電源切換電路以及電子設備的製作方法
2023-11-02 18:21:18 3
技術領區域
本發明涉及一種從多個電源電位中選擇一個電源電位並輸出的電源切換電路。另外，本發明涉及一種使用了這樣的電源切換電路的電子設備等。
背景技術：
在能夠從多個電源被供給電力的電子設備中，使用了從多個電源電位中選擇一個電源電位並輸出的電源切換電路。在這樣的電源切換電路中，存在如下的問題，即，在從多個電源電位中選擇了一個電源電位時，短路電流流通於多個電源電位的輸入端子之間。
作為相關的技術，在專利文獻1的圖1中公開一種電源切換電路，其根據檢測器11的檢測結果而選擇輸入電源電壓v1與輸入電源電壓v2中的一方，並作為輸出電源電壓v3而輸出。控制電路41被供給二極體或門電路(diodeorcircuit)42輸出的電壓v4，並將輸入電源電壓v2供給至pmos(positivechannelmetaloxidesemiconductor，p溝道金屬氧化物半導體)電晶體17的柵極，將輸出電源電壓v3供給至pmos電晶體18的柵極，將接地電壓供給至pmos電晶體19的柵極。在該情況下，pmos電晶體17以及18斷開，pmos電晶體19導通，輸入電源電壓v1從輸出端子t3輸出。
在專利文獻1的電源切換電路中，考慮到即使輸入電源電壓v1高於輸入電源電壓v2，也希望選擇輸入電源電壓v2的情況。但是，如專利文獻1的圖1所示，在pmos電晶體17～19中存在寄生二極體。因此，當在輸入電源電壓v1高於輸入電源電壓v2的情況下選擇輸入電源電壓v2時，短路電流會從輸入電源電壓v1的輸入端子t1經由pmos電晶體19的寄生二極體以及pmos電晶體17及18而向輸入電源電壓v2的輸入端子t2流通。
其結果為，存在pmos電晶體17～19由於短路電流而損壞的可能性。此外，存在有如下的可能，即，在輸入端子t1或t2上連接有蓄電池的情況下，蓄電池因過電流而損壞，或者在輸入端子t1或t2上連接有電源電路的情況下，電源電路的輸出電壓降低或上升。
專利文獻1：日本特開2012-191705號公報(摘要、圖1)
技術實現要素：
因此，鑑於上述這一點，本發明的第一目的在於，提供一種無論從多個電源電位中選擇哪個電源電位，並且不管這些電源電位的高低關係如何，均不會流通有短路電流的電源切換電路。此外，本發明的第二目的在於，在這樣的電源切換電路中，能夠根據被供給的電源電位的高低而選擇某一個電源電位。另外，本發明的第三目的在於，提供一種使用了這樣的電源切換電路的電子設備等。
為了解決上述的課題中的至少一部分，本發明的第一觀點所涉及的電源切換電路具備：第一p溝道mos電晶體，其具有被連接於第一節點與第二節點之間的源極和漏極以及被連接於第一節點的背柵，所述第一節點被供給第一電源電位；第二p溝道mos電晶體，其具有被連接於第二節點與第三節點之間的源極和漏極以及被連接於第三節點的背柵；第三p溝道mos電晶體，其具有被連接於第四節點與第五節點之間的源極和漏極以及被連接於第四節點的背柵，所述第四節點被供給第二電源電位；第四p溝道mos電晶體，其具有被連接於第五節點與第三節點之間的源極和漏極以及被連接於第三節點的背柵；控制信號生成部，其通過向第一p溝道mos電晶體至第四p溝道mos電晶體的柵極分別施加具有基準電位以上且背柵的電位以下的電位的第一控制信號至第四控制信號，從而將第一p溝道mos電晶體以及第二p溝道mos電晶體的組與第三p溝道mos電晶體以及第四p溝道mos電晶體的組中的一方設為導通狀態，並且將另一方設為非導通狀態。
根據本發明的第一觀點，被連接於作為輸入節點的第一或第四節點的電晶體的背柵與被連接於作為輸出節點的第三節點的電晶體的背柵電分離。因此，即使在第一電源電位高於第二電源電位的情況下選擇第二電源電位，也能夠防止電流從第一節點向第三節點的流入。相反地，即使在第二電源電位高於第一電源電位的情況下選擇第一電源電位，也能夠防止電流從第四節點向第三節點的流入。其結果為，能夠提供一種無論從多個電源電位中選擇哪個電源電位，並且不管這些電源電位的高低關係如何，均不會流通短路電流的電源切換電路。
