一種光中子轉換靶的製作方法

2023-11-07 11:22:32 3

專利名稱：一種光中子轉換靶的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及光中子轉換靶，該光中子轉換耙用於利用x射線產
生光中子，該光中子轉換耙特別是可用於違禁品檢測系統中。
背景技術：
目前，恐怖主義對國際和國內社會的安定構成了極大的威脅，各 國政府都在致力於解決反恐問題。而違禁品如爆炸物的檢測技術是反 恐問題的核心。
一種現有的違禁品檢測技術是x射線成像檢測技術。x射線成像檢
測技術是一種已經得到廣泛應用的安檢技術，在機場、火車站能夠看
到很多基於x射線成像檢測技術的設備。由於x射線主要是與原子核外 的電子發生反應，對原子核的特性沒有區別能力，因此利用x射線只能 測量被檢測物體的密度(質量厚度)，而無法判斷被檢測物體的元素 種類。在實際中，當違禁品與日常用品混合放置且密度難以區分的時 候，利用x射線成像檢測技術就很難發現它。雖然一些新型的x射線成
像檢測技術，如雙能X射線、CT技術等在識別能力上有所提高，但是 仍然無法克服不能識別元素種類的固有缺點，
另一類現有的危險品檢測技術是中子類檢測技術。對於中子類檢 測技術，中子能夠與物質的原子核發生反應，放出具有特徵性的Y射線， 根據Y射線的能譜，則可判斷被分析的物質的元素種類。中子類檢測技 術的缺陷在於其較低的成像解析度，目前最好也只能達到5cmx 5cmx
5cm的空間解析度，這遠低於X射線成像的mm級解析度，而且，單獨的 中子源通常價格昂貴，使用時間有限，且所產生的中子強度不高。
因此，就希望能夠有一種方法和/或系統能夠組合如上所述的X射 線成像檢測技術和中子類檢測技術，以獲得X射線成像檢測技術的高分 辨率以及中子類檢測技術的元素識別能力這些優點。美國專利 No. 5078952公開了一種組合了多種檢測手段的爆炸物檢測系統，其中 包括X射線成像裝置以及中子檢測裝置，以實現較高的檢測概率以及較 低的誤報率。並且，該美國專利還公開了將由X射線成像裝置獲得的數據與由中子檢測裝置獲得的數據相關聯，以便用高解析度的x射線圖像
來彌補中子類檢測技術解析度不高的缺陷。但是，在該美國專利中使
用了彼此獨立的x射線源和中子源，其成本較高。
值得注意的是，有一種產生中子的方式是用x射線轟擊轉換靶，並
從該轉換靶中產生中子，這樣產生的中子可稱為光中子。這種中子產
生方式提供了在一個源中產生x射線和中子這兩者的可能，這比分別用 兩個源來分別產生x射線和中子要節省成本。
在國際申請公開WO 98/55851中公開了一種利用光中子和X射線成 像來檢測和識別違禁品的系統。該系統採用兩步式方式來工作。具體 地，該系統首先用直線加速器X射線源產生X射線束，並用X射線成像對 被檢物體進行檢測，如果沒有發現異常，則讓被檢物體通過，如果發 現嫌疑區域，則臨時將一光中子轉換靶(鈹)插入X射線束中，以產生 光中子，並根據光中子與物質原子核發生輻射俘獲反應所放出的特徵 性y射線對嫌疑區域進行進一步的檢測。該系統僅用X射線進行第一步 檢測，由於如上所述的X射線成像檢測技術的識別能力的限制，因此其 具有較低的檢測概率(probability of detection, PD)。而且，該 系統並不同時產生用於檢測的X射線和光中子，而是在兩個步驟中分別 產生用於檢測的X射線和光中子，即，在一個步驟中僅產生X射線而不 產生光中子，而在另一個步驟中是用X射線產生光中子，但該X射線僅 用於產生光中子而並不用於檢測目的.進一步地，其產生的光中子僅 用於檢測被檢物體的嫌疑區域，並不用於對被檢物體進行總體檢測。
