具有蝕刻停止層的電晶體結構及其製作方法

2023-12-10 08:25:37

專利名稱：具有蝕刻停止層的電晶體結構及其製作方法
技術領域：
本發明涉及一種的電晶體結構，尤其涉及一種具有蝕刻停止層的薄膜電晶體結 構。
背景技術：
現有薄膜電晶體頂柵極(top gate)結構(元件)中，目前已廣泛地應用在平面顯 示裝置上，其中頂柵極是指柵極設置於半導體堆棧層上方，而半導體堆棧層是由多晶矽層 與歐姆接觸層所構成，即先形成多晶矽層再形成歐姆接觸層於多晶矽層的上方，且歐姆接 觸層中具有N+區域及P+區域。然而在一般的頂柵(top gate)電晶體元件的工藝中，對歐 姆接觸層蝕刻時，即對N+區域和P+的區域的蝕刻時，易蝕刻柵極正下方及其附近的多晶矽 層，而造成多晶矽層(也可稱為主動層)的前通道損壞，即位於柵極下方的多晶矽層會被蝕 刻成較原先設計的厚度為薄，而若當電晶體元件的多晶矽層(也可稱為主動層)較薄時，更 不易控制蝕刻工藝中的多晶矽層(也可稱為主動層)厚度的均勻性，容易導致電性不均。而 且，由於前信道損壞也會造成電子遷移率降低、漏電流變大以及次臨界效應變差等問題，而 使得電晶體元件可靠度不佳，造成了薄膜電晶體頂柵極(top gate)結構(元件)在應用上 的限制。因此，現有的頂柵(top gate)電晶體元件的結構尚須改良。

發明內容
本發明所要解決的技術問題在於提出一種具有蝕刻停止層的電晶體結構及其制 作方法，以改良現有電晶體電性不均的問題。本發明的具有蝕刻停止層的電晶體結構，至少由基板、結晶半導體層、蝕刻停止結 構、歐姆接觸層(Ohmic Contact)、源極、漏極、一柵極絕緣層以與柵極所構成。其中，結晶半 導體層設置於基板上，其中結晶半導體層包括上表面、第一側表面與一第二側表面。蝕刻停 止結構設置於結晶半導體層上，且蝕刻停止結構包含第一部分及第二部分。歐姆接觸層設 置於結晶半導體層及蝕刻停止結構上，包含第一歐姆接觸區與第二歐姆接觸區，其中第一 歐姆接觸區自蝕刻停止結構的第一部分的上方朝向結晶半導體層延伸且覆蓋結晶半導體 層的上表面的一側，第二歐姆接觸區自蝕刻停止結構的第二部分的上方朝向結晶半導體層 延伸且覆蓋結晶半導體層的上表面的另一側。源極覆蓋於第一歐姆接觸區，而漏極覆蓋於 第二歐姆接觸區。柵極絕緣層設置於源極、漏極與結晶半導體層上。而柵極設置於柵極絕 緣層上對應結晶半導體層。其中，該蝕刻停止結構的該第一部分被夾設於該第一歐姆接觸區正下方及該結晶 半導體層之間，該蝕刻停止結構的該第二部分被夾設於該第二歐姆接觸區正下方及該結晶 半導體層之間，該蝕刻停止結構的該第一部分與該第二部分不接觸，且暴露出部分該結晶 半導體層。其中，該蝕刻停止結構更包含一第三部分，而該第一部分、該第二部分及該第三部分連接構成一體的該蝕刻停止結構，且該蝕刻停止結構與該第一歐姆接觸區及該第二歐姆 接觸區完全覆蓋住該結晶半導體層。其中，該第一歐姆接觸區更進一步延伸覆蓋該結晶半導體層的該第一側表面及部 份該基板，且該第二歐姆接觸區更進一步延伸覆蓋該結晶半導體層的該第二側表面及部份 該基板。其中，該結晶半導體層包含一多晶矽半導體層。其中，該源極的邊緣大體上與該第一歐姆接觸區的邊緣對齊，且該漏極的邊緣大 體上與該第二歐姆接觸區的邊緣對齊。其中，該源極的邊緣大體上與該蝕刻停止結構的該第一部分的邊緣對齊，且該漏 極的邊緣大體上與該蝕刻停止結構的該第二部分的邊緣對齊。其中，包含一緩衝層，設置於該基板與該結晶半導體層之間。其中，該源極突出於該第一歐姆接觸區並覆蓋部分該基板，且該漏極突出於該第 二歐姆接觸區並覆蓋部分該基板。此外，本發明的電晶體結構更可選擇性地在基板上先形成一緩衝層，再形成結晶 半導體層(crystalline semiconductor layer)。