本發明的第二觀點所涉及的電源切換電路在上述的構成要素的基礎上，還具備比較部，所述比較部通過將對第一電源電位與基準電位之間的電壓進行分壓而得到的比較電壓與參考電壓進行比較，從而生成電源選擇信號，控制信號生成部根據電源選擇信號而生成第一控制信號至第四控制信號。由此，能夠根據被供給的電源電位的高低而選擇某一個電源電位。例如，在第一節點上未供給有第一電源電位的情況下，電源切換電路能夠選擇被供給至第四節點的第二電源電位並從第三節點輸出。
在本發明的第二觀點中，也可以採用如下方式，即，控制信號生成部包括：第一二極體，其具有被連接於第一節點的陽極以及被連接於第六節點的陰極；第二二極體，其具有被連接於第四節點的陽極以及被連接於第六節點的陰極，第六節點的電位作為電源電位而被供給至比較部。由此，能夠基於被供給至第一節點的第一電源電位與被供給至第四節點的第二電源電位中的較高一方的電源電位，而生成控制信號生成部以及比較部的電源電位。
此外，控制信號生成部也可以包括：第一電平轉換器，其通過將低電平有效的電源選擇信號的高電平從第六節點的電位轉換為第一電源電位，從而生成第一控制信號；第二電平轉換器，其通過將低電平有效的電源選擇信號的高電平從第六節點的電位轉換為第三節點的電位，從而生成第二控制信號；第三電平轉換器，其通過將高電平有效的電源選擇信號的高電平從第六節點的電位轉換為第二電源電位，從而生成第三控制信號；第四電平轉換器，其通過將高電平有效的電源選擇信號的高電平從第六節點的電位轉換為第三節點的電位從而生成第四控制信號。由此，能夠生成具有用於將第一至第四p溝道mos電晶體設為非導通狀態的充分的高電平的電位的第一至第四控制信號。
另外，比較部也可以包括開關電路，所述開關電路根據設定而使比較動作停止，並將電源選擇信號的電平固定。由此，在無需選擇電源電位時，能夠削減比較部中的消耗電流。
本發明的第三觀點所涉及的電子設備具備：本發明的第二觀點所涉及的電源切換電路；邏輯電路，其根據在比較電壓低於參考電壓時所生成的電源選擇信號而停止動作。由此，例如，在電子設備根據從蓄電池供給至第四節點的第二電源電位而動作的情況下，能夠抑制蓄電池的消耗。
附圖說明
圖1為表示本發明的一個實施方式所涉及的電子設備的結構例的圖。
圖2為表示圖1所示的半導體集成電路裝置的一部分的剖視圖。
圖3為表示圖1所示的電源切換電路的動作示例的波形圖。
圖4為表示圖1所示的比較部的結構例的電路圖。
具體實施方式
以下，參考附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。另外，對相同的構成要素標記相同的參考符號，並省略重複的說明。在以下，作為一個示例，對電子設備為對電壓、電流、電功率等中的一種或者多種進行測量的測量設備的情況進行說明。
電子設備
圖1為表示本發明的一個實施方式所涉及的電子設備的結構例的圖。如圖1所示，該電子設備可以包括本發明的一個實施方式所涉及的電源切換電路10、邏輯電路50、穩壓器60、計時電路70、模擬電路80、i/o電路(輸入輸出電路)90。在以下，對電源切換電路10至i/o電路90被內置於半導體集成電路裝置(ic)100中的情況進行說明。而且，電子設備還可以包括ac/dc轉換器110、穩壓器(reg)120、分壓電路130、蓄電池140、電容器c1。
ac/dc轉換器110將從杆上變壓器等ac電源供給的ac(alternatingcurrent，交流)電源電壓轉換為dc(directcurrent，直流)電源電壓。穩壓器120通過將從ac/dc轉換器110輸出的dc電源電壓穩定化，從而以基準電位vss(例如，0v)為基準而生成第一電源電位v1(例如，5v)，並向電源切換電路10供給第一電源電位v1。
分壓電路130包括被串聯的電阻r1以及可變電阻r2，並且對第一電源電位v1與基準電位vss之間的電壓進行分壓而生成比較電壓vcmp。蓄電池140以基準電位vss為基準而向電源切換電路10供給第二電源電位v2(例如，3.6v)。電容器c1將從電源切換電路10輸出的輸出電源電位v3穩定化。