在本申請人的中國專利申請No. 200510086764. 8中公開了一種用 快中子和X射線進行材料識別的方法。在該申請中描述了一種同時產生 X射線和光中子的方法和裝置，其將加速器產生的X射線分成兩束，其 中一束用於產生光中子。然而，在該申請中，對於中子來說，其是利 用光中子透射過被檢物體的強度來進行檢測的，而並非利用中子與被 檢物體反應所放出的特徵性y射線。而且，在該申請中，在這樣的檢測 方式中，為了使得X射線束和中子束的檢測不互相干擾，通常需要使得 X射線束與中子束之間橫向隔開一定距離，
上述申請和專利都被全文引入作為參考。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種光中子轉換靶，其能夠提高光中子產量。
本實用新型提供了一種光中子轉換靶，用於利用x射線束轟擊該光
中子轉換靶而產生光中子，該光中子轉換靶具有長型本體，該本體具
有笫一端部和笫二端部，在使用時，所述x射線束進入所述本體，並沿
著從笫一端部至第二端部的方向傳播；其中，所述光中子轉換靶的本體的形狀設計成與所述X射線束的強度分布基本上相匹配，使得強度大的X射線能在光中子轉換靶的本體內傳播更遠的距離。
按照本實用新型構造的光中子轉換靶能夠充分利用X射線束，以提高光中子產量。這樣，當該光中子轉換靶用於中子檢測應用中時，能夠提高中子分析速度。本實用新型的光中子轉換靶可應用於任何利用X射線產生光中子的場合，而不局限於下面的實施例所描述的場合.


圖l示出了按照本實用新型一個實施例的光中子-X射線違禁品檢
測系統的結構示意圖2示出了圖1中的光中子轉換靶的放大平面示意圖，其中示出了
由該光中子轉換靶限定的通道；
圖3示出了圖2中的光中子轉換靶的端視圖4示出了一種改進的Y射線探測器。
具體實施方式

下面參考附圖，對本實用新型的典型具體實施例作詳細描述。以下實施例用於說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的範圍。
參考圖l所示的示例，被檢物體(例如封閉貨櫃8)設置在平臺19上。應當注意，在圖1中該貨櫃8以剖視圖顯示，以便於顯示出其中裝載的各種貨物IO,這些貨物10可能包括各種材料，如金屬ll、木塊12和炸藥13。該平臺19被拖動裝置20所牽引，進入本實用新型的檢測系統的檢測區域。該貨櫃8—般是由波紋鋼和鋁製造的。其它的貨櫃如航空貨櫃也可做類似的檢測。
當位置傳感器(未示出)檢測到貨櫃8移動到預定位置時，該位置傳感器可觸發本實用新型系統中的x射線發生器開始工作.在一個實
施例中，該X射線發生器包括電子加速器(未示出)以及電子耙2。該未示出的電子加速器產生射向電子靶2的電子束1。電子把2通常是由原子序數較高的物質如鎢、金構成的，電子在被鴒或金的原子阻擋以後，會因為軔致輻射而放出X射線主束3。如下文將要描述的那樣，將要從該X射線主束3中分出第一X射線束和第二X射線束，其中，第一X射線束用於X射線成像檢測，而第二X射線束用於中子檢測。在本文中，X射線成像檢測是指X射線透射被檢物體，並通過探測X射線的衰減來檢測被檢物體的密度信息；中子檢測是指中子與被檢物體的原子發生反應從而放出特徵性Y射線，並通過探測該特徵性Y射線來檢測被檢物體的元素種類信息。應當注意的是，在本實用新型中的系統和方法中，是同時利用X射線成像檢測和和中子檢測對被檢物體進行檢測的。
在圖l中，以局部剖視圖示出了光中子轉換耙4。 X射線主束3轟擊光中子轉換靶4來獲得光中子6，並利用該光中子6對貨櫃8進行中子檢測。特別是，在該實施例中，該光中子轉換靶4還用來從X射線主束3中分出第一X射線束和第二X射線束。
