層疊陶瓷電子部件的製造方法
2023-11-07 14:29:12 2
專利名稱：層疊陶瓷電子部件的製造方法
技術領域：
本發明涉及層疊陶瓷電子部件的製造方法。
背景技術：
近幾年，隨著行動電話或可攜式音樂播放器等電子設備的小型化的推進，搭載於電子設備的層疊陶瓷電容器等層疊陶瓷電子部件的小型化得到迅速發展。例如，在專利文獻I中作為層疊陶瓷電容器的製造方法而記載了如下方法:使沿著垂直於厚度方向的第I方向排列的切割刀刃在厚度方向上移動來切削在內部形成了內部電極形成用的導電膜的主陶瓷層疊體，在形成長條狀之後，進一步使沿著厚度方向及垂直於第I方向的第2方向排列的切割刀刃在厚度方向上移動來切削所述主陶瓷層疊體，從而獲得長方體狀的電子部件主體。在先技術文獻專利文獻專利文獻I特開昭61-248413號公報近幾年，從實現層疊陶瓷電子部件的高性能化的觀點出發，推進了位於第I內部電極與第2內部電極之間的陶瓷層的薄膜化。若通過專利文獻I記載的製造方法製造該陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件，則存在容易產生第I內部電極和第2內部電極之間的短路的問題。
發明內容
本發明鑑於這一點而完成，其目的在於，提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也不易產生第I及第2內部電極間的短路且能夠很好地製造的方法。在本發明所涉及的層疊陶瓷電子部件的製造方法中，進行準備工序:準備具有長方體狀的陶瓷層疊體主體、第I內部電極和第2內部電極的陶瓷層疊體，其中，所述陶瓷層疊體主體具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第I及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第I及第2側面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第I及第2端面；所述第I內部電極在陶瓷層疊體主體的內部被設置成與第I及第2主面平行，且露出於第I端面以及所述第I及第2側面；所述第2內部電極在陶瓷層疊體主體的內部被設置成隔著陶瓷層在厚度方向上與第I內部電極對置，且露出於第2端面以及第I及第2側面。在準備工序中，層疊在表面上形成了用於構成第I或第2內部電極的導電膜的陶瓷生片(green sheet)，來製造陶瓷生片層疊體。進行切斷陶瓷生片層疊體來形成使第I及第2內部電極中的任一方露出的第I及第2端面的第I切斷工序。進行切斷陶瓷生片層疊體來形成使第I及第2內部電極這兩個電極露出的第I及第2側面的第2切斷工序。在第2切斷工序中，通過使切割刀刃沿著長度方向或寬度方向移動，從而切削陶瓷生片層疊體。在本發明所涉及的層疊陶瓷電子部件的製造方法的某一特定方式中，陶瓷生片的厚度在1.5 μ m以下。
在本發明所涉及的層疊陶瓷電子部件的製造方法的其他特定方式中，在第I切斷工序中，將陶瓷生片層疊體切斷成長條狀，在使長條體粘接在基盤上的狀態下進行第2切斷工序。在本發明所涉及的層疊陶瓷電子部件的製造方法的又一特定方式中，電子部件的製造方法在所述第I及第2切斷工序之前，還具備切除陶瓷生片層疊體的外周部來使導電膜露出的工序。發明效果根據本發明，能夠提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也不易產生第I及第2內部電極間的短路且能夠很好地製造的方法。
圖1是第I實施方式中的層疊陶瓷電子部件的簡略立體圖。圖2是在圖1中的I1-1I線切出的部分的簡略剖視圖。圖3是在圖1中的II1-1II線切出的部分的簡略剖視圖。圖4是在圖3中的IV-1V線切出的部分的簡略剖視圖。圖5是在圖3中的V-V線切出的部分的簡略剖視圖。圖6是印刷了導電性糊劑的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖7是陶瓷生片層疊體的示意性分解側視圖。