而結晶半導體層選用多晶矽半導體層 (polycrystalline silicon semiconductor layer)為範例，但結晶半導體層的材料並不 限於矽，而可為其它半導體材料，例如銦鍺鋅氧化物(IGZO)、銦鍺氧化物(IGO)、銦鋅氧化 物(IZO)、或其它合適的材料、或上述的組合，且其結晶形式也不限於多晶，而可為其它結晶 形式，例如，微晶。本發明的具有蝕刻停止層的電晶體結構製作方法，至少包含下列步驟提供基板； 形成圖案化結晶半導體層於基板上；形成圖案化蝕刻停止結構於結晶半導體層上；沉積歐 姆接觸層覆蓋結晶半導體層及蝕刻停止結構；分別形成第一歐姆接觸區於結晶半導體層與 蝕刻停止結構的一側的上方，以及第二歐姆接觸區於結晶半導體層與蝕刻停止結構的另一 側的上方；以及，分別形成源極覆蓋於第一歐姆接觸區與基板上，以及漏極覆蓋於第二歐姆 接觸區與基板上。其中，更包含下列步驟形成一柵極絕緣層於該源極、該漏極與該結晶半導體層 上；以及形成一柵極於該柵極絕緣層上。其中，該形成一圖案化蝕刻停止結構於該結晶半導體層上的步驟，更至少包含下 列步驟透過一等離子輔助化學氣相沉積方式沉積一蝕刻停止層於該結晶半導體層上；形 成一光刻膠層於該蝕刻停止層上；圖案化該光刻膠層並暴露出一部分蝕刻停止層；移除暴 露出的該部份蝕刻停止層以形成該圖案化蝕刻停止結構；以及移除已圖案化的該光刻膠層。其中，該結晶半導體層包括一多晶矽半導體層。其中，更進一步包含步驟移除裸露於該第一歐姆接觸區與該第二歐姆接觸區外 的該蝕刻停止層的區域。其中，該分別形成一第一歐姆接觸區以及一第二歐姆接觸區的步驟，更包含步驟 通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該結晶半導體層。其中，該分別形成一源極以及一漏極的步驟，更包含下列步驟形成一電極層覆蓋 於該歐姆接觸層及該基板上；以及通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該電極層。其中，該沉積一歐姆接觸層覆蓋該結晶半導體層及該蝕刻停止結構的步驟，更進 一步包含沉積該歐姆接觸層覆蓋於部分該基板上的步驟。其中，該分別形成一源極以及一漏極的步驟，更包含下列步驟形成一電極層覆蓋 於該歐姆接觸層上；以及通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該電極層。此外，本發明的製作方法，可通過相同的光掩模同時圖案化歐姆接觸層及結晶半 導體層，或通過另一相同的光掩模同時圖案化歐姆接觸層及電極層。採用本發明容易控制多晶矽層(也可稱為主動層)厚度的均勻性，不會產生電性 不均的問題。而且，不會產生電子遷移率降低、漏電流變大以及次臨界效應變差等問題，因 此，電晶體元件可靠度好。以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。


121 131 135 150 170 190 220 223 233 251 311 341 352 381
111 緩衝層 123 上表面 133 第三部分 141 第一歐姆接觸區
圖1繪示本發明電晶體結構的一態樣的結構示意圖； 圖2A、2B分別繪示本發明電晶體的主要特徵結構的實施例一、二的示意圖； 圖3A、3B分別繪示本發明電晶體的主要特徵結構的實施例三、四的示意圖； 圖4A 4J為本發明的具有蝕刻停止層的電晶體結構的工藝示意圖； 圖5A 5G為本發明的具有蝕刻停止層的電晶體結構的另一工藝示意圖；以及 圖6A 6D為本發明的形成一圖案化蝕刻停止結構的工藝示意圖。 其中，附圖標記 100 電晶體結構 第一側表面 第一部分已圖案化的光刻膠層 電極層 柵極 導電層