圖1中的光中子轉換靶4在圖2和圖3中放大示出。如圖2所示，該光中子轉換靶4包括本體401。在一個實施例中，該本體401為沿著X射線主束3的傳播方向延伸的長型本體，其具有第一端部402和第二端部403。該本體401內具有貫穿該本體401的通道404，該通道404從第一端部402延伸至第二端部403。該圖2和圖3的實施例中，該通道々(M形成為在平面P (垂直於圖2和圖3的紙面)內充分延伸的縫隙，以致於將該本體401分成兩個相互分離的部分。優選是，該通道404穿過該本體401的對稱中心，而將其分成兩個對稱的部分。該通道4(M被限定在這兩個分離部分之間。當X射線主束3朝著光中子轉換靶4的本體401入射時，一部分X射線束405經由該通道404直接穿過該光中子轉換靶4，而不與該光中子轉換靼4發生任何反應，這部分X射線束被限定為笫一X射線束405。另一部分X射線束406進入該本體401內，並朝著從第一端部402至第二端部403的方向傳播，並在傳播過程中與該光中子轉換靶4的原子核發生反應，從而放出光中子，這部分X射線束406被限定為第二X射線束406。可以看出，該通道404事實上起到了分束器的作用，用於從X射線主束3中分出第一X射線束和第二X射線束。在其它未示出的實施例中，該通道404也可以採用其它形式，例如，該通道也可以並不將該本體401分成兩部分，而是形成為貫穿該本體401的通孔(未示出)，或者形成為由本體401限定的其它通道形式，只要保證用於X射線成像的扇形X射線束能夠穿過該本體401即可。
為了充分利用從電子靶2出射的X射線主束3，以提高該光中子轉換靶4的光中子產量，該光中子轉換靶4的形狀可以設計成與X射線主束3的強度分布基本上相匹配，即，使得強度大的X射線能在光中子轉換把4的本體401內傳播更遠的距離。參考圖1和圖2，從電子靶2出來的X射線主束3通常具有成軸對稱的強度分布，其強度分布對稱軸線沿著電子束1的方向，並且，通常越靠近該強度分布對稱軸線，X射線的強度越大。相應地，在忽略該光中子轉換靶4中的通道404的情況下，該光中子轉換靶4總體上可具有軸對稱形狀並限定了一靶對稱軸線409,並且該光中子轉換靶的軸對稱形狀與X射線主束3的軸對稱分布基本上相匹配。在該使用時，該靶對稱軸線409與X射線主束3的強度分布對稱軸線重合。優選地，該光中子轉換靶4的至少一部分最好為朝著第二端部403漸縮的漸縮部分，以便使得光中子轉換靶4在更靠近該靶對稱軸線的地方具有更長的長度。在圖2所示的實施例中，該光中子轉換靶4包括鄰近第二端部403的漸縮部分408和鄰近笫一端部402的圓柱體部分407,該圓柱體部分407可與該漸縮部分408—體成形。該漸縮部分408可終止於第二端部403。圖2中所示的該漸縮部分408為截頭圓錐形。該圓柱體部分407與該漸縮部分408具有共同的縱向中心軸線，並與該靶對稱軸線重合。在其它實施例中，該漸縮部分408也可以為非截頭的錐形，或者以其它方式漸縮(例如以曲線方式漸縮)。在另一些實施例中，該光中子轉換靶4也可以從第一端部402開始漸縮到第二端部403。
儘管在圖l ~圖3中示出了由光中子轉換耙4限定的通道404作為分束器，但是，本領域的普通技術人員可以理解，也可以採用其它形式的分束器，用於從X射線主束3中分出第一X射線束和第二X射線束。例如，可以採用在本申請人的中國專利申請No. 200510086764, 8中公開的雙通道分流準直器。該雙通道分流準直器可將X射線主束3分成相互間隔開的兩束，並將光中子轉換靶設置在其中一束的傳播路徑上以產生光中子。
還應當注意，該光中子轉換靶4具有漸縮部分的這一特徵不局限於用於本實用新型實施例所述的場合.該特徵還適用於使用x射線束轟擊光中子轉換靶而產生光中子的任意其它場合，例如可應用於國際申請
公開W0 98/55851以及中國專利申請No. 200510086764. 8所述的場合中，以提高光中子的產量。在這些其它應用場合中，該光中子轉換把可以有或沒有用作分束器的前述通道。