電源切換電路
電源切換電路10對作為主要的電源電位而被供給至節點n1的第一電源電位v1與作為輔助的電源電位而被供給至節點n4的第二電源電位v2中的一方進行選擇，並將所選擇的電源電位從節點n3輸出。電源切換電路10包括p溝道mos電晶體qp1～qp4和控制信號生成部20，還可以包括比較部30和電平轉換器(l/s)40。
電晶體qp1具有被連接於節點n1與節點n2之間的源極以及漏極和被連接於節點n1的背柵，所述節點n1被供給第一電源電位v1。在電晶體qp1中存在寄生二極體，該寄生二極體具有被連接於節點n2的陽極和被連接於節點n1的陰極。
電晶體qp2具有被連接於節點n2與節點n3之間的源極以及漏極和被連接於節點n3的背柵。在電晶體qp2中存在寄生二極體，該寄生二極體具有被連接於節點n2的陽極和被連接於節點n3的陰極。
電晶體qp3具有被連接於節點n4與節點n5之間的源極以及漏極和被連接於節點n4的背柵，所述節點n4被供給第二電源電位v2。在電晶體qp3中存在寄生二極體，該寄生二極體具有被連接於節點n5的陽極和被連接於節點n4的陰極。
電晶體qp4具有被連接於節點n5與節點n3之間的源極以及漏極和被連接於節點n3的背柵。在電晶體qp4中存在寄生二極體，該寄生二極體具有被連接於節點n5的陽極和被連接於節點n3的陰極。
控制信號生成部20向電晶體qp1～qp4的柵極分別施加具有基準電位vss以上且背柵的電位以下的電位的控制信號s1～s4。由此，控制信號生成部20將電晶體qp1以及qp2的組與電晶體qp3以及qp4的組中的一方設為導通狀態(通態)，並且將另一方設為非導通狀態(斷開狀態)。
當電晶體qp1以及qp2成為導通狀態，並且電晶體qp3以及qp4成為斷開狀態時，第一電源電位v1被選擇，並作為輸出電源電位v3而被供給至節點n3。另一方面，當電晶體qp3以及qp4成為導通狀態，並且電晶體qp1以及qp2成為斷開狀態時，第二電源電位v2被選擇，並作為輸出電源電位v3而被供給至節點n3。
控制信號生成部20包括電平轉換器(l/s)21～24、倒相器25、二極體d1以及d2。二極體d1具有與被供給第一電源電位v1的節點n1連接的陽極和與節點n6連接的陰極。二極體d2具有與被供給第二電源電位v2的節點n4連接的陽極和與節點n6連接的陰極。
因此，在作為二極體d1和二極體d2的連接點的節點n6處，生成從第一電源電位v1與第二電源電位v2中的較高一方的電位降低了二極體的正向電壓的電位。節點n6的電位作為內部電源電位v4而被供給至電平轉換器21～24、倒相器25以及比較部30等。由此，能夠基於被供給至節點n1的第一電源電位v1與被供給至節點n4的第二電源電位v2中的較高一方的電源電位，而生成控制信號生成部20以及比較部30等的電源電位。
比較部30由比較器等構成，並且通過將對第一電源電位v1與基準電位vss之間的電壓進行分壓而得到的比較電壓vcmp與參考電壓vref1進行比較，從而生成電源選擇信號sel1。控制信號生成部20根據電源選擇信號sel1而生成控制信號s1～s4。由此，例如，在未從穩壓器120向節點n1供給第一電源電位v1的情況下，電源切換電路10能夠選擇從蓄電池140供給至節點n4的第二電源電位v2並從節點n3輸出。
例如，比較部30生成高電平有效的電源選擇信號sel1。高電平有效的電源選擇信號sel1在比較電壓vcmp高於參考電壓vref1時成為高電平(內部電源電位v4)，在比較電壓vcmp低於參考電壓vref1時成為低電平(基準電位vss)。在該情況下，控制信號生成部20的倒相器25對高電平有效的電源選擇信號sel1進行倒相而生成低電平有效的電源選擇信號sel2。另外，控制信號生成部20也可以代替通過比較部30生成的電源選擇信號sel1，而根據從電源切換電路10的外部供給的電源選擇信號sel1來生成控制信號s1～s4。
電平轉換器21被供給內部電源電位v4以及第一電源電位v1，並且通過將低電平有效的電源選擇信號sel2的高電平從內部電源電位v4轉換為第一電源電位v1，從而生成控制信號s1。電平轉換器22被供給內部電源電位v4以及輸出電源電位v3，並且通過將低電平有效的電源選擇信號sel2的高電平從內部電源電位v4轉換為輸出電源電位v3，從而生成控制信號s2。