圖8是用於說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖9是用於說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖10是原始陶瓷層疊體的示意性立體圖。圖11是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖12是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖13是原始陶瓷坯體的示意性立體圖。圖14是用於說明在第2切斷工序中沿著導電膜的層疊方向切斷了陶瓷生片層疊體的情況的簡略剖視圖。圖15是第2實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖16是第2實施方式中的陶瓷生片層疊體的示意性分解側視圖。圖17是用於說明第2實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖18是用於說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖19是用於說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性側視圖。圖20是第3實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖21是用於說明第3實施方式中的陶瓷生片的層疊工序的示意性俯視圖。圖22是用於說明第3實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖23是用於說明第3實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。符號說明1...層疊陶瓷電子部件9…電子部件主體10…陶瓷坯體
IOa…第I主面IOb…第2主面IOc…第I側面IOd…第2側面IOe…第I端面IOf…第2端面IOg…陶瓷層I Oh…保護部11…第I內部電極12...第2內部電 極13…第I外部電極14…第2外部電極20…陶瓷生片21...導電膜22…陶瓷生片層疊體23…陶瓷層疊體24…陶瓷層疊體主體24a…第I主面24b…第2主面24c…第I側面24d…第2側面24e…第I端面24f…第2端面24g…陶瓷層29a、29b …保護部30…陶瓷坯體31...長條體31a…第I側面31b…第2側面41、42…切割刀刃43…基盤50…陶瓷生片50a…導電部50b…線狀陶瓷部60…陶瓷生片60a…導電部60b…線狀陶瓷部60(τ..點狀陶瓷部
具體實施例方式以下，說明實施了本發明的優選方式的一例。但是，下述的實施方式是簡單的例示。本發明並不限於下述的實施方式。此外，在實施方式等中參考的各附圖中，對實質上具有同一功能的部件附加同一符號來進行參考。此外，在實施方式等中所參考的附圖僅僅是示意性記載，附圖中描繪的物體的尺寸的比率等有時不同於現實物體的尺寸的比率等。附圖相互之間，有時物體的尺寸比率等也會不同。具體的物體的尺寸比率等應參考以下的說明來判斷。(第I實施方式)(層疊陶瓷電子部件I的結構)圖1是第I實施方式中的層疊陶瓷電子部件的簡略立體圖。圖2是在圖1中的I1-1I線切出的部分的簡略剖視圖。圖3是在圖1中的II1-1II線切出的部分的簡略剖視圖。圖4是在圖3中的IV-1V線切出的部分的簡略剖視圖。圖5是在圖3中的V-V線切出的部分的簡略剖視圖。首先，參照圖1 圖5，說明在本實施方式中製造的層疊陶瓷電子部件I的結構。如圖1 3所示，層疊陶瓷電子部件I具備長方體狀的陶瓷坯體10。陶瓷坯體10具有沿著長度方向L及寬度方向W延伸的第I及第2主面10a、10b。如圖1及圖3所示，陶瓷坯體10具有沿著厚度方向T及長度方向L延伸的第I及第2側面10c、10d。此外，如圖2所示，具有沿著厚度方向T及寬度方向W延伸的第I及第2端面10e、10f。另外，在本發明中 ，「長方體狀」包括角部或稜角部圓滑的長方體。即，「長方體狀」的部件意味著具有第I及第2主面、第I及第2側面以及第I及第2端面的全部部件。此夕卜，也可以在主面、側面、端面的一部分或全部中形成凹凸等。陶瓷坯體10的尺寸沒有特別限定，例如，可以將陶瓷坯體10的高度尺寸、長度尺寸及寬度尺寸分別設為0.1mm IOmm左右。陶瓷坯體10由適當的陶瓷製品構成。構成陶瓷坯體10的陶瓷製品的種類科根據期望的層疊陶瓷電子部件I的特性來適當選擇。例如，在層疊陶瓷電子部件I為電容器的情況下，可由電介質陶瓷形成陶瓷坯體10。作為電介質陶瓷的具體例，例如可列舉BaTi03、CaTiO3> SrTiO3> CaZrO3等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為壓電部件的情況下，可由壓電陶瓷形成陶瓷坯體