返回圖l，電子束1的能量的選取通常需要考慮所需要的X射線束的能量以及光中子轉換靶的材料。根據被檢測物體的類型、檢測速度和環境安全的不同，可以選擇不同能量的X射線束來進行穿透。為了安全的原因以及為了節約成本，通常應選擇儘可能小的能量。未示出的電子加速器產生的電子束l的能量可在lMeV 15MeV的範圍內.光中子轉換把4的理想材料應該具有較小的光中子反應閾值和較大的光中子反應截面，但這二者難以同時滿足。對於lMeV-15MeV的X射線來說，由
於其能量還不夠高，對於截面較大但閾值也高的材料來說光中子產額較低，而鈹(9Be)或者重水(D20)則是較為理想的材料。9Be的光中子反應閾值僅為l. 67MeV， D20中D的反應閾值為2. 223MeV.進入光中子轉換粑4的X射線主束3與其中的9Be或者2H發生光中子反應，放出了光中子6。由於X射線主束3的能譜是連續分布的，因此光中子6的能譜也是連
續分布的。另外，當所使用電子加速器能產生能量較高的電子束l時，該光中子轉換靶4也可以使用閣值較高但是截面較大的材料，如鎢(W)的各個同位素和鈾(U)的各個同位素。
在一個實施例中，未示出的電子加速器可以以特定頻率產生電子束l，這樣，該電子束l則為具有該特定頻率的電子束脈衝l.電子束脈衝1轟擊電子靶2後，產生相同頻率的X射線脈衝3。該特定頻率可以根據被檢測貨櫃8的行進速度來確定，例如可以在10Hz 1000Hz的範圍內。在一個實施例中，該特定頻率可以為"OHz。該電子束脈衝l的脈寬範圍可為l 10ps.
需要注意的是，X射線主束3轟擊光中子轉換靶4產生光中子6所用的時間非常短(通常小於lps),因此，可以說，在本實用新型中，用於進行中子檢測的光中子6與X射線主束3中用於X射線成像檢測的第一X射線束405幾乎是"同時"產生的，這樣就允許同時進行X射線成像檢測和中子檢測，這明顯區別於國際申請公開WO 98/55851。
光中子6在光中子轉換靶4內產生時是各向同性的，因此只有一部
8分光中子能夠射向被檢測的貨櫃8。由於光中子轉換靶4中的9Be和2H對中子具有較大的散射截面，因此，射出光中子耙4的光中子6總體上會向後(即相反於X射線主束3入射到光中子轉換靶4的方向)發射。為了提高光中子6到達被檢測貨櫃8的效率，可以在光中子靶4的後面(鄰近於光中子耙4的第一端部402 )設置中子反射體(未示出)。該中子反射體用於反射背離該被檢貨櫃8運動的光中子6，使其朝著該被檢貨櫃8運動。
參考圖1和圖2， X射線準直器5設置在第一X射線束405到達被檢物體8之前的傳播路徑上，以便將該笫一X射線束405準直為平面扇形束。該X射線準直器5最好設置成鄰近該光中子轉換耙4的本體402的第二端部403,並與通道404對準。這樣，第一X射線束405經由通道404穿過該光中子轉換靶4之後，由X射線準直器5進行準直，以形成平面扇形束7。該扇形束7之外的X射線將被X射線準直器5所屏蔽，這樣可以降低X射線
對中子檢測(尤其是下文所述的Y射線探測器)的影響。
下面將分別描述用第一X射線束405對貨櫃8進行的X射線成像檢測以及用由第二射線束406產生的光中子6對貨櫃8進行的中子檢測。應當知道，X射線成像檢測和中子檢測本身分別是本領域普通技術人員所熟知的。然而，在本實用新型中，由於第一X射線束405和光中子6可以同時(或者說幾乎同時)產生，因此，射線束X射線成像檢測和中子檢測可以同時進4亍。