結晶半導體層 上表面 第三部分 源極 緩衝層
第一歐姆接觸區 漏極
第一貫穿孔
漏極
第一貫穿孔 基板
第二側表面 第一部分 第一歐姆接觸區 電晶體結構 330 蝕刻停止結構 350 電極層 370 柵極 390 導電層
152 181 210 222 231 241 300
具體實施例方式
本發明為一種具有蝕刻停止層的電晶體結構。以下配合圖示說明本發明的較佳實 施例，並詳細說明本發明的技術特徵。
請配合參照圖1，繪示本發明電晶體結構的一態樣的結構示意圖。本發明提出的 電晶體結構100，由基板110、結晶半導體層120、蝕刻停止結構130、歐姆接觸層140、源極 151、漏極152、柵極絕緣層160以與柵極170所構成。其中，結晶半導體層(也可稱為本徵 層或主動層)120設置於基板110上，結晶半導體層120具有第一側表面121、第二側表面 122及上表面123。蝕刻停止結構130設置於結晶半導體層120上，且蝕刻停止結構130包 含第一部分131及第二部分132。歐姆接觸層140設置於結晶半導體層120及蝕刻停止結 構130上，包含第一歐姆接觸區141與第二歐姆接觸區142，其中第一歐姆接觸區141自蝕 刻停止結構130的第一部分131的上方朝向結晶半導體層120延伸且覆蓋結晶半導體層 120的上表面123的一側，第二歐姆接觸區142自蝕刻停止結構130的第二部分132的上方 朝向結晶半導體層120延伸且覆蓋結晶半導體層120的上表面123的另一側。源極151覆 蓋於第一歐姆接觸區141的上，源極151的邊緣大體上與第一歐姆接觸區141的一邊緣對 齊，且大體上與蝕刻停止結構130的第一部分131的一邊緣對齊。而漏極152覆蓋於第二 歐姆接觸區142的上，漏極152的邊緣大體上與第二歐姆接觸區142的一邊緣對齊，且大體 上與蝕刻停止結構130的第二部分132的一邊緣對齊。柵極絕緣層160設置於源極151、漏 極152與結晶半導體層120的上。柵極170對應結晶半導體層120的位置，而設置於柵極 絕緣層160上。此外，本發明的電晶體結構100，更可選擇性地在基板110上先形成一緩衝層111， 再形成結晶半導體層120。而結晶半導體層120選用多晶矽半導體層為範例，但結晶半導體 層120的材料並不限於矽，而可為其它半導體材料，例如銦鍺鋅氧化物(IGZO)、銦鍺氧化 物(IGO)、銦鋅氧化物(IZO)、或其它合適的材料、或上述的組合，且其結晶形式也不限於多 晶，而可為其它結晶形式，例如，微晶。除上述構成元件外，電晶體結構100另外更包含保護層180、第一貫穿孔181、第二 貫穿孔182及導電層190。保護層180覆蓋柵極170與柵極絕緣層160。第一貫穿孔181 貫穿保護層180與柵極絕緣層160並暴露出源極151，而第二貫穿孔182貫穿保護層180與 柵極絕緣層160並暴露出漏極152。導電層190設於保護層180上，且導電層190分別透過 第一貫穿孔181以及第二貫穿孔182，而分別連接至源極151與漏極152。接著，配合參照圖2A、2B，分別繪示本發明電晶體的主要特徵結構的實施例一、二 的示意圖。如圖2A所示的實施例一，蝕刻停止結構130的第一部分131被夾設於第一歐姆 接觸區141正下方及結晶半導體層120之間，而蝕刻停止結構130的第二部分132被夾設 於第二歐姆接觸區142正下方及結晶半導體層120之間，且蝕刻停止結構130的第一部分 131與第二部分132不相接觸。因此，圖1中的電晶體結構100，其蝕刻停止結構130會暴 露出部分結晶半導體層120。