10。作為壓電陶瓷的具體例，例如可列舉PZT(鋯鈦酸鉛陶瓷)系陶瓷等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為熱敏電阻的情況下，可由半導體陶瓷形成陶瓷坯體10。作為半導體陶瓷的具體例，例如可列舉尖晶石系陶瓷等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為電感器的情況下，可由磁性體陶瓷形成陶瓷坯體
10。磁性體陶瓷的具體例，例如可列舉鐵氧體陶瓷等。如圖2及圖3所示，在陶瓷坯體10的內部沿著厚度方向T以等間隔交替地配置大致長條狀的多個第I及第2內部電極11、12。第I及第2內部電極11、12分別與第I及第2主面10a、10b平行。第I及第2內部電極11、12在厚度方向T上隔著陶瓷層IOg而相互對置。另外，陶瓷層IOg的厚度優選在1.5μπι以下。由此，通過使陶瓷層IOg較薄，能夠實現層疊陶瓷電子部件I的高性能化。
第I內部電極11露出於第I端面10e，在第I及第2主面IOaUObj I及第2側面10c、10d以及第2端面IOf上並沒有露出。另一方面，第2內部電極12露出於第2端面IOf，在第I及第2主面10a、10b、第I及第2側面10c、10d以及第I端面IOe上並沒有露出。因此，第I內部電極11和第2內部電極12在陶瓷坯體10的長度方向L的中央部且寬度方向W的中央部沿著厚度方向T對置。該第I內部電極11和第2內部電極12在厚度方向T上對置的部分構成實現層疊陶瓷電子部件I的功能的有效部。如圖3所示，在陶瓷坯體10的寬度方向W的兩側部分設有未設置第I及第2內部電極11、12的保護部10h。該保護部IOh不對層疊陶瓷電子部件I的功能作貢獻。因此，從實現層疊陶瓷電子部件I的高性能化的觀點出發，優選保護部IOh越薄越好。例如，在層疊陶瓷電子部件I為陶瓷電容器的情況下，保護部IOh越薄，能夠使靜電電容越大。但是，若保護部IOh過於薄或者不設置保護部10h，則從空氣中水分侵入到第I內部電極11與第2內部電極12之間而導致耐溼性下降，因此是不優選的。保護部IOh沿著寬度方向W的尺寸例如優選在0.02mm 0.5mm左右。第I及第2內部電極11、12可通過適當的導電材料構成。第I及第2內部電極
11、12例如由合金(例如、Ag-Pd合金等)構成,該合金包含從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構成的組中選出的金屬或從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構成的組中選出的一種以上的金屬。如圖1及圖2所示，層疊陶瓷電子部件I具備第I及第2外部電極13、14。如圖2及圖4所示，第I外部電極13與第I內部電極11連接。另一方面，如圖2及圖5所示，第2外部電極14與第2內部電極12連接。如圖1、圖2、圖4及圖5所示，第I及第2外部電極13、14分別形成為從兩端面IOeUOf到達第I及第2主面10 a、IOb以及第I及第2側面10c、10d。換言之，第I及第2外部電極13、14各自的一部分位於第I及第2主面10a、IOb以及第I及第2側面10c、10d上。詳細而言，第I外部電極13具有在第I端面IOe上形成的第I部分13a、在第I主面IOa上形成的第2部分13b、在第2主面IOb上形成的第3部分13c、在第I側面IOc上形成的第4部分13d、和在第2側面IOd上形成的第5部分13e。第2外部電極14具有在第2端面IOf上形成的第I部分14a、在第I主面IOa上形成的第2部分14b、在第2主面IOb上形成的第3部分14c、在第I側面IOc上形成的第4部分14d、和在第2側面IOd上形成的第5部分14e。通過第2內部電極12和保護部10h，，使第I外部電極13的第4部分13d及第5部分13e電絕緣。通過第I內部電極11和保護部10h，使第2外部電極14的第4部分14d及第5部分14e電絕緣。第I及第2外部電極13、14可通過適當的導電材料構成。此外，第I及第2外部電極13、14也可以由多層導電膜構成。在本實施方式中，具體而言，第I及第2外部電極13、14分別具有在第1、第2端面10e、10f上形成的由I個或多個導電膜構成的基底層、和在基底層上形成的I個或多個