首先描述X射線成像檢測。參考圖l， X射線扇形束7(即，被準直的第一X射線束405 )射向被檢測的貨櫃8，貨櫃8中所裝載的貨物10會對該扇形束7進行衰減。由X射線探測裝置來測量這些被衰減的X射線，該X射線探測裝置可以是包括多個X射線探測器的X射線探測器陣列15。 X射線的衰減倍數反映了從電子把2到X射線探測器陣列15中對應X射線探測器的連線上的物質對X射線的吸收能力，它的大小與貨櫃8中所裝載的物質密度和組成有關。利用X射線探測器陣列15可以實現對貨櫃8的二維X射線成像。該X射線探測器陣列15中的探測器可以是氣體電離室、鎢酸鎘晶體、Csl晶體，也可以是其它類型的探測器。如前所述，電子束1以某一個特定頻率轟擊電子靶2，從而產生相同頻率的X射線脈衝。對於每個X射線脈沖，探測器15陣列會得到關於貨櫃某個斷面的一維圖像。隨著拖動裝置20牽引貨櫃8前進，由多次測量得到的多個一維圖像就構成了關於貨櫃的二維透射圖像。
現在描述和x射線成像檢測同時進行的中子檢測。經由光中子轉換
靶4產生光中子6之後，被檢貨櫃8將沐浴在光中子場中。光中子6射入被檢測貨櫃8之後，通過散射(非彈性和彈性散射)而損失能量。沒有必要在光中子6進入被檢貨櫃8之前對光中子6進行準直，因為它在散射過程中會瀰漫到相當寬的區域中。光中子6在產生時是快中子，然後在幾個HS的時間內就變為慢中子。之後，光中子6的能量進入熱中子的能區。光中子6從快中子到熱中子的時間間隔一般約為lms。熱中子最終會消失，消失的方法有兩種被物質所吸收，或者逃逸。熱中子在空間的存在時間為lms ~ 30ms。中子在快中子和慢中子能區的時候也可以發生俘獲反應，但是截面很小，當中子能量降低的時候，由於其俘獲截面與中子的運動速度成反比關係，因此截面迅速上升。由於電子加速器是以連續脈衝方式工作的，因此不同脈衝之間的熱中子場會發生疊加。例如，當電子加速器以頻率約為250Hz、脈寬5MS的方式工作時，最終在空間中形成的中子場將是一個頻率為250Hz、脈寬為5ns的快中子脈衝，疊加在一個近似恆定的熱中子場上。
熱中子在物質發生輻射俘獲反應之後，可以放出具有特徵性的Y射線，例如&與中子反應可以放出2. 223MeV的特徵Y射線，"N與中子反應可以放出IO. 835MeV的特徵Y射線，"C1與中子反應可以放出6. 12MeV的特徵Y射線。通過對這些特徵y射線的測量可以判斷被檢測物體中的元素種類。貨櫃8中的不同材料在中子的照射下能夠放出不同的特徵Y射線。根據y能譜的不同，可以分析出該物質的類型.例如，如果在貨櫃中發現大量N和H元素的信號，那麼就有可能存在爆炸物和"肥料炸彈"；如果發現了大量的C1的Y射線，則就有可能發現毒品如海洛因和古柯鹼(它們通常以氯化物的形式的被偷運)。另外，通過測量由光中子俘獲所產生的裂變中子，也可以對核材料(如鈾和鈽)進行檢查。
對Y射線能譜的測量是由Y射線探測裝置來完成的，該y射線探測裝置可以是一個或多個Y射線探測器陣列14，每個Y射線探測器陣列14包括多個y射線探測器，並布置成接收該特徵性Y射線。並且，如圖1所示，當包括多個Y射線探測器陣列14時，它們可以布置在貨櫃8的行進路徑的兩側。並且，y射線探測器陣列14可布置成遠離該X射線探測器陣列15—定距離，也就是偏離該X射線扇形束7 (第一X射線束) 一定距離，以使得該第一X射線束對Y射線探測器的影響最小化。對於每個Y射線探測器陣列，通過分析它的y能譜信號，則獲得所關心的元素種類的二維分布信息。
y射線探測器可以選擇的種類較多，如Nal (Tl) ， BG0， HPGe， LaBr3等。
在本實用新型中用到了兩種類型的探測器X射線探測器和Y射線探測器，這兩種探測器的工作在X射線、中子和Y射線共存的環境中。兩種射線可能互相形成幹擾，特別是X射線相對於中子和Y射線來說很強，因此它有可能對y射線探測的Y能譜構成幹擾。因此，對於y探測器來說，非常有必要對X射線和中子射線進行屏蔽。