電平轉換器23被供給內部電源電位v4以及第二電源電位v2，並且通過將高電平有效的電源選擇信號sel1的高電平從內部電源電位v4轉換為第二電源電位v2，從而生成控制信號s3。電平轉換器24被供給內部電源電位v4以及輸出電源電位v3，並且通過將高電平有效的電源選擇信號sel1的高電平從內部電源電位v4轉換為輸出電源電位v3，從而生成控制信號s4。由此，能夠生成具有用於將電晶體qp1～qp4設為斷開狀態的充分的高電平的電位的控制信號s1～s4。
圖2為表示圖1所示的半導體集成電路裝置的一部分的剖視圖。圖2中作為一個示例而圖示了設置有電晶體qp1以及qp2的區域。如圖2所示，在p型的半導體基板101內形成有n阱102以及n阱103。此外，為了向半導體基板101施加基準電位vss，而在半導體基板101內形成有p型的雜質區域104。
電晶體qp1被設置於與被供給第一電源電位v1的節點n1電連接的n阱102中。即，在n阱102內形成有成為電晶體qp1的源極s以及漏極d的p型的雜質區域，在n阱102上隔著柵極絕緣膜而設置有電晶體qp1的柵電極g。
n阱102相當於電晶體qp1的背柵，為了向n阱102施加電位，而在n阱102內形成有n型的雜質區域105。電晶體qp1的源極以及背柵被連接於節點n1並被供給第一電源電位v1。電晶體qp1的漏極被連接於節點n2。
此外，電晶體qp2被設置於與節點n3電連接的n阱103中。即，在n阱103內形成有成為電晶體qp2的源極s以及漏極d的p型的雜質區域，在n阱103上隔著柵極絕緣膜而設置有電晶體qp2的柵電極g。
n阱103相當於電晶體qp2的背柵，為了向n阱103施加電位，而在n阱103內形成有n型的雜質區域106。電晶體qp2的源極被連接於節點n2。電晶體qp2的漏極以及背柵被連接於節點n3。
在選擇被供給至節點n1的第一電源電位v1的情況下，基準電位vss被施加於電晶體qp1的柵極以及電晶體qp2的柵極。由此，電晶體qp1以及qp2成為導通狀態，從而第一電源電位v1被供給至節點n3。
另一方面，在不選擇被供給至節點n1的第一電源電位v1的情況下，如圖2所示，第一電源電位v1被施加於電晶體qp1的柵極，並且輸出電源電位v3被施加於電晶體qp2的柵極。由此，電晶體qp1以及qp2成為斷開狀態。
此外，如圖2所示，在電晶體qp1中，存在將漏極d作為陽極並將n阱102作為陰極的寄生二極體。同樣地，在電晶體qp2中，存在將源極s作為陽極並將n阱103作為陰極的寄生二極體。
因此，當未設置電晶體qp1而將電晶體qp2的源極s連接於節點n1時，即使將電晶體qp2設為斷開狀態，在節點n1的電位與節點n3的電位相比高出二極體的正向電壓以上的情況下，電流也會經由電晶體qp2的寄生二極體而從節點n1向節點n3流通。
另一方面，根據圖2所示的結構，被連接於作為輸入節點的節點n1的電晶體qp1的背柵(n阱102)與被連接於作為輸出節點的節點n3的電晶體qp2的背柵(n阱103)電分離。因此，即使在第一電源電位v1高於第二電源電位v2的情況下選擇第二電源電位v2，也能夠防止電流從節點n1向節點n3的流入。
圖1所示的電晶體qp3以及qp4也具有與電晶體qp1以及qp2相同的結構。因此，即使在第二電源電位v2高於第一電源電位v1的情況下選擇第一電源電位v1，也能夠防止電流從節點n4向節點n3的流入。其結果為，能夠提供無論從多個電源電位中選擇哪個電源電位，並且不管這些電源電位的高低關係如何，均不會流通短路電流的電源切換電路10。
動作示例
接下來，參考圖1以及圖3對圖1所示的電源切換電路10的動作示例進行說明。圖3為表示圖1所示的電源切換電路的動作示例的波形圖。在該示例中，比較部30由施密特觸發電路構成，並且具有滯後特性。