又，如圖2B所示的實施例二，除了夾設於第一歐姆接觸區141正下方及結晶半導 體層120之間的第一部分131，及夾設於第二歐姆接觸區142正下方及結晶半導體層120之 間的第二部分131之外，蝕刻停止結構130可更包含第三部分133。第三部分133與第一部 分131、第二部分132連接構成一個整體的蝕刻停止結構130。因此，第IB圖中的電晶體結 構100，其蝕刻停止結構130完全覆蓋於結晶半導體層120上。且蝕刻停止結構130與第一 歐姆接觸區141及第二歐姆接觸區142完全包覆住結晶半導體層120。此外，本發明的晶體 管結構100，更包含可選擇地在基板110上先形成緩衝層111，再形成結晶半導體層120。
接著，配合參照圖3A、3B，分別繪示本發明電晶體的主要特徵結構的實施例三、四 的示意圖。第3A、3B圖中的電晶體結構200的組成方式大致與圖2A、2B中的電晶體結構100 相似。由於在工藝中的蝕刻順序的不同，使得兩者在結構上有些許差異。在以下說明中，將 省略兩者相同的結構部分。交互參照圖3A、3B與圖2A、2B，電晶體結構200與電晶體結構100不同之處在於， 電晶體結構200的歐姆接觸層240的第一歐姆接觸區241除了覆蓋結晶半導體層220的上 表面223的一側之外，更進一步延伸覆蓋結晶半導體層220的第一側表面221及部份基板 210 ；且歐姆接觸層240的第二歐姆接觸區242，除了覆蓋結晶半導體層220的上表面223的 另一側之外，第二歐姆接觸區242更進一步延伸覆蓋結晶半導體層220的第二側表面222 及部份基板210。如圖3A所示的實施例三，蝕刻停止結構230的第一部分231被夾設於第一歐姆接 觸區241正下方及結晶半導體層220之間，而蝕刻停止結構230的第二部分232被夾設於 第二歐姆接觸區242正下方及結晶半導體層220之間，且蝕刻停止結構230的第一部分231 與第二部分232不相接觸。因此，圖2A中的電晶體結構200，其蝕刻停止結構230會暴露出 部分結晶半導體層220。又，如圖3B所示的實施例四，除了夾設於第一歐姆接觸區241正下方及結晶半導 體層220之間的第一部分231，及夾設於第二歐姆接觸區242正下方及結晶半導體層220之 間的第二部分231之外，蝕刻停止結構230可更包含一第三部分233。第三部分233與第一 部分231、第二部分232連接構成一個整體的蝕刻停止結構230。因此，圖2B中的電晶體結 構200，其蝕刻停止結構230完全覆蓋於結晶半導體層220上。且蝕刻停止結構230與第一 歐姆接觸區241及第二歐姆接觸區242完全包覆住結晶半導體層220。此外，本發明的晶體 管結構200，更包含可選擇地在基板210上先形成一緩衝層211，再形成結晶半導體層220。以下說明本發明所提出的具有蝕刻停止層的電晶體結構製作方法。配合參照圖 4A 4J，為本發明的具有蝕刻停止層的電晶體結構製作的流程示意圖。為簡化說明，以下 僅以本發明實施例一、二中的電晶體結構100為例，但並非以此實施例為限。依據本發明的 製作方法，先在基板110上形成一圖案化結晶半導體層120(如圖4A)，其中基板110尚可包 括一緩衝層111。然後，形成圖案化蝕刻停止結構130於結晶半導體層120上(如圖4B)。 接著，沉積歐姆接觸層140覆蓋結晶半導體層120及蝕刻停止結構130(如圖4C)。而後，透 過蝕刻去除部分歐姆接觸層140，以分別形成第一歐姆接觸區141於結晶半導體層120與蝕 刻停止結構130的一側的上方，以及第二歐姆接觸區142於結晶半導體層120與蝕刻停止 結構130的另一側的上方(如圖4D)。