鍍覆層。基底層例如可由導電性樹脂層構成，該導電性樹脂層由燒結金屬層、鍍覆層、或者向熱固化性樹脂或光固化性樹脂添加導電性填料的導電性樹脂構成。燒結金屬層可以通過同時燒成第I及第2內部電極11、12的共燒(cofiring)形成，也可以通過塗敷導電性糊劑後進行燒盡的後燒(post firing)形成。包含在基底層中的導電材料並沒有特別限定，作為包含在基底層中的導電材料的具體例，例如可以列舉Cu、N1、Ag、Pd、Au等金屬、包含Ag-Pd等上述金屬中的I種以上的合
全坐
W.-rf* ο基底層的最大厚度例如可以設為20 μ m 100 μ m。鍍覆層例如可通過Cu、N1、Sn, Ag、Pd、Au等金屬、包含Ag-Pd等上述金屬中的I種以上的合金等形成。鍍覆層每I層的最大厚度例如可設為Ιμπι ΙΟμπι。另外，在基底層與鍍覆層之間可配置應力緩和用的樹脂層。(層疊陶瓷電子部件I的製造方法)圖6是印刷了導電性糊劑的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖7是陶瓷生片層疊體的示意性分解側視圖。圖8是用於說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖9是用於說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖10是原始陶瓷層疊體的示意性立體圖。圖11是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖12是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖13是原始陶瓷坯體的示意性立體圖。圖14是在第2切斷工序中用於說明沿著導電膜的層疊方向切斷了陶瓷生片層疊體的情況的簡略剖視圖。接著，主要 參照圖6 圖14，說明本實施方式中的層疊陶瓷電子部件I的製造方法。首先，製造多個用於形成陶瓷坯體10的陶瓷生片20 (參照圖6)。陶瓷印刷電路基例如可通過以下的要領製作。首先，準備陶瓷粉末、分散劑、和根據需要包含粘合劑等的陶瓷糊劑。可以將該陶瓷糊劑以薄板狀印刷成樹脂薄膜等薄膜狀，通過進行乾燥來製造陶瓷生片20。另外，陶瓷糊劑的印刷例如可通過壓膜法、螺旋輥塗法、微螺旋輥塗法等來進行。另外，在本實施方式中，陶瓷生片20的厚度在1.5μπι以下。由此，能夠使陶瓷層IOg較薄。因此，能夠使層疊陶瓷電容器高電容化。接著，在陶瓷生片20上形成用於形成內部電極11、12的導電膜21。具體而言，在X方向上相互隔著間隔以條紋狀印刷多個導電膜21。導電膜21的印刷例如可通過絲網印刷法、噴墨印刷法、照相凹版印刷法等來進行。導電膜21的厚度例如在1.5 μ m。接著，如圖7所示，層疊多個未印刷導電膜21的陶瓷生片20之後，在垂直於導電膜21延伸的方向y的方向X上使彼此錯開來層疊多個印刷了導電膜21的陶瓷生片20。接著，進一步在該基板上層疊多個未印刷導電膜21的陶瓷生片20。由此，完成陶瓷生片層疊體22。也可以根據需要在厚度方向z上對陶瓷生片層疊體22進行等靜壓壓制。通過將該陶瓷生片層疊體分割為多個，從而製作圖10 圖12所示的原始陶瓷層疊體23。通過以上的要領進行準備原始陶瓷層疊體23的準備工序。原始陶瓷層疊體23具有長方體狀的陶瓷層疊體主體24。陶瓷層疊體主體24具有第I及第2主面24a、24b、第I及第2側面24c、24d、和第I及第2端面24e、24f。第I及第2主面24a、24b沿著長度方向L及寬度方向W延伸。