在第一期間t1內，由於從穩壓器120供給的第一電源電位v1與預定的值相比較高，因此對第一電源電位v1與基準電位vss之間的電壓進行分壓而得到的比較電壓vcmp變為高於參考電壓vref1(-)。比較部30通過對比較電壓vcmp與參考電壓vref1(-)進行比較，從而生成高電平的電源選擇信號sel1。此外，倒相器25對高電平的電源選擇信號sel1進行倒相從而生成低電平的電源選擇信號sel2。
因此，電平轉換器21以及電平轉換器22向電晶體qp1以及電晶體qp2的柵極施加基準電位vss。由此，電晶體qp1以及電晶體qp2成為導通狀態。此外，電平轉換器23向電晶體qp3的柵極施加第二電源電位v2，並且電平轉換器24向電晶體qp4的柵極施加輸出電源電位v3。由此，電晶體qp3以及電晶體qp4成為斷開狀態。其結果為，在第一期間t1內，第一電源電位v1被選擇，並且作為輸出電源電位v3而被供給至節點n3。
當從穩壓器120供給的第一電源電位v1因某種原因而與預定的值相比降低時，比較電壓vcmp變為低於參考電壓vref1(-)，因此比較部30使電源選擇信號sel1變化為低電平。此外，倒相器25對低電平的電源選擇信號sel1進行倒相，從而生成高電平的電源選擇信號sel2。
因此，電平轉換器23以及電平轉換器24向電晶體qp3以及電晶體qp4的柵極施加基準電位vss。由此，電晶體qp3以及電晶體qp4成為導通狀態。此外，電平轉換器21向電晶體qp1的柵極施加第一電源電位v1，並且電平轉換器22向電晶體qp2的柵極施加輸出電源電位v3。由此，電晶體qp1以及qp2成為斷開狀態。其結果為，在第二期間t2內，第二電源電位v2被選擇，並作為輸出電源電位v3而被供給至節點n3。
當從穩壓器120供給的第一電源電位v1再次超過預定的值而進一步變高時，比較電壓vcmp變為高於參考電壓vref1(+)，因此比較部30使電源選擇信號sel1變化為高電平。其結果為，在第三期間t3內，第一電源電位v1被選擇，並作為輸出電源電位v3而被供給至節點n3。如圖3所示，由於比較部30的滯後特性，從而在參考電壓vref1(-)與參考電壓vref1(+)之間產生差δvref1。
周邊電路
再次參考圖1，電源切換電路10的輸出電源電位v3被供給至穩壓器60、計時電路70、模擬電路80以及i/o電路90等周邊電路。穩壓器60包括運算放大器61、電阻r61以及電阻r62。電阻r61以及電阻r62對運算放大器61的輸出電壓進行分壓，並且通過將分壓得到的電壓反饋至運算放大器61的反相輸入端子，從而對運算放大器61的增益進行設定。運算放大器61通過以所設定的增益而對參考電位vref2進行放大，從而生成邏輯電源電位v5(例如，1.8v)並供給至邏輯電路50。
邏輯電路50包括例如組合電路或時序電路等邏輯電路、cpu(中央運算裝置)或者寄存器或存儲器等存儲部，並根據通過電源切換電路10的比較部30生成的電源選擇信號sel1而被控制。此外，在包含在邏輯電路50中的電路元件的耐圧與電源切換電路10的內部電源電位v4相比較低的情況下，電平轉換器40被設置在電源切換電路10中。電平轉換器40通過將利用比較部30生成的電源選擇信號sel1的高電平從內部電源電位v4轉換為邏輯電源電位v5，從而生成電源選擇信號out，並將電源選擇信號out供給至邏輯電路50。
第一應用例
例如，當在圖1所示的電子設備被搬運之際未供給有ac電源電壓時，ac/dc轉換器110以及穩壓器120停止動作，從而第一電源電位v1降低至基準電位vss。由此，由於比較電壓vcmp也降低至基準電位vss，因此通過比較部30而生成的電源選擇信號sel1成為低電平，從而電源切換電路10選擇從蓄電池140供給的第二電源電位v2。
即使在電子設備通過來自蓄電池140的電源供給而進行動作時，計時電路70也繼續進行計時動作並持續生成表示當前時刻的計時信號。另一方面，邏輯電路50根據在比較電壓vcmp低於參考電壓vref1時所生成的電源選擇信號out而停止動作。由此，在電子設備通過從蓄電池140被供給至節點n4的第二電源電位v2而進行動作的情況下，能夠抑制蓄電池140的消耗。