接下來，再分別形成源極151覆蓋於第一歐姆接觸區 141與基板110上，以及漏極152覆蓋於第二歐姆接觸區142與基板110上(如圖4G)。然 後，形成一柵極絕緣層160於源極151、漏極152與結晶半導體層120上方(如圖4H)。之 後，再形成柵極170於柵極絕緣層160上(如圖41)。最後，於柵極絕緣層160上覆蓋保護 層180，並形成導電層190，透過第一貫穿孔181以及第二貫穿孔182而分別連接至源極151 與漏極152(如圖4J)。此外，將上述圖4C的結構透過蝕刻以分別形成第一歐姆接觸區141以及一第二歐 姆接觸區142的步驟，更可將裸露於第一歐姆接觸區141與第二歐姆接觸區142外的蝕刻 停止層的區域移除，而形成如圖4E所示的結構，暴露出結晶半導體層120的一部分。如此，即可製作出如圖2A所示的實施例一的暴露出部分結晶半導體層120的電晶體結構100。因 蝕刻歐姆接觸層140及結晶半導體層120的方式，例如但不限於，可透過相同的一光掩模 (未圖示)的微影蝕刻工藝，同時圖案化歐姆接觸層140及結晶半導體層120，因此會形成 如類似第2A、2B圖中所示的電晶體結構100，其第一歐姆接觸區141的外側邊緣對齊結晶半 導體層120的第一側表面121，且另一側的第二歐姆接觸區142的外側邊緣對齊結晶半導體 層120的第二側表面122。另外，在形成電極時，為了分別形成源極151以及漏極152，可在如圖4C所示的結 構上先形成電極層150覆蓋於歐姆接觸層140及基板110上(如圖4F所示)。再通過相同 的另一光掩模(未圖示)的微影蝕刻工藝，同時圖案化電極層150及歐姆接觸層140，以形 成如圖4G所示的源極151以及漏極152。而源極151的內側邊緣大體上與第一歐姆接觸區 141的邊緣對齊，且漏極152的內側邊緣大體上與第二歐姆接觸區142的邊緣對齊。又，本發明可採取另一方式形成第一歐姆接觸區與第二歐姆接觸區及源極與漏 極。配合參照第5A 5G圖，在基板310上形成圖案化結晶半導體層320 (如圖5A)，其中基 板310尚可包括緩衝層311。然後，形成圖案化蝕刻停止結構330於結晶半導體層320上 (如圖5B)。然後，連續沉積歐姆接觸層340及電極層350，其中歐姆接觸層340覆蓋基板 310、結晶半導體層320及蝕刻停止結構330，而電極層350覆蓋於歐姆接觸層340上(如 圖5C)。再通過同一光掩模(未圖示)的微影蝕刻工藝，同時圖案化電極層350及歐姆接 觸層340，以形成第一歐姆接觸區341及覆蓋於其上的源極351，與第二歐姆接觸區342及 覆蓋於其上的漏極352 (如圖5D)。接著，再形成柵極絕緣層360於源極351與漏極352上 方(如圖5E)。之後，再形成柵極370於柵極絕緣層360上(如圖5F)。最後，於柵極絕緣 層360上覆蓋保護層380，並形成導電層390，透過第一貫穿孔381以及第二貫穿孔382而 分別連接至源極351與漏極352 (如圖5G)。接下來，再說明依據本發明形成一圖案化蝕刻停止結構的過程。參照圖6A 6D， 依據本發明的一種例示性方式來形成一圖案化蝕刻停止結構於結晶半導體層上。例如，但 非限定，將圖4A、5A所示的結構先透過等離子輔助化學氣相沉積方式(PECVD)沉積一蝕刻 停止層130』於結晶半導體層120上(如圖6A)。接著，於蝕刻停止層130』上形成光刻膠 層135(如圖6B)。然後，將光刻膠層135圖案化，且暴露出蝕刻停止層130』的一部分(如 圖6C)。接著，移除暴露出的蝕刻停止層130』的部分以形成圖案化蝕刻停止層130(如圖 6D)。再移除已圖案化的光刻膠層135』，而形成如第4B、5B圖所示的結構。如此，即可形成 圖案化蝕刻停止結構130於結晶半導體層120上。然後，再接續進行本發明所提出的具有 蝕刻停止層的電晶體結構的製作流程。當然，本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟 悉本領域的技術人員可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形 都應屬於本發明權利要求的保護範圍。