第I及第2側面24c、24d沿著長度方向L及厚度方向T延伸。第I及第2端面24e、24f沿著寬度方向W及厚度方向T延伸。在陶瓷層疊體主體24的內部形成由導電膜21構成的第I及第2內部電極11、12。第I內部電極11與第I及第2主面24a、24b平行。第I內部電極11露出於第I端面24e以及第I及第2側面24c、24d。第I內部電極11未露出於第2端面24f。第2內部電極12與第I及第2主面24a、24b平行。第2內部電極12露出於第2端面24f以及第I及第2側面24c、24d。第2內部電極12並未露出於第I端面24e。第I內部電極11和第2內部電極12隔著陶瓷層24g在厚度方向T上對置。接著，如圖13所示，在原始陶瓷層疊體23上設置保護部29a、29b。具體而言，首先，準備陶瓷粉末、分散劑、和根據需要包含粘合劑等的陶瓷糊劑。該陶瓷糊劑也可以是與在陶瓷生片20的形成中所使用的陶瓷糊劑相同種類的糊劑。接著，在原始陶瓷層疊體23的第I及第2側面24c、24d的各個側面上以覆蓋第I及第2內部電極11、12的方式塗敷陶瓷糊劑，並使其乾燥。由此，形成第I及第2保護部29a、29b，獲得具有第I及第2保護部29a、29b、和原始陶瓷層疊體23的原始陶瓷坯體30。此外，也可以向陶瓷生片按壓原始陶瓷層疊體23，並衝孔，將陶瓷生片粘貼到原始陶瓷層疊體23上，從而形成保護部。對通過以上的要領製造的原始陶瓷坯體30進行燒成，從而能夠完成原始陶瓷坯體30被燒成而形成的陶瓷坯體10、和具有第I及第2內部電極11、12的電子部件主體9。另外，保護部IOh由保護部29a、29b被燒成而形成的陶瓷層構成。最後，通過形成第I及第2外部電極13、14，能夠完成層疊陶瓷電子部件I。第I及第2外部電極13、14的形成例如塗敷導電性糊劑並使其燒盡來形成，也可以通過鍍覆法來形成。接著，參照圖7 圖9，詳細說明本實施方式中的分割陶瓷生片層疊體22的工序。首先，通過切除陶瓷生片層疊體22的外周部，在陶瓷生片層疊體22的4個端面上使導電膜21或者切斷用的位置標記露出。在切除了外周部的陶瓷生片層疊體22的X方向的兩側端面、和I方向兩側端面中，露出 的導電膜21或者標記的形狀不同。因此，如本實施方式所示，通過預先切除陶瓷生片層疊體22的外周部，從而容易識別在陶瓷生片層疊體22內配置的導電膜21延伸的方向。接著，進行第I切斷工序。具體而言，使沿著在y方向上延伸的第I切割線CLl排列的切割刀刃41在z方向上移動，從而切削陶瓷生片層疊體22。由此，形成圖10所示的第I及第2端面24e、24f。即，形成多個具有作為第I及第2端面24e、24f的第I及第2側面31a,31b的長條體31。接著，進行第2切斷工序。具體而言，通過根據圖8所示的切割線CL2切斷長條體31，從而形成第I及第2側面24c、24d，完成圖10所示的原始陶瓷層疊體23。在該第2切斷工序中，使沿著z方向(層疊方向)排列的切割刀刃42在垂直於z方向(導電膜21的層疊方向)的X方向上移動，從而沿著z方向及X方向切削長條體31。更具體而言，在由彈性體構成的基盤43上以第I側面31a朝上的方式相互平行地保持多個長條體31。在該狀態下，使沿這z方向及y方向排列的切割刀刃42(在圖9中未圖示)在X方向上移動，從而切削長條體31。通過反覆進行該切削工序，從而由長條體31製造多個原始陶瓷層疊體23。另外，也可以同時切削多個長條體31。此時，進一步提高切斷效率。如本實施方式所示，通過在由彈性體構成的基盤43上保持長條體31，從而例如即使在長條體31的上表面上形成因導電膜21引起的凸部，也能夠很好地固定。因此，能夠很好地進行第2切斷工序。