圖4示出了一種改進的Y射線探測器，其中，Nal晶體22和光電倍增管23構成了該探測器的主體。該Nal晶體22具有用於接收Y射線的前端面30、與該前端面30相反的後端面31以及周向表面32。當y射線射入Nal晶體22的時候，會發生光電效應、康普頓散射或者電子對效應.y光子將能量交付給次級電子，次級電子在晶體中發生電離，電離產生的電子-空穴對將會產生螢光。螢光光子在光電倍增管23的光陰極上打出光電子。光電子隨後被光電倍增管倍增，通過前放電路形成電壓信號。為了向Nal晶體22提供對X射線和中子的屏蔽。圖4所示的y射線探測器還包括中子屏蔽材料28，該中子屏蔽材料28至少包圍了該Nal晶體22的周向表面32，並暴露出該Nal晶體22的前端面30。優選是，該中子屏蔽材料28還包圍了該Nal晶體22的後端面31。該中子屏蔽材料28—般由富含H的物質構成，諸如石蠟、聚乙烯、水都是適用的材料。考慮到結構與防火要求， 一般選擇聚乙烯。中子屏蔽材料28中的H原子對中子具有很大的散射截面，能夠反射中子，並迅速地將中子的能量降低和吸收。但是中子屏蔽材料28在和中子發生輻射俘獲之後會放出2. 223MeV的特徵Hy射線，該特徵HY射線將對探測器所要測量的Y信號構成幹擾。因此，在中子屏蔽材料28的內側，該y射線探測器還包括XA/射線屏蔽體26，該X/y射線屏蔽體26至少包圍該探測器晶體的周向表面，並且暴露出該Nal晶體22的前端面30.優選是，該X/y射線屏蔽體26還包圍了該NaI晶體22的後端面31。 X/y射線屏蔽體26不僅能夠吸收中子屏蔽材料28在與中子發生反應時放出的Y射線，還能屏蔽來自電子靶2的絕大部分X射線及其散射射線，使得y射線探測器能夠處在正常的工作環境中。該X/y射線屏蔽體26的材料為原子序數大於或等於74的重金屬，例如鉛Pb或鎢W.在y探測器晶體22的前方，面對著Nal晶體22的前端面30，還設有中子吸收體27。與中子屏蔽材料28的要求不同，中子吸收體27不僅要能夠吸收中子，而且不能放出H的2. 223MeV的y射線。中子吸收體27可由石蠟或聚乙烯與具有高強熱中子吸收能力的硼"B材料構成(如含硼聚乙烯)，這使得H不再有機會放出Y光子。為了使y射線探測器只測量它前方的被檢測物體區域，而對其它方向來的信號(如X射線散射、空氣中N的y計數本底)不感興趣，該Y射線探測器還包括準直器29。該準直器29設在Nal晶體22與中子吸收體27的前方，用來屏蔽掉周圍空間的X射線散射本底、中子在周圍物質中產生的Y本底。該準直器29包括與Nal晶體的前端面30對準的通孔，該通孔限定了一延伸方向，用於僅允
許基本上沿著該延伸方向並經由該通孔到達該前端面的X/Y射線進入該Nal晶體，從而對所要探測的y射線進行準直。該通孔的直徑可與NaI晶體22的直徑相同，長度可以根據所需要的準直效果來確定， 一般選擇5~ 30cm的長度範圍。該準直器29通常可用原子序數大於或等於74的重金屬(例如鉛Pb或鎢W)或者用鋼製成，
另外，儘管在圖中未示出，還可以為該Y射線探測器提供時間門控電路，用於控制y射線探測器的測量時間，使得Y射線探測器的測量時間避開本實用新型系統中X射線發生器所產生的X射線束的出束時間，這樣可以進一步抑制X射線對Y射線探測器的幹擾。
根據來自X射線探測器陣列15和y射線探測器陣列14的信號，就可以分別對被檢貨櫃8進行X射線成像和中子成像，以便獲得X射線圖像和中子圖像。返回圖l，在本實用新型的系統中， X射線成像信號處理電路17接收來自X射線探測器陣列15的信號，並對其進行處理以獲得X射線圖像。Y射線信號處理電路18接收來自Y射線探測器陣列14的電壓信號，並分析Y能譜，從而得到包含被檢物體的二維元素分布信息的二維中子圖像。該二維中子圖像與所獲得的二維X射線圖像相結合，實現對貨櫃中違禁品的識別與發現.
