一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法與流程
2023-11-06 15:16:02 2
本發明涉及太陽能電池用多晶矽鑄錠裝料領域，特別是一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法。
背景技術：
多晶矽，是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時，矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶矽。利用價值：從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料（包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
在生產多晶矽時，需進行鑄錠，大多數設備多是採用G6設備進行裝料，原先的裝料方法裝料量少且不合理，對裝料誤差的要求較高，容易出現漏矽的現象。
技術實現要素：
針對上述問題，本發明公開了一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法。
為解決以上技術問題，本發明提供的技術方案是:
一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其特徵在於，包括以下步驟：
1、墊底：於鑄錠坩堝底部平鋪一層籽晶；
2、護底：於籽晶上，平鋪一層尾部回收料，所述尾部回收料為，其數量為36片，呈6*6縱橫排布；
3、護底填充：尾部回收料的周邊與鑄錠坩堝之間留有間隙，於間隙內撒上碎多晶，並使碎多晶的上端面與尾部回收料的上端面水平；
4、第一層裝料：所述第一層裝料包括以下4個步驟：（1）沿鑄錠坩堝內壁擺放第一層護邊邊皮，所述第一層護邊邊皮緊貼鑄錠坩堝內壁，擺放完成的第一層護邊邊皮呈長方形排布；（2）擺放晶磚和第一層晶棒，所述晶磚的數量為4個，分別擺放於第一層護邊邊皮所呈的長方形的4個角處，所述第一層晶棒擺放於第一層護邊邊皮所呈的長方形的內部；（3）將還原多晶塊料擺放於第一層晶棒上方，並將第一層還原多晶籽料填充與第一層護邊邊皮、晶磚和第一層晶棒之間的間隙內，所述第一層還原多晶籽料按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第一層晶棒高度；
5、第二層裝料：（1）沿鑄錠坩堝內壁擺放第二層護邊邊皮，所述第二層護邊邊皮緊貼鑄錠坩堝內壁，位於第一層護邊邊皮上方，擺放完成的第二層護邊邊皮呈長方形排布；（2）將第二層晶棒擺放於還原多晶塊料上方；（3）將第二層還原多晶籽料填充於第一層護邊邊皮、第二層護邊邊皮、還原多晶塊料和第二層晶棒之間的間隙內，所述第二層還原多晶籽料按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第二層晶棒高度，在其上撒上母合金，母合金的重量為300g；
6、上層料填充：第二層裝料完成後，在第二層裝料上繼續填充第三層還原多晶籽料，並按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第二層護邊邊皮高度；
7、壘牆邊皮設置和頂料填充：上層料填充完成後，將壘牆邊皮插在上層料上，壘牆邊皮呈長方形排布，其外壁與鑄錠坩堝之間留有間隙，並通過碎多晶填充，填充位置與鑄錠坩堝的上端面的間距為3cm，壘牆邊皮所呈的長方形內部通過第四層還原多晶籽料，按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到壘牆邊皮高度，此時鑄錠坩堝填料完成。
上述的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述第二層護邊邊皮的厚度小於第一層護邊邊皮的厚度。
上述的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述第一層還原多晶籽料、第二層還原多晶籽料、第三層還原多晶籽料和第四層還原多晶籽料以直徑大小進行大-中-小區分，大還原多晶籽料的直徑區間為7~10CM，中還原多晶籽料的直徑區間為5~7CM，小還原多晶籽料的直徑區間為3~5CM。
上述的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述壘牆邊皮凸出於鑄錠坩堝上端面，突出高度為5~7CM。
上述的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述母合金為矽硼母合金。
本發明的有益效果為：
本發明公開的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，包括墊底、護底、護底填充、第一層裝料、第二層裝料、上層料填充、壘牆邊皮設置和頂料填充等多個步驟，合理分布了晶磚和晶棒，優化了邊皮設置，不僅有效提高了6%-8%的裝料量，同時漏矽率的大大降低。
附圖說明
圖1鑄錠坩堝中部縱截面剖視圖。
圖2第一層裝料時，鑄錠坩堝角落俯視圖。
具體實施方式
一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其特徵在於，包括以下步驟：
1、墊底：於鑄錠坩堝1底部平鋪一層籽晶2；
2、護底：於籽晶2上，平鋪一層尾部回收料3，其數量為36片，呈6*6縱橫排布；
3、護底填充：尾部回收料3的周邊與鑄錠坩堝1之間留有間隙，於間隙內撒上碎多晶4，並使碎多晶4的上端面與尾部回收料3的上端面水平；
4、第一層裝料：所述第一層裝料包括以下4個步驟：（1）沿鑄錠坩堝1內壁擺放第一層護邊邊皮5，所述第一層護邊邊皮5緊貼鑄錠坩堝1內壁，擺放完成的第一層護邊邊皮5呈長方形排布；（2）擺放晶磚6和第一層晶棒7，所述晶磚6的數量為4個，分別擺放於第一層護邊邊皮5所呈的長方形的4個角處，所述第一層晶棒7擺放於第一層護邊邊皮5所呈的長方形的內部；（3）將還原多晶塊料8擺放於第一層晶棒7上方，並將第一層還原多晶籽料9填充與第一層護邊邊皮5、晶磚6和第一層晶棒7之間的間隙內，所述第一層還原多晶籽料9按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第一層晶棒7高度；
5、第二層裝料：（1）沿鑄錠坩堝1內壁擺放第二層護邊邊皮10，所述第二層護邊邊皮10緊貼鑄錠坩堝1內壁，位於第一層護邊邊皮5上方，擺放完成的第二層護邊邊皮10呈長方形排布；（2）將第二層晶棒11擺放於還原多晶塊料8上方；（3）將第二層還原多晶籽料12填充於第一層護邊邊皮5、第二層護邊邊皮10、還原多晶塊料8和第二層晶棒11之間的間隙內，所述第二層還原多晶籽料12按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第二層晶棒11高度，在其上撒上母合金，母合金的重量為300g；
6、上層料填充：第二層裝料完成後，在第二層裝料上繼續填充第三層還原多晶籽料13，並按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到第二層護邊邊皮10高度；
7、壘牆邊皮設置和頂料填充：上層料填充完成後，將壘牆邊皮14插在上層料上，壘牆邊皮14呈長方形排布，其外壁與鑄錠坩堝1之間留有間隙，並通過碎多晶4填充，填充位置與鑄錠坩堝1的上端面的間距為3cm，壘牆邊皮14所呈的長方形內部通過第四層還原多晶籽料15，按大-中-小的順序自下而上填充，直至達到壘牆邊皮14高度，此時鑄錠坩堝1填料完成。
上述的一種用於棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述母合金為矽硼母合金。
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍內。因此，本發明的保護範圍應該以權利要求書的保護範圍為準。