但是，從製造容易性的觀點出發，優選陶瓷生片層疊體22的分割在第2切斷工序中也如圖14所示那樣使切割刀刃42沿著z方向移動來進行切削。這是因為此時在第I切斷工序和第2切斷工序之間，不需要進行使長條體31旋轉後固定的工序，能夠簡化製造工序。但是，在如本實施方式那樣陶瓷層IOg的厚度薄到1.5μπι的情況下，切割刀刃42沿著ζ方向移動的同時，陶瓷生片20及導電膜21的切斷部附近在ζ方向上產生位移。由此，有時要形成的第I及第2內部電極會短路。相對於此，在本實施方式中，如圖8所示，在第2切斷工序中，使沿著Z方向排列的切割刀刃42在垂直於層疊方向即ζ方向的X方向上移動，從而進行長條體31的切斷。因此，切削的同時，導電膜21很難產生變形，很難產生第I及第2內部電極11、12間的短路。因此，即使是陶瓷層IOg薄的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率製造。特別是層疊陶瓷電子部件I為電容器的情況下，通過使陶瓷層IOg較薄，從而獲得高的電容，並且能夠以聞成品率製造。以下，說明本發明的優選實施方式的其他例。在以下的說明中，對於與上述第I實施方式實質上具有共同功能的部件附加共同的符號，並省略說明。(第2及第3實施方式)圖15是第2實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖16是第2實施方式中的陶瓷生片層疊體的示意性分解側視圖。圖17是用於說明第2實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖18是用於說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖19是用於說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性側視圖。圖20是第3實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖21是用於說明第3實施方式中的陶瓷生片的層疊工序的示意性俯視圖。圖22是用於說明第3實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖23是用於說明第3實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。在上述第I實施方式中，說明了利用多個導電膜21形成為條紋狀的陶瓷生片20形成陶瓷生片層疊體22的例。但是，本發明並不限於此。例如，也可以如以下那樣形成陶瓷生片層疊體22。在第2實施方式中，與圖6所示的僅由陶瓷部構成的陶瓷生片20—起，如圖15所示那樣，準備具有導電部50a、和經過設置在導電部50a中的多個貫通孔後露出於表面的多個線狀陶瓷部50b的陶瓷生片50。接著，如圖16所示，在層疊了多個陶瓷生片20的基礎上，以線狀陶瓷部50b的位置沿著y方向交替地錯開的方式層疊多個陶瓷生片50，進一步在這上面層疊多個陶瓷生片20，從而形成陶瓷生片層疊體22。此時，在第I切斷工序中，如圖17所示，使沿著在與線狀陶瓷部50b延伸的方向平行的X方向上延伸的切割線CLll排列的切割刀刃在ζ方向上移動來切削陶瓷生片層疊體22，從而形成長條體31，在第2切斷工序中，如圖18及圖19所示，使沿著在ζ方向上延伸的切割線CL12的切割刀刃42在與層疊方向即ζ方向垂直的y方向上移動，從而切削長條體31。此時，也與第I實施方式相同，即使是陶瓷層IOg薄的高性能的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率製造。在第3實施方式中，與圖6所示的僅由陶瓷部構成的陶瓷生片20 —起，如圖20所示那樣，準備具有導電 部60a、經過設置在導電部60a中的多個貫通孔後露出於表面的多個線狀陶瓷部60b、和多個點狀陶瓷部60c的陶瓷生片60。在y方向上相互隔著間隔排列多個線狀陶瓷部60b。在y方向上相鄰的線狀陶瓷部60b之間，沿著X方向相互隔著間隔而排列多個點狀陶瓷部60c。接著，在層疊了多個陶瓷生片20的基礎上，如圖21所示，將多個陶瓷生片60層疊成在ζ方向上與線狀陶瓷部60b和點狀陶瓷部60c重疊，並且在陶瓷生片60上層疊多個陶瓷生片20，從而形成陶瓷生片層疊體22。此時，在第I切斷工序中，如圖22所示那樣，使沿著在與線狀陶瓷部60b延伸的方向平行的X方向上延伸的切割線CL21排列的切割刀刃在ζ方向上移動，從而切削陶瓷生片層疊體22來形成長條體31，在第2切斷工序中，如圖23所示那樣，使沿著在ζ方向上延伸的切割線CL22的切割刀刃42在垂直於層疊方向即ζ方向的y方向上移動，從而切削長條體31。