權利要求
一種具有蝕刻停止層的電晶體結構，其特徵在於，至少包含一基板；一結晶半導體層，設置於該基板上，其中該結晶半導體層包括一上表面、一第一側表面與一第二側表面；一蝕刻停止結構，設置於該結晶半導體層上，且該蝕刻停止結構包含一第一部分及一第二部分；一歐姆接觸層，設置於該結晶半導體層及該蝕刻停止結構上，包含一第一歐姆接觸區與一第二歐姆接觸區，其中該第一歐姆接觸區自該蝕刻停止結構的該第一部分的上方朝向該結晶半導體層延伸且覆蓋該結晶半導體層的該上表面的一側，該第二歐姆接觸區自該蝕刻停止結構的該第二部分的上方朝向該結晶半導體層延伸且覆蓋該結晶半導體層的該上表面的另一側；一源極，覆蓋該第一歐姆接觸區；一漏極，覆蓋該第二歐姆接觸區；一柵極絕緣層，設置於該源極、該漏極與該結晶半導體層上；以及一柵極，設置於該柵極絕緣層上對應該結晶半導體層。
2.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該蝕刻停止結構的該第一部分被 夾設於該第一歐姆接觸區正下方及該結晶半導體層之間，該蝕刻停止結構的該第二部分被 夾設於該第二歐姆接觸區正下方及該結晶半導體層之間，該蝕刻停止結構的該第一部分與 該第二部分不接觸，且暴露出部分該結晶半導體層。
3.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該蝕刻停止結構更包含一第三部 分，而該第一部分、該第二部分及該第三部分連接構成一體的該蝕刻停止結構，且該蝕刻停 止結構與該第一歐姆接觸區及該第二歐姆接觸區完全覆蓋住該結晶半導體層。
4.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該第一歐姆接觸區更進一步延伸 覆蓋該結晶半導體層的該第一側表面及部份該基板，且該第二歐姆接觸區更進一步延伸覆 蓋該結晶半導體層的該第二側表面及部份該基板。
5.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該結晶半導體層包含一多晶矽半 導體層。
6.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該源極的邊緣大體上與該第一歐 姆接觸區的邊緣對齊，且該漏極的邊緣大體上與該第二歐姆接觸區的邊緣對齊。
7.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該源極的邊緣大體上與該蝕刻停 止結構的該第一部分的邊緣對齊，且該漏極的邊緣大體上與該蝕刻停止結構的該第二部分 的邊緣對齊。
8.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，包含一緩衝層，設置於該基板與該 結晶半導體層之間。
9.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，該源極突出於該第一歐姆接觸區 並覆蓋部分該基板，且該漏極突出於該第二歐姆接觸區並覆蓋部分該基板。