考慮到在對被檢測物體進行檢測的時候，由於X射線探測器陣列和Y射線探測器陣列的安放位置不同，使得被檢測物體在行進的過程中，X射線圖像和中子圖像不能同時得到，且各Y射線探測器陣列之間由於位置的不同，得到的中子圖像也是不同的。為了將X射線圖像與中子圖像進行合併，以更好地實現違禁品檢查，採用了如下辦法
對於不同的Y射線探測器陣列，由於它們的距離關係是確定的，因此它們的中子圖像之間的位置關係也是確定，對於先後獲得的中子圖像，分別對它們位置進行調整，可以使得處於不同位置處的Y射線探測器陣列共同形成一幅反映元素分布的中子圖像。
對於X射線圖像和中子圖像，其空間位置關係也是確定的，可以將中子圖像和/或X射線圖像進行平移並合併成一副圖像，使得中子圖像和X射線圖像中對應於被檢測物體同一位置的點完全重合。這樣，對於合併後的圖像來說，其中每一點都包括了被檢測物體的元素分布信息和密度信息。在本實用新型的系統中，可以採用一圖像合併裝置(未示出)來實現上述的對X射線圖像和中子圖像的位置調整，以便將X射線圖像和中子圖像合併在一副圖像內.這樣，操作員只需要觀察一副圖像就能夠獲得被檢測物體的元素分布信息與密度信息，以便對被檢物體中的可疑違禁品進行相對準確的定位。
雖然已經描述了本實用新型的典型實施例，應該明白本實用新型不限於這些實施例，對本專業的技術人員來說，本實用新型的各種變化和改進都能實現，但這些都在本實用新型權利要求的精神和範圍之內。
權利要求1. 一種光中子轉換靶，用於利用X射線束轟擊該光中子轉換靶而產生光中子，其特徵在於，該光中子轉換靶具有長型本體，該本體具有第一端部和第二端部，在使用時，所述X射線束進入所述本體，並沿著從第一端部至第二端部的方向傳播；其中，所述光中子轉換靶的本體的形狀設計成與所述X射線束的強度分布基本上相匹配。
2. 根據權利要求1所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所述X射線束的強度分布為軸對稱分布，其限定了一強度分布對稱軸線；所述光中子轉換靶的所述本體構造成關於一把對稱軸線成軸對稱 形狀，所述光中子轉換靶的軸對稱形狀與所述X射線束的軸對稱分布基 本上相匹配，
3. 根據權利要求1或2所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所述本 體的至少一部分為漸縮部分，該漸縮部分朝著所述第二端部漸縮。
4. 根據權利要求3所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所述漸縮部 分終止於所述第二端部。
5. 根據權利要求4所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所述漸縮部分為錐形或截頭錐形。
6. 根據權利要求3所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所迷本體還 包括圃柱體部分，所述漸縮部分鄰近所述第二端部，所述圃柱體部分 鄰近所述第一端部。
7. 根據權利要求3所述的光中子轉換把，其特徵在於，還包括由所 述本體限定的通道，該通道沿從笫一端部至第二端部的方向穿過所述 本體。
8. 根據權利要求7所述的光中子轉換靶，其特徵在於，所述通道沿 著所述本體的靶對稱軸線延伸。
專利摘要本實用新型公開了一種光中子轉換靶，用於利用X射線束轟擊該光中子轉換靶而產生光中子，該光中子轉換靶具有長型本體，該本體具有第一端部和第二端部，在使用時，所述X射線束進入所述本體，並沿著從第一端部至第二端部的方向傳播；其中，所述光中子轉換靶的本體的形狀設計成與所述X射線束的強度分布基本上相匹配，使得強度大的X射線能在光中子轉換靶的本體內傳播更遠的距離。本實用新型的光中子轉換靶能夠充分利用X射線束，以提高光中子產量。
文檔編號G01N23/00GK201286191SQ20082012572
公開日2009年8月5日 申請日期2008年6月19日 優先權日2008年6月19日
發明者劉以農, 劉耀紅, 吳萬龍, 康克軍, 華 彭, 李元景, 李鐵柱, 楊褘罡, 程建平, 胡海峰, 苗齊田, 趙自然, 陳志強 申請人:清華大學;同方威視技術股份有限公司