此時，也與第I實施方式相同，即使是陶瓷層IOg薄的高性能的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率製造。(實施例)在第I實施方式所涉及的製造方法中，在下述的條件下約製造了 3000個與第I實施方式所涉及的層疊陶瓷電子部件I相同的層疊陶瓷電子部件。接著，從約3000個樣品中抽出200個樣品，測量有無第I及第2內部電極11、12間的短路，計算出產生了短路的不合格率。結果如表I所示。陶瓷坯體10的長度:1.2mm陶瓷坯體10的寬度:0.6mm陶瓷坯體10的厚度:0.6mm內部電極的厚度:0.4μπι陶瓷生片的層疊數:500層陶瓷生片的厚度:1.5μπι、1.2 μπι、1.Ομπι 或 0.7μπι(比較例)在第2切斷工序中使切割刀刃沿著層疊方向即ζ方向移動來進行切削以外，與實施例相同地製造了約3000個層疊陶瓷電容器。接著，從約3000個樣品中抽出200個樣品，測量有無第I及第2內部電極11、12間的短路，計算出產生了短路的不合格率。結果如表I所示。表I
權利要求
1.一種層疊陶瓷電子部件的製造方法，包括:準備工序，準備具有長方體狀的陶瓷層疊體主體、第I內部電極和第2內部電極的陶瓷層疊體，其中，所述陶瓷層疊體主體具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第I及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第I及第2側面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第I及第2端面；所述第I內部電極在所述陶瓷層疊體主體的內部被設置成與所述第I及第2主面平行，且露出於所述第I端面以及所述第I及第2側面；所述第2內部電極在所述陶瓷層疊體主體的內部被設置成隔著陶瓷層在厚度方向上與所述第I內部電極對置，且露出於所述第2端面以及所述第I及第2側面， 所述準備工序包括: 層疊在表面上形成了用於構成所述第I或第2內部電極的導電膜的陶瓷生片，來製造陶瓷生片層疊體的工序； 切斷所述陶瓷生片層疊體來形成使所述第I及第2內部電極中的任一方露出的所述第I及第2端面的第I切斷工序；和 切斷所述陶瓷生片層疊體來形成使所述第I及第2內部電極這兩個電極露出的所述第I及第2側面的第2切斷工序， 在所述第2切斷工序中，通過使切割刀刃沿著長度方向或寬度方向移動，從而切削所述陶瓷生片層疊體。
2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電子部件的製造方法，其中， 所述陶瓷生片的厚度在1.5μπι以下。
3.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電子部件的製造方法，其中， 在所述第I切斷工 序中，將所述陶瓷生片層疊體切斷成長條狀，在使所述長條體粘接在基盤上的狀態下進行所述第2切斷工序。
4.根據權利要求1 3的任一項所述的層疊陶瓷電子部件的製造方法，其中， 在所述第I及第2切斷工序之前，還具備切除所述陶瓷生片層疊體的外周部來使所述導電膜露出的工序。
全文摘要
本發明提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也很難產生第1及第2內部電極間的短路且能夠很好地製造的方法。層疊在表面上形成了用於構成第1或第2內部電極(11、12)的導電膜(21)的陶瓷生片(20)，來製造陶瓷生片層疊體(22)。進行切斷陶瓷生片層疊體(22)來形成使第1及第2內部電極(11、12)中的任一方露出的第1及第2端面(24e、24f)的第1切斷工序。進行切斷陶瓷生片層疊體(22)來形成使第1及第2內部電極(11、12)這兩個電極露出的第1及第2側面(24c、24d)的第2切斷工序。在第2切斷工序中，使切割刀刃(42)沿著長度方向或寬度方向移動來切削陶瓷生片層疊體(22)。
文檔編號H01G4/30GK103247442SQ20131004605
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月5日 優先權日2012年2月7日
發明者田中淳也, 堤啟恭 申請人:株式會社村田製作所