊的凹入部分。通過蝕刻開關歐姆接觸層112和驅動歐姆接觸層116，分別使得開關有源層110的位於開關源極和漏極120a和120b之間的部分以及驅動有源層114的位於驅動源極和漏極122a和122b之間的部分曝光。
在圖13D和14D中，第一鈍化層124形成在包括開關源極和漏極120a和120b以及驅動源極和漏極122a和122b的第一基板100之上。第一鈍化層124具有使得驅動源極122a的邊緣部分曝光的第一接觸孔。
在圖13E和14E中，通過沉積導電層並對其構圖，形成電源線132並且與驅動源極122a連接。儘管圖13E和14E中沒有顯示，電源線132可以與柵極106同時形成。
在圖13F和14F中，通過沉積無機絕緣材料例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)或者通過塗布有極絕緣材料例如三氯甲苯(BCB)或丙烯酸樹脂，形成第二鈍化層134。儘管圖13F和14F中沒有顯示，第二鈍化層134可以具有第二接觸孔，驅動漏極122b通過該接觸孔與連接電極(圖6中)連接。
根據本發明的有機ELD具有幾個優點。第一，因為該有機ELD是頂發射型，所以能夠獲得高的孔徑比。第二，因為具有薄膜電晶體的陣列元件層和有機EL發光二極體形成在它們各自的基板上，所以能夠防止由於有機EL發光二極體的製造工藝而帶來的意外的影響，從而提高了整體的成品率。第三，由於在有機電致發光裝置中使用的多個薄膜電晶體彼此並聯連接，所以電流壓力可以分布在整個薄膜電晶體上。因此，電流壓力不會對驅動元件的功率負面影響，從而提供高的圖像質量。
對於本領域技術人員來講，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，本發明的有機電致發光裝置及其製造方法可以做出各種變形和改進。因此，本發明要求覆蓋本發明的這些改進和變形，只要它們位於所附權利要求及其等價物的範圍內。
權利要求
1.一種有機電致發光裝置，包括位於基板上的柵極線和數據線，數據線穿過柵極線；與柵極線和數據線連接的開關元件；具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件，該驅動元件與開關元件連接；和與驅動元件連接的有機電致發光二極體，其中驅動元件包括第一和第二柵極，位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
2.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，源極具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，使得突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
3.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，第一和第二柵極彼此連接。
4.根據權利要求3的裝置，其特徵在於，每個第一和第二柵極都具有端部區域。
5.根據權利要求3的裝置，其特徵在於，第一和第二柵極具有環狀。
6.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，漏極具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
7.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，漏極和源極具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
8.根據權利要求7的裝置，其特徵在於，進一步具有第三凹凸不平部分，該第三凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
9.根據權利要求2的裝置，其特徵在於，通過延伸相應的突出部分增大每個薄膜電晶體的溝道寬度。
10.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，進一步包括與驅動元件連接的電源線。
11.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，驅動元件包括非晶矽薄膜電晶體。
12.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，每個驅動元件包括n型薄膜電晶體。
13.根據權利要求12的裝置，其特徵在於，漏極的電壓值大於源極的電壓值。
14.一種有機電致發光裝置，包括彼此正對並且相互隔開的第一和第二基板；位於第一基板上的柵極線和數據線，數據線穿過柵極線；與柵極線和數據線連接的開關元件；具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件，該驅動元件與開關元件連接；位於第二基板上的有機電致發光二極體；和將第一基板與第二基板電連接的連接電極，其中驅動元件包括第一和第二柵極，位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
15.根據權利要求14的裝置，其特徵在於，有機電致發光二極體包括位於第二基板上的第一電極，位於第一電極上的電致發光層和位於電致發光層上的第二電極。
16.根據權利要求14的裝置，其特徵在於，第一電極起到陽極的作用，第二電極起到陰極的作用。
17.根據權利要求16的裝置，其特徵在於，第一電極包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
18.根據權利要求16的裝置，其特徵在於，第二電極包括鋁(Al)、鈣(Ga)、鎂(Mg)和氟化鋰/鋁(LiF/Al)。
19.根據權利要求14的裝置，其特徵在於，連接電極將驅動元件與第二電極連接。
20.一種製造有機電致發光裝置的方法，包括以下步驟在基板上形成柵極線；形成與柵極線連接的開關元件；形成與該開關元件連接的驅動元件，驅動元件具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體；形成數據線，該數據線橫穿柵極線並且與開關元件連接；和形成與驅動元件連接的有機電致發光二極體，其中形成具有多個薄膜電晶體的驅動元件包括形成第一和第二柵極；在第一和第二柵極之上形成有源層；在第一和第二柵極之間形成漏極；和形成基本上圍繞漏極的源極。
21.根據權利要求20的方法，其特徵在於，源極在位於面對漏極的部分中具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
22.根據權利要求20的方法，其特徵在於，第一和第二柵極彼此連接。
23.根據權利要求22的方法，其特徵在於，每個第一和第二柵極都具有端部區域。
24.根據權利要求22的方法，其特徵在於，第一和第二柵極具有環狀。
25.根據權利要求20的方法，其特徵在於，漏極具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
26.根據權利要求20的方法，其特徵在於，漏極和源極具有凹凸不平部分，該凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
27.根據權利要求26的方法，其特徵在於，進一步具有第三凹凸不平部分，該第三凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，使得突出部分與第一和第二柵極重疊而凹入部分與第一和第二柵極不重疊。
28.根據權利要求21的方法，其特徵在於，通過延伸相應的突出部分增大每個薄膜電晶體的溝道寬度。
29.根據權利要求20的方法，其特徵在於，進一步包括與驅動元件連接的電源線。
30.根據權利要求20的方法，其特徵在於，多個薄膜電晶體是非晶矽薄膜電晶體。
31.根據權利要求20的方法，其特徵在於，驅動元件包括n型薄膜電晶體。
32.根據權利要求31的方法，其特徵在於，漏極的電壓值大於源極的電壓值。
33.一種有機電致發光裝置的驅動系統，包括彼此正對並且相互間隔的第一和第二柵極；位於第一和第二柵極之上的有源層；位於第一和第二柵極之間的漏極；和基本上圍繞漏極的源極。
全文摘要
一種有機電致發光裝置，包括位於基板上的柵極線和數據線，數據線穿過柵極線；與柵極線和數據線連接的開關元件；具有多個相互並聯連接的薄膜電晶體的驅動元件，該驅動元件與開關元件連接；與驅動元件連接的有機電致發光二極體，其中驅動元件包括第一和第二柵極，位於第一和第二柵極之上的有源層，位於第一和第二柵極之間的漏極，和基本上圍繞漏極的源極。
文檔編號H05B33/00GK1638550SQ20041005944
公開日2005年7月13日 申請日期2004年6月28日 優先權日2003年12月30日
發明者樸宰用 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社