或者，邏輯電路50也可以在從電源切換電路10供給的電源選擇信號out的電平發生變化時，將電源選擇信號out存儲於存儲部中。由此，能夠在之後從存儲部中讀取與電子設備是由ac電源驅動還是由蓄電池驅動相關的狀態信息。另外，邏輯電路50也可以將通過計時電路70而生成的計時信號與電源選擇信號out一起存儲於存儲部中。由此，能夠在之後從存儲部中讀取與電子設備的驅動狀態在何時被切換相關的狀態信息。
第二應用例
此外，一旦圖1所示的電子設備被設置，則存在不需要蓄電池140的情況。在這種情況下，比較部30可以停止比較動作並將電源選擇信號sel1的電平固定。
圖4為表示圖1所示的比較部的結構例的電路圖。如圖4所示，比較部30包括電阻r30、n溝道mos電晶體qn31～qn34。此處，電晶體qn31以及qn32構成了差分對。此外，電晶體qn34構成了開關電路，該開關電路根據設定而使比較動作停止，並將電源選擇信號sel1的電平固定。
電晶體qn31具有與被供給內部電源電位v4的節點n6連接的漏極和被施加比較電壓vcmp的柵極。電晶體qn32具有經由電阻r30而與節點n6連接的漏極和被施加參考電壓vref1的柵極。從電阻r30與電晶體qn32之間的連接點輸出電源選擇信號sel1。
電晶體qn33具有與電晶體qn31以及電晶體qn32的源極連接的漏極和被施加偏壓vbi的柵極。電晶體qn34具有：與電晶體qn33的源極連接的漏極；被施加從外部供給至圖1所示的ic100的端子的使能信號en的柵極；與基準電位vss的配線連接的源極。在ic100的上述端子也可以連接有用於對使能信號en的電平進行設定的開關。
由於在使能信號en為高電平時，電晶體qn34成為導通狀態，從而在電晶體qn31～qn33中流通有電流，因此比較部30實施比較動作。另一方面，由於在使能信號en為低電平時，電晶體qn34成為斷開狀態，從而在電晶體qn31～qn33中未流通電流，因此比較部30停止比較動作，電源選擇信號sel1被固定為高電平。
在初始狀態下，高電平的使能信號en被供給至比較部30。比較部30在使能信號en為高電平時，通過對比較電壓vcmp與參考電壓vref1進行比較，從而生成電源選擇信號sel1。電源切換電路10根據電源選擇信號sel1而對從穩壓器120供給的第一電源電位v1與從蓄電池140供給的第二電源電位v2中的一方進行選擇。
之後，根據設定，低電平的使能信號en被供給至比較部30。比較部30在使能信號en為低電平時，停止比較動作並將電源選擇信號sel1固定為高電平。由此，電源切換電路10選擇從穩壓器120供給的第一電源電位v1。通過以此方式，在無需選擇電源電位時，能夠削減比較部30中的消耗電流。另外，使能信號en也能夠利用在對圖1所示的電子設備進行測試時。
雖然在以上的實施方式中，作為電子設備而對測量設備進行了說明，但本發明除了測量設備以外，還能夠應用於例如，電子計算器、電子詞典、電子遊戲涉及、行動電話等移動終端、數位照相機、數碼攝像機、電視、可視電話、防盜用視頻監視器、頭戴式顯示器、個人計算機、印表機、網絡設備、汽車導航裝置、測量設備以及醫療設備(例如電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電圖測量裝置、超聲波診斷裝置以及電子內窺鏡)等電子設備中。如此，本發明並不限定於以上所說明的實施方式，而是能夠由在本技術領區域中具有公知常識的人員在本發明的技術思想範圍內進行多種改變。
符號說明
10…電源切換電路；20…控制信號生成部；21～24…電平轉換器；25…倒相器；30…比較部；40…電平轉換器；50…邏輯電路；60…穩壓器；61…運算放大器；70…計時電路；80…模擬電路；90…i/o電路；100…半導體集成電路裝置；101…半導體基板；102、103…n阱；104…p型雜質區域；105、106…n型雜質區域；110…ac/dc轉換器；120…穩壓器；130…分壓電路；140…蓄電池；qp1～qp4…p溝道mos電晶體；qn31～qn34…n溝道mos電晶體；d1、d2…二極體；r1、r30、r61、r62…電阻；r2…可變電阻；c1…電容器。