10.根據權利要求1所述的電晶體結構，其特徵在於，更包含一保護層，覆蓋該柵極及該柵極絕緣層；一第一貫穿孔，其貫穿該保護層及該柵極絕緣層並暴露出該源極；一第二貫穿孔，其貫穿該保護層及該柵極絕緣層並暴露出該漏極；以及 一導電層，設於該保護層上，該導電層分別透過該第一貫穿孔以及該第二貫穿孔，而連 接至該源極與該漏極。
11.一種具有蝕刻停止層的電晶體結構製作方法，其特徵在於，至少包含下列步驟 提供一基板；形成一圖案化結晶半導體層於該基板上；形成一圖案化蝕刻停止結構於該結晶半導體層上；沉積一歐姆接觸層覆蓋該結晶半導體層及該蝕刻停止結構；分別形成一第一歐姆接觸區於該結晶半導體層與該蝕刻停止結構的一側的上方，以及 一第二歐姆接觸區於該結晶半導體層與該蝕刻停止結構的另一側的上方；以及分別形成一源極覆蓋於該第一歐姆接觸區，以及一漏極覆蓋於該第二歐姆接觸區。
12.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，更包含下列步驟 形成一柵極絕緣層於該源極、該漏極與該結晶半導體層上；以及 形成一柵極於該柵極絕緣層上。
13.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，該形成一圖案化蝕刻停止結構於該結 晶半導體層上的步驟，更至少包含下列步驟透過一等離子輔助化學氣相沉積方式沉積一蝕刻停止層於該結晶半導體層上；形成一光刻膠層於該蝕刻停止層上；圖案化該光刻膠層並暴露出一部分蝕刻停止層；移除暴露出的該部份蝕刻停止層以形成該圖案化蝕刻停止結構；以及移除已圖案化的該光刻膠層。
14.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，該結晶半導體層包括一多晶矽半導體層。
15.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，更進一步包含步驟移除裸露於該第一歐姆接觸區與該第二歐姆接觸區外的該蝕刻停止層的區域。
16.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，該分別形成一第一歐姆接觸區以及一 第二歐姆接觸區的步驟，更包含步驟通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該結晶半導體層。
17.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，該分別形成一源極以及一漏極的步驟， 更包含下列步驟形成一電極層覆蓋於該歐姆接觸層及該基板上；以及 通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該電極層。
18.根據權利要求11所述的方法，其特徵在於，該沉積一歐姆接觸層覆蓋該結晶半導 體層及該蝕刻停止結構的步驟，更進一步包含沉積該歐姆接觸層覆蓋於部分該基板上的步 馬聚ο
19.根據權利要求18所述的方法，其特徵在於，該分別形成一源極以及一漏極的步驟， 更包含下列步驟形成一電極層覆蓋於該歐姆接觸層上；以及通過相同的一光掩模同時圖案化該歐姆接觸層及該電極層。
全文摘要
本發明公開一種具有蝕刻停止層的電晶體結構及其製作方法。本發明的電晶體結構，至少由基板、結晶半導體層、蝕刻停止結構、歐姆接觸層、源極、漏極、柵極絕緣層以與柵極所構成。本發明的製作方法可通過相同的光掩模同時圖案化歐姆接觸層及結晶半導體層，或通過相同的另一光掩模同時圖案化歐姆接觸層及電極層。
文檔編號H01L29/45GK101976685SQ201010274529
公開日2011年2月16日 申請日期2010年9月3日 優先權日2010年9月3日
發明者莊景桑, 胡晉瑋, 陳佳榆 申請人:友